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Querverweis auf verwandte Anmeldungen
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Die vorliegende Anmeldung ist mit den folgenden Anmeldungen verwandt:
PCT-Patentanmeldung Nr. PCT/US2011/xxxxx (Aktenzeichen des Bevallmächtigten: 1574-0041) mit dem Titel „GRAPHENE DEFECT DETECTION” (Erfinder: Seth Miller) vom TAG, MONAT, JAHR, die gleichzeitig anhängig ist; und
- a. Gemäß den erweiterten USPTO-Anforderungen beansprucht die vorliegende Anmeldung den Vorteil der Priorität der vorläufigen US-Patentanmeldung Nr. 60/xxx,xxx mit dem Titel TITEL (Erfinder: NAME DES ERFINDERS) vom TAG, MONAT, JAHR, die innerhalb von zwölf Monaten vor dem Einreichungsdatum der vorliegenden Anmeldung eingereicht wurde oder eine Anmeldung ist, bei der eine gleichzeitig anhängige Anmeldung Anspruch auf den Vorteil des Einreichungsdatums hat.
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Gemäß den erweiterten USPTO-Anforderungen beansprucht die vorliegende Anmeldung den Vorteil der Priorität der LAND-Patentanmeldung Nr. x,xxx,xxx mit dem Titel TITEL (Erfinder: NAME DES ERFINDERS) vom TAG, MONAT, JAHR, die innerhalb von zwölf Monaten vor dem Einreichungsdatum der vorliegenden Anmeldung eingereicht wurde oder eine Anmeldung ist, bei der eine gleichzeitig anhängige Anmeldung Anspruch auf den Vorteil des Einreichungsdatums hat.
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PCT/US2011/xxxxx (Aktenzeichen des Bevollmächtigten: 1574-0042) mit dem Titel „ALTERATION OF GRAPHENE DEFECTS” (Erfinder: Seth Miller und Thomas Yager) vom TAG, MONAT, JAHR, die gleichzeitig anhängig ist.
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Hintergrund
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Soweit nicht anders angegeben, stellen die in diesem Abschnitt beschriebenen Materialien keinen Stand der Technik für die Ansprüche in dieser Anmeldung dar und werden durch die Aufnahme in diesem Abschnitt nicht als Stand der Technik zugelassen.
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Graphen ist ein Material, das allgemein eine ein Atom dicke Schicht aus gebundenen Kohlenstoffatomen enthalten kann. Graphen kann durch das Wachsen von Kohlenstoffatomen auf einem anderen Material wie etwa Kupfer erhalten werden. Das Kupfer kann in ein Quarzrohr eingeführt, erhitzt und geglüht werden. Dann kann ein Fluss einer Gasmischung aus CH4 und H2 durch das Rohr vorgesehen werden, wobei das Kupfer durch das fließende H2 gekühlt werden kann, um das Graphen zu bilden.
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Zusammenfassung
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In einigen Beispielen wird ein Verfahren zum wenigstens teilweisen Umbilden eines Defektbereichs in einer Schicht auf einem Substrat allgemein beschrieben. In einigen Beispielen kann das Verfahren das Aufnehmen der Schicht umfassen, wobei die Schicht wenigstens etwas Graphen und wenigstens einige Defektbereiche in dem Graphen enthalten kann. Das Verfahren kann weiterhin das Aussetzen der Schicht an ein Gas umfassen, wobei durch das Aussetzen der Schicht an das Gas der Defektbereich wenigstens teilweise umgebildet werden kann. Das Gas kann Wasserstoff sowie Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga), Indium (In) und/oder Thallium (Tl) enthalten.
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In einigen Beispielen wird ein System zum Umbilden eines Defektbereichs in einer Schicht auf einem Substrat allgemein beschrieben, In einigen Beispielen kann das System eine Kammer und einen in Verbindung mit der Kammer angeordneten Behälter umfassen. Die Kammer kann konfiguriert sein, um eine Schicht aufzunehmen, wobei die Schicht wenigstens einige Defektbereiche in dem Graphen enthalten kann. Die Kammer und der Behälter können konfiguriert sein, um die Schicht an ein Gas auszusetzen, wobei durch das Aussetzen der Schicht an das Gas der Defektbereich wenigstens teilweise umgebildet werden kann. Das Gas kann Wasserstoff sowie Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga), Indium (In) und/oder Thallium (Tl) enthalten.
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In einigen Beispielen wird eine Kammer zum wenigstens teilweisen Umbilden eines Defektbereichs in einer Schicht auf einem Substrat allgemein beschrieben. In einigen Beispielen enthält die Kammer eine Schicht, wobei die Schicht wenigstens etwas Graphen enthalten kann. Die Kammer kann weiterhin ein Gas enthalten, wobei durch das Aussetzen der Schicht an das Gas der Defekt wenigstens teilweise umgebildet werden kann. Das Gas kann Wasserstoff sowie Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga), Indium (In) und/oder Thallium (Tl) enthalten.
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Die vorstehende Zusammenfassung ist lediglich beispielhaft und in keiner Weise einschränkend aufzufassen. Zusätzlich zu den vorstehend genannten Aspekten, Ausführungsformen und Merkmalen werden weitere Aspekte, Ausführungsformen und Merkmale durch die folgende ausführliche Beschreibung und mit Bezug auf die Zeichnungen verdeutlicht.
