JP5919882B2 - コバルト化合物の混合物、及び当該コバルト化合物の混合物を用いたコバルト含有薄膜の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、新規なコバルト化合物の混合物及び当該コバルト化合物の混合物を用いて、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；以下、ＣＶＤ法と称する）により、成膜対象物上にコバルト含有薄膜を製造する方法に関する。当該コバルト化合物の混合物は、例えば、コバルト含有薄膜製造用材料、触媒、医薬や農薬等の製造原料として有用な化合物である

近年、半導体や電子部品等の分野の材料として、コバルト含有薄膜に関しても多くの研究・開発がなされている。これまでに提案されてきた薄膜製造用コバルト化合物としては、例えば、ビス（アセチルアセトナト）コバルト（例えば、非特許文献１参照）、ビス（ジピバロイルメタナト）コバルト（例えば、非特許文献４参照）、オクタカルボニルジコバルト（例えば、非特許文献２及び特許文献１参照）コバルトシクロペンタジエニルジカルボニル（例えば、非特許文献３及び特許文献２参照）やビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）コバルト（例えば、特許文献３参照）、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジナト）コバルト（例えば、特許文献４、特許文献５及び非特許文献５参照）、ビス（Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ’−エチルプロピオンアミジナト）コバルト（例えば、特許文献６及び非特許文献６参照）が開示されている。

米国特許出願公開第２００５／０１３０４１７号 米国特許出願公開第２００６／０１５７８６３号 国際公開第２００８／１１１４９９号パンフレット 国際公開第２００４／０４６４１７号パンフレット 国際公開第２００９／０８８５２２号パンフレット 特表２０１０−５２４２６４号公報

Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．３６，７０５（１９９７） Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，ｖｏｌ．４８５，９５（２００５） Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．４６，１７３（１９９７） Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ｖｏｌ．１３，５８８（２００１） Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，ｖｏｌ．１５７，Ｄ１０−Ｄ１５（２０１０） Ｄａｌｔｏｎ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ，２００８，２５９２−２５９７

しかしながら、従来のコバルト化合物は、蒸気圧、熱安定性、反応性等の物性がコバルト含有薄膜の製造において必ずしも最適ではなく、コバルト含有薄膜を製造するための十分なコバルト化合物とは言い難かった。そのため、蒸気圧、熱安定性、反応性等のいずれの物性をも満足させるコバルト化合物が求められていた。

本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、簡便な方法によって、成膜対象物上にコバルト含有薄膜を製造する、工業的に好適なコバルト化合物の混合物及び当該コバルト化合物の混合物を用いるコバルト含有薄膜の製造方法を提供するものである。

本発明の課題は、一般式（１ａａ）、（１ｂｂ）及び（１ａｂ）からなるコバルト化合物の混合物によって解決される。

本発明の課題は、更に、コバルト化合物の混合物をコバルト供給源として用いた化学気相蒸着法によるコバルト含有薄膜の製造方法によっても解決される。

本発明により、ＣＶＤ法によるコバルト含有薄膜の製造に適したコバルト化合物の混合物を提供することができるとともに、当該コバルト化合物の混合物を用いたコバルト含有薄膜の製造方法を提供することができる。

本発明のコバルト化合物の混合物を用いてコバルト含有薄膜を製造する蒸着装置の構成を示す図である。

本発明のコバルト化合物の混合物は、アルキルアルカリ金属化合物（２）とジアミン化合物の混合物（（３ａ）及び（３ｂ）の混合物）とを反応させて（アミドアミノアルカン）アルキル金属化合物の混合物（（４ａ）及び（４ｂ）の混合物）を得（以下、反応（Ａ）と称することもある）、次いで、これにジハロゲノコバルト化合物（５）を反応させる（以下、反応（Ｂ）と称することもあることよって合成される。なお、反応（Ａ）と反応（Ｂ）を合わせて本発明の反応と称する。

