JP2010209425A - Ｃｕ膜の成膜方法および記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体プロセスとして現実的な成膜温度と成膜レートを有し、成膜中にＣｕ膜表面マイグレーションの減少が生じてＣｕが凝集し、島状に成長することを防止したＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜原料である１価のアミジネート銅に対し、還元剤として１価のアミジネート銅に対する還元能力が高いカルボン酸を用い、低温でかつ実用的な成膜レートでＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜する。また、このように低温でかつ実用的な成膜レートでＣｕ膜を成膜できるため、Ｃｕの凝集が生じ難く、表面性状が良好なＣｕ膜となる。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体基板等の基板にＣＶＤによりＣｕ膜を成膜するＣｕ膜の成膜方法および記憶媒体に関する。

近時、半導体デバイスの高速化、配線パターンの微細化等に呼応して、Ａｌよりも導電性が高く、かつエレクトロマイグレーション耐性等も良好なＣｕが配線、Ｃｕメッキのシード層、コンタクトプラグの材料として注目されている。

このＣｕの成膜方法としては、スパッタリングに代表される物理蒸着（ＰＶＤ）法が多用されていたが、半導体デバイスの微細化にともなってステップカバレッジが悪いという欠点が顕在化している。

そこで、Ｃｕ膜の成膜方法として、Ｃｕを含む原料ガスの熱分解反応や、当該原料ガスの還元性ガスによる還元反応にて基板上にＣｕを成膜する化学気相成長（ＣＶＤ）法が用いられつつある。このようなＣＶＤ法により成膜されたＣｕ膜（ＣＶＤ−Ｃｕ膜）は、ステップカバレッジ（段差被覆性）が高く、細長く深いパターン内への成膜性に優れているため、微細なパターンへの追従性が高く、配線、Ｃｕメッキのシード層、コンタクトプラグの形成には好適である。

ＣＶＤ法によるＣｕ膜については、成膜原料（プリカーサー）として１価のアミジネート銅を用い、還元剤としてＨ_２やＮＨ_３を用いる学術論文が発表されている（例えば非特許文献１）。

J.Electrochem. Soc. 153(11) C787 (2006)

しかしながら、このようなアミジネート銅とＨ_２やＮＨ_３を用いたＣＶＤでは、実際には、非常に低濃度の水分雰囲気環境下では反応が起こり難く、成膜には３００℃以上の高温が必要であり、また成膜レートも低い。そのため、成膜中にＣｕ膜表面マイグレーションの減少が生じてＣｕが凝集して島状に成長してしまい、その結果平滑なＣｕ膜を得ることが困難である。また、成膜レートが低いため、半導体プロセスとして現実的ではない。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、成膜原料として１価のアミジネート銅を用いて、低温でかつ実用的な成膜レートで表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供することを目的とする。
また、そのような成膜方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、成膜原料として１価のアミジネート銅を用いた場合には、還元剤としてカルボン酸を用いることにより、低温でかつ半導体プロセスに適用し得る成膜速度でＣｕ膜を成膜することができ、表面性状も良好になることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、処理容器内に基板を収容し、前記処理容器内に１価のアミジネート銅を含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とを気相状態で導入して、基板上にＣｕ膜を成膜することを特徴とするＣｕ膜の成膜方法を提供する。

本発明において、前記成膜原料を構成する１価のアミジネート銅としては、Ｃｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−セカンダリ−ブチルアセトアミジネートを好適に用いることができる。また、前記還元剤を構成するカルボン酸として蟻酸を用いることができる。また、前記還元剤であるカルボン酸として酢酸を用いてもよい。さらに、成膜の際の基板温度を２００℃以下とすることができる。

前記処理容器内に１価のアミジネート銅を含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とを同時に供給してＣｕ膜を成膜することができる。また、前記処理容器内に１価のアミジネート銅を含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とをパージガスの供給を挟んで交互的に供給してもよい。

本発明はまた、コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。

本発明によれば、成膜原料である１価のアミジネート銅に対し、還元剤としてカルボン酸を用いるが、カルボン酸は１価のアミジネート銅に対する還元能が高いため、低温でかつ実用的な成膜レートでＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができる。また、このように低温でかつ実用的な成膜レートでＣｕ膜を成膜できるため、Ｃｕの凝集が生じ難く、表面性状が良好なＣｕ膜を得ることができる。