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Kurzbeschreibung der Figuren
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Die vorstehend genannten sowie andere Merkmale der Erfindung werden durch die folgende Beschreibung und die folgenden Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen verdeutlicht. Die Zeichnungen zeigen lediglich einige Ausführungsformen gemäß der Erfindung und schränken den Erfindungsumfang nicht ein. Die Erfindung wird durch die beigefügten Zeichnungen lediglich näher veranschaulicht.
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1 zeigt ein beispielhaftes System, das verwendet werden kann, um eine Graphendefekt-Umbildung zu implementieren.
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2 ist ein Flussdiagramm zu einem beispielhaften Prozess zum Implementieren einer Graphendefekt-Umbildung.
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3 zeigt ein Computerprogrammprodukt, das verwendet werden kann, um eine Graphendefekt-Umbildung zu implementieren.
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4 ist ein Blockdiagram, das eine beispielhafte Recheneinrichtung zeigt, die angeordnet ist, um eine Graphendefekt-Umbildung zu implementieren.
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Die in den Figuren gezeigten Anordnungen entsprechen wenigstens einigen der hier beschriebenen Ausführungsformen.
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Ausführliche Beschreibung
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In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Bestandteil der Beschreibung sind. In den Zeichnungen werden jeweils gleiche Bezugszeichen verwendet, um einander entsprechende Komponenten anzugeben, sofern dies nicht eigens anders angegeben ist. Die hier beispielhaft beschriebenen Ausführungsformen sind nicht einschränkend aufzufassen. Es können auch andere Ausführungsformen verwendet werden und es können Änderungen an den hier beschriebenen Ausführungsformen vorgenommen werden, ohne dass deshalb der Erfindungsumfang verlassen wird. Es sollte deutlich sein, dass die hier beschriebenen und in den Zeichnungen gezeigten Aspekte der Erfindung auch auf verschiedene Weise anders angeordnet, ersetzt, kombiniert, geteilt oder ausgebildet werden können.
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Die Beschreibung nimmt unter anderen allgemein auf Systeme, Verfahren, Materialien und Vorrichtungen für die Graphendefekt-Umbildung Bezug.
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Kurz gesagt, werden allgemein Techniken für ein Verfahren und ein System beschrieben, die konfiguriert sind, um einen Defektbereich in einer Graphen enthaltenden Schicht auf einem Substrat umzubilden. Ein beispielhaftes Verfahren kann das Aufnehmen und Erhitzen der Schicht zum Erzeugen einer erhitzten Schicht und das Aussetzen der erhitzten Schicht an ein erstes Gas zum Erzeugen einer ersten ausgesetzten Schicht umfassen, wobei das erste Gas ein Amin enthalten kann. Das Verfahren kann weiterhin das Aussetzen der ersten ausgesetzten Schicht an ein erstes Inertgas zum Erzeugen einer zweiten ausgesetzten Schicht und das Aussetzen der zweiten ausgesetzten Schicht an ein zweites Gas zum Erzeugen einer dritten ausgesetzten Schicht umfassen, wobei das zweite Gas ein Alan oder ein Boran enthalten kann. Durch das Aussetzen der zweiten ausgesetzten Schicht an das zweite Gas kann der Defektbereich wenigstens teilweise umgebildet werden.
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Wenn in der vorliegenden Beschreibung oder in den Ansprüchen Verbindungen, Materialien oder Substanzen genannt werden, die zu einer Gruppe von in ihrem Aufbau, ihrer Zusammensetzung und/oder Funktion miteinander verwandten Verbindungen, Materialien oder Substanzen gehören, können jeweils auch andere Vertreter aus der Gruppe oder auch beliebige Kombinationen derselben verwendet werden.
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1 zeigt ein beispielhaftes System, das verwendet werden kann, um eine Graphendefekt-Umbildung gemäß wenigstens einigen der hier beschriebenen Ausführungsformen zu implementieren. Ein beispielhaftes Graphendefekt-Umbildungssystem 100 kann eine oder mehrere Kammern 112, eine oder mehrere Behälter 118, 126, 128, einen oder mehrere Heizer 174 und/oder eine oder mehrere Pumpen 170 enthalten. Wenigstens einige der Elemente des Defektumbildungssystems 100 können über eine Kommunikationsverbindung 186 mit einem Prozessor 184 verbunden sein. In einigen Beispielen kann der Prozessor 184 mit einem Speicher 188 verbunden sein, in dem Befehle 180 enthalten sein können. Der Prozessor 184 kann konfiguriert sein, um etwa unter Verwendung von Befehlen 180 wenigstens einige der im Folgenden beschriebenen Operationen/Betätigungen/Funktionen zu steuern.
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Während eines Graphenbildungsprozesses können Defekte oder Defektbereiche auf einer Graphen 106 enthaltenden Schicht 102 verursacht werden. Derartige Defekte können aus Verunreinigungen in dem Graphenbildungsprozess resultieren. Zum Beispiel können chemische Oxidationsdefekte wie etwa Epoxide, Carbonsäurefunktionen, Alkohole und/oder Ketone auf dem Graphen 106 gebildet werden, wodurch in einigen Anwendungen die Nutzung des Graphens beeinträchtigt werden kann. Zum Beispiel können die elektrische Leitfähigkeit, die chemische Trägheit oder die mechanischen Eigenschaften des Graphens durch das Vorhandensein der Defekte vermindert werden. In einem Beispiel kann wie bei dem Bezugszeichen 136 gezeigt eine Graphen 106 enthaltende Schicht 102 auf einem Substrat 104 Defektbereiche 108 und/oder 110 enthalten. Wie weiter unten im Detail erläutert, kann die Schicht 102 einem Gruppe IIIA-Hydridmaterial in der Gasphase ausgesetzt werden, um die Defekte 108 und/oder 110 wenigstens teilweise umzubilden.
