KR101405256B1 - 그래핀 결함 변경 - Google Patents

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세스 아드리안 밀러
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Abstract

그래핀을 포함하는 기판 상의 층 내의 결함 영역을 변경하는데 유효하도록 구성된 시스템 및 방법에 대한 기술이 일반적으로 설명된다. 예시적인 방법은 층을 수용하고 가열하여 가열된 층을 생성하는 단계와, 가열된 층을 제1 기체에 노출시켜 제1 노출층을 생성하는 단계를 포함할 수 있으며, 제1 기체는 아민을 포함할 수 있다. 방법은 제1 노출층을 제1 비활성 기체에 노출시켜 제2 노출층을 생성하는 단계와, 제2 노출층을 제2 기체에 노출시켜 제3 노출층을 생성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 제2 기체는 알레인 또는 보레인을 포함할 수 있다. 제2 노출층의 제2 기체에 대한 노출은 결함 영역을 적어도 부분적으로 변경할 수 있다.

Description

그래핀 결함 변경{GRAPHENE DEFECT ALTERATION}
본 출원은, 현재 함께 계류 중이고 년 월 일에 출원되고 발명자가 세스 밀러이며 그 명칭이 "그래핀 결함 검출(GRAPHENE DEFECT DETECTION)"인 PCT 특허출원 제PCT/US2011/xxxxx호(대리인 정리번호 1574-0041), 및 현재 함께 계류 중이고 년 월 일에 출원되고 발명자가 세스 밀러와 토머스 예거이며 그 명칭이 "그래핀 결함의 변경(ALTERATION OF GRAPHENE DEFECTS)"인 PCT 특허출원 제PCT/US2011/xxxxx호(대리인 정리번호 1574-0042)와 관련된다.
여기에 달리 명시되지 않는 한, 본 섹션에 기재된 물질들은 본 출원의 청구범위에 대한 종래기술이 아니며, 본 섹션에 포함함으로써 종래기술로서 인정되지 않는다.
그래핀(graphene)은 일반적으로 결합된 탄소 원자들의 일원자 두께층(one atom thick layer)을 포함할 수 있는 물질이다. 그래핀은 구리와 같은 다른 물질의 상부에 탄소 원자를 성장시킴으로써 형성될 수 있다. 구리는 석영관(quartz tube)에 삽입되고, 가열되고, 어닐링될 수 있다. 이후 CH4 및 H2의 기체 혼합물이 관으로 유입될 수 있으며, 구리는 H2의 흐름으로 냉각되어 그래핀을 형성할 수 있다.
일부 실시예에서, 기판 상의 층 내의 결함 영역을 적어도 부분적으로 변경하기 위한 방법이 일반적으로 기술된다. 일부 실시예에서, 방법은 층을 수용하는 단계를 포함할 수 있고, 층은 적어도 일부의 그래핀과 그래핀 내의 적어도 일부의 결함 영역을 포함할 수 있다. 방법은 층을 기체에 노출시키는 단계를 더 포함할 수 있고, 기체에 대한 층의 노출은 결함 영역을 적어도 부분적으로 변경할 수 있다. 기체는 수소 및 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및/또는 탈륨(Tl) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 기판 상의 층 내의 결함 영역을 변경하는데 유효한 시스템이 일반적으로 기술된다. 일부 실시예에서, 시스템은 챔버 및 챔버와 통신하도록 배치된 컨테이너를 포함할 수 있다. 챔버는 층을 수용하는데 유효하도록 구성될 수 있고, 층은 그래핀 내의 적어도 일부의 결함 영역을 포함할 수 있다. 챔버 및 컨테이너는 층을 기체에 노출시키는데 유효하도록 구성될 수 있고, 기체에 대한 층의 노출은 결함 영역을 적어도 부분적으로 변경하는데 유효할 수 있다. 기체는 수소 및 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및/또는 탈륨(Tl) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 기판 상의 층 내의 결함 영역을 적어도 부분적으로 변경하는데 유효한 챔버가 일반적으로 기술된다. 일부 실시예에서, 챔버는 층을 포함하고, 층은 적어도 일부의 그래핀을 포함할 수 있다. 챔버는 기체를 더 포함할 수 있고, 기체에 대한 층의 노출은 적어도 부분적으로 결함을 변경하는데 유효할 수 있다. 기체는 수소 및 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및/또는 탈륨(Tl) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이상의 요약은 예시적인 것일 뿐이며 어떠한 한정을 하도록 의도된 것이 아니다. 전술된 예시적 양상들, 실시예들 및 특징들에 더하여, 추가의 양상들, 실시예들 및 특징들이 도면들과 이하 상세한 설명을 참조하여 명확해질 것이다.
본 개시의 앞서 기술한 특징들과 다른 특징들은 첨부된 도면을 참조하여 이하 설명과 첨부된 청구범위로부터 더욱 명확해질 것이다. 이들 도면이 본 개시에 따른 몇 가지 실시예들만을 도시하는 것이며, 따라서 그 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안되며, 본 개시는 첨부 도면들을 이용하여 더 구체적이고 상세하게 기술될 것이다.
도 1은 그래핀 결함 변경을 구현하는데 이용될 수 있는 예시적인 시스템을 도시하고,
도 2는 그래핀 결함 변경을 구현하기 위한 예시적인 프로세스에 대한 흐름도를 도시하고,
도 3은 그래핀 결함 변경을 구현하는데 이용될 수 있는 컴퓨터 프로그램 제품을 도시하고,
도 4는 그래핀 결함 변경을 구현하도록 배열된 예시적인 컴퓨팅 장치를 도시하는 블록도이며,
모두 여기에 기술된 적어도 일부 실시예에 따라 배열된다.
이하의 상세한 설명에서, 여기의 일부를 구성하는 첨부 도면에 대한 참조가 이루어진다. 도면에서, 문맥상 다르게 기재되지 않는 한, 유사한 기호는 일반적으로 유사한 구성요소를 나타낸다. 상세한 설명, 도면 및 청구범위에 기재된 예시적 실시예들은 제한적으로 의도된 것이 아니다. 여기에 제시된 대상의 사상과 범위를 벗어나지 않으면서, 다른 실시예들이 이용될 수 있고, 다른 변경들이 가해질 수 있다. 본 개시의 양상들은, 여기에 일반적으로 기술되고 도면에 도시된 바와 같이, 매우 다양한 구성들로 배열, 치환, 조합, 분리 및 설계될 수 있고, 이들은 모두 여기에 명시적으로 고려됨이 이해될 것이다.
본 개시는 일반적으로, 그 중에서도 특히, 그래핀 결함 변경에 관련된 시스템, 방법, 물질 및 장치에 관한 것이다.
