JP5659040B2 - 成膜方法および記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、ＣＶＤ法によりＣｏ膜を成膜する成膜方法および記憶媒体に関する。

近時、半導体デバイスの高速化、配線パターンの微細化等に呼応して、Ａｌよりも導電性が高く、かつエレクトロマイグレーション耐性等も良好なＣｕが配線として注目されており、このような用途には電解メッキが用いられている。電解メッキによるＣｕ配線のシードとしては、埋め込み性を向上させる観点から、従来のＣｕからＣｏへの変更が検討されている。また、Ｃｕ拡散バリア膜としてもＣｏ膜を用いることが提案されている。

Ｃｏ膜の成膜方法としては、スパッタリングに代表される物理蒸着（ＰＶＤ）法が多用されていたが、半導体デバイスの微細化にともなってステップカバレッジが悪いという欠点が顕在化している。

そこで、Ｃｏ膜の成膜方法として、Ｃｏを含む原料ガスの熱分解反応や、当該原料ガスの還元性ガスによる還元反応にて基板上にＣｏ膜を成膜する化学蒸着（ＣＶＤ）法が用いられつつある。このようなＣＶＤ法により成膜されたＣｏ膜は、ステップカバレッジ（段差被覆性）が高く、細長く深いパターン内への成膜性に優れているため、微細なパターンへの追従性が高く、Ｃｕメッキのシード層として好適である。

ＣＶＤ法によるＣｏ膜については、成膜原料としてコバルトカルボニルであるＣｏ_２（ＣＯ）_８を用い、これをチャンバー内に気相供給してチャンバー内に配置された基板上で熱分解させる方法が発表されている（例えば非特許文献１）。

Journal of The Electrochemical Society, 146(7) 2720-2724 (1999)

しかしながら、原料としてＣｏ_２（ＣＯ）_８を用いてＣＶＤ法でＣｏ膜を成膜する場合に、反応に対し原料の供給が不足すると、Ｃｏ膜が針状に異常成長が発生することがあり、このような異常成長が生じるとシート抵抗が上昇するという問題がある。反応に対し原料の供給量が足りている場合でも、成膜プロセス開始時・終了時（原料供給開始時・終了時）のような非定常状態の期間中には供給が不安定となって原料の供給量が不足することがあり、同様の問題が発生することがある。また、原料供給量にてフィールドとホールの段差被覆性を制御する場合にも上記問題が発生する。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、成膜原料としてＣｏ_２（ＣＯ）_８を用いてＣｏ膜を成膜する場合に、Ｃｏ膜の針状の異常成長を抑制することができる成膜方法を提供することを課題とする。
また、そのような成膜方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために、本発明は、処理容器内に基板を配置し、前記処理容器内に気体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８を供給し、前記基板上でＣｏ_２（ＣＯ）_８を熱分解させて前記基板上にＣｏ膜を成膜するにあたり、成膜の際の少なくとも一部の期間、Ｃｏ _２ （ＣＯ） _８ の分解反応がＣｏ _２ （ＣＯ） _８ の供給量に律速されており、前記基板の温度を１６０〜３００℃とすることを特徴とする成膜方法を提供する。

また、本発明は、コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。

本発明によれば、気体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８を用いて基板上にＣｏ膜を成膜するにあたり、基板の温度を１６０〜３００℃にするので、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８の分解反応に対してＣｏ_２（ＣＯ）_８の供給量が不足する場合でもＣＯ膜の針状の異常成長を抑制することができる。

本発明の一実施形態に係る成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す略断面である。 Ｃｏ膜を電解メッキによるＣｕ配線のシードとして用いる場合のウエハの構造の一例を示す断面図である。 Ｃｏ膜を電解メッキによるＣｕ配線のシードとして用いる場合のウエハの構造の他の例を示す断面図である。 図２の構造のウエハにシード膜としてＣｏ膜を成膜し、さらに電解メッキによりホール内にＣｕ配線を形成した状態を示す断面図である。 図３の構造のウエハにシード膜としてＣｏ膜を成膜し、さらに電解メッキによりホール内にＣｕ配線を形成した状態を示す断面図である。 成膜温度１２０℃、１６０℃、１９０℃での成膜初期と平均膜厚が６０ｎｍのときのＣｏ膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。

