JP5520290B2 - 半導体装置及び太陽電池製造方法 - Google Patents

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Description

関連出願
本出願は、２００８年６月１１日に出願された係属中の米国仮特許出願第６１／１３１，６８７号「Solar Cell Fabrication Using Implantation」、２００８年６月１１日に出願された係属中の米国仮特許出願第６１／１３１，６８８号「Application Specific Implant System for Use in Solar Cell Fabrications」、２００８年６月１１日に出願された係属中の米国仮特許出願第６１／１３１，６９８号「Formation of Solar Cell Selective Emitter Using Implant and Anneal Method」、２００８年６月２４日に出願された係属中の米国仮特許出願第６１／１３３，０２８号「Solar Cell Fabrication with Faceting and Implantation」、２００９年３月２０日に出願された係属中の米国仮特許出願第６１／２１０，５４５号「Advanced High Efficiency Crystalline Solar Cell Fabrications Method」に対する優先権を主張する。これらの仮特許出願は、引用することにより、本願に援用される。
本発明は、半導体素子及びその製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、抵抗損（ohmic losses）を減少させた太陽電池の製造方法に関する。
半導体太陽電池は、光を電流に変換することで広く知られている。太陽電池の効率は、抵抗損によってある程度制限され、太陽電池を製造するのに用いられるドーパントの拡散（dopant diffusion）及びコンタクトのスクリーン印刷（contact screen printing）に影響を受ける。
図１は、従来の太陽電池１００の構造を示す斜視図である。太陽電池１００は、その上面の光受容領域１３５に衝突した光を電流に変換し、電流は、負荷１５０に流れる。太陽電池１００は、ｐ型基板１１０上に形成されたｎ型エミッタ層１１５を備え、それによって、ｐｎ接合１１１が画定される。ｎ型エミッタ層１１５は、グリッド線（gridlines）を形成する高濃度ドーピングｎ型ウェル（highly doped n-wells）１１７を含み、反射防止コーティング（anti-reflective coating、以下、ＡＲＣという。）１２０によって保護されている。ｎ型ウェル１１７をバスバー１３０に接続するために、ｎ型ウェル１１７上には、金属製のフィンガ１２５が形成されている。バスバー１３０は、負荷１５０に接続され、次に、負荷１５０は、ｐ型基板１１０の背面の金属コンタクト（metallic contact）１４０に順番に接続されている。
ｎ型エミッタ層１１５は、ｐ型基板１１０をｎ型イオン源に暴露し、そして、それをｐ型基板１１０の上面に拡散することによって、形成される。太陽電池１００のドーピングプロフィールは、幾つかの欠点を有する。
第一に、このドーピングプロフィールを形成することにより、ドーパントがｐ型基板１１０のバルク部分（bulk）に打ち込まれるにつれて、ｐ型基板１１０の上面の近傍には過剰な不活性ドーパント（un-activated dopants）が生じる。この影響は、光吸収レベルの変化、電子正孔対（electron-hole pairs）の生成、及び電子正孔対の不必要な再結合につながる。これは、「不感層（dead layer）」として知られている。この不感層においては、青色光が光受容領域１３５の上面近くでは吸収されない。光受容領域１３５の表面の近傍のドーピングレベルが高いために、不感層において生成された電子正孔対は、いかなる電流を発生できる前に、急速に再結合してしまう。ファセット（Facetting）が用いられ、電流を発生できる前に、太陽電池から反射される光量を減少させていた。
第二に、従来のドーピングプロフィールを形成するのに用いられる拡散技術は、同種の高抵抗光受容領域及びグリッド線用の低抵抗率領域を有する選択的ドーピング領域と、接点フィンガと、バスバーと、金属／シリコン接合面（metal-silicon interfaces）と、背面の金属被覆（metallization）とを形成するのには最適でない。
第三に、半導体上に金属を直接形成することにより、導電性のフィンガ１２５とｎ型エミッタ層１１５間の接合面（interface）における仕事関数が異なる可能性がある。金属コンタクトとドーピングシリコン間の仕事関数をより一致させるために、幾つかの従来の技術では、フィンガ１２５を融解して、接合面にシリサイドを形成している。シリサイドを形成して、仕事関数を調整することができるが、依然として、好ましくない抵抗損（ohmic losses）及び金属短絡（metal shunting）の可能性がある。
最後に、基板中のドーパントの横方向の位置決め（lateral positioning）は、線幅及びウェハの厚さが縮小するにつれて、難しくなっている。太陽電池のグリッド線の寸法（Geometries）は、約２００ミクロン（microns）から５０ミクロンに縮小され、その後、更に小さくなることが予想される。現在のスクリーン印刷技術は、このような小さな転写（displacements）を有する素子を製造するには、能力が不十分である。さらに、ウェハが益々薄くなるにつれて、垂直方向及びバッチ拡散（vertical and batch diffusion）とスクリーン印刷は、極めて困難になっている。
本発明の実施の形態に基づいて、太陽電池は、下にある半導体基板のバルク部分と、半導体基板の複数の層との全体に、ドーパントを横方向に正確に配置することによって、製造される。イオンビームは、グリッド線を形成する高濃度ドーピング領域を生成し、グリッド線間の低濃度ドーピング領域を生成するように向けられる。パラメータを調整することによって、原子ドーパントプロフィールは、所定の基板ドーピングレベルを用いて、適切な深さに電気的接合を形成するとともに、基板表面に接点を形成するのに必要な抵抗率を得るように、同時に適合される。このような独立した制御は、イオン注入方法に対して独特（unique）である。
第１の特徴として、半導体素子は、ドーパントが第１のドーピングレベルでドーピングされたテクスチャ領域と、ドーパントが第１のドーピングレベルよりも高い第２のドーピングレベルでドーピングされた、グリッド線を形成する非テクスチャ領域とを含む表面を有する基板を備える。半導体基板は、ｐ型基板又はｎ型基板であり、ドーパントは、これとは逆の型である。半導体素子は、グリッド線に接続される導電性のフィンガと、不純物を含む金属コンタクトに接続される底部とを有する。テクスチャ領域は、光受容領域である。
好ましくは、各テクスチャ領域は、複数のテクスチャ要素、例えば、（１１１）面を有するピラミッド形状の要素、ドーム形状の要素、又は光受容領域から反射される光量を減少させるあらゆる他の起伏（上下する）構造を含む。
複数のテクスチャ要素のそれぞれにおけるドーパントは、均一の厚さ又はテクスチャ要素の表面に沿って変化する厚さを有する。
一実施の形態において、各テクスチャ領域は、反射防止コーティングで覆われている。非テクスチャ領域のドーパントは、金属シード（metallic species）が点在している。
第２の特徴として、太陽電池を製造する太陽電池製造方法は、非テクスチャ領域及びテクスチャ領域を有する基板の表面上に、均一のイオンビームを向ける工程を有する。ドーパントを、第１の密度でテクスチャ領域に注入し、グリッド線を形成するために、第１の密度よりも高い第２の密度で非テクスチャ領域に注入する。グリッド線は、接点フィンガに接続される。
一実施の形態において、テクスチャ領域は、複数の個々のテクスチャ要素、例えばピラミッド形状の要素を含む。あるいは、複数のテクスチャ要素は、半球形（semi-spherical）である。ビームは、各テクスチャ要素のそれぞれに、あるいはテクスチャ要素のグループに対して同時にドーパントを注入するように成形することができる。
ビーム、基板、あるいはその両方は、ビームが複数のテクスチャ要素の各表面に対して略垂直となるように回転される。また、ビームは、基板の表面全体を走査することができ、それによって、ドーパントをテクスチャ領域及び非テクスチャ領域に注入することができる。
一実施の形態において、基板全体及び表面のあらゆるテクスチャ形状（textured features）を等写的に（conformally）ドーピングするのに、イオンプラズマ雲（cloud of ion plasma）を用いる。
一実施の形態において、非テクスチャ領域におけるドーパントの抵抗率は、約２０Ω／□であり、テクスチャ領域におけるドーパントの抵抗率は、約１００Ω／□未満である。テクスチャ領域におけるドーパントとテクスチャ領域との間の接合は徐々に移行しており（graded）、又は非テクスチャ領域におけるドーパントと非テクスチャ領域との接合は徐々に移行しており、あるいはその両方は徐々に移行している。
また、太陽電池製造方法は、グリッド線と接点フィンガとの間にシリサイドを形成し、接点フィンガをバスバーに接続する工程を更に有する。
第３の特徴として、太陽電池製造方法は、平面領域の間にテクスチャ光受容領域を形成するために、基板の上面をエッチングする工程を有する。テクスチャ領域は、ピラミッド形状の要素を含んでいる。また、太陽電池製造方法は、基板の上面にイオンビームを向け、それによって、第１の密度でテクスチャ領域にドーパントを注入し、グリッド線を形成するために、第１の密度よりも高い第２の密度で、平面領域にドーパントを注入する工程を有する。テクスチャ領域におけるドーパントの抵抗率は、１００Ω／□未満であり、平面領域におけるドーパントの抵抗率は、約２０Ω／□である。また、太陽電池製造方法は、接点フィンガをグリッド線に接続する工程を有する。
第４の特徴として、太陽電池は、上部層（top layer）及び下部層（bottom layer）を有する基板を備える。上部層は、ドーパントが第１のドーピングレベルでドーピングされた、ピラミッド形状の領域（pyramidal regions）と、ドーパントが第１のドーピングレベルよりも高い第２のドーピングレベルでドーピングされた、グリッド線を形成する略平面領域とを含む表面を有する。隣接した平面領域の間隔は、５０ミクロン未満である。グリッド線は、シリサイド要素によって金属フィンガに接続され、金属コンタクトは、下部層に接続されている。
第５の特徴として、太陽電池製造装置は、イオンを生成するイオン源と、ビーム成形器と、コントローラとを備える。ビーム成形器は、イオンを含むビームを半導体基板に向ける。コントローラは、半導体基板のテクスチャ光受容領域が第１の密度でイオン注入され、グリッド線を画定する半導体基板の平面領域が第１の密度よりも高い第２の密度でイオン注入されるように、ビーム成形器を指示管理する。
コントローラは、ビームが光受容領域のテクスチャ要素をそれぞれ注入するようにビームを進めるように、ビーム成形器を指示する。
また、コントローラは、ビームが半導体基板に向けられたときに、半導体基板を回転、傾斜又は移動させ、あるいはこれらを組み合わせて動かす。コントローラは、光受容領域の抵抗率が１００Ω／□未満であり、平面領域の抵抗率が２０Ω／□未満であるように、ビーム成形器及びイオン注入の時間を指示する。
負荷に接続された従来の太陽電池の構造を示す斜視図である。 一実施の形態における太陽電池の一部の縦断面図（side cross-sectional view）である。 図２の太陽電池のピラミッド形状のファセット（pyramidal facet）の平面図である。 図２の太陽電池の平面領域（planar region）の深さに対するドーピング濃度を示すグラフである。 図２の太陽電池の非平面（テクスチャ）領域の深さに対するドーピング濃度を示すグラフである。 一実施の形態に基づいて、太陽電池セルのエミッタ領域とファセット領域（faceted regions）にイオンを連続して注入する様子を示す図である。 一実施の形態に基づいて、太陽電池セルのエミッタ領域とファセット領域（faceted regions）にイオンを連続して注入する様子を示す図である。 一実施の形態に基づく均一なドーピング濃度を有する太陽電池の１つのピラミッド形状のファセットを示す図である。 他の実施の形態に基づいて、太陽電池のファセット領域にイオンを注入する様子を示す図である。 他の実施の形態に基づいて、太陽電池のファセット領域にイオンを注入する様子を示す図である。 他の実施の形態に基づいて、太陽電池のファセット領域にイオンを注入する様子を示す図である。 一実施の形態に基づいて、ピラミッド形状のファセットを形成する一連の製造工程中の太陽電池の構造を示す断面図である。 一実施の形態に基づいて、ピラミッド形状のファセットを形成する一連の製造工程中の太陽電池の構造を示す断面図である。 一実施の形態に基づいて、ピラミッド形状のファセットを形成する一連の製造工程中の太陽電池の構造を示す断面図である。 一実施の形態に基づいて、ピラミッド形状のファセットを形成する一連の製造工程中の太陽電池の構造を示す断面図である。 一実施の形態に基づいて、ピラミッド形状のファセットを形成する一連の製造工程中の太陽電池の構造を示す断面図である。 一実施の形態に基づいて、ピラミッド形状のファセットを形成する一連の製造工程中の太陽電池の構造を示す断面図である。 一実施の形態に基づいて、太陽電池を製造する工程のフローチャートである。 一実施の形態に基づいて、太陽電池を製造するイオン注入装置の構成を示すブロック図である。
本発明の実施の形態は、その選択的エミッタ領域（selective emitter region）を高濃度でドーピングするとともに、その光受容領域（photo-receptive regions）を低濃度でドーピングすることによって太陽電池を製造する方法を目的とするものである。幾つかの実施の形態において、選択的エミッタ領域と光受容領域は、同じ処理工程で形成される。
太陽電池の最高の性能を得るために、光受容領域は、均一で高いシート抵抗を示すように低濃度にドーピングされる。より高濃度の高濃度ドーピング領域は、電子と正孔の再結合の可能性が高いので、光子を電力に変換する効率を低下させる。一実施の形態に基づいて、太陽電池の光受容領域のｎ型ドーピング層（n-doped layer）は、８０〜１６０Ω／□のシート抵抗、好ましくは１００Ω／□のシート抵抗、すなわち約１Ｅ＋１９ｃｍ−３のイオンドーピングを示すように、低濃度でドーピングされる。好ましくは、導電性のフィンガ接点（conductive finger contacts）がその上に形成されたグリッド線は、発生電荷を導電性のフィンガ接点に供給するために、より高濃度にドーピングされる。所望の抵抗率が得られるように、選択的エミッタ領域は、１０〜４０Ω／□、好ましくは２５Ω／□、すなわち約１Ｅ＋２０ｃｍ−３のイオンドーピングでドーピングされる。好ましくは、太陽電池の背面は、ｐ型層が３０〜７０Ω／□のシート抵抗を有するようにドーピングされる。
幾つかの実施の形態では、ドーパントを注入するために、成形された平行ビーム（shaped and parallel beams）を用いることにより、注入プロセスをより高速で完了し、生産性を向上させることができる。これらのビームによって、製造された素子（device）における不必要なドーパントの量を減らすことができる。
図２は、一実施の形態に基づく太陽電池２００の一部の構造を示す図であり、光ビーム２５０が光受容領域２２５に衝突する。なお、全ての図面において、同一の指示符号は、同一の構成要素を示している。太陽電池２００は、ｐ型基板２１０を備え、ｐ型基板２１０は、底部の金属コンタクト２０５とｎ型エミッタ層２１５との間に挟まれる。ｐ型基板２１０は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、薄膜シリコン（thin- film deposited silicon）、又は太陽電池及び他の半導体素子を製造するのに用いられるあらゆる他の材料とすることができる。
ｐ型基板２１０とｎ型エミッタ層２１５間の接合面（interface）は、ｐｎ接合２１３を形成している。光受容領域２２５は、１つ以上のファセット領域（faceted regions）を含んでいる（以下、ファセット領域２２５ともいう）。通常は太陽電池２００から反射されてしまう光を、太陽電池２００上に戻すことによって、ファセット領域２２５は、反射によって無駄になる光量を減少させ、これによって、太陽電池の効率を高めている。一実施の形態において、ファセット領域２２５は、更に反射防止コーティング（anti-reflective coating）によって保護されている。
また、太陽電池２００は、ｎ型ドーピング領域（グリッド線）２２０を備え、ｎ型ドーピング領域２２０は、金属接点フィンガ２４０が接続される略平面の上面を有する。
通常、太陽電池は、図２に示すよりも多くのファセット領域及び選択的エミッタ領域を有する。図２は、図面を簡単にするために、１つのファセット領域（ファセット２３０Ａ、２３０Ｂを含む）及び１つの選択的エミッタ領域のみを示している。
図２の実施の形態において、ファセット２３０Ａ、２３０Ｂはそれぞれ、（１１１）面が露出された４面ピラミッド素子である。
図３は、ピラミッド形状のファセット２３０Ａの最上部を示す平面図である。好ましくは、ファセット２３０Ａは、比較的広い底面（base）を有し、その高さは１０ミクロン未満である。当業者には明らかなように、例示的なファセット２３０Ａは、太陽電池２００の表面に光を反射して戻す他の形状だけでなく、他の寸法を有することができる。他の形状として、ファセット２３０Ａは、ドーム形状（dome shaped）である。
図４は、ドーピング領域（以下、平面領域ともいう。）２２０の太陽電池２００の上面からの深さ（Å）に対する原子濃度をプロットしたグラフ３００を示す図である。グラフ３００は、第１の注入段階（first implant stage）３０１による上面に最も近い濃度と、第２の（メイン）注入段階３０３による濃度と、第３の注入段階３０５によるｐｎ接合２１３に最も近い濃度と、全体の濃度３１０とを示している。
図５は、ファセット領域２２５、すなわち非平面のテクスチャ（例えば露出した（１１１）面を有する）領域（以下、テクスチャ領域２２５ともいう。）に沿った太陽電池２００の上面からの深さ（Å）に対する原子濃度をプロットしたグラフ４００を示す図である。グラフ４００は、第１の注入段階４０１による上面に最も近い濃度と、第２の（メイン）注入段階４０３による濃度と、第３の注入段階４０５によるｐｎ接合２１３に最も近い濃度と、全体の濃度４１０とを示している。このドーピングプロフィールは、「不感層（dead layer）」効果を減少させる。
結晶シリコンの（１１１）面と（１００）面に同時に注入することにより、独特な原子プロフィール（unique atomic profile）が得られる。注入ビームに露呈される表面積は、（１００）面を向いている。幾何的に変化させることによって、（１１１）面に注入されるドーズ量は、同時に（１００）面に注入されるドーズ量の０．５７８である。さらに、異なる配向面に対して入射角を変えることによるイオンの侵入（penetration）は、コサイン関数として変化する。例えば、１２０ｋｅＶのイオンビームの投影飛程は、（１００）面の表面からの１６１０Åから、（１１１）面の表面からの９９８Åの間を変化することができる。
図６Ａ、６Ｂは、連続した工程中に、イオンビーム源５００を用いて、図２の平面領域２２０及びファセット２３０Ａをドーピングする様子を示す図である。図６Ａは、最初に太陽電池２００の表面の上に配置され、略平面の平面領域２２０にｎ型ドーパントを注入するイオンビーム源５００を示す図である。次に、図６Ｂに示すように、ファセット２３０Ａの右側及び左側の一部にｎ型ドーパントを注入するように、イオンビーム源５００を配置する。ファセット２３０Ａの右側及び左側の一部の両方は、所定の濃度及びプロファイルにドーピングされる。都合が良いことに、これらの右側及び左側の一部を処理するために、ウェーハの寸法に対するイオンビーム源５００の正確な位置合せ、あるいは細く集束されたイオンビーム（narrowly focused ion beam）を用いる必要がない。
このように注入角度を変化させて注入された領域は、有効に用いることができる。注入角度が垂直入射（normal incidence）から外れるにつれて、ドーパントの横方向の深さ（lateral depth）は、減少する。同様に、イオンビームは、角度のコサインとして、広い範囲に広がる。したがって、ドーパント照射量（dopant dose）は、減少する。このような変化を用いることによって、ドーピング濃度が高い領域と、ドーピング濃度が低い領域に対する深い接合と、浅い接合とを形成することができる。
