JPWO2011040385A1 - Ｎｉ膜の成膜方法 - Google Patents

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Abstract

成膜原料としてニッケルアミジネートを用い、還元ガスとしてアンモニア、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも１種を用いたＣＶＤにより基板上に窒素を含むＮｉ膜を成膜する工程と、成膜された窒素を含むＮｉ膜に水素ガスを供給して、Ｎｉを触媒として原子状水素を生成させ、生成した原子状水素により前記窒素を含むＮｉ膜から窒素を脱離させる工程とを含むサイクルを、１回または複数回行う。

Description

本発明は、化学蒸着法（ＣＶＤ）によりＮｉ膜を成膜するＮｉ膜の成膜方法に関する。
近時、半導体デバイスには、一層の動作の高速化と低消費電力化が求められており、例えば、ＭＯＳ型半導体のソースおよびドレインのコンタクト部やゲート電極の低抵抗化を実現するために、サリサイドプロセスによりシリサイドを形成している。このようなシリサイドとして、シリコンの消費量が少なく、低抵抗化が可能なニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）が注目されている。
ＮｉＳｉ膜の形成には、Ｓｉ基板またはポリシリコン膜上にスパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶＤ）によりニッケル（Ｎｉ）膜を成膜した後、不活性ガス中でアニールして反応させる方法が多用されている（例えば特開平９−１５３６１６号公報）。
また、Ｎｉ膜自体をＤＲＡＭのキャパシタ電極に使用しようとする試みもなされている。
しかし、半導体デバイスの微細化にともなってＰＶＤではステップカバレッジが悪いという欠点があり、Ｎｉ膜をステップカバレッジが良好なＣＶＤにより成膜する方法が検討されている（例えば国際公開第２００７／１１６９８２号）。
Ｎｉ膜をＣＶＤで成膜する際の成膜原料（プリカーサ）としては、ニッケルアミジネートを好適に用いることができるが、ニッケルアミジネートをプリカーサとして用いてＮｉ膜を成膜する場合には、膜中にＮが取り込まれてＮｉ膜成膜の際に同時にニッケルナイトライド（ＮｉｘＮ）が形成され、得られる膜は窒素を含有したＮｉ膜となり、また、膜中にはその他にＯ（酸素）等の不純物も残存して、膜の抵抗は高いものとなってしまう。
したがって、本発明の目的は、ニッケルアミジネートを成膜原料として不純物の少ないＮｉ膜を成膜するＮｉ膜の成膜方法を提供することにある。
本発明によれば、成膜原料としてニッケルアミジネートを用い、還元ガスとしてアンモニア、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも１種を用いたＣＶＤにより基板上に窒素を含むＮｉ膜を成膜することと、前記窒素を含むＮｉ膜に水素ガスを供給して、Ｎｉを触媒として原子状水素を生成させ、生成した原子状水素により前記窒素を含むＮｉ膜から窒素を脱離させることとを含むサイクルを、１回または複数回行う、Ｎｉ膜の成膜方法が提供される。
また、本発明によれば、コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、成膜原料としてニッケルアミジネートを用い、還元ガスとしてアンモニア、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも１種を用いたＣＶＤにより基板上に窒素を含むＮｉ膜を成膜することと、前記窒素を含むＮｉ膜に水素ガスを供給して、Ｎｉを触媒として原子状水素を生成させ、生成した原子状水素により前記窒素を含むＮｉ膜から窒素を脱離させることとを含むサイクルを、１回または複数回行う、Ｎｉ膜の成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させる記憶媒体が提供される。
本発明の一実施形態に係る金属膜の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る金属膜の成膜方法のシーケンスを示すタイミングチャートである。 処理温度１６０℃のときのサイクル数とＳｉウエハ上に得られたＮｉ膜の比抵抗との関係を示す図である。 処理温度１６０℃のときのサイクル数とＳｉＯ２ウエハ上に得られたＮｉ膜の比抵抗との関係を示す図である。 処理温度１６０℃のときの各サイクル数で成膜したＮｉ膜のＸ線回折（ＸＲＤ）チャートである。 処理温度１６０℃のときのサイクル数１回、４回、１０回で成膜したＮｉ膜の表面のＳＥＭ写真である。 処理温度２００℃のときのサイクル数とＳｉウエハ上に得られたＮｉ膜の比抵抗との関係を示す図である。 処理温度２００℃のときのサイクル数とＳｉＯ２ウエハ上に得られたＮｉ膜の比抵抗との関係を示す図である。 処理温度２００℃のときのサイクル数１回、２回、４回で成膜したＮｉ膜の表面のＳＥＭ写真である。 温度を変化させてＳｉＯ２膜の上にＮｉ膜を成膜したときの、Ｘ線回折（ＸＲＦ）におけるＮｉピーク強度の変化を示す図である。 温度を変化させてＳｉＯ２膜の上にＮｉ膜を成膜したときの、表面のＳＥＭ写真である。 温度、圧力、処理時間を変えてＨ２処理を行ったときの比抵抗値Ｒｓの減少量を把握した結果を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