＜本発明の一実施形態に係る成膜方法を実施するための成膜装置の構成例＞
図１は、本発明の一実施形態に係る成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す略断面である。
この成膜装置１００は、気密に構成された略円筒状のチャンバー１を有しており、その中には被処理基板である半導体ウエハＷを水平に支持するためのサセプタ２が、後述する排気室の底部からその中央下部に達する円筒状の支持部材３により支持された状態で配置されている。このサセプタ２はＡｌＮ等のセラミックスからなっている。また、サセプタ２にはヒーター５が埋め込まれており、このヒーター５にはヒーター電源６が接続されている。一方、サセプタ２の上面近傍には熱電対７が設けられている。熱電対７の信号は後述する温度コントローラ６０に伝送されるようになっている。そして、温度コントローラ６０は熱電対７の信号に応じてヒーター電源６に指令を送信し、ヒーター５の加熱を制御してウエハＷを所定の温度に制御するようになっている。なお、サセプタ２には３本のウエハ昇降ピン（図示せず）がサセプタ２の表面に対して突没可能に設けられており、ウエハＷを搬送する際に、サセプタ２の表面から突出した状態にされる。

チャンバー１の天壁１ａには、円形の孔１ｂが形成されており、そこからチャンバー１内へ突出するようにシャワーヘッド１０が嵌め込まれている。シャワーヘッド１０は、後述するガス供給機構３０から供給された成膜用のガスをチャンバー１内に吐出するためのものであり、その天板１１には成膜原料ガスが導入されるガス導入口１２が設けられている。シャワーヘッド１０の内部にはガス拡散空間１３が形成されており、シャワーヘッド１０の底板１４には多数のガス吐出孔１５が設けられている。そして、ガス導入口１２からガス拡散空間１３に導入されたガスがガス吐出孔１５からチャンバー１内に吐出されるようになっている。

チャンバー１の底壁には、下方に向けて突出する排気室２１が設けられている。排気室２１の側面には排気管２２が接続されており、この排気管２２には真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気装置２３が接続されている。そしてこの排気装置２３を作動させることによりチャンバー１内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。

チャンバー１の側壁には、ウエハ搬送室（図示せず）との間でウエハＷの搬入出を行うための搬入出口２４と、この搬入出口２４を開閉するゲートバルブＧとが設けられている。また、チャンバー１の壁部には、ヒーター２６が設けられており、成膜処理の際にチャンバー１の内壁を加熱することが可能となっている。ヒーター２６にはヒーター電源２７から給電されるようになっている。

ガス供給機構３０は、成膜原料である固体状のコバルトカルボニルであるＣｏ_２（ＣＯ）_８を貯留する成膜原料容器３１を有している。成膜原料容器３１の周囲にはヒーター３２が設けられ、これにより成膜原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を加熱して気化するようになっている。ヒーター３２にはヒーター電源４８から給電されるようになっている。

成膜原料容器３１には、上方からガス導入配管３３が挿入されている。ガス導入配管３３にはバルブ３４が介装されている。ガス導入配管３３はＣＯガス配管３５とキャリアガス配管３６に分岐されており、ＣＯガス配管３５にはＣＯガス供給源３７が、キャリアガス配管３６にはキャリアガス供給源３８が接続されている。ＣＯガス配管３５には流量制御器としてのマスフローコントローラ３９およびその前後のバルブ４０が介装されており、キャリアガス配管３６には流量制御器としてのマスフローコントローラ４１およびその前後のバルブ４２が介装されている。キャリアガスとしてはＡｒガスまたはＮ_２ガスを好適に用いることができる。

ＣＯガスは、気化したコバルトカルボニル（Ｃｏ_２（ＣＯ）_８）の分解を抑制するために導入される。すなわち、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８は分解されることによりＣＯを生成するが、成膜原料容器３１にＣＯを供給してＣＯ濃度を高くすることにより、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８が分解してＣＯを生成する反応が抑制される。一方、キャリアガスは成膜原料容器３１内で気化して生成されたＣｏ_２（ＣＯ）_８ガスをチャンバー１に搬送するために導入される。なお、ＣＯガスにキャリアガスの機能を持たせてもよく、その場合には別途のキャリアガスは不要である。

