JP2011525301A - イオン注入装置及び半導体素子製造方法 - Google Patents

イオン注入装置及び半導体素子製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】太陽電池及び他の半導体素子は、注入ドーピング製造装置を用いてより効率的に低コストで製造される。
【解決手段】半導体基板のイオン注入装置は、イオン源（例えば単一シード送出モジュール）と、イオン源から１５０ｋｅＶ未満のエネルギを有するイオンビームを発生する加速器と、基板をビームに暴露するビーム照準器とを備える。一実施の形態において、イオン源は、単一ガス送出素子及び単一イオン源からなる単一シード送出モジュールである。あるいは、イオン源は、プラズマビームを発生するのに用いられるプラズマ源である。イオン注入装置は、低濃度ドーピング光受容領域及びより高濃度にドーピングされたグリッド線を有する太陽電池を製造するのに用いられる。この構造は、「不感層」の形成を減らし、コンタクトの抵抗率を改善し、それによって太陽電池の効率を向上させる。

Description

関連出願
本出願は、２００８年６月１１日に出願された係属中の米国仮特許出願第６１／１３１，６８７号「SOLAR CELL FABRICATION USING IMPLANTATION」、２００８年６月１１日に出願された係属中の米国仮特許出願第６１／１３１，６８８号「APPLICATIONS SPECIFIC IMPLANT SYSTEM FOR USE IN SOLAR CELL FABRICATIONS」、２００８年６月１１日に出願された係属中の米国仮特許出願第６１／１３１，６９８号「FORMATION OF SOLAR CELL- SELECTIVE EMITTER USING IMPLANTATION AND ANNEAL METHODS」、２００８年６月２４日に出願された係属中の米国仮特許出願第６１／１３３，０２８号「SOLAR CELL FABRICATION WITH FACETING AND IMPLANTATION」、２００９年３月２０日に出願された係属中の米国仮特許出願第６１／２１０，５４５号「ADVANCED HIGH EFFICIENCY CRYSTALLINE SOLAR CELL FABRICATIONS METHOD」に対する優先権を主張する。これらの仮特許出願は、引用することにより、本願に援用される。
本発明は、半導体素子製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、太陽電池を製造する太陽電池製造方法に関する。
半導体素子は、多目的な半導体製造ツール（multi-purpose semiconductor fabrication tools）を用いて製造される。現在の半導体素子の寸法は、常に縮小化されているので、これらの半導体製造ツールは、厳密な仕様に基づいて半導体素子を製造する。これらの半導体製造ツールは、多目的であるので、エネルギ範囲が広いイオンビームを用いて、製造工程毎に異なる化学種のイオンを発生する。これらの半導体製造ツールは、小さな寸法の半導体素子を製造可能にするために、厳密な走査寸法を有する。また、半導体製造ツールは、汚染を削減するために、質量分離（mass analyses）を実行し、基板上の集中電荷（collected charge）を中和するために、特別なモジュールを備えている。これらの半導体製造ツールは、非常に複雑であり、それらに対する要求が非常に厳しいので、それらの生産能力は、比較的少なく、毎時ウェーハ約２００枚だけである。
図１は、半導体素子の製造の一工程として、基板にイオン注入する従来のイオン注入装置１００の構成を示すブロック図である。複数のウェーハ１０１は、１対のロードロック（twin load locks）１０５を介して、イオン注入装置１００に搬入される。多重ガス送出モジュール（multiple gas delivery module）１１０は、ｎ型イオン及びｐ型イオン（ドーパント）が抽出される複数のガスを含んでいる。イオンは、前段加速器１２０で加速され、前段加速器１２０は、イオンを、汚染を削減させるための質量分離を実行する磁石１２５に送る。そして、イオンは、後段加速器１３０に送られ、そして、電荷中和モジュール１３５に送られる。イオンビームは、ビーム走査機構１４０を用いて、ウェーハ１０１の表面全体を走査され、あるいは、ウェーハ１０１自体がイオンビームに対して相対的に動かされる。そして、測定及び制御ユニット１４５は、ウェーハ１０１を解析する。
イオン注入装置１００は、異なるドーパントを注入できなければならないので、前段加速器１２０及び磁石１２５の動作範囲は、通常、１０ｋｅＶ未満から、全ての種類のドーパントシードを注入するのに十分な２００ｋｅＶまでと広くする必要がある。また、イオン注入装置１００は、先進の形状寸法の厳しい要求条件（６５ｎｍ未満）を満たすことができなければならない。一例として、均一性が０．５％未満となるように要求すると、ビーム走査が複数回必要となり、これによって、システム生産性が減少する。
もう１つの欠点は、半導体素子の製造の異なる段階において、半導体素子の特徴が変化することである。半導体素子の特徴は、高温又は暴露された集中電荷に耐えることができない。さらに、半導体素子の特徴自体が、例えば絶縁膜を形成中に、絶縁膜が電荷を集中したとき、注入ビームに悪影響を及ぼす可能性がある。
一部の例外を除き、半導体素子の製造には、大出力密度（large power densities）を有するビームと、高温の発生とが必要とされる。通常、これらの制約によって、従来の製造装置は、複雑になっていた。
第１の特徴として、半導体基板にイオン注入するイオン注入装置は、イオン源と、イオン源からエネルギが１５０ｋｅＶ未満のビームを生成する加速器と、基板をビームに暴露するビーム誘導器（beam director）とを備える。一実施の形態において、イオン源は、単一ガス送出要素（single-gas delivery element）及び単一イオン源（single-ion source）からなる単一シード送出モジュール（single-species delivery module）である。ビーム誘導器は、集束素子からなり、集束素子は、基板上にビームを集束する又は成形する電気光学系、電磁気光学系又はその両方を備える。他の実施の形態において、イオン源は、抽出されるイオンを発生するプラズマ源（例えば単一イオンプラズマ源）を備える。また、この他の実施の形態は、加速器と、基板を包み込む又は完全に覆うようにイオンを拡散するビーム誘導器とを備える。
一実施の形態において、単一イオンプラズマ源は、長さが５〜１０ｃｍであって幅が５ｍｍ未満のビームスロットを備える。あるいは、単一イオンプラズマ源は、長さ、幅、又はその両方がこれよりも大きいビームスロットを備える。さらに、マグネトロン発生プラズマ源（magnetron generated plasma source）を用いて、イオン注入のために基板を包み込むことができる非常に大きなプラズマを発生することができる。イオン源は、ｎ型ドーパント、例えばアンチモン、ヒ素又は燐を含んでいる。当然、他のｎ型ドーパントを用いることもできる。あるいは、イオン源は、ｎ型ドーパント例えばホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム又はＢＦ２を含んでいる。また、他のｐ型ドーパントも用いることができる。
ビームは、１ｃｍ２当たり約５ｋＷの出力密度を有する。一実施の形態において、単一イオン源は、装置、例えば単一シード送出モジュールにプラグコンパチブルである。
一実施の形態において、ビーム誘導器は、ビームを基板全体に直交方向に進める走査要素を備える。
第２の特徴として、半導体素子を製造する半導体素子製造方法は、基板内に光受容領域（photo-receptive regions）を形成する工程と、光受容領域をドーピングしてグリッド線（gridlines）を形成する工程と、金属フィンガをグリッド線に接続する工程とを有する。光受容領域には、ドーパントが第１の濃度でドーピングされており、ドーパントが第１の濃度よりも高い第２の濃度でドーピングされて、グリッド線が形成されている。グリッド線は、光受容領域の一番上の表面から下方に基板内に延びている。単一シード送出モジュールを備える装置を用いて、光受容領域はドーピングされ、グリッド線が形成される。金属フィンガは、グリッド線に接続される。このようにして、基板は、低濃度ドーパント分布の光受容領域と、金属フィンガの下の高濃度ドーパント分布領域とを有する。
一実施の形態において、基板は、他の基板とは別に、単独でドーピングされる。他の実施の形態において、基板は、他の基板と一緒に、グループでドーピングされる。
一実施の形態において、グリッド線は、基板を、マスクを介してドーパントを含むイオンビームに暴露することによって形成される。グリッド線の幅と同じ大きさの開口を有するマスクは、基板表面から取り除かれる。あるいは、開口の幅は、グリッド線の幅に対して既知の偏差（known deviation）がある。他の実施の形態においては、マスクは、基板の表面に配置され、グリッド線を形成する位置に隣接した開口を有する。さらに、他の実施の形態において、グリッド線は、ドーパントを含むプラズマビームをグリッド線の幅に成形又はパルス駆動し、光受容領域に向けることによって、形成される。この後者の実施の形態において、プラズマビームは、動かない（stationary）。他の実施の形態において、ビームは、グリッド線を順次形成するために、光受容領域全体を走査する。あるいは、ビームは、グリッド線を同時に形成するように発生される。
一実施の形態において、第１の濃度（ドーズ量）は、１Ｅ１５／ｃｍ２未満である。光受容領域の抵抗率は、約１００Ω／□である。グリッド線の抵抗率は、１０〜３０Ω／□である。グリッド線の幅は、２００ミクロン未満であり、グリッド線の間隔は、５ｍｍ未満である。一実施の形態において、グリッド線の間隔は、約３ｍｍである。
半導体素子製造方法は、グリッド線を金属フィンガに接続する前に、金属シードを各グリッド線に注入する工程を有し、これによって、金属シリサイドを形成する。
一実施の形態において、また、半導体素子製造方法は、例えば炉、フラッシュランプ、又はレーザを用いて、基板をアニーリングする工程を有する。基板を、一工程で、低温、例えば４００〜５００℃でアニーリングすることができる。
第３の特徴として、太陽電池を製造する太陽電池製造方法は、１５０ｋｅＶ未満のエネルギを有するイオンビームを用いて、基板内に光受容領域を第１の濃度にドーピングする工程と、イオンビームを用いて、光受容領域を第１の濃度よりも高い第２の濃度にドーピングして、グリッド線を形成する工程と、グリッド線に金属フィンガを接続する工程とを有する。グリッド線は、光受容領域の一番上の表面から下方に基板内に延びている。基板は、１５６ｍｍ×１５６ｍｍであり、光受容領域は、単一シード送出モジュールを備える装置を用いてドーピングされる。イオン注入装置のスループットは、毎時少なくともウェーハ１０００枚である。
従来の半導体素子の製造装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態における半導体素子の製造装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態におけるイオンビームを成形するイオンビーム光学系の構成を示す図である。 実施の形態におけるイオンビームを成形するイオンビーム光学系の構成を示す図である。 一実施の形態における太陽電池の低濃度ドーピング光受容領域を示す図である。 他の実施の形態に基づいて、図４の光受容領域をドーピングすることによってグリッド線を形成する様子を示す図である。 他の実施の形態に基づいて、図４の光受容領域をドーピングすることによってグリッド線を形成する様子を示す図である。 他の実施の形態に基づいて、図４の光受容領域をドーピングすることによってグリッド線を形成する様子を示す図である。 一実施の形態に基づいて、シードを用いて図４の太陽電池のグリッド線を金属フィンガに接続する様子を示す図である。 一実施の形態に基づいてグラフを調整するプロフィールを示す図である。 拡散を用いてドーピングされる太陽電池にプロファイル調整機能が無いことを説明するためのグラフである。 一実施の形態に基づくイオン注入を用いてドーピングされる太陽電池のプロファイル調整機能が優れていることを説明するためのグラフである。 一実施の形態に基づくイオン注入を用いてドーピングされる太陽電池のプロフィール調整機能が優れていることを説明するためのグラフである。 一実施の形態に基づいて太陽電池を製造するプロセスの工程を示す図である。
本発明に基づくイオン注入装置は、特に、特定の半導体素子、例えば太陽電池を製造するために調整されている。これらのイオン注入装置は、他の半導体素子を製造するのに要求される精度（tolerances）よりも緩和された精度を用いる。このイオン注入装置は、従来のイオン注入装置よりも、高速、低費用、省スペースで半導体素子を製造する。このようなイオン注入装置は、毎時少なくとも１０００枚の太陽電池を生産する能力を有する。
さらに、イオン注入装置は、ウェーハが特徴的な被覆（featured coverings）を有しないことから、電荷の中和は必要なく、走査が簡単であり、質量分離（mass analyses）を他の方法によって実行できるので、単純である。これらの全ての効果によって、従来の半導体製造装置を用いて実現されるよりも高い生産量を得ることができる。
また、実施の形態に基づくイオン注入装置は、効率が高い太陽電池、すなわち抵抗損（ohmic losses）及び不感層の影響を減少させるように調整されたドーピングプロフィールを有する太陽電池を製造する。
図２は、一実施の形態に基づいて、太陽電池を製造するイオン注入装置２００の構成を示すブロック図である。イオン注入装置２００は、図１に示す従来のイオン注入装置よりも単純である。イオン注入装置２００は、より高い生産性を有し、設置面積がより狭く、プラグコンパチブル部品（取り外して、他の種特異的モジュール（species-specific modules）に置換することができる）を備える。イオン注入装置２００は、単一ガス送出モジュール２０５と、イオン源２１０と、加速器２１５と、傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール２２０と、測定及び制御モジュール２２５と、１枚の太陽電池（single solar cell）２０１を処理する単一ロードロック（single load lock）２３０とを備える。他の実施の形態（図示せず）においては、単一ガス送出モジュール２０５及びイオン源２１０は、プラズマ源モジュール（plasma source module）に置き換えられ、傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール２２０は、太陽電池２０１上にプラズマビームを広げるスプレッダ（spreader）に置き換えられる。
イオン注入装置２００は、特別な能力を有する。全ての実施の形態がこれらの能力を有するとは限らないことは、言うまでもない。イオン源２１０は、長いスロットを有する。他の実施の形態において、イオン源２１０は、ブロードビーム（broad beam）及びナロービーム（narrow beam）を形成するための複数のイオン源、又はプラズマビームを含んでいる。イオン源２１０は、全てのシードの１００ｍＡまでのビーム電流を生成するが、一度に１つのシード専用である。イオン源２１０は、特別な用途毎にプラグコンパチブルであり、異なるイオン源を有する新たな用途が必要とされるとき、イオン源２１０は、引き抜かれ、次の用途の要件（例えば異なるドーパント）に合ったものに置き換えることができる。イオン源２１０は、５〜１０ｃｍ未満のビームスロット及び１〜２ｍｍの幅を有する。あるいは、イオン源２１０は、プラズマ源であり、ブロードビームを生成することができる。イオン源２１０の長さは、１５６ｍｍ×１５６ｍｍの基板の一方向の長さ又は基板の両方向の長さをカバーするために、延ばすことができる。
動作において、単一ガス送出モジュール２０５及びイオン源２１０は、協力してイオンビームを発生し、加速器２１５は、イオンビームを直流方式又はパルスで加速する。一実施の形態（図３）において、加速器２１５は、例えば１５〜１５０ｋｅＶの限られたエネルギ範囲を有する元素を抽出及び集束する。他の実施の形態においては、他の限られたエネルギ範囲が用いられる。一実施の形態において、イオン注入装置２００のエネルギ必要量を制限するために、加速器２１５は、１００ｋｅＶ以上では動作しない。
次に、得られた傾斜ビームは、傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール２２０を用いて制御される。ビームは、太陽電池２０１となる単一ウェーハ（single wafer、以下、単一ウェーハ２０１ともいう。）に衝突する前又は同時に、測定及び制御モジュール２２５によって測定及び制御される。単一ウェーハ２０１をビームの正面に進め、単一ウェーハ２０１の表面全体をカバーする単一ビームを用いて、所定のパターンに基づき、ドーパントを注入することができる。一実施の形態において、単一ウェーハ２０１は、１５６ｍｍ×１５６ｍｍであるが、イオン注入装置２００は、他の寸法のウェーハも処理する能力を有する。他の実施の形態では、ウェーハは、可動盤（moving platen）上に搭載されてビームの前に配置され、あるいは、１枚以上のウェーハが、トレイに入れられて、ビーム又はプラズマに暴露される。
最後に、イオン注入装置２００から、処理された単一ウェーハ２０１が単一ロードロック２３０を介して取り出される。
図３Ａ、３Ｂは、基板４０１にドーパントを注入するビームスポットを成形する２つの実施の形態に基づいたビーム成形器（また、「ビーム光学系（beam optics）」ともいう。）３００、３５０を示す図である。一実施の形態において、ビーム成形器３００、３５０は、図２の傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール２２０の一部を構成している。ビーム成形器３００、３５０は、それぞれ磁気レンズ又は静電レンズからなる。後述するように、ビーム成形器３００、３５０を用いて、半導体太陽電池に選択的エミッタ（selective emitters）を注入することができる。
ビーム成形器３００は、「大型（large dimension）」の成形器である。ビーム成形器３００は、第１の幅を有するビーム３０１Ａが入射され、ビーム３０１Ａを成形して、第１の幅よりも広い、基板及び基板ホルダ（holder）の寸法に匹敵する約５〜１０ｃｍの第２の幅を有するビーム３０１Ｂを生成する。あるいは、第２の幅は、約１５．６ｃｍである。
ビーム成形器３５０は、「小型（short dimension）」の成形器である。ビーム成形器３５０は、第１の幅を有するビーム３５１Ａが入射され、ビーム３５１Ａを成形して、第１の幅よりも狭い約２００ミクロンの第２の幅を有するビーム３５１Ｂを生成する。あるいは、第２の幅は、約５０ミクロンである。
また、ビーム成形器３００、３５０は、ビーム内に同伴される不必要な汚染物（unwanted impurities entrained）を除去することができる。例えば、走査角度（scanning angle）を僅かに変えることにより、異なる電荷対質量比（charge-to-mass ratios）を有する不必要な中性粒子（neutral particles）又は化学種を除去することができる。あるいは、イオンビームを収容するチャンバ内部の内部被覆（internal cladding）は、特にビームがプラズマビームであるときに、側壁汚染（side wall contamination）を最小にするように製作することができる。
傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール２２０（図２参照）は、ビーム成形器３００、３５０を用いて、様々な寸法の半導体にイオン注入するためのビームを「成形する（shape）」ことができる。
好ましくは、ビームスポットの大きさ、ビーム電流及び走査方法は、５ｋＷ／ｃｍ２のビーム出力密度（beam power density）を有し、単一ウェーハ２０１（図２参照）のバルク部分の平均温度を１５０℃以上には上げない。単一ウェーハ２０１は、背面冷却（back side cooling）、エラストマ方法（elastomeric methods）又は電気的冷却方法（electrical cooling methods）を用いて冷却される。