（反応（Ａ）；（アミドアミノ置換アルカン）アルカリ金属化合物の混合物（４ａ）及び（４ｂ）の混合物）の合成）
本発明の反応（Ａ）において使用するアルキルアルカリ金属化合物は、前記の一般式（２）において示される。その一般式（２）において、Ｒ^４は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−デシル基等の炭素原子数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、Ｍはリチウム原子、ナトリウム原子又はカリウム原子等のアルカリ金属を示す。なお、これらのアルキルアルカリ金属化合物は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。

前記アルキルアルカリ金属化合物としては、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウムが好適に使用される。

本発明の反応（Ａ）において使用するジアミン化合物の混合物は、１−ｔ−ブチルアミノ−２−ジメチルアミノブタン（３ａ）及び２−ｔ−ブチルアミノ−１−ジメチルアミノブタン（３ｂ）の混合物であり、その混合比は、（３ａ）１モルに対して、好ましくは０．０１〜９９．９９モルであり、この範囲とすることで、反応収率が良好となる。

本発明の反応（Ａ）において使用するジアミン化合物の混合物は、市販品又は公知の方法等を組み合わせることにより製造することができる。

前記ジアミン化合物の混合物の使用量は、アルキルアルカリ金属化合物１モルに対して、合計量として、好ましくは１．５〜３．０モル、更に好ましくは１．８〜２．２モルである。

本発明の反応（Ａ）は、有機溶媒中で行うことが望ましく、使用される有機溶媒としては反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類；ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはエーテル類、脂肪族炭化水素類、エーテル類と脂肪族炭化水素類との混合溶媒が使用される。なお、これらの有機溶媒は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。

前記有機溶媒の使用量は、アルキルアルカリ金属化合物１ｇに対して、好ましくは１〜１００ｇ、更に好ましくは１〜１０ｇである。

本発明の反応（Ａ）は、例えば、ジアミン化合物の混合物及び有機溶媒を混合したものを攪拌しながら、アルキルアルカリ金属化合物の有機溶媒溶液を加えて反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは−７８〜１２０℃、更に好ましくは−２０〜６０℃であり、反応圧力は特に制限されない。

（反応（Ｂ）；コバルト化合物の混合物（（１ａａ）、（１ｂｂ）及び（１ａｂ）の混合物）の合成）
本発明の反応（Ｂ）において使用するジハロゲノコバルト化合物は、前記の一般式（５）において示される。その一般式（５）において、Ｘは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子を示す。

前記ジハロゲノコバルト化合物としては、塩化コバルト（ＩＩ）、臭化コバルト（ＩＩ）、ヨウ化コバルト（ＩＩ）が好適に使用される。

前記ジハロゲノコバルト化合物の使用量は、（アミドアミノ置換アルカン）アルカリ金属化合物１モルに対して、好ましくは０．２５〜０．７５モル、更に好ましくは０．４〜０．６モルである。

本発明の反応（Ｂ）は、有機溶媒中で行うことが望ましく、使用される有機溶媒としては反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類；ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはエーテル類、脂肪族炭化水素類、エーテル類と脂肪族炭化水素類との混合溶媒が使用される。なお、これらの有機溶媒は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。

前記有機溶媒の使用量は、（アミドアミノ置換アルカン）アルカリ金属化合物１ｇに対して、好ましくは１〜１００ｇ、更に好ましくは１〜１０ｇである。

本発明の反応（Ｂ）は、例えば、ジハロゲノコバルト化合物及び有機溶媒を混合したものを攪拌しながら、反応（Ａ）で得られた（アミドアミノ置換アルカン）アルカリ金属化合物の有機溶媒溶液を加えて反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは−７８〜１２０℃、更に好ましくは−２０〜６０℃であり、反応圧力は特に制限されない。

本発明の反応（Ｂ）により目的物であるコバルト化合物の混合物が得られるが、反応終了後、例えば、抽出、濾過、濃縮、蒸留、昇華、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の公知の方法によって単離・精製される。