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Wie an dem Bezugszeichen 138 gezeigt, kann die Schicht 102 manuell oder maschinell in einer Kammer 112 platziert werden. Die Schicht 102 kann auf einem Substrat 104 platziert werden. Die Kammer 112 kann Öffnungen 114, 116 umfassen und kann mit einer Pumpe 170 etwa über ein Ventil 192, mit einem Heizer 174 und/oder mit Behältern 118, 126 und/oder 128 etwa über ein Ventil 190 verbunden sein. Die Kammer 112 kann eine spezielle Kammer wie etwa eine chemische Gasphasenabscheidungskammer oder eine molekulare Gasphasenabscheidungskammer sein, wobei es sich zum Beispiel um eine MVD 100E-Kammer handeln kann. Der Behälter 118 kann zusammen mit der Pumpe 170 konfiguriert sein (durch eine Steuereinrichtung wie etwa den Prozessor 184 gesteuert werden), um die Schicht 102 einem Gas 102 auszusetzen. Das Gas 120 kann ein Amin wie etwa Pyrrolidin, Piperidin, Diethylamin usw. enthalten. In einem Beispiel kann die Schicht 102 einem Gas 120 mit einem Druck im Bereich von ungefähr 1 mTorr bis ungefähr 1 Atmosphäre (z. B. 0,1 Atmosphären) bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 35 Grad Celsius bis ungefähr 150 Grad Celsius für eine Zeitperiode von ungefähr 30 Sekunden bis ungefähr 10 Minuten ausgesetzt werden. Wie bei dem Bezugszeichen 140 gezeigt, kann nach dem Aussetzen der Schicht 102 an das Gas 120 der Behälter 126 zusammen mit der Pumpe 170 konfiguriert sein, um das Gas 120 wenigstens teilweise aus der Kammer 112 zu entfernen. Zum Beispiel können diese Elemente gesteuert werden, um ein Vakuum in der Kammer 112 herzustellen, wobei dann ein Gas 122 durch die Öffnung 116 in die Kammer 112 gepumpt wird, um das Gas 120 aus der Kammer 114 zu drücken. Zum Beispiel kann das Gas 122 ein Inertgas wie etwa Helium, Neon, Stickstoff, Argon, Krypton, Xenon, Radon usw. enthalten.
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Wie bei dem Bezugszeichen 142 gezeigt, kann der Behälter 128 zusammen mit der Pumpe 170 konfiguriert sein, um die Schicht 102 einem Gas 124 auszusetzen, wobei durch das Aussetzen der Defektbereiche an das Gas die Defektbereiche zu Graphen ähnlicheren Verbindungen umgebildet werden können, indem etwa die Anzahl der Kohlenstoffatome in den Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindungen erhöht wird und umgebildete Defektbereiche 146, 148 erzeugt werden. Die Pumpe 170 kann konfiguriert sein, um einen Druck in der Kammer 112 zu erzeugen (oder zu steuern), der kleiner als eine Atmosphäre sein kann und zum Beispiel im Bereich von ungefähr 1 mTorr bis ungefähr 1 Atmosphäre liegen kann (z. B. 0,1 Atmosphären). Der Heizer 174 kann konfiguriert sein (z. B. durch eine Steuereinrichtung wie etwa den Prozessor 184 gesteuert werden), um die Kammer 112 auf eine Temperatur im Bereich von ungefähr 80 Grad Celsius bis ungefähr 250 Grad Celsius zu erhitzen. Das Gas 124 kann Wasserstoff und ein aus der Spalte IIIA des Periodensystems der chemischen Elemente gewähltes Material wie etwa Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga), Indium (In) und/oder Thallium (Tl) enthalten. Zum Beispiel kann das Gas 124 ein Boran (B-H) oder ein Alan (A-H) wie etwa ein Diboran (B2H6), Diisobutylaluminiumhydrid („DIBALH”), 9-Borabicyclo(3.3.1)nonan („9-BBN”) und/oder Aluminiumhydrid (AlH3) enthalten. Das Einwirken eines Boran- oder Alangases auf die Defektbereiche 108, 110 kann eine Reduktion von Keton-, Carbonsäure-, Alkohol- und/oder Epoxiddefekten in dem Graphen 106 der Schicht 102 ermöglichen. Durch das Hinzufügen des Gases 124 zu der Kammer 112 kann der Druck in der Kammer 112 auf ungefähr 0,1 Atmosphären erhöht werden.
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Wie an dem Bezugszeichen 144 gezeigt, können nach dem Einwirken des Gases 124 der Behälter 126 und die Pumpe 170 derart konfiguriert sein, dass sie unter der Steuerung einer Steuereinrichtung wie etwa des Prozessors 184 das Gas 124 wenigstens teilweise aus der Kammer 112 entfernen. Zum Beispiel können diese Elemente gesteuert werden, um ein Vakuum in der Kammer 112 herzustellen und dann ein Gas 122 durch die Öffnung 116 in die Kammer 112 zu pumpen, um das Gas 120 aus der Kammer 114 zu drücken. Während der Einwirkung des Gases 122 an dem Bezugszeichen 144 kann der Heizer 174 konfiguriert sein (z. B. über eine Steuereinrichtung wie etwa den Prozessor 184), um die Kammer 112 effektiv auf eine Temperatur im Bereich von ungefähr 150 Grad Celsius bis ungefähr 300 Grad Celsius mit einem Druck im Bereich von ungefähr 1 mTorr bis ungefähr 1 Atmosphäre für eine Zeitperiode von ungefähr 1 Minute bis ungefähr 15 Minuten zu erhitzen. In einem Beispiel kann die Einwirkung des Gases 122 und/oder der Hitze des Heizers 174 effektiv sein, um ein nach den Prozessen von 138 und/oder 142 auf der Schicht 102 zurückgebliebenes Amin und/oder Boran zu entfernen.
