JP6065840B2 - トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物及び当該アルミニウム化合物を用いるアルミニウム含有薄膜の製造方法 - Google Patents
トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物及び当該アルミニウム化合物を用いるアルミニウム含有薄膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6065840B2 JP6065840B2 JP2013541850A JP2013541850A JP6065840B2 JP 6065840 B2 JP6065840 B2 JP 6065840B2 JP 2013541850 A JP2013541850 A JP 2013541850A JP 2013541850 A JP2013541850 A JP 2013541850A JP 6065840 B2 JP6065840 B2 JP 6065840B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- compound
- tris
- reaction
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 111
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 title claims description 105
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 59
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 title claims description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 9
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 19
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 claims description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 10
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 68
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 37
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 25
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 22
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 20
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 16
- 229940100198 alkylating agent Drugs 0.000 description 15
- 239000002168 alkylating agent Substances 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 15
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 12
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 12
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 10
- XHFGWHUWQXTGAT-UHFFFAOYSA-N n-methylpropan-2-amine Chemical compound CNC(C)C XHFGWHUWQXTGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 9
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 9
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 7
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 7
- SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N methoxycyclopentane Chemical compound COC1CCCC1 SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZQGJEUVBUVKZKS-UHFFFAOYSA-N n,2-dimethylpropan-2-amine Chemical compound CNC(C)(C)C ZQGJEUVBUVKZKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GBSWEJRAVNWKCB-UHFFFAOYSA-N C12=C(N=C(N=C2)N2CCNCC2)C(NC2=CC(=C(C=C2)OC2=CC=C3C(=C2)N=CN3C)C)=NC=N1 Chemical compound C12=C(N=C(N=C2)N2CCNCC2)C(NC2=CC(=C(C=C2)OC2=CC=C3C(=C2)N=CN3C)C)=NC=N1 GBSWEJRAVNWKCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 6
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl sulfate Chemical compound COS(=O)(=O)OC VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RIVIDPPYRINTTH-UHFFFAOYSA-N n-ethylpropan-2-amine Chemical compound CCNC(C)C RIVIDPPYRINTTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 5
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 5
- LJQGARKSJMMQBX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-propylpropan-2-amine Chemical compound CCCNC(C)(C)C LJQGARKSJMMQBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PYFSCIWXNSXGNS-UHFFFAOYSA-N N-methylbutan-2-amine Chemical compound CCC(C)NC PYFSCIWXNSXGNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N cycloheptane Chemical compound C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- KFYKZKISJBGVMR-UHFFFAOYSA-N n-ethylbutan-2-amine Chemical compound CCNC(C)CC KFYKZKISJBGVMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VLSTXUUYLIALPB-UHFFFAOYSA-N n-propan-2-ylpropan-1-amine Chemical compound CCCNC(C)C VLSTXUUYLIALPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QYNZYUUXSVZDJO-UHFFFAOYSA-N n-propylbutan-2-amine Chemical compound CCCNC(C)CC QYNZYUUXSVZDJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DITISPCJXGXRDG-UHFFFAOYSA-N N-bis[methyl(propan-2-yl)amino]alumanyl-N-methylpropan-2-amine Chemical compound CC([N-]C)C.[Al+3].CC(C)[N-]C.CC(C)[N-]C DITISPCJXGXRDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000008050 dialkyl sulfates Chemical class 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XQOIBQBPAXOVGP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-2-methylpropan-2-amine Chemical compound CCNC(C)(C)C XQOIBQBPAXOVGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- KFLSWDVYGSSZRX-UHFFFAOYSA-N n-tert-butyl-1-phenylmethanimine Chemical compound CC(C)(C)N=CC1=CC=CC=C1 KFLSWDVYGSSZRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OPWOLGWUQOXZSS-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-propylbutan-2-amine Chemical compound CCCNC(C)(C)CC OPWOLGWUQOXZSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQWJSCXXUCKZDT-UHFFFAOYSA-N N-bis[ethyl(propan-2-yl)amino]alumanyl-N-ethylpropan-2-amine Chemical compound [Al+3].C(C)[N-]C(C)C.C(C)[N-]C(C)C.C(C)[N-]C(C)C BQWJSCXXUCKZDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate(1-) Chemical compound COS([O-])(=O)=O JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- BUJFTKPQXSIZFX-UHFFFAOYSA-N n,2-dimethylbutan-2-amine Chemical compound CCC(C)(C)NC BUJFTKPQXSIZFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWZXRLJDNKCYOQ-UHFFFAOYSA-N n-butan-2-ylbutan-1-amine Chemical compound CCCCNC(C)CC MWZXRLJDNKCYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- MFGBPWSFVCIOQG-UHFFFAOYSA-N n-butyl-2-methylbutan-2-amine Chemical compound CCCCNC(C)(C)CC MFGBPWSFVCIOQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFNDIVLWLWFLGD-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-2-methylbutan-2-amine Chemical compound CCNC(C)(C)CC XFNDIVLWLWFLGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKRJGUKZYSEUOY-UHFFFAOYSA-N n-propan-2-ylbutan-1-amine Chemical compound CCCCNC(C)C OKRJGUKZYSEUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VACPZDQXUAOTFR-UHFFFAOYSA-N n-tert-butylbutan-1-amine Chemical compound CCCCNC(C)(C)C VACPZDQXUAOTFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 2,2,5,8-tetramethyl-3,4-dihydrochromen-6-ol Chemical compound C1CC(C)(C)OC2=C1C(C)=C(O)C=C2C MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVRKATYHWPCGPZ-UHFFFAOYSA-N 4-methyloxane Chemical compound CC1CCOCC1 OVRKATYHWPCGPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFLSWDVYGSSZRX-FMIVXFBMSA-N CC(C)(C)/N=C/c1ccccc1 Chemical compound CC(C)(C)/N=C/c1ccccc1 KFLSWDVYGSSZRX-FMIVXFBMSA-N 0.000 description 1