また、パルス制限ビーム成形方法（Beam-limited pulse-shaping methods）を用いてもウェーハを冷却することができる。ウェーハの温度は、この方法を用いて、すなわち自動制御を用いる全てのウェーハの１枚以上のバッチ内において、あらゆる他の単一ウェーハ間でビームを共有することにより、制限される。あるいは、イオン注入装置２００は、パルスプラズマ源を用いて熱を、位置ではなく、時間的に分配することができる。
上述したように、本発明の実施の形態は、半導体太陽電池を製造するのに適している。太陽電池を製造する異なる方法を説明した以下の係属中の特許出願、すなわち２００９年６月１１日に出願された国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０４７１０２「Solar Cell Fabrication Using Implantation」（発明者Babak Adibi及びEdward S. Murrer、代理番号SITI-00100）、２００９年６月１１日に出願された国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０４７１０９「Formation of Solar Cell-Selective Emitter Using Implant and Anneal Method」（発明者Babak Adibi及びEdward S. Murrer、代理番号SITI-00300）、２００９年６月１１日に出願された国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０４７０９０「Solar Cell Fabrication with Faceting and Ion Implantation」（発明者Babak Adibi及びEdward S. Murrer、代理番号SITI-00400）は、引用することにより、本願に援用される。図４、図５Ａ〜５Ｃ、図６は、イオン注入装置２００（図２参照）を用いて、太陽電池を製造する実施の形態を示す図である。
太陽電池は、ドーピング半導体基板上（doped semiconductor substrate）に形成された低濃度ドーピング受容表面（lightly doped photo-receptive surface）で光エネルギを受けて、電子正孔対（electron-hole pairs）を生成することによって機能する。これらの電子正孔対における電子は、電流を形成し、基板内の層に沿って移動し、それをグリッド線（gridlines）に引きつける高濃度ドーピング選択的エミッタ（heavily doped selective emitter）に移動し、金属フィンガ及びバスバーに移動し、最終的には負荷に移動する。そして、電子は、基板のバルク部分に戻り、バルク部分において、分離された正孔と再結合する。
通常、光受容領域（photo-receptive regions）は、同じ工程でドーピングされ、したがって、光受容領域のドーピング濃度は、グリッド線の下の領域のドーピング濃度と同じである。このようなドーピング用の拡散法（diffusion methods）を用いることによって、基板の表面の近傍には非常に過剰な不活性ドーパントシード（un-activated dopant species）が生じる。これは、「不感層（dead layer）」となる。光受容領域は、低濃度にドーピングする必要があるが、過剰な不活性ドーパントを有するので、光が太陽電池に衝突したときに、励起された電子（captivated electrons）が形成され、これらの電子は、いかなる電流を発生する前に、不対の正孔と再結合する。この影響によって、太陽電池の効率は低下する。
不感層は、基板の表面領域に近傍の不活性ドーパントをより適切に制御することによって、減少させることができる。図４及び図５Ａ〜５Ｃは、光受容領域を、グリッド線の谷間のドーピング濃度よりも高いドーピング濃度にドーピングすることによって、選択的エミッタを形成する実施の形態を示す図である。
図４は、太陽電池内に形成され、低濃度ドーピング光受容領域（以下、単に光受容領域ともいう。）５０５を有する基板５００の横断面図である。この実施の形態において、基板５００は、ｐ型半導体基板であり、光受容領域５０５は、ｎ型イオンで第１の濃度にドーピングされている。光受容領域５０５は、約１００Ω／□の抵抗率を有する。すなわち、過剰なドーパントは、ドーパント電荷キャリア（dopant charge carriers）の生成及び輸送を妨げる。光受容領域５０５は、通常、約５０〜１００ｋｅＶの注入エネルギで、１Ｅ１５／ｃｍ２未満の濃度で注入される。幾つかの例では、ｎ型ドーパントの具体例としては、アンチモン、ヒ素及び燐がある。
実施の形態において、基板５００は、全体をカバーするように広げられたビーム、あるいは、基板５００全体をカバーするようにｘ方向、ｙ方向又はその両方の方向に高速に走査するビーム（図２の傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール２２０）を用いて、ドーピングされる。太陽電池の有効範囲（coverage）の不均一性は、５％未満（例えば有効範囲の均一性は９５％以上）と推定されており、したがって、ビームスポットのプロフィールも同程度の均一性を必要とする。図３Ａ、３Ｂに示すビーム成形器３００、３５０は、生産性が高い注入を行うことができる。
図５Ａ〜５Ｃは、基板５００を、ｎ型ドーパントで、低濃度ドーピング光受容領域５０５よりも高濃度にドーピングして、グリッド線５８０Ａ〜５８０Ｃを形成することによって、不感層の形成を減らす他の方法を説明するための図である。図５Ａに示す実施の形態において、物理的マスク５１５は、光受容領域５０５の上方に配置される。物理的マスク５１５は、所望のグリッド線５８０Ａの寸法に成形された開口を有し、あるいは、開口は、グリッド線５８０Ａの寸法よりも僅かに既知量だけ大きい。そして、イオンビーム６００は、物理的マスク５１５上に向けられ、それによって、グリッド線５８０Ａを形成する。他の実施の形態においては、イオンビーム６００は、プラズマビームであり、このプラズマビームに基板５００が暴露される。この配置を、例えば上述したビーム走査方法又はビーム成形方法と一緒に用いることによって、ビームの利用率を最大にすることができる。
図５Ｂに示す実施の形態では、マスク５５０を、光受容領域５０５上に配置する。マスク５５０は、ハードマスク又はソフトマスクであってもよく、リソグラフィ、密着焼付け（contact printing）又はスクリーン印刷を用いて形成することができる。あるいは、コンタクト蒸着（contact deposition）用の既存のマスクを用いることもできる。また、イオンビーム６１０は、マスク５５０上に向けられ、それによって、グリッド線５８０Ａを注入する。他の実施の形態においては、イオンビーム６１０の代わりに、プラズマビームを用いる。
図５Ｃに示す実施の形態では、注入ビーム６２０を成形して、基板５００をドーピングし、これによって、グリッド線５８０Ｃを形成する。この配置では、基板５００全体を描画する単一走査及びステッピングビームスポット（single scanning and stepping beam spot）を用いて同時に暴露するための一連のイオンビームを用いることができる。あるいは、ブロード及びナロービーム（broad and narrow beam）を用いて、１本の又は任意の数のグリッド線５８０Ｃを別々に暴露することができる。
図６は、金属／半導体領域を形成することによって仕事関数及びバンドギャップを調整する後続の処理工程を経た後の基板５００の構成を示す縦断面図である。図６に示すように、金属シード７００は、接点フィンガ（contact fingers）の下の領域であって、グリッド線５８０（グリッド線５８０Ａ〜５８０Ｃのうちの任意の１つ）の上に、また基板５００の背面（図示せず）に注入される。このような“シード”の注入によって、金属フィンガ（グリッド線及び負荷に接続される）に対するコンタクト性能は、向上する。
図６に示すように、隣接するグリッド線５８０間のドーピング領域の抵抗率は、約１００Ω／□であり、グリッド線５８０の下のドーピング領域の抵抗率は、１０〜３０Ω／□未満であり、グリッド線５８０間の間隔Ｘは、約３ｍｍであり、１ｍｍに短縮されることが予想され、金属シード（金属フィンガ）の幅Ｙは、約２００ミクロンであり、５０ミクロンに短縮されることが予想されている。
基板５００には、シングル、すなわち単結晶（single or mono-crystalline）シリコン、ポリ結晶、すなわち多結晶（poly-crystalline, or multi-crystalline）シリコン、薄膜シリコン（thin- film deposited silicon）、又は太陽電池を製造するのに用いられるあらゆる他の材料を成長させることができる。他の種類の基板及びドーピングを用いることができることは言うまでもない。単に一例として、基板５００をｎ型とし、グリッド線５８０Ａをｐ型とすることができる。ｐ型ドーパントには、例えばホウ素及び二フッ化ホウ素が含まれる。当業者には明らかなように、半導体の種類、イオン、ドーピングレベル及び他の特性の多くの他の組合せがある。
図７、図８、図９Ａ、図９Ｂは、実施の形態に基づく装置（例えば図２のイオン注入装置２００）が、不感層の形成及び抵抗損を削減するために、どのようにドーパントプロフィールを調整するかを説明するための図である。
図７は、本発明の原理に基づくプロファイル調整グラフ（profile tailoring graph）８００も一実施の形態を示す図である。プロファイル調整グラフ８００は、ドーピング濃度（原子／ｃｍ３）対そのドーピング深さ（Å）に関する太陽電池の原子プロフィールを示している。全原子プロフィールは、線８１０によって表される。異なる濃度対深さドーピングプロフィールを有する多重イオン注入（multiple ion implants）を用いることにより、太陽電池のドーパント濃度（したがって、抵抗率）を、ユーザによって、所定の深さに亘って正確に調整することができる。プロファイル調整グラフ８００は、３つの異なる注入プロフィール８１２、８１４、８１６を示している。これら３つの注入プロフィール８１２、８１４、８１６の組合せが、太陽電池の全プロフィール８１０になる。
個々の注入は、ガウス分布又は擬似ガウス分布に限定できるが、本発明では、個々の注入を組み合わせて、全原子プロフィールの形状を効果的に調整する。複数の独立した注入を用いて、全原子プロフィールを制御する際、本発明により、ユーザは、注入された１つの型のドーパント（例えばｎ型ドーパント）が、プリドーピングされている背面領域８２０のドーパント（例えばｐ型ドーパント）に接触する接合深さ（junction depth）８４０を効果的に制御することができる。また、ユーザは、太陽電池の表面又はその近傍のドーパント濃度８３０を制御することができる。本発明により、ユーザは、表面のドーパント濃度８３０と接合深さ８４０とを互いに独立して制御することができる。幾つかの実施の形態においては、原子プロフィールは、約０．０１μｍ〜約０．５μｍの接合深さを有するように調整される。幾つかの実施の形態においては、原子プロフィールは、約５Ｅ１８原子／ｃｍ３〜約４．８Ｅ２１原子／ｃｍ３の表面濃度を有するように調整される。なお、原子プロフィールは、異なる接合深さ及び表面濃度を有するように調整することができる。
従来、原子プロフィールの調整は、制限されていた。図８は、拡散を用いてドーピングされる太陽電池にプロファイル調整機能（profile tailoring ability）が無いことを説明するためのグラフ９００を示す。このグラフ９００において、線９１０は、太陽電池の原子プロフィール（以下、単にプロファイル９１０ともいう。）を示している。半導体ウェーハをドーピングするために拡散を用いることによって、ユーザは、表面濃度と接合深さとを独立して制御することができない。ユーザは、表面濃度及び接合深さの両方を単に線９１０’に増加させることによって、原始プロフィール９１０をより深くし、あるいは、表面濃度及び接合深さの両方を線９１０’’に減少させることによって、原子プロフィール９１０をより浅くするかに制限される。ユーザは、原子プロフィールの形状を変えることができず、原子プロフィールの一方の特性に、他方の特性よりも多くの影響を与えることができない。
図９Ａ〜９Ｂは、本発明の原理に基づくイオン注入を用いてドーピングされる太陽電池のプロファイル調整機能が優れていることを説明するためのグラフである。図９Ａのグラフ１０００は、従来の方法を用いて形成された太陽電池の濃度対深さに対する原子プロフィール１０１０を示している。ここで、原子プロフィール１０１０は、単純なガウス分布に限定されており、これによって、電子正孔対発生領域（electron-hole pair generating region）で発生した電子は、接点フィンガまで移動することが難しくなる。原子プロフィール１０１０の急な勾配は、電子がウェーハの表面の導電性接点に向かって移動するにつれて、ドーパント濃度（したがって、抵抗率）が大幅に増加することを表している。この急な勾配によって、電子が接点に到達することがより難しくなり、したがって、結果として、発生電力の望ましくない損失となる。
図９Ｂのグラフ１０００’は、本発明の多重イオン注入を用いて形成された太陽電池の濃度対深さに対する原子プロフィール１０１０’を示している。原子プロフィール１０１０’は、電子が半導体ウェーハの表面の接点に向かって移動するにつれて、濃度がより緩やかな（急でない）勾配で増加するように、形成することができる。この原子プロフィール１０１０’は、多重イオン注入を用い、注入と注入の間に、接合深さと表面濃度とを、必ずしも両方ではないが、独立して制御することによって調整することができる。
図７において、異なる注入プロファイル８１２、８１４、８１６によって、太陽電池の異なる特徴を決定することができる。例えば、幾つかの実施の形態において、注入プロファイル８１２（中央部の注入）は、均一なエミッタを決定し、一方、注入プロファイル８１４、８１６は、選択的エミッタ領域を形成するために、一連の選択的注入として追加される。これらの注入処理（implantation steps）は、太陽電池の製造に必要なテクスチャリングを行う表面だけでなく、あらゆるカバーなしで基板全面（on blanket substrates）に対して、あるいは任意の反射防止カバー（例えば窒化物、酸化物、又はあらゆる他の膜）を介して実行することができる。テクスチャリングを行う場合、イオン注入は、表面形状（surface contour）に対する良好な密着性を提供し、したがって、コンタクト形成（contact formation）を改良する。テクスチャリングについては、米国仮特許出願第６１／１３３，０２８号に記載されており、この仮特許出願は、上述したように、引用することにより、本願に援用される。図７のプロファイル調整グラフ８００には、例えば上述した反射防止コーティングからなる表面被覆８５０を示している。この反射防止コーティングは、その厚さを任意とすることができる。
図１０は、実施の形態に基づいて太陽電池を製造するプロセス１１００の工程を示すフローチャートである。図２、図１０に示すように、工程１１０１において、プロセス１１００を開始し、この工程１１０１において、処理アプリケーションに適合するのに必要な特定のイオン源２１０をイオン注入装置２００に接続する。工程１１０３において、１枚のウェーハを単一ロードロック２３０内に配置する。工程１１０５において、光受容領域を１つの濃度と、より高い濃度とでドーピングして、グリッド線を形成する。この工程１１０５は、複数回のドーピングサイクルを含むことができる。
次に、工程１１０７において、接点シード（contact seeds）、印刷又はインクジェット印刷金属フィンガ、バスバー及び他の接点を形成する。工程１１０９において、接点を確定し、活性化し、基板のドーピングをアニーリングするために、ウェーハを加熱（fired）する。ウェーハは、例えば炉、フラッシュランプ、レーザ等を用いて、従来の装置を用いる際に必要とされる温度よりも低い４００〜５００℃の温度で、アニーリングすることができる。好ましくは、唯１回のアニーリング工程のみが必要である。また、ウェーハは、異なる温度で、同じ結果が得られる時間アニーリングすることもできる。
工程１１１１において、ウェーハの性能を測定し、そして、選別する。工程１１１３において、プロセス１１００は、終了する。
好ましくは、工程１１００は、（１）コンピュータ読取可能な媒体に記憶されたコンピュータで実行可能な命令と、（２）この命令を実行するプロセッサとを用いたコントローラによって実行される。図２に示すように、一実施の形態において、このコントローラ（図示せず）は、傾斜ビーム走査／質量分離／ビーム成形モジュール２２０、測定及び制御モジュール２２５、又はその両方に接続されている。
実施の形態においては、太陽電池について説明したが、実施の形態に基づいて他の半導体素子を製造できることは言うまでもない。
特許請求の範囲によって定義される発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、実施の形態を変更できることは、当業者には明らかである。

Claims (26)

  1. 半導体基板にイオン注入するイオン注入装置において、
    イオン源と、
    上記イオン源からのビームを加速して、エネルギが１５０ｋｅＶ未満のビームを生成する加速器と、
    上記基板を上記ビームに暴露するビーム誘導器とを備えるイオン注入装置。
  2. 上記イオン源は、単一ガス送出要素及び単一イオン源からなる単一シード送出モジュールであることを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
  3. 上記ビーム誘導器は、集束素子からなり、該集束素子は、上記基板上に上記ビームを集束する磁気光学系、電磁光学系又はその両方を備えることを特徴とする請求項２記載のイオン注入装置。
  4. 上記単一イオン源のビームスロットの長さは、５〜１０ｃｍであり、幅は、５ｍｍ未満であることを特徴とする請求項２記載のイオン注入装置。
  5. 上記ビームは、プラズマビームであることを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
  6. 上記イオン源は、アンチモン、ヒ素及び燐からなるグループから選択されるｎ型ドーパントを含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
  7. 上記イオン源は、ｐ型ドーパントを含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
  8. 上記ビームは、少なくとも５ｋＷ／ｃｍ２の出力密度を有することを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
  9. 上記イオン源、上記加速器又はその両方は、当該イオン注入装置に対してプラグコンパチブルであることを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
  10. 上記ビームを、上記基板全体に直交方向に走査する走査素子を更に備える請求項１記載のイオン注入装置。
  11. 半導体素子を製造する半導体素子製造方法において、
    基板内の光受容領域を第１の濃度にドーピングする工程と、
    上記光受容領域を上記第１の濃度よりも高い第２の濃度にドーピングして、該光受容領域の最上の表面から上記基板内に延びるグリッド線を形成する工程と、
    上記グリッド線に金属フィンガを接続する工程とを有し、
    上記光受容領域及び上記グリッド線は、単一シード送出モジュールを備える装置を用いてドーピングされることを特徴とする半導体素子製造方法。
  12. 上記基板は、他の基板とは別にドーピングされることを特徴とする請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  13. 上記グリッド線を形成する工程は、
    上記基板を、該基板の表面から置換されたマスクを介して、ドーパントを含むイオンビームに暴露する工程を有し、
    上記マスクは、上記グリッド線の幅と同じ開口を有することを特徴とする請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  14. 上記グリッド線を形成する工程は、
    上記基板を、該基板の表面に接続されたマスクを介して、ドーパントを含むイオンビームに暴露する工程を有し、
    上記マスクは、上記グリッド線を形成する場所に隣接した開口を有することを特徴とする請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  15. 上記グリッド線を形成する工程は、
    ドーパントを含むビームを、上記グリッド線の幅に成形する工程と、