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In einem Beispiel kann wie an dem Bezugszeichen 138 gezeigt der Heizer 174 (z. B. über eine Steuereinrichtung wie etwa den Prozessor 184) konfiguriert sein, um die Schicht 102 auf eine Temperatur in einem Bereich von ungefähr 80 Grad Celsius bis ungefähr 150 Grad Celsius zu erhitzen, um Wasser in der Schicht 102 zu reduzieren. Die Pumpe 170 kann konfiguriert sein, um ein Vakuum in der Kammer 112 herzustellen, zum Beispiel mit einem Druck im Bereich von 1 mTorr bis ungefähr 1 Atmosphäre wie etwa 0,1 Atmosphären. Der Behälter 118 kann effektiv sein, um ein Amingas 120 wie etwa Piperidin bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 15 Grad Celsius bis ungefähr 25 Grad Celsius zu speichern. Der Behälter 128 kann effektiv sein, um ein Borangas 124 wie etwa 9-BBN bei einer Temperatur in einem Bereich von ungefähr 80 Grad Celsius bis ungefähr 100 Grad Celsius und mit einem Druck im Bereich von 1 mTorr bis ungefähr 1 Atmosphäre wie etwa 0,1 Atmosphären zu speichern. Der Behälter 118 kann konfiguriert sein, um ein Piperidingas 120 auf die Schicht 102 für eine Zeitperiode von ungefähr 30 Sekunden bis ungefähr 5 Minuten einwirken zu lassen.
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An dem Bezugszeichen 140 kann der Behälter 126 konfiguriert sein (z. B. über eine Steuereinrichtung wie etwa den Prozessor 184), um das Gas 120 wenigstens teilweise aus der Kammer 112 zu entfernen. Zum Beispiel können diese Elemente gesteuert werden, um ein Vakuum in der Kammer 112 herzustellen und dann ein Gas 122 wie etwa Stickstoff durch die Öffnung 116 in die Kammer 112 zu pumpen, um das Gas 120 aus der Kammer 114 für eine Zeitperiode von ungefähr 30 Sekunden bis ungefähr 3 Minuten zu drücken. In einem Beispiel können diese Elemente mit einem Druck in einem Bereich von ungefähr 1 mTorr bis ungefähr 1 Atmosphäre wie etwa bei 0,1 Atmosphären und bei einer Temperatur im einem Bereich von ungefähr 35 Grad Celsius bis ungefähr 150 Grad Celsius betrieben werden. Bei dem Bezugszeichen 142 kann der Behälter 128 konfiguriert sein, um ein Borangas 124 auf die Schicht 102 für eine Zeitperiode in einem Bereich von ungefähr 2 Minuten bis ungefähr 10 Minuten einwirken zu lassen. Bei dem Bezugszeichen 144 kann der Behälter 126 konfiguriert sein, um ein Gas 122 auf die Schicht 102 für eine Zeitperiode im Bereich von ungefähr 30 Sekunden bis ungefähr 3 Minuten einwirken zu lassen. Der Heizer 174 kann konfiguriert sein, um die Kammer 112 auf eine Temperatur im Bereich von ungefähr 150 Grad Celsius bis ungefähr 300 Grad Celsius zu erhitzen.
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In einem Beispiel, in dem die Defektbereiche 108, 110 Carbonsäurefunktionen enthalten, können diese Säuren unter Verwendung eines DIBALH-Gases zu Aldehyden oder unter Verwendung von 9-BBN oder DIBALH zu Alkoholen reduziert werden. Alkohole können mit Borhydriden reagieren, um Boratester zu erzeugen, die wiederum bei einer Erhitzung Alkene bilden können. In Beispielen, in denen die Defektbereiche 108, 110 Ketone enthalten, kann eine Reaktion des Ketons mit einem Amin wie etwa Pyrrolidin ein Enamin bilden. Die Reaktion des Enamins mit 9-BBN kann ein Amin-Bor-Addukt erzeugen. Das Addukt kann dann durch die Anwendung von Hitze entfernt werden, um ein gewünschtes Alken zu erzeugen. In einem Beispiel, in dem die Defektbereiche 108, 110 Epoxide enthalten, kann ein Boran an das Epoxid ausgesetzt werden, um ein Boratester zu erzeugen. Das Boratester kann wiederum gespalten werden, um eine Doppelbindung in Reaktion auf die Anwendung von Hitze zu bilden.