本発明のＣｕ膜の成膜方法を実施する成膜装置の構成の一例を示す略断面である。 成膜シーケンスの一例を示すタイミングチャートである。 成膜シーケンスの他の例を示すタイミングチャートである。 ［Ｃｕ（ｓＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２と蟻酸とを用いて１３５℃および１５０℃でＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜した際の成膜時間と膜厚との関係を示す図である。 ［Ｃｕ（ｓＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２と蟻酸とを用いて成膜したＣＶＤ−Ｃｕ膜の断面を示す走査型顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。

＜本発明の成膜方法を実施するための成膜装置の構成＞
図１は、本発明の成膜方法を実施する成膜装置の構成の一例を示す略断面である。
この成膜装置１００は、気密に構成された略円筒状のチャンバー１を有しており、その中には被処理基板である半導体ウエハＷを水平に支持するためのサセプタ２がその中央下部に設けられた円筒状の支持部材３により支持された状態で配置されている。このサセプタ２はＡｌＮ等のセラミックスからなっている。また、サセプタ２にはヒーター５が埋め込まれており、このヒーター５にはヒーター電源６が接続されている。一方、サセプタ２の上面近傍には熱電対７が設けられており、熱電対７の信号はヒーターコントローラ８に伝送されるようになっている。そして、ヒーターコントローラ８は熱電対７の信号に応じてヒーター電源６に指令を送信し、ヒーター５の加熱を制御してウエハＷを所定の温度に制御するようになっている。

チャンバー１の天壁１ａには、円形の孔１ｂが形成されており、そこからチャンバー１内へ突出するようにシャワーヘッド１０が嵌め込まれている。シャワーヘッド１０は、後述するガス供給機構３０から供給された成膜用のガスをチャンバー１内に吐出するためのものであり、その上部には、成膜原料ガスとして１価のアミジネート銅、例えばＣｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−セカンダリ−ブチルアセトアミジネート（［Ｃｕ（ｓＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２）が導入される第１の導入路１１と、チャンバー１内に還元剤が導入される第２の導入路１２とを有している。これら第１の導入路１１と第２の導入路１２とはシャワーヘッド１０内で別個に設けられおり、成膜原料ガスと還元剤とは吐出後に混合されるようになっている。

シャワーヘッド１０の内部には上下２段に空間１３、１４が設けられている。上側の空間１３には第１の導入路１１が繋がっており、この空間１３から第１のガス吐出路１５がシャワーヘッド１０の底面まで延びている。下側の空間１４には第２の導入路１２が繋がっており、この空間１４から第２のガス吐出路１６がシャワーヘッド１０の底面まで延びている。すなわち、シャワーヘッド１０は、成膜原料としての１価のアミジネート銅ガスと還元剤としてのカルボン酸ガスとがそれぞれ独立して吐出路１５および１６から吐出するようになっている。

チャンバー１の底壁には、下方に向けて突出する排気室２１が設けられている。排気室２１の側面には排気管２２が接続されており、この排気管２２には真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気装置２３が接続されている。そしてこの排気装置２３を作動させることによりチャンバー１内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。

チャンバー１の側壁には、ウエハ搬送室（図示せず）との間でウエハＷの搬入出を行うための搬入出口２４と、この搬入出口２４を開閉するゲートバルブＧとが設けられている。また、チャンバー１の壁部には、ヒーター２６が設けられており、成膜処理の際にチャンバー１の内壁の温度を制御可能となっている。

ガス供給機構３０は、１価のアミジネート銅、例えばＣｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−セカンダリ−ブチルアセトアミジネート（［Ｃｕ（ｓＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２）を成膜原料として貯留する成膜原料タンク３１を有している。１価のアミジネート銅としては、他に、Ｃｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−ターシャリー−ブチルアセトアミジネート（［Ｃｕ（ｔＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２）、Ｃｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−イソプロピルアセトアミジネート（［Ｃｕ（ｉＰｒ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２）も用いることができる。