本実施形態では、金属膜としてニッケル膜を形成する場合について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る金属膜の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す模式図である。
この成膜装置１００は、気密に構成された略円筒状のチャンバー１を有しており、その中には被処理基板であるウエハＷを水平に支持するためのサセプタ２が、後述する排気室の底部からその中央下部に達する円筒状の支持部材３により支持された状態で配置されている。このサセプタ２はＡｌＮ等のセラミックスからなっている。また、サセプタ２にはヒーター５が埋め込まれており、このヒーター５にはヒーター電源６が接続されている。一方、サセプタ２の上面近傍には熱電対７が設けられており、熱電対７の信号はヒーターコントローラ８に伝送されるようになっている。そして、ヒーターコントローラ８は熱電対７の信号に応じてヒーター電源６に指令を送信し、ヒーター５の加熱を制御してウエハＷを所定の温度に制御するようになっている。サセプタ２の内部のヒーター５の上方には、高周波電力印加用の電極２７が埋設されている。この電極２７には整合器２８を介して高周波電源２９が接続されており、必要に応じて電極２７に高周波電力を印加してプラズマを生成し、プラズマＣＶＤを実施することも可能となっている。なお、サセプタ２には３本のウエハ昇降ピン（図示せず）がサセプタ２の表面に対して突没可能に設けられており、ウエハＷを搬送する際に、サセプタ２の表面から突出した状態にされる。
チャンバー１の天壁１ａには、円形の孔１ｂが形成されており、そこからチャンバー１内へ突出するようにシャワーヘッド１０が嵌め込まれている。シャワーヘッド１０は、後述するガス供給機構３０から供給された成膜用のガスをチャンバー１内に吐出するためのものであり、その上部には、成膜原料ガスとして、例えばＮｉ（II）Ｎ、Ｎ′−ジ−ターシャリブチルアミジネート（Ｎｉ（II）（ｔＢｕ−ＡＭＤ）２）のようなニッケルアミジネートが導入される第１の導入路１１と、チャンバー１内に還元ガスとしてのＮＨ３ガスまたは熱処理ガスとしてのＨ２ガスが導入される第２の導入路１２とを有している。
なおニッケルアミジネートとしては、他に、Ｎｉ（II）Ｎ、Ｎ′−ジ−イソプロピルアミジネート（Ｎｉ（II）（ｉＰｒ−ＡＭＤ）２）、Ｎｉ（II）Ｎ、Ｎ′−ジ−エチルアミジネート（Ｎｉ（II）（Ｅｔ−ＡＭＤ）２）、Ｎｉ（II）Ｎ、Ｎ′−ジ−メチルアミジネート（Ｎｉ（II）（Ｍｅ−ＡＭＤ）２）等を挙げることができる。
シャワーヘッド１０の内部には上下２段に空間１３、１４が設けられている。上側の空間１３には第１の導入路１１が繋がっており、この空間１３から第１のガス吐出路１５がシャワーヘッド１０の底面まで延びている。下側の空間１４には第２の導入路１２が繋がっており、この空間１４から第２のガス吐出路１６がシャワーヘッド１０の底面まで延びている。すなわち、シャワーヘッド１０は、成膜原料としてのＮｉ化合物ガスとＮＨ３ガスまたはＨ２ガスとがそれぞれ独立して吐出路１５および１６から吐出するようになっている。
チャンバー１の底壁には、下方に向けて突出する排気室２１が設けられている。排気室２１の側面には排気管２２が接続されており、この排気管２２には真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気装置２３が接続されている。そしてこの排気装置２３を作動させることによりチャンバー１内を所定の減圧状態とすることが可能となっている。
チャンバー１の側壁には、ウエハＷの搬入出を行うための搬入出口２４と、この搬入出口２４を開閉するゲートバルブ２５とが設けられている。また、チャンバー１の壁部には、ヒーター２６が設けられており、成膜処理の際にチャンバー１の内壁の温度を制御可能となっている。
ガス供給機構３０は、ニッケルアミジネート、例えばＮｉ（II）Ｎ、Ｎ′−ジ−ターシャリブチルアミジネート（Ｎｉ（II）（ｔＢｕ−ＡＭＤ）２）を成膜原料として貯留する成膜原料タンク３１を有している。成膜原料タンク３１の周囲にはヒーター３１ａが設けられており、タンク３１内の成膜原料を適宜の温度に加熱することができるようになっている。
成膜原料タンク３１には、上方からバブリングガスであるＡｒガスを供給するためのバブリング配管３２が成膜原料に浸漬されるようにして挿入されている。バブリング配管３２にはＡｒガス供給源３３が接続されており、また、流量制御器としてのマスフローコントローラ３４およびその前後のバルブ３５が介装されている。また、成膜原料タンク３１内には原料ガス送出配管３６が上方から挿入されており、この原料ガス送出配管３６の他端はシャワーヘッド１０の第１の導入路１１に接続されている。原料ガス送出配管３６にはバルブ３７が介装されている。また、原料ガス送出配管３６には成膜原料ガスの凝縮防止のためのヒーター３８が設けられている。そして、バブリングガスであるＡｒガスが成膜原料に供給されることにより成膜原料タンク３１内で成膜原料がバブリングにより気化され、生成された成膜原料ガスが、原料ガス送出配管３６および第１の導入路１１を介してシャワーヘッド１０内に供給される。