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Neben anderen möglichen Vorteilen kann ein gemäß der Erfindung angeordnetes System verwendet werden, um Defektbereiche in einer Schicht auf einem Substrat wenigstens teilweise umzubilden. Defektbereiche in der Schicht können auch umgebildet werden, nachdem das Graphen von einer Position, an der das Graphen gewachsen ist, übertragen wurde. Graphen kann in Anwendungen verwendet werden, die empfindlich gegenüber Leerräumen oder Rissen sind, zum Beispiel wenn da Graphen in einer Lithographie für Anzeigen, mikroelektronische Schaltungen, elektronische Verbindungen und optische Anwendungen verwendet wird. Ein gemäß der vorliegenden Erfindung angeordnetes System kann ohne toxische und/oder entzündliche Materialien implementiert werden. Weil ein Gas verwendet werden kann, können weniger Verunreinigungen auf eine Schicht einwirken, als wenn eine Flüssigkeit oder ein Lösungsmittel verwendet werden. Weil die hier beschriebenen Prozesse bei relativ niedrigen Temperaturen unter 300 Grad Celsius stattfinden können, ist die Gefahr einer Beschädigung der Graphenschicht durch eine Kohlenstoffleerstelle geringer. Die beschriebenen Gase mit den Boranen und Alanen können verwendet werden, um einen Defektbereich in dem Graphen umzubilden, wobei die Gase auch eine Reaktion mit einem Substrat etwa aus SiO2 vermeiden können.
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2 ist ein Flussdiagramm, das einen beispielhaften Prozess 200 zum Umbilden eines Defektbereichs gemäß wenigstens einigen hier beschriebenen Ausführungsformen zeigt. Der Prozess von 2 kann zum Beispiel unter Verwendung des oben erläuterten Systems 100 implementiert werden, wobei der Prozessor 184 ausgebildet sein kann, um unter Verwendung von Befehlen die verschiedenen Verarbeitungsoperationen über Schnittstellen wie mit Bezug auf 2 näher erläutert zu steuern. Ein beispielhafter Prozess kann eine oder mehrere Operationen, Aktionen oder Funktionen umfassen, die durch einen oder mehrere Blöcke S2, S4, S6, S8, S10, S12 und/oder S14 wiedergegeben werden. Es werden hier diskrete Blöcke gezeigt, wobei die Blöcke jedoch auch in eine größere Anzahl von Blöcken geteilt, zu einer kleineren Anzahl von Blöcken vereinigt oder auch teilweise weggelassen werden können, je nach der gewünschten Implementierung.
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Der Prozess 200 kann in Block S2 („Aufnehmen der Schicht, wobei die Schicht wenigstens etwas Graphen und wenigstens einige Defektbereiche in dem Graphen enthalten kann”) beginnen. In Block S2 kann eine Kammer konfiguriert sein, um eine Schicht mit wenigstens etwas Graphen und wenigstens einigen Defektberiechen in dem Graphen aufzunehmen.
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Die Verarbeitung kann von Block S2 zu Block S4 („Erhitzen der Schicht, um eine erhitzte Schicht zu erzeugen”) fortschreiten. In Block S4 kann die Kammer konfiguriert sein, um etwa durch den Heizer 174 unter der Steuerung einer Steuereinrichtung wie etwa des Prozessors 184 die Schicht zu heizen. Zum Beispiel kann die Schicht auf eine Temperatur im Bereich von ungefähr 80 Grad Celsius bis ungefähr 150 Grad Celsius erhitzt werden.
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Die Verarbeitung kann von Block S4 zu Block S6 („Aussetzen der erhitzten Schicht an ein erstes Gas, um eine erste ausgesetzte Schicht zu erzeugen”) fortschreiten. In Block S6 kann die Kammer zusammen mit Ventilen und einem das erste Gas enthaltenden Behälter konfiguriert sein, um unter der Steuerung einer Steuereinrichtung wie etwa des Prozessors 184 die erhitzte Schicht an ein erstes Gas auszusetzen. In einem Beispiel kann das erste Gas ein Amin enthalten. In einem Beispiel kann das erste Gas Pyrrolidin, Piperidin und/oder Diethylamin enthalten.
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Die Verarbeitung kann von Block S6 zu Block S8 („Aussetzen der ersten ausgesetzten Schicht an ein erstes Inertgas, um eine zweite ausgesetzte Schicht zu erzeugen”) fortschreiten. In Block S8 kann die Kammer zusammen mit Ventilen und einem das Inertgas enthaltenden Behälter konfiguriert sein, um unter der Steuerung einer Steuereinrichtung wie etwa des Prozessors 184 die erste ausgesetzte Schicht an ein erstes Inertgas auszusetzen.
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Die Verarbeitung kann von Block S8 zu Block S10 („Aussetzen der zweiten ausgesetzten Schicht an ein zweites Gas, um eine dritte ausgesetzte Schicht zu erzeugen”) fortschreiten. In Block S10 kann die Kammer zusammen mit Ventilen und einem das zweite Gas enthaltenden Behälter konfiguriert sein, um unter der Steuerung einer Steuereinrichtung wie etwa des Prozessors 184 die zweite ausgesetzte Schicht an ein zweites Gas auszusetzen. Zum Beispiel kann das zweite Gas ein Boran, ein Alan, ein Diboran, 9-Borabicyclo(3.3.1)nonan, Diisobutylaluminiumhydrid oder Aluminiumhydrid enthalten.
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Die Verarbeitung kann von Block S10 zu Block S12 („Aussetzen der dritten ausgesetzten Schicht an ein zweites Inertgas, um eine vierte ausgesetzte Schicht zu erzeugen”) fortschreiten. In Block S12 kann die Kammer mit Ventilen und einem das zweite Inertgas enthaltenden Behälter konfiguriert sein, um unter der Steuerung einer Steuereinrichtung wie etwa des Prozessors 184 die dritte ausgesetzte Schicht an ein zweites Inertgas auszusetzen, um eine vierte ausgesetzte Schicht zu erzeugen.