本発明における反応（Ａ）と反応（Ｂ）を行うに際して、例えば、同じ溶媒を用いる等して、反応（Ａ）の結果として得られる（アミドアミノ置換アルカン）アルカリ金属化合物（（４ａ）及び（４ｂ）の混合物）を単離・精製することなく連続的に合成することもできる。

なお、目的物であるコバルト化合物の混合物、その出発原料であるアルキルアルカリ金属化合物及び合成中間体である（アミドアミノ置換アルカン）アルキル金属化合物は、大気中の水分や酸素に対して不安定な場合が多いため、無水条件下や不活性ガス雰囲気下にて、反応操作や反応液の後処理等を行うことが望ましい。又、出発原料や溶媒等は、使用する前に予め脱水や乾燥させておくことが望ましい。

成膜対象物上へのコバルト含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法やＡＬＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、コバルト化合物の混合物の蒸気を水素源（例えば、水素、アンモニア等の還元性ガス）、窒素源（例えば、窒素、アンモニア等）又は酸素源（例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス；水；メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類）を、単独又は複数のガスを混合したガスと共に、加熱した成膜対象物上に送り込んでコバルト含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス（気化した液体も含む）は不活性ガス等で希釈されていても良い。又、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法でコバルト含有薄膜を蒸着させることも出来る。

ＣＶＤ法においては、薄膜形成のためにコバルト化合物の混合物を気化させる必要があるが、本発明で使用するコバルト化合物の混合物を気化させる方法としては、例えば、コバルト化合物の混合物自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、コバルト化合物の混合物を適当な溶媒（例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類；グライム、ジグライム、トリグライム、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げられる。）に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法（溶液法）も使用出来る。

本発明のビス（アミドアミノ置換アルカン）コバルト化合物を用いてコバルト含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、ビス（アミドアミノ置換アルカン）コバルト化合物を気化させる温度は、好ましくは０〜２５０℃、更に好ましくは３０〜２００℃である。

なお、コバルト含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源（例えば、酸化性ガス、水蒸気又はアルコール蒸気、もしくはこれらの混合ガス）、窒素源（例えば、窒素ガス、アンモニアガスもしくはこれらの混合ガス）又は還元性ガス（例えば、水素ガス又はアンモニアガス、もしくはこれらの混合ガス）の含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。

次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。

参考例１（1−ジメチルアミノブタン−２−オールの合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積２００ｍｌのフラスコに、１，２−ブチレンオキシド２０．８ｇ（２８８ｍｍｏｌ）、５０％ジメチルアミン水溶液３１ｇ（３４５ｍｍｏｌ）及び水１００ｍｌを加えた後、攪拌しながら室温下で１５時間反応させた。反応終了後、反応混合物をジエチルエーテル３００ｍｌで分液抽出し、ジエチルエーテル層を減圧下で濃縮して、1−ジメチルアミノブタン−２−オール２７．２ｇを得た（単離収率；８０％）。
なお、1−ジメチルアミノブタン−２−オールの物性値は以下の通りであった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；０．９７（３Ｈ，ｔ），１．３６〜１．５２（２Ｈ、ｍ），２．１７（２Ｈ、ｄ），２．２６（６Ｈ、ｓ）、３．５６（１Ｈ、ｂｒｓ）、３．５２〜３．６０（１Ｈ、ｍ）

参考例２（1−ジメチルアミノブタン−２−クロライド塩酸塩の合成）
攪拌装置、滴下漏斗、温度計を備えた内容積２００ｍｌのフラスコに、1−ジメチルアミノブタン−２−オール３３．０ｇ（２８１ｍｍｏｌ）及び塩化メチレン１００ｍｌを加え、次いで、混合液を０℃に保ちながら、塩化チオニル３７．０（３１０ｍｍｏl）をゆるやかに滴下した。滴下後、混合液を０℃で３０分間攪拌した後、攪拌しながら２０℃にて１５時間反応させた。反応終了後、反応混合物を減圧下で濃縮した後、得られた白色の塩をジエチルエーテル３００mＬで洗浄した後に乾燥させ、1−ジメチルアミノブタン−２−クロライド塩酸塩４１．４ｇを得た（単離収率；８５％）。
なお、1−ジメチルアミノブタン−２−クロライド塩酸塩の物性値は以下の通りであった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；１．０６（３Ｈ、ｔ）、１．７８（１Ｈ、ｑｄ）、１．８９（１Ｈ、ｑｄ），２．９７（６Ｈ、ｓ）、３．５０（２Ｈ、ｄ）、４．３５（１Ｈ、ｔｔ)

