CN102969214B - 基板处理装置及具有其的基板处理系统 - Google Patents

Abstract

本发明是关于基板处理装置，更详细地说是关于向基板照射离子束来执行基板处理的基板处理装置，与具有其的基本处理系统。本发明公开的基板处理装置，其特征在于包括：工序室，设置有移送路径来移送安置有一个以上基板的托盘；一个以上的离子束照射部，对根据所述移送路径移送过来的基板照射离子束。

Description

基板处理装置及具有其的基板处理系统

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置，更详细地说是将离子束照射到基板上来执行基板处理的基板处理装置及具有其的基板处理系统。

背景技术

形成半导体区域的方法大体分为热扩散法与离子注入法。

还有，形成半导体区域适用于半导体基板、LCD面板用基板、OLED面板用基板或太阳能电池基板等的制造。具体地说，形成半导体区域适用于半导体基板中形成半导体层，LCD面板用基板及OLED面板用基板中形成TFT层、形成LTPS(low temperature poly-silicone)等多种工序中。

另一方面，通过热扩散法对在p型硅基板中形成n型半导体层进行说明是，对基板进行加热使磷(P)元素从p型硅基板的表面渗入，将表面n型化来形成pn接合构造。

但是，通过热扩散法注入不纯物时，为了注入不纯物进行POCl₃蒸镀时，会形成不均匀地掺杂，因此工序的均匀度会低下，使用POCl₃时，因为去除蒸镀后在基板表面形成作为副产物PSG膜、去除侧面半导体构造(Edge isolation)等工序的复杂导致工序时间变长，因此存在生产性低下的问题。

与其相比，离子注入法是将离子束直接照射到基板上并注入，因此与热扩散法相比，其控制变得容易并且可以精密地注入不纯物，因此，近期被广泛使用着。

作为离子注入法的一例，是将磷元素在真空中离子化后，通过电场进行加速，以离子束的形态注入到p型硅基板的表面上，将表面层n型化来形成pn接合构造的方法。

如上所述的为了对基板的表面照射离子的基板处理装置一般会将基板安置在与外部密闭的规定反应室内，将离子束源中发生的离子束照射到基板上，由此来形成基板的接合层。

另一方面，如上所述的为了对基板表面照射离子的基板处理装置一般为，离子束源、与离子束源中发生的离子束对安置在密闭的处理空间内的台上的基板进行离子照射的构成。

但是，如上所述的以往的基板处理装置，因为仅通过单一的离子数源执行离子照射工序，会在离子照射格局上受到限制，因此存在很难大量处理离子照射的问题。

此外，为了执行多种格局的离子照射工序，需要通过多个基板处理装置执行，因此会存在其处理复杂、装置昂贵且装置占有的空间变大的问题。

特别是为了制造太阳能电池基板，在基板表面形成选择性发射极(SelectiveEmitter)时，需要在设置有掩模的基板处理装置中执行一次离子照射工序后，去掉基板处理装置的掩模后，或在没有设置掩模的其他基板处理装置中执行二次离子照射工序，因此存在其处理复杂、装置昂贵且装置占有的空间变大的问题。

此外，以往的基板处理装置是在固定住基板的状态下，移动离子束来形成离子注入，因此离子注入后更换基板、为了移动离子束的装置等装置复杂、消耗大量的工序时间，因此存在生产性低下的问题。

发明内容

(要解决的技术问题)

为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于提供一种基板处理装置及具有其的基板处理系统，通过移送安置至少一个以上基板的托盘来对基板照射离子束，由此可以执大量地行对基板的离子照射。

本发明的另一目的在于提供一种基板处理装置及具有其的基板处理系统，在一个工序室中设置2个以上的对基板照射离子束的离子束照射部，由此可以执行多种离子照射工序。

本发明的另一目的在于提供一种基板处理装置及具有其的基板处理系统，通过移送安置至少一个以上基板的托盘来对基板照射离子束，将在离子束照射的离子束照射区域中托盘的移送速度设置成与将托盘导入或排出时的移送速度不同的速度，由此可以通过效率性的托盘移送来加快工序速度。

(解决问题的手段)

本发明是为了达成如上所述的目的而创作的，本发明公开基板处理装置，包括：工序室，设置有移送安置一个以上基板的托盘的移送路径；一个以上的离子束照射部，根据所述移送路径，对移送的基板照射离子束。

所述离子照射部包括：根据所述移送路径依次安置的第一离子束照射部及第二离子束照射部，所述第二离子束照射部为了在基板表面的部分区域照射离子，可以设置有一个以上的具有开放部的掩模。

所述第一离子束照射部及所述第二离子束照射部可以照射同种的离子束。

所述第一离子束照射部及所述第二离子束照射部可以照射相互不同种的离子束。

所述第一离子束照射部上追加设置有不重叠或部分重叠于，设置于所述第二离子束照射部的掩模开放部的形成一个以上开放部的掩模，所述第一离子束照射部及所述第二离子束照射部可以照射相互不同种的离子束。