ファセット２３０Ａによって表面積を増やすことは、他の効果を有する。一例としては、イオン注入中に、更なる表面積は、イオンビーム源５００によって発生された熱を拡散させるので、生産性を向上させるより高密度のイオンビームを用いることができる。
図６Ａに示すように、ファセット２３０Ａの左側の部分は、底面２４０を有する。一実施の形態においては、ビーム直径は、左側の部分と右側の部分の両方を単一ビーム（single beam）で同時にドーピングできるように、底面２４０よりも大きい。他の実施の形態では、ビーム直径は、複数のファセットを同時に注入できる十分な大きさである。当業者には明らかなように、他のビーム直径を用いてもよい。さらにまた、例えば表面のテクスチャ形状を等写的に（conformally）ドーピングするために、全てを包囲する（encompassing）プラズマビームを用いてもよい。
一実施の形態において、イオンビーム源５００は、平面領域２２０、ファセット２３０Ａの上に配置されたとき、イオンビームを、同じ密度（例えば１秒当たりのイオン）で発生する。ファセット２３０Ａは、イオンビームに対して角度を有するので、イオンビームに対してより広い表面積を有し、結果として、同じ電荷が、平面領域２２０よりもファセット２３０Ａの方がより広い面積に荷電される。したがって、平面領域２２０は、ファセット２３０Ａよりも高い濃度でドーピングされている。
一実施の形態において、例示的なファセット２３０Ａは、シリコン基板を（１１１）面に沿ってエッチングすることによって形成され、その結果、ファセットは、基板表面に対して５４．７度の角度を有する面となる。
図６Ａ、６Ｂに、ファセット２３０Ａの傾斜面（sloping (angled) face）に対して垂直でない（non-perpendicular）イオンビーム源５００を示す。この配置において、ファセット２３０Ａに沿ったドーピングの厚さは、ファセット２３０Ａの底面から頂点に向けて増加する。
図７に、ファセット２３０Ａの傾斜面に対して垂直に配置されたイオンビーム源５５０の配置を示す図である。第１の配置５５０Ａでは、イオンビーム源５５０は、ファセット２３０Ａの左側の傾斜面に対して垂直である。第２の配置５５０Ｂでは、イオンビーム源５５０は、ファセットの右側の傾斜面に対して垂直である。
一実施の形態において、単一ビーム源が、順次第１の配置５５０Ａと第２の配置５５０Ｂに配置される。また、他の実施の形態では、左側の部分及び右側の部分を同時にドーピングするように、別々のイオンビーム源が同時に配置される。
一実施の形態に基づいて、太陽電池２００と１つ以上のイオンビーム源は、異なる方法で相対的に移動され、略平面の平面領域２２０と、ファセット２３０Ａ、２３０Ｂを含むファセット領域２３０とをドーピングする。図面を簡単にするために、図８Ａ〜８Ｃには、１つのファセット領域２３０のみを示している。一例として、図８Ａに、太陽電池２００の上面に対して垂直に向けられた１つ以上のイオンビーム源からのイオンを示す。
一実施の形態において、ファセット２３０Ａ、２３０Ｂは、それらを１つのイオンビームで別々に走査することによって、個々にドーピングされる。代わりに、複数の独立した平行のイオンビームによって、ファセット２３０Ａ、２３０Ｂをそれぞれ同時にドーピングする。この方法では、各ファセット又はファセットのグループのドーピングレベルは、別々に制御することができ、太陽電池２００のドーピングプロフィールを正確に調整することができる。
図８Ｂに垂直矢印及び円弧矢印（vertical and circular line）で示すように、太陽電池２００は、太陽電池２００の表面全体がドーパントによってイオン注入されるように、１つ以上のイオンビーム源に対して相対的に、（ｘ軸に沿って）垂直方向に移動でき、（ｙ軸の回りを）回転でき、傾斜させることができ、あるいはこれらの動きを組み合わせて動かすことができる。図８Ｃに示す例においては、１つ以上のイオンビーム源は、イオンがピラミッド形状のファセットの表面に略垂直となるように、向けられている。また、太陽電池２００は、太陽電池２００の表面全体をドーパントによってイオン注入する１つ以上のイオンビーム源に対して、垂直に移動、回転、傾斜、あるいはこれらを組み合わせて動かすことができる。実際、イオンビームは、これらのテクスチャ形状（textured features）を等写的にドーピングするイオンを含むプラズマとすることができる。このことは、特に、マルチグレードシリコン（multigrade silicon）にとって有益であり、マルチグレードシリコンでは、その表面に形成されるファセットは、固有の寸法を有さず、更に、ピンホール（pin holes）及び視線入力ドーパント方式（line-of-sight dopant system）によって観察される凹部ヒロック形状（re-entrant hillock features）を有することができる。このような等写ドーピング（conformal doping）は、表面形状に関係なく、行うことができる。
更に他の実施の形態では、イオンビームは、平面領域２２０に対して垂直な方向又はファセット２３０Ａ、２３０Ｂの各表面に対して垂直な方向と異なる角度で衝突するように、太陽電池２００上に向けられる。これらの異なる角度は、特定の用途に適合する所望のドーピングプロフィールに基づいて決定される。一実施の形態において、この異なる角度は、基板表面に対して垂直な方向から２０度未満しか離れていない。
図９Ａ〜９Ｆは、一実施の形態に基づいて太陽電池を製造する工程中の半導体素子６００の一部の縦断面図である。通常、太陽電池は、図９Ａ〜９Ｆに示す部分に類似した多くの部分を含んでいる。単に図面を簡単にするために、図９Ａ〜９Ｆの部分を示し、他の部分を示していない。
図９Ａに示すように、ｐ型基板６０１を、領域６５５Ａ、６５５Ｂを露出したまま残し、フォトレジスト材料６５０でマスキングする。フォトレジスト材料６５０は、当業者に周知のフォトリソグラフィ技術、標準的な密着焼付け（standard contact printing）技術又はインクジェット印刷技術を用いてパターン化される。グリッド線を形成するフォトレジスト材料６５０の下の領域は、幅が約５０〜１００ミクロンである。したがって、この広い寸法により、サブミクロンの寸法を有する半導体に要求される技術と比較して精度がより低いフォトリソグラフィ技術を用いることができる。
次に、図９Ｂに示すように、半導体素子６００の表面（top layer）をエッチングして、ファセット領域を形成し、そして、犠牲材料であるフォトレジスト材料６５０を除去して、略平面の平面６０３を露出する。好ましくは、エッチングは、酸性又はアルカリ性のエッチ液、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）を用いて、ｐ型基板６０１の（１１１）面（すなわち、ピラミッド形状のファセット領域６０５Ａ、６０５Ｂを含むテクスチャ領域）を露呈させる。当業者には明らかなように、ファセット領域６０５Ａ、６０５Ｂは、光学的技術、機械的技術及び化学的技術を含む他の技術を用いて、形成することができる。また、当業者には明らかなように、ファセット領域６０５Ａ、６０５Ｂは、ピラミッド形状以外の形状、例えば半ドーム（half domes）、起伏のある波（undulating waves）及び他のテクスチャ形状に形成することができる。
次に、図９Ｃ〜９Ｅに示すように、ファセット領域６０５Ａ、平面６０３及びファセット領域６０５Ｂの全ての領域を、平面６０３に略垂直に向けられたｎ型ドーパントの均一ビームを用いて、それぞれイオン注入し、それによって、領域６１５Ａ、６１３、６１５Ｂをそれぞれ形成する。図６Ａ〜６Ｃを用いて説明したように、領域６１５Ａ、６１５Ｂは、角度の付いた表面を有し、領域６１３は、角度を有さないので、１ｃｍ３当たりのｎ型ドーパントの密度は、領域６１３の方が領域６１５Ａ、６１５Ｂよりも高い。したがって、領域６１５Ａ、６１５Ｂのシート抵抗は、領域６１３のシート抵抗よりも大きい。また、領域６１３を、選択的エミッタ領域とも称する。
図９Ｆは、後の処理工程後の半導体素子６００を示す断面図である。これらの処理工程（図示せず）中に、領域６１３の上面に金属イオンを注入して、薄膜層６２０を形成し、そして、薄膜層６２０を、金属導電性のフィンガ６６０で覆う。金属イオン６１０は、フィンガ６６０と選択的エミッタ領域６１３間の仕事関数をより一致させる。金属イオン６１０の例としては、タンタル、アルミニウム、銅又はこれらの組合せを含むが、これらに限定されるものではない。好ましくは、半導体素子６００は、複数のフィンガ６６０を備え、それらの全てはバスバー（図示せず）に接続される。一実施の形態において、フィンガ６６０は、５０〜１００ミクロンの幅を有し、約２〜３ｍｍの間隔で配置される。当業者には明らかなように、他の幅及び間隔を用いてもよい。
次に、また、これらの後の処理工程の１つとして、ｐ型基板６０１の底部にｐ型イオンを注入して、Ｐ＋領域６３０を形成し、それによって、その後に形成される層の導電率を高めている。そして、Ｐ＋領域６３０に更に金属イオンを注入して、金属シリコン領域６４０を形成し、背面の金属コンタクト（metal back side contact）６４５を取り付ける。金属シリコン領域６４０は、Ｐ＋領域６３０と金属コンタクト６４５間の仕事関数を減少させる。
当業者には明らかなように、図９Ａ〜９Ｆを用いて説明した処理工程は、本明細書で説明する全ての処理工程と同様に、単なる例に過ぎない。処理工程のうちの幾つかは、無くすこともでき、他の処理工程で代用することもでき、処理工程は、異なる順番で実行することもできる。一例としては、半導体素子６００の全表面をファセットとすることもできる。そして、レーザビームを用いて、選択的エミッタを形成する略平面の平面領域（平面６０３）を形成する。レーザビームは、選択的エミッタ領域のファセットを融解し、それによって、ファセットの頂点を融解して、頂点間の谷を埋める。そして、図９Ｃ〜９Ｅを用いて説明したドーピング及び他の工程を実行する。
当業者には明らかなように、実施の形態に基づいて、太陽電池及び他の半導体素子を製造する多くの他の方法がある。一例として、ドーパントは、イオン注入によって、あるいはドーピングペーストを蒸着し（depositing）、そして、基板を、例えばフラッシュランプアニーリング又はレーザアニーリングを用いて高速にアニーリングして、ドーピング層のグリッド線を形成する。
図１０は、一実施の形態に基づいて、太陽電池を製造するプロセス７００の工程を示す図である。工程７０１において、プロセス７００を開始する。工程７０３において、半導体基板上に、平面領域（例えば図９Ｃの要素である領域６１３）及び非平面領域（例えば図９Ｃの要素である領域６１５Ａ、６１５Ｂ）を形成する。次に、工程７０５において、ドーピングプロフィール（例えば図５に示すように、深さに基づくドーピングレベル）を、所望の太陽電池特性に基づいて決定する。次に、工程７０７において、次の要素（例えばエミッタ領域、ファセット領域又は各ファセット）を、イオンビームを用いて、ドーピングする。工程７０９において、プロセス７００は、ドーピングする他の要素（例えば次のファセット）があるかを判定する。別の要素がある場合、工程７１１において、イオンビームを動かし、プロセス７００は、工程７０７に戻る。他の実施の形態では、工程７１１において、イオンビームを進めるのではなく、プラズマを用い、すなわち半導体基板の表面全体を包むプラズマエンガルフィングビーム（plasma engulfing beam）を用いる。別の要素がない場合、プロセス７００は、工程７１３に進む。
半導体基板は、所望のドーピングプロフィールに適合するために、任意の数の段階（any number of stages）に分けてイオン注入することができる。一例としては、イオン注入は、例えば図５の複数のドーピングプロフィールに示す３段階で行う。
工程７１３において、コンタクト（例えば、フィンガ、バスバー及びあらゆる背面のコンタクト）を形成し、続く工程７１５において、半導体基板をアニーリングする。半導体基板をアニーリング、すなわち半導体基板を融解温度以下に加熱して、イオン注入によって受けた結晶構造の損傷を回復する。次に、工程７１７において、後処理工程を行う。これらの後処理工程には、洗浄、半導体基板からのあらゆる汚染物質の除去、完成した半導体基板の保護コーティングが含まれる。最後に、工程７１９において、プロセス７００は、終了する。
一実施の形態において、半導体基板は、その表面に、工程７１１中に、ビームを正しい方向に向けて増大させるのに用いる位置合せマーカ（alignment marker）を有する。
工程７１１ではビームを動かすと説明したが、当業者には明らかなように、ビームを動かすのではなく、例えば図８Ｂ、８Ｃに示すように、半導体基板を動かすようにしてもよい。
図１１は、一実施の形態に基づいて、太陽電池を製造するイオン注入装置８００の構成を示すブロック図である。イオン注入装置８００は、単一ガス送出モジュール（single-gas delivery module）８０５と、イオン源８１０と、加速器８１５と、傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール（skewed Beam Scanning, Mass Analysis, and Beam Shaping module）８２０と、測定及び制御モジュール８２５と、半導体素子６００の基板（以下、単に基板６００ともいう。）を取り扱う単一ロードロック８３０とを備える。他の実施の形態（図示せず）においては、単一ガス送出モジュール８０５とイオン源８１０は、プラズマ源モジュール（plasma source module）に置き換えられ、傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール８２０は、基板６００をプラズマビームで包み込むスプレッダ（spreader）に置き換えられる。
一実施の形態において、イオン源８１０は、長いスロット（long slot）を有する。他の実施の形態においては、イオン源８１０は、幅広く且つ薄く、又はプラズマビームを形成するための複数のイオン源を備える。イオン源８１０は、全てのシードの１００ｍＡまでのビーム電流を発生するが、一度には、１つのシード専用とすることができる。また、イオン源８１０は、特定の用途のそれぞれに対してプラグコンパチブルである。すなわち、異なるイオンビーム源を有する新たな用途が必要なとき、イオン源８１０は、取り外され、次の用途の要求（例えば異なるドーパント）を満たす異なるイオン源に置き換えることができる。イオン源８１０は、５〜１０ｃｍ未満の長さと、１〜２ｍｍの幅のビームスロットを有する。あるいは、イオン源８１０は、ブロードビーム（broad beam）を発生できるプラズマ源である。スロットの長さは、１５６ｍｍ×１５６ｍｍの基板の一辺又は両辺をカバーするように、広げることができる。
動作において、単一ガス送出モジュール８０５及びイオン源８１０は、協力してイオンビームを発生し、加速器８１５は、イオンビームを直流方式又はパルス（in DC fashion or pulsed）で加速する。一実施の形態において、加速器８１５は、例えば１５〜１５０ｋｅＶの限られたエネルギ範囲を有する元素（elements）を抽出及び集束する。他の実施の形態においては、他の限られたエネルギ範囲が用いられる。一実施の形態において、イオン注入装置８００のエネルギ必要量を制限するために、加速器８１５は、１００ｋｅＶ以上では動作しない。一実施の形態において、図９Ｂに示すように、基板６００は、エッチングされた後に、イオン注入装置８００に入れられる。
次に、得られた傾斜ビームは、傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール８２０を用いて制御され、例えば図９Ｃ、９Ｄに示すように、基板６００に対して、あるいは図６Ａ、６Ｂ、図７に示すように、図２の太陽電池（半導体基板）２００に対してイオンを注入する。一実施の形態において、傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール８２０は、ビームを基板６００上に集束又は成形する静電及び電磁光学系（electrostatic and electromagnetic optic）を含んでいる。さらに、ビームは、基板６００に衝突する前又は同時に、測定及び制御モジュール８２５によって測定される。基板６００をビームの正面に進め、基板６００の表面全体をカバーする単一ビームを用いて、所定のパターンに基づき、ドーパントを注入することができる。また、基板６００は、例えば図８Ａ〜８Ｃに示すように、回転、移動、傾斜させることができる。
イオンビームは、基板６００の平面全体に一定のイオン束を供給する、すなわち基板６００の平面全体を走査するブロードビーム（例えば直径が数１０ｃｍ）とすることができる。ビームは、好ましくは、基板６００の平面全体を、すなわち平面領域及びファセット領域全体を均一な速度で走査する。走査速度を変えることにより、ガウス分布のビーム（Gaussian spread of the beam）を重ね合わせることによって高濃度ドーピング領域と低濃度ドーピング領域を変えることを達成することができる。
イオンビームは、局部加熱（localized heating）の原因となる。したがって、幅が広いイオン注入ビームは、走査速度を遅くすることができ、ナロービームでは、走査速度を速くすることができる。必要なドーピング濃度にするためには、例えば図５の３段階のイオンに示すように、複数のパスが必要である。
好ましくは、傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール８２０は、実施の形態に基づいて、基板をドーピングする論理回路（logic）を備える。あるいは、論理回路は、イオン注入装置８００の他の要素内に含まれている。好ましくは、論理回路は、処理工程（例えば図１０に示す工程７０３、７０５、７０７、７０９、７１１、７１３、７１５、７１７のうちの１つ以上）を実行する機械読取可能な命令を格納したメモリと、それらの工程を実行するプロセッサとを備える。
一実施の形態において、基板６００は、１５６ｍｍ×１５６ｍｍであるが、イオン注入装置８００は、他の寸法のウェハも処理する能力を有する。他の実施の形態では、ウェハは、可動盤（moving platen）上に搭載されてビームの前に配置され、あるいは、１枚以上のウェハが、トレイに入れられて、ビーム又はプラズマに暴露される。
最後に、イオン注入装置８００から、処理された１枚の基板６００が単一ロードロック８３０を介して取り出される。
上述の実施の形態は、単に例示に過ぎないことは言うまでもない。例えば、上述の実施の形態では、ｎ型エミッタ層を有するｐ型基板を示した。実施の形態に基づいて、ｐ型エミッタ層を有するｎ型基板を製造できることは言うまでもない。
以下の係属中の特許出願、すなわち、２００９年６月１１日に出願された国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０４７１０２「Solar Cell Fabrication Using Implantation」（発明者Babak Adibi及びEdward S. Murrer、代理人事件簿番号 SITI-00100）、２００９年６月１１日に出願された国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０４７０９４「Application Specific Implant System and Method for Use in Solar Cell Fabrications」（発明者Babak Adibi及びEdward S. Murrer、代理人事件簿番号SITI-00200）、２００９年６月１１日に出願された国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０４７１０９「Formation of Solar Cell-Selective Emitter Using Implant and Anneal Method」（発明者Babak Adibi及びEdward S. Murrer、代理人事件簿番号SITI-00300）は、太陽電池の別の製造方法を記載しており、これらの特許出願は、引用することにより、本願に援用される。
上述した実施の形態では、太陽電池について説明したが、他の実施の形態として、任意の数のドーピングプロフィールを有する他の種類の半導体素子のために用いることができる。これらの分布は、緩やかな及び急速な分布、例えば、電気的障壁の形成を防止する他の分布だけではなく、ボックス接合（box junctions）を含む。
従来の技術の限界を説明したが、各実施の形態が全ての従来の技術の限界を解決するというわけではないことは言うまでもない。幾つかの実施の形態は、幾つかの限界を解決することができ、他の実施の形態は、他の限界を解決することができる。
当業者には明らかなように他の変更が、特許請求の範囲によって定義される発明の精神（spirit）及び範囲から逸脱することなく、上述した実施の形態を変更することができる。