１価のアミネート銅は、通常、常温で固体であるため、成膜原料タンク３１の周囲にはヒーター３２が設けられ、これにより１価のアミネート銅を加熱して液化するようになっている。また、成膜原料タンク３１の底部からは、キャリアガスとして例えばＡｒガスを供給するキャリアガス配管３３が挿入されている。キャリアガス配管３３には、マスフローコントローラ３４およびマスフローコントローラ３４を挟んで２つのバルブ３５が設けられている。また、成膜原料タンク３１には、上方から成膜原料供給配管３６が挿入されており、成膜原料供給配管３６の他端は第１の導入路１１に接続されている。そして、ヒーター３２により加熱されて液体になった１価のアミジネート銅がキャリアガス配管３３から供給されたキャリアガスによりバブリングされ、ガス状となって成膜原料配管３６および第１の導入路１１を経てシャワーヘッド１０へ供給される。成膜原料供給配管３６の周囲には、ガス状の成膜原料が液化しないように、ヒーター３７が設けられている。また、成膜原料供給配管３６には、流量調整バルブ３８と、そのすぐ下流側の開閉バルブ３９と、第１の導入路１１の直近の開閉バルブ４０とが設けられている。

シャワーヘッド１０の第２の導入路１２には、還元剤であるカルボン酸ガスを供給する還元剤供給配管４４が接続されている。この還元剤供給配管４４には還元剤であるカルボン酸を供給するカルボン酸供給源４６が接続されている。また、この還元剤供給配管４４の第２の導入路１２近傍にはバルブ４５が介装されている。さらに、この還元剤供給配管４４には、マスフローコントローラ４７およびマスフローコントローラ４７を挟んで２つのバルブ４８が設けられている。還元剤供給配管４４のマスフローコントローラ４７の上流側にはキャリアガス供給配管４４ａが分岐しており、そのキャリアガス配管４４ａにはキャリアガス供給源４１が接続されている。そして、カルボン酸供給源４６から還元剤供給配管４４およびシャワーヘッド１０を通って、チャンバー１内に１価のアミジネート銅を還元するための還元剤であるカルボン酸ガスが供給される。また、キャリアガス供給源４１からキャリアガス供給配管４４ａ、還元ガス供給配管４４およびシャワーヘッド１０を通ってチャンバー１内にキャリアガスとして例えばＡｒガスを供給給するようになっている。還元剤であるカルボン酸としては、蟻酸（ＨＣＯＯＨ）、酢酸（ＣＨ_３ＣＯＯＨ）を好適に用いることができる。

成膜装置１００は制御部５０を有し、この制御部５０により各構成部、例えばヒーター電源６、排気装置２３、マスフローコントローラ３４，４７、流量調整バルブ３８、バルブ３５，３９，４０，４５，４８等の制御やヒーターコントローラ８を介してのサセプタ２の温度制御等を行うようになっている。この制御部５０は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたプロセスコントローラ５１と、ユーザーインターフェース５２と、記憶部５３とを有している。プロセスコントローラ５１には成膜装置１００の各構成部が電気的に接続されて制御される構成となっている。ユーザーインターフェース５２は、プロセスコントローラ５１に接続されており、オペレータが成膜装置１００の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、成膜装置１００の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなっている。記憶部５３もプロセスコントローラ５１に接続されており、この記憶部５３には、成膜装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ５１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置１００の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわち処理レシピや、各種データベース等が格納されている。処理レシピは記憶部５３の中の記憶媒体（図示せず）に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスク等の固定的に設けられているものであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース５２からの指示等にて所定の処理レシピを記憶部５３から呼び出してプロセスコントローラ５１に実行させることで、プロセスコントローラ５１の制御下で、成膜装置１００での所望の処理が行われる。

＜本発明の実施形態に係るＣｕ膜の成膜方法＞
次に、以上のように構成された成膜装置を用いた本実施形態のＣｕ膜の成膜方法について説明する。

Ｃｕ膜の成膜に際しては、まず、ゲートバルブＧを開け、図示しない搬送装置によりウエハＷをチャンバー１内に導入し、サセプタ２上に載置する。ウエハＷとしては、表面にＣｕ膜の下地となる膜が形成されたものが用いられる。下地膜としては、ＣＶＤ法により成膜されたＲｕ膜（ＣＶＤ−Ｒｕ膜）が好適である。ＣＶＤ−Ｒｕ膜は、成膜原料としてＲｕ_３（ＣＯ）_１２を用いて成膜したものであることが好ましい。これにより、これにより、高純度のＣＶＤ−Ｒｕを得られるため、清浄かつ強固なＣｕとＲｕの界面を形成することができる。