所述移送路径上，以托盘的移送方向为基准，安置基板的托盘长度设为L时，所述第一离子束照射部的离子束照射区域会与所述第二离子束照射部的离子束照射区域可以相隔大于L的距离进行定位。

所述工序室中，会在所述移送路径的一端形成导入托盘的第一闸门，在所述移送路径的另一端形成排出托盘的第二闸门，所述第一离子束照射部及所述第二离子束照射部中的任意一个的离子束照射区域会与所述第一闸门、剩下一个的离子束照射区域会与所述第二闸门具有大于L的距离。

所述工序室中，会在所述移送路径的一端形成导入托盘的第一闸门，在所述移送路径的另一端形成排出托盘的第二闸门，所述第一离子束照射部及所述第二离子束照射部中，分别与所述第一闸门及所述第二闸门最近的各离子束照射区域可以分别位于邻接于所述第一闸门及所述第二闸门的位置。

所述通过离子束照射区域的托盘的移送速度可以由，与所述导入到工序室或所述从工序室排出的托盘的移送速度不同的速度构成。

所述导入到工序室或所述从工序室排出的托盘的移送速度可以由，比所述通过离子束照射区域的托盘的移送速度更快的速度构成。

所述基板处理装置包括驱动所述移送部的一个驱动部，所述驱动部可以将所述通过离子束照射区域的托盘的移送速度与所述导入到工序室或所述从工序室排出的托盘的移送速度控制成不同的速度。

所述基板处理装置可以包括移送托盘通过所述离子束照射区域的第一驱动部；与移送导入到所述工序室或从所述工序室排出的托盘的一个以上的第二驱动部。

所述基板处理装置可以为，基板上照射得到离子束的区间上的所述托盘的移送速度比至少在部分照射不到离子束区间上的所述托盘的移送速度慢的构成。

此外，本发明公开基板处理系统，包括：工序模块，包括具有如上所述构成的基板处理装置；装载装载锁定模块，结合于所述工序模块的一侧，内部压力以大气压及真空压交替转换来从外部接收安置一个以上基板的托盘，并将托盘传达到所述工序模块中；卸载锁定模块，结合于所述工序模块的另一侧，内部压力以大气压及真空压交替转换来从所述工序模块接收托盘并向外部排出。

所述基板处理系统可以追加设置热处理模块，结合于所述卸载锁定模块，对从所述卸载锁定模块传达过来的托盘上的基板进行热处理。

所述基板处理系统可以追加设置第一缓冲模块及第二缓冲模块，分别在所述装载锁定模块与所述工序模块间、所述工序模块与所述卸载锁定模块间，临时储存移送过来的托盘并使内部压力维持在大气压与所述工序模块的工序压之间的压力。

(发明的效果)

根据本发明的基板处理装置及具有其的基板处理系统，通过移送安置一个以上基板的托盘，对安置在托盘上的基板照射离子束，由此通过对基板进行离子照射，具有可以大量执行离子注入工序的优点。

特别是，在设置有照射离子束的离子束照射部的工序模块内，移送安置有一个以上基板的托盘，照射离子束来注入离子束，由此基板移送变得便利，且离子束照射部为固定设置，因此具有装置简单的优点。

此外，通过对基板照射离子束来注入离子，其与以往的热扩散法相比，可以由均匀的深度注入离子，不会发生如PSG的副产物而不需要去除副产物的追加工序，可以对基板的上表面整体或部分注入离子，因此具有工序处理简单且可以进行多种工序处理的优点。

根据本发明的基板处理装置及具有其的基板处理系统，在工序室内根据基板的移送路径依次设置两个以上的离子束照射部的离子束照射区域，因此具有可以对基板执行迅速、多样的离子照射工序的优点。

例如，将一对离子束照射部设置在工序室中，使安置基板的托盘依次通过各离子束照射部的离子束照射区域，由此具有可以执行迅速、多样的离子照射工序的优点。

此外，根据本发明的基板处理装置及具有其的基板处理系统，在一个工序室内设置两个以上的离子束照射部，即，设置第一离子束照射部及第二离子束照射部，在第一离子束照射部及第二离子束照射部中，至少在部分选择性的设置掩模，由此具有可以通过一个工序室来对基板表面进行更加多种格局的离子照射的优点。

即，根据本发明的基板处理装置及具有其的基板处理系统，通过设置有掩模的离子束照射部执行一次离子照射工序后，通过没有设置掩模的离子束照射部执行二次离子照射工序(顺序可以被替换)，由此简单、迅速地执行，使基板表面上具有低浓度的离子照射区域(执行退火后形成半导体层)及高浓度的离子照射区域(执行退火后形成半导体层)的格局的离子照射工序。