간략히 말하자면, 그래핀을 포함하는 기판 상의 층 내의 결함 영역을 변경하는데 유효하도록 구성된 시스템 및 방법에 대한 기술이 일반적으로 설명된다. 예시적인 방법은 층을 수용 및 가열하여 가열된 층을 생성하고, 가열된 층을 제1 기체에 노출시켜 제1 노출층을 생성하는 단계를 포함할 수 있으며, 제1 기체는 아민(amine)을 포함할 수 있다. 방법은 제1 노출층을 제1 비활성(inert) 기체에 노출시켜 제2 노출층을 생성하는 단계 및 제2 노출층을 제2 기체에 노출시켜 제3 노출층을 생성하는 단계를 포함할 수 있으며, 제2 기체는 알레인(alane) 또는 보레인(borane)을 포함할 수 있다. 제2 노출층의 제2 기체에 대한 노출은 결함 영역을 적어도 부분적으로 변경할 수 있다.
그룹 또는 구조상, 조성상 및/또는 기능상 연관된 화합물, 물질 또는 재료에 속하는 것으로 명시적 또는 묵시적으로 명세서에 개시되거나 청구항에 기재된 임의의 화합물, 물질 또는 재료는 그룹의 각 대표 및 그 모든 조합을 포함함이 이해될 것이다.
도 1은 여기에 기술된 적어도 일부 실시예에 따라 그래핀 결함 변경을 구현하는데 이용될 수 있는 예시적인 시스템을 도시한다. 예시적인 그래핀 결함 변경 시스템(100)은 하나 이상의 챔버(112), 하나 이상의 컨테이너(118, 126, 128), 하나 이상의 히터(174) 및/또는 하나 이상의 펌프(170)를 포함할 수 있다. 결함 변경 시스템(100)의 구성요소 중 적어도 일부는 통신 링크(186)를 통해 프로세서(184)와 통신하도록 배열될 수 있다. 일부 예에서, 프로세서(184)는 그 안에 저장된 명령어(180)를 포함할 수 있는 메모리(188)와 통신하도록 구성될 수 있다. 프로세서(184)는 명령어(180)에 의하는 등 이하에서 기술되는 동작/작용/기능 중 적어도 일부를 제어하도록 구성될 수 있다.
그래핀 형성 프로세스 동안, 결함 또는 결함 영역이 그래핀(106)을 포함하는 층(102) 상에 형성할 수 있다. 그러한 결함은 그래핀 형성 프로세스에서의 불순물로부터 생길 수 있다. 예를 들어, 에폭시드(epoxide), 카복실산 기능기(carboxylic acid functionality), 알코올(alcohol), 케톤(ketone)과 같은 화학적 산화 결함이 그래핀(106) 상에 형성할 수 있는데, 이는 일부 응용예에서 그래핀의 작용을 떨어뜨릴 수 있다. 예를 들어, 그래핀의 전기 전도성, 화학적 불활성 또는 기계적 속성이 결함의 존재로 인해 감소될 수 있다. 일 예에서, 136에 도시된 바와 같이, 그래핀(106)을 포함하는 기판(104) 상의 층(102)은 결함 영역(108 및/또는 110)을 포함할 수 있다. 이하에서 더 상세히 논의되는 바와 같이, 층(102)은 결함(108 및/또는 110)을 적어도 부분적으로 변경하는데 유효할 수 있는 기체상의 그룹 IIIA 하이브리드 물질에 노출될 수 있다.
138에 도시된 바와 같이, 층(102)은 손 또는 기계 등에 의하여 챔버(112) 내에 배치될 수 있다. 층(102)은 기판(104) 상에 배치될 수 있다. 챔버(112)는 포트(114, 116)를 포함할 수 있고, 챔버(112)는 밸브(192) 등을 통해 펌프(170)와, 히터(174)와, 그리고/또는 밸브(190) 등을 통해 컨테이너(118, 126 및/또는 128)와 통신할 수 있다. 챔버(112)는 예컨대 MVD 100E 챔버와 같은 분자 증착 챔버(molecular vapor deposition chamber) 또는 화학적 증착 챔버(chemical vapor deposition chamber)와 같은 임의의 적절한 챔버일 수 있다. 컨테이너(118)는 펌프(170)와 함께 (예컨대, 프로세서(184)와 같은 제어기의 제어 하에서), 층(102)을 기체(120)에 노출시키는데 유효하도록 구성될 수 있다. 기체(120)는 피롤리딘(pyrrolidine), 피페리딘(piperidine), 디에틸아민(diethylamine) 등과 같은 아민을 포함할 수 있다. 일 예에서, 층(102)은 약 30초 내지 약 10분의 범위의 시간 구간 동안, 섭씨 약 35도 내지 섭씨 약 150도의 범위의 온도에서, 약 0.1 기압과 같은 약 1 밀리토르(mtorr) 및 약 1 기압 사이의 범위의 압력에서 기체(120)에 노출될 수 있다. 140에 도시된 바와 같이, 층(102)의 기체(120)에의 노출 후, 컨테이너(126)가 펌프(170)와 함께 챔버(112)로부터 기체(120)를 적어도 부분적으로 제거하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 이러한 구성요소는 챔버(112)를 진공으로 한(vacuum out) 후, 포트(116)를 통해 챔버(112)로 기체(122)를 주입시켜 챔버(114)로부터 기체(120)를 밀어내도록 제어될 수 있다. 예를 들어, 기체(122)는 헬륨, 네온, 질소, 아르곤, 크립톤, 크세논, 라돈 등과 같은 비활성 기체일 수 있다.
142에 도시된 바와 같이, 컨테이너(128)는 펌프(170)와 함께 층(102)을 기체(124)에 노출시키는데 유효하도록 구성될 수 있으며, 결함 영역의 기체에 대한 노출은 탄소-탄소 이중결합에 참여하는 탄소 원자의 수를 증가시키는 등에 의하여 결함 영역을 그래핀에 더 가까운 화합물로 변경하고 변경된 결함 영역(146, 148)을 생성하는데 유효할 수 있다. 펌프(170)는 예컨대 0.1 기압과 같은, 약 1 밀리토르 내지 약 1 기압의 범위 내와 같은 1 기압보다 작을 수 있는 챔버(112) 내 압력을 생성(또는 제어)하도록 구성될 수 있다. 히터(174)는 (예컨대, 프로세서(184)와 같은 제어기를 통해) 챔버(112)를 섭씨 약 80도 내지 섭씨 약 250도의 범위의 온도로 가열하도록 구성될 수 있다. 기체(124)는 수소 및 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및/또는 탈륨(Tl)과 같은 화학 원소의 주기율표의 칼럼 IIIA로부터 선택되는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기체(124)는 다이보레인(B2H6), 디이소부틸알루미늄 수화물(diisobutylaluminium hydride; "DIBALH"), 9-보라비시클로(3.3.1)노네인(9-Borabicyclo(3.3.1)nonane; "9-BBN") 및/또는 알루미늄 수화물(AlH3)과 같은 보레인(B-H) 또는 알레인(A-H)을 포함할 수 있다. 결함 영역(108, 110)에 대한 보레인 또는 알레인 기체의 노출은 층(102)의 그래핀(106) 내의 케톤, 카복실산, 알코올 및/또는 에폭시드 결함의 감소를 참작할 수 있다. 챔버(112)에 기체(124)를 가함으로써 챔버(112) 내의 압력이 약 0.1 기압으로 증가할 수 있다.