    上記ビームを、上記光受容領域に向ける工程とを有することを特徴とする請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  16. 上記ビームを向ける工程は、
    上記光受容領域全体を上記ビームで走査して、上記グリッド線を順次形成する工程を有することを特徴とする請求項１５記載の半導体素子製造方法。
  17. 上記ビームを向ける工程は、
    上記グリッド線を同時に形成するように上記ビームを発生する工程を有することを特徴とする請求項１５記載の半導体素子製造方法。
  18. 上記第１の濃度は、１Ｅ１５／ｃｍ２未満であることを特徴とする請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  19. 上記光受容領域は、少なくとも１００Ω／□の抵抗率を有することを特徴とする請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  20. 上記グリッド線は、１０〜３０Ω／□の抵抗率を有することを特徴とする請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  21. 上記グリッド線の幅は、２００ミクロン未満であることを特徴とする請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  22. 上記グリッド線の間隔は、５ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  23. 上記基板を４００〜５００℃で熱処理する工程を更に有する請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  24. 上記基板の背面に接点を形成する工程を更に有する請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  25. 上記グリッド線に金属フィンガを接続する前に、上記グリッド線のそれぞれの上にシードをイオン注入する工程を更に有する請求項１１記載の半導体素子製造方法。
  26. 太陽電池を製造する太陽電池製造方法において、
    １５０ｋｅＶ未満のエネルギを有するイオンビームを用いて、基板内に光受容領域を第１の濃度にドーピングする工程と、
    上記イオンビームを用いて、上記光受容領域を上記第１の濃度よりも高い第２の濃度にドーピングして、該光受容領域の最上の表面から上記基板内に延びるグリッド線を形成する工程と、
    上記グリッド線に金属フィンガを接続する工程とを有し、
    上記基板は、１５６ｍｍ×１５６ｍｍであり、上記光受容領域は、単一シード送出モジュールを備える装置を用いてドーピングされ、該装置のスループットは、毎時少なくともウェーハ１０００枚あることを特徴とする太陽電池製造方法。
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US (4) US20090308440A1 (ja)
EP (4) EP2308060A4 (ja)
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KR (4) KR20110042051A (ja)
CN (4) CN102150277A (ja)
HK (1) HK1158366A1 (ja)
WO (4) WO2009152368A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012199571A (ja) * 2010-06-17 2012-10-18 Panasonic Corp 多結晶型太陽電池パネルおよびその製造方法
KR20130087783A (ko) * 2012-01-30 2013-08-07 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US8697552B2 (en) 2009-06-23 2014-04-15 Intevac, Inc. Method for ion implant using grid assembly
US8697553B2 (en) 2008-06-11 2014-04-15 Intevac, Inc Solar cell fabrication with faceting and ion implantation
US9318332B2 (en) 2012-12-19 2016-04-19 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant
US9324598B2 (en) 2011-11-08 2016-04-26 Intevac, Inc. Substrate processing system and method
KR101833936B1 (ko) 2017-11-24 2018-03-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법

Families Citing this family (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
CA2640649A1 (en) * 2006-02-28 2007-09-07 Ciba Holding Inc. Antimicrobial compounds
US8203433B2 (en) * 2006-05-04 2012-06-19 Intermec Ip Corp. Method for commissioning an RFID network
US8461032B2 (en) * 2008-03-05 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Use of dopants with different diffusivities for solar cell manufacture
US20090317937A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-24 Atul Gupta Maskless Doping Technique for Solar Cells
US20090239363A1 (en) * 2008-03-24 2009-09-24 Honeywell International, Inc. Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes
US8053867B2 (en) 2008-08-20 2011-11-08 Honeywell International Inc. Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants
US7951696B2 (en) 2008-09-30 2011-05-31 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming N-type and P-type doped regions using non-contact printing processes
EP2351097A2 (en) 2008-10-23 2011-08-03 Alta Devices, Inc. Photovoltaic device
US8518170B2 (en) 2008-12-29 2013-08-27 Honeywell International Inc. Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks
US7820532B2 (en) * 2008-12-29 2010-10-26 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type element profiles
JP5297840B2 (ja) * 2009-03-03 2013-09-25 シャープ株式会社 積層体、薄膜光電変換素子、集積型薄膜太陽電池およびそれらの製造方法
US9076914B2 (en) 2009-04-08 2015-07-07 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for processing a substrate
US8900982B2 (en) * 2009-04-08 2014-12-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for processing a substrate
US9006688B2 (en) * 2009-04-08 2015-04-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for processing a substrate using a mask
US8330128B2 (en) * 2009-04-17 2012-12-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Implant mask with moveable hinged mask segments
US9318644B2 (en) 2009-05-05 2016-04-19 Solexel, Inc. Ion implantation and annealing for thin film crystalline solar cells
US20110027463A1 (en) * 2009-06-16 2011-02-03 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Workpiece handling system
TW201104822A (en) * 2009-07-20 2011-02-01 E Ton Solar Tech Co Ltd Aligning method of patterned electrode in a selective emitter structure
US8324089B2 (en) 2009-07-23 2012-12-04 Honeywell International Inc. Compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, methods for fabricating such compositions, and methods for forming doped regions using such compositions
US8008176B2 (en) * 2009-08-11 2011-08-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Masked ion implant with fast-slow scan
US9673243B2 (en) 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9911781B2 (en) 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9691921B2 (en) 2009-10-14 2017-06-27 Alta Devices, Inc. Textured metallic back reflector
US9768329B1 (en) 2009-10-23 2017-09-19 Alta Devices, Inc. Multi-junction optoelectronic device
US20170141256A1 (en) 2009-10-23 2017-05-18 Alta Devices, Inc. Multi-junction optoelectronic device with group iv semiconductor as a bottom junction
US9136422B1 (en) 2012-01-19 2015-09-15 Alta Devices, Inc. Texturing a layer in an optoelectronic device for improved angle randomization of light
US11271128B2 (en) 2009-10-23 2022-03-08 Utica Leaseco, Llc Multi-junction optoelectronic device
US9502594B2 (en) * 2012-01-19 2016-11-22 Alta Devices, Inc. Thin-film semiconductor optoelectronic device with textured front and/or back surface prepared from template layer and etching
US20150380576A1 (en) 2010-10-13 2015-12-31 Alta Devices, Inc. Optoelectronic device with dielectric layer and method of manufacture
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US8461030B2 (en) 2009-11-17 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus and method for controllably implanting workpieces
KR20110089497A (ko) * 2010-02-01 2011-08-09 삼성전자주식회사 기판에의 불순물 도핑 방법, 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 태양 전지
US8735234B2 (en) * 2010-02-18 2014-05-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Self-aligned ion implantation for IBC solar cells
US8921149B2 (en) * 2010-03-04 2014-12-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Aligning successive implants with a soft mask
US8912082B2 (en) * 2010-03-25 2014-12-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Implant alignment through a mask
TW201133905A (en) * 2010-03-30 2011-10-01 E Ton Solar Tech Co Ltd Method of forming solar cell
US8084293B2 (en) * 2010-04-06 2011-12-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Continuously optimized solar cell metallization design through feed-forward process
JP2011228360A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Institute Of Physical & Chemical Research 太陽電池
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
US20120111396A1 (en) * 2010-05-04 2012-05-10 Sionyx, Inc. Photovoltaic Devices and Associated Methods
CN101866971A (zh) * 2010-05-18 2010-10-20 常州亿晶光电科技有限公司 具有选择性发射级太阳能电池片
TWI399863B (zh) * 2010-05-26 2013-06-21 Inventec Solar Energy Corp 快速升溫退火裝置及形成太陽能電池選擇性射極結構的方法
US8071418B2 (en) 2010-06-03 2011-12-06 Suniva, Inc. Selective emitter solar cells formed by a hybrid diffusion and ion implantation process
US8110431B2 (en) * 2010-06-03 2012-02-07 Suniva, Inc. Ion implanted selective emitter solar cells with in situ surface passivation
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
WO2011160130A2 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Sionyx, Inc High speed photosensitive devices and associated methods
US8563351B2 (en) 2010-06-25 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing photovoltaic device
US8293645B2 (en) 2010-06-30 2012-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming photovoltaic cell
US8664100B2 (en) * 2010-07-07 2014-03-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Manufacturing high efficiency solar cell with directional doping
CN102376789A (zh) * 2010-08-24 2012-03-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 选择性发射极太阳能电池及制备方法
US20110139231A1 (en) * 2010-08-25 2011-06-16 Daniel Meier Back junction solar cell with selective front surface field
US9773928B2 (en) * 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
TWI431797B (zh) 2010-10-19 2014-03-21 Ind Tech Res Inst 選擇性射極之太陽能電池及其製作方法
US9231061B2 (en) 2010-10-25 2016-01-05 The Research Foundation Of State University Of New York Fabrication of surface textures by ion implantation for antireflection of silicon crystals
TWI469368B (zh) * 2010-11-17 2015-01-11 Intevac Inc 在太陽能電池製造中供固態磊晶成長之直流電離子注入
TWI488321B (zh) * 2010-12-10 2015-06-11 Teijin Ltd Semiconductor laminates, semiconductor devices, and the like
EP2490268A1 (en) * 2011-02-03 2012-08-22 Imec Method for fabricating photovoltaic cells
JP2014512673A (ja) * 2011-03-08 2014-05-22 アライアンス フォー サステイナブル エナジー リミテッド ライアビリティ カンパニー 向上された青色感度を有する効率的なブラックシリコン光起電装置
JP5496136B2 (ja) * 2011-03-25 2014-05-21 三菱電機株式会社 光起電力装置および光起電力モジュール