なお、バブリング配管３２と原料ガス送出配管３６との間は、バイパス配管４８により接続されており、このバイパス配管４８にはバルブ４９が介装されている。バブリング配管３２および原料ガス送出配管３６におけるバイパス配管４８接続部分の下流側にはそれぞれバルブ３５ａ，３７ａが介装されている。そして、バルブ３５ａ，３７ａを閉じてバルブ４９を開くことにより、Ａｒガス供給源３３からのアルゴンガスを、バブリング配管３２、バイパス配管４８、原料ガス送出配管３６を経て、パージガス等としてチャンバー１内に供給することが可能となっている。
シャワーヘッド１０の第２の導入路１２には、配管４０が接続されており、配管４０にはバルブ４１が設けられている。この配管４０は分岐配管４０ａ，４０ｂに分岐しており、分岐配管４０ａには還元ガスであるＮＨ３ガスを導入するためのＮＨ３ガス供給源４２が接続され、分岐配管４０ｂにはＨ２ガス供給源４３が接続されている。また、分岐配管４０ａには流量制御器としてのマスフローコントローラ４４およびその前後のバルブ４５が介装されており、分岐配管４０ｂには流量制御器としてのマスフローコントローラ４６およびその前後のバルブ４７が介装されている。なお、還元ガスとしては、ＮＨ３の他、ヒドラジンや、ＮＨ３誘導体、ヒドラジン誘導体を用いることができる。
また必要に応じて電極２７に高周波電力を印加してプラズマＣＶＤを実施する場合には、図示されていないが、配管４０にはさらに分岐配管が増設され、この分岐配管にマスフローコントローラおよびその前後のバルブを介設して、プラズマ着火用のＡｒガス供給源を設けることが好ましい。
この成膜装置は、各構成部、具体的にはバルブ、電源、ヒーター、ポンプ等を制御する制御部５０を有している。この制御部５０は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたプロセスコントローラ５１と、ユーザーインターフェース５２と、記憶部５３とを有している。プロセスコントローラ５１には成膜装置１００の各構成部が電気的に接続されて制御される構成となっている。ユーザーインターフェース５２は、プロセスコントローラ５１に接続されており、オペレータが成膜装置の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、成膜装置の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなっている。記憶部５３もプロセスコントローラ５１に接続されており、この記憶部５３には、成膜装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ５１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置１００の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわち処理レシピや、各種データベース等が格納されている。処理レシピは記憶部５３の中の記憶媒体（図示せず）に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスク等の固定的に設けられているものであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース５２からの指示等にて所定の処理レシピを記憶部５３から呼び出してプロセスコントローラ５１に実行させることで、プロセスコントローラ５１の制御下で、成膜装置１００での所望の処理が行われる。
次に、成膜装置１００により実施される本発明の一実施形態に係るニッケル膜の成膜方法について説明する。
まず、ゲートバルブ２５を開け、図示せぬ搬送装置によりウエハＷを、搬入出口２４を介してチャンバー１内に搬入し、サセプタ２上に載置する。次いで、チャンバー１内を排気装置２３により排気してチャンバー１内を所定の圧力にし、サセプタ２を所定温度に加熱し、その状態で図２に示すように、成膜原料ガスであるニッケルアミジネートと還元ガスとを供給してＮを含有するＮｉ膜を成膜する成膜工程（ステップ１）と、成膜されたＮを含有するＮｉ膜にＨ２ガスを供給してその膜からＮを脱離させる脱窒素工程（ステップ２）とを、パージ工程（ステップ３）を挟んで、１サイクル行うか、または２サイクル以上繰り返して行う。
ステップ１の成膜工程では、成膜原料タンク３１内に貯留された成膜原料としてのニッケルアミジネート、例えばＮｉ（II）Ｎ、Ｎ′−ジ−ターシャリブチルアミジネート（Ｎｉ（II）（ｔＢｕ−ＡＭＤ）２）にバブリングガスとしてのＡｒガスを供給して、その成膜原料としてのＮｉ化合物をバブリングにより気化させ、原料ガス送出配管３６、第１の導入路１１、シャワーヘッド１０を介してチャンバー１内へ供給し、還元ガスとしてのＮＨ３ガスをＮＨ３ガス供給源４２から分岐配管４０ａ、配管４０、第２の導入路１２、シャワーヘッド１０を介してチャンバー１内に供給する。なお、還元ガスとしては、ＮＨ３の他、ヒドラジン、ＮＨ３誘導体、ヒドラジン誘導体を用いることができる。すなわち、還元ガスとしては、ＮＨ３、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも１種を用いることができる。アンモニア誘導体としては例えばモノメチルアンモニウムを用いることができ、ヒドラジン誘導体としては例えばモノメチルヒドラジン、ジメチルヒドラジンを用いることができる。これらの中ではアンモニアが好ましい。これらは、非共有電子対を有する還元剤であり、ニッケルアミジネートとの反応性が高く、比較的低温でＮを含有するＮｉ膜を得ることができる。
この際の成膜反応について以下に説明する。