Claims (28)

  1. 不感層効果を減少させるドーピングプロフィールを形成するための、上面に最も近い第１の注入段階、第２の注入段階、及び、ＰＮ接合に最も近い第３の注入段階で、深さに対する原子濃度が異なるようにドーパントがドーピングされたテクスチャ領域と、グリッド線を形成するための、上面に最も近い第１の注入段階、第２の注入段階、及び、ＰＮ接合に最も近い第３の注入段階で、深さに対する原子濃度が異なるようにドーパントがドーピングされた、該グリッド線を形成する非テクスチャ領域とを含む表面を有する基板と、
    上記グリッド線に接続された導電性のフィンガとを備える半導体装置。
  2. 上記テクスチャ領域は、光受容性であることを特徴する請求項１記載の半導体装置。
  3. 上記テクスチャ領域のそれぞれは、複数のテクスチャ要素を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  4. 上記テクスチャ要素のそれぞれは、ピラミッド形状であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
  5. 上記テクスチャ要素のそれぞれは、（１１１）面を有することを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
  6. 上記テクスチャ要素のそれぞれは、ドーム形状であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
  7. 上記複数のテクスチャ要素のそれぞれ上の上記ドーパントの厚さは、均一であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
  8. 上記テクスチャ領域のそれぞれは、反射防止コーティングで保護されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  9. 上記ドーパントは、ｎ型であり、上記基板は、ｐ型であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  10. 上記ドーパントは、ｐ型であり、上記基板は、ｎ型であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  11. 上記非テクスチャ領域の上記ドーパントには、金属シードが点在することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  12. 上記基板は、不純物を含む金属コンタクトに接続された底部を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  13. 太陽電池を製造する太陽電池製造方法において、
    基板の非テクスチャ領域及びテクスチャ領域を有する表面をイオンに暴露して、該テクスチャ領域に、不感層効果を減少させるドーピングプロフィールを形成するための、上面に最も近い第１の注入段階、第２の注入段階、及び、ＰＮ接合に最も近い第３の注入段階で、深さに対する原子濃度が異なるようにドーパントを注入し、該非テクスチャ領域に、グリッド線を形成するための、上面に最も近い第１の注入段階、第２の注入段階、及び、ＰＮ接合に最も近い第３の注入段階で、深さに対する原子濃度が異なるようにドーパントを注入する工程と、
    接点フィンガをグリッド線に接続する工程とを有する太陽電池製造方法。
  14. 上記テクスチャ領域のそれぞれは、複数のテクスチャ要素を備えることを特徴とする請求項１３記載の太陽電池製造方法。
  15. 上記複数のテクスチャ要素は、ピラミッド形状であることを特徴とする請求項１４記載の太陽電池製造方法。
  16. 上記複数のテクスチャ要素は、半球形状であることを特徴とする請求項１４記載の太陽電池製造方法。
  17. 上記表面を暴露することは、上記ドーパントを含むイオンビームを、該表面に向けることであることを特徴とする請求項１３記載の太陽電池製造方法。
  18. 上記イオンビームは、上記ドーパントを上記複数のテクスチャ要素のそれぞれに別々に注入することを特徴とする請求項１７記載の太陽電池製造方法。
  19. 上記イオンビームを、上記表面全体を線形的に走査する工程を更に有し、
    この工程によって、上記ドーパントを注入することを特徴とする請求項１７記載の太陽電池製造方法。
  20. 上記表面を暴露することは、該表面をプラズマビームによって包み込むことであることを特徴とする請求項１３記載の太陽電池製造方法。
  21. 上記テクスチャ領域は、光受容性であることを特徴とする請求項１３記載の太陽電池製造方法。
  22. イオン源が上記複数のテクスチャ要素のそれぞれの表面に対して略垂直であるように、該イオン源、上記基板又はその両方を回転させる工程を更に有する請求項１３記載の太陽電池製造方法。
  23. 上記非テクスチャ領域における上記ドーパントの抵抗率は、約２０Ω／□であることを特徴とする請求項１３記載の太陽電池製造方法。
  24. 上記テクスチャ領域における上記ドーパントの抵抗率は、約１００Ω／□であることを特徴とする請求項１３記載の太陽電池製造方法。
  25. 上記グリッド線を金属接点フィンガに接続する工程を更に有する請求項１３記載の太陽電池製造方法。
  26. 上記グリッド線と上記金属接点フィンガ間にシリサイドを形成する工程を更に有する請求項２５記載の太陽電池製造方法。
  27. 太陽電池を製造する太陽電池製造方法において、
    基板の上面をエッチングして、平面領域間に、ピラミッド形状の要素を有するテクスチャ光受容領域を形成する工程と、
    イオンビームを上記上面向け、不感層効果を減少させるドーピングプロフィールを形成するための、上面に最も近い第１の注入段階、第２の注入段階、及び、ＰＮ接合に最も近い第３の注入段階で、深さに対する原子濃度が異なるようにドーパントを、上記テクスチャ光受容領域に注入し、グリッド線を形成するための、上面に最も近い第１の注入段階、第２の注入段階、及び、ＰＮ接合に最も近い第３の注入段階で、深さに対する原子濃度が異なるようにドーパントを、グリッド線を形成する上記平面領域に注入する工程と、
    上記グリッド線に接点フィンガを接続する工程とを有し、
    上記テクスチャ光受容領域における上記ドーパントの抵抗率は、１００Ω／□未満であり、上記平面領域における上記ドーパントの抵抗率は、約２０Ω／□であることを特徴とする太陽電池製造方法。
  28. 上部層及び下部層を有する基板と、
    グリッド線を金属フィンガに接続するシリサイド要素と、
    上記下部層に接続された接点とを備え、
    上記上部層は、不感層効果を減少させるドーピングプロフィールを形成するための、上面に最も近い第１の注入段階、第２の注入段階、及び、ＰＮ接合に最も近い第３の注入段階で、深さに対する原子濃度が異なるようにドーパントがドーピングされた、ピラミッド形状の領域と、グリッド線を形成するための、上面に最も近い第１の注入段階、第２の注入段階、及び、ＰＮ接合に最も近い第３の注入段階で、深さに対する原子濃度が異なるようにドーパントがドーピングされた、上記グリッド線を形成する略平面領域とを含む表面を有し、隣接した略平面領域間の距離は、５０ミクロン未満であり、上記基板の厚さ５０ミクロン未満であることを特徴とする太陽電池。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9303314B2 (en) 2009-06-23 2016-04-05 Intevac, Inc. Ion implant system having grid assembly
US9318332B2 (en) 2012-12-19 2016-04-19 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant
US9324598B2 (en) 2011-11-08 2016-04-26 Intevac, Inc. Substrate processing system and method

Families Citing this family (128)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
JP5276994B2 (ja) * 2006-02-28 2013-08-28 チバ ホールディング インコーポレーテッド 抗菌剤化合物
WO2007128141A1 (de) * 2006-05-04 2007-11-15 Elektrobit Wireless Communications Ltd. Verfahren zur inbetriebnahme eines rfid-netzwerks
US8461032B2 (en) * 2008-03-05 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Use of dopants with different diffusivities for solar cell manufacture
US20090317937A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-24 Atul Gupta Maskless Doping Technique for Solar Cells
US20090239363A1 (en) * 2008-03-24 2009-09-24 Honeywell International, Inc. Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes
JP2011525301A (ja) 2008-06-11 2011-09-15 インテバック・インコーポレイテッド イオン注入装置及び半導体素子製造方法
US8053867B2 (en) 2008-08-20 2011-11-08 Honeywell International Inc. Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants
US7951696B2 (en) 2008-09-30 2011-05-31 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming N-type and P-type doped regions using non-contact printing processes
TW201030998A (en) 2008-10-23 2010-08-16 Alta Devices Inc Photovoltaic device
US7820532B2 (en) 2008-12-29 2010-10-26 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type element profiles
US8518170B2 (en) 2008-12-29 2013-08-27 Honeywell International Inc. Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks
JP5297840B2 (ja) * 2009-03-03 2013-09-25 シャープ株式会社 積層体、薄膜光電変換素子、集積型薄膜太陽電池およびそれらの製造方法
US9076914B2 (en) 2009-04-08 2015-07-07 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for processing a substrate
US9006688B2 (en) * 2009-04-08 2015-04-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for processing a substrate using a mask
US8900982B2 (en) 2009-04-08 2014-12-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for processing a substrate
US8330128B2 (en) * 2009-04-17 2012-12-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Implant mask with moveable hinged mask segments
US9318644B2 (en) 2009-05-05 2016-04-19 Solexel, Inc. Ion implantation and annealing for thin film crystalline solar cells
US20110027463A1 (en) * 2009-06-16 2011-02-03 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Workpiece handling system
TW201104822A (en) * 2009-07-20 2011-02-01 E Ton Solar Tech Co Ltd Aligning method of patterned electrode in a selective emitter structure
US8324089B2 (en) 2009-07-23 2012-12-04 Honeywell International Inc. Compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, methods for fabricating such compositions, and methods for forming doped regions using such compositions
US8008176B2 (en) * 2009-08-11 2011-08-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Masked ion implant with fast-slow scan
US9911781B2 (en) 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9673243B2 (en) 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9691921B2 (en) 2009-10-14 2017-06-27 Alta Devices, Inc. Textured metallic back reflector
US9768329B1 (en) 2009-10-23 2017-09-19 Alta Devices, Inc. Multi-junction optoelectronic device
US9502594B2 (en) * 2012-01-19 2016-11-22 Alta Devices, Inc. Thin-film semiconductor optoelectronic device with textured front and/or back surface prepared from template layer and etching
US20150380576A1 (en) 2010-10-13 2015-12-31 Alta Devices, Inc. Optoelectronic device with dielectric layer and method of manufacture
US11271128B2 (en) 2009-10-23 2022-03-08 Utica Leaseco, Llc Multi-junction optoelectronic device
US9136422B1 (en) 2012-01-19 2015-09-15 Alta Devices, Inc. Texturing a layer in an optoelectronic device for improved angle randomization of light
US20170141256A1 (en) 2009-10-23 2017-05-18 Alta Devices, Inc. Multi-junction optoelectronic device with group iv semiconductor as a bottom junction
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US8461030B2 (en) 2009-11-17 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus and method for controllably implanting workpieces
KR20110089497A (ko) * 2010-02-01 2011-08-09 삼성전자주식회사 기판에의 불순물 도핑 방법, 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 태양 전지
US8735234B2 (en) * 2010-02-18 2014-05-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Self-aligned ion implantation for IBC solar cells
US8921149B2 (en) * 2010-03-04 2014-12-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Aligning successive implants with a soft mask
US8912082B2 (en) * 2010-03-25 2014-12-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Implant alignment through a mask
TW201133905A (en) * 2010-03-30 2011-10-01 E Ton Solar Tech Co Ltd Method of forming solar cell
US8084293B2 (en) * 2010-04-06 2011-12-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Continuously optimized solar cell metallization design through feed-forward process
JP2011228360A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Institute Of Physical & Chemical Research 太陽電池
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
US20120111396A1 (en) * 2010-05-04 2012-05-10 Sionyx, Inc. Photovoltaic Devices and Associated Methods
CN101866971A (zh) * 2010-05-18 2010-10-20 常州亿晶光电科技有限公司 具有选择性发射级太阳能电池片
TWI399863B (zh) * 2010-05-26 2013-06-21 Inventec Solar Energy Corp 快速升溫退火裝置及形成太陽能電池選擇性射極結構的方法
US8071418B2 (en) * 2010-06-03 2011-12-06 Suniva, Inc. Selective emitter solar cells formed by a hybrid diffusion and ion implantation process
US8110431B2 (en) * 2010-06-03 2012-02-07 Suniva, Inc. Ion implanted selective emitter solar cells with in situ surface passivation
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
WO2011158514A1 (ja) 2010-06-17 2011-12-22 パナソニック株式会社 多結晶型太陽電池パネルおよびその製造方法
CN103081128B (zh) 2010-06-18 2016-11-02 西奥尼克斯公司 高速光敏设备及相关方法
US8563351B2 (en) 2010-06-25 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing photovoltaic device