参考例３（１−ｔ−ブチルアミノ−２−ジメチルアミノブタン及び２−ｔ−ブチルアミノ−１−ジメチルアミノブタン混合物の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積３００ｍｌのフラスコに、２−（ジメチルアミノ）ブタンクロリド塩酸塩２５．０ｇ（１５８ｍｍｏｌ）、ｔ−ブチルアミン６９．４ｇ（９４９ｍｍｏｌ）及び水３ｍｌを加えた後、攪拌しながら６０℃で１０時間反応させた。反応終了後、反応混合物をヘキサン２００ｍｌで分液し、有機層を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（１２０℃、１２ｋＰａ）して、１−ｔ−ブチルアミノ−２−ジメチルアミノブタン及び２−ｔ−ブチルアミノ−１−ジメチルアミノブタン混合物（混合比９：１）１９．２ｇを得た（単離収率；７７％）。
なお、１−ｔ−ブチルアミノ−２−ジメチルアミノブタン及び２−ｔ−ブチルアミノ−１−ジメチルアミノブタン混合物は以下の物性値に示される新規の化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；０．８５（３Ｈ，ｔ，ｆｏｒ ｍｉｎｏｒ ｉｓｏｍｅｒ），０．９０（３Ｈ，ｔ，ｆｏｒ ｍａｊｏｒ ｉｓｏｍｅｒ），１．１１（ｅａｃｈ ９Ｈ，ｅａｃｈ ｓ），１．５０（ｅａｃｈ １Ｈ，ｂｒｓ），１．６１（ｅａｃｈ ２Ｈ，ｅａｃｈ ｍ），２．１９（６Ｈ，ｓ，ｆｏｒ ｍｉｎｏｒ ｉｓｏｍｅｒ），２．２１（６Ｈ，ｓ，ｆｏｒ ｍａｊｏｒ ｉｓｏｍｅｒ），２．４２（ｅａｃｈ ２Ｈ，ｍ），２．５４（ｅａｃｈ １Ｈ，ｍ）

参考例４（１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）リチウム及び２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）リチウム混合物の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積５０ｍｌのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、参考例３で得られた１−ｔ−ブチルアミノ−２−ジメチルアミノブタン及び２−ｔ−ブチルアミノ−１−ジメチルアミノブタンの混合物（混合比９：１）３．１５ｇ（１９．９ｍｍｏｌ）及びヘキサン１５ｍｌを加えた。次いで、混合液を０℃に保ちながら、１．６５ｍｏｌ／ｌのｎ−ブチルリチウムのへキサン溶液１０ｍｌ（１６．５ｍｍｏl）をゆるやかに滴下した。滴下後、混合液を０℃で３０分間攪拌した後、攪拌しながら２０℃にて２時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を真空下で乾燥させて、１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）リチウム及び２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）リチウムの混合物を得た。
なお、１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）リチウム及び２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）リチウム混合物は、そのまま次の反応へ用いた。

実施例１（ビス（１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルト、ビス（２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルト及び（１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）（２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルトの混合物の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、無水塩化コバルト（ＩＩ）１．０７ｇ（８．２５ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン２０ｍｌを加え、２時間攪拌させた。次いで、参考例４で得られた１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）リチウム及び２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）リチウムの混合物のテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌを、液温を０℃に保ちながらゆるやかに滴下した後、攪拌しながら２０℃で６時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物にヘキサン１００ｍｌを加えて攪拌させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、濃縮物を減圧下で蒸留（１３０℃、１３．３Ｐａ）させて、暗褐色液体として、ビス（１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルト、ビス（２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルト及び（１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）（２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルト混合物２．６０ｇを得た（単離収率；７９％）。
なお、ビス（１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルト、ビス（２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルト及び（１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）（２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルトの混合物は、以下の物性値で示される新規な化合物である。