成膜原料容器３１には、上方から成膜原料ガス供給配管４３が挿入されており、成膜原料ガス供給配管４３の他端はガス導入口１２に接続されている。そして、ヒーター３２により加熱されて気化されたＣｏ_２（ＣＯ）_８ガスがキャリアガスにより成膜原料ガス供給配管４３内を搬送されてガス導入口１２を経てシャワーヘッド１０へ供給される。成膜原料ガス供給配管４３の周囲には、ヒーター４４が設けられている。ヒーター４４にはヒーター電源４９から給電される。また、成膜原料ガス供給配管４３には、流量調整バルブ４５と、そのすぐ下流側の開閉バルブ４６と、ガス導入口１２の直近の開閉バルブ４７とが設けられている。

成膜原料ガス供給配管４３のバルブ４７の上流には、希釈ガス供給配管６１が接続されている。希釈ガス配管６１の他端には、希釈ガスとして例えばＡｒガスまたはＮ_２ガス等を供給する希釈ガス供給源６２が接続されている。希釈ガス配管６１には流量制御器としてのマスフローコントローラ６３およびその前後のバルブ６４が介装されている。なお、希釈ガスはパージガスや安定化ガスとしても機能する。

上記チャンバー１の壁部には熱電対５１が取り付けられ、上記成膜原料容器３１内には熱電対５２が取り付けられ、上記成膜原料ガス供給配管４３には熱電対５３が取り付けられており、これら熱電対５１、５２、５３は温度コントローラ６０に接続されている。上述した熱電対７も含めて、これら熱電対が検出した温度検出信号は温度コントローラ６０に送られる。温度コントローラ６０には上述のヒーター電源６、２７、４８、４９が接続されている。そして、温度コントローラ６０は、上述した熱電対７，５１，５２，５３の検出信号に応じてヒーター電源６、２７、４８、４９に制御信号を送り、サセプタ２の温度、チャンバー１の壁部の温度、成膜原料容器３１内の温度、成膜原料ガス供給配管４３内の温度を制御するようになっている。

成膜原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８は、成膜原料容器３１においてヒーター３２で加熱されて気化され、成膜原料ガス供給配管４３内をヒーター４４で加熱されることで気体状のままチャンバー１内に供給されるが、この時のＣｏ_２（ＣＯ）_８の加熱温度は、温度コントローラ６０によって分解開始温度未満の温度に制御される。具体的には、後述するように、コバルトカルボニルの減圧ＴＧ（熱重量分析計）で把握される分解開始温度は４５℃であるため、４５℃未満に制御することが好ましい。チャンバー１の壁部（内壁）の温度も、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８ガスの分解温度未満に制御されることが好ましい。

本実施形態においては、成膜の際のウエハＷの温度（成膜温度）は、１６０〜３００℃に制御される。後述するように、１６０℃未満ではＣｏ_２（ＣＯ）_８ガスの分解反応に対して原料の供給量が少ない場合に、形成されるＣｏ膜が針状に異常成長してしまい、３００℃を超えるとＣｏが凝集してしまう。

成膜装置１００は制御部７０を有し、この制御部７０により各構成部、例えば温度コントローラ６０、排気装置２３、マスフローコントローラ、流量調整バルブ、バルブ等の制御等を行うようになっている。温度コントローラ６０に関しては、温度コントローラ６０により制御すべき部分の温度設定等を行う。この制御部７０は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたプロセスコントローラ７１と、ユーザーインターフェース７２と、記憶部７３とを有している。プロセスコントローラ７１には成膜装置１００の各構成部が電気的に接続されて制御される構成となっている。ユーザーインターフェース７２は、プロセスコントローラ７１に接続されており、オペレータが成膜装置１００の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、成膜装置１００の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなっている。記憶部７３もプロセスコントローラ７１に接続されており、この記憶部７３には、成膜装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ７１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置１００の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわち処理レシピや、各種データベース等が格納されている。処理レシピは記憶部７３の中の記憶媒体（図示せず）に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスク等の固定的に設けられているものであってもよいし、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース７２からの指示等にて所定の処理レシピを記憶部７３から呼び出してプロセスコントローラ７１に実行させることで、プロセスコントローラ７１の制御下で、成膜装置１００での所望の処理が行われる。