144에 도시된 바와 같이, 기체(124)의 노출 후에, 컨테이너(126)는 펌프(170)와 함께, 예컨대 프로세서(184)와 같은 제어기를 통하여, 챔버(112)로부터 기체(124)를 적어도 부분적으로 제거하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 이러한 구성요소는 챔버(112)를 진공으로 한 후, 포트(116)를 통해 챔버(112)로 기체(122)를 주입시켜 챔버(114)로부터 기체(120)를 밀어내도록 제어될 수 있다. 144에서 기체(122)의 노출 동안, 히터(174)는 (예컨대, 프로세서(184)와 같은 제어기를 통해) 약 1분 내지 약 15분의 시간 구간 동안, 0.1 기압과 같은 약 1 밀리토르 내지 약 1 기압의 범위의 압력에서, 섭씨 약 150도 내지 섭씨 약 300도의 범위의 온도로 챔버(112)를 가열하는데 유효하도록 구성될 수 있다. 일 예에서, 기체(122)의 노출 및/또는 히터(174)로부터의 가열은 138 및/또는 142에서 기술된 프로세스로부터 남을 수 있는 층(102) 상의 아민 및/또는 붕산염(borate)을 제거하는데 유효할 수 있다.
일 예에서, 다시 138에 초점을 맞추어, 히터(174)는 (예컨대, 프로세서(184)와 같은 제어기를 통해) 층(102) 내의 물을 제거하도록 층(102)을 섭씨 약 80도 내지 섭씨 약 150도의 범위의 온도로 가열하는데 유효하도록 구성될 수 있다. 펌프(170)는 챔버(112) 내에 진공, 예컨대 0.1 기압과 같은 1 밀리토르 내지 약 1 기압의 범위의 압력을 생성하는데 유효하도록 구성될 수 있다. 컨테이너(118)는 섭씨 약 15도 내지 섭씨 약 25도의 범위의 온도에서 피페리딘과 같은 아민 기체(120)를 저장하는데 유효할 수 있다. 컨테이너(128)는 0.1 기압과 같은 1 밀리토르 내지 약 1 기압의 범위의 압력에서 섭씨 약 80도 내지 섭씨 약 100도의 범위의 온도에서 9-BBN과 같은 보레인 기체(124)를 저장하는데 유효할 수 있다. 컨테이너(118)는 약 30초 내지 약 5분의 시간 구간 동안 층(102)에 피페리딘 기체(120)를 노출하는데 유효하도록 구성될 수 있다.
140에서, 컨테이너(126)는 (예컨대, 프로세서(184)와 같은 제어기를 통해) 챔버(112)로부터 기체(120)를 적어도 부분적으로 제거하는데 유효하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 이러한 구성요소는 챔버(112)를 진공으로 한 후, 포트(116)를 통해 챔버(112)로 질소와 같은 기체(122)를 주입시켜 약 30초 내지 약 3분의 시간 구간 동안 챔버(114)로부터 기체(120)를 밀어내도록 제어될 수 있다. 일 예에서, 이러한 구성요소는 섭씨 약 35도 내지 섭씨 약 150도의 범위의 온도에서, 0.1 기압과 같은 약 1 밀리토르와 약 1 기압 사이의 범위의 압력에서 작용할 수 있다. 142에서, 컨테이너(128)는 약 2분 내지 약 10분의 범위인 시간 구간 동안 층(102)에 보레인 기체(124)를 노출시키는데 유효하도록 구성될 수 있다. 144에서, 컨테이너(126)는 약 30초 내지 약 3분의 범위인 시간 구간 동안 층(102)에 기체(122)를 노출시키는데 유효하도록 구성될 수 있다. 히터(174)는 섭씨 약 150도 내지 섭씨 약 300도의 범위의 온도에서 챔버(112)를 가열하는데 유효하도록 구성될 수 있다.
결함 영역(108, 110)이 카복실산 기능기를 포함하는 예에서, 이러한 산은 DIBALH 기체를 사용하여 알데히드로, 또는 9-BBN이나 DIBALH를 사용하여 알코올로 환원될 수 있다. 알코올은 수소화붕소(borohydride)와 반응하여 보레이트 에스터(borate ester)를 생성할 수 있으며, 이는 가열될 때 알켄(alkene)을 형성할 수 있다. 결함 영역(108, 110)이 케톤을 포함하는 예에서, 피롤리딘과 같은 아민과 케톤의 반응은 에나민(enamine)을 형성할 수 있다. 9-BBN과 에나민의 반응은 아민-붕소 부가물(adduct)을 생성할 수 있다. 이후 부가물이 가열을 통해 제거되어 원하는 알켄을 생성할 수 있다. 결함 영역(108, 110)이 에폭시드를 포함하는 예에서, 보레인이 에폭시에 노출되어 보레이트 에스터를 생성할 수 있다. 보레이트 에스터는 결국 클리빙되어(cleaved) 가열에 응답하여 이중 결합을 생성할 수 있다.
다른 잠재적인 이점들 중에서, 본 개시에 따라 배열된 시스템은 기판 상의 층 내의 결함 영역을 적어도 부분적으로 변경하는데 사용될 수 있다. 층 내의 결함 영역은 그래핀이 성장된 곳으로부터 그래핀이 이송된 후에도 변경될 수 있다. 디스플레이, 마이크로전자회로, 전자상호연결 및 광학적 응용에서 발생할 수 있는 것과 같이 그래핀이 리소그래피에 사용되는 기술과 같은 보이드(void)나 크랙(crack)에 민감할 수 있는 응용에 그래핀이 사용될 수 있다. 본 개시에 따라 배열된 시스템은 독성 및/또는 가연성 물질 없이 구현될 수 있다. 기체가 사용될 수 있기에, 액체 또는 용제가 사용되는 경우보다 불순물이 층에 덜 노출될 수 있다. 여기에 기술된 프로세스는 섭씨 300도 아래의 비교적 낮은 온도에서 일어날 수 있기 때문에, 탄소 결함(carbon vacancy)을 생성하여 그래핀 층에 해를 가할 가능성이 적다. 보레인 및 알레인을 사용하는 기술된 기체는 그래핀 내의 결함 영역을 변경하는데 사용될 수 있으며, 기체는 SiO2와 같은 기판과의 반응을 피할 수 있다.