暗褐色液体（２０℃）
誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）分析によるコバルト含有量；１３．５質量％
（計算値；１４．７質量％）

実施例２及び比較例１（蒸着実験；コバルト含有薄膜の製造）
本発明のコバルト化合物の混合物を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。なお、蒸着条件及び膜特性は以下の通りである。

実施例２
（蒸着条件）
コバルト化合物；実施例１で得られた化合物
（ビス（１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルト、ビス（２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルト及び（１−ｔ−ブチルアミド−２−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）（２−ｔ−ブチルアミド−１−ジメチルアミノブタン−Ｎ，Ｎ’）コバルト（混合物）
気化温度；９０℃
Ｈｅキャリアー流量；３０ｓｃｃｍ
アンモニア流量；１０ｓｃｃｍ
基板材料；ＳｉＯ_２／Ｓｉウェハー
基板温度；２００℃
反応系内圧力；０．６７ｋＰａ
蒸着時間；５分

（膜特性（ＳＥＭ及びＸＰＳ−ｄｅｐｔｈ測定））
膜厚；２００ｎｍ
ＸＰＳ分析；コバルト膜
炭素含有率；検出されず
窒素含有率；検出されず

比較例１
（蒸着条件）
コバルト化合物；ビス（Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ’−エチルプロピオンアミジナト）コバルト（特許文献６記載の化合物）
気化温度；９０℃
Ｈｅキャリアー流量；１０ｓｃｃｍ
アンモニア流量；１０ｓｃｃｍ
基板材料；ＳｉＯ_２／Ｓｉウェハー
基板温度；２００℃
反応系内圧力；０．６７ｋＰａ
蒸着時間；５分

（膜特性（ＳＥＭ及びＸＰＳ−ｄｅｐｔｈ測定））
膜厚；４０ｎｍ
ＸＰＳ分析；コバルト膜
炭素含有率；３％（炭素原子換算）
窒素含有率；７％（窒素原子換算）

以上の結果から、本発明のコバルト化合物の混合物は、短時間でコバルト含有薄膜を製造することができる（高い成膜レート）とともに、炭素や窒素等の不純物を含まない高品質のコバルト含有薄膜を製造する原料となり得ることが判明した。

本発明は、新規なコバルト化合物の混合物及び当該コバルト化合物の混合物を用いて、ＣＶＤ法により、成膜対象物上にコバルト含有薄膜を製造する方法に関する。コバルト化合物の混合物は、例えば、コバルト含有膜、重合用触媒、医薬や農薬等の製造原料として有用な化合物である。

３ 気化器
４ 反応器
１０Ｂ 気化器ヒータ
１０Ｃ 反応器ヒータ
２０ 原料コバルト化合物融液
２１ 基板

Claims (3)

1. 一般式（１ａａ）、（１ｂｂ）及び（１ａｂ）からなるコバルト化合物の混合物。
   
2. 一般式（２）
   
   （式中、Ｒは炭素原子数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、Ｍはアルカ
   リ金属原子を示す。）
   で示されるアルキルアルカリ金属化合物と、一般式（３ａ）及び（３ｂ）
   
   からなるジアミン化合物の混合物とを反応させて、一般式（４ａ）及び（４ｂ）
   
   で示される（アミドアミノアルカン）アルキル金属化合物の混合物を得、次いで、これに
   一般式（５）
   
   （式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）
   で示されるジハロゲノコバルト化合物を反応させる、請求項１記載のコバルト化合物の混
   合物の製造方法。
3. 請求項１に記載のコバルト化合物の混合物をコバルト供給源として用いた化学気相蒸着
   法によるコバルト含有薄膜の製造方法。