＜本発明の一実施形態に係る成膜方法＞
次に、以上のように構成された成膜装置を用いて行われる本発明の一実施形態に係る成膜方法について説明する。

本実施形態では、例えば、電解メッキによるＣｕ配線のシードとして用いるＣｏ膜を成膜する。Ｃｕ配線のシードとしてＣｏ膜を用いる場合には、ウエハＷとして、例えば図２、３に示すような構造のものを用いる。図２は、シリコン基板１０１に、下層の配線層１０３に達するホール１０２が形成され、全面に絶縁膜１０４が形成された構造であり、図３は、絶縁膜１０４の上にバリア膜１０５が形成された構造である。下層の配線層１０３としては、Ａｌ膜、Ｗ膜、Ｃｕ膜等を挙げることができる。絶縁膜１０４としては、ＳｉＯ_２膜、ＳｉＯｘＣｙ系絶縁膜（ｘ、ｙは正の数）、有機物系絶縁膜を用いることができる。バリア膜１０５としては、ＴｉＮ／Ｔｉの２層膜（上層がＴｉＮ膜）、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、Ｔａ膜等を用いることができる。

Ｃｏ膜の成膜にあたっては、成膜原料容器３１内に、成膜原料として固体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８を装入した状態とし、さらに、チャンバー１内のサセプタ２の温度、およびチャンバー１の壁部の温度を成膜の際の温度に制御する。次いで、ゲートバルブＧを開け、図示しない搬送装置により上記図２または図３の構造のウエハＷをチャンバー１内に導入し、サセプタ２上に載置する。

次いで、チャンバー１内を排気装置２３により排気してチャンバー１内の圧力を１３３〜１３３３Ｐａ（１〜１０Ｔｏｒｒ）とし、ヒーター５によりサセプタ２を加熱してサセプタ２（半導体ウエハＷの温度）の温度を１６０〜３００℃に制御する。

そして、バルブ４６を閉じバルブ４７、６４を開けて希釈ガス供給源６２からチャンバー１内に希釈ガスを供給して安定化を行う。

一方、ヒーター３２および４４により、成膜原料容器３１および成膜原料ガス供給配管４３をコバルトカルボニル（Ｃｏ_２（ＣＯ）_８）の分解開始温度未満の所定温度に厳密に温度制御しつつ加熱しておき、所定時間希釈ガスによる安定化を行った後、希釈ガスの供給を停止し、または所定流量で希釈ガスを供給したまま、ＣＯガスおよび／またはキャリアガスを成膜原料容器３１に供給するとともに、バルブ４６を開けて成膜原料容器３１内で気化したＣｏ_２（ＣＯ）_８ガスをキャリアガスにより成膜原料ガス供給配管４３内を搬送させ、シャワーヘッド１０を介してチャンバー１内に供給する。このとき、成膜原料容器３１内の圧力を１２００〜１０１３００Ｐａ（９〜７６０Ｔｏｒｒ）とする。

チャンバー１内に供給されたＣｏ_２（ＣＯ）_８ガスは、サセプタ２内のヒーター５により所定温度に加熱されたウエハＷの表面に至り、そこで熱分解してＣｏ膜が形成される。

このようにしてＣｏ膜を成膜した後、パージ工程を行う。パージ工程では、成膜原料タンク３１へのキャリアガスの供給を停止してＣｏ_２（ＣＯ）_８の供給を停止した後、排気装置２３の真空ポンプを引き切り状態とし、希釈ガス供給源６２から希釈ガスをパージガスとしてチャンバー１内に流してチャンバー１内をパージする。この場合に、できる限り迅速にチャンバー１内をパージする観点から、キャリアガスの供給は断続的に行うことが好ましい。