WO2012140808A1 (ja) * 2011-04-15 2012-10-18 三菱電機株式会社 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール
TWI424582B (zh) * 2011-04-15 2014-01-21 Au Optronics Corp 太陽能電池的製造方法
WO2012166749A2 (en) * 2011-05-27 2012-12-06 Solexel, Inc. Ion implantation and annealing for high efficiency back-contact back-junction solar cells
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
US8697559B2 (en) 2011-07-07 2014-04-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Use of ion beam tails to manufacture a workpiece
EP2732402A2 (en) 2011-07-13 2014-05-21 Sionyx, Inc. Biometric imaging devices and associated methods
US8778448B2 (en) * 2011-07-21 2014-07-15 International Business Machines Corporation Method of stabilizing hydrogenated amorphous silicon and amorphous hydrogenated silicon alloys
JP5726308B2 (ja) * 2011-07-28 2015-05-27 京セラ株式会社 太陽電池素子および太陽電池モジュール
US8629294B2 (en) 2011-08-25 2014-01-14 Honeywell International Inc. Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants
CN102969214B (zh) * 2011-08-31 2017-08-25 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置及具有其的基板处理系统
US8975170B2 (en) 2011-10-24 2015-03-10 Honeywell International Inc. Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions
US8507298B2 (en) 2011-12-02 2013-08-13 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Patterned implant of a dielectric layer
KR101902887B1 (ko) * 2011-12-23 2018-10-01 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
CN103199146A (zh) * 2012-01-04 2013-07-10 茂迪股份有限公司 太阳能电池制造方法
US11038080B2 (en) 2012-01-19 2021-06-15 Utica Leaseco, Llc Thin-film semiconductor optoelectronic device with textured front and/or back surface prepared from etching
US20130199604A1 (en) * 2012-02-06 2013-08-08 Silicon Solar Solutions Solar cells and methods of fabrication thereof
KR101807791B1 (ko) 2012-03-05 2018-01-18 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
US9099578B2 (en) 2012-06-04 2015-08-04 Nusola, Inc. Structure for creating ohmic contact in semiconductor devices and methods for manufacture
JP2015519729A (ja) * 2012-04-02 2015-07-09 ヌソラ インコーポレイテッドｎｕｓｏｌａ Ｉｎｃ． 光電変換素子及びその製造方法
US20130255774A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-03 Nusola, Inc. Photovoltaic cell and process of manufacture
WO2013152054A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-10 Nusola Inc. Photovoltaic cell and process of manufacture
US9412895B2 (en) 2012-04-04 2016-08-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing photoelectric device
US8895325B2 (en) 2012-04-27 2014-11-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for aligning substrates for multiple implants
KR101879781B1 (ko) * 2012-05-11 2018-08-16 엘지전자 주식회사 태양 전지, 불순물층의 형성 방법 및 태양 전지의 제조 방법
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
US9530923B2 (en) * 2012-12-21 2016-12-27 Sunpower Corporation Ion implantation of dopants for forming spatially located diffusion regions of solar cells
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
WO2014110520A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Silevo, Inc. Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
KR20150130303A (ko) 2013-02-15 2015-11-23 사이오닉스, 아이엔씨. 안티 블루밍 특성 및 관련 방법을 가지는 높은 동적 범위의 cmos 이미지 센서
US9029049B2 (en) * 2013-02-20 2015-05-12 Infineon Technologies Ag Method for processing a carrier, a carrier, an electronic device and a lithographic mask
US9939251B2 (en) 2013-03-15 2018-04-10 Sionyx, Llc Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
FR3003687B1 (fr) * 2013-03-20 2015-07-17 Mpo Energy Procede de dopage de plaques de silicium
CN104078519A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池片及其制备方法
CN103280489B (zh) * 2013-05-17 2016-02-03 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种实现选择性发射极的方法
CN103268905B (zh) * 2013-05-17 2017-02-08 浙江正泰太阳能科技有限公司 太阳能晶硅电池的制造方法
US9209345B2 (en) 2013-06-29 2015-12-08 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
FR3010227B1 (fr) * 2013-09-04 2015-10-02 Commissariat Energie Atomique Procede de formation d'une cellule photovoltaique
US9577134B2 (en) * 2013-12-09 2017-02-21 Sunpower Corporation Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap
US9960287B2 (en) 2014-02-11 2018-05-01 Picasolar, Inc. Solar cells and methods of fabrication thereof
FR3018391B1 (fr) * 2014-03-07 2016-04-01 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d’une cellule photovoltaique a dopage selectif
US9337369B2 (en) 2014-03-28 2016-05-10 Sunpower Corporation Solar cells with tunnel dielectrics
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US9343312B2 (en) * 2014-07-25 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High temperature intermittent ion implantation
CN105489489B (zh) * 2014-10-09 2019-03-15 江苏中科君芯科技有限公司 半导体器件的制作方法、ti-igbt的制作方法
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
US20160284913A1 (en) * 2015-03-27 2016-09-29 Staffan WESTERBERG Solar cell emitter region fabrication using substrate-level ion implantation
CN105070789B (zh) * 2015-08-20 2017-11-10 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池发射极的制备方法
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
CN105845776A (zh) * 2016-04-26 2016-08-10 泰州中来光电科技有限公司 局部背场n型光伏电池的制备方法及其电池和组件、系统
US11018225B2 (en) 2016-06-28 2021-05-25 International Business Machines Corporation III-V extension by high temperature plasma doping
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
US10796899B2 (en) * 2018-12-28 2020-10-06 Micron Technology, Inc. Silicon doping for laser splash blockage
CN110098283A (zh) * 2019-04-25 2019-08-06 晶科能源科技（海宁）有限公司 一种匹配激光选择性掺杂的离子注入磷扩散方法
CN117316759B (zh) * 2023-11-28 2024-02-20 武汉鑫威源电子科技有限公司 提高p型氮化镓掺杂效率的方法以及装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57132373A (en) * 1981-02-10 1982-08-16 Agency Of Ind Science & Technol Manufacture of solar battery
JP2001252555A (ja) * 2000-03-09 2001-09-18 Hitachi Ltd 薄膜生成システム
JP2007504622A (ja) * 2003-09-03 2007-03-01 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド ユニポーラ型静電四重極レンズ及び荷電ビーム輸送用のスイッチング方法
JP2007053386A (ja) * 2006-08-18 2007-03-01 Hitachi Ltd イオン注入方法およびその装置

Family Cites Families (324)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US554854A (en) * 1896-02-18 John f
US3786359A (en) 1969-03-28 1974-01-15 Alpha Ind Inc Ion accelerator and ion species selector
US3607450A (en) * 1969-09-26 1971-09-21 Us Air Force Lead sulfide ion implantation mask
US3790412A (en) 1972-04-07 1974-02-05 Bell Telephone Labor Inc Method of reducing the effects of particle impingement on shadow masks
US3969746A (en) * 1973-12-10 1976-07-13 Texas Instruments Incorporated Vertical multijunction solar cell
US3969163A (en) * 1974-09-19 1976-07-13 Texas Instruments Incorporated Vapor deposition method of forming low cost semiconductor solar cells including reconstitution of the reacted gases
US3948682A (en) 1974-10-31 1976-04-06 Ninel Mineevna Bordina Semiconductor photoelectric generator
US3976508A (en) 1974-11-01 1976-08-24 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Tubular solar cell devices
JPS5165774U (ja) * 1974-11-20 1976-05-24
US4004949A (en) 1975-01-06 1977-01-25 Motorola, Inc. Method of making silicon solar cells
US4144094A (en) 1975-01-06 1979-03-13 Motorola, Inc. Radiation responsive current generating cell and method of forming same
US4072541A (en) * 1975-11-21 1978-02-07 Communications Satellite Corporation Radiation hardened P-I-N and N-I-P solar cells
US4095329A (en) 1975-12-05 1978-06-20 Mobil Tyco Soalar Energy Corporation Manufacture of semiconductor ribbon and solar cells
US4152536A (en) 1975-12-05 1979-05-01 Mobil Tyco Solar Energy Corp. Solar cells
US4021276A (en) * 1975-12-29 1977-05-03 Western Electric Company, Inc. Method of making rib-structure shadow mask for ion implantation
US4131488A (en) * 1975-12-31 1978-12-26 Motorola, Inc. Method of semiconductor solar energy device fabrication
US4070689A (en) * 1975-12-31 1978-01-24 Motorola Inc. Semiconductor solar energy device
US4001864A (en) * 1976-01-30 1977-01-04 Gibbons James F Semiconductor p-n junction solar cell and method of manufacture
US4056404A (en) 1976-03-29 1977-11-01 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Flat tubular solar cells and method of producing same
US4090213A (en) 1976-06-15 1978-05-16 California Institute Of Technology Induced junction solar cell and method of fabrication
US4070205A (en) * 1976-12-08 1978-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Aluminum arsenide eutectic gallium arsenide solar cell
US4116717A (en) 1976-12-08 1978-09-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Ion implanted eutectic gallium arsenide solar cell
US4086102A (en) 1976-12-13 1978-04-25 King William J Inexpensive solar cell and method therefor
US4179311A (en) * 1977-01-17 1979-12-18 Mostek Corporation Method of stabilizing semiconductor device by converting doped poly-Si to polyoxides
US4131486A (en) 1977-01-19 1978-12-26 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Back wall solar cell
US4141756A (en) * 1977-10-14 1979-02-27 Honeywell Inc. Method of making a gap UV photodiode by multiple ion-implantations
US4152824A (en) 1977-12-30 1979-05-08 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Manufacture of solar cells