도 2는 여기에 기술된 적어도 일부 실시예에 따라 층 내의 결함 영역을 변경하기 위한 예시적인 프로세스(200)에 대한 흐름도를 도시하고 있다. 도 2의 프로세스는 예컨대 전술한 시스템(100)을 사용하여 구현될 수 있으며, 여기서 프로세서(184)는 명령어를 통해, 도 2를 참조하여 더 기술될 인터페이스를 통해 다양한 프로세싱 동작을 제어하고 용이하게 하도록 적응될 수 있다. 예시적인 프로세스는 블록(S2, S4, S6, S8, S10, S12 및/또는 S14) 중 하나 이상에 의해 도시된 하나 이상의 동작, 작용 또는 기능을 포함할 수 있다. 개별 블록으로 도시되었으나, 원하는 구현에 따라 다양한 블록들이 추가적인 블록으로 분할되거나, 더 적은 블록으로 조합되거나 제거될 수 있다.
프로세스(200)는 블록(S2), "층을 수용함 - 층은 적어도 일부의 그래핀 및 그래핀 내의 적어도 일부의 결함 영역을 포함할 수 있음"에서 시작할 수 있다. 블록(S2)에서, 챔버가 적어도 일부의 그래핀 및 그래핀 내의 적어도 일부의 결함 영역을 포함하는 층을 수용하는데 유효하도록 구성될 수 있다.
프로세싱은 블록(S2)에서 블록(S4), "층을 가열하여 가열된 층을 생성"으로 계속할 수 있다. 블록(S4)에서, 챔버는 프로세서(184)와 같은 제어기에 의한 제어 하에서 히터(174)를 통하는 등, 층을 가열하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 층은 섭씨 약 80도 내지 섭씨 약 150도의 범위의 온도로 가열될 수 있다.
프로세싱은 블록(S4)에서 블록(S6), "가열된 층을 제1 기체에 노출시켜 제1 노출층을 생성"으로 계속할 수 있다. 블록(S6)에서, 제1 기체를 포함하는 컨테이너 및 밸브와 함께 챔버는, 프로세서(184)와 같은 제어기에 의한 제어를 통하는 등, 가열된 층을 제1 기체에 노출시키도록 구성될 수 있다. 일 예에서, 제1 기체는 아민을 포함할 수 있다. 일 예에서, 제1 기체는 피롤리딘, 피페리딘 또는 디에틸아민 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
프로세싱은 블록(S6)에서 블록(S8), "제1 노출층을 제1 비활성 기체에 노출시켜 제2 노출층을 생성"으로 계속할 수 있다. 블록(S8)에서, 비활성 기체를 포함하는 컨테이너 및 밸브와 함께 챔버는, 프로세서(184)와 같은 제어기에 의한 제어를 통하는 등, 제1 노출층을 제1 비활성 기체에 노출시키도록 구성될 수 있다.
프로세싱은 블록(S8)에서 블록(S10), "제2 노출층을 제2 기체에 노출시켜 제3 노출층을 생성"으로 계속할 수 있다. 블록(S10)에서, 제2 기체를 포함하는 컨테이너 및 밸브와 함께 챔버는, 프로세서(184)와 같은 제어기에 의한 제어를 통하는 등, 제2 노출층을 제2 기체에 노출시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 기체는 보레인, 알레인, 다이보레인, 9-보라비시클로(3.3.1)노네인, 디이소부틸알루미늄 수화물, 또는 알루미늄 수화물을 포함할 수 있다.
프로세싱은 블록(S10)에서 블록(S12), "제3 노출층을 제2 비활성 기체에 노출시켜 제4 노출층을 생성"으로 계속할 수 있다. 블록(S12)에서, 제2 비활성 기체를 포함하는 컨테이너 및 밸브와 함께 챔버는, 프로세서(184)와 같은 제어기에 의한 제어를 통하는 등, 제3 노출층을 제2 비활성 기체에 노출시켜 제4 노출층을 생성하도록 구성될 수 있다.
프로세싱은 블록(S12)에서 블록(S14), "제4 노출층을 가열"로 계속할 수 있다. 블록(S14)에서, 챔버는 프로세서(184)와 같은 제어기에 의한 제어 하에서 히터(174)를 통하는 등, 제4 노출층을 가열하도록 구성될 수 있다. 일 예에서, 챔버는 제4 노출층을 섭씨 약 150도 내지 섭씨 약 300도의 범위의 온도로 가열하도록 구성될 수 있다.
도 3은 여기에 기술된 적어도 일부 실시예에 따라 그래핀 결함 변경을 구현하는데 이용될 수 있는 컴퓨터 프로그램 제품을 도시하고 있다. 프로그램 제품(300)은 신호 포함 매체(signal bearing medium)(302)를 포함할 수 있다. 신호 포함 매체(302)는, 예컨대 프로세서에 의해 실행될 때, 도 1 내지 2를 참조하여 전술한 기능(functionality)을 제공할 수 있는 하나 이상의 명령어(304)를 포함할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 시스템(100)을 참조하면, 프로세서(184)는 매체(302)에 의해 시스템(100)에 전달되는 명령어(304)에 응답하여 도 3에 도시된 블록들 중 하나 이상을 수행할 수 있다.
일부 구현예에서, 신호 포함 매체(302)는 하드 디스크 드라이브, CD(Compact Disc), DVD(Digital Video Disk), 디지털 테이프, 메모리 등과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 컴퓨터 판독가능 매체(306)를 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 신호 포함 매체(302)는 메모리, R/W(read/write) CD, R/W DVD 등과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 기록가능 매체(308)를 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 신호 포함 매체(302)는 디지털 및/또는 아날로그 통신 매체(예컨대, 섬유 광 케이블, 웨이브가이드, 유선 통신 링크, 무선 통신 링크 등)와 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 통신 매체(310)를 포함할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 프로그램 제품(300)은 RF 신호 포함 매체(302)에 의해 시스템(100)의 하나 이상의 모듈로 전달될 수 있고, 신호 포함 매체(302)는 무선 통신 매체(310)(예컨대, IEEE 802.11 표준에 부합하는 무선 통신 매체)에 의해 전달될 수 있다.
도 4는 여기에 기술된 적어도 일부 실시예에 따라 그래핀 결함 변경을 구현하도록 배열된 예시적인 컴퓨팅 장치를 도시하는 블록도이다. 매우 기본적 구성(402)에서, 컴퓨팅 장치(400)는 일반적으로 하나 이상의 프로세서(404) 및 시스템 메모리(406)를 포함한다. 메모리 버스(408)가 프로세서(404) 및 시스템 메모리(406) 사이의 통신을 위해 사용될 수 있다.