此外，根据本发明的基板处理装置及具有其的基板处理系统，一对离子束照射部具备了具有不同格局的开放部的掩模，由此来依次执行第一格局的离子照射工序及第二格局的离子照射工序，由此具有可以通过一个工序室来执行为了形成选择性发射极结构的半导体层的离子照射、为了形成IBC型太阳能电池基板的相互不同特性的半导体层的离子照射的优点。

此外，根据本发明的基板处理装置及具有其的基板处理系统，通过将工序室内的导入托盘及排出托盘时的移送速度相对的最大化来缩减托盘移送时间，来缩短整体工序时间，因此具有可以显著提高生产性的优点。

此外，根据本发明的基板处理装置及具有其的基板处理系统，根据本发明的基板处理装置及基板处理方法，单独控制各个位置上的托盘移送速度来最优化工序处理，由此具有在各个位置上最大限度地节省移送时间的损失，来增大基板处理工序效率的优点。

附图说明

图1是表示根据本发明的第一实施例的基板处理系统的概念图。

图2是表示图1的基板处理系统的运行状态的概念图。

图3是表示从图1的基板处理系统的工序室内设置的离子束照射部查看的部分平面图。

图4a及图4b分别表示通过根据图1的基板处理系统的离子照射工序形成半导体层的基板示例的部分剖视图。

图5是表示图1的基板处理系统的工序室的变形例的概念图。

图6是根据本发明的第二实施例的基板处理系统的概念图。

图7是表示图6的基板处理系统的工序室的概念图。

图8是表示图6的基板处理系统的工序室的变形例的概念图。

图9是表示根据本发明的第二实施例的基板处理系统中依次图示基板处理方法的概念图。

(附图标记说明)

1：基板处理装置(工序模块) 2：装载装载锁定模块

3：卸载锁定模块

100：工序室 300：离子束照射部

具体实施方式

下面参照附图对根据本发明的基板处理装置及具有其的基板处理系统，进行详细地说明。

根据本发明的基板处理系统，如图1、图2及图5所示，包括：工序模块1；装载装载锁定模块2，结合于工序模块1的一侧；卸载锁定模块3，结合于工序模块1的另一侧。

所述装载装载锁定模块2、工序模块1及卸载锁定模块3是串联排列的，分别还可以具备为了移送托盘20的移送部31，移送部31移送排列有基板或多个基板的托盘，并使其在工序室100内部经过离子处理工序。

所述工序模块1为包括后述的基板处理装置的构成，作为在近似真空状态，即真空压状态下对基板执行离子照射工序的构成，可以为多样的构成。

所述装载装载锁定模块2为，结合于工序模块1的一侧，内部压力以大气压及真空压交替转换来从外部接收安置一个以上基板10的托盘20，并将托盘20传达到工序模块1中的构成，可以为多样的构成。

所述卸载锁定模块3为，结合于工序模块1的另一侧，内部压力以大气压及真空压交替转换来从工序模块1接收托盘20并向外部排出构成，可以为多样的构成。

所述卸载锁定模块3为，为了将结束工序的托盘20排出到外部而转换压力以外，还可以追加设置冷却装置，在工序模块1中，冷却从工序模块1传达过来的托盘20上安置的基板10。

另一方面，所述工序模块1中注入离子的基板，为了完成不纯物注入工序需要进行热处理，可以追加设置热处理模块(未图示)结合于卸载锁定模块3，对从卸载锁定模块3传达过来的托盘20上的基板10进行热处理。

所述热处理模块作为对从卸载模块3传达过来的托盘20上的，在工序模块1中完成离子注入的基板10进行热处理的构成，可以为多样的构成。

通过所述热处理模块执行的热处理是根据注入离子后基板10所要求的条件，决定温度、压力、热处理时间等。

另一方面，可以追加设置缓冲模块(第一缓冲模块及第二缓冲模块)，分别在所述装载锁定模块2与所述工序模块1间、所述工序模块1与所述卸载锁定模块3间，临时储存移送过来的托盘20并使内部压力维持在大气压与所述工序模块1的工序压之间的压力。

所述第一缓冲模块为，将内部压力维持在大气压与工序模块1工序压之间，例如，以维持工序模块1的工序压的状态，接收从装载锁定模块2传导过来的托盘20并临时储存的构成；第二缓冲模块为，将内部压力维持在大气压与工序模块1工序压之间，例如，以维持工序模块1的工序压的状态，向卸载锁定模块3传达托盘的构成，可以为多样的构成。

特别是，所述第一缓冲模块及第二缓冲模块可以防止，在装载锁定模块2及卸载锁定模块3中的压力转换及托盘交换变慢时，导致的工序模块不执行工序并待机等延缓整体工序的问题

另一方面，所述装载锁定模块2及卸载锁定模块，在设置第一缓冲模块及第二缓冲模块时，装载锁定模块2、卸载锁定模块、第一缓冲模块及第二缓冲模块(热处理模块同样为)上可以设置移送托盘20的移送部31。

所述移送部31作为移送托盘20的构成，可以包括多个滚筒，支持托盘20的部分底表面并通过旋转来使托盘20移动。此处，所述移送部，即滚筒中至少有一部分是通过驱动部(未图示)驱动的，即旋转驱动的。