成膜原料として用いるニッケルアミジネートは、Ｎｉ（II）Ｎ、Ｎ′−ジ−ターシャリブチルアミジネート（Ｎｉ（II）（ｔＢｕ−ＡＭＤ）２）を例にとると、以下の（１）式に示す構造を有している。
すなわち、核となるＮｉにアミジネート配位子が結合しており、Ｎｉは実質的にＮｉ２＋として存在している。
非共有電子対を有する還元剤、例えばＮＨ３は、上記構造のニッケルアミジネートのＮｉ２＋として存在しているＮｉ核と結びつき、アミジネート配位子は分解する。この際の反応はＮｉ核に対するＮＨ３の求核置換反応であると考えられ、良好な反応性をもって窒素を含むＮｉ化合物であるＮｉｘＮ（ｘ＝３または４）を生成させる。したがって、ニッケルアミジネートと還元ガス、例えばＮＨ３がチャンバー１内に供給されることにより、サセプタ２により加熱されたウエハＷの表面に上記反応に基づく熱ＣＶＤによりＮｉｘＮを主体とする膜が成膜される。
このようにこの成膜反応は良好な反応性を有しているので、低温成膜が可能であり、その際のウエハ温度は１６０〜２００℃が好ましい。ウエハ温度が１６０℃未満では成膜反応が遅く、十分な成膜速度が得られない。また２００℃を超えると膜が凝集してしまうおそれがある。
他の条件について、チャンバー１内の圧力は１３３〜６６５Ｐａ（１〜５Ｔｏｒｒ）、Ａｒガスの流量は１００〜５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）、還元ガスであるＮＨ３ガスの流量は４００〜４５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）が好ましい。また、成膜工程１回あたりのＮｉ膜の厚さは２〜２０ｎｍが好ましい。これにより、ステップ２のＨ２ガスによる脱窒素を行いやすくなる。１回の成膜工程の時間は成膜しようとする膜の膜厚に応じて適宜決定される。
なお、ステップ１において、上記成膜反応を補助するため、必要に応じて、高周波電源２９からサセプタ２内の電極２７に高周波電力を印加してプラズマＣＶＤによりＮｉ膜を成膜してもよい。
ステップ１の成膜工程が終了した後、ステップ３のパージ工程を行うが、このステップ３においては、バルブ３５ａ、３７ａ、４１、４５を閉じてＮｉ化合物ガスおよびＮＨ３ガスの供給を停止した後、排気装置２３により急速排気を行いながら、バルブ４９を開いてＡｒガスをバイパス配管４８、原料ガス送出配管３６を介してチャンバー１内にＡｒガスを供給してチャンバー１内をパージする。このときのＡｒガス流量は１０００〜５０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）が好ましい。パージ工程の時間は５〜２０ｓｅｃが好ましい。
ステップ１で成膜された膜には、上述したようにＮが残存しており、その他にＯ（酸素）等の不純物も残存する。このため、成膜したままの膜は比抵抗が高いものとなってしまう。したがって、ステップ２の脱窒素工程（Ｈ２処理）では、Ｈ２ガスを供給することにより、ステップ１で成膜した膜中からＮを脱離させる。この際に、Ｏ等の不純物も除去される。このため、膜質が良好で比抵抗の低いＮｉ膜を得ることができる。
以下、この脱窒素工程のメカニズムについて説明する。
ステップ１において成膜された膜は、微視的にみると、Ｎ原子の周囲を複数のＮｉ原子が取り囲んだ構造を有している。このため、成膜の後、パージに引き続き、ｉｎ−ｓｉｔｕでＨ２処理を行うと、膜に供給されたＨ２ガスが膜中のＮｉを触媒として原子状Ｈとなる反応が生じる。原子状Ｈは極めて反応性が高いため、膜中のＮと反応して膜中から速やかにＮを離脱させることができる。この際に、Ｏ等の不純物も原子状Ｈと反応して速やかに除去される。
ＮｉｘＮからのＮ脱離は、Ｈ２処理によらなくても３００℃程度に加熱することにより達成されるが、この加熱によりＮｉの凝集が生じ、連続膜が得られない。これは、３００℃付近ではＮｉはクラスターを形成しており、ＮがＮｉクラスターを結合する構造をとっており、Ｎが脱離することによりＮｉクラスターの粒界において、Ｎｉ−Ｎｉ結合が形成され難くなって、各Ｎｉクラスターが分離するためと考えられる。
しかし、ステップ２のＨ２処理では２００℃以下の低温でも十分に膜からＮを脱離させることができ、Ｎｉの凝集を生じさせずに、良好な表面状態のＮｉ膜とすることができる。
ステップ２のＨ２処理を行うに際しては、パージ後、サセプタ２によりウエハＷを加熱したままとし、Ａｒガスをチャンバー１内に１０００〜３０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）程度の流量で流したまま、またはバルブ４９を閉じてＡｒガスの供給を停止した状態で、バルブ４１、４７を開いてチャンバー１内にＨ２ガスを供給する。
このときのＨ２ガスの流量は１０００〜４０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）が好ましい。また、この際のウエハ温度は、高いほど反応性が上がるが、上述したように２００℃以下でも十分に脱窒素反応が進行し、２００℃以下であれば膜の凝集も起こらず、一方、１６０℃よりも低いと反応性が低下し、処理時間が長くなるため、成膜の際の温度と同様１６０〜２００℃が好ましい。また、この際のウエハ温度は、ステップ１の成膜工程と同じ温度にすることが好ましい。これにより一連の処理において、サセプタ２の加熱温度を一定にすることができるので、スループットを高めることができる。さらに、チャンバー１内の圧力はＡｒガスの供給を停止した状態で、４００〜６０００Ｐａ（３〜４５Ｔｏｒｒ）であることが好ましい。ステップ２の好ましい温度範囲および好ましい圧力範囲内では、温度が高くかつ圧力が高いほうが好ましい。このステップ２のＨ２処理の時間は１８０〜１２００ｓｅｃが好ましい。