パージ工程が終了後、ゲートバルブＧを開け、図示しない搬送装置により、搬入出口２４を介してウエハＷを搬出する。これにより、１枚のウエハＷの一連の工程が終了する。

このようなＣｏ膜を成膜する際に用いる原料ガスであるＣｏ_２（ＣＯ）_８は、８０℃以上で自己分解し、Ｃｏを堆積することが知られているが、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８の分解反応が供給律速の場合、すなわちＣｏ_２（ＣＯ）_８の分解反応に対してＣｏ_２（ＣＯ）_８の供給量が不足する場合、成膜温度が低いとＣｏ膜成膜時に、優先方向に異常成長してしまい、Ｃｏ膜が針状に堆積することが判明した。このような異常成長が生じると、膜の平滑性が低下し、シート抵抗が上昇するといった問題を生じる。

そこで、このようなＣｏ膜の針状の異常成長を生じない条件を検討した結果、成膜の際のウエハＷ温度（成膜温度）が１６０℃以上であれば、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８の分解反応が供給律速であっても、Ｃｏの表面マイグレーションを発生させることができ、Ｃｏ膜の優先成長方向への異常成長を抑制することができることが見出された。このように異常成長が抑制されることにより、平滑でシート抵抗の低いＣｏ膜が得られる。一方、成膜温度が３００℃を超えるとＣｏが凝集してしまい、良好な膜が得られない。このため、成膜温度を１６０〜３００℃とする。

反応律速となる量のＣｏ_２（ＣＯ）_８を供給しても、成膜プロセスの開始時や終了時（原料供給開始時や終了時）のような非定常状態では、一時的に供給律速になることがあるが、そのような場合でもこのように成膜温度を１６０℃以上にすることにより、異常成長の問題を解消することができる。

また、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８の供給量を変化させて段差被覆性を制御する場合には、供給量が少ない領域で供給律速となり、成膜温度が低いとＣｏ膜に異常成長が生じるおそれがあったが、このように成膜温度を１６０℃以上とすることにより、Ｃｏ膜の異常成長を発生させずに供給量による段差被覆性の制御が可能となる。これにより、フィールドとホール側壁において最適なＣｏ膜を堆積することができるため、Ｃｕの堆積量を増加させることができ、配線抵抗を低減することができる他、供給律速領域において異常成長を抑制できるため、原料の使用量を低減することができる。

このようにしてＣｏ膜を成膜するに際し、成膜原料容器３１および成膜原料ガス供給配管４３は、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８ガスの分解開始温度未満の温度に制御することにより、成膜原料容器３１内で気化により生成されたＣｏ_２（ＣＯ）_８ガスが成膜原料容器３１から成膜原料ガス供給配管４３を経てチャンバー１内に至るまでの間、その温度が分解開始温度未満となりＣｏ_２（ＣＯ）_８の分解を抑制することができる。

Ｃｏ_２（ＣＯ）_８ガスのような化合物の分解温度については、通常、ＤＴＡ（示差熱分析）で把握され、ＤＴＡで求めたＣｏ_２（ＣＯ）_８ガスの分解開始温度は５１℃であるが、減圧ＴＧによる重量変化から、より厳密に分解温度を把握したところ、分解開始温度は４５℃であった。この結果より、成膜原料容器３１および成膜原料ガス供給配管４３の加熱温度を４５℃未満に制御することが好ましい。下限は事実上室温となるので、室温以上４５℃未満に制御することが好ましい。

また、このように、成膜原料容器３１および成膜原料ガス供給配管４３は、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８ガスの分解開始温度未満の温度に制御することに加えて、成膜原料容器３１内にＣＯガスを導入することにより、その中のＣＯ濃度が高くなり、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８が分解してＣＯを生成する反応を抑制することができ、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８を気化させてチャンバー内に供給する過程での分解反応をより効果的に抑制することができる。

チャンバー１の壁部（内壁）の温度はＣｏ_２（ＣＯ）_８ガスの分解温度未満であることが好ましい。これによりチャンバー１の内壁に達したＣｏ_２（ＣＯ）_８ガスが分解してＣｏ膜中の不純物が増加することを防止することができる。

以上のようにして図２、３に示す構造のウエハＷにシード膜としてＣｏ膜１０６を形成した後、ホール１０２内に電解メッキでＣｕ膜を形成し、ＣＭＰにより平坦化することによりＣｕ配線１０７とすることにより、図４、５の構造を得る。