요구되는 구성에 따라, 프로세서(404)는, 마이프로프로세서(μP), 마이크로제어기(μC), 디지털 신호 프로세서(DSP), 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 임의의 유형일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 프로세서(404)는, 레벨 1 캐쉬(410) 및 레벨 2 캐쉬(412)와 같은 하나 이상 레벨의 캐슁, 프로세서 코어(414), 및 레지스터(416)를 포함할 수 있다. 예시적 프로세서 코어(414)는 산술 논리 유닛(arithmetic logic unit; ALU), 부동 소수점 유닛(floating point unit; FPU), 디지털 신호 처리 코어(DSP Core), 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 예시적 메모리 제어기(418)는 또한 프로세서(404)와 함께 사용될 수 있거나, 일부 구현예에서, 메모리 제어기(418)는 프로세서(404)의 내부 부분일 수 있다.
요구되는 구성에 따라, 시스템 메모리(406)는, (RAM과 같은) 휘발성 메모리, (ROM, 플래쉬 메모리 등과 같은) 비휘발성 메모리 또는 이들의 임의의 조합을 포함하지만 이에 제한되지 않은 임의의 유형일 수 있다. 시스템 메모리(406)는 운영 체제(420), 하나 이상의 애플리케이션(422), 및 프로그램 데이터(424)를 포함할 수 있다. 애플리케이션(422)은 도 1 내지 3의 시스템(100)을 참조하여 기술된 것들을 적어도 포함하여, 여기에 기술된 다양한 기능/작용/동작을 수행하도록 배열된 그래핀 결함 변경 알고리즘(426)을 포함할 수 있다. 프로그램 데이터(424)는 여기에 기술된 바와 같이 그래핀 결함 변경을 구현하는데 유용할 수 있는 그래핀 결함 변경 데이터(428)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 그래핀 결함 변경이 제공될 수 있도록 운영 체제(420) 상에서 프로그램 데이터(424)와 함께 동작하도록 애플리케이션(422)이 배치될 수 있다. 이 기술된 기본적 구성(402)은 쇄선 내의 구성요소들로 도 4에 도시된다.
컴퓨팅 장치(400)는 추가의 특징 또는 기능, 및 기본적 구성(402) 및 임의의 요구되는 장치 및 인터페이스 사이의 통신을 용이하게 하는 추가의 인터페이스를 가질 수 있다. 예를 들어, 버스/인터페이스 제어기(430)가 사용되어 기본적 구성(402) 및 하나 이상의 데이터 저장 장치(432) 사이의 통신을 저장 인터페이스 버스(434)를 통해 용이하게 할 수 있다. 데이터 저장 장치(432)는 이동식 저장 장치(436), 고정식 저장 장치(438), 또는 이들의 조합일 수 있다. 이동식 저장 및 고정식 저장 장치의 예에는, 몇몇을 거론하자면, 플렉서블 디스크 드라이브 및 하드디스크 드라이브(HDD)와 같은 자기 디스크 장치, CD(compact disk) 드라이브 또는 DVD(digital versatile disk) 드라이브와 같은 광학 디스크 드라이브, SSD(solid state drive), 및 테이프 드라이브를 포함한다. 예시적인 컴퓨터 저장 매체는, 컴퓨터 판독가능 명령어, 데이터 구조, 프로그램 모듈, 또는 다른 데이터와 같은, 정보의 저장을 위한 임의의 방법 또는 기술로 구현된 휘발성 및 비휘발성, 제거 가능 및 제거 가능하지 않은 매체를 포함할 수 있다.
시스템 메모리(406), 이동식 저장 장치(436) 및 고정식 저장 장치(438)는 모두 컴퓨터 저장 매체의 예들이다. 컴퓨터 저장 매체는, RAM, ROM, EEPROM, 플래쉬 메모리 또는 다른 메모리 기술, CD-ROM, DVD(digital versatile disk) 또는 다른 광학 저장, 자기 카세트, 자기 테이프, 자기 디스크 저장 또는 다른 자기 저장 장치, 또는 요구되는 정보를 저장하는데 사용될 수 있으며 컴퓨팅 장치(400)에 의해 액세스될 수 있는 임의의 다른 매체를 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 이러한 임의의 컴퓨터 저장 매체는 컴퓨팅 장치(400)의 부분일 수 있다.
컴퓨팅 장치(400)는 또한, 버스/인터페이스 제어기(430)를 통해 다양한 인터페이스 장치(예를 들어, 출력 장치(442), 주변장치 인터페이스(444), 및 통신 장치(446))로부터 기본적 구성(402)으로의 통신을 용이하게 하기 위한 인터페이스 버스(440)를 포함할 수 있다. 예시적 출력 장치(442)는 그래픽 처리 유닛(448) 및 오디오 처리 유닛(450)을 포함하며, 이는 하나 이상의 A/V 포트(452)를 통해 디스플레이 또는 스피커와 같은 다양한 외부 장치와 통신하도록 구성될 수 있다. 예시적 주변장치 인터페이스(444)는 직렬 인터페이스 제어기(454) 또는 병렬 인터페이스 제어기(456)를 포함하며, 이는 입력 장치(예를 들어, 키보드, 마우스, 펜, 음성 입력 장치, 터치 입력 장치 등) 또는 다른 주변 장치(예를 들어, 프린터, 스캐너 등)와 같은 외부 장치와 하나 이상의 I/O 포트(458)를 통해 통신하도록 구성될 수 있다. 예시적 통신 장치(446)는 네트워크 제어기(460)를 포함하며, 이는 하나 이상의 통신 포트(464)를 통해 네트워크 통신 링크 상에서 하나 이상의 다른 컴퓨팅 장치(462)와 통신을 용이하게 하도록 배치될 수 있다.
네트워크 통신 링크는 통신 매체의 한 예일 수 있다. 통신 매체는 일반적으로 컴퓨터 판독가능 명령어, 데이터 구조, 프로그램 모듈, 또는 반송파(carrier wave) 또는 다른 전송 메커니즘과 같은 변조된 데이터 신호로 된 다른 데이터에 의해 구현될 수 있으며, 임의의 정보 전달 매체를 포함할 수 있다. "변조된 데이터 신호"는, 신호 내에 정보를 인코딩하는 방식으로 설정되거나 변경된 하나 이상의 특성을 갖는 신호일 수 있다. 예를 들어, 이에 제한되는 것은 아니지만, 통신 매체는 유선 네트워크 또는 직접-유선 연결과 같은 유선 매체, 및 음향, 무선 주파수(RF), 마이크로웨이브, 적외선(IR) 및 다른 무선 매체와 같은 무선 매체를 포함할 수 있다. 여기에 사용된 컴퓨터 판독가능 매체라는 용어는 저장 매체 및 통신 매체 모두를 포함할 수 있다.