US8293645B2 (en) 2010-06-30 2012-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming photovoltaic cell
US8664100B2 (en) * 2010-07-07 2014-03-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Manufacturing high efficiency solar cell with directional doping
CN102376789A (zh) * 2010-08-24 2012-03-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 选择性发射极太阳能电池及制备方法
US20110139231A1 (en) * 2010-08-25 2011-06-16 Daniel Meier Back junction solar cell with selective front surface field
US9773928B2 (en) * 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
TWI431797B (zh) 2010-10-19 2014-03-21 Ind Tech Res Inst 選擇性射極之太陽能電池及其製作方法
US9231061B2 (en) 2010-10-25 2016-01-05 The Research Foundation Of State University Of New York Fabrication of surface textures by ion implantation for antireflection of silicon crystals
TWI469368B (zh) * 2010-11-17 2015-01-11 Intevac Inc 在太陽能電池製造中供固態磊晶成長之直流電離子注入
KR101411726B1 (ko) * 2010-12-10 2014-06-26 데이진 가부시키가이샤 반도체 적층체, 반도체 디바이스, 및 그들의 제조 방법
EP2490268A1 (en) * 2011-02-03 2012-08-22 Imec Method for fabricating photovoltaic cells
EP2684210A4 (en) * 2011-03-08 2014-08-20 Alliance Sustainable Energy EFFICIENT BLACK SILICON PHOTOVOLTAIC DEVICES HAVING A BETTER RESPONSE TO BLUE
JP5496136B2 (ja) * 2011-03-25 2014-05-21 三菱電機株式会社 光起電力装置および光起電力モジュール
TWI424582B (zh) * 2011-04-15 2014-01-21 Au Optronics Corp 太陽能電池的製造方法
JP5665975B2 (ja) * 2011-04-15 2015-02-04 三菱電機株式会社 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール
WO2012166749A2 (en) * 2011-05-27 2012-12-06 Solexel, Inc. Ion implantation and annealing for high efficiency back-contact back-junction solar cells
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
US8697559B2 (en) * 2011-07-07 2014-04-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Use of ion beam tails to manufacture a workpiece
EP2732402A2 (en) 2011-07-13 2014-05-21 Sionyx, Inc. Biometric imaging devices and associated methods
US8778448B2 (en) * 2011-07-21 2014-07-15 International Business Machines Corporation Method of stabilizing hydrogenated amorphous silicon and amorphous hydrogenated silicon alloys
WO2013015362A1 (ja) * 2011-07-28 2013-01-31 京セラ株式会社 太陽電池素子および太陽電池モジュール
US8629294B2 (en) 2011-08-25 2014-01-14 Honeywell International Inc. Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants
CN102969214B (zh) * 2011-08-31 2017-08-25 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置及具有其的基板处理系统
US8975170B2 (en) 2011-10-24 2015-03-10 Honeywell International Inc. Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions
US8507298B2 (en) 2011-12-02 2013-08-13 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Patterned implant of a dielectric layer
KR101902887B1 (ko) * 2011-12-23 2018-10-01 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
CN103199146A (zh) * 2012-01-04 2013-07-10 茂迪股份有限公司 太阳能电池制造方法
US11038080B2 (en) 2012-01-19 2021-06-15 Utica Leaseco, Llc Thin-film semiconductor optoelectronic device with textured front and/or back surface prepared from etching
KR102044464B1 (ko) * 2012-01-30 2019-11-13 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US20130199604A1 (en) * 2012-02-06 2013-08-08 Silicon Solar Solutions Solar cells and methods of fabrication thereof
KR101807791B1 (ko) 2012-03-05 2018-01-18 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
WO2013152054A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-10 Nusola Inc. Photovoltaic cell and process of manufacture
US20130255774A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-03 Nusola, Inc. Photovoltaic cell and process of manufacture
JP2015519729A (ja) * 2012-04-02 2015-07-09 ヌソラ インコーポレイテッドｎｕｓｏｌａ Ｉｎｃ． 光電変換素子及びその製造方法
US9099578B2 (en) 2012-06-04 2015-08-04 Nusola, Inc. Structure for creating ohmic contact in semiconductor devices and methods for manufacture
US9412895B2 (en) 2012-04-04 2016-08-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing photoelectric device
US8895325B2 (en) * 2012-04-27 2014-11-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for aligning substrates for multiple implants
KR101879781B1 (ko) * 2012-05-11 2018-08-16 엘지전자 주식회사 태양 전지, 불순물층의 형성 방법 및 태양 전지의 제조 방법
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
US9530923B2 (en) * 2012-12-21 2016-12-27 Sunpower Corporation Ion implantation of dopants for forming spatially located diffusion regions of solar cells
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
JP6466346B2 (ja) 2013-02-15 2019-02-06 サイオニクス、エルエルシー アンチブルーミング特性を有するハイダイナミックレンジｃｍｏｓ画像センサおよび関連づけられた方法
US9029049B2 (en) * 2013-02-20 2015-05-12 Infineon Technologies Ag Method for processing a carrier, a carrier, an electronic device and a lithographic mask
US9939251B2 (en) 2013-03-15 2018-04-10 Sionyx, Llc Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
FR3003687B1 (fr) * 2013-03-20 2015-07-17 Mpo Energy Procede de dopage de plaques de silicium
CN104078519A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池片及其制备方法
CN103280489B (zh) * 2013-05-17 2016-02-03 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种实现选择性发射极的方法
CN103268905B (zh) * 2013-05-17 2017-02-08 浙江正泰太阳能科技有限公司 太阳能晶硅电池的制造方法
WO2014209421A1 (en) 2013-06-29 2014-12-31 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
FR3010227B1 (fr) * 2013-09-04 2015-10-02 Commissariat Energie Atomique Procede de formation d'une cellule photovoltaique
US9577134B2 (en) 2013-12-09 2017-02-21 Sunpower Corporation Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap
US9960287B2 (en) 2014-02-11 2018-05-01 Picasolar, Inc. Solar cells and methods of fabrication thereof
FR3018391B1 (fr) * 2014-03-07 2016-04-01 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d’une cellule photovoltaique a dopage selectif
US9337369B2 (en) * 2014-03-28 2016-05-10 Sunpower Corporation Solar cells with tunnel dielectrics
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US9343312B2 (en) * 2014-07-25 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High temperature intermittent ion implantation
CN105489489B (zh) * 2014-10-09 2019-03-15 江苏中科君芯科技有限公司 半导体器件的制作方法、ti-igbt的制作方法
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
US20160284913A1 (en) * 2015-03-27 2016-09-29 Staffan WESTERBERG Solar cell emitter region fabrication using substrate-level ion implantation
CN105070789B (zh) * 2015-08-20 2017-11-10 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池发射极的制备方法
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
CN105845776A (zh) * 2016-04-26 2016-08-10 泰州中来光电科技有限公司 局部背场n型光伏电池的制备方法及其电池和组件、系统
US11018225B2 (en) 2016-06-28 2021-05-25 International Business Machines Corporation III-V extension by high temperature plasma doping
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
KR101833936B1 (ko) 2017-11-24 2018-03-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
US10796899B2 (en) * 2018-12-28 2020-10-06 Micron Technology, Inc. Silicon doping for laser splash blockage
CN110098283A (zh) * 2019-04-25 2019-08-06 晶科能源科技（海宁）有限公司 一种匹配激光选择性掺杂的离子注入磷扩散方法
KR102676355B1 (ko) * 2021-12-22 2024-06-19 재단법인 구미전자정보기술원 단결정 실리콘 기반 자외선 센서를 이용한 라인 스캐너 및 이의 제조 방법
CN117316759B (zh) * 2023-11-28 2024-02-20 武汉鑫威源电子科技有限公司 提高p型氮化镓掺杂效率的方法以及装置

Family Cites Families (328)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US554854A (en) * 1896-02-18 John f
US3786359A (en) * 1969-03-28 1974-01-15 Alpha Ind Inc Ion accelerator and ion species selector
US3607450A (en) 1969-09-26 1971-09-21 Us Air Force Lead sulfide ion implantation mask
US3790412A (en) 1972-04-07 1974-02-05 Bell Telephone Labor Inc Method of reducing the effects of particle impingement on shadow masks
US3969746A (en) 1973-12-10 1976-07-13 Texas Instruments Incorporated Vertical multijunction solar cell
US3969163A (en) 1974-09-19 1976-07-13 Texas Instruments Incorporated Vapor deposition method of forming low cost semiconductor solar cells including reconstitution of the reacted gases
US3948682A (en) * 1974-10-31 1976-04-06 Ninel Mineevna Bordina Semiconductor photoelectric generator
US3976508A (en) 1974-11-01 1976-08-24 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Tubular solar cell devices
JPS5165774U (ja) 1974-11-20 1976-05-24
US4144094A (en) 1975-01-06 1979-03-13 Motorola, Inc. Radiation responsive current generating cell and method of forming same
US4004949A (en) * 1975-01-06 1977-01-25 Motorola, Inc. Method of making silicon solar cells
US4072541A (en) * 1975-11-21 1978-02-07 Communications Satellite Corporation Radiation hardened P-I-N and N-I-P solar cells
US4095329A (en) 1975-12-05 1978-06-20 Mobil Tyco Soalar Energy Corporation Manufacture of semiconductor ribbon and solar cells
US4152536A (en) 1975-12-05 1979-05-01 Mobil Tyco Solar Energy Corp. Solar cells
US4021276A (en) * 1975-12-29 1977-05-03 Western Electric Company, Inc. Method of making rib-structure shadow mask for ion implantation
US4070689A (en) * 1975-12-31 1978-01-24 Motorola Inc. Semiconductor solar energy device
US4131488A (en) * 1975-12-31 1978-12-26 Motorola, Inc. Method of semiconductor solar energy device fabrication
US4001864A (en) * 1976-01-30 1977-01-04 Gibbons James F Semiconductor p-n junction solar cell and method of manufacture
US4056404A (en) 1976-03-29 1977-11-01 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Flat tubular solar cells and method of producing same
US4090213A (en) * 1976-06-15 1978-05-16 California Institute Of Technology Induced junction solar cell and method of fabrication