另一方面，未在图1中说明的图面符号510、520、530及540分别是指开关各个闸门的闸阀。

以下，对根据本发明的基板处理装置进行详细地说明。

如图1至图5所示，根据本发明的第一实施例的基板处理装置，包括：工序室100，设置有移送安置一个以上基板10的托盘20的移送路径30；一个以上的离子束照射部300，根据所述移送路径30，对移送的基板照射离子束。

此处，作为处理对象的基板10可以为半导体基板、LCD面板用基板、OLED面板用基板也可以为太阳能电池用基板。

特别是，所述基板处理装置的基板处理对象优选为太阳能电池用硅基板，此时，通过离子束照射部300照射的离子束可以使用为在基板10的表面注入离子，形成一个以上的半导体区域。

此外，所述基板处理对象为太阳能电池用硅基板时，在基板10表面形成的半导体区域可以为选择性发射极(Selective Emitter；图4a中图示)或形成IBC的p型基板上的n型半导体区域及p⁺型半导体区域(图4b中所示)等。

所述托盘20作为装载一个以上的基板10并移送的构成，可以为多样的构成。

作为一例，所述托盘20只要是可以稳定地支持基板10的材质，可以为任何的构成。

作为一例，所述托盘20只要是可以稳定地支持基板10的材质，可以为任何的构成，平面形象可以为直四角形形象，此时基板10可以由直四角形的n×m排列安置。

所述工序室100作为，为了形成可以通过离子束照射部300向基板10注入离子的环境及形成托盘20的移送路径30的构成，可以为多样的构成。

所述工序室100作为一例，其构成可以包括：相互可拆卸地结合并形成密闭的处理空间S的处理室本体110及上部盖120。

在所述处理室本体110上可以形成有为了使托盘20出入一个以上的闸门111、112，为了控制处理空间S内的排气及压力，可以与排气系统相接。此处，所述第一闸门111为了可以导入托盘20，形成在移送路径30的一端；第二闸门112为了排出托盘20，形成在移送路径30的另一端。

另一方面，所述处理室本体110中设置的移送路径30作为托盘20在工序室100内移送的路径的概念性构成，只要是可以在工序室100内移送托盘20的构成，可以为任何构成。

如图1所示，所述移送路径30，可以为形成在处理室本体110中，根据第一闸门111及第二闸门112移送托盘20的构成，其构成可以包括：多个滚筒31，安置在第一闸门111及第二闸门112之间，支持托盘20的部分底表面并通过旋转来移送托盘20；旋转驱动部(未图示)，在滚筒31中至少对一部分进行旋转驱动。

此处，所述移送路径30是指，在工序室100内的托盘20的移送路径，其中不需要所有都为物理构成，滚筒等部分构成为物理构成即可。

此外，所述移送路径30中设置离子束照射区域，在托盘20移送到特定位置时，对安置的基板10照射离子束。

所述离子束源作为将可离子化的气体进行离子化来形成离子束的构成，可以为多样的构成。此处，所述离子束源可以与气体供给装置连接，由此来持续性地提供可离子化的气体。

所述离子束照射部300作为，与离子束源连接并设置于移送路径30的上侧，将离子束源中发生的离子束向通过移送路径30移送到的基板10表面照射的构成，可以为多样的构成。

所述离子束照射部300，将离子束源发生的离子束诱导到移送路径30上的离子束照射区域上的同时控制离子束的强度及浓度，由此在工序室100的移送路径30上形成适合向基板10进行离子照射的离子束照射区域。

此处，所述离子束照射部300为，比起对移送路径30整体照射离子束而是对部分区域，即，在离子束照射区域内照射离子束的构成。

另一方面，如图5所示，所述离子束照射部300可以包括：按照移送路径30依次安置的第一离子束照射部301及第二离子束照射部302。

特别是，在所述工序室100内固定设置第一离子束照射部301及第二离子束照射部302，使托盘20通过固定在工序室100内的第一离子束照射部301及第二离子束照射部302形成的离子束照射区域，由此可以对安置于托盘20上的基板10执行多种形态的离子注入。

此外，如上所述，在一个工序室100内设置有第一离子束照射部301及第二离子束照射部302时，可以向基板10表面照射异种的离子、可以对基板10的部分表面进行高浓度的离子照射、格局化的离子照射等多种形态的离子照射。

另一方面，如图1及图3所示，所述离子束照射部300，特别是第二离子束照射部302，可以追加设置掩模310，设置在离子束的照射路径，即，离子束照射部300及托盘20的移送路径30之间，使离子束的一部分照射到基板表面上。