US4301592A (en) 1978-05-26 1981-11-24 Hung Chang Lin Method of fabricating semiconductor junction device employing separate metallization
US4219830A (en) 1978-06-19 1980-08-26 Gibbons James F Semiconductor solar cell
US4253881A (en) 1978-10-23 1981-03-03 Rudolf Hezel Solar cells composed of semiconductive materials
US4227941A (en) 1979-03-21 1980-10-14 Massachusetts Institute Of Technology Shallow-homojunction solar cells
US4273950A (en) 1979-05-29 1981-06-16 Photowatt International, Inc. Solar cell and fabrication thereof using microwaves
DE2941908C2 (de) 1979-10-17 1986-07-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Herstellen einer eine Silizium-Schicht aufweisenden Solarzelle
US4490573A (en) 1979-12-26 1984-12-25 Sera Solar Corporation Solar cells
DK79780A (da) 1980-02-25 1981-08-26 Elektronikcentralen Solcelle med et halvlederkrystal og med en belyst overflade batteri af solceller og fremgangsmaade til fremstilling af samme
JPS5713777A (en) 1980-06-30 1982-01-23 Shunpei Yamazaki Semiconductor device and manufacture thereof
USRE31151E (en) 1980-04-07 1983-02-15 Inexpensive solar cell and method therefor
US4295002A (en) 1980-06-23 1981-10-13 International Business Machines Corporation Heterojunction V-groove multijunction solar cell
US4322571A (en) 1980-07-17 1982-03-30 The Boeing Company Solar cells and methods for manufacture thereof
DE3135933A1 (de) 1980-09-26 1982-05-19 Unisearch Ltd., Kensington, New South Wales Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
US4421577A (en) 1980-11-10 1983-12-20 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method for making Schottky barrier diodes with engineered heights
US4353160A (en) 1980-11-24 1982-10-12 Spire Corporation Solar cell junction processing system
DE3049376A1 (de) 1980-12-29 1982-07-29 Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur herstellung vertikaler pn-uebergaenge beim ziehen von siliciumscheiben aus einer siliciumschmelze
US4379944A (en) 1981-02-05 1983-04-12 Varian Associates, Inc. Grooved solar cell for deployment at set angle
EP0078336B1 (de) 1981-10-30 1988-02-03 Ibm Deutschland Gmbh Schattenwurfmaske für die Ionenimplantation und die Ionenstrahllithographie
JPS58164134A (ja) * 1982-03-24 1983-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
DE3234678A1 (de) 1982-09-18 1984-04-05 Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt Solarzelle
US4479027A (en) 1982-09-24 1984-10-23 Todorof William J Multi-layer thin-film, flexible silicon alloy photovoltaic cell
US4456489A (en) 1982-10-15 1984-06-26 Motorola, Inc. Method of forming a shallow and high conductivity boron doped layer in silicon
US4587430A (en) 1983-02-10 1986-05-06 Mission Research Corporation Ion implantation source and device
DE3308269A1 (de) 1983-03-09 1984-09-13 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh Solarzelle
US4539431A (en) 1983-06-06 1985-09-03 Sera Solar Corporation Pulse anneal method for solar cell
US4847504A (en) * 1983-08-15 1989-07-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for ion implantation
US4522657A (en) 1983-10-20 1985-06-11 Westinghouse Electric Corp. Low temperature process for annealing shallow implanted N+/P junctions
US4589191A (en) 1983-10-20 1986-05-20 Unisearch Limited Manufacture of high efficiency solar cells
US4524237A (en) 1984-02-08 1985-06-18 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Increased voltage photovoltaic cell
US4542256A (en) 1984-04-27 1985-09-17 University Of Delaware Graded affinity photovoltaic cell
JPH0630237B2 (ja) * 1984-09-10 1994-04-20 株式会社日立製作所 イオン打込み装置
GB8423558D0 (en) 1984-09-18 1984-10-24 Secr Defence Semi-conductor solar cells
US4667060A (en) 1985-05-28 1987-05-19 Spire Corporation Back junction photovoltaic solar cell
JPS61294866A (ja) * 1985-06-21 1986-12-25 Nippon Texas Instr Kk 電荷結合型半導体装置
JPS6215864A (ja) 1985-07-15 1987-01-24 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
DE3536299A1 (de) 1985-10-11 1987-04-16 Nukem Gmbh Solarzelle aus silizium
US4676845A (en) 1986-02-18 1987-06-30 Spire Corporation Passivated deep p/n junction
US4665277A (en) 1986-03-11 1987-05-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Floating emitter solar cell
US4719355A (en) * 1986-04-10 1988-01-12 Texas Instruments Incorporated Ion source for an ion implanter
US4737688A (en) * 1986-07-22 1988-04-12 Applied Electron Corporation Wide area source of multiply ionized atomic or molecular species
JPS63143876A (ja) 1986-12-08 1988-06-16 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
DE3712503A1 (de) 1987-04-13 1988-11-03 Nukem Gmbh Solarzelle
US4830678A (en) * 1987-06-01 1989-05-16 Todorof William J Liquid-cooled sealed enclosure for concentrator solar cell and secondary lens
US4834805A (en) * 1987-09-24 1989-05-30 Wattsun, Inc. Photovoltaic power modules and methods for making same
JPH01290267A (ja) * 1988-05-18 1989-11-22 Fuji Electric Co Ltd 光電変換素子の製造方法
EP0369666B1 (en) 1988-11-16 1995-06-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar cell
JP2808004B2 (ja) * 1989-01-30 1998-10-08 京セラ株式会社 太陽電池
US5132544A (en) * 1990-08-29 1992-07-21 Nissin Electric Company Ltd. System for irradiating a surface with atomic and molecular ions using two dimensional magnetic scanning
JP2875892B2 (ja) * 1990-12-20 1999-03-31 三菱重工業株式会社 立方晶窒化ほう素膜の形成方法
US5112409A (en) 1991-01-23 1992-05-12 Solarex Corporation Solar cells with reduced recombination under grid lines, and method of manufacturing same
US5125983A (en) * 1991-04-22 1992-06-30 Electric Power Research Institute, Inc. Generating electric power from solar radiation
US5113735A (en) * 1991-04-23 1992-05-19 Alcan International Limited Slitting apparatus
USH1637H (en) 1991-09-18 1997-03-04 Offord; Bruce W. Laser-assisted fabrication of bipolar transistors in silicon-on-sapphire (SOS)
JPH0797653B2 (ja) 1991-10-01 1995-10-18 工業技術院長 光電変換素子
JP2837296B2 (ja) 1991-10-17 1998-12-14 シャープ株式会社 太陽電池
DE4217428A1 (de) 1991-12-09 1993-06-17 Deutsche Aerospace Hochleistungs-solarzellenstruktur
US5356488A (en) 1991-12-27 1994-10-18 Rudolf Hezel Solar cell and method for its manufacture
DE4202455C1 (ja) 1992-01-29 1993-08-19 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
TW232079B (ja) 1992-03-17 1994-10-11 Wisconsin Alumni Res Found
US5374456A (en) 1992-12-23 1994-12-20 Hughes Aircraft Company Surface potential control in plasma processing of materials
US6084175A (en) 1993-05-20 2000-07-04 Amoco/Enron Solar Front contact trenches for polycrystalline photovoltaic devices and semi-conductor devices with buried contacts
US5421889A (en) 1993-06-29 1995-06-06 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for inverting samples in a process
JP3159583B2 (ja) * 1993-11-10 2001-04-23 シャープ株式会社 太陽電池およびその製造方法
KR100366910B1 (ko) * 1994-04-05 2003-03-04 소니 가부시끼 가이샤 반도체장치의제조방법
FR2722612B1 (fr) 1994-07-13 1997-01-03 Centre Nat Rech Scient Procede de fabrication d'un materiau ou dispositif photovoltaique, materiau ou dispositif ainsi obteu et photopile comprenant un tel materiau ou dispositif
US5583368A (en) 1994-08-11 1996-12-10 International Business Machines Corporation Stacked devices
US5693376A (en) 1995-06-23 1997-12-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Method for plasma source ion implantation and deposition for cylindrical surfaces
US5554854A (en) * 1995-07-17 1996-09-10 Eaton Corporation In situ removal of contaminants from the interior surfaces of an ion beam implanter
US5653811A (en) 1995-07-19 1997-08-05 Chan; Chung System for the plasma treatment of large area substrates
US5863831A (en) * 1995-08-14 1999-01-26 Advanced Materials Engineering Research, Inc. Process for fabricating semiconductor device with shallow p-type regions using dopant compounds containing elements of high solid solubility
GB2344213B (en) * 1995-11-08 2000-08-09 Applied Materials Inc An ion implanter with improved field control
GB2343545B (en) 1995-11-08 2000-06-21 Applied Materials Inc An ion implanter with three electrode deceleration structure and upstream mass selection
US5641362A (en) 1995-11-22 1997-06-24 Ebara Solar, Inc. Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell
US5760405A (en) * 1996-02-16 1998-06-02 Eaton Corporation Plasma chamber for controlling ion dosage in ion implantation
US6827824B1 (en) * 1996-04-12 2004-12-07 Micron Technology, Inc. Enhanced collimated deposition
US7118996B1 (en) * 1996-05-15 2006-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus and method for doping
GB2316224B (en) * 1996-06-14 2000-10-04 Applied Materials Inc Ion implantation method
GB2314202B (en) 1996-06-14 2000-08-09 Applied Materials Inc Ion implantation apparatus and a method of monitoring high energy neutral contamination in an ion implantation process
US5885896A (en) 1996-07-08 1999-03-23 Micron Technology, Inc. Using implants to lower anneal temperatures
JP4197193B2 (ja) * 1996-07-08 2008-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法
EP0837333A3 (en) * 1996-10-18 1999-06-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for aligning a semiconductor wafer with an inspection contactor
US6091021A (en) 1996-11-01 2000-07-18 Sandia Corporation Silicon cells made by self-aligned selective-emitter plasma-etchback process