컴퓨팅 장치(400)는, 휴대전화, 개인용 데이터 어시스턴트(PDA), 개인용 매체 재생 장치, 무선 웹와치(web-watch) 장치, 개인용 헤드셋 장치, 애플리케이션 특정 장치, 또는 상기한 임의의 기능을 포함하는 하이브리드 장치와 같은 소형 휴대(또는 이동) 전자 장치의 일부로 구현될 수 있다. 컴퓨팅 장치(400)는 또한, 랩탑 컴퓨터 및 비-랩탑 컴퓨터 구성을 모두 포함하는 개인용 컴퓨터로써 구현될 수 있다.
본 개시는 본 출원에서 기재된 특정 실시예로 제한되는 것은 아니며, 다양한 양상들의 예시로서 의도된 것이다. 당업자에게 명확하게 이해되는 바와 같이, 본 개시의 사상과 범위를 벗어나지 않으면서 다수의 변경 및 수정이 행해질 수 있다. 앞서 기술된 내용으로부터, 본 개시에 나열된 것에 추가하여, 본 개시의 범위 내에서 기능적으로 균등한 방법 및 장치들이 당업자에게 명확해질 것이다. 그러한 수정 및 변경은, 첨부되는 청구범위의 범위 내에 속하는 것을 의도한 것이다. 본 개시는 첨부된 청구범위와 그 청구범위가 속하는 균등물의 모든 범위에 의해서만 제한될 것이다. 본 개시가 특정 방법, 시약, 화합물 조성 또는 생물학적 시스템에 제한되지 않으며, 물론 변경이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 또한, 본 개시에 사용된 용어는, 특정 실시예를 설명하기 위한 목적으로 제공된 것이며, 제한을 의도한 것이 아님을 이해할 것이다.
본 개시의 실질적으로 임의의 복수 및/또는 단수 용어들의 사용에 관해서, 당업자라면 문맥 및/또는 응용에 적합하도록 복수를 단수로 해석하거나 단수를 복수로 해석할 수 있다. 다양한 단수/복수 조합은 명확성을 위해 본 개시에 명시적으로 기재될 수 있다.
당업자라면, 일반적으로 본 개시에 사용되며 특히 첨부된 청구범위(예를 들어, 첨부된 청구범위)에 사용된 용어들이 일반적으로 "개방적(open)" 용어(예를 들어, 용어 "포함하는"은 "포함하지만 이에 제한되지 않는"으로, 용어 "갖는"는 "적어도 갖는"으로, 용어 "포함하다"는 "포함하지만 이에 한정되지 않는" 등으로 해석되어야 함)로 의도되었음을 이해할 것이다. 또한, 당업자라면, 도입된 청구항의 기재사항의 특정 수가 의도된 경우, 그러한 의도가 청구항에 명시적으로 기재될 것이며, 그러한 기재사항이 없는 경우, 그러한 의도가 없음을 또한 이해할 것이다. 예를 들어, 이해를 돕기 위해, 이하의 첨부 청구범위는 "적어도 하나" 및 "하나 이상" 등의 도입 구절의 사용을 포함하여 청구항 기재사항을 도입할 수 있다. 그러나, 그러한 구절의 사용이, 부정관사 "하나"("a" 또는 "an")에 의한 청구항 기재사항의 도입이, 그러한 하나의 기재사항을 포함하는 실시예로, 그러한 도입된 청구항 기재사항을 포함하는 특정 청구항을 제한함을 암시하는 것으로 해석되어서는 안되며, 동일한 청구항이 도입 구절인 "하나 이상" 또는 "적어도 하나" 및 "하나"("a" 또는 "an")과 같은 부정관사(예를 들어, "하나"는 "적어도 하나" 또는 "하나 이상"을 의미하는 것으로 일반적으로 해석되어야 함)를 포함하는 경우에도 마찬가지로 해석되어야 한다. 이는 청구항 기재사항을 도입하기 위해 사용된 정관사의 경우에도 적용된다. 또한, 도입된 청구항 기재사항의 특정 수가 명시적으로 기재되는 경우에도, 당업자라면 그러한 기재가 일반적으로 적어도 기재된 수(예를 들어, 다른 수식어가 없는 "두개의 기재사항"을 단순히 기재한 것은, 일반적으로 적어도 두 개의 기재사항 또는 두 개 이상의 기재사항을 의미함)를 의미하도록 해석되어야 함을 이해할 것이다. 또한, "A, B 및 C 중의 적어도 하나"와 유사한 규칙이 사용된 경우에는, 일반적으로 그러한 해석은 당업자가 그 규칙을 이해할 것이라는 전제가 의도된 것이다(예를 들어, "A, B 및 C 중의 적어도 하나를 갖는 시스템"은, A만을 갖거나, B만을 갖거나, C만을 갖거나, A 및 B를 함께 갖거나, A 및 C를 함께 갖거나, B 및 C를 함께 갖거나, A, B, 및 C를 함께 갖는 시스템을 포함하지만 이에 제한되지 않음). "A, B 또는 C 중의 적어도 하나"와 유사한 규칙이 사용된 경우에는, 일반적으로 그러한 해석은 당업자가 그 규칙을 이해할 것이라는 전제가 의도된 것이다(예를 들어, "A, B 또는 C 중의 적어도 하나를 갖는 시스템"은, A만을 갖거나, B만을 갖거나, C만을 갖거나, A 및 B를 함께 갖거나, A 및 C를 함께 갖거나, B 및 C를 함께 갖거나, A, B, 및 C를 함께 갖는 시스템을 포함하지만 이에 제한되지 않음). 또한 당업자라면, 실질적으로 어떠한 이접 접속어(disjunctive word) 및/또는 두 개 이상의 대안적인 용어들을 나타내는 구절은, 그것이 상세한 설명, 청구범위 또는 도면에 있는지와 상관없이, 그 용어들 중의 하나, 그 용어들 중의 어느 하나, 또는 그 용어들 두 개 모두를 포함하는 가능성을 고려했음을 이해할 것이다. 예를 들어, "A 또는 B"라는 구절은 "A" 또는 "B" 또는 "A 및 B"의 가능성을 포함하는 것으로 이해될 것이다.
또한, 마쿠쉬 그룹을 이용하여 본 개시의 특징 또는 양상이 기술될 때는, 당업자라면 본 개시가 또한 마쿠쉬 그룹의 임의의 개별 구성원 또는 구성원의 서브그룹을 이용하여 기술됨을 이해할 것이다.