US4070205A (en) 1976-12-08 1978-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Aluminum arsenide eutectic gallium arsenide solar cell
US4116717A (en) 1976-12-08 1978-09-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Ion implanted eutectic gallium arsenide solar cell
US4086102A (en) 1976-12-13 1978-04-25 King William J Inexpensive solar cell and method therefor
US4179311A (en) 1977-01-17 1979-12-18 Mostek Corporation Method of stabilizing semiconductor device by converting doped poly-Si to polyoxides
US4131486A (en) 1977-01-19 1978-12-26 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Back wall solar cell
US4141756A (en) * 1977-10-14 1979-02-27 Honeywell Inc. Method of making a gap UV photodiode by multiple ion-implantations
US4152824A (en) 1977-12-30 1979-05-08 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Manufacture of solar cells
US4301592A (en) 1978-05-26 1981-11-24 Hung Chang Lin Method of fabricating semiconductor junction device employing separate metallization
US4219830A (en) 1978-06-19 1980-08-26 Gibbons James F Semiconductor solar cell
US4253881A (en) * 1978-10-23 1981-03-03 Rudolf Hezel Solar cells composed of semiconductive materials
US4227941A (en) 1979-03-21 1980-10-14 Massachusetts Institute Of Technology Shallow-homojunction solar cells
US4273950A (en) 1979-05-29 1981-06-16 Photowatt International, Inc. Solar cell and fabrication thereof using microwaves
DE2941908C2 (de) * 1979-10-17 1986-07-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Herstellen einer eine Silizium-Schicht aufweisenden Solarzelle
US4490573A (en) 1979-12-26 1984-12-25 Sera Solar Corporation Solar cells
DK79780A (da) 1980-02-25 1981-08-26 Elektronikcentralen Solcelle med et halvlederkrystal og med en belyst overflade batteri af solceller og fremgangsmaade til fremstilling af samme
JPS5713777A (en) * 1980-06-30 1982-01-23 Shunpei Yamazaki Semiconductor device and manufacture thereof
USRE31151E (en) 1980-04-07 1983-02-15 Inexpensive solar cell and method therefor
US4295002A (en) 1980-06-23 1981-10-13 International Business Machines Corporation Heterojunction V-groove multijunction solar cell
US4322571A (en) * 1980-07-17 1982-03-30 The Boeing Company Solar cells and methods for manufacture thereof
DE3135933A1 (de) 1980-09-26 1982-05-19 Unisearch Ltd., Kensington, New South Wales Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
US4421577A (en) 1980-11-10 1983-12-20 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method for making Schottky barrier diodes with engineered heights
US4353160A (en) 1980-11-24 1982-10-12 Spire Corporation Solar cell junction processing system
DE3049376A1 (de) 1980-12-29 1982-07-29 Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur herstellung vertikaler pn-uebergaenge beim ziehen von siliciumscheiben aus einer siliciumschmelze
US4379944A (en) * 1981-02-05 1983-04-12 Varian Associates, Inc. Grooved solar cell for deployment at set angle
JPS57132373A (en) * 1981-02-10 1982-08-16 Agency Of Ind Science & Technol Manufacture of solar battery
EP0078336B1 (de) 1981-10-30 1988-02-03 Ibm Deutschland Gmbh Schattenwurfmaske für die Ionenimplantation und die Ionenstrahllithographie
JPS58164134A (ja) * 1982-03-24 1983-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
DE3234678A1 (de) 1982-09-18 1984-04-05 Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt Solarzelle
US4479027A (en) 1982-09-24 1984-10-23 Todorof William J Multi-layer thin-film, flexible silicon alloy photovoltaic cell
US4456489A (en) 1982-10-15 1984-06-26 Motorola, Inc. Method of forming a shallow and high conductivity boron doped layer in silicon
US4587430A (en) 1983-02-10 1986-05-06 Mission Research Corporation Ion implantation source and device
DE3308269A1 (de) 1983-03-09 1984-09-13 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh Solarzelle
US4539431A (en) 1983-06-06 1985-09-03 Sera Solar Corporation Pulse anneal method for solar cell
US4847504A (en) * 1983-08-15 1989-07-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for ion implantation
US4589191A (en) * 1983-10-20 1986-05-20 Unisearch Limited Manufacture of high efficiency solar cells
US4522657A (en) 1983-10-20 1985-06-11 Westinghouse Electric Corp. Low temperature process for annealing shallow implanted N+/P junctions
US4524237A (en) 1984-02-08 1985-06-18 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Increased voltage photovoltaic cell
US4542256A (en) 1984-04-27 1985-09-17 University Of Delaware Graded affinity photovoltaic cell
JPH0630237B2 (ja) 1984-09-10 1994-04-20 株式会社日立製作所 イオン打込み装置
GB8423558D0 (en) 1984-09-18 1984-10-24 Secr Defence Semi-conductor solar cells
US4667060A (en) 1985-05-28 1987-05-19 Spire Corporation Back junction photovoltaic solar cell
JPS61294866A (ja) * 1985-06-21 1986-12-25 Nippon Texas Instr Kk 電荷結合型半導体装置
JPS6215864A (ja) * 1985-07-15 1987-01-24 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
DE3536299A1 (de) 1985-10-11 1987-04-16 Nukem Gmbh Solarzelle aus silizium
US4676845A (en) 1986-02-18 1987-06-30 Spire Corporation Passivated deep p/n junction
US4665277A (en) * 1986-03-11 1987-05-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Floating emitter solar cell
US4719355A (en) * 1986-04-10 1988-01-12 Texas Instruments Incorporated Ion source for an ion implanter
US4737688A (en) * 1986-07-22 1988-04-12 Applied Electron Corporation Wide area source of multiply ionized atomic or molecular species
JPS63143876A (ja) 1986-12-08 1988-06-16 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
DE3712503A1 (de) 1987-04-13 1988-11-03 Nukem Gmbh Solarzelle
US4830678A (en) * 1987-06-01 1989-05-16 Todorof William J Liquid-cooled sealed enclosure for concentrator solar cell and secondary lens
US4834805A (en) * 1987-09-24 1989-05-30 Wattsun, Inc. Photovoltaic power modules and methods for making same
JPH01290267A (ja) * 1988-05-18 1989-11-22 Fuji Electric Co Ltd 光電変換素子の製造方法
DE68923061T2 (de) 1988-11-16 1995-11-09 Mitsubishi Electric Corp Sonnenzelle.
JP2808004B2 (ja) * 1989-01-30 1998-10-08 京セラ株式会社 太陽電池
US5132544A (en) * 1990-08-29 1992-07-21 Nissin Electric Company Ltd. System for irradiating a surface with atomic and molecular ions using two dimensional magnetic scanning
JP2875892B2 (ja) * 1990-12-20 1999-03-31 三菱重工業株式会社 立方晶窒化ほう素膜の形成方法
US5112409A (en) 1991-01-23 1992-05-12 Solarex Corporation Solar cells with reduced recombination under grid lines, and method of manufacturing same
US5125983A (en) * 1991-04-22 1992-06-30 Electric Power Research Institute, Inc. Generating electric power from solar radiation
US5113735A (en) * 1991-04-23 1992-05-19 Alcan International Limited Slitting apparatus
USH1637H (en) * 1991-09-18 1997-03-04 Offord; Bruce W. Laser-assisted fabrication of bipolar transistors in silicon-on-sapphire (SOS)
JPH0797653B2 (ja) * 1991-10-01 1995-10-18 工業技術院長 光電変換素子
JP2837296B2 (ja) 1991-10-17 1998-12-14 シャープ株式会社 太陽電池
DE4217428A1 (de) * 1991-12-09 1993-06-17 Deutsche Aerospace Hochleistungs-solarzellenstruktur
US5356488A (en) 1991-12-27 1994-10-18 Rudolf Hezel Solar cell and method for its manufacture
DE4202455C1 (ja) * 1992-01-29 1993-08-19 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
TW232079B (ja) 1992-03-17 1994-10-11 Wisconsin Alumni Res Found
US5374456A (en) 1992-12-23 1994-12-20 Hughes Aircraft Company Surface potential control in plasma processing of materials
US6084175A (en) * 1993-05-20 2000-07-04 Amoco/Enron Solar Front contact trenches for polycrystalline photovoltaic devices and semi-conductor devices with buried contacts
US5421889A (en) 1993-06-29 1995-06-06 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for inverting samples in a process
JP3159583B2 (ja) * 1993-11-10 2001-04-23 シャープ株式会社 太陽電池およびその製造方法
KR100366910B1 (ko) 1994-04-05 2003-03-04 소니 가부시끼 가이샤 반도체장치의제조방법
FR2722612B1 (fr) 1994-07-13 1997-01-03 Centre Nat Rech Scient Procede de fabrication d'un materiau ou dispositif photovoltaique, materiau ou dispositif ainsi obteu et photopile comprenant un tel materiau ou dispositif
US5583368A (en) 1994-08-11 1996-12-10 International Business Machines Corporation Stacked devices
US5693376A (en) 1995-06-23 1997-12-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Method for plasma source ion implantation and deposition for cylindrical surfaces
US5554854A (en) * 1995-07-17 1996-09-10 Eaton Corporation In situ removal of contaminants from the interior surfaces of an ion beam implanter
US5653811A (en) 1995-07-19 1997-08-05 Chan; Chung System for the plasma treatment of large area substrates
US5863831A (en) * 1995-08-14 1999-01-26 Advanced Materials Engineering Research, Inc. Process for fabricating semiconductor device with shallow p-type regions using dopant compounds containing elements of high solid solubility
GB2343547B (en) 1995-11-08 2000-06-21 Applied Materials Inc An ion implanter with substrate neutralizer
GB2344213B (en) * 1995-11-08 2000-08-09 Applied Materials Inc An ion implanter with improved field control
US5641362A (en) 1995-11-22 1997-06-24 Ebara Solar, Inc. Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell
US5760405A (en) * 1996-02-16 1998-06-02 Eaton Corporation Plasma chamber for controlling ion dosage in ion implantation
US6827824B1 (en) 1996-04-12 2004-12-07 Micron Technology, Inc. Enhanced collimated deposition