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Die Verarbeitung kann von Block S12 zu Block S14 („Erhitzen der vierten ausgesetzten Schicht”) fortschreiten. In Block S14 kann die Kammer konfiguriert sein, um durch den Heizer 174 unter der Steuerung einer Steuereinrichtung wie etwa des Prozessors 184 die vierte ausgesetzte Schicht zu erhitzen. In einem Beispiel kann die Kammer konfiguriert sein, um die vierte ausgesetzte Schicht auf eine Temperatur im Bereich von ungefähr 150 Grad Celsius bis ungefähr 300 Grad Celsius zu erhitzen.
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3 zeigt ein Computerprogrammprodukt, das verwendet werden kann, um eine Graphendefekt-Umbildung gemäß wenigstens einigen hier beschriebenen Ausführungsformen zu implementieren. Das Programmprodukt 300 kann ein Signalträgermedium 302 umfassen. Das Signalträgermedium 302 kann einen oder mehrere Befehle 304 enthalten, die bei einer Ausführung durch zum Beispiel einen Prozessor die oben mit Bezug auf 1–2 beschriebenen Funktionen vorsehen. So kann zum Beispiel in dem System 100 der Prozessor 184 einen oder mehrere der Blöcke von 3 in Reaktion auf Befehle 304 ausführen, die durch das Medium 302 zu dem System 100 geführt werden.
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In einigen Implementierungen kann das Signalträgermedium 302 ein computerlesbares Medium 306 wie etwa ein Festplattenlaufwerk, eine CD, eine DVD, ein Digitalband, einen Speicher usw. umfassen. In einigen Implementierungen kann das Signalträgermedium 302 ein beschreibbares Medium 308 wie etwa eine R/W-CD, eine R/W-DVD usw. sein. In einigen Implementierungen kann das Signalträgermedium 302 ein Kommunikationsmedium 310 wie etwa ein digitales und/oder analoges Kommunikationsmedium (z. B. ein Glasfaserkabel, ein Wellenleiter, eine verdrahtete Kommunikationsverbindung, eine drahtlose Kommunikationsverbindung usw.) umfassen. So kann das Programmprodukt 300 zum Beispiel zu einem oder mehreren Modulen des Systems 100 über ein Hochfrequenz-Signalträgermedium 302 geführt werden, wobei das Signalträgermedium 302 durch ein drahtloses Kommunikationsmedium 310 (z. B. ein drahtloses Kommunikationsmedium gemäß dem IEEE 802.11-Standard) geführt wird.
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4 ist ein Blockdiagramm, die eine beispielhafte Recheneinrichtung zeigt, die angeordnet ist, um eine Graphendefekt-Umbildung gemäß wenigstens einigen der hier beschriebenen Ausführungsformen zu implementieren. In einer Grundkonfiguration 402 enthält die Recheneinrichtung 400 gewöhnlich einen oder mehrere Prozessoren 404 und einen Systemspeicher 406. Ein Speicherbus 408 kann für die Kommunikation zwischen dem Prozessor 404 und dem Systemspeicher 406 verwendet werden.
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Je nach der gewünschten Konfiguration kann der Prozessor 404 von einem bestimmten Typ sein, wobei es sich etwa um einen Mikroprozessor (μP), einen Mikrocontroller (μC), einen Digitalsignalprozessor (DSP) oder eine Kombination aus denselben handeln kann. Der Prozessor 404 kann eine oder mehrere Cacheebenen wie etwa einen Level-1-Cache 410 und einen Leve1-2-Cache 412, einen Prozessorkern 414 und Register 416 umfassen. Ein beispielhafter Prozessorkern 414 kann eine Arithmetisch-logische Einheit (ALU), eine Gleitkommaeinheit (FPU), einen Digitalsignalprozessorkern (DSP-Kern) oder eine Kombination aus denselben enthalten. Ein beispielhafter Speicher-Controller 418 kann in Verbindung mit dem Prozessor 404 verwendet werden, wobei in einigen Implementierungen der die Speicher-Controller 418 in dem Prozessor 404 integriert sein kann.
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Je nach der gewünschten Konfiguration kann der Systemspeicher 406 von einem beliebigen Typ sein, wobei es sich etwa um einen flüchtigen Speicher (wie etwa einen RAM), einen nicht-flüchtigen Speicher (wie etwa einen ROM, einen Flash-Speicher usw.) oder eine Kombination aus denselben handeln kann. Der Systemspeicher 406 kann ein Betriebssystem 420, eine oder mehrere Anwendungen 422 und Programmdaten 424 speichern. Die Anwendung 422 kann einen Graphendefekt-Umbildungsalgorithmus enthalten, der vorgesehen ist, um die verschiedenen hier beschriebenen Funktionen/Aktionen/Operationen einschließlich von wenigstens den mit Bezug auf das System 100 von 1–3 beschriebenen auszuführen. Die Programmdaten 424 können Graphendefekt-Umbildungsdaten 428 enthalten, die nützlich sein können, um eine Graphendefekt-Umbildung wie hier beschrieben zu implementieren. In einigen Ausführungsformen kann die Anordnung 422 angeordnet sein, um mit Programmdaten 424 auf dem Betriebssystem 420 zu operieren, sodass die Graphendefekt-Umbildung vorgesehen werden kann. Die Grundkonfiguration 402 umfasst in 4 die durch die innere Strichlinie umgebenden Komponenten.