당업자가 이해하는 바와 같이, 서면의 기재를 제공하는 것과 같은 어떠한 그리고 모든 목적을 위해서, 본 개시에 기재된 모든 범위는 모든 어떠한 가능한 하위범위 및 그 하위범위의 조합을 또한 포괄한다. 임의의 나열된 범위는, 그 동일한 범위가 적어도 동일한 이분 범위, 삼분 범위, 사분 범위, 오분 범위, 십분 범위 등으로 분할될 수 있으며, 그러한 동일 범위를 충분히 기술하는 것으로 용이하게 인식될 수 있다. 제한되지 않은 예로서, 본 개시에 기재된 각 범위는, 하위 삼분, 중간 삼분, 상위 삼분 등으로 용이하게 분할될 수 있다. 또한 당업자가 이해하는 바와 같이, "까지(up to)", "적어도(at least)" 등과 같은 모든 언어는 인용된 수를 포함하며, 상술한 바와 같은 하위 범위로 분할될 수 있는 범위들을 나타낸다. 마지막으로, 당업자가 이해하는 바와 같이, 범위는 각 개별 구성요소를 포함한다. 따라서, 예를 들어, 1-3셀을 갖는 그룹은, 1 셀, 2 셀 또는 3 셀을 갖는 그룹을 나타낸다. 마찬가지로, 1-5셀을 갖는 그룹은, 1 셀, 2 셀, 3 셀, 4 셀 또는 5 셀 등을 갖는 그룹을 나타낸다.
다양한 양상 및 실시예들이 본 개시에서 기술되었지만, 다른 양상 및 실시예들이 당업자에게 명확할 것이다. 본 개시에 기재된 다양한 양상 및 실시예는 예시의 목적으로 제시된 것이고, 제한하려고 의도된 것은 아니며, 진정한 범위 및 사상은 이하 청구범위에 의해 나타낸다.

Claims (27)

  1. 기판 상의 층 내의 결함 영역(defect area)을 변경하기 위한 방법으로서,
    상기 층은 그래핀(graphene)을 포함하고,
    상기 방법은,
    상기 층을 수용하는 단계 - 상기 층은 상기 그래핀 내에 결함 영역을 포함함 -; 및
    상기 층을 기체에 노출시키는 단계 - 상기 기체는 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및/또는 탈륨(Tl) 중 적어도 하나와 수소를 포함함 -
    를 포함하고,
    상기 기체에 대한 상기 층의 노출은 상기 결함 영역을 변경하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 층을 상기 기체에 노출시키는 단계는 상기 층을 보레인(borane) 또는 알레인(alane)을 포함하는 기체에 노출시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 방법은,
    노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 층을 노출시키는 단계 - 상기 제2 기체는 아민(amine)을 포함함 -; 및
    그 후 상기 노출층을 상기 제1 기체에 노출시키는 단계
    를 더 포함하는, 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 방법은,
    노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 층을 노출시키는 단계 - 상기 제2 기체는 아민을 포함함 -; 및
    그 후 상기 노출층을 상기 제1 기체에 노출시키는 단계 - 상기 제1 기체는 보레인 또는 알레인을 포함함 -
    를 더 포함하는, 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 방법은,
    노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 층을 노출시키는 단계 - 상기 제2 기체는 피롤리딘(pyrrolidine), 피페리딘(piperidine) 및/또는 디에틸아민(diethylamine) 중 적어도 하나를 포함함 -; 및
    그 후 상기 노출층을 상기 제1 기체에 노출시키는 단계 - 상기 제1 기체는 보레인 또는 알레인을 포함함 -
    를 더 포함하는, 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 층을 상기 기체에 노출시키는 단계는 상기 층을 다이보레인(diborane), 9-보라비시클로(3.3.1)노네인(9-borabicyclo(3.3.1)nonane), 디이소부틸알루미늄 수화물(diisobutylaluminium hydride) 및/또는 알루미늄 수화물(aluminum hydride) 중 적어도 하나를 포함하는 기체에 노출시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    노출층을 생성하도록 피페리딘에 상기 층을 노출시키는 단계; 및
    그 후 상기 노출층을 9-보라비시클로(3.3.1)노네인에 노출시키는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 방법은,
    제1 노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 층을 노출시키는 단계 - 상기 제2 기체는 아민을 포함함 -;
    제2 노출층을 생성하도록 제1 비활성 기체에 상기 제1 노출층을 노출시키는 단계;
    제3 노출층을 생성하도록 상기 제1 기체에 상기 제2 노출층을 노출시키는 단계; 및
    제2 비활성 기체에 상기 제3 노출층을 노출시키는 단계
    를 더 포함하는, 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 층을 상기 기체에 노출시킨 후에, 상기 층을 섭씨 150도 내지 섭씨 300도의 범위의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 방법은,
    가열된 층을 생성하도록 섭씨 80도 내지 섭씨 150도의 범위의 온도로 상기 층을 가열하는 단계;
    제1 노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 가열된 층을 노출시키는 단계 - 상기 제2 기체는 아민을 포함함 -;
    제2 노출층을 생성하도록 제1 비활성 기체에 상기 제1 노출층을 노출시키는 단계;
    제3 노출층을 생성하도록 상기 제1 기체에 상기 제2 노출층을 노출시키는 단계;
    제4 노출층을 생성하도록 제2 비활성 기체에 상기 제3 노출층을 노출시키는 단계; 및
    상기 제4 노출층을 섭씨 150도 내지 섭씨 300도의 범위의 온도로 가열하는 단계
    를 더 포함하는, 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 방법은,
    가열된 층을 생성하도록 섭씨 80도 내지 섭씨 150도의 범위의 온도로 상기 층을 가열하는 단계;
    제1 노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 가열된 층을 노출시키는 단계 - 상기 제2 기체는 아민을 포함함 -;
    제2 노출층을 생성하도록 제1 비활성 기체에 상기 제1 노출층을 노출시키는 단계;
    제3 노출층을 생성하도록 상기 제1 기체에 상기 제2 노출층을 노출시키는 단계 - 상기 제1 기체는 알레인 또는 보레인을 포함함 -;
    제4 노출층을 생성하도록 제2 비활성 기체에 상기 제3 노출층을 노출시키는 단계; 및
    상기 제4 노출층을 섭씨 150도 내지 섭씨 300도의 범위의 온도로 가열하는 단계
    를 더 포함하는, 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 방법은,
    가열된 층을 생성하도록 섭씨 80도 내지 섭씨 150도의 범위의 온도로 상기 층을 가열하는 단계;
    제1 노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 가열된 층을 노출시키는 단계 - 상기 제2 기체는 아민을 포함함 -;
    제2 노출층을 생성하도록 제1 비활성 기체에 상기 제1 노출층을 노출시키는 단계;
    제3 노출층을 생성하도록 상기 제1 기체에 상기 제2 노출층을 노출시키는 단계 - 상기 제1 기체는 다이보레인, 9-보라비시클로(3.3.1)노네인, 디이소부틸알루미늄 수화물 및/또는 알루미늄 수화물 중 적어도 하나를 포함함 -;
    제4 노출층을 생성하도록 제2 비활성 기체에 상기 제3 노출층을 노출시키는 단계; 및
    상기 제4 노출층을 섭씨 150도 내지 섭씨 300도의 범위의 온도로 가열하는 단계
    를 더 포함하는, 방법.