US5963801A (en) 1996-12-19 1999-10-05 Lsi Logic Corporation Method of forming retrograde well structures and punch-through barriers using low energy implants
US6552414B1 (en) * 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
US6239441B1 (en) 1997-01-20 2001-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
US5945012A (en) 1997-02-18 1999-08-31 Silicon Genesis Corporation Tumbling barrel plasma processor
JPH10326837A (ja) * 1997-03-25 1998-12-08 Toshiba Corp 半導体集積回路装置の製造方法、半導体集積回路装置、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP3468670B2 (ja) * 1997-04-28 2003-11-17 シャープ株式会社 太陽電池セルおよびその製造方法
KR100223847B1 (ko) * 1997-05-06 1999-10-15 구본준 반도체 소자의 구조 및 제조 방법
US6291313B1 (en) 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US5985742A (en) 1997-05-12 1999-11-16 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and device for patterned films
US5907158A (en) 1997-05-14 1999-05-25 Ebara Corporation Broad range ion implanter
GB2325561B (en) 1997-05-20 2001-10-17 Applied Materials Inc Apparatus for and methods of implanting desired chemical species in semiconductor substrates
US6103599A (en) 1997-07-25 2000-08-15 Silicon Genesis Corporation Planarizing technique for multilayered substrates
US6321134B1 (en) 1997-07-29 2001-11-20 Silicon Genesis Corporation Clustertool system software using plasma immersion ion implantation
US6180496B1 (en) * 1997-08-29 2001-01-30 Silicon Genesis Corporation In situ plasma wafer bonding method
US5998282A (en) 1997-10-21 1999-12-07 Lukaszek; Wieslaw A. Method of reducing charging damage to integrated circuits in ion implant and plasma-based integrated circuit process equipment
US6006253A (en) 1997-10-31 1999-12-21 Intel Corporation Method and apparatus to provide a backchannel for receiver terminals in a loosely-coupled conference
US6016036A (en) 1998-01-28 2000-01-18 Eaton Corporation Magnetic filter for ion source
US6265328B1 (en) 1998-01-30 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Wafer edge engineering method and device
US6186091B1 (en) * 1998-02-11 2001-02-13 Silicon Genesis Corporation Shielded platen design for plasma immersion ion implantation
US6120660A (en) 1998-02-11 2000-09-19 Silicon Genesis Corporation Removable liner design for plasma immersion ion implantation
US6269765B1 (en) 1998-02-11 2001-08-07 Silicon Genesis Corporation Collection devices for plasma immersion ion implantation
US6217724B1 (en) 1998-02-11 2001-04-17 Silicon General Corporation Coated platen design for plasma immersion ion implantation
US6051073A (en) 1998-02-11 2000-04-18 Silicon Genesis Corporation Perforated shield for plasma immersion ion implantation
US6228176B1 (en) 1998-02-11 2001-05-08 Silicon Genesis Corporation Contoured platen design for plasma immerson ion implantation
US6274459B1 (en) 1998-02-17 2001-08-14 Silicon Genesis Corporation Method for non mass selected ion implant profile control
US6083324A (en) 1998-02-19 2000-07-04 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for silicon-on-insulator wafers
US6060718A (en) 1998-02-26 2000-05-09 Eaton Corporation Ion source having wide output current operating range
US6113735A (en) 1998-03-02 2000-09-05 Silicon Genesis Corporation Distributed system and code for control and automation of plasma immersion ion implanter
US6034321A (en) 1998-03-24 2000-03-07 Essential Research, Inc. Dot-junction photovoltaic cells using high-absorption semiconductors
US6221774B1 (en) 1998-04-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Method for surface treatment of substrates
US6335534B1 (en) 1998-04-17 2002-01-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Ion implantation apparatus, ion generating apparatus and semiconductor manufacturing method with ion implantation processes
DE19820152A1 (de) 1998-05-06 1999-11-11 Rossendorf Forschzent Stickstoffhaltige Randschicht auf Bauteilen aus nichtrostendem Stahl und Verfahren zur Herstellung der Randschicht
US6321016B1 (en) * 1998-06-19 2001-11-20 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. Optical fiber having low non-linearity for WDM transmission
US6248649B1 (en) * 1998-06-23 2001-06-19 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and device for patterned films using patterned implants
US6291326B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Pre-semiconductor process implant and post-process film separation
US6291314B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and device for patterned films using a release layer
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
EP1099256A2 (en) * 1998-07-02 2001-05-16 Astropower Silicon thin-film, integrated solar cell, module, and methods of manufacturing the same
JP2000026975A (ja) * 1998-07-09 2000-01-25 Komatsu Ltd 表面処理装置
JP2000123778A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Hitachi Ltd イオン注入装置およびイオン注入方法
US6150708A (en) 1998-11-13 2000-11-21 Advanced Micro Devices, Inc. Advanced CMOS circuitry that utilizes both sides of a wafer surface for increased circuit density
US20010017109A1 (en) 1998-12-01 2001-08-30 Wei Liu Enhanced plasma mode and system for plasma immersion ion implantation
US6213050B1 (en) 1998-12-01 2001-04-10 Silicon Genesis Corporation Enhanced plasma mode and computer system for plasma immersion ion implantation
US6300227B1 (en) 1998-12-01 2001-10-09 Silicon Genesis Corporation Enhanced plasma mode and system for plasma immersion ion implantation
US20010002584A1 (en) * 1998-12-01 2001-06-07 Wei Liu Enhanced plasma mode and system for plasma immersion ion implantation
US6534381B2 (en) * 1999-01-08 2003-03-18 Silicon Genesis Corporation Method for fabricating multi-layered substrates
US6204151B1 (en) 1999-04-21 2001-03-20 Silicon Genesis Corporation Smoothing method for cleaved films made using thermal treatment
US6171965B1 (en) 1999-04-21 2001-01-09 Silicon Genesis Corporation Treatment method of cleaved film for the manufacture of substrates
US6287941B1 (en) 1999-04-21 2001-09-11 Silicon Genesis Corporation Surface finishing of SOI substrates using an EPI process
US6458723B1 (en) 1999-06-24 2002-10-01 Silicon Genesis Corporation High temperature implant apparatus
US6221740B1 (en) 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
TW419834B (en) 1999-09-01 2001-01-21 Opto Tech Corp Photovoltaic generator
US6489241B1 (en) 1999-09-17 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for surface finishing a silicon film
US7066703B2 (en) * 1999-09-29 2006-06-27 Tokyo Electron Limited Chuck transport method and system
JP2001189483A (ja) 1999-10-18 2001-07-10 Sharp Corp バイパス機能付太陽電池セルおよびバイパス機能付き多接合積層型太陽電池セルおよびそれらの製造方法
JP2003521812A (ja) 1999-12-06 2003-07-15 エピオン コーポレイション ガスクラスターイオンビーム・スムーザー装置
DE10060002B4 (de) * 1999-12-07 2016-01-28 Komatsu Ltd. Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung
JP4820038B2 (ja) * 1999-12-13 2011-11-24 セメクイップ， インコーポレイテッド イオン注入イオン源、システム、および方法
US6544862B1 (en) 2000-01-14 2003-04-08 Silicon Genesis Corporation Particle distribution method and resulting structure for a layer transfer process
US6376370B1 (en) * 2000-01-18 2002-04-23 Micron Technology, Inc. Process for providing seed layers for using aluminum, copper, gold and silver metallurgy process for providing seed layers for using aluminum, copper, gold and silver metallurgy
JP4450126B2 (ja) 2000-01-21 2010-04-14 日新電機株式会社 シリコン系結晶薄膜の形成方法
US6417515B1 (en) 2000-03-17 2002-07-09 International Business Machines Corporation In-situ ion implant activation and measurement apparatus
US20010046566A1 (en) * 2000-03-23 2001-11-29 Chu Paul K. Apparatus and method for direct current plasma immersion ion implantation
JP3888860B2 (ja) 2000-05-24 2007-03-07 シャープ株式会社 太陽電池セルの保護方法
FR2809867B1 (fr) * 2000-05-30 2003-10-24 Commissariat Energie Atomique Substrat fragilise et procede de fabrication d'un tel substrat
US6495010B2 (en) 2000-07-10 2002-12-17 Unaxis Usa, Inc. Differentially-pumped material processing system
US6604033B1 (en) 2000-07-25 2003-08-05 Networkcar.Com Wireless diagnostic system for characterizing a vehicle's exhaust emissions
US7228211B1 (en) * 2000-07-25 2007-06-05 Hti Ip, Llc Telematics device for vehicles with an interface for multiple peripheral devices
US6636790B1 (en) 2000-07-25 2003-10-21 Reynolds And Reynolds Holdings, Inc. Wireless diagnostic system and method for monitoring vehicles
JP2002083981A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池セルおよびその製造方法
US20020090758A1 (en) 2000-09-19 2002-07-11 Silicon Genesis Corporation Method and resulting device for manufacturing for double gated transistors
US6294434B1 (en) * 2000-09-27 2001-09-25 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of forming a metal silicide layer on a polysilicon gate structure and on a source/drain region of a MOSFET device
US6710850B2 (en) * 2000-12-22 2004-03-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
KR100366349B1 (ko) * 2001-01-03 2002-12-31 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
US6448152B1 (en) 2001-02-20 2002-09-10 Silicon Genesis Corporation Method and system for generating a plurality of donor wafers and handle wafers prior to an order being placed by a customer
US6611740B2 (en) 2001-03-14 2003-08-26 Networkcar Internet-based vehicle-diagnostic system
US7523159B1 (en) * 2001-03-14 2009-04-21 Hti, Ip, Llc Systems, methods and devices for a telematics web services interface feature