- MVECFARLYQAUNR-UHFFFAOYSA-N CCCC[Mg]CC Chemical compound CCCC[Mg]CC MVECFARLYQAUNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical compound C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003905 agrochemical Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005234 alkyl aluminium group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 125000000068 chlorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 229940125810 compound 20 Drugs 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- DENRZWYUOJLTMF-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfate Chemical compound CCOS(=O)(=O)OCC DENRZWYUOJLTMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940008406 diethyl sulfate Drugs 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- BLHLJVCOVBYQQS-UHFFFAOYSA-N ethyllithium Chemical compound [Li]CC BLHLJVCOVBYQQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000001207 fluorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N gtpl8555 Chemical compound OC(=O)C[C@H](N)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1CCC[C@@H]1C(=O)N[C@H](B1O[C@@]2(C)[C@H]3C[C@H](C3(C)C)C[C@H]2O1)CCC1=CC=C(F)C=C1 JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002641 lithium Chemical group 0.000 description 1
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 1
- UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methylpropane Chemical compound [Li+].C[C-](C)C UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N lithium;butane Chemical compound [Li+].CC[CH-]C WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJJBSBKRXUVBMX-UHFFFAOYSA-N magnesium;butane Chemical compound [Mg+2].CCC[CH2-].CCC[CH2-] KJJBSBKRXUVBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLPASUVGCQPFFO-UHFFFAOYSA-N magnesium;ethane Chemical compound [Mg+2].[CH2-]C.[CH2-]C DLPASUVGCQPFFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-N methyl sulfate Chemical class COS(O)(=O)=O JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVSDBMFJEQPWNO-UHFFFAOYSA-N methyllithium Chemical compound C[Li] DVSDBMFJEQPWNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- QKYWADPCTHTJHQ-UHFFFAOYSA-N n,2-dimethylpropan-1-amine Chemical compound CNCC(C)C QKYWADPCTHTJHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 125000004436 sodium atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
- C23C16/20—Deposition of aluminium only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/06—Aluminium compounds
- C07F5/069—Aluminium compounds without C-aluminium linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は新規なトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物、及び当該アルミニウム化合物を用いて、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；以下、ＣＶＤ法と称する）により、成膜対象物上にアルミニウム含有薄膜を製造する方法に関する。
従来、アルミニウム含有薄膜製造用のアルミニウム化合物としては、例えば、アルキルアルミニウム、水素化アルミニウム、アルミニウムアミド、アルミニウムアルコキシド、アルミニウムジケトナート等の様々な種類のアルミニウム化合物が検討されている（例えば、特許文献１〜３参照）。その中でも、トリメチルアルミニウムや水素化アルミニウム、その類縁化合物が主に使用されている。
しかしながら、従来のアルミニウム化合物は、蒸気圧、熱安定性、反応性等の物性がアルミニウム含有薄膜の製造において必ずしも最適ではなく、アルミニウム含有薄膜を製造するための十分なアルミニウム化合物とは言い難かった。また、最も採用されているトリメチルアルミニウムは自然発火性であるため非常に危険であり、取扱いが難しいという問題もある。そのため、蒸気圧、熱安定性、反応性、安全性等のいずれも満足させるアルミニウム化合物が求められていた。
本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、簡便な方法によって、成膜対象物上にアルミニウム含有薄膜を製造することができる、工業的に好適なアルミニウム化合物、及び当該アルミニウム化合物を用いるアルミニウム含有薄膜の製造方法を提供するものである。
本発明は以下の事項に関する。
１． 一般式（１）
で示されるトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物。
２． 一般式（２）
で示されるトリハロゲノアルミニウムと、一般式（３）
で示されるアルカリ金属（ジアルキルアミド）とを反応させることを特徴とする、上記一般式（１）で示されるトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物の製造方法。
３． 上記一般式（１）で示されるトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物をアルミニウム供給源として用いた化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）によるアルミニウム含有薄膜の製造方法。
本発明により、ＣＶＤ法による成膜に適した新規なトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を提供することができるとともに、当該アルミニウム化合物を用いたアルミニウム含有薄膜の製造方法を提供することができる。
＜本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物＞
本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物は、前記の一般式（１）で示される。
本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物は、前記の一般式（１）で示される。
その一般式（１）において、Ｒはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素原子数１〜６の直鎖状のアルキル基を示す。Ｒとしては、炭素原子数１〜４の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数１〜２の直鎖状のアルキル基（メチル基、エチル基）がより好ましい。
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は同一でも異なっていてもよく、それぞれ互いに独立に、水素原子、又はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等の炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。また、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は互いに結合して環を形成していても良く、形成される環としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましく、シクロプロピル基、シクロペンチル基が特に好ましい。但し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち２つ以上が同時に水素原子である場合を除く。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３としては、水素原子、又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましく、水素原子、又は炭素原子数１〜３の直鎖状又は分岐状のアルキル基がより好ましく、水素原子、又は炭素原子数１〜２のアルキル基（メチル基、エチル基）がより好ましく、水素原子、又はメチル基が特に好ましい。但し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも２つはアルキル基である。
なお、３つのジアルキルアミド配位子
本発明の好ましい態様としては、Ｒが炭素原子数１〜４の直鎖状のアルキル基、より好ましくは炭素原子数１〜２の直鎖状のアルキル基であり、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が水素原子、又は炭素原子数１〜３の直鎖状又は分岐状のアルキル基、より好ましくは水素原子、又は炭素原子数１〜２のアルキル基、特に好ましくは水素原子、又はメチル基である（但し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち２つ以上が同時に水素原子である場合を除く。）。
本発明のアルミニウム化合物としては、例えば、以下の式（６）〜（３７）で示される化合物が挙げられる。
＜本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物の製造方法＞
