JP6106384B2 - 基板処理装置、およびそれを有する基板処理システム - Google Patents
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また、前記マスク310は、工程チャンバー100に設けられた支持フレーム340により支持され、設けられてもよい。
2:ロードロックモジュール
3:アンロードロックモジュール
100:工程チャンバー
300:イオンビーム照射部
Claims (12)
- 一つ以上の基板が安着されたトレーが移送される移送経路が設けられた工程チャンバーと、
前記移送経路に沿って移送される基板にイオンビームを照射する一つ以上のイオンビーム照射部と、を含み、
前記イオンビーム照射部は、基板の表面のうちの一部の領域においてイオンビームが照射されることを遮断して、前記移送経路に沿って順次配置された第1イオンビーム照射部及び第2イオンビーム照射部を含み、
前記第2イオンビーム照射部は、基板の表面のうちの一部の領域においてイオンビームが照射されることを遮断して、前記移送経路に沿って移動される基板表面の一部領域にイオンが照射されるように、1つ以上の開放部を有するマスクが設けられ、
前記第1イオンビーム照射部は、前記第2イオンビーム照射部に設けられたマスクの開口部とは異なるパターンの開口部を有するマスクが更に設けられ、
前記第1イオンビーム照射部及び前記第2イオンビーム照射部は、相互異なる種のイオンビームを照射し、
前記基板は、前記トレーにより移動され、前記第1イオンビーム照射部及び前記第2イオンビーム照射部により順次に前記開放部のパターンに沿ってイオンビームが照射されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記移送経路上において、トレーの移送方向を基準に、基板が安着されるトレーの長さをLとすると、
前記第1イオンビーム照射部のイオンビーム照射領域は、前記第2イオンビーム照射部のイオンビーム照射領域とLより大きい距離を有して位置されたことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記工程チャンバーは、前記移送経路の一端にトレーが導入される第1ゲートが形成され、前記移送経路の他端にトレーが排出される第2ゲートが形成され、
前記第1イオンビーム照射部及び前記第2イオンビーム照射部のうち何れか一つは、そのイオンビーム照射領域が前記第1ゲートと、残りの一つは、そのイオンビーム照射領域が第2ゲートと、Lより大きい距離を有することを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記工程チャンバーは、前記移送経路の一端にトレーが導入される第1ゲートが形成され、前記移送経路の他端にトレーが排出される第2ゲートが形成され、
前記第1イオンビーム照射部及び前記第2イオンビーム照射部のうち、前記第1ゲート及び前記第2ゲートの夫々に最も近い各イオンビーム照射領域は、前記第1ゲート及び前記第2ゲートの夫々に隣接して位置されたことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 - イオンビームが照射されるイオンビーム照射領域を基板が安着されたトレーが通過されるように移送する移送部を含み、
前記イオンビーム照射領域を通過するトレーの移送速度は、前記工程チャンバーに導入されるか、前記工程チャンバーから排出されるトレーの移送速度と異なることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記工程チャンバーに導入されるか、前記工程チャンバーから排出されるトレーの移送速度は、前記イオンビーム照射領域を通過するトレーの移送速度より速いことを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記移送部を駆動する一つの駆動部を含み、
前記駆動部は、前記イオンビーム照射領域を通過するトレーの移送速度と、前記工程チャンバーに導入されるか、前記工程チャンバーから排出されるトレーの移送速度とを異なるようにすることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。 - 前記イオンビーム照射領域を通過するトレーを移送する第1駆動部と、
前記工程チャンバーに導入されるか、前記工程チャンバーから排出されるトレーを移送する一つ以上の第2駆動部と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。 - 基板にイオンビームが照射される区間における前記トレーの移送速度は、イオンビームが照射されない少なくとも一部の区間における前記トレーの移送速度より遅いことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 請求項1〜9のうち何れか一つの項に係る基板処理装置を含む工程モジュールと、
前記工程モジュールの一側に結合され、内部圧力が大気圧及び真空圧に交互に変換され、外部から一つ以上の基板が安着されたトレーを伝達されて、前記工程モジュールにトレーを伝達するロードロックモジュールと、
前記工程モジュールの他側に結合され、内部圧力が大気圧及び真空圧に交互に変換され
、前記工程モジュールからトレーを伝達されて外部に排出するアンロードロックモジュールと、を含む基板処理システム。 - 前記アンロードロックモジュールに結合され、前記アンロードロックモジュールから伝達されたトレー上の基板を熱処理する熱処理モジュールが更に設けられたことを特徴とする請求項10に記載の基板処理システム。
- 前記ロードロックモジュールと前記工程モジュールの間、前記工程モジュールと前記アンロードロックモジュールの間の夫々には、移送されるトレーを臨時貯蔵し、内部圧力が大気圧と前記工程モジュールの工程圧の間の圧力に保持される第1バッファーモジュール及び第2バッファーモジュールが更に設けられたことを特徴とする請求項10に記載の基板処理システム。
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