US6547939B2 (en) 2001-03-29 2003-04-15 Super Light Wave Corp. Adjustable shadow mask for improving uniformity of film deposition using multiple monitoring points along radius of substrate
US20020144725A1 (en) 2001-04-10 2002-10-10 Motorola, Inc. Semiconductor structure suitable for forming a solar cell, device including the structure, and methods of forming the device and structure
JP3888608B2 (ja) 2001-04-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板両面処理装置
US6780759B2 (en) 2001-05-09 2004-08-24 Silicon Genesis Corporation Method for multi-frequency bonding
US20020170591A1 (en) 2001-05-15 2002-11-21 Pharmaseq, Inc. Method and apparatus for powering circuitry with on-chip solar cells within a common substrate
EP1258927B1 (en) 2001-05-15 2005-08-17 STMicroelectronics S.r.l. High-gain photodetector of semiconductor material and manufacturing process thereof
US20030015700A1 (en) 2001-07-20 2003-01-23 Motorola, Inc. Suitable semiconductor structure for forming multijunction solar cell and method for forming the same
US6594579B1 (en) 2001-08-06 2003-07-15 Networkcar Internet-based method for determining a vehicle's fuel efficiency
CN1996552B (zh) * 2001-08-31 2012-09-05 克罗辛自动化公司 晶片机
DE10142481A1 (de) 2001-08-31 2003-03-27 Rudolf Hezel Solarzelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen
US7109517B2 (en) 2001-11-16 2006-09-19 Zaidi Saleem H Method of making an enhanced optical absorption and radiation tolerance in thin-film solar cells and photodetectors
US6787693B2 (en) 2001-12-06 2004-09-07 International Rectifier Corporation Fast turn on/off photovoltaic generator for photovoltaic relay
US7174243B1 (en) 2001-12-06 2007-02-06 Hti Ip, Llc Wireless, internet-based system for transmitting and analyzing GPS data
US6613974B2 (en) 2001-12-21 2003-09-02 Micrel, Incorporated Tandem Si-Ge solar cell with improved conversion efficiency
US6518184B1 (en) * 2002-01-18 2003-02-11 Intel Corporation Enhancement of an interconnect
US7225047B2 (en) 2002-03-19 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Method, system and medium for controlling semiconductor wafer processes using critical dimension measurements
US6660928B1 (en) 2002-04-02 2003-12-09 Essential Research, Inc. Multi-junction photovoltaic cell
JP2004031648A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Toppan Printing Co Ltd 光閉じ込め層を持つ光電変換素子と光電変換装置およびこの装置を備えた太陽電池
US20040025932A1 (en) 2002-08-12 2004-02-12 John Husher Variegated, high efficiency solar cell and method for making same
GB2409340B (en) 2002-10-04 2006-05-10 Silicon Genesis Corp Method for treating semiconductor material
US8187377B2 (en) * 2002-10-04 2012-05-29 Silicon Genesis Corporation Non-contact etch annealing of strained layers
US6906500B2 (en) * 2002-11-14 2005-06-14 Fyre Storm, Inc. Method of operating a switching power converter
JP2004193350A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
JP2004273826A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Sharp Corp 光電変換装置及びその製造方法
JP4373115B2 (ja) * 2003-04-04 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7339110B1 (en) 2003-04-10 2008-03-04 Sunpower Corporation Solar cell and method of manufacture
US7199039B2 (en) * 2003-05-19 2007-04-03 Intel Corporation Interconnect routing over semiconductor for editing through the back side of an integrated circuit
EP1634323A4 (en) 2003-06-13 2008-06-04 Univ North Carolina State COMPLEX OXIDES FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICES AND ASSOCIATED METHODS
US20060166394A1 (en) 2003-07-07 2006-07-27 Kukulka Jerry R Solar cell structure with solar cells having reverse-bias protection using an implanted current shunt
JP4660642B2 (ja) * 2003-10-17 2011-03-30 信越化学工業株式会社 太陽電池及びその製造方法
US7354815B2 (en) * 2003-11-18 2008-04-08 Silicon Genesis Corporation Method for fabricating semiconductor devices using strained silicon bearing material
US7081186B2 (en) 2003-11-20 2006-07-25 Sheffield Hallam University Combined coating process comprising magnetic field-assisted, high power, pulsed cathode sputtering and an unbalanced magnetron
GB2409928B (en) 2004-01-09 2007-03-21 Applied Materials Inc Improvements relating to ion implantation
US20050150597A1 (en) 2004-01-09 2005-07-14 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for controlled cleaving
US7390724B2 (en) * 2004-04-12 2008-06-24 Silicon Genesis Corporation Method and system for lattice space engineering
US7225065B1 (en) 2004-04-26 2007-05-29 Hti Ip, Llc In-vehicle wiring harness with multiple adaptors for an on-board diagnostic connector
US20050247668A1 (en) 2004-05-06 2005-11-10 Silicon Genesis Corporation Method for smoothing a film of material using a ring structure
JP2005322780A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Toyota Motor Corp 太陽電池
GB0410743D0 (en) * 2004-05-14 2004-06-16 Vivactiss Bvba Holder for wafers
US7767561B2 (en) 2004-07-20 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid
US8058156B2 (en) 2004-07-20 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids
CN101002326B (zh) 2004-07-28 2012-07-18 量子半导体有限公司 与cmos单片集成的光子器件
US7094666B2 (en) 2004-07-29 2006-08-22 Silicon Genesis Corporation Method and system for fabricating strained layers for the manufacture of integrated circuits
US7078317B2 (en) 2004-08-06 2006-07-18 Silicon Genesis Corporation Method and system for source switching and in-situ plasma bonding
GB2417251A (en) * 2004-08-18 2006-02-22 Nanofilm Technologies Int Removing material from a substrate surface using plasma
EP1810346A2 (en) * 2004-10-25 2007-07-25 The University Of Rochester Methods of making energy conversion devices with substantially contiguous depletion regions
US7611322B2 (en) * 2004-11-18 2009-11-03 Intevac, Inc. Processing thin wafers
US7399680B2 (en) 2004-11-24 2008-07-15 Silicon Genesis Corporation Method and structure for implanting bonded substrates for electrical conductivity
US7547609B2 (en) * 2004-11-24 2009-06-16 Silicon Genesis Corporation Method and structure for implanting bonded substrates for electrical conductivity
US7268431B2 (en) 2004-12-30 2007-09-11 Advantech Global, Ltd System for and method of forming via holes by use of selective plasma etching in a continuous inline shadow mask deposition process
US7022984B1 (en) * 2005-01-31 2006-04-04 Axcelis Technologies, Inc. Biased electrostatic deflector
JP2008532317A (ja) 2005-02-28 2008-08-14 シリコン・ジェネシス・コーポレーション レイヤ転送プロセス用の基板強化方法および結果のデバイス
US20060234484A1 (en) 2005-04-14 2006-10-19 International Business Machines Corporation Method and structure for ion implantation by ion scattering
US7520292B2 (en) 2005-05-17 2009-04-21 Brian Weltman Pressure activated trap primer and water hammer combination
JP2007022314A (ja) 2005-07-15 2007-02-01 Kanzaki Kokyukoki Mfg Co Ltd 油圧式車軸駆動装置
US7674687B2 (en) * 2005-07-27 2010-03-09 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating multiple tiled regions onto a plate using a controlled cleaving process
US20070031609A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Ajay Kumar Chemical vapor deposition chamber with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same
US7166520B1 (en) * 2005-08-08 2007-01-23 Silicon Genesis Corporation Thin handle substrate method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process
US20070032044A1 (en) 2005-08-08 2007-02-08 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process and etch back
US20070029043A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Silicon Genesis Corporation Pre-made cleavable substrate method and structure of fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process
US7317579B2 (en) * 2005-08-11 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing graded-index microlenses
US7427554B2 (en) 2005-08-12 2008-09-23 Silicon Genesis Corporation Manufacturing strained silicon substrates using a backing material
KR100653073B1 (ko) * 2005-09-28 2006-12-01 삼성전자주식회사 기판처리장치와 기판처리방법
US20070081138A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing methods and mask for use in a device manufacturing method
US7524743B2 (en) * 2005-10-13 2009-04-28 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Conformal doping apparatus and method
US7479441B2 (en) * 2005-10-14 2009-01-20 Silicon Genesis Corporation Method and apparatus for flag-less water bonding tool
US7796849B2 (en) 2005-10-25 2010-09-14 Georgia Tech Research Corporation Spatial separation of optical frequency components using photonic crystals
JP2009515369A (ja) 2005-11-07 2009-04-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 光電池接触部及び配線の形成
US20070169806A1 (en) 2006-01-20 2007-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization
KR101181820B1 (ko) * 2005-12-29 2012-09-11 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지의 제조 방법
US7863157B2 (en) 2006-03-17 2011-01-04 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a layer transfer process
US7598153B2 (en) 2006-03-31 2009-10-06 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating bonded substrate structures using thermal processing to remove oxygen species
CN101512721A (zh) 2006-04-05 2009-08-19 硅源公司 利用层转移工艺制造太阳能电池的方法和结构
CN101055898A (zh) 2006-04-11 2007-10-17 新日光能源科技股份有限公司 光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法