その後、上記ステップ３のパージ工程を行い、成膜処理を終了してもよいが、Ｎｉ膜成膜−パージ−Ｈ２処理−パージを１サイクルとして、これを複数サイクル繰り返すことが好ましい。これにより、不純物の除去効果をより高めることができる。すなわち、このように複数サイクル繰り返す場合には、薄いＮｉ膜を成膜した後にＨ２ガス雰囲気での脱窒素処理を行うこととなるので、膜中から不純物が抜けやすくなる。繰り返し回数は、多ければ多いほど不純物除去効果は高く、比抵抗がより低くなるが、繰り返し数が多くなりすぎると、トータルの成膜処理時間が長くなってしまう。このため、繰り返し回数は２〜１０回とすることが好ましく、４〜１０回がより好ましい。また、同様の観点から、１回の成膜の膜厚は、２〜５ｎｍであることが好ましい。また、膜中から不純物を有効に除去するためには、Ｈ２ガス雰囲気での脱窒素処理の時間はある程度長いほうがよいが、長すぎるとスループットが低下してしまう。そのような観点から、上述したようにＨ２処理の時間は１８０〜１２００ｓｅｃとすることが好ましい。
最終のパージ工程が終了した後、ゲートバルブ２５を開けて成膜後のウエハＷを搬送装置（図示せず）により搬入出口２４を介して搬出する。
このように、ニッケルアミジネートを成膜原料として用い、ＮＨ３等を還元ガスとして用いてＣＶＤにより基板であるウエハ上に窒素を含有するＮｉ膜を成膜する工程と、Ｈ２ガスを供給して膜からＮを脱離させる脱窒素工程とを含むサイクルを１回または複数回行うので、膜からＮおよびその他の不純物を速やかに除去することができ、不純物の少ないＮｉ膜を得ることができる。
次に、本発明に至った経緯および本発明による効果を示す実験結果について説明する。
ここでは、３００ｍｍウエハのシリコン基板上に１００ｎｍのｔｈ−ＳｉＯ２膜（熱酸化膜）を形成したウエハ（ＳｉＯ２ウエハ）、およびシリコン基板の表面を希フッ酸洗浄したウエハ（Ｓｉウエハ）に対し、図１に示した成膜装置を用いて、成膜（ステップ１）−パージ（ステップ３）−Ｈ２処理（ステップ２）−パージ（ステップ３）を１サイクルとして、これを所定サイクル行って所定厚さのＮｉ膜を成膜した。
ステップ１の成膜においては、チャンバー内の圧力を６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）とし、成膜原料としてＮｉ（II）Ｎ、Ｎ′−ジ−ターシャリブチルアミジネート（Ｎｉ（II）（ｔＢｕ−ＡＭＤ）２）を成膜原料タンク３１内に貯留し、ヒーター３１ａにより成膜原料の温度を９５℃に維持し、Ａｒガスを１００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）で供給し、バブリングによりＮｉ（II）（ｔＢｕ−ＡＭＤ）２ガスをチャンバー内に供給するとともに、ＮＨ３ガス供給源からＮＨ３ガスを８００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）の流量で供給し、ＣＶＤによりＮｉ膜を成膜した。
また、ステップ２のＨ２処理においては、チャンバー内の圧力を４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）とし、Ｈ２ガスを３０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）で供給した。
そして、これらステップ１およびステップ２のウエハ温度は、両工程で同じ温度とし、１６０℃および２００℃で実験を行った。
ウエハ温度１６０℃の実験においては、上記サイクルの回数を１回、２回、４回、１０回、２０回とし、ターゲット膜厚２０ｎｍとした。１回あたりのステップ１の成膜時間およびターゲット膜厚は、サイクル数が１回のときには５９０ｓｅｃおよび２０ｎｍ、サイクル数が２回のときには３５０ｓｅｃおよび１０ｎｍ、４回のときには２１０ｓｅｃおよび５ｎｍ、１０回のときには１００ｓｅｃおよび２ｎｍ、２０回のときには６０ｓｅｃおよび１ｎｍとした。また、Ｈ２処理の時間をサイクル数４回までは１８０ｓｅｃおよび１２００ｓｅｃとし、１０回および２０回は１２００ｓｅｃのみとした。
ウエハ温度２００℃の実験においては、上記サイクルの回数を１回、２回、４回とし、ターゲット膜厚を同じく２０ｎｍとした。１回あたりのステップ１の成膜時間およびターゲット膜厚は、サイクル数が１回のときには２９０ｓｅｃおよび２０ｎｍ、サイクル数が２回のときには１７５ｓｅｃおよび１０ｎｍ、４回のときには１１０ｓｅｃおよび５ｎｍとした。また、Ｈ２処理の時間を１２００ｓｅｃのみとした。
これらについて、比抵抗を測定し、表面の電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を撮影した。また、下地のシリコンと反応しないＳｉＯ２ウエハの１６０℃で実験したものについては、Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。