次いで、チャンバー１内を排気装置２３により排気してチャンバー１内の圧力を１．３３〜１３３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ）とし、ヒーター５によりサセプタ２を加熱してサセプタ２の温度（ウエハ温度）を２００℃以下、好ましくは１２０〜１９０℃とし、キャリアガス供給源４１、キャリアガス供給配管４４ａ、還元剤供給配管４４、シャワーヘッド１０を介してチャンバー１内に１００〜１５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）の流量でキャリアガスを供給して安定化を行う。

安定化を所定時間行って条件が安定した時点で、ヒーター３２により、例えば９０〜１２０℃に加熱されている成膜原料タンク３１に配管３３からキャリアガスを１００〜１５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）の流量で供給し、バブリングにより１価のアミジネート銅、例えばＣｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−セカンダリ−ブチルアセトアミジネート（［Ｃｕ（ｓＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２）の蒸気を成膜原料供給配管３６からシャワーヘッド１０を介してチャンバー１内に導入し、さらにカルボン酸供給源４６から還元剤として気体状のカルボン酸を還元剤供給配管４４およびシャワーヘッド１０を介してチャンバー１内に導入してＣｕ膜の成膜を開始する。

１価のアミジネート銅は、以下の（１）式のような構造式を有しており、通常、常温で固体であり、融点は７０〜９０℃である。（１）式に示すように、１価のアミジネート銅の２つのＣｕ原子はそれぞれ２つのＮ原子に結合しており、還元剤であるカルボン酸によりこの結合を切断することにより、Ｃｕを得る。


ただし、Ｒ_１，Ｒ_２，Ｒ_３，Ｒ_１′，Ｒ_２′，Ｒ_３′は、炭化水素系官能基を表す。

１価のアミジネート銅の具体例であるＣｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−セカンダリ−ブチルアセトアミジネート（［Ｃｕ（ｓＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２）は、融点が７７℃であり、液体の蒸気圧は９５℃で１３３Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ）以下である。［Ｃｕ（ｓＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２の構造式を以下の（２）式に示す。

還元剤として用いられるカルボン酸としては、上述したように、蟻酸（ＨＣＯＯＨ）および酢酸（ＣＨ_３ＣＯＯＨ）を好適に用いることができる。カルボン酸の中では、これらが特に還元性が高い。これらの中では蟻酸がより好適である。

原料容器温度９５℃、容器内圧力１０Ｔｏｒｒの条件下などの成膜処理における１価のアミジネート銅の流量は、［Ｃｕ（ｓＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２を用いた場合に、上記キャリアガスの流量である１００〜１５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）の範囲では、１０〜１７０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）程度となる。また、還元剤であるカルボン酸の流量は、１〜１０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）程度である。

成膜のシーケンスとしては、図２に示すように、成膜原料である１価のアミジネート銅と還元剤であるカルボン酸とを同時に供給する通常のＣＶＤを挙げることができる。また、図３に示すように、１価のアミジネート銅と還元剤であるカルボン酸とを、パージを挟んで交互に行う、いわゆるＡＬＤ的手法を用いることもできる。パージはキャリアガスを供給することで行うことができる。このＡＬＤ的手法により、成膜温度をより低下することができる。

そして、このようにしてＣｕ膜を成膜した後、パージ工程を行う。パージ工程では、成膜原料タンク３１へのキャリアガスの供給を停止して１価のアミジネート銅の供給を停止した後、排気装置２３の真空ポンプを引き切り状態とし、キャリアガス供給源４１からキャリアガスをパージガスとしてチャンバー１内に流してチャンバー１内をパージする。この場合に、できる限り迅速にチャンバー１内をパージする観点から、キャリアガスの供給は断続的に行うことが好ましい。

パージ工程が終了後、ゲートバルブＧを開け、図示しない搬送装置により、搬入出口２４を介してウエハＷを搬出する。これにより、１枚のウエハＷの一連の工程が終了する。

このように、成膜原料である１価のアミジネート銅に対し、還元剤としてカルボン酸を用いてＣＶＤを行う場合には、カルボン酸は１価のアミジネート銅に対する還元能が高いため、２００℃以下という低温で、実用的な成膜速度でＣｕ膜を成膜することができる。カルボン酸の中でも、蟻酸（ＨＣＯＯＨ）または酢酸（ＣＨ_３ＣＯＯＨ）を用いた場合には、特に高い還元能を得ることができ、１１０〜１５０℃という低温で成膜することができる。また、このように低温でかつ実用的な成膜レートでＣｕ膜を成膜できるため、Ｃｕの凝集が生じ難く、表面性状が良好なＣｕ膜を得ることができる。