  13. 제1항의 방법을 구현하기 위한 시스템으로서,
    층을 수용하도록 구성되는 챔버 - 상기 층은 상기 그래핀 내에 결함을 포함함 -; 및
    상기 챔버와 통신하도록 구성되는 컨테이너
    를 포함하고,
    상기 챔버 및 상기 컨테이너는 상기 층을 기체에 노출시키도록 구성되고, 상기 기체는 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및/또는 탈륨(Tl) 중 적어도 하나와 수소를 포함하며,
    상기 기체에 대한 상기 층의 노출은 상기 결함을 변경하기 위한, 시스템.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 챔버 및 상기 컨테이너는 상기 층을 상기 기체에 노출시키도록 구성되고, 상기 기체는 보레인 및/또는 알레인을 포함하는, 시스템.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 챔버 및 상기 컨테이너는,
    노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 층을 노출시키고 - 상기 제2 기체는 아민을 포함함 -,
    상기 노출층을 상기 제1 기체에 노출시키도록
    구성되는, 시스템.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 챔버 및 상기 컨테이너는,
    노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 층을 노출시키고 - 상기 제2 기체는 아민을 포함함 -,
    상기 노출층을 상기 제1 기체에 노출시키도록 - 상기 제1 기체는 보레인 또는 알레인을 포함함 -
    구성되는, 시스템.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 챔버 및 상기 컨테이너는,
    노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 층을 노출시키고 - 상기 제2 기체는 피롤리딘, 피페리딘 또는 디에틸아민 중 적어도 하나를 포함함 -,
    상기 노출층을 상기 제1 기체에 노출시키도록 - 상기 제1 기체는 보레인 또는 알레인을 포함함 -
    구성되는, 시스템.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 챔버 및 상기 컨테이너는 상기 층을 상기 기체에 노출시키도록 구성되고, 상기 기체는 다이보레인, 9-보라비시클로(3.3.1)노네인, 디이소부틸알루미늄 수화물 및/또는 알루미늄 수화물 중 적어도 하나를 포함하는, 시스템.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 챔버 및 상기 컨테이너는,
    노출층을 생성하도록 피페리딘에 상기 층을 노출시키고,
    상기 노출층을 9-보라비시클로(3.3.1)노네인에 노출시키도록
    구성되는, 시스템.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 챔버 및 상기 컨테이너는,
    제1 노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 층을 노출시키고 - 상기 제2 기체는 아민을 포함함 -,
    제2 노출층을 생성하도록 제1 비활성 기체에 상기 제1 노출층을 노출시키고,
    제3 노출층을 생성하도록 상기 제1 기체에 상기 제2 노출층을 노출시키며,
    제4 노출층을 생성하도록 제2 비활성 기체에 상기 제3 노출층을 노출시키도록
    구성되는, 시스템.
  21. 제13항에 있어서,
    상기 챔버와 통신하는 히터를 더 포함하고, 상기 히터는 상기 층을 섭씨 150도 내지 섭씨 300도의 범위의 온도로 가열하기 위한, 시스템.
  22. 제13항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 시스템은 상기 챔버와 통신하는 히터를 더 포함하고, 상기 히터는 가열된 층을 생성하도록 섭씨 80도 내지 섭씨 150도의 범위의 온도로 상기 층을 가열하며,
    상기 챔버 및 상기 컨테이너는,
    제1 노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 가열된 층을 노출시키고 - 상기 제2 기체는 아민을 포함함 -,
    제2 노출층을 생성하도록 제1 비활성 기체에 상기 제1 노출층을 노출시키고,
    제3 노출층을 생성하도록 상기 제1 기체에 상기 제2 노출층을 노출시키고,
    제4 노출층을 생성하도록 제2 비활성 기체에 상기 제3 노출층을 노출시키도록 구성되며,
    상기 히터는 상기 제4 노출층을 섭씨 150도 내지 섭씨 300도의 범위의 온도로 가열하기 위한, 시스템.
  23. 제13항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 시스템은 상기 챔버와 통신하는 히터를 더 포함하고, 상기 히터는 가열된 층을 생성하도록 섭씨 80도 내지 섭씨 150도의 범위의 온도로 상기 층을 가열하며,
    상기 챔버 및 상기 컨테이너는,
    제1 노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 가열된 층을 노출시키고 - 상기 제2 기체는 아민을 포함함 -,
    제2 노출층을 생성하도록 제1 비활성 기체에 상기 제1 노출층을 노출시키고,
    제3 노출층을 생성하도록 상기 제1 기체에 상기 제2 노출층을 노출시키고 - 상기 제1 기체는 알레인 또는 보레인을 포함함 -,
    제4 노출층을 생성하도록 제2 비활성 기체에 상기 제3 노출층을 노출시키도록 구성되며,
    상기 히터는 상기 제4 노출층을 섭씨 150도 내지 섭씨 300도의 범위의 온도로 가열하기 위한, 시스템.
  24. 제13항에 있어서,
    상기 기체는 제1 기체이고,
    상기 시스템은 상기 챔버와 통신하는 히터를 더 포함하고, 상기 히터는 가열된 층을 생성하도록 섭씨 80도 내지 섭씨 150도의 범위의 온도로 상기 층을 가열하며,
    상기 챔버 및 상기 컨테이너는,
    제1 노출층을 생성하도록 제2 기체에 상기 가열된 층을 노출시키고 - 상기 제2 기체는 아민을 포함함 -,
    제2 노출층을 생성하도록 제1 비활성 기체에 상기 제1 노출층을 노출시키고,
    제3 노출층을 생성하도록 상기 제1 기체에 상기 제2 노출층을 노출시키고 - 상기 제1 기체는 다이보레인, 9-보라비시클로(3.3.1)노네인, 디이소부틸알루미늄 수화물 및/또는 알루미늄 수화물 중 적어도 하나를 포함함 -,
    제4 노출층을 생성하도록 제2 비활성 기체에 상기 제3 노출층을 노출시키도록 구성되며,
    상기 히터는 상기 제4 노출층을 섭씨 150도 내지 섭씨 300도의 범위의 온도로 가열하도록 구성되는, 시스템.
  25. 제1항의 방법을 구현하기 위한 챔버로서,
    그래핀을 포함하는 층; 및
    붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및/또는 탈륨(Tl) 중 적어도 하나와 수소를 포함하는 기체
    를 포함하고,
    상기 기체에 대한 상기 층의 노출은 상기 결함 영역을 변경하기 위한, 챔버.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 기체는 보레인 또는 알레인을 포함하는, 챔버.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 기체는 다이보레인, 9-보라비시클로(3.3.1)노네인, 디이소부틸알루미늄 수화물 및/또는 알루미늄 수화물 중 적어도 하나를 포함하는, 챔버.
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