図３Ａ、図３Ｂは、１６０℃で実験を行ったときの、上記工程のサイクル数と得られたＮｉ膜の比抵抗との関係を示す図であり、図３ＡはＳｉチップの結果、図３ＢはＳｉＯ２ウエハの結果を示すものである。これらの図に示すように、サイクル数が増加するにつれて比抵抗が低下しているが、サイクル数４回あたりを境として低下の傾きが緩やかになることが確認された。また、比抵抗を低下させる効果は、Ｈ２処理の時間が１８０ｓｅｃよりも１２００ｓｅｃのほうが大きいことが確認された。具体的には、Ｈ２処理１２００ｓｅｃでサイクル数１０回の比抵抗が３４μΩ−ｃｍ、２０回が２７μΩ−ｃｍと低い値となった。
図４は、１６０℃で実験を行ったときの各サイクル数で成膜したＮｉ膜（Ｈ２処理時間１２００ｓｅｃ）のＸ線回折（ＸＲＤ）チャートである。縦軸は回折線の強度を任意単位（ａ．ｕ）で示し、横軸は回折線の角度を示し、各グラフは重ならないように上下方向にずらして描かれている。図４に示すように、成膜したまま（ａｓ ｄｅｐｏ）ではＮｉ３Ｎのピークが見られるが、Ｈ２処理を行うことによりＮｉ３Ｎのピークが消滅することが確認された。また、回折角度（２θ）が４５度の付近ではＮｉ３ＮとＮｉの回折角度がほぼ重なっていて判別しにくいが、ａｓ ｄｅｐｏで検出されたＮｉ３Ｎのピークが１回のＨ２処理で減少し、その後Ｈ２処理の回数が増加するにつれてこれがＮｉに変化してゆき、さらにこのピークが大きくなって、より不純物の少ない健全なＮｉ膜となっているものと推測される。なおａｓ ｄｅｐｏとは、１回の成膜で所定の膜厚まで成膜し、その後Ｈ２処理を施さないものである。
図５は、１６０℃で実験を行ったときのサイクル数１回、４回、１０回で成膜したＮｉ膜（Ｈ２処理時間１２００ｓｅｃ）の表面のＳＥＭ写真である。このＳＥＭ写真から、サイクル数１回では膜の表面にマイクロクラックがみられるが、サイクル数が４回、１０回の膜では、ａｓ ｄｅｐｏよりもきめが細かくスムースな膜が得られ、マイクロクラックも発生していないことが確認された。
図６Ａ、図６Ｂは、２００℃で実験を行ったときの、上記工程のサイクル数と得られたＮｉ膜の比抵抗との関係を示す図であり、図６ＡはＳｉウエハの結果、図６ＢはＳｉＯ２ウエハの結果を示すものである。これらの図に示すように、サイクル数が増加するにつれて比抵抗が低下していることが確認された。また、１６０℃で実験を行ったときよりも比抵抗を低下させる効果が大きく、サイクル数２回でほぼ飽和した値に達し、２３．８μΩ−ｃｍ、４回で２０．６μΩ−ｃｍと１６０℃の２０サイクルよりも低い値となった。これは、Ｎｉ成膜およびＨ２処理の温度が上昇したことにより、不純物がより少なくなったためと推測される。
図７は、２００℃で実験を行ったときのサイクル数１回、２回、４回で成膜したＮｉ膜（Ｈ２処理時間１２００ｓｅｃ）の表面のＳＥＭ写真である。このＳＥＭ写真から、ａｓ ｄｅｐｏでは膜の表面状態（モフォロジー）が非常に悪いが（特にＳｉチップ上）、サイクル数１回で膜の表面状態がやや改善され、サイクル数２回で大幅に改善され、サイクル数２回以上できめが細かく極めてスムースな表面が得られた。また、マイクロクラックも見られない。
次に、成膜温度とＨ２処理の温度を変化させて実験を行った。図８は、温度を変化させて、上述した成膜−パージ−Ｈ２処理（３Ｔｏｒｒ，１８０ｓｅｃ）−パージのサイクルを所定回行って、ＳｉＯ２膜の上にＮｉ膜を成膜したときの、Ｘ線回折（ＸＲＦ）におけるＮｉピーク強度の変化を示す図である。この図から９０℃以上でＮｉピークが現れ、成膜には９０℃以上の温度が必要であることが確認された。ただし、温度が１６０℃未満では十分な成膜速度が得られず、成膜温度は１６０℃以上が好ましい。温度を１６０℃、２００℃、３００℃、４００℃と変化させて上述した成膜−パージ−Ｈ２処理（３Ｔｏｒｒ，１８０ｓｅｃ）を所定サイクル行ってＳｉＯ２膜の上にＮｉ膜を成膜したときの、表面のＳＥＭ写真である。この図から２００℃で、わずかにマイクロクラックが観察されたが、これは繰り返し成膜で影響がないため、２００℃までは表面状態を良好に維持することができることが確認された。しかし、３００℃以上では顕著な凝集が発生し、繰り返し成膜を行っても連続膜を成膜できないことが確認された。これらのことから、成膜温度およびＨ２処理温度は１６０〜２００℃が好ましいことが確認された。
次に、上述したような成膜条件で２０ｎｍ成膜した後、温度、圧力、処理時間を変えてＨ２処理を行ったときの比抵抗値Ｒｓの減少量を把握した結果について説明する。図１０は、横軸に処理時間をとり、縦軸に比抵抗値Ｒｓの減少量をとって、温度および圧力を変化させた場合のこれらの関係を示す図である。この図から、いずれの温度・圧力においても処理時間が１８０〜１２００ｓｅｃで比抵抗値Ｒｓが減少していることが確認された。また、処理時間が長くなるほど比抵抗値Ｒｓの減少量が大きくなる傾向にあることも確認された。また、実験では、処理温度は１６０℃および１８０℃の２水準、圧力は０．１５Ｔｏｒｒ、３Ｔｏｒｒ、４５Ｔｏｒｒの３水準としたが、温度は１８０℃のほうが比抵抗値の減少量が大きくなる傾向にあり、圧力は０．１５Ｔｏｒｒから３Ｔｏｒｒに上昇することにより急激に比抵抗値の減少量が大きくなり、４５Ｔｏｒｒではさらに比抵抗値の減少量が大きくなることが確認された。このことから、圧力は３〜４５Ｔｏｒｒが良好であり、実験の範囲内では処理時間および圧力が最も高い１８０℃、４５Ｔｏｒｒが比抵抗値Ｒｓの減少量が最も大きくなることが確認された。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施の形態においては、成膜原料であるニッケルアミジネートとして、Ｎｉ（II）（ｔＢｕ−ＡＭＤ）２を例示したが、これに限らず他のニッケルアミジネートであってもよい。