なお、本実施形態のＣｏ膜は、ＣＶＤ−Ｃｕ膜の下地膜として用いることもできる。さらには、Ｃｕ拡散バリア膜や、コンタクト層として用いることもできる。Ｃｏ膜をコンタクト層として用いる場合には、シリコン基板表面またはポリシリコン膜の表面に以上のようにしてＣｏ膜を成膜した後、不活性ガス雰囲気または還元ガス雰囲気でシリサイド化のための熱処理を行う。この際の熱処理の温度は、４５０〜８００℃が好ましい。

＜本発明の効果を示すための実験＞
次に、本発明の効果を示すための実験を行った結果について説明する。
ここでは、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８を用い、成膜温度を変化させて上記手順でＣｏ膜を成膜した。Ｃｏ_２（ＣＯ）_８の供給量は、反応に対して供給が不足する（供給律速）量である０．０３ｓｃｃｍ（ｍＬ／ｍｉｎ）とした。成膜温度は１２０℃、１６０℃、１９０℃とした。なお、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８の供給量は、キャリアガスとして用いたＣＯ流量およびＣｏ_２（ＣＯ）_８の飽和蒸気圧に基づいて求めた。例えば、原料容器温度：室温、容器圧力：７６０Ｔｏｒｒ、ＣＯ流量：５００ｓｃｃｍの条件でＣｏ_２（ＣＯ）_８を供給した場合、この際のＣｏ_２（ＣＯ）_８の飽和蒸気圧は６０ｍＴｏｒｒであるから、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８の供給量Ｆは以下の式で求めることができる。
Ｆ＝ＣＯ流量×蒸気圧／（全圧−蒸気圧）
これに上記数値を代入すると、
Ｆ＝５００×０．０６／（７６０−０．０６）＝０．０３
となる。この値は飽和蒸気圧からの理想値であり、実際はこの値以下となる。

図６は各温度での成膜初期と平均膜厚が６０ｎｍのときのＣｏ膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。なお、ＳＥＭ写真は、２５°傾斜させた状態を示しており、また、平均膜厚はＣｏの強度Ｘ線強度から換算した値を用いた。図６で示すように、成膜温度が１２０℃の場合には、成膜初期の段階から優先成長方向への成長が顕在化しており、６０ｎｍ成膜時には、針状の異常成長が顕著に現れたが、成膜温度が１６０℃および１９０℃のものは、成膜初期において優先成長方向への成長が認められず、１９０℃のものについて６０ｎｍ成膜時の異常成長は認められなかった。

これと同様の傾向は、下地がＡｌ膜以外でも、ＴｉＮ／Ｔｉ膜、ＳｉＯ_２膜、ポリイミドでも同様に認められ、下地によらず、成膜温度が１６０℃以上で針状の異常成長が抑制されることが確認された。

＜本発明の他の適用＞
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、成膜原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８の供給手法は上記実施形態の手法に限定する必要はなく、種々の方法を適用することができる。

また、被処理基板として半導体ウエハを用いた場合を説明したが、これに限らず、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）基板等の他の基板であってもよい。

１；チャンバー
２；サセプタ
５；ヒーター
７；熱電対
１０；シャワーヘッド
２３；排気装置
３０；ガス供給機構
３１；成膜原料容器
３７；ＣＯガス供給源
６０；温度コントローラ
７０；制御部
７１；プロセスコントローラ
７３；記憶部（記憶媒体）
Ｗ；半導体ウエハ

Claims (5)

1. 処理容器内に基板を配置し、前記処理容器内に気体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８を供給し、前記基板上でＣｏ_２（ＣＯ）_８を熱分解させて前記基板上にＣｏ膜を成膜するにあたり、
   成膜の際の少なくとも一部の期間、Ｃｏ _２ （ＣＯ） _８ の分解反応がＣｏ _２ （ＣＯ） _８ の供給量に律速されており、前記基板の温度を１６０〜３００℃とすることを特徴とする成膜方法。
2. 原料容器内で成膜原料として固体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８をその分解開始温度未満の温度で気化させて前記処理容器内に供給することを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
3. 前記原料容器内にＣＯガスを供給することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の成膜方法。
4. 前記Ｃｏ膜を成膜後、その上に電解メッキによりＣｕを堆積させることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の成膜方法。
5. コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１から請求項４のいずれかの成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。