以上のようにして成膜されたＣＶＤ−Ｃｕ膜は、配線材として用いることもできるし、Ｃｕメッキのシード層として用いることもできる。

＜実施例＞
以下、実際に図１の装置を用いてＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜した実施例について説明する。ここでは、成膜原料としてＣｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−セカンダリ−ブチルアセトアミジネート（［Ｃｕ（ｓＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２）を用い、還元剤として蟻酸（ＨＣＯＯＨ）を用いてウエハ上にＣｕ膜を成膜した。

成膜条件としては、成膜原料タンク３１の加熱温度を１００℃、成膜原料３１へのキャリアガスの流量を１００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）とした。蟻酸は減圧にすることで液体状のものを蒸発させ、ガスとして供給した。サセプタ温度（ウエハ温度）は１３５℃と１５０℃とし、成膜時間を変えて成膜した。

その際の成膜時間と膜厚との関係を図４に示す。この図に示すように、１３５℃、１５０℃という低温にもかかわらず、実用的な膜厚でＣｕ膜が成膜できることが確認された。図５は成膜したＣｕ膜の断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真であるが、健全で表面性状が良好なＣｕ膜が得られていることが確認される。

＜本発明の他の適用＞
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施の形態においては、成膜原料を構成する１価のアミジネート銅として、Ｃｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−セカンダリ−ブチルアセトアミジネート（［Ｃｕ（ｓＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２）を例示したが、これに限るものではなく、上述したように、Ｃｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−ターシャリー−ブチルアセトアミジネート（［Ｃｕ（ｔＢｕ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２）、Ｃｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−イソプロピルアセトアミジネート（［Ｃｕ（ｉＰｒ−Ｍｅ−ａｍｄ）］_２）等 を用いることもできる。また、還元剤を構成するカルボン酸としても、蟻酸および酢酸に限らず、プロピオン酸、酪酸、吉草酸等、他のカルボン酸を用いることもできる。さらにまた、成膜の下地としてＣＶＤ−Ｒｕ膜を例示したが、これに限るものでもない。

また、成膜原料である１価のアミジネート銅の供給手法についても上記実施形態の手法に限定する必要はなく、種々の方法を適用することができる。さらに、成膜装置についても上記実施の形態のものに限らず、例えば、成膜原料ガスの分解を促進するためにプラズマを形成する機構を設けたもの等、種々の装置を用いることができる。

さらにまた、被処理基板として半導体ウエハを用いた場合を説明したが、これに限らず、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）基板等の他の基板であってもよい。

１；チャンバー
２；サセプタ
３；支持部材
５；ヒーター
１０；シャワーヘッド
２３；排気装置
３０；ガス供給機構
３１；成膜原料タンク
３３；キャリアガス供給配管
３６；成膜原料供給配管
４１；キャリアガス供給源
４４；還元剤供給配管
４６；カルボン酸供給源
５０；制御部
５１；プロセスコントローラ
５２；ユーザーインターフェース
５３；記憶部（記憶媒体）
Ｗ；半導体ウエハ

Claims (8)

1. 処理容器内に基板を収容し、前記処理容器内に１価のアミジネート銅を含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とを気相状態で導入して、基板上にＣｕ膜を成膜することを特徴とするＣｕ膜の成膜方法。
2. 前記成膜原料を構成する１価のアミジネート銅は、Ｃｕ（Ｉ）Ｎ，Ｎ′−ジ−セカンダリ−ブチルアセトアミジネートであることを特徴とする請求項１に記載のＣｕ膜の成膜方法。
3. 前記還元剤を構成するカルボン酸は、蟻酸であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＣｕ膜の成膜方法。
4. 前記還元剤を構成するカルボン酸は、酢酸であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＣｕ膜の成膜方法。
5. 成膜の際の基板温度を２００℃以下とすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のＣｕ膜の成膜方法。
6. 前記処理容器内に１価のアミジネート銅を含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とを同時に供給してＣｕ膜を成膜することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のＣｕ膜の成膜方法。
7. 前記処理容器内に１価のアミジネート銅を含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とをパージガスの供給を挟んで交互的に供給することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のＣｕ膜の成膜方法。
8. コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１から請求項７のいずれかの成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。