また、成膜装置の構造も上記実施形態のものに限らず、成膜原料の供給手法についても上記実施形態の手法に限定する必要はなく、種々の方法を適用することができる。
さらに、被処理基板として半導体ウエハを用いた場合を説明したが、これに限らず、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）基板等の他の基板であってもよい。

Claims (8)

  1. 成膜原料としてニッケルアミジネートを用い、還元ガスとしてアンモニア、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも１種を用いたＣＶＤにより基板上に窒素を含むＮｉ膜を成膜することと、
    前記窒素を含むＮｉ膜に水素ガスを供給して、Ｎｉを触媒として原子状水素を生成させ、生成した原子状水素により前記窒素を含むＮｉ膜から窒素を脱離させることと
    を含むサイクルを、１回または複数回行う、Ｎｉ膜の成膜方法。
  2. 前記窒素を含むＮｉ膜を成膜することと、前記前記窒素を含むＮｉ膜から窒素を脱離させることとは、パージ工程を挟んで１サイクルまたは複数サイクル行う、請求項１に記載のＮｉ膜の成膜方法。
  3. 前記サイクルの回数は２〜１０回である、請求項１に記載のＮｉ膜の成膜方法。
  4. 前記窒素を含むＮｉ膜を成膜することと、前記窒素を含むＮｉ膜から窒素を脱離させることとは、同じ温度で行われる、請求項１に記載のＮｉ膜の成膜方法。
  5. 前記窒素を含むＮｉ膜を成膜することと、前記窒素を含むＮｉ膜から窒素を脱離させることとは、１６０〜２００℃で行なわれる、請求項４に記載のＮｉ膜の成膜方法。
  6. 前記窒素を含むＮｉ膜から窒素を脱離させることを実施する時間は、１８０〜１２００ｓｅｃである、請求項１に記載のＮｉ膜の成膜方法。
  7. 前記窒素を含むＮｉ膜から窒素を脱離させることを実施する際の圧力は、３〜４５Ｔｏｒｒである、請求項１に記載のＮｉ膜の成膜方法。
  8. コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、成膜原料としてニッケルアミジネートを用い、還元ガスとしてアンモニア、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも１種を用いたＣＶＤにより基板上に窒素を含むＮｉ膜を成膜することと、前記窒素を含むＮｉ膜に水素ガスを供給して、Ｎｉを触媒として原子状水素を生成させ、生成した原子状水素により前記窒素を含むＮｉ膜から窒素を脱離させることとを含むサイクルを、１回または複数回行う、Ｎｉ膜の成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させる記憶媒体。
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Families Citing this family (300)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5826698B2 (ja) 2011-04-13 2015-12-02 株式会社アルバック Ｎｉ膜の形成方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5661006B2 (ja) * 2011-09-02 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 ニッケル膜の成膜方法
WO2013051670A1 (ja) * 2011-10-07 2013-04-11 気相成長株式会社 コバルト系膜形成方法、コバルト系膜形成材料、及び新規化合物
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP2013104100A (ja) * 2011-11-14 2013-05-30 Taiyo Nippon Sanso Corp 金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
JP5917351B2 (ja) * 2012-09-20 2016-05-11 東京エレクトロン株式会社 金属膜の成膜方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
JP6116425B2 (ja) * 2013-07-19 2017-04-19 大陽日酸株式会社 金属薄膜の製膜方法
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
JP5770806B2 (ja) 2013-10-02 2015-08-26 田中貴金属工業株式会社 化学蒸着法によるＳｉ基板上へのニッケル薄膜、及び、Ｓｉ基板上へのＮｉシリサイド薄膜の製造方法
JP6220649B2 (ja) * 2013-11-25 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 金属膜の成膜方法
KR102198856B1 (ko) 2014-02-10 2021-01-05 삼성전자 주식회사 니켈 함유막을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
KR102168174B1 (ko) 2014-03-19 2020-10-20 삼성전자주식회사 니켈 화합물 및 이를 이용한 박막 형성 방법