所述掩模310作为，设置在可以照射离子束的照射路径上，阻断离子束照射在基板表面上的部分区域，使基板表面上至少只在部分区域中注入离子的构成，可以为多样的构成。

作为一例，所述掩模310可以包括一个以上的开放部311，只开放与基板10表面上会照射离子的部分区域相应的部分。

此外，所述掩模310的材质，考虑到离子束的持续性照射，优选使用稳定且具有耐热性的如石墨的材质。

此外，所述掩模310可以通过设置于工序室100中的支持框架340进行支持并设置。

此外，所述掩模310，为了对离子束的持续击打引起的加热进行冷却，可以通过追加设置于工序室100内的冷却部(未图示)进行冷却。

另一方面，所述第一离子束照射部301，为了可以使基板10表面上进行更多种格局的离子照射，可以追加设置与第二离子束照射部302中设置的掩膜310具有不同开放部311的掩模310。

如上所述，通过使设置于所述第一离子束照射部301及第二离子束照射部302的掩模310具有不同格局的开放部311，可以具有在基板10表面上进行多种格局的离子照射的优点。

另一方面，根据设置所述第一离子束照射部301及第二离子束照射部302及有无掩模，可以执行多种格局的离子注入，作为一例，第一离子束照射部301及第二离子束照射部302具有照射同种离子束的构成。此外，第一离子束照射部301及第二离子束照射部302可以照射相互不同浓度或强度的离子束。

具有如上所述构成的基板处理装置，具有如图4a所示的可以通过一个基板处理装置执行选择性发射极的形成工序的优点。

即，根据本发明的基板处理装置通过具备第一离子束照射部301及第二离子束照射部302，第二离子束照射部302具备掩模310，来向基板10的部分表面照射离子束，由此具有通过一个基板处理装置可以执行，为了在基板10的上表面整体形成n型半导体区域，对上表面整体的离子照射；为了在基板10的部分区域形成n⁺型半导体区域，对部分区域的离子照射的优点。

此处，为了在IBC型的太阳能电池构造中形成半导体层，在第一离子束照射部301及第二离子束照射部302中的任意一个上设置掩模310形成离子照射时，第一离子束照射部301及第二离子束照射部302会以不同的注入到基板上的掺杂浓度，照射离子束。

另一方面，作为另一例，所述第一离子束照射部301及第二离子束照射部302如图5所示，第一离子束照射部301及第二离子束照射部302可以分别设置具有相互不同格局的开放部311的掩模310，使基板10表面的部分区域上照射到离子。

具有如上所述构成的基板处理装置，具有如图4b所示的可以通过一个基板处理装置执行IBC型的具有相互不同特性的半导体层的形成工序的优点。

即，根据本发明的基板处理装置通过具备第一离子束照射部301及第二离子束照射部302通过具备，具有相互不同格局的开放部311的掩模310，由此具有通过一个基板处理装置可以执行，为了在具有p型半导体特性的基板10表面的部分区域上形成n型半导体区域，对基板10表面部分区域的离子照射；为了在基板10表面形成p⁺型半导体区域，对部分区域的离子照射的优点。

另一方面，所述第一离子束照射部301及第二离子束照射部302，考虑到离子照射时的相互干涉，需要适当地安置。

因此，所述移送路径30上，以托盘20的移送方向为基准，将托盘20长度设为L时，如图1所示，第一离子束照射部301的离子束照射区域与相邻的第二离子束照射部302的离子束照射区域优选为以相隔大于L的距离进行定位。

如上所述，第一离子束照射部301及第二离子束照射部302以离子束照射区域相隔大于L的距离定位时，可以使第一离子束照射部301及第二离子束照射部302在不会相互影响下执行离子照射工序。

此时，优选在所述工序室100的闸门111、112关闭的状态下形成离子照射，第一离子束照射部301及第二离子束照射部302中任意一个的离子束照射区域与第一闸门111，剩下一个的离子束照射区域与第二闸门112更优选为具有大于L的距离。

另一方面，如上所述，第一离子束照射部301及第二离子束照射部302的的离子束照射区域分别具有与第一闸门111及第二闸门112大于L的距离时，会存在工序室100的大小变大的问题，为了解决此，如图5所示，第一离子束照射部301及第二离子束照射部302中，分别与第一闸门111及第二闸门112最近的各离子束照射区域可以分别位于邻接于第一闸门111及第二闸门112的位置。

此时，所述托盘20进入到或排出出工序室100的移送路径30时，以设置有与工序室100实质上形成同一真空压的装载锁定模块2及卸载锁定模块3为前提。

即，在所述第一闸门111开放后，托盘20在进入工序室100的移送路径30的同时会通过移送路径30进行移动，并通过邻接设置于第一闸门111的第一离子束照射部301的离子束照射区域来执行离子照射。此处，托盘20向工序室100内部的进入完成，第一闸门111关闭后，装在锁定模块2为了从外部接收托盘20，会用大气压形成压力转换。

另一方面，通过邻接设置于所述第一闸门111的第一离子束照射部301的离子束照射区域的托盘20，会通过其移送通过下一个的第二离子束照射部302的离子束照射区域来进行离子照射。