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Die Recheneinrichtung 400 kann weitere Merkmale oder Funktionen sowie zusätzliche Schnittstellen für Kommunikationen zwischen der Grundkonfiguration 402 und erforderlichen Einrichtungen und Schnittstellen aufweisen. Zum Beispiel kann ein Bus-/Schnittstellen-Controller 430 verwendet werden, um Kommunikationen zwischen der Grundkonfiguration 402 und einer oder mehreren Datenspeichereinrichtungen 432 über einen Speicherschnittstellenbus 434 vorzusehen. Die Datenspeichereinrichtungen 432 können entfernbare Speichereinrichtungen 436, nicht-entfernbare Speichereinrichtungen 438 oder eine Kombination aus denselben sein. Beispiele für entfernbare und nicht-entfernbare Speichereinrichtungen sind Magnetplattenlaufwerke wie etwa Diskettenlaufwerke und Festplattenlaufwerke, Optikplattenlaufwerke wie etwa CD-Laufwerke oder DVD-Laufwerke, Festkörperlaufwerke und Bandlaufwerke. Beispielhafte Computerspeichermedien können flüchtige und nicht-flüchtige, entfernbare und nicht-entfernbare Medien umfassen, die durch ein beliebiges Verfahren oder eine beliebige Technik für die Informationsspeicherung wie etwa durch computerlesbare Befehle, Datenstrukturen, Programmmodule oder andere Daten implementiert werden können.
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Der Systemspeicher 406, die entfernbaren Speichereinrichtungen 436 und die nicht-entfernbaren Speichereinrichtungen 438 sind Beispiele für Computerspeichermedien. Computerspeichermedien können RAMs, ROMs, EEPROMs, Flash-Speicher oder andere Speicher, CD-ROMs, DVDs oder andere optische Speicher, Magnetkassetten, Magnetbänder, Magnetplattenspeicher oder andere Magnetspeichereinrichtungen oder beliebige andere Medien sein, die verwendet werden können, um die gewünschten Informationen zu speichern, und auf die die Recheneinrichtung 400 zugreifen kann. Derartige Computerspeichermedien können Teil der Recheneinrichtung 400 sein.
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Die Recheneinrichtung 400 kann auch einen Schnittstellenbus 440 zum Vorsehen einer Kommunikation von verschiedenen Schnittstelleneinrichtungen (z. B. Ausgabeeinrichtungen 442, Peripherieschnittstellen 444 und Kommunikationseinrichtungen 446) zu der Grundkonfiguration 402 über den Bus-/Schnittstellen-Controller 430 enthalten. Beispielhafte Ausgabeeinrichtungen 442 sind eine Grafikverarbeitungseinheit 448 und eine Audioverarbeitungseinheit 450, die konfiguriert sein können, um mit verschiedenen externen Geräten wie etwa einem Bildschirm oder Lautsprechern über einen oder mehrere A/V-Ports 452 zu kommunizieren. Beispielhafte Peripherieschnittstellen sind ein Seriellschnittstellen-Controller 454 oder ein Parallelschnittstellen-Controller 456, die konfiguriert sein können, um mit externen Einrichtungen wie etwa Eingabeeinrichtungen (z. B. einer Tastatur, einer Maus, einem Eingabestift, einer Spracheingabeeinrichtung, einer Berührungseingabeeinrichtung usw.) oder Peripheriegeräten (z. B. einem Drucker, einem Scanner usw.) über einen oder mehrere E/A-Ports 458 zu kommunizieren. Eine beispielhafte Kommunikationseinrichtung 446 enthält einen Netzwerk-Controller 460, der angeordnet sein kann, um eine Kommunikation mit einem oder mehreren anderen Recheneinrichtungen 462 über eine Netzwerk-Kommunikationsverbindung und einen oder mehrere Kommunikationsports 464 vorzusehen.
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Die Netzwerkkommunikationsverbindung kann ein Beispiel für ein Kommunikationsmedium sein. Kommunikationsmedien können gewöhnlich durch computerlesbare Befehle, Datenstrukturen, Programmmodule oder andere Daten in einem modulierten Datensignal wie etwa einer Trägerwelle oder einem anderen Transportmechanismus verkörpert werden und können beliebige Informationsübertragungsmedien enthalten. Ein „moduliertes Datensignal” kann ein Signal sein, in dem eine oder mehrere Eigenschaften derart gesetzt sind, dass Informationen in dem Signal codiert sind. Zum Beispiel können die Kommunikationsmedien verdrahtete Medien wie etwa ein Drahtnetzwerk oder eine verdrahtete Direktverbindung und drahtlose Medien wie etwa akustische, Hochfrequenz-, Mikrowellen-, Infrarot- und andere drahtlose Medien umfassen. Unter computerlesbaren Medien sind hier sowohl Speichermedien als auch Kommunikationsmedien zu verstehen.
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Die Recheneinrichtung 400 kann als ein Teil eines kleinen, tragbaren (mobilen) elektronischen Geräts wie etwa eines Mobiltelefons, eines PDA, eines persönlichen Medienwiedergabegeräts, einer drahtlosen Interneteinrichtung, eines persönlichen Headsets, einer anwendungsspezifischen Einrichtung oder einer hybriden Einrichtung, die beliebige der weiter oben genannten Funktionen ausführen kann, vorgesehen sein. Die Recheneinrichtung 400 kann auch als ein PC wie etwa ein Laptop-Computer oder ein nicht-Laptop-Computer implementiert sein.