本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物の合成は、以下の（Ａ）又は（Ｂ）で示す方法（以下、本発明の反応と称することもある。）によって行うことができる。
本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物の合成は、以下の（Ａ）又は（Ｂ）で示す方法（以下、本発明の反応と称することもある。）によって行うことができる。
［方法（Ａ）］
本発明の方法（Ａ）は、ジアルキルアミンと、アルカリ金属またはアルカリ金属化合物とからアルカリ金属（ジアルキルアミド）（以下、ジアルキルアミド化合物と称することもある。）を合成し、このアルカリ金属（ジアルキルアミド）と、トリハロゲノアルミニウムとを反応させて、本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を合成する方法である。
本発明の方法（Ａ）は、ジアルキルアミンと、アルカリ金属またはアルカリ金属化合物とからアルカリ金属（ジアルキルアミド）（以下、ジアルキルアミド化合物と称することもある。）を合成し、このアルカリ金属（ジアルキルアミド）と、トリハロゲノアルミニウムとを反応させて、本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を合成する方法である。
本発明の反応（Ａ）において使用するジアルキルアミンは、前記の一般式（４）で示される。その一般式（４）において、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ、式（１）中のＲ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３に対応し、前記と同義である。
本発明の反応（Ａ）において使用するジアルキルアミンとしては、好ましくはメチルイソプロピルアミン、エチルイソプロピルアミン、ｎ−プロピルイソプロピルアミン、ｎ−ブチルイソプロピルアミン、メチル−ｔ−ブチルアミン、エチル−ｔ−ブチルアミン、ｎ−プロピル−ｔ−ブチルアミン、ｎ−ブチル−ｔ−ブチルアミン、メチル−ｓ−ブチルアミン、エチル−ｓ−ブチルアミン、ｎ−プロピル−ｓ−ブチルアミン、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルアミン、メチル−ｔ−アミルアミン、エチル−ｔ−アミルアミン、ｎ−プロピル−ｔ−アミルアミン、ｎ−ブチル−ｔ−アミルアミン等が用いられ、更に好適にはメチルイソプロピルアミン、エチルイソプロピルアミン、ｎ−プロピルイソプロピルアミン、メチル−ｔ−ブチルアミン、エチル−ｔ−ブチルアミン、ｎ−プロピル−ｔ−ブチルアミン、メチル−ｓ−ブチルアミン、エチル−ｓ−ブチルアミン、ｎ−プロピル−ｓ−ブチルアミンが用いられる。
本発明の反応（Ａ）において合成するアルカリ金属（ジアルキルアミド）は、前記の一般式（３）で示される。その一般式（３）において、Ａはリチウム原子、ナトリウム原子等のアルカリ金属原子を示す。
本発明の反応（Ａ）において使用するアルカリ金属またはアルカリ金属化合物としては、例えば、メチルリチウム、エチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、金属ナトリウム、水素化ナトリウム等が挙げられるが、好ましくはｎ−ブチルリチウムが使用される。
なお、アルカリ金属またはアルカリ金属化合物の代わりに、マグネシウムのようなアルカリ土類金属またはアルカリ土類金属化合物、例えば、ジエチルマグネシウム、エチルブチルマグネシウム、ジブチルマグネシウムなどを使用することもできる。
前記アルカリ金属またはアルカリ金属化合物の使用量は、ジアルキルアミン１モルに対して、好ましくは０．４〜１．４モル、更に好ましくは０．６〜１．２モルである。
本発明の反応（Ａ）では、ジアルキルアミンと、アルカリ金属またはアルカリ金属化合物とから前記の一般式（３）で示されるジアルキルアミド化合物を合成し、合成したジアルキルアミド化合物と、トリハロゲノアルミニウムとを反応させて、本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を合成する。
なお、アルカリ金属またはアルカリ金属化合物の代わりに、マグネシウムのようなアルカリ土類金属またはアルカリ土類金属化合物を使用してジアルキルアミド化合物（２つのジアルキルアミドが結合したアルカリ土類金属）を合成して反応させても良い。
本発明の反応（Ａ）において使用するトリハロゲノアルミニウムは、前記の一般式（２）で示される。その一般式（２）において、Ｘはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子を示すが、好ましくは塩素原子である。即ち、使用するトリハロゲノアルミニウムとしては、塩化アルミニウムが好ましい。
前記トリハロゲノアルミニウムの使用量は、ジアルキルアミド化合物１モルに対して、好ましくは０．１〜０．６モル、更に好ましくは０．１〜０．４モルである。
本発明の反応（Ａ）は、有機溶媒中で行うことが望ましい。使用される有機溶媒としては反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、４−メチルテトラヒドロピラン等のエーテル類；ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはエーテル類、脂肪族炭化水素類、エーテル類と脂肪族炭化水素類との混合溶媒が使用される。なお、これらの有機溶媒は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
前記有機溶媒の使用量は、トリハロゲノアルミニウム１ｇに対して、好ましくは１〜１００ｇ、更に好ましくは５〜５０ｇである。
本発明の反応（Ａ）は、例えば、ジアルキルアミン、アルカリ金属またはアルカリ金属化合物、及び有機溶媒を混合し、攪拌しながら反応させてジアルキルアミド化合物を合成し、次いでトリハロゲノアルミニウムを加えて、更に攪拌しながら反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは−１００〜１００℃、更に好ましくは−８０〜４０℃であり、反応圧力は特に制限されない。なお、ジアルキルアミド化合物は、トリハロゲノアルミニウムとの反応前に、一旦単離しても、上記のように単離せず、反応液をそのまま使用しても良く、又、適宜有機溶媒を変更、除去および／または追加しても良い。
［方法（Ｂ）］
方法（Ｂ）は、ジアルキルアミンと、水素化アルミニウム化合物またはアルキルアルミニウム化合物とを反応させて、トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を合成する方法である。
方法（Ｂ）は、ジアルキルアミンと、水素化アルミニウム化合物またはアルキルアルミニウム化合物とを反応させて、トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を合成する方法である。
本発明の反応（Ｂ）において使用する水素化アルミニウム化合物またはアルキルアルミニウム化合物は、前記の一般式（５）で示される。その一般式（５）において、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は水素原子、又は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−デシル基等の炭素原子数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は同一又は異なっていても良い。
本発明の反応（Ｂ）において使用する水素化アルミニウム化合物やアルキルアルミニウム化合物としては、市販品を使用することができ、又、公知の方法により金属アルミニウムから製造することができる。本発明の反応（Ｂ）においては、好適には水素化アルミニウム、水素化リチウムアルミニウム、水素化アルミニウムナトリウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム等が用いられる。
本発明の反応（Ｂ）において使用するジアルキルアミンは、前記の一般式（４）で示される。その一般式（４）において、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ、式（１）中のＲ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３に対応し、前記と同義である。
本発明の反応（Ｂ）において使用するジアルキルアミンとしては、好ましくはメチルイソプロピルアミン、エチルイソプロピルアミン、ｎ−プロピルイソプロピルアミン、ｎ−ブチルイソプロピルアミン、メチル−ｔ−ブチルアミン、エチル−ｔ−ブチルアミン、ｎ−プロピル−ｔ−ブチルアミン、ｎ−ブチル−ｔ−ブチルアミン、メチル−ｓ−ブチルアミン、エチル−ｓ−ブチルアミン、ｎ−プロピル−ｓ−ブチルアミン、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルアミン、メチル−ｔ−アミルアミン、エチル−ｔ−アミルアミン、ｎ−プロピル−ｔ−アミルアミン、ｎ−ブチル−ｔ−アミルアミン等が用いられ、更に好適にはメチルイソプロピルアミン、エチルイソプロピルアミン、ｎ−プロピルイソプロピルアミン、メチル−ｔ−ブチルアミン、エチル−ｔ−ブチルアミン、ｎ−プロピル−ｔ−ブチルアミン、メチル−ｓ−ブチルアミン、エチル−ｓ−ブチルアミン、ｎ−プロピル−ｓ−ブチルアミンが用いられる。
前記ジアルキルアミンの使用量は、水素化アルミニウム化合物またはアルキルアルミニウム化合物１モルに対して、好ましくは２．０〜１０．０モル、更に好ましくは２．５〜６．０モルである。
本発明の反応（Ｂ）は、有機溶媒中で行うことが望ましい。使用される有機溶媒としては反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類；ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはエーテル類、脂肪族炭化水素類、エーテル類と脂肪族炭化水素類との混合溶媒が使用される。なお、これらの有機溶媒は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
前記有機溶媒の使用量は、水素化アルミニウム化合物またはアルキルアルミニウム化合物１ｇに対して、好ましくは１〜１００ｇ、更に好ましくは１〜５０ｇである。
本発明の反応（Ｂ）は、例えば、ジアルキルアミン、水素化アルミニウム化合物またはアルキルアルミニウム化合物、及び有機溶媒を混合し、攪拌しながら反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは−１００〜１００℃、更に好ましくは−８０〜４０℃であり、反応圧力は特に制限されない。
本発明の反応（Ａ）又は（Ｂ）により目的物であるトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物が得られる。反応終了後、合成したトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物は、抽出、濾過、濃縮、蒸留、昇華、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の公知の方法によって単離・精製される。
なお、本発明の目的物であるトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物、及びその製造原料であるアルミニウム化合物は、大気中の水分や酸素に対して不安定な場合が多いため、無水条件下や不活性ガス条件下にて、反応操作や反応液の後処理等を行うことが望ましい。
＜本発明の配位子であるジアルキルアミン化合物の製造方法＞
本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物の配位子となる、一般式（４）
本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物の配位子となる、一般式（４）
で示される非対称ジアルキルアミン化合物は、例えば、以下の２つの工程
（Ａ）一般式（４−１）
で示されるアリールメチリデンアミン化合物と有機溶媒とを混合した後、混合液を７５〜１１０℃に維持しながら、アリールメチリデンアミン化合物１モルに対して、好ましくは０．９０〜１．２０モルのアルキル化剤を加えて反応させ、上記一般式（４）で示される非対称ジアルキルアミン化合物を含む反応液を製造する工程；及び
（Ｂ）前記反応液に水を加えて混合した後に水層を分離し、次いで、得られた水層と塩基性水溶液とを混合した後に有機層を分離して、当該有機層から上記一般式（４）で示される非対称ジアルキルアミン化合物を取得する工程
を含む製造方法によって得ることができる。
［（Ａ）非対称ジアルキルアミン化合物を含む反応液を製造する工程（以下、工程Ａと称することもある）］