此外，所述托盘20最终达到邻接于第二闸门112的第二离子束照射部302的离子束照射区域时，第二闸门112的开放，与此同时通过其移送，邻接于第二闸门112的第二离子束照射部302的进行离子照射并移送到卸载锁定模块3中。

最后，托盘20到卸载锁定模块3的移送完成时，卸载锁定模块3会通过第二闸门112阻断工序室100，与此同时为了排出托盘20，会用大气压形成压力转换。

另一方面，根据本发明的基板处理装置，其内部具备移送部31，由此使托盘20依次移送于装载锁定模块2、工序模块1及卸载锁定模块3中，使为了离子处理工序的压力调整，照射离子束的工序持续进行着。

具备所述移送部31的基板处理装置，为了对通过离子束照射区域的托盘20上安置的基板的离子注入，会最大速度会受到制约，因此整体的移送部31的速度受到限定，由此会出现半导体生产工序的速度整体低下的问题。

为此，如图6至图9所示，根据本发明的基板处理装置，包括移送部31，使安置有基板的托盘20移送通过工序室100、工序室100内部形成离子束照射区域40的离子束照射部300与离子束照射区域40；给托盘20通过离子束照射区域40的照射区间P1中的托盘20的移送速度与位于所述照射区间前后的导入区间P2及排出区间P3中的托盘的移送速度提供相互不同的概念。

如下定义，所述照射区间P1是指托盘20裸露在离子束照射区域40而使基板进行离子注入的区间，导入区间P2是指托盘20到达离子束照射区域40前的区间，排出区间P3是指完成离子注入处理的托盘20离开离子束照射区域40后的区间。

所述区间作为，指可以准确地安置托盘20的两侧的限界区域，例如图6所示，托盘20向两侧形成规定的长度并从左侧向右侧前进时，托盘20的右侧端部开始从离子束照射区域40的左侧导入时，离子束开始向基板10照射，托盘20向右侧移送并在托盘20的左侧端部开始从离子照射区域40的右侧离开时，可视为一个托盘20的离子束的照射完成。

如图6所示，工序室100的水平方向的长度大约与三个托盘20的长度对应，但工序室100的长度可以根据选择，构成比此长度长或短的长度。

此外，所述导入区间P2可视为从装载锁定模块2、工序室100的外部或工序室100内部，到托盘20移送到其右侧端部导入到离子束照射区域40的左侧之前为止的区间，排出空间P3可视为，完成离子注入工序的托盘20的左侧端部离开离子束照射区域40的右侧后，到在工序室100内部移动的区间、卸载装载模块3或到工序室100外部为止的区间。

如图所示，托盘20通过第一闸阀111完毕后随即开始离子的注入，离子的注入完毕后，托盘20为了通过第二闸阀112，随即处于待机状态。

只是，所述工序室100的水平方向长度长于图6的例子时，通过第一闸阀111的托盘20在照射区间P1的移送开始前，还会再发生移送区域，完成照射区间P1移送的托盘20在随即导入第二闸阀112前，还可以再移送一定距离。

因此，根据所述工序室100的长度，导入区间P2与排出区间P3的距离可以为多样的构成。

图6所示的事项中，所述区间存在着部分交叉的区域。只是，遵循如上所述定义时，导入区间P2的结束点可视为托盘20的右侧端部所安置的部位，照射区间P1的开始点可视为托盘20的左侧端部所安置的部位，因此需要留意托盘20的特定部分实际上是在导入区间P2、照射区间P1及排出区间P3上依次移动的。

本发明的概念中，照射区间P1中的托盘20的移送速度与导入区间P2及排出区间P3中的托盘20的移送速度是以不同的速度构成的，因此具有可以适当地选择适合各个区间的尽可能快的速度，由此来整体性地加快基板处理工序的速度的优点。

所述导入区间P2及排出区间P3中的托盘20的移送速度优选为快于照射区间中的托盘20的移送速度。

此外，所述导入区间P2与排出区间P3中的托盘20的移送速度可以由相同的速度构成，但是追加实行离子注入工序的前处理工序或后处理工序时，导入区间P2与排出区间P3的托盘20的移送速度固然可以使不同的。

根据本发明的基板处理装置包括驱动部50，来驱动移送部31。

图7与图8是图示安置这种驱动部的基板处理装置的实施例，图7中图示安置一个驱动部50的例子。

所述移送部31可以为通过驱动部50，移送托盘20通过导入区间P2、照射区间P1及排出区间P3的装置。

所述移送部31可以为相互联动的多个滚动，也可以为输送带形象构成，只要是可以依次输送托盘20的装置，固然可以选择性地构成。

此外，可以再安置连接部件60，来传达驱动部50与移送部31之间的驱动动力，所述连接部件60可以选择性地使用皮带轮、链条、出论等多种动力传达装置。

此外，所述驱动部50可以选择性地使用引擎或点击等多种动力提供装置。

本发明中，因为在各个区间的托盘20的移送速度不同，以单独的移送部31进行联动或移送部31作为一个装置构成时，所述驱动部50可以根据托盘20的位置变化驱动速度。

具体地说，所述托盘20位于照射区间P1时，驱动部50可以，相比于托盘20位于导入区间P2或排出区间P3时相对要慢的速度来驱动移送部31。

另一方面，对根据本发明的另一实施例的基板处理装置进行说明，如图8所示，可以包括，只驱动照射区间P1的移送部的第一驱动部51与驱动所述导入区间P2与排出区间P3的一个以上的第二驱动部52。