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Die Erfindung ist nicht auf die hier beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, die lediglich beispielhaft für die verschiedenen Aspekte sind. Es können verschiedene Modifikationen und Variationen an den beschriebenen Ausführungsformen vorgenommen werden, ohne dass deshalb der Erfindungsumfang verlassen wird. Funktionell äquivalente Verfahren und Vorrichtungen können innerhalb des Erfindungsumfangs zusätzlich zu den hier beschriebenen durch den Fachmann auf der Grundlage der vorstehenden Lehren realisiert werden. Derartige Modifikationen und Variationen fallen in den durch die folgenden Ansprüche definierten Erfindungsumfang. Die Erfindung wird ausschließlich durch die folgenden Ansprüche definiert. Es ist zu beachten, dass die Erfindung nicht auf bestimmte Verfahren, Reagenzien, Verbindungen oder biologische Systeme beschränkt ist. Außerdem ist zu beachten, dass die hier verwendete Terminologie nur bestimmte Ausführungsformen beschreibt und nicht einschränkend zu verstehen ist.
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Was die Verwendung der Singular- und/oder Pluralformen von Einheiten in der vorliegenden Beschreibung betrifft, sollte dem Fachmann deutlich sein, dass in verschiedenen Kontexten und/oder Anwendungen zwischen den Singular- und Pluralformen gewechselt werden kann. Gelegentlich wird auch ausdrücklich auf den möglichen Wechsel zwischen den Singular- und Pluralformen aufmerksam gemacht.
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Dem Fachmann sollte deutlich sein, dass die hier verwendete Terminologie insbesondere in den angehängten Ansprüchen allgemein in einem weiten Sinne zu interpretieren ist (z. B. ist die Formulierung „enthält” allgemein als „enthält, aber ist nicht beschränkt auf” zu interpretieren und ist die Formulierung „aufweist” als „weist wenigstens auf” zu interpretieren, usw). Weiterhin sollte der Fachmann beachten, dass in den Ansprüchen nur dann von einer bestimmten Anzahl von Elementen auszugehen ist, wenn diese ausdrücklich angegeben ist. Wenn keine Mengenangaben gemacht werden, ist die Menge der Elemente nicht näher eingeschränkt. Zum Beispiel können in den beigefügten Ansprüchen die Formulierungen „wenigstens ein” oder „ein oder mehr” verwendet werden. Das bedeutet aber nicht, dass bei der Verwendung von unbestimmten Artikeln an anderen Stellen nur von einer einzelnen Einheit auszugehen ist (d. h. auch die Verwendung des unbestimmten Artikels ist als „wenigstens ein” oder „ein oder mehr” zu interpretieren). Dasselbe gilt für bestimmte Artikel. Und auch wenn eine bestimmte Anzahl genannt wird, sollte dem Fachmann deutlich sein, dass diese Anzahl als Mindestanzahl zu interpretieren ist (wenn also von „zwei” Einheiten gesprochen wird, ist dies als „mindestens zwei” Einheiten oder „zwei oder mehr” Einheiten zu interpretieren). Und wenn die Formulierung „A, B und/oder C” gewählt ist, ist dies der allgemeinen Konvention folgend derart zu interpretieren, dass zum Beispiel „ein System mit A, B und/oder C” jeweils ein System mit nur A, mit nur B, mit nur C, mit A und B, mit A und C, mit B und C oder mit A, B und C sein kann. Weiterhin sollte der Fachmann beachten, dass bei einer Nebeneinanderstellung von zwei alternativen Einheiten in der Beschreibung, in den Ansprüchen und in den Zeichnungen jeweils davon auszugehen ist, dass entweder nur eine der Einheiten oder beide Einheiten vorgesehen sein können. So ist die Phrase „A oder B” derart zu verstehen, dass nur A, nur B oder aber A und B vorgesehen sein können.
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Wenn Merkmale oder Aspekte der Erfindung mit Bezug auf Markush-Gruppen beschrieben werden, sollte dem Fachmann deutlich sein, dass die Erfindung jeweils durch eine einzelnes Mitglied oder eine Teilgruppe aus verschiedenen Mitgliedern der Markush-Gruppe realisiert werden kann.
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Weiterhin sollte dem Fachmann deutlich sein, dass alle in der Beschreibung angegebenen Bereiche auch alle möglichen Teilbereiche und Kombinationen von Teilbereichen umfassen. Ein genannter Bereich kann einfach in wenigstens gleiche Hälften, Drittel, Viertel, Fünftel, Zehntel usw. unterteilt werden. Zum Beispiel kann ein genannter Bereich in ein unteres Drittel, ein mittleres Drittel und ein oberes Drittel usw. unterteilt werden. Weiterhin sollte der Fachmann beachten, dass Angaben wie „bis”, „wenigstens”, „größer als”, „kleiner als” usw. auch die genannte Zahl umfassen und Bereiche angeben, die anschließend wie zuvor genannt in Teilbereiche unterteilt werden können. Und schließlich sollte dem Fachmann deutlich sein, dass ein Bereich einzelne Mitglieder umfasst. So ist zum Beispiel unter einer Gruppe mit 1–3 Zellen eine Gruppe mit 1, 2 oder 3 Zellen zu verstehen. Entsprechend ist unter einer Gruppe mit 1–5 Zellen eine Gruppe mit 1, 2, 3, 4 oder 5 Zellen zu verstehen usw.
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Es wurden hier verschiedene Aspekte und Ausführungsformen beschrieben, wobei andere Aspekte und Ausführungsformen durch den Fachmann realisiert werden können. Die hier beschriebenen Aspekte und Ausführungsformen sollen die Erfindung veranschaulichen, schränken aber den durch die folgenden Ansprüche definierten Erfindungsumfang nicht ein.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- IEEE 802.11-Standard [0038]