本発明の工程Ａにおいて使用するアリールメチリデンアミン化合物は、前記の一般式（４−１）で示される。その一般式（４−１）において、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を示す。Ａｒとしては、例えば、フェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、メシチル基、ナフチル基、アントリル基などの炭素原子数６〜１４のアリール基が挙げられ、好ましくはフェニル基、トリル基である。
本発明の工程Ａにおいて使用するアリールメチリデンアミン化合物は、前記の一般式（４−１）で示される。その一般式（４−１）において、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を示す。Ａｒとしては、例えば、フェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、メシチル基、ナフチル基、アントリル基などの炭素原子数６〜１４のアリール基が挙げられ、好ましくはフェニル基、トリル基である。
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ、式（１）中のＲ１、Ｒ２及びＲ３に対応し、水素原子、又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示すか、または、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は互いに結合して環を形成している。但し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち２つ以上が同時に水素原子である場合を除く。
本発明の工程Ａにおいて使用する有機溶媒としては、脂肪族炭化水素（脂環式炭化水素も含む）、ハロゲン化脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素及びハロゲン化芳香族炭化水素からなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒であることが好ましく、具体的には、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、シクロヘプタンなどの脂肪族炭化水素；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素が挙げられる。
前記有機溶媒の使用量は、アリールメチリデンアミン化合物１モルに対して、好ましくは０．１０〜０．８０モル、更に好ましくは０．２０〜０．５０モルである。この範囲とすることで、高い反応速度を維持しながら、反応液の固化を防ぐことができる。
本発明の工程Ａにおいて使用するアルキル化剤としては、具体的には、例えば、硫酸ジメチル、硫酸ジエチルなどの硫酸ジアルキル；ヨウ化メチルなどのハロゲン化アルキル；ジアゾメタンなどのジアゾアルカン；炭酸アルキル、シュウ酸ジアルキルなどのアルキルエステルが挙げられるが、好ましくは硫酸ジアルキルが使用される。なお、硫酸ジアルキルなどのアルキル化剤に含まれるアルキル基が前記の一般式（４）で示される非対称ジアルキルアミン化合物のＲ（炭素原子数１〜６の直鎖状のアルキル基）となる。
前記アルキル化剤の使用量は、アリールメチリデンアミン化合物１モルに対して、好ましくは０．９０〜１．２０モル、更に好ましくは０．９５〜１．０５モルである。この範囲とすることで、高い反応速度を維持しながら、反応後における反応液からの未反応アルキル化剤や副生成物の処理を容易にすることができる。
本発明の工程Ａでは、アリールメチリデンアミン化合物と有機溶媒とを混合した後、混合液を７５〜１１０℃に維持しながら、アリールメチリデンアミン化合物１モルに対して好ましくは０．９０〜１．２０モルのアルキル化剤を加えて同温度（７５〜１１０℃）で反応させる。なお、その際の反応圧力は特に制限されない。
工程Ａで得られた反応液は、上記一般式（４）で示される非対称ジアルキルアミン化合物を含むものであるが、特に処理を施すことなく、そのまま次の工程に使用できる。
なお、本発明の工程Ａにおいて使用する上記一般式（４−１）で示されるアリールメチリデンアミン化合物は、一般式（４−２）
で示されるモノアルキルアミンと、一般式（４−３）
で示されるアリールアルデヒドとを反応させて得ることができる（後述の参考例Ｌ−１参照）。
［（Ｂ）非対称ジアルキルアミン化合物を取得する工程（以下、工程Ｂと称することもある）］
本発明の工程Ｂは、工程Ａで得られた反応液から、反応液中に存在する非対称ジアルキルアミン化合物を、副反応や逐次反応により損なうことなく、かつ副生成物を同伴させずに取得（単離）する工程である。工程Ｂは、下記式で示されるフローに従って行われる。
本発明の工程Ｂは、工程Ａで得られた反応液から、反応液中に存在する非対称ジアルキルアミン化合物を、副反応や逐次反応により損なうことなく、かつ副生成物を同伴させずに取得（単離）する工程である。工程Ｂは、下記式で示されるフローに従って行われる。
本発明の工程Ｂでは、まず反応液に水を加えて混合した後に、水層を分離する。その際に使用する水の量は、アリールメチリデンアミン化合物１モルに対して、好ましくは１〜２０モル、更に好ましくは２〜１０モルである。この範囲の水の量とすることで、工程Ａで得られた反応液中のアルキル化剤に起因する副生成物（例えば、アルキル化剤が硫酸ジメチルの場合には、硫酸メチルの塩）の分解がすみやかに進行する上に、有機層との分離操作が容易となる。なお、水層は目的物に関与しない塩を含んでいても良い。
目的物である非対称ジアルキルアミン化合物を含む水層と有機層の分離操作は通常の方法、例えば、分液漏斗などを用いて行うことができる。得られた水層は、必要に応じて、疎水性溶媒で洗浄しても良い。当該疎水性溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、シクロヘプタンなどの脂肪族炭化水素；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素が使用できる。
次いで、分離して得られた水層と塩基性水溶液とを混合する。その際に使用する塩基性水溶液の塩基の使用量は、アリールメチリデンアミン化合物１モルに対して、好ましくは１．００〜５．００モル、更に好ましくは１．８５〜２．２０モルである。この範囲の塩基の量とすることで、アルキル化剤に起因する副生成物（例えば、アルキル化剤が硫酸ジメチルの場合には、硫酸メチルの塩）の分解がすみやかに進行する上に、目的物の非対称ジアルキルアミン化合物の水層への移動、即ち損失を防ぐことができる。更に、副反応や逐次反応の原因となるアルキル化剤の残渣を含む水層との分離操作が容易となることで、当該反応による非対称ジアルキルアミン化合物の損失を防ぐことができる。
また、塩基性水溶液の濃度は、好ましくは１５〜４８質量％、更に好ましくは２５〜４０質量％である。この範囲の濃度とすることで、アルキル化剤に起因する副生成物（例えば、アルキル化剤が硫酸ジメチルの場合には、硫酸メチルの塩）を水層に除去することができる上に、目的物の非対称ジアルキルアミン化合物の水層への損失を防ぐことができる。更に、副反応や逐次反応の原因となるアルキル化剤の残渣を含む水層との分離操作が容易となることで、当該反応による非対称ジアルキルアミン化合物の損失を防ぐことができる。
本発明の工程Ｂにおいて使用する塩基性水溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物の水溶液を使用することができる。
次いで、目的物である非対称ジアルキルアミン化合物を含む有機層を分離する。分離操作は通常の方法、例えば、分液漏斗などを用いて行うことができる。
当該有機層は目的物である非対称ジアルキルアミン化合物を主成分とするものであるが、副生成物を除去して目的物の純度を上げるために、精製を行うことが望ましい。
精製方法は、目的物の融点や沸点などにより適宜選択することができるが、例えば、常圧下、減圧下、又は加圧下にて蒸留することにより、３級アミンや水などの副生成物を低減することができる。蒸留条件は特に制限されないが、副反応や逐次反応を起こす化合物（例えば、アルキル化剤やその残渣）が混入している場合には、例えば、蒸留温度を２５〜９０℃にするなど、よりマイルドな条件にて短時間で蒸留を行うことが望ましい。
以上の工程Ｂによって、上記一般式（４）で示される非対称ジアルキルアミン化合物を得ることができる。この方法により、煩雑な操作をすることなく、高い収率で非対称ジアルキルアミン化合物を得ることができ、例えば、副生成物であるトリアルキルアミンを５％未満しか含まず、原料の分解物であるモノアルキルアミンを３％未満しか含まず、アルキル化剤の副生成物であるアルキルアルコールを３％未満しか含まない、本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物の製造原料として好適な原料組成物を得ることができる。
＜本発明のアルミニウム含有薄膜の製造方法＞
本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を用いて、例えばＣＶＤ法により、良好な成膜特性で、アルミニウム含有薄膜を成膜することができる。
本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を用いて、例えばＣＶＤ法により、良好な成膜特性で、アルミニウム含有薄膜を成膜することができる。
成膜対象物上へのアルミニウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法や原子層堆積法（ＡＬＤ法）で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物蒸気を反応性ガス（例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス；水；メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等のアルコール類；アンモニア、ヒドラジン等の窒素含有ガス；水素）と共に加熱した成膜対象物上に送り込んでアルミニウム含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス（気化した液体も含む）は不活性ガス等で希釈されていても良い。又、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法でアルミニウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。
ＣＶＤ法においては、薄膜形成のためにトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を気化させる必要があるが、本発明で使用するトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を気化させる方法としては、例えば、トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を適当な溶媒（例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類；グライム、ジグライム、トリグライム、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げられる。）に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法（溶液法）も使用出来る。
本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を用いてアルミニウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。
なお、アルミニウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源（例えば、酸化性ガス、水蒸気又はアルコール蒸気、もしくはこれらの混合ガス）又は還元性ガス（例えば、水素ガス又はアンモニアガス、もしくはこれらの混合ガス）の含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
参考例１（方法（Ａ）；トリス（メチルイソプロピルアミド）アルミニウム（化合物（６））の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３０．１ｇ（７０．５ｍｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにメチルイソプロピルアミン６．８ｇ（９３．４ｍｍｏｌ）を内温が０〜６℃になるようにゆるやかに滴下して３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３５ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム３．０ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、５１Ｐａ）して、粘性のある淡黄色液体のトリス（メチルイソプロピルアミド）アルミニウム４．１ｇを得た（単離収率；７０．５％）。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３０．１ｇ（７０．５ｍｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにメチルイソプロピルアミン６．８ｇ（９３．４ｍｍｏｌ）を内温が０〜６℃になるようにゆるやかに滴下して３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３５ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム３．０ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、５１Ｐａ）して、粘性のある淡黄色液体のトリス（メチルイソプロピルアミド）アルミニウム４．１ｇを得た（単離収率；７０．５％）。