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10100407B2 (en) * 2014-12-19 2018-10-16 Lam Research Corporation Hardware and process for film uniformity improvement
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) * 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
JP2022507368A (ja) 2018-11-14 2022-01-18 ラム リサーチ コーポレーション 次世代リソグラフィにおいて有用なハードマスクを作製する方法
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
US20220308462A1 (en) * 2019-06-27 2022-09-29 Lam Research Corporation Apparatus for photoresist dry deposition
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
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US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
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USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
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USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
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US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
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TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
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US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
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US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
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TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
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USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN115688430B (zh) * 2022-11-01 2024-01-30 烟台大学 一种基于comsol软件获得氢原子在材料表面脱附行为的方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020013487A1 (en) * 2000-04-03 2002-01-31 Norman John Anthony Thomas Volatile precursors for deposition of metals and metal-containing films
CN1726303B (zh) * 2002-11-15 2011-08-24 哈佛学院院长等 使用脒基金属的原子层沉积
JP2008031541A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd Ｃｖｄ成膜方法およびｃｖｄ成膜装置
TWI480977B (zh) * 2007-04-09 2015-04-11 Harvard College 銅內連線用的氮化鈷層及其製造方法
TWI398541B (zh) * 2007-06-05 2013-06-11 羅門哈斯電子材料有限公司 有機金屬化合物

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120062915A (ko) 2012-06-14
TW201131005A (en) 2011-09-16
US20120183689A1 (en) 2012-07-19
WO2011040385A1 (ja) 2011-04-07
CN102405304A (zh) 2012-04-04

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