US20070277875A1 (en) 2006-05-31 2007-12-06 Kishor Purushottam Gadkaree Thin film photovoltaic structure
US7579654B2 (en) 2006-05-31 2009-08-25 Corning Incorporated Semiconductor on insulator structure made using radiation annealing
US7928317B2 (en) * 2006-06-05 2011-04-19 Translucent, Inc. Thin film solar cell
US8153513B2 (en) * 2006-07-25 2012-04-10 Silicon Genesis Corporation Method and system for continuous large-area scanning implantation process
US7767520B2 (en) * 2006-08-15 2010-08-03 Kovio, Inc. Printed dopant layers
US7701011B2 (en) * 2006-08-15 2010-04-20 Kovio, Inc. Printed dopant layers
US8293619B2 (en) * 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
US7811900B2 (en) 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
KR20080023774A (ko) 2006-09-12 2008-03-17 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 포토 다이오드
US20080092944A1 (en) * 2006-10-16 2008-04-24 Leonid Rubin Semiconductor structure and process for forming ohmic connections to a semiconductor structure
US20080092947A1 (en) 2006-10-24 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Pulse plating of a low stress film on a solar cell substrate
JP2008112848A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池
US8124499B2 (en) 2006-11-06 2012-02-28 Silicon Genesis Corporation Method and structure for thick layer transfer using a linear accelerator
US20080128641A1 (en) 2006-11-08 2008-06-05 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for introducing particles using a radio frequency quadrupole linear accelerator for semiconductor materials
US20080121276A1 (en) 2006-11-29 2008-05-29 Applied Materials, Inc. Selective electroless deposition for solar cells
US20080128019A1 (en) 2006-12-01 2008-06-05 Applied Materials, Inc. Method of metallizing a solar cell substrate
KR100759084B1 (ko) 2006-12-07 2007-09-19 실리콘 디스플레이 (주) 이온 도핑 장치
KR100836765B1 (ko) 2007-01-08 2008-06-10 삼성전자주식회사 이온빔을 사용하는 반도체 장비
US20080188011A1 (en) 2007-01-26 2008-08-07 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method of temperature conrol during cleaving processes of thick film materials
US7988875B2 (en) 2007-02-08 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Differential etch rate control of layers deposited by chemical vapor deposition
US7867409B2 (en) * 2007-03-29 2011-01-11 Tokyo Electron Limited Control of ion angular distribution function at wafer surface
US20080275546A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-06 Chameleon Scientific Corp Inhibitory cell adhesion surfaces
US20080296261A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-04 Nordson Corporation Apparatus and methods for improving treatment uniformity in a plasma process
TWI450401B (zh) * 2007-08-28 2014-08-21 Mosel Vitelic Inc 太陽能電池及其製造方法
WO2009029900A1 (en) 2007-08-31 2009-03-05 Applied Materials, Inc. Improved methods of emitter formation in solar cells
US7820460B2 (en) 2007-09-07 2010-10-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Patterned assembly for manufacturing a solar cell and a method thereof
US7598161B2 (en) 2007-09-26 2009-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming transistor devices with different threshold voltages using halo implant shadowing
JP4406452B2 (ja) * 2007-09-27 2010-01-27 株式会社日立製作所 ベルト状金型およびそれを用いたナノインプリント装置
US20090206275A1 (en) 2007-10-03 2009-08-20 Silcon Genesis Corporation Accelerator particle beam apparatus and method for low contaminate processing
US8003498B2 (en) 2007-11-13 2011-08-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Particle beam assisted modification of thin film materials
US20090142875A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Applied Materials, Inc. Method of making an improved selective emitter for silicon solar cells
KR101385750B1 (ko) * 2007-11-30 2014-04-18 삼성전자주식회사 중성빔을 이용하는 기판 처리 장치 및 방법
US20090152162A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Silicon Genesis Corporation Carrier apparatus and method for shaped sheet materials
US20090162970A1 (en) 2007-12-20 2009-06-25 Yang Michael X Material modification in solar cell fabrication with ion doping
US8003954B2 (en) 2008-01-03 2011-08-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Gas delivery system for an ion source
US8563352B2 (en) 2008-02-05 2013-10-22 Gtat Corporation Creation and translation of low-relief texture for a photovoltaic cell
WO2009111669A2 (en) 2008-03-05 2009-09-11 Varian Semiconductor Equipment Associates Maskless doping technique for solar cells
US8461032B2 (en) 2008-03-05 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Use of dopants with different diffusivities for solar cell manufacture
US20090227095A1 (en) 2008-03-05 2009-09-10 Nicholas Bateman Counterdoping for solar cells
US7727866B2 (en) * 2008-03-05 2010-06-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Use of chained implants in solar cells
US20090227061A1 (en) 2008-03-05 2009-09-10 Nicholas Bateman Establishing a high phosphorus concentration in solar cells
US20090317937A1 (en) 2008-06-20 2009-12-24 Atul Gupta Maskless Doping Technique for Solar Cells
US20090246706A1 (en) * 2008-04-01 2009-10-01 Applied Materials, Inc. Patterning resolution enhancement combining interference lithography and self-aligned double patterning techniques
KR20110042051A (ko) 2008-06-11 2011-04-22 솔라 임플란트 테크놀로지스 아이엔씨. 주입을 사용하여 솔라 셀의 제작
US20100154870A1 (en) 2008-06-20 2010-06-24 Nicholas Bateman Use of Pattern Recognition to Align Patterns in a Downstream Process
WO2010030645A2 (en) 2008-09-10 2010-03-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for manufacturing solar cells
US8815634B2 (en) 2008-10-31 2014-08-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dark currents and reducing defects in image sensors and photovoltaic junctions
US7816239B2 (en) * 2008-11-20 2010-10-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for manufacturing a solar cell
US7820532B2 (en) 2008-12-29 2010-10-26 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type element profiles
US8153466B2 (en) 2009-01-21 2012-04-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Mask applied to a workpiece
US8685846B2 (en) 2009-01-30 2014-04-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for processing a substrate
KR101285265B1 (ko) * 2009-02-06 2013-07-12 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라즈마 처리장치, 플라즈마 처리방법 및 피처리 기판을 포함한 소자 제조방법
US20100229928A1 (en) 2009-03-12 2010-09-16 Twin Creeks Technologies, Inc. Back-contact photovoltaic cell comprising a thin lamina having a superstrate receiver element
JP5472862B2 (ja) 2009-03-17 2014-04-16 三菱電機株式会社 電力用半導体装置の製造方法
US7964431B2 (en) 2009-03-19 2011-06-21 Twin Creeks Technologies, Inc. Method to make electrical contact to a bonded face of a photovoltaic cell
JP2012521642A (ja) 2009-03-20 2012-09-13 インテバック・インコーポレイテッド 太陽電池及びその製造方法
US8749053B2 (en) * 2009-06-23 2014-06-10 Intevac, Inc. Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications
EP2534674B1 (en) 2010-02-09 2016-04-06 Intevac, Inc. An adjustable shadow mask assembly for use in solar cell fabrications
TWI469368B (zh) * 2010-11-17 2015-01-11 Intevac Inc 在太陽能電池製造中供固態磊晶成長之直流電離子注入
JP6068491B2 (ja) * 2011-11-08 2017-01-25 インテヴァック インコーポレイテッド 基板処理システムおよび基板処理方法
JP5367129B2 (ja) 2012-07-05 2013-12-11 キヤノン株式会社 撮像装置、制御装置及びそれらの制御方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57132373A (en) * 1981-02-10 1982-08-16 Agency Of Ind Science & Technol Manufacture of solar battery
JP2001252555A (ja) * 2000-03-09 2001-09-18 Hitachi Ltd 薄膜生成システム
JP2007504622A (ja) * 2003-09-03 2007-03-01 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド ユニポーラ型静電四重極レンズ及び荷電ビーム輸送用のスイッチング方法
JP2007053386A (ja) * 2006-08-18 2007-03-01 Hitachi Ltd イオン注入方法およびその装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8697553B2 (en) 2008-06-11 2014-04-15 Intevac, Inc Solar cell fabrication with faceting and ion implantation
US9303314B2 (en) 2009-06-23 2016-04-05 Intevac, Inc. Ion implant system having grid assembly
US8697552B2 (en) 2009-06-23 2014-04-15 Intevac, Inc. Method for ion implant using grid assembly
US8997688B2 (en) 2009-06-23 2015-04-07 Intevac, Inc. Ion implant system having grid assembly
US9741894B2 (en) 2009-06-23 2017-08-22 Intevac, Inc. Ion implant system having grid assembly
US9105803B2 (en) 2010-06-17 2015-08-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Polycrystalline-type solar cell panel and process for production thereof
JP2012199571A (ja) * 2010-06-17 2012-10-18 Panasonic Corp 多結晶型太陽電池パネルおよびその製造方法
US9324598B2 (en) 2011-11-08 2016-04-26 Intevac, Inc. Substrate processing system and method
US9875922B2 (en) 2011-11-08 2018-01-23 Intevac, Inc. Substrate processing system and method
KR20130087783A (ko) * 2012-01-30 2013-08-07 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR102044464B1 (ko) 2012-01-30 2019-11-13 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US9318332B2 (en) 2012-12-19 2016-04-19 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant
US9583661B2 (en) 2012-12-19 2017-02-28 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant
KR101833936B1 (ko) 2017-11-24 2018-03-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법

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