なお、トリス（メチルイソプロピルアミド）アルミニウムは、以下の物性値で示される新規な化合物である。
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｈ６，δ（ｐｐｍ））；１．０６〜１．１２（１２Ｈ，ｍ）、１．２２〜１．２７（２４Ｈ，ｍ）、２．３３〜２．７８（１８Ｈ，ｍ）、３．２７〜３．９０（６Ｈ，ｓ）
なお、蒸留温度及び蒸留速度から推測される蒸気圧は約１６０℃で１ｔｏｒｒであった。
なお、蒸留温度及び蒸留速度から推測される蒸気圧は約１６０℃で１ｔｏｒｒであった。
実施例２（方法（Ａ）；トリス（エチルイソプロピルアミド）アルミニウム（化合物（７））の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３０．６ｇ（７１．６ｍｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにエチルイソプロピルアミン７．８ｇ（８９．５ｍｍｏｌ）を内温が−３〜２℃になるようにゆるやかに滴下して３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３５ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム３．０ｇ（２２．１ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１１０℃、４５Ｐａ）して、淡黄色液体のトリス（エチルイソプロピルアミド）アルミニウム１．７ｇを得た（単離収率；２６．６％）。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３０．６ｇ（７１．６ｍｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにエチルイソプロピルアミン７．８ｇ（８９．５ｍｍｏｌ）を内温が−３〜２℃になるようにゆるやかに滴下して３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３５ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム３．０ｇ（２２．１ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１１０℃、４５Ｐａ）して、淡黄色液体のトリス（エチルイソプロピルアミド）アルミニウム１．７ｇを得た（単離収率；２６．６％）。
なお、トリス（エチルイソプロピルアミド）アルミニウムは、以下の物性値で示される新規な化合物である。
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｈ６，δ（ｐｐｍ））；１．１６〜１．２１（２７Ｈ，ｍ）、２．９１（６Ｈ，ｑ）、３．３０〜３．３９（３Ｈ，ｍ）
粘度；７．９３ｃＰ（２４℃）
自然発火性（温度２５℃、湿度６０％の空気中）；自然発火なし
蒸気圧（７０℃）；１．１ｔｏｒｒ
粘度；７．９３ｃＰ（２４℃）
自然発火性（温度２５℃、湿度６０％の空気中）；自然発火なし
蒸気圧（７０℃）；１．１ｔｏｒｒ
実施例３（方法（Ａ）；トリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム（化合物（１４））の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３５．７ｇ（８３．６ｍｍｏｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）を加えて冷却した。ここにメチル−ｔ−ブチルアミン７．４ｇ（８４．３ｍｍｏｌ）を内温が−２０〜−１５℃になるようにゆるやかに滴下して、室温で１時間攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３０ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム３．６ｇ（２７．０ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１００℃、４０Ｐａ）して、白色固体のトリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム６．７ｇを得た（単離収率；８７．４％）。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３５．７ｇ（８３．６ｍｍｏｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）を加えて冷却した。ここにメチル−ｔ−ブチルアミン７．４ｇ（８４．３ｍｍｏｌ）を内温が−２０〜−１５℃になるようにゆるやかに滴下して、室温で１時間攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３０ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム３．６ｇ（２７．０ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１００℃、４０Ｐａ）して、白色固体のトリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム６．７ｇを得た（単離収率；８７．４％）。
なお、トリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウムは、以下の物性値で示される新規な化合物である。
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｈ６，δ（ｐｐｍ））；１．２２（２７Ｈ，ｓ）、２．５８（９Ｈ，ｓ）
融点；４５〜５０℃
自然発火性（温度２２℃、湿度５０％の空気中）；自然発火なし
蒸気圧（８０℃）；１．１ｔｏｒｒ
融点；４５〜５０℃
自然発火性（温度２２℃、湿度５０％の空気中）；自然発火なし
蒸気圧（８０℃）；１．１ｔｏｒｒ
実施例３−１（方法（Ａ）；トリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム（化合物（１４））の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積３Ｌのフラスコに、１５．６５％ブチルリチウム／へキサン溶液１６９４．４ｇ（４．１４ｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにメチル−ｔ−ブチルアミン３８２．６ｇ（４．３９ｍｏｌ）を内温が３〜５℃になるようにゆるやかに滴下した。続けて、シクロペンチルメチルエーテル２５０ｍｌを加えて、室温で３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにシクロペンチルメチルエーテル５５０ｍｌを加え、次いで、シクロペンチルメチルエーテル８００ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム１８０．２ｇ（１．３５ｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で３０分反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１２０℃、３５Ｐａ）して、白色固体のトリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム３６９．３ｇを得た（単離収率；９５．７％）。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積３Ｌのフラスコに、１５．６５％ブチルリチウム／へキサン溶液１６９４．４ｇ（４．１４ｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにメチル−ｔ−ブチルアミン３８２．６ｇ（４．３９ｍｏｌ）を内温が３〜５℃になるようにゆるやかに滴下した。続けて、シクロペンチルメチルエーテル２５０ｍｌを加えて、室温で３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにシクロペンチルメチルエーテル５５０ｍｌを加え、次いで、シクロペンチルメチルエーテル８００ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム１８０．２ｇ（１．３５ｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で３０分反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１２０℃、３５Ｐａ）して、白色固体のトリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム３６９．３ｇを得た（単離収率；９５．７％）。
実施例３−２（方法（Ａ）；トリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム（化合物（１４））の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１Ｌのフラスコに、１５．６５％ブチルリチウム／へキサン溶液４０６．２ｇ（０．９９ｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにメチル−ｔ−ブチルアミン９１．１ｇ（１．０５ｍｏｌ）を内温が４〜７℃になるようにゆるやかに滴下した。続けて、シクロペンチルメチルエーテル５０ｍｌを加えて、室温で３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにシクロペンチルメチルエーテル１４０ｍｌを加え、次いで、シクロペンチルメチルエーテル１９０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム４３．１ｇ（０．３２ｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で３０分反応させた。反応終了後に濃縮し、ヘキサン３５０ｍｌを加えて加圧ろ過を行った。ろ過残物をヘキサンで洗浄して、全てのろ液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１１０℃、１４Ｐａ）して、白色固体のトリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム８５．１ｇを得た（単離収率；９２．３％）。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１Ｌのフラスコに、１５．６５％ブチルリチウム／へキサン溶液４０６．２ｇ（０．９９ｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにメチル−ｔ−ブチルアミン９１．１ｇ（１．０５ｍｏｌ）を内温が４〜７℃になるようにゆるやかに滴下した。続けて、シクロペンチルメチルエーテル５０ｍｌを加えて、室温で３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにシクロペンチルメチルエーテル１４０ｍｌを加え、次いで、シクロペンチルメチルエーテル１９０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム４３．１ｇ（０．３２ｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で３０分反応させた。反応終了後に濃縮し、ヘキサン３５０ｍｌを加えて加圧ろ過を行った。ろ過残物をヘキサンで洗浄して、全てのろ液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１１０℃、１４Ｐａ）して、白色固体のトリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム８５．１ｇを得た（単離収率；９２．３％）。