根据上述的概念，在照射区间P1移送托盘20的第一移送部31可以为，与驱动导入区间P2与排出区间P3的第二移送部32独立的构成。

因此，为了使所述第一移送部31以更慢的速度移送托盘20，可以独立控制第一驱动部51。

此外，所述移送部在所述导入区间P2与排出区间P3中可以分别独立构成，为了移送托盘20到导入区间P2中，可以由第二移送部32与第三移送部33构成。

所述第二移送部32与第三移送部33分别由独立控制的第二驱动部52与第三驱动部53进行驱动，因此，所述第二移送部32与第三移送部33可以由相互不同的速度移送托盘20。

所述装载锁定模块2及/或卸载锁定模块3在其内部可以具备独立的移送部(未图示参照号)，第二驱动部52可以与驱动装载锁定模块2或卸载锁定模块3内的移送部的第三驱动部同步进行驱动。

固然，所述第三驱动部可以被省略掉，并由第二驱动部52一同驱动装载锁定模块2或卸载锁定模块3内的移送部。

此外，根据本发明的基板处理装置，作为安置有基板10的托盘20向内部移送并进行离子束照射的基板处理装置可以为，在离子束可以照射到基板10的区间中的托盘20的移送速度至少比在部分离子束照射不到的区间中的托盘20移送速度慢的构成。

作为另一种说明，本发明提供一种基板处理装置，包括：工序室100；离子束照射部300，在工序室100内部形成离子束照射区域40；移送部31，移送安置有一个以上基板的托盘20通过离子束照射区域，使离子束照射到基板上，移送部31，在托盘20邻接到离子束照射区域40时，为了进行工序处理将托盘的移送速度减速到设定好的移送速度；在托盘20离开离子束照射区域40时，加速托盘的移送速度。

将所述托盘20的先排出的位置定义为一侧时，托盘20的一端副侧邻接到离子束照射区域40的另一侧时，可视为托盘邻接于离子束照射区域40；托盘20的另一端副侧从离子束照射区域40的一侧离开时，可视为脱离。

所述托盘20邻接或脱离离子束照射区域40可以为，托盘20的一端部或另一端部相接、接近于离子束照射区域40或，或位于离子束照射区域内部的情况之一。

为了所述工序处理而设定的移送速度是指离子束效率性地照射到基板上进行工序处理的速度，所述速度优选设定为可进行工序处理的最大速度。只是，所述速度可以设定为多样的速度。

所述移送部31为了使托盘向内部移送的整体速度最大化，在离子束照射区域40中除了工序处理以外其他的区间中以最大限度的移送速度来驱动，在工序处理开始的点上开始减速为所述设定的速度，在工序处理结束的点上加速到最大限度的移送速度。

以下，参照图9对包括如上所述基板处理装置的基盘处理方法进行更加具体地说明。

根据本发明的基板处理方法，基本包括如下所述步骤：托盘20以第一速度，从装载锁定模块2移送到工序室100内的导入步骤；托盘20以第二速度，在工序室100内部通过离子束照射区域40的照射步骤；托盘20以第三速度，从工序室100移送到卸载锁定模块3内的排出步骤。

如上所述，第二速度是指在托盘20上安置的基板10上执行离子束照射的区间中的托盘20的速度，所述第二速度优选快于第一速度及第三速度。

此外，如上所述，还包括第一缓冲模块，位于所述装载锁定模块2与工序室100之间，临时储存托盘20并将内部压力维持在大气压与工序室100的工序压之间的压力；与第二缓冲模块，位于工序室100与所述卸载锁定模块3之间，临时储存托盘20并将内部压力维持在大气压与工序室100的工序压之间的压力时，导入步骤中，托盘20以第一速度，从装载锁定模块2通过第一缓冲模块移送到所述工序室100内；所述排出步骤中托盘20以第三速度，从所述工序室100通过第二缓冲模块移送到卸载模块3内。

托盘20在所述第一缓冲模块内部与第二缓冲模块内部，在闸门的开闭过程中会存在停止的情况，但所述第一速度及第三速度是指托盘20的移送进行时候的速度。

所述导入步骤与排出步骤中的托盘20的移送速度，可以根据基板的前处理或后处理工序而进行相互不同的设定。

此外，所述基板处理方法中，可以同时又两个以上的基板依次前进并进行基板处理工程，

所述托盘20位于装载锁定模块2内部，其他托盘20完成了照射工序并位于工序室100内部(图9的a)时，第一闸阀111与第二闸阀112会一同开放来同时执行托盘20的导入步骤与其他托盘20的排出步骤(图9的b)。此外，托盘20会移动通过照射区间P1来执行照射步骤(图9的c)。