US7118996B1 (en) * 1996-05-15 2006-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus and method for doping
GB2316224B (en) * 1996-06-14 2000-10-04 Applied Materials Inc Ion implantation method
GB2314202B (en) * 1996-06-14 2000-08-09 Applied Materials Inc Ion implantation apparatus and a method of monitoring high energy neutral contamination in an ion implantation process
US5885896A (en) * 1996-07-08 1999-03-23 Micron Technology, Inc. Using implants to lower anneal temperatures
JP4197193B2 (ja) * 1996-07-08 2008-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法
US5999268A (en) 1996-10-18 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Apparatus for aligning a semiconductor wafer with an inspection contactor
US6091021A (en) 1996-11-01 2000-07-18 Sandia Corporation Silicon cells made by self-aligned selective-emitter plasma-etchback process
US5963801A (en) 1996-12-19 1999-10-05 Lsi Logic Corporation Method of forming retrograde well structures and punch-through barriers using low energy implants
US6552414B1 (en) 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
US6239441B1 (en) 1997-01-20 2001-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
US5945012A (en) 1997-02-18 1999-08-31 Silicon Genesis Corporation Tumbling barrel plasma processor
JPH10326837A (ja) 1997-03-25 1998-12-08 Toshiba Corp 半導体集積回路装置の製造方法、半導体集積回路装置、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP3468670B2 (ja) 1997-04-28 2003-11-17 シャープ株式会社 太陽電池セルおよびその製造方法
KR100223847B1 (ko) 1997-05-06 1999-10-15 구본준 반도체 소자의 구조 및 제조 방법
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US6291313B1 (en) 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6146979A (en) * 1997-05-12 2000-11-14 Silicon Genesis Corporation Pressurized microbubble thin film separation process using a reusable substrate
US5907158A (en) 1997-05-14 1999-05-25 Ebara Corporation Broad range ion implanter
GB2325561B (en) 1997-05-20 2001-10-17 Applied Materials Inc Apparatus for and methods of implanting desired chemical species in semiconductor substrates
US6103599A (en) 1997-07-25 2000-08-15 Silicon Genesis Corporation Planarizing technique for multilayered substrates
GB2343550A (en) * 1997-07-29 2000-05-10 Silicon Genesis Corp Cluster tool method and apparatus using plasma immersion ion implantation
US6180496B1 (en) 1997-08-29 2001-01-30 Silicon Genesis Corporation In situ plasma wafer bonding method
US5998282A (en) 1997-10-21 1999-12-07 Lukaszek; Wieslaw A. Method of reducing charging damage to integrated circuits in ion implant and plasma-based integrated circuit process equipment
US6006253A (en) 1997-10-31 1999-12-21 Intel Corporation Method and apparatus to provide a backchannel for receiver terminals in a loosely-coupled conference
US6016036A (en) 1998-01-28 2000-01-18 Eaton Corporation Magnetic filter for ion source
US6265328B1 (en) 1998-01-30 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Wafer edge engineering method and device
US6228176B1 (en) * 1998-02-11 2001-05-08 Silicon Genesis Corporation Contoured platen design for plasma immerson ion implantation
US6269765B1 (en) 1998-02-11 2001-08-07 Silicon Genesis Corporation Collection devices for plasma immersion ion implantation
US6051073A (en) * 1998-02-11 2000-04-18 Silicon Genesis Corporation Perforated shield for plasma immersion ion implantation
US6217724B1 (en) * 1998-02-11 2001-04-17 Silicon General Corporation Coated platen design for plasma immersion ion implantation
US6186091B1 (en) * 1998-02-11 2001-02-13 Silicon Genesis Corporation Shielded platen design for plasma immersion ion implantation
US6120660A (en) 1998-02-11 2000-09-19 Silicon Genesis Corporation Removable liner design for plasma immersion ion implantation
US6274459B1 (en) 1998-02-17 2001-08-14 Silicon Genesis Corporation Method for non mass selected ion implant profile control
US6083324A (en) 1998-02-19 2000-07-04 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for silicon-on-insulator wafers
US6060718A (en) 1998-02-26 2000-05-09 Eaton Corporation Ion source having wide output current operating range
US6113735A (en) 1998-03-02 2000-09-05 Silicon Genesis Corporation Distributed system and code for control and automation of plasma immersion ion implanter
US6034321A (en) 1998-03-24 2000-03-07 Essential Research, Inc. Dot-junction photovoltaic cells using high-absorption semiconductors
US6221774B1 (en) * 1998-04-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Method for surface treatment of substrates
US6335534B1 (en) * 1998-04-17 2002-01-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Ion implantation apparatus, ion generating apparatus and semiconductor manufacturing method with ion implantation processes
DE19820152A1 (de) * 1998-05-06 1999-11-11 Rossendorf Forschzent Stickstoffhaltige Randschicht auf Bauteilen aus nichtrostendem Stahl und Verfahren zur Herstellung der Randschicht
US6321016B1 (en) * 1998-06-19 2001-11-20 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. Optical fiber having low non-linearity for WDM transmission
US6291314B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and device for patterned films using a release layer
US6248649B1 (en) 1998-06-23 2001-06-19 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and device for patterned films using patterned implants
US6291326B1 (en) * 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Pre-semiconductor process implant and post-process film separation
AUPP437598A0 (en) 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
AU749571B2 (en) 1998-07-02 2002-06-27 Astropower Inc. Silicon thin-film, integrated solar cell, module, and methods of manufacturing the same
JP2000026975A (ja) 1998-07-09 2000-01-25 Komatsu Ltd 表面処理装置
JP2000123778A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Hitachi Ltd イオン注入装置およびイオン注入方法
US6150708A (en) 1998-11-13 2000-11-21 Advanced Micro Devices, Inc. Advanced CMOS circuitry that utilizes both sides of a wafer surface for increased circuit density
US20010017109A1 (en) 1998-12-01 2001-08-30 Wei Liu Enhanced plasma mode and system for plasma immersion ion implantation
US6300227B1 (en) 1998-12-01 2001-10-09 Silicon Genesis Corporation Enhanced plasma mode and system for plasma immersion ion implantation
US6213050B1 (en) * 1998-12-01 2001-04-10 Silicon Genesis Corporation Enhanced plasma mode and computer system for plasma immersion ion implantation
US20010002584A1 (en) 1998-12-01 2001-06-07 Wei Liu Enhanced plasma mode and system for plasma immersion ion implantation
US6534381B2 (en) * 1999-01-08 2003-03-18 Silicon Genesis Corporation Method for fabricating multi-layered substrates
US6287941B1 (en) 1999-04-21 2001-09-11 Silicon Genesis Corporation Surface finishing of SOI substrates using an EPI process
US6204151B1 (en) * 1999-04-21 2001-03-20 Silicon Genesis Corporation Smoothing method for cleaved films made using thermal treatment
US6171965B1 (en) * 1999-04-21 2001-01-09 Silicon Genesis Corporation Treatment method of cleaved film for the manufacture of substrates
US6458723B1 (en) 1999-06-24 2002-10-01 Silicon Genesis Corporation High temperature implant apparatus
US6221740B1 (en) * 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
TW419834B (en) 1999-09-01 2001-01-21 Opto Tech Corp Photovoltaic generator
US6489241B1 (en) 1999-09-17 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for surface finishing a silicon film
US7066703B2 (en) 1999-09-29 2006-06-27 Tokyo Electron Limited Chuck transport method and system
JP2001189483A (ja) * 1999-10-18 2001-07-10 Sharp Corp バイパス機能付太陽電池セルおよびバイパス機能付き多接合積層型太陽電池セルおよびそれらの製造方法
US6486478B1 (en) 1999-12-06 2002-11-26 Epion Corporation Gas cluster ion beam smoother apparatus
DE10060002B4 (de) 1999-12-07 2016-01-28 Komatsu Ltd. Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung
JP4820038B2 (ja) 1999-12-13 2011-11-24 セメクイップ， インコーポレイテッド イオン注入イオン源、システム、および方法
US6544862B1 (en) * 2000-01-14 2003-04-08 Silicon Genesis Corporation Particle distribution method and resulting structure for a layer transfer process
US6376370B1 (en) 2000-01-18 2002-04-23 Micron Technology, Inc. Process for providing seed layers for using aluminum, copper, gold and silver metallurgy process for providing seed layers for using aluminum, copper, gold and silver metallurgy
JP4450126B2 (ja) 2000-01-21 2010-04-14 日新電機株式会社 シリコン系結晶薄膜の形成方法
JP2001252555A (ja) * 2000-03-09 2001-09-18 Hitachi Ltd 薄膜生成システム
US6417515B1 (en) 2000-03-17 2002-07-09 International Business Machines Corporation In-situ ion implant activation and measurement apparatus
US20010046566A1 (en) 2000-03-23 2001-11-29 Chu Paul K. Apparatus and method for direct current plasma immersion ion implantation
JP3888860B2 (ja) 2000-05-24 2007-03-07 シャープ株式会社 太陽電池セルの保護方法
FR2809867B1 (fr) * 2000-05-30 2003-10-24 Commissariat Energie Atomique Substrat fragilise et procede de fabrication d'un tel substrat
US6495010B2 (en) 2000-07-10 2002-12-17 Unaxis Usa, Inc. Differentially-pumped material processing system
US6636790B1 (en) 2000-07-25 2003-10-21 Reynolds And Reynolds Holdings, Inc. Wireless diagnostic system and method for monitoring vehicles
US6604033B1 (en) 2000-07-25 2003-08-05 Networkcar.Com Wireless diagnostic system for characterizing a vehicle's exhaust emissions
US7228211B1 (en) 2000-07-25 2007-06-05 Hti Ip, Llc Telematics device for vehicles with an interface for multiple peripheral devices