参考例４（方法（Ａ）；トリス（エチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム（化合物（１５））の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３０．１ｇ（７０．５ｍｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにエチル−ｔ−ブチルアミン８．４ｇ（８２．９ｍｍｏｌ）を内温が−１０〜−５℃になるようにゆるやかに滴下して、２０℃で３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３０ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム２．９ｇ（２１．５ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１４０℃、４０Ｐａ）して、淡黄色液体のトリス（エチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム３．５ｇを得た（単離収率；５０．１％）。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３０．１ｇ（７０．５ｍｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにエチル−ｔ−ブチルアミン８．４ｇ（８２．９ｍｍｏｌ）を内温が−１０〜−５℃になるようにゆるやかに滴下して、２０℃で３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３０ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム２．９ｇ（２１．５ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１４０℃、４０Ｐａ）して、淡黄色液体のトリス（エチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム３．５ｇを得た（単離収率；５０．１％）。
なお、トリス（エチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウムは、以下の物性値で示される新規な化合物である。
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｈ６，δ（ｐｐｍ））；１．２６（３６Ｈ，ｍ）、２．９８（６Ｈ，ｑ）
なお、蒸留温度及び蒸留速度から推測される蒸気圧は約１３０℃で１ｔｏｒｒであった。
なお、蒸留温度及び蒸留速度から推測される蒸気圧は約１３０℃で１ｔｏｒｒであった。
比較例１（方法（Ａ）；トリス（ジメチルアミド）アルミニウム（Ｒ＝−ＣＨ３、Ｒ１＝Ｈ、Ｒ２＝Ｈ、Ｒ３＝Ｈの一般式（１）で示されるトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積３００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液１０７．９ｇ（２５２．６ｍｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにジメチルアミン１９．３ｇ（４２７．０ｍｍｏｌ）を内温が０〜６℃になるようにゆるやかに滴下して３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル１５０ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル６０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム１０．７ｇ（８０．５ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で２時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１１０℃、３７Ｐａ）して、白色個体のトリス（ジメチルアミド）アルミニウム１０．３ｇを得た（単離収率；８０．２％）。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積３００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液１０７．９ｇ（２５２．６ｍｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにジメチルアミン１９．３ｇ（４２７．０ｍｍｏｌ）を内温が０〜６℃になるようにゆるやかに滴下して３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル１５０ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル６０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム１０．７ｇ（８０．５ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で２時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１１０℃、３７Ｐａ）して、白色個体のトリス（ジメチルアミド）アルミニウム１０．３ｇを得た（単離収率；８０．２％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｈ６，δ（ｐｐｍ））；２．３３（６Ｈ，ｓ）、２．６９（１２Ｈ，ｓ）
融点；８２〜８４℃
蒸気圧（７０℃）；０．１ｔｏｒｒ
蒸気圧（１０５℃）；１．１ｔｏｒｒ
なお、この化合物は、実施例２の化合物よりも蒸気圧が低かった。
融点；８２〜８４℃
蒸気圧（７０℃）；０．１ｔｏｒｒ
蒸気圧（１０５℃）；１．１ｔｏｒｒ
なお、この化合物は、実施例２の化合物よりも蒸気圧が低かった。
比較例２（方法（Ａ）；トリス（メチルイソブチルアミド）アルミニウム（Ｒ＝−ＣＨ３、Ｒ１＝−ＣＨ（ＣＨ３）２、Ｒ２＝Ｈ、Ｒ３＝Ｈの一般式（１）で示されるトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３７．１ｇ（８６．８ｍｍｏｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）を加えて冷却した。ここにメチルイソブチルアミン８．５ｇ（９７．５ｍｍｏｌ）を内温が−２０〜−１０℃になるようにゆるやかに滴下して、室温で３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３０ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム３．７ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、３７Ｐａ）して、黄色高粘性液体のトリス（メチルイソブチルアミド）アルミニウム５．３ｇを得た（単離収率；６７．６％）。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３７．１ｇ（８６．８ｍｍｏｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）を加えて冷却した。ここにメチルイソブチルアミン８．５ｇ（９７．５ｍｍｏｌ）を内温が−２０〜−１０℃になるようにゆるやかに滴下して、室温で３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３０ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム３．７ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、３７Ｐａ）して、黄色高粘性液体のトリス（メチルイソブチルアミド）アルミニウム５．３ｇを得た（単離収率；６７．６％）。
なお、トリス（メチルイソブチルアミド）アルミニウムの物性値は、以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｈ６，δ（ｐｐｍ））；０．９〜１．１（１８Ｈ，ｍ）、１．８〜２．３（３Ｈ，ｍ）、２．４〜３．２（１５Ｈ，ｍ）
なお、蒸留温度及び蒸留速度から推測される蒸気圧は約１８０℃で１ｔｏｒｒであり、参考例１や参考例４の化合物よりも蒸気圧は低かった。
なお、蒸留温度及び蒸留速度から推測される蒸気圧は約１８０℃で１ｔｏｒｒであり、参考例１や参考例４の化合物よりも蒸気圧は低かった。
比較例３（方法（Ａ）；トリス（ジエチルアミド）アルミニウム（Ｒ＝−Ｃ２Ｈ５、Ｒ１＝−ＣＨ３、Ｒ２＝Ｈ、Ｒ３＝Ｈの一般式（１）で示されるトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３１．８ｇ（７４．４ｍｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにジエチルアミン６．８ｇ（９３．０ｍｍｏｌ）を内温が−２〜２℃になるようにゆるやかに滴下して３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３５ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム３．１ｇ（２３．０ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１５０℃、４５Ｐａ）して、黄色粘性液体のトリス（ジエチルアミド）アルミニウム４．７ｇを得た（単離収率；８４．４％）。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、１５％ブチルリチウム／へキサン溶液３１．８ｇ（７４．４ｍｍｏｌ）を加えて冷却した。ここにジエチルアミン６．８ｇ（９３．０ｍｍｏｌ）を内温が−２〜２℃になるようにゆるやかに滴下して３０分攪拌した後、濃縮をした。ここにジエチルエーテル３５ｍｌを加え、次いで、ジエチルエーテル３０ｍｌに溶解した無水塩化アルミニウム３．１ｇ（２３．０ｍｍｏｌ）を水冷下でゆるやかに滴下して室温で１時間反応させた。反応終了後に濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１５０℃、４５Ｐａ）して、黄色粘性液体のトリス（ジエチルアミド）アルミニウム４．７ｇを得た（単離収率；８４．４％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｈ６，δ（ｐｐｍ））；１．０２〜１．２８（１８Ｈ，ｍ）、２．８８〜３．３２（１２Ｈ，ｍ）
なお、蒸留温度及び蒸留速度から推測される蒸気圧は約１５０℃で１ｔｏｒｒであった。
なお、蒸留温度及び蒸留速度から推測される蒸気圧は約１５０℃で１ｔｏｒｒであった。
実施例２、３、参考例１、４、及び比較例１〜３で得られたアルミニウム化合物の蒸留条件と蒸気圧を表Ａに示す。
以上の結果から、本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物は、融点が低いため配管の閉塞のおそれがなく、又、蒸気圧が高いため、ＣＶＤ法により、容易に成膜対象物上にアルミニウム含有薄膜を製造可能な化合物であると考えられる。
実施例５（蒸着実験；アルミニウム含有薄膜の製造）
実施例３で得られたアルミニウム化合物（１４）を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
実施例３で得られたアルミニウム化合物（１４）を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
評価試験には、図１に示す装置を使用した。気化器３（ガラス製アンプル）にあるアルミニウム化合物２０は、ヒーター１０Ｂで加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て予熱器１０Ａで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器３を出る。気化器３を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂ、ストップバルブ２を経て導入されたアンモニアガスもしくは水素ガス、酸素ガスとともに反応器４に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ６の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計５によってモニターされる。反応器の中央部はヒーター１０Ｃで加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたアルミニウム化合物は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０Ｃで所定の温度に加熱された被蒸着基板２１の表面上で還元もしくは酸化熱分解し、基板２１上にアルミニウム含有薄膜が析出する。反応器４を出たガスは、トラップ７、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。
蒸着条件及び蒸着結果（膜特性）を以下に示す。なお、被蒸着基板としては、６ｍｍ×２０ｍｍサイズの矩形のものを使用した。
（蒸着条件）
アルミニウム原料；トリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム（化合物（１４））