所述托盘20的照射步骤完成后，为了使其他托盘(未图示)执行向装载锁定模块2内部的导入步骤，可以通过待机的工序来执行一连的基板工序。

因为可以任意程度地加快设定照射步骤(图9的c)以外的托盘20的移送速度，通过根据本发明的基板处理方法可以最大限度地节省时间的损失，因此具有增加基板处理工序的整体工序效率的优点。

作为另一说明，本发明提供一种基板处理方法，作为基板10通过离子束照射区域40并进行工序处理的基板处理方法，其步骤包括：托盘20邻接于离子束照射区域40时，对托盘20的移送速度进行减速的步骤；将托盘20的移送速度维持在所设定的移送速度上，来进行工序处理；托盘20从离子束照射区域40脱离时，对托盘20的移送速度进行加速的步骤。

以上仅为根据本发明可实现的优选实施例的一部分进行的说明，众所周知，本发明的范围应当解释为不限于上述实施例，本发明的范围应当解释为包括上述说明的本发明的技术性思想及其要旨相关的技术性思想。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

工序室，设置有移送路径来移送安置有一个以上基板的托盘，并且形成密封的处理空间；

第一离子束照射部以及第二离子束照射部，设置在所述工序室，并且对根据所述移送路径移送过来的基板照射离子束；

根据所述工序室内的所述路径依次安置所述第一离子束照射部及第二离子束照射部；

所述第二离子束照射部设置有具有开放部格局的掩模，来阻断离子束照射在基板表面上的部分区域，使沿着所述移送路径移动的基板表面的部分区域照射到离子；

所述第一离子束照射部还设置具有与所述第二离子束照射部设置的掩膜开口部不同的开放部格局的掩模，

所述第一离子束照射部及所述第二离子束照射部照射不同种类的离子束；

所述移送路径上，以托盘的移送方向为基准，安置基板的托盘长度设为L时，

所述第一离子束照射部的离子束照射区域会与所述第二离子束照射部的离子束照射区域相隔大于L的距离进行定位；

所述基板通过所述托盘进行移动，并且依次通过所述第一离子束照射部及所述第二离子束照射部的照射区域，按照所述开放部的图案照射离子束。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述工序室中，在所述移送路径的一端形成导入托盘的第一闸门，在所述移送路径的另一端形成排出托盘的第二闸门，

所述第一离子束照射部及所述第二离子束照射部中的任意一个的离子束照射区域会与所述第一闸门、剩下一个的离子束照射区域会与所述第二闸门具有大于L的距离。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述工序室中，会在所述移送路径的一端形成导入托盘的第一闸门，在所述移送路径的另一端形成排出托盘的第二闸门，

所述第一离子束照射部及所述第二离子束照射部中，分别与所述第一闸门及所述第二闸门最近的各离子束照射区域，分别位于邻接于所述第一闸门及所述第二闸门的位置。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

包括：移送部，移送托盘而使得安放基板的所述托盘通过照射离子束的离子束照射区域；

通过离子束照射区域的托盘的移送速度由，与导入到工序室或从工序室排出的托盘的移送速度不同的速度构成。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

导入到工序室或从工序室排出的托盘的移送速度由，比通过离子束照射区域的托盘的移送速度更快的速度构成。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置包括驱动所述移送部的一个驱动部，

所述驱动部将通过离子束照射区域的托盘的移送速度与导入到工序室或从工序室排出的托盘的移送速度控制成不同的速度。

7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

移送托盘通过所述离子束照射区域的第一驱动部；与

移送导入到所述工序室或从所述工序室排出的托盘的一个以上的第二驱动部。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

基板上照射得到离子束的区间上的所述托盘的移送速度由比至少在部分照射不到离子束区间上的所述托盘的移送速度慢的速度构成。

9.一种基板处理系统，包括：

工序模块，包括根据权利要求1至8中的任意一项的基板处理装置；

装载装载锁定模块，结合于所述工序模块的一侧，内部压力以大气压及真空压交替转换来从外部接收安置一个以上基板的托盘，并将托盘传达到所述工序模块中；

卸载锁定模块，结合于所述工序模块的另一侧，内部压力以大气压及真空压交替转换来从所述工序模块接收托盘并向外部排出。

10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，

追加设置热处理模块，结合于所述卸载锁定模块，对从所述卸载锁定模块传达过来的托盘上的基板进行热处理。

11.根据权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，

追加设置第一缓冲模块及第二缓冲模块，分别在所述装载锁定模块与所述工序模块间、所述工序模块与所述卸载锁定模块间，临时储存移送过来的托盘并使内部压力维持在大气压与所述工序模块的工序压之间的压力。