JP2002083981A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池セルおよびその製造方法
US20020090758A1 (en) 2000-09-19 2002-07-11 Silicon Genesis Corporation Method and resulting device for manufacturing for double gated transistors
US6294434B1 (en) * 2000-09-27 2001-09-25 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of forming a metal silicide layer on a polysilicon gate structure and on a source/drain region of a MOSFET device
US6710850B2 (en) * 2000-12-22 2004-03-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
KR100366349B1 (ko) * 2001-01-03 2002-12-31 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
US6448152B1 (en) 2001-02-20 2002-09-10 Silicon Genesis Corporation Method and system for generating a plurality of donor wafers and handle wafers prior to an order being placed by a customer
US6611740B2 (en) * 2001-03-14 2003-08-26 Networkcar Internet-based vehicle-diagnostic system
US7523159B1 (en) 2001-03-14 2009-04-21 Hti, Ip, Llc Systems, methods and devices for a telematics web services interface feature
US6547939B2 (en) 2001-03-29 2003-04-15 Super Light Wave Corp. Adjustable shadow mask for improving uniformity of film deposition using multiple monitoring points along radius of substrate
US20020144725A1 (en) 2001-04-10 2002-10-10 Motorola, Inc. Semiconductor structure suitable for forming a solar cell, device including the structure, and methods of forming the device and structure
JP3888608B2 (ja) * 2001-04-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板両面処理装置
US6780759B2 (en) 2001-05-09 2004-08-24 Silicon Genesis Corporation Method for multi-frequency bonding
EP1258927B1 (en) 2001-05-15 2005-08-17 STMicroelectronics S.r.l. High-gain photodetector of semiconductor material and manufacturing process thereof
US20020170591A1 (en) 2001-05-15 2002-11-21 Pharmaseq, Inc. Method and apparatus for powering circuitry with on-chip solar cells within a common substrate
US20030015700A1 (en) 2001-07-20 2003-01-23 Motorola, Inc. Suitable semiconductor structure for forming multijunction solar cell and method for forming the same
US6594579B1 (en) 2001-08-06 2003-07-15 Networkcar Internet-based method for determining a vehicle's fuel efficiency
DE10142481A1 (de) 2001-08-31 2003-03-27 Rudolf Hezel Solarzelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen
CN1996553A (zh) * 2001-08-31 2007-07-11 阿赛斯特技术公司 用于半导体材料处理系统的一体化机架
US7109517B2 (en) * 2001-11-16 2006-09-19 Zaidi Saleem H Method of making an enhanced optical absorption and radiation tolerance in thin-film solar cells and photodetectors
US7174243B1 (en) 2001-12-06 2007-02-06 Hti Ip, Llc Wireless, internet-based system for transmitting and analyzing GPS data
US6787693B2 (en) 2001-12-06 2004-09-07 International Rectifier Corporation Fast turn on/off photovoltaic generator for photovoltaic relay
US6613974B2 (en) 2001-12-21 2003-09-02 Micrel, Incorporated Tandem Si-Ge solar cell with improved conversion efficiency
US6518184B1 (en) * 2002-01-18 2003-02-11 Intel Corporation Enhancement of an interconnect
US7225047B2 (en) 2002-03-19 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Method, system and medium for controlling semiconductor wafer processes using critical dimension measurements
US6660928B1 (en) 2002-04-02 2003-12-09 Essential Research, Inc. Multi-junction photovoltaic cell
JP2004031648A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Toppan Printing Co Ltd 光閉じ込め層を持つ光電変換素子と光電変換装置およびこの装置を備えた太陽電池
US20040025932A1 (en) 2002-08-12 2004-02-12 John Husher Variegated, high efficiency solar cell and method for making same
AU2003282664A1 (en) 2002-10-04 2004-05-04 Silicon Genesis Corporation Method for treating semiconductor material
US8187377B2 (en) * 2002-10-04 2012-05-29 Silicon Genesis Corporation Non-contact etch annealing of strained layers
US6801028B2 (en) * 2002-11-14 2004-10-05 Fyre Storm, Inc. Phase locked looped based digital pulse converter
JP2004193350A (ja) 2002-12-11 2004-07-08 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
JP2004273826A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Sharp Corp 光電変換装置及びその製造方法
JP4373115B2 (ja) * 2003-04-04 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7339110B1 (en) * 2003-04-10 2008-03-04 Sunpower Corporation Solar cell and method of manufacture
US7199039B2 (en) 2003-05-19 2007-04-03 Intel Corporation Interconnect routing over semiconductor for editing through the back side of an integrated circuit
WO2005004198A2 (en) 2003-06-13 2005-01-13 North Carolina State University Complex oxides for use in semiconductor devices and related methods
US20060166394A1 (en) 2003-07-07 2006-07-27 Kukulka Jerry R Solar cell structure with solar cells having reverse-bias protection using an implanted current shunt
US6949895B2 (en) * 2003-09-03 2005-09-27 Axcelis Technologies, Inc. Unipolar electrostatic quadrupole lens and switching methods for charged beam transport
JP4660642B2 (ja) * 2003-10-17 2011-03-30 信越化学工業株式会社 太陽電池及びその製造方法
US7354815B2 (en) * 2003-11-18 2008-04-08 Silicon Genesis Corporation Method for fabricating semiconductor devices using strained silicon bearing material
US7081186B2 (en) 2003-11-20 2006-07-25 Sheffield Hallam University Combined coating process comprising magnetic field-assisted, high power, pulsed cathode sputtering and an unbalanced magnetron
GB2409928B (en) * 2004-01-09 2007-03-21 Applied Materials Inc Improvements relating to ion implantation
US20050150597A1 (en) 2004-01-09 2005-07-14 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for controlled cleaving
US7390724B2 (en) 2004-04-12 2008-06-24 Silicon Genesis Corporation Method and system for lattice space engineering
US7225065B1 (en) 2004-04-26 2007-05-29 Hti Ip, Llc In-vehicle wiring harness with multiple adaptors for an on-board diagnostic connector
US20050247668A1 (en) 2004-05-06 2005-11-10 Silicon Genesis Corporation Method for smoothing a film of material using a ring structure
JP2005322780A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Toyota Motor Corp 太陽電池
GB0410743D0 (en) 2004-05-14 2004-06-16 Vivactiss Bvba Holder for wafers
US7767561B2 (en) 2004-07-20 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid
US8058156B2 (en) 2004-07-20 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids
US8963169B2 (en) 2004-07-28 2015-02-24 Quantum Semiconductor Llc CMOS pixels comprising epitaxial layers for light-sensing and light emission
US7094666B2 (en) 2004-07-29 2006-08-22 Silicon Genesis Corporation Method and system for fabricating strained layers for the manufacture of integrated circuits
US7078317B2 (en) 2004-08-06 2006-07-18 Silicon Genesis Corporation Method and system for source switching and in-situ plasma bonding
GB2417251A (en) 2004-08-18 2006-02-22 Nanofilm Technologies Int Removing material from a substrate surface using plasma
US7250323B2 (en) * 2004-10-25 2007-07-31 Rochester Institute Of Technology Methods of making energy conversion devices with a substantially contiguous depletion regions
US7611322B2 (en) * 2004-11-18 2009-11-03 Intevac, Inc. Processing thin wafers
US7399680B2 (en) 2004-11-24 2008-07-15 Silicon Genesis Corporation Method and structure for implanting bonded substrates for electrical conductivity
US7547609B2 (en) 2004-11-24 2009-06-16 Silicon Genesis Corporation Method and structure for implanting bonded substrates for electrical conductivity
US7268431B2 (en) 2004-12-30 2007-09-11 Advantech Global, Ltd System for and method of forming via holes by use of selective plasma etching in a continuous inline shadow mask deposition process
US7022984B1 (en) 2005-01-31 2006-04-04 Axcelis Technologies, Inc. Biased electrostatic deflector
JP2008532317A (ja) 2005-02-28 2008-08-14 シリコン・ジェネシス・コーポレーション レイヤ転送プロセス用の基板強化方法および結果のデバイス
US20060234484A1 (en) 2005-04-14 2006-10-19 International Business Machines Corporation Method and structure for ion implantation by ion scattering
US7520292B2 (en) 2005-05-17 2009-04-21 Brian Weltman Pressure activated trap primer and water hammer combination
JP2007022314A (ja) 2005-07-15 2007-02-01 Kanzaki Kokyukoki Mfg Co Ltd 油圧式車軸駆動装置
US7674687B2 (en) * 2005-07-27 2010-03-09 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating multiple tiled regions onto a plate using a controlled cleaving process
US20070031609A1 (en) 2005-07-29 2007-02-08 Ajay Kumar Chemical vapor deposition chamber with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same
US7166520B1 (en) * 2005-08-08 2007-01-23 Silicon Genesis Corporation Thin handle substrate method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process
US20070032044A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process and etch back
US20070029043A1 (en) 2005-08-08 2007-02-08 Silicon Genesis Corporation Pre-made cleavable substrate method and structure of fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process
US7317579B2 (en) 2005-08-11 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing graded-index microlenses
US7427554B2 (en) 2005-08-12 2008-09-23 Silicon Genesis Corporation Manufacturing strained silicon substrates using a backing material
KR100653073B1 (ko) 2005-09-28 2006-12-01 삼성전자주식회사 기판처리장치와 기판처리방법
US20070081138A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing methods and mask for use in a device manufacturing method