原料供給条件；アルミニウム原料とアンモニアを交互に供給
気化温度；６０℃
アルミニウム原料Ｈｅキャリアー流量；１０ｓｃｃｍ
アルミニウム原料供給時間；１分
アルミニウム原料供給圧力；０．６７ｋＰａ
アンモニア流量；１０ｓｃｃｍ
アンモニア供給時間；１分
アンモニア供給圧力；０．６７ｋＰａ
パージ時間；３０秒
パージ圧力；０．１７ｋＰａ
サイクル回数；２０回
基板材料；ＳｉＯ２/Ｓｉウェハー
基板温度；４５０℃
アルミニウム原料；トリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム（化合物（１４））
原料供給条件；アルミニウム原料とアンモニアを交互に供給
気化温度；６０℃
アルミニウム原料Ｈｅキャリアー流量；１０ｓｃｃｍ
アルミニウム原料供給時間；１分
アルミニウム原料供給圧力；０．６７ｋＰａ
アンモニア流量；１０ｓｃｃｍ
アンモニア供給時間；１分
アンモニア供給圧力；０．６７ｋＰａ
パージ時間；３０秒
パージ圧力；０．１７ｋＰａ
サイクル回数；２０回
基板材料；ＳｉＯ２/Ｓｉウェハー
基板温度；４５０℃
（膜特性（ＳＥＭ及びＸＰＳ-ｄｅｐｔｈ測定））
膜厚；６００ｎｍ（１サイクル；３０ｎｍ）
ＸＰＳ分析；窒化アルミニウム膜
炭素含有率；検出されず
膜厚；６００ｎｍ（１サイクル；３０ｎｍ）
ＸＰＳ分析；窒化アルミニウム膜
炭素含有率；検出されず
以上の結果から、本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物は、炭素原子等の不純物を含まない高品質の窒化アルミニウム膜を製造することができることが判明した。
実施例６（蒸着実験；アルミニウム含有薄膜の製造）
実施例３で得られたトリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム（化合物（１４））を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。
実施例３で得られたトリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム（化合物（１４））を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。
（蒸着条件）
アルミニウム原料；トリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム（化合物（１４））
気化温度；６０℃
Ｈｅキャリアー流量；１０ｓｃｃｍ
酸素流量；５ｓｃｃｍ
成膜時間；１０分
基板材料；ＳｉＯ２/Ｓｉウェハー
基板温度；２００℃
反応系内圧力；０．６７ｋＰａ
アルミニウム原料；トリス（メチル−ｔ−ブチルアミド）アルミニウム（化合物（１４））
気化温度；６０℃
Ｈｅキャリアー流量；１０ｓｃｃｍ
酸素流量；５ｓｃｃｍ
成膜時間；１０分
基板材料；ＳｉＯ２/Ｓｉウェハー
基板温度；２００℃
反応系内圧力；０．６７ｋＰａ
（膜特性（ＳＥＭ及びＸＰＳ-ｄｅｐｔｈ測定））
膜厚；２００ｎｍ
ＸＰＳ分析；酸化アルミニウム膜
炭素含有率；検出されず
窒素含有率；検出されず
膜厚；２００ｎｍ
ＸＰＳ分析；酸化アルミニウム膜
炭素含有率；検出されず
窒素含有率；検出されず
以上の結果から、本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物は、炭素原子等の不純物を含まない高品質の酸化アルミニウム膜を製造することができることが判明した。
参考例Ｌ−１（Ｎ−ベンジリデン−ｔ−ブチルアミンの合成）
実施例Ｌ−１（ｔ−ブチル（メチル）アミンの合成）
（工程Ａ）
アルゴン雰囲気にて、攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍｌのフラスコに、参考例Ｌ−１と同様な方法で得られたＮ−ベンジリデン−ｔ−ブチルアミン８９．１８ｇ（０．５５３ｍｏｌ）及びトルエン１６．８２ｇ（０．１８３ｍｏl）を加えた。次いで、混合液を８５〜９０℃に保ちながら、硫酸ジメチル６９．７６ｇ（０．５５３ｍｏl）をゆるやかに滴下した。滴下後、混合液を攪拌しながら８５〜９０℃にて２時間反応させた。
（工程Ｂ）
反応終了後、反応液を８５〜９０℃に保ちながら水４８．３４ｇ（２．６８３ｍｏl）をゆるやかに滴下し、室温にて反応液を分液して水層を得た。得られた水層をトルエンで洗浄した。次いで、攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積３００ｍｌのフラスコに、３６質量％水酸化ナトリウム水溶液１２４．２５ｇ（１．１０６ｍｏl）を加え、液温を１０〜１５℃に保ちながら、先に得られた水層をゆるやかに滴下した後、反応液を分液した。得られた有機層を常圧下で蒸留（６８〜７１℃）し、ｔ−ブチル（メチル）アミン４４．８３ｇを得た（単離収率；８４％）。
アルゴン雰囲気にて、攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍｌのフラスコに、参考例Ｌ−１と同様な方法で得られたＮ−ベンジリデン−ｔ−ブチルアミン８９．１８ｇ（０．５５３ｍｏｌ）及びトルエン１６．８２ｇ（０．１８３ｍｏl）を加えた。次いで、混合液を８５〜９０℃に保ちながら、硫酸ジメチル６９．７６ｇ（０．５５３ｍｏl）をゆるやかに滴下した。滴下後、混合液を攪拌しながら８５〜９０℃にて２時間反応させた。
（工程Ｂ）
反応終了後、反応液を８５〜９０℃に保ちながら水４８．３４ｇ（２．６８３ｍｏl）をゆるやかに滴下し、室温にて反応液を分液して水層を得た。得られた水層をトルエンで洗浄した。次いで、攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積３００ｍｌのフラスコに、３６質量％水酸化ナトリウム水溶液１２４．２５ｇ（１．１０６ｍｏl）を加え、液温を１０〜１５℃に保ちながら、先に得られた水層をゆるやかに滴下した後、反応液を分液した。得られた有機層を常圧下で蒸留（６８〜７１℃）し、ｔ−ブチル（メチル）アミン４４．８３ｇを得た（単離収率；８４％）。
なお、得られたｔ−ブチル（メチル）アミンの組成は、目的物であるｔ−ブチル（メチル）アミン、ｔ−ブチル（ジメチル）アミン（副生成物）、ｔ−ブチルアミン（原料の分解物）、メタノール（副生成物）の含有比率が９０．３：１．４：２．７：０．３であり、副生成物や残存原料の混入量が極めて少なかった。
実施例Ｌ−２〜Ｌ−３及び比較例Ｌ−１〜Ｌ−２
実施例Ｌ−１において、各種反応条件を変更したこと以外は、実施例Ｌ−１と同様に反応を行った。その反応条件（工程Ａ及びＢ）を表１に、反応の結果を表２に示した。なお、各種モル比（表中の＊）は、アリールメチリデンアミン化合物１モルに対してのモル比率である。
実施例Ｌ−１において、各種反応条件を変更したこと以外は、実施例Ｌ−１と同様に反応を行った。その反応条件（工程Ａ及びＢ）を表１に、反応の結果を表２に示した。なお、各種モル比（表中の＊）は、アリールメチリデンアミン化合物１モルに対してのモル比率である。
本発明の新規なトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物を用いて、ＣＶＤ法により、良好な成膜特性で、成膜対象物上にアルミニウム含有薄膜を製造することができる。本発明のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物は、アルミニウム含有薄膜製造材料として、また、例えば、重合用触媒、医薬や農薬等の製造原料として有用な化合物である。
３ 気化器
４ 反応器
１０Ｂ 気化器ヒータ
１０Ｃ 反応器ヒータ
２０ アルミニウム化合物融液
２１ 基板
４ 反応器
１０Ｂ 気化器ヒータ
１０Ｃ 反応器ヒータ
２０ アルミニウム化合物融液
２１ 基板
Claims (3)
- 一般式（１）
で示されるトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物。 - 一般式（２）
で示されるトリハロゲノアルミニウムと、一般式（３）
で示されるアルカリ金属（ジアルキルアミド）とを反応させることを特徴とする、一般式（１）
で示される請求項１記載のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物の製造方法。 - 請求項１記載のトリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物をアルミニウム供給源として用いた化学気相蒸着法によるアルミニウム含有薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013541850A JP6065840B2 (ja) | 2011-11-02 | 2012-11-01 | トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物及び当該アルミニウム化合物を用いるアルミニウム含有薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011241025 | 2011-11-02 | ||
| JP2011241025 | 2011-11-02 | ||
| JP2012003188 | 2012-01-11 | ||
| JP2012003188 | 2012-01-11 | ||
| JP2012151757 | 2012-07-05 | ||
| JP2012151757 | 2012-07-05 | ||
| JP2012198855 | 2012-09-10 | ||
| JP2012198855 | 2012-09-10 | ||
| PCT/JP2012/078399 WO2013065806A1 (ja) | 2011-11-02 | 2012-11-01 | トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物及び当該アルミニウム化合物を用いるアルミニウム含有薄膜の製造方法 |
| JP2013541850A JP6065840B2 (ja) | 2011-11-02 | 2012-11-01 | トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物及び当該アルミニウム化合物を用いるアルミニウム含有薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2013065806A1 JPWO2013065806A1 (ja) | 2015-04-02 |
| JP6065840B2 true JP6065840B2 (ja) | 2017-01-25 |
Family
ID=48192144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013541850A Expired - Fee Related JP6065840B2 (ja) | 2011-11-02 | 2012-11-01 | トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物及び当該アルミニウム化合物を用いるアルミニウム含有薄膜の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9194041B2 (ja) |
| JP (1) | JP6065840B2 (ja) |
| KR (1) | KR20140093973A (ja) |
| TW (1) | TWI577688B (ja) |
| WO (1) | WO2013065806A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9611544B2 (en) | 2010-04-15 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
| US8637411B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-01-28 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
| US9997357B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors |
| US9892917B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-02-13 | Lam Research Corporation | Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications |
| US9257274B2 (en) | 2010-04-15 | 2016-02-09 | Lam Research Corporation | Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method |