US7524743B2 (en) * 2005-10-13 2009-04-28 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Conformal doping apparatus and method
WO2007047536A2 (en) * 2005-10-14 2007-04-26 Silicon Genesis Corporation Method and apparatus for flag-less wafer bonding tool
WO2007050058A1 (en) 2005-10-25 2007-05-03 Georgia Tech Research Corporation Spatial separation of optical frefquency components using photonic crystals
WO2007106180A2 (en) 2005-11-07 2007-09-20 Applied Materials, Inc. Photovoltaic contact and wiring formation
US20070169806A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization
KR101181820B1 (ko) * 2005-12-29 2012-09-11 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지의 제조 방법
US7863157B2 (en) 2006-03-17 2011-01-04 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a layer transfer process
US7598153B2 (en) 2006-03-31 2009-10-06 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating bonded substrate structures using thermal processing to remove oxygen species
EP2002484A4 (en) 2006-04-05 2016-06-08 Silicon Genesis Corp METHOD AND STRUCTURE FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC CELLS USING A LAYER TRANSFER PROCESS
CN101055898A (zh) * 2006-04-11 2007-10-17 新日光能源科技股份有限公司 光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法
US20070277875A1 (en) 2006-05-31 2007-12-06 Kishor Purushottam Gadkaree Thin film photovoltaic structure
US7579654B2 (en) 2006-05-31 2009-08-25 Corning Incorporated Semiconductor on insulator structure made using radiation annealing
US7928317B2 (en) * 2006-06-05 2011-04-19 Translucent, Inc. Thin film solar cell
US8153513B2 (en) * 2006-07-25 2012-04-10 Silicon Genesis Corporation Method and system for continuous large-area scanning implantation process
US7701011B2 (en) * 2006-08-15 2010-04-20 Kovio, Inc. Printed dopant layers
US7767520B2 (en) 2006-08-15 2010-08-03 Kovio, Inc. Printed dopant layers
JP4779870B2 (ja) * 2006-08-18 2011-09-28 株式会社日立製作所 イオン注入方法およびその装置
US8293619B2 (en) * 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
US7811900B2 (en) 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
KR20080023774A (ko) 2006-09-12 2008-03-17 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 포토 다이오드
US20080092944A1 (en) * 2006-10-16 2008-04-24 Leonid Rubin Semiconductor structure and process for forming ohmic connections to a semiconductor structure
US20080092947A1 (en) * 2006-10-24 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Pulse plating of a low stress film on a solar cell substrate
JP2008112848A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池
US8124499B2 (en) 2006-11-06 2012-02-28 Silicon Genesis Corporation Method and structure for thick layer transfer using a linear accelerator
US20080128641A1 (en) * 2006-11-08 2008-06-05 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for introducing particles using a radio frequency quadrupole linear accelerator for semiconductor materials
US20080121276A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 Applied Materials, Inc. Selective electroless deposition for solar cells
US20080128019A1 (en) 2006-12-01 2008-06-05 Applied Materials, Inc. Method of metallizing a solar cell substrate
KR100759084B1 (ko) 2006-12-07 2007-09-19 실리콘 디스플레이 (주) 이온 도핑 장치
KR100836765B1 (ko) 2007-01-08 2008-06-10 삼성전자주식회사 이온빔을 사용하는 반도체 장비
US20080188011A1 (en) 2007-01-26 2008-08-07 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method of temperature conrol during cleaving processes of thick film materials
US7988875B2 (en) 2007-02-08 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Differential etch rate control of layers deposited by chemical vapor deposition
US7867409B2 (en) 2007-03-29 2011-01-11 Tokyo Electron Limited Control of ion angular distribution function at wafer surface
US20080275546A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-06 Chameleon Scientific Corp Inhibitory cell adhesion surfaces
US20080296261A1 (en) 2007-06-01 2008-12-04 Nordson Corporation Apparatus and methods for improving treatment uniformity in a plasma process
TWI450401B (zh) * 2007-08-28 2014-08-21 Mosel Vitelic Inc 太陽能電池及其製造方法
US7776727B2 (en) 2007-08-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Methods of emitter formation in solar cells
US7820460B2 (en) 2007-09-07 2010-10-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Patterned assembly for manufacturing a solar cell and a method thereof
US7598161B2 (en) 2007-09-26 2009-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming transistor devices with different threshold voltages using halo implant shadowing
JP4406452B2 (ja) * 2007-09-27 2010-01-27 株式会社日立製作所 ベルト状金型およびそれを用いたナノインプリント装置
US20090206275A1 (en) 2007-10-03 2009-08-20 Silcon Genesis Corporation Accelerator particle beam apparatus and method for low contaminate processing
US20090124064A1 (en) 2007-11-13 2009-05-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Particle beam assisted modification of thin film materials
KR101385750B1 (ko) 2007-11-30 2014-04-18 삼성전자주식회사 중성빔을 이용하는 기판 처리 장치 및 방법
US20090142875A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Applied Materials, Inc. Method of making an improved selective emitter for silicon solar cells
US20090152162A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Silicon Genesis Corporation Carrier apparatus and method for shaped sheet materials
US20090162970A1 (en) 2007-12-20 2009-06-25 Yang Michael X Material modification in solar cell fabrication with ion doping
US8003954B2 (en) 2008-01-03 2011-08-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Gas delivery system for an ion source
US8563352B2 (en) 2008-02-05 2013-10-22 Gtat Corporation Creation and translation of low-relief texture for a photovoltaic cell
US20090317937A1 (en) 2008-06-20 2009-12-24 Atul Gupta Maskless Doping Technique for Solar Cells
US8461032B2 (en) 2008-03-05 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Use of dopants with different diffusivities for solar cell manufacture
US20090227095A1 (en) 2008-03-05 2009-09-10 Nicholas Bateman Counterdoping for solar cells
WO2009111669A2 (en) 2008-03-05 2009-09-11 Varian Semiconductor Equipment Associates Maskless doping technique for solar cells
US7727866B2 (en) 2008-03-05 2010-06-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Use of chained implants in solar cells
US20090227061A1 (en) 2008-03-05 2009-09-10 Nicholas Bateman Establishing a high phosphorus concentration in solar cells
US20090246706A1 (en) 2008-04-01 2009-10-01 Applied Materials, Inc. Patterning resolution enhancement combining interference lithography and self-aligned double patterning techniques
JP2011525301A (ja) 2008-06-11 2011-09-15 インテバック・インコーポレイテッド イオン注入装置及び半導体素子製造方法
US20100154870A1 (en) 2008-06-20 2010-06-24 Nicholas Bateman Use of Pattern Recognition to Align Patterns in a Downstream Process
WO2010030645A2 (en) 2008-09-10 2010-03-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for manufacturing solar cells
US8815634B2 (en) * 2008-10-31 2014-08-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dark currents and reducing defects in image sensors and photovoltaic junctions
US7816239B2 (en) 2008-11-20 2010-10-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for manufacturing a solar cell
US7820532B2 (en) 2008-12-29 2010-10-26 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type element profiles
US8153466B2 (en) 2009-01-21 2012-04-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Mask applied to a workpiece
US8685846B2 (en) 2009-01-30 2014-04-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for processing a substrate
KR101285265B1 (ko) * 2009-02-06 2013-07-12 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라즈마 처리장치, 플라즈마 처리방법 및 피처리 기판을 포함한 소자 제조방법
US20100229928A1 (en) 2009-03-12 2010-09-16 Twin Creeks Technologies, Inc. Back-contact photovoltaic cell comprising a thin lamina having a superstrate receiver element
JP5472862B2 (ja) 2009-03-17 2014-04-16 三菱電機株式会社 電力用半導体装置の製造方法
US7964431B2 (en) 2009-03-19 2011-06-21 Twin Creeks Technologies, Inc. Method to make electrical contact to a bonded face of a photovoltaic cell
US20110162703A1 (en) 2009-03-20 2011-07-07 Solar Implant Technologies, Inc. Advanced high efficientcy crystalline solar cell fabrication method
US8749053B2 (en) 2009-06-23 2014-06-10 Intevac, Inc. Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications
WO2011100363A1 (en) 2010-02-09 2011-08-18 Intevac, Inc. An adjustable shadow mask assembly for use in solar cell fabrications
TWI469368B (zh) 2010-11-17 2015-01-11 Intevac Inc 在太陽能電池製造中供固態磊晶成長之直流電離子注入
CN106847736B (zh) 2011-11-08 2020-08-11 因特瓦克公司 基板处理系统和方法
JP5367129B2 (ja) 2012-07-05 2013-12-11 キヤノン株式会社 撮像装置、制御装置及びそれらの制御方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9303314B2 (en) 2009-06-23 2016-04-05 Intevac, Inc. Ion implant system having grid assembly
US9741894B2 (en) 2009-06-23 2017-08-22 Intevac, Inc. Ion implant system having grid assembly
US9324598B2 (en) 2011-11-08 2016-04-26 Intevac, Inc. Substrate processing system and method
US9875922B2 (en) 2011-11-08 2018-01-23 Intevac, Inc. Substrate processing system and method
US9318332B2 (en) 2012-12-19 2016-04-19 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant
US9583661B2 (en) 2012-12-19 2017-02-28 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant

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