| US9373500B2 (en) | 2014-02-21 | 2016-06-21 | Lam Research Corporation | Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications |
| US9685320B2 (en) | 2010-09-23 | 2017-06-20 | Lam Research Corporation | Methods for depositing silicon oxide |
| SG2013083654A (en) | 2012-11-08 | 2014-06-27 | Novellus Systems Inc | Methods for depositing films on sensitive substrates |
| JP2014214152A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 宇部興産株式会社 | 非対称ジアルキルアミン化合物の製造方法 |
| US9214334B2 (en) * | 2014-02-18 | 2015-12-15 | Lam Research Corporation | High growth rate process for conformal aluminum nitride |
| CN105503928B (zh) * | 2014-10-10 | 2017-09-15 | 江南大学 | 用于薄膜沉积的铝前驱体及其制备方法 |
| US9564312B2 (en) | 2014-11-24 | 2017-02-07 | Lam Research Corporation | Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films |
| KR101965219B1 (ko) * | 2015-02-17 | 2019-04-03 | 주식회사 유피케미칼 | 알루미늄 화합물 및 이를 이용한 알루미늄-함유 막의 형성 방법 |
| US10566187B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control |
| US9502238B2 (en) | 2015-04-03 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch |
| US9773643B1 (en) | 2016-06-30 | 2017-09-26 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for deposition and etch in gap fill |
| US10062563B2 (en) | 2016-07-01 | 2018-08-28 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer deposition with post-dose treatment |
| US10037884B2 (en) | 2016-08-31 | 2018-07-31 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer |
| KR102627458B1 (ko) | 2016-09-13 | 2024-01-19 | 삼성전자주식회사 | 알루미늄 화합물과 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
| US10269559B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer |
| US10927459B2 (en) * | 2017-10-16 | 2021-02-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for atomic layer deposition |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005392B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-02-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions for CVD formation of gate dielectric thin films using amide precursors and method of using same |
| US7041609B2 (en) | 2002-08-28 | 2006-05-09 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming metal oxides using alcohols |
| CN1798866A (zh) * | 2003-06-05 | 2006-07-05 | 液体空气乔治洛德方法利用和研究的具有监督和管理委员会的有限公司 | 用氨基铝前体形成含铝薄膜的方法 |
| US7141500B2 (en) | 2003-06-05 | 2006-11-28 | American Air Liquide, Inc. | Methods for forming aluminum containing films utilizing amino aluminum precursors |
| CN1953953B (zh) | 2004-03-15 | 2010-12-22 | 宇部兴产株式会社 | 包含β-酮酸基配体的金属络合物 |
| JP2007031367A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Mitsubishi Materials Corp | 有機アルミニウム化合物及び該化合物を用いたアルミニウム含有膜の製造方法 |
| KR100724084B1 (ko) | 2005-11-16 | 2007-06-04 | 주식회사 유피케미칼 | 디알킬아미도디하이드로알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법 |
| US7956168B2 (en) * | 2006-07-06 | 2011-06-07 | Praxair Technology, Inc. | Organometallic compounds having sterically hindered amides |
| JP4318710B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2009-08-26 | シャープ株式会社 | ナノ結晶粒子蛍光体と被覆ナノ結晶粒子蛍光体、ならびに被覆ナノ結晶粒子蛍光体の製造方法 |
-
2012
- 2012-11-01 JP JP2013541850A patent/JP6065840B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-01 US US14/355,893 patent/US9194041B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-01 KR KR1020147014667A patent/KR20140093973A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-11-01 WO PCT/JP2012/078399 patent/WO2013065806A1/ja active Application Filing
- 2012-11-02 TW TW101140813A patent/TWI577688B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI577688B (zh) | 2017-04-11 |
| JPWO2013065806A1 (ja) | 2015-04-02 |
| US9194041B2 (en) | 2015-11-24 |
| US20140295084A1 (en) | 2014-10-02 |
| KR20140093973A (ko) | 2014-07-29 |
| TW201335164A (zh) | 2013-09-01 |
| WO2013065806A1 (ja) | 2013-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6065840B2 (ja) | トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物及び当該アルミニウム化合物を用いるアルミニウム含有薄膜の製造方法 | |
| JP5857970B2 (ja) | （アミドアミノアルカン）金属化合物、及び当該金属化合物を用いた金属含有薄膜の製造方法 | |
| US7816549B2 (en) | Metal-containing compound, its production method, metal-containing thin film, and its formation method | |
| US7442407B2 (en) | Tantalum and niobium compounds and their use for chemical vapour deposition (CVD) | |
| JP2010163441A (ja) | 有機ルテニウム化合物およびその製造方法 | |
| JP5148186B2 (ja) | イミド錯体、その製造方法、金属含有薄膜及びその製造方法 | |
| JP2015224227A (ja) | （アセチレン）ジコバルトヘキサカルボニル化合物の製造方法 | |
| JP5156120B1 (ja) | 有機白金化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 | |
| TWI652274B (zh) | 烷氧化合物，薄膜形成用原料，薄膜的製造方法及醇化合物 | |
| JP5042548B2 (ja) | 金属含有化合物、その製造方法、金属含有薄膜及びその形成方法 | |
| JP5919882B2 (ja) | コバルト化合物の混合物、及び当該コバルト化合物の混合物を用いたコバルト含有薄膜の製造方法 | |
| JP6565448B2 (ja) | 酸化アルミニウム膜の製造方法及び酸化アルミニウム膜の製造原料 | |
| WO2017030150A1 (ja) | 酸化アルミニウム膜の製造方法、酸化アルミニウム膜の製造原料、及びアルミニウム化合物 | |
| JP4770744B2 (ja) | ハフニウムアミド錯体の製造方法 | |
| TWI504605B (zh) | 雙（二烷基醯胺基）鎂化合物及利用該鎂化合物之含鎂薄膜之製造方法 | |
| JP2014214152A (ja) | 非対称ジアルキルアミン化合物の製造方法 | |
| TWI831983B (zh) | 釕化合物、用於形成薄膜之原料及薄膜之製造方法 | |
| US20220048837A1 (en) | Mono-substituted cyclopentadienes and metal cyclopentadienyl complexes and synthesis methods thereof | |
| JP2018027921A (ja) | アミジナート配位子を有するジアルキルアルミニウム化合物の製造方法 | |
| JP2016108247A (ja) | ビス（シリルアミドアミノアルカン）マンガン化合物及び当該マンガン化合物を用いたマンガン含有膜の製造方法 | |
| JP2014076981A (ja) | 非対称ジアルキルアミン化合物の製造方法 | |
| JP2007070236A (ja) | ビス（エチルシクロペンタジエニル）トリヒドロタンタルおよびその製造方法ならびにそれを用いた炭化タンタル膜または炭窒化タンタル膜の形成方法 | |
| JPH0770163A (ja) | 蒸気圧の高い有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機 銅化合物 | |
| JPH09118686A (ja) | タンタル化合物の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150831 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160712 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160906 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161129 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161212 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6065840 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |