KR101765232B1 - 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이온빔을 기판에 조사하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템에 관한 것이다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 하나 이상의 기판이 안착된 트레이가 이송되는 이송경로가 설치된 공정챔버와; 이온빔을 발생시키는 이온빔소스와; 상기 이송경로를 따라서 이송되는 기판의 표면에 상기 이온빔소스에서 발생된 이온빔을 조사하도록 상기 공정챔버의 처리공간 내에서 상기 이송경로의 상측에 설치된 이온빔조사부와; 상기 이온빔조사부와 기판 표면 사이에 설치되는 마스크와; 상기 마스크의 온도를 제어하기 위한 온도제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템 {Substrate processing apparatus and substrate processing system}
본 발명은 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이온빔을 기판에 조사하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템에 관한 것이다.
반도체, LCD패널용 유리기판, 태양전지기판 등에서 반도체영역, 즉 pn접합구조를 형성하는 방법으로서 열확산법 및 이온조사법이 있다.
그런데 열확산법에 의하여 불순물을 주입하는 경우 불순물 주입을 위한 POCl3를 증착할 때 도핑이 균일하게 이루어지지 않아 공정균일도가 낮으며, POCl3를 사용하는 경우 증착 후 기판 표면에 부산물로 형성되는 PSG막의 제거, 측면 반도체구조 제거(에지 아이솔레이션) 등 공정이 복잡하며 전체 공정시간이 길어져 생산성이 저하되는 문제점이 있다.
이에 반하여 이온빔을 조사하여 기판에 이온을 주입하는 이온조사법은 열확산법에 비하여 제어가 용이하며 정밀한 불순물 주입이 가능하여 최근에 많이 활용되고 있다.
한편 상기와 같은 기판 표면에 이온을 주입하기 위한 기판처리장치는 일반적으로 이온빔소스와 이온빔소스에서 발생된 이온빔을 밀폐된 처리공간 내에 설치된 스테이션에 안착된 기판에 조사함으로써 기판에 이온을 주입하도록 구성된다.
그리고 종래의 기판처리장치는 이온빔의 조사경로에 마스크를 설치하여 기판에 대한 패턴화된 이온주입공정의 수행하고 있다.
그런데 종래의 기판처리장치는 마스크가 설치된 상태에서 이온주입공정을 수행하는 경우 이온빔의 타격에 의하여 마스크의 온도가 상승하게 되고, 온도상승에 따라서 마스크의 변형이 발생하게 되고 마스크의 열변형은 이온주입의 패턴을 왜곡시켜 기판처리의 불량을 야기하는 문제점이 있다.
또한 마스크의 열변형은 마스크의 수명을 단축시켜 자주 교체하여야 하는 등 기판처리장치의 유지보수 비용을 증가시키게 되며 가열된 마스크가 주변 환경을 왜곡시켜 기판에 대한 이온주입공정이 원활하지 않게 되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 패턴화된 이온주입공정을 위한 마스크를 냉각시킴으로써 마스크의 열변형을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 하나 이상의 기판이 안착된 트레이가 이송되는 이송경로가 설치된 공정챔버와; 이온빔을 발생시키는 이온빔소스와; 상기 이송경로를 따라서 이송되는 기판의 표면에 상기 이온빔소스에서 발생된 이온빔을 조사하도록 상기 공정챔버의 처리공간 내에서 상기 이송경로의 상측에 설치된 이온빔조사부와; 상기 이온빔조사부와 기판 표면 사이에 설치되는 마스크와; 상기 마스크의 온도를 제어하기 위한 온도제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 온도제어부는 상기 마스크를 냉각시도록 구성될 수 있다.
상기 마스크는 기판 표면에서 이온이 조사될 일부 영역에 대응되는 부분만 개방되도록 형성된 하나 이상의 개방부를 포함할 수 있다.
상기 마스크는 상기 공정챔버에 설치된 지지프레임에 의하여 지지되어 설치될 수 있다.
상기 지지프레임은 상기 마스크가 결합된 온도제어부를 지지하여 상기 마스크를 지지하도록 설치될 수 있다.
상기 지지프레임은 일단이 상기 공정챔버의 천정에 결합되며 타단이 상기 마스크를 지지할 수 있다.
상기 지지프레임은 상기 마스크와 일체로 형성될 수 있다.
상기 온도제어부는 상기 마스크와 결합되며 내부에 냉매가 흐르는 냉매유로가 형성된 냉각프레임과; 상기 냉각프레임의 상기 냉매유로와 연결되어 냉매를 공급하고 배출하는 냉매공급관을 포함할 수 있다.
상기 온도제어부는 상기 마스크와 결합되어 상기 마스크로부터 열을 흡수하는 흡열부와, 상기 흡열부에 의하여 흡수된 열을 전달받아 방출하는 방열부를 포함할 수 있다.
상기 온도제어부는 상기 마스크와 일체로 형성될 수 있다.
상기 기판은 태양전지용 실리콘 기판이며, 상기 이온조사부에 의하여 조사되는 이온은 상기 기판의 표면에 하나 이상의 반도체영역을 형성하는 이온일 수 있다.
본 발명은 또한 상기 기판처리장치를 포함하는 공정모듈과; 상기 공정모듈의 일측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 외부로부터 하나 이상의 기판이 안착된 트레이를 전달받아 상기 공정모듈로 상기 트레이를 전달하는 로드락모듈과; 상기 공정모듈의 타측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 상기 공정모듈로부터 트레이를 전달받아 외부로 배출하는 언로드락모듈을 포함할 수 있다.
상기 언로드락모듈에 결합되며 상기 언로드락모듈에서 전달받은 트레이 상의 기판을 열처리하는 열처리모듈이 추가로 설치될 수 있다.
상기 기판은 태양전지용 실리콘 기판이며, 상기 이온조사부에 의하여 조사되는 이온은 상기 기판의 표면에 하나 이상의 반도체영역을 형성하는 이온일 수 있다.
상기 로드락모듈과 상기 공정모듈 사이, 상기 공정모듈과 상기 언로드락모듈 사이 각각에는 이송되는 트레이를 임시로 저장하며 내부압력이 대기압과 상기 공정모듈의 공정압 사이의 압력으로 유지되는 버퍼모듈이 추가로 설치될 수 있다.
상기 언로드락모듈에 결합되며 상기 언로드락모듈에서 전달받은 트레이 상의 기판을 열처리하는 열처리모듈이 추가로 설치될 수 있다.
상기 언로드락모듈은 상기 공정모듈에서 전달된 트레이에 안착된 기판을 냉각시키는 냉각장치가 추가로 설치될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템은 패턴화된 이온주입공정을 위한 마스크를 냉각시킴으로써 마스크의 열변형을 방지하여 기판에 대한 양호한 패턴의 이온주입을 수행할 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템은 패턴화된 이온주입공정을 위한 마스크를 냉각시킴으로써 마스크의 수명을 늘려 장비의 전체 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템은 패턴화된 이온주입공정을 위한 마스크를 온도제어부에 의하여 온도를 제어함으로써 이온주입공정의 최적의 처리환경을 제공할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리시스템을 보여주는 개념도이다.
도 2는 도 1의 기판처리시스템에서 마스크 및 온도제어부를 측면 일부를 보여주는 개념도이다.
도 3은 도 1의 기판처리시스템의 공정챔버 내에 이온조사부에서 본 일부평면도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리시스템은 도 1에 도시된 바와 같이, 공정모듈(1)과; 공정모듈(1)의 일측에 결합되는 로드락모듈(2)과; 공정모듈(1)의 타측에 결합되는 언로드락모듈(3)을 포함한다.
상기 공정모듈(1)은 후술하는 기판처리장치를 포함하는 구성으로서 기판에 대한 이온조사공정을 수행하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
상기 로드락모듈(2)은 공정모듈(1)의 일측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 외부로부터 하나 이상의 기판(10)이 안착된 트레이(20)를 전달받아 공정모듈(1)로 트레이(20)를 전달하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
상기 언로드락모듈(3)은 공정모듈(1)의 타측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 공정모듈(1)로부터 트레이(20)를 전달받아 외부로 배출하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
상기 언로드락모듈(3)은 공정을 마친 트레이(20)를 외부로 배출하기 위하여 압력변환 이외에, 공정모듈(1)에서 공정모듈(1)에서 전달된 트레이(20)에 안착된 기판(10)을 냉각시키는 냉각장치가 추가로 설치될 수 있다.
한편 상기 공정모듈(1)에서 이온이 주입된 기판은 불순물 주입공정의 완성을 위하여 열처리를 요하는바, 언로드락모듈(3)에 결합되며 언로드락모듈(3)로부터 전달받은 트레이(20) 상의 기판(10)을 열처리하는 열처리모듈(미도시)가 추가로 설치될 수 있다.
상기 열처리모듈은 공정모듈(1)에서 이온주입이 완료된 기판(10)이 적재된 트레이(20)를 언로드락모듈(3)로부터 전달받아 열처리를 수행하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
상기 열처리모듈에 의하여 수행되는 열처리는 이온주입 후의 기판(10)에 대하여 요구되는 조건에 따라서 온도, 압력, 열처리시간 등이 결정된다.
한편 상기 로드락모듈(2)과 공정모듈(1) 사이, 공정모듈(1)과 언로드락모듈(3) 사이 각각에는 이송되는 트레이(20)를 임시로 저장하며 내부압력이 대기압과 공정모듈(1)의 공정압 사이의 압력으로 유지되는 버퍼모듈(제1버퍼모듈 및 제2버퍼모듈)이 추가로 설치될 수 있다.
상기 제1버퍼모듈은 내부압력이 대기압과 공정모듈(1)의 공정압 사이, 예를 들면 공정모듈(1)의 공정압을 유지한 상태로 로드락모듈(2)로부터 트레이(20)를 전달받아 임시로 저장하는 구성이며, 제2버퍼모듈은 대기압과 공정모듈(1)의 공정압 사이, 예를 들면 공정모듈(1)의 공정압을 유지한 상태로 언로드락모듈(3)로 트레이를 전달하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
특히 상기 제1버퍼모듈 및 제2버퍼모듈은 각각 로드락모듈(2) 및 언로드락모듈(3)에서의 압력변환 및 트레이교환이 늦어지게 되면 공정모듈이 공정수행없이 대기하는 등 전체 공정이 지체되는 것을 방지할 수 있다.
한편 상기 로드락모듈(2) 및 언로드락모듈(3), 제1버퍼모듈 및 제2버퍼모듈이 설치된 경우 로드락모듈(2), 언로드락모듈(3), 제1버퍼모듈 및 제2버퍼모듈(열처리모듈도 마찬가지임)에는 트레이(20)의 저면 일부를 지지하여 회전에 의하여 트레이(20)를 이동시키는 복수의 이송롤러(31)들과, 이송롤러(31)들 중 적어도 일부를 회전구동하기 위한 회전구동부(미도시)가 설치될 수 있다.
한편 도 1에서 설명하지 않은 도면부호 510, 520, 530 및 540는 각각 각 게이트를 개폐하기 위한 게이트밸브를 가리킨다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 기판(10)이 안착된 트레이(20)가 이송되는 이송경로(30)가 설치된 공정챔버(100)와; 이온빔을 발생시키는 이온빔소스(200)와; 이송경로(30)를 따라서 이송되는 기판(10)의 표면에 이온빔소스(200)에서 발생된 이온빔을 조사하도록 공정챔버(100)의 처리공간(S) 내에서 이송경로(30)의 상측에 설치된 이온빔조사부(300)와; 이온빔조사부(300)와 기판(10) 표면 사이에 설치되는 마스크(310)와; 마스크(310)와 결합되어 마스크(310)의 온도를 제어하기 위한 온도제어부(320)를 포함한다.
여기서 처리대상인 기판(10)은 반도체기판, LCD패널용 유리기판은 물론 태양전지용 기판이 될 수 있다.
특히 본 발명에 따른 기판처리장치의 기판처리대상인 기판(10)은 태양전지용 실리콘 기판이 바람직하며, 이때 상기 이온조사부(300)에 의하여 조사되는 이온은 기판(10)의 표면에 하나 이상의 반도체영역을 형성하는 이온이 될 수 있다.
또한 상기 기판처리대상이 태양전지용 실리콘 기판인 경우, 기판(10) 표면에 형성되는 반도체영역은 선택적 에미터(Selective Emitter)이거나, IBC를 형성하는 n형 반도체영역 및 p형 반도체영역이 될 수 있다.
상기 트레이(20)는 하나 이상의 기판(10)을 적재하여 이송하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
일예로서, 상기 트레이(20)는 기판(10)을 안정적으로 지지할 수 있는 재질이면 어떠한 구성도 가능하다.
상기 공정챔버(100)는 이온빔조사부(300)를 통하여 기판(10)에 이온이 주입될 수 있는 환경 및 트레이(20)의 이송경로(30)를 형성하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
상기 공정챔버(100)는 일예로서, 서로 착탈가능하게 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(110) 및 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 챔버본체(110)에는 트레이(20)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트(111, 112)가 형성될 수 있으며, 처리공간(S) 내의 배기 및 압력제어를 위하여 배기시스템과 연결될 수 있다. 여기서 상기 제1게이트(111)는 이송경로(30)의 일단에 트레이(20)가 도입되도록 형성되고 제2게이트(112)는 이송경로(30)의 타단에 트레이(20)가 배출되도록 형성된다.
한편 상기 챔버본체(110)에 설치되는 이송경로(30)는 트레이(20)의 이동을 구성으로서 공정챔버(100) 내에서 트레이(20)를 이송할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.
상기 이송경로(30)는 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버본체(110)에 형성된 제1게이트(111) 및 제2게이트(112)를 따라서 트레이(20)가 이송되도록 구성될 수 있으며, 일예로서, 제1게이트(111) 및 제2게이트(112) 사이에 배치되어 트레이(20)의 저면 일부를 지지하여 회전에 의하여 트레이(20)를 이동시키는 복수의 이송롤러(31)들과, 이송롤러(31)들 중 적어도 일부를 회전구동하기 위한 회전구동부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 이온빔소스(200)는 이온화될 가스를 이온화하여 이온 빔을 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다. 여기서 상기 이온빔소스(200)는 이온화될 가스를 지속적으로 공급받을 수 있도록 가스공급장치와 연결될 수 있다.
상기 이온빔조사부(300)는 이온빔소스(200)와 연결되어 이송경로(30)를 따라서 이송되는 기판(10) 표면에 이온빔소스(200)에서 발생된 이온빔을 조사하도록 공정챔버(100)의 처리공간(S) 내에서 이송경로(30)의 상측에 설치된다.
특히 상기 이온빔조사부(300)는 이온빔소스(200)에서 발생된 이온빔을 유도함과 아울러 이온빔의 강도 및 농도를 제어하여 기판(10) 표면에 이온 주입에 적합한 조사영역을 이송되는 기판(10) 표면에 형성한다.
상기 마스크(310)는 이온빔이 조사되는 조사방향에 설치되어 일부영역에서 이온빔이 조사되는 것을 차단하여, 기판(10) 표면 중 적어도 일부 영역에만 이온이 주입되도록 하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
일예로서, 상기 마스크(310)는 기판(10) 표면에서 이온이 조사될 일부 영역에 대응되는 부분만 개방되도록 형성된 하나 이상의 개방부(311)를 포함할 수 있다.
그리고 상기 마스크(310)의 재질은 이온빔이 지속적으로 조사됨을 고려하여 안정적이고 내열성 있는 그래파이트와 같은 재질의 사용이 바람직하다.
한편 상기 마스크(310)는 공정챔버(100)에 설치된 지지프레임(340)에 의하여 지지되어 설치될 수 있다.
그리고 상기 지지프레임(340)은 일단이 공정챔버(100)의 천정에 결합되며 타단이 마스크(310)를 지지하는 구성으로서, 마스크(310)를 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성이 가능하다. 여기서 상기 지지프레임(340)은 도 1에 도시된 바와 같이, 마스크(310)와 결합됨을 고려하여 마스크(310)와 결합된 온도제어부(320)를 지지함으로써 마스크(310)를 지지할 수 있다.
상기 지지프레임(340)은 일례로서, 마스크(310)의 저면 일부(또는 온도제어부(320)의 저면 일부)를 지지하는 지지부 및 지지부의 끝단에서 연장되어 공정챔버(100)의 천정에 결합되는 천정결합부로 구성될 수 있다.
그리고 상기 지지프레임(340)은 지지하는 마스크(310)와 나사와 같은 체결부재에 의하여 결합되거나, 용접 등에 의하여 일체로 형성될 수 있다. 물론 상기 지지프레임(340)은 별도의 체결부재 없이 마스크(310)가 안착되는 형태로 마스크(310)를 지지할 수 있다.
상기 온도제어부(320)는 마스크(310)와 결합되어 마스크(310)의 온도제어, 바람직하게는 마스크(310)를 냉각시키는 구성으로서, 마스크(310)의 온도를 제어할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다. 여기서 상기 온도제어부(320)는 마스크(310)와 별도로 구성되거나, 일체로 형성될 수 있다.
예를 들면, 상기 온도제어부(320)는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 마스크(310)와 결합되며 내부에 냉매가 흐르는 냉매유로(321)가 형성된 냉각프레임과; 냉매유로(321)의 냉각프레임과 연결되어 냉매유로(321)로의 냉매를 공급하고 배출하는 냉매공급관(324)을 포함할 수 있다.
상기 냉각프레임은 내부에 냉매가 흐를 수 있도록 냉매유로(321)가 형성되는 부재이며 마스크(310)와 일체로 형성되거나, 체결부재 등에 의하여 결합되는 등 다양한 방식에 의하여 마스크(310)와 결합될 수 있다.
상기 냉각프레임은 마스크(310)와 결합됨과 아울러 마스크(310)를 냉각시키는 구성임을 고려하여 열전달특성이 좋은 재질이면 어떠한 재질도 사용이 가능하며, 알루미늄, 알루미늄 합금 등의 금속재질은 물론 비금속 재질의 사용도 가능하다.
상기 냉매공급관(324)은 냉매유로(321)의 냉매유입구(322) 및 냉매배출구(323)와 연결되어 냉매를 냉매유로(321)로 공급하거나 배출하게 된다. 그리고 상기 냉매공급관(324)은 방열부(미도시)와 연결되어 냉매를 방열부로 순환시켜 방열이 이루어지도록 할 수 있다.
그리고 상기 냉매공급관(324)은 공정챔버(100)에 다양한 형태로 설치될 수 있으며, 일예로서, 지지프레임(340)에 결합되거나 지지프레임(340) 내부에 유로로서 형성될 수 있다.
또한 상기 냉매공급관(324)은 지지프레임(340)과는 별도로 공정챔버(100)에 설치될 수 있음은 물론이다.
상기 냉매유로(321)를 흐르는 냉매는 마스크(310)를 냉각시킬 수 있으면 기체, 액체 등 어떠한 물질이 사용되어도 무방하다.
한편 상기 온도제어부(320)의 다른 예로서, 온도제어부(320)는 마스크(310)와 결합되어 마스크(310)로부터 열을 흡수하는 흡열부와, 흡열부에 의하여 흡수된 열을 전달받아 방출하는 방열부를 포함할 수 있다. 여기서 방열부는 방열을 고려하여 공정챔버(100)의 외부에 설치됨이 바람직하다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
1 : 기판처리장치(공정모듈) 2 : 로드락모듈
3 : 언로드락모듈
100 : 공정챔버 200 : 이온빔소스
300 : 이온빔조사부 310 : 마스크
320 : 온도제어부

Claims (27)

  1. 하나 이상의 기판이 안착된 트레이가 이송되는 이송경로가 설치된 공정챔버와;
    이온빔을 발생시키는 이온빔소스와;
    상기 이송경로를 따라서 이송되는 기판의 표면에 상기 이온빔소스에서 발생된 이온빔을 조사하도록 상기 공정챔버의 처리공간 내에서 상기 이송경로의 상측에 설치된 이온빔조사부와;
    상기 이온빔조사부와 기판 표면 사이에 설치되는 마스크와;
    상기 마스크의 온도를 제어하기 위한 온도제어부를 포함하며,
    상기 기판은 트레이에 안착된 상태로 상기 이송경로를 따라 이송되며 이온빔이 조사되며,
    상기 마스크는 기판 표면에서 이온이 조사될 일부 영역에 대응되는 부분만 개방되도록 형성된 하나 이상의 개방부를 포함하며,
    상기 온도제어부는 상기 마스크의 가장자리 둘레에 결합되며 내부에 냉매가 흐르는 냉매유로가 형성된 냉각프레임을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도제어부는 상기 마스크를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스크는 상기 공정챔버에 설치된 지지프레임에 의하여 지지되어 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 지지프레임은 상기 마스크가 결합된 온도제어부를 지지하여 상기 마스크를 지지하도록 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 지지프레임은 일단이 상기 공정챔버의 천정에 결합되며 타단이 상기 마스크를 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 지지프레임은 상기 마스크와 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도제어부는 상기 냉각프레임의 상기 냉매유로와 연결되어 냉매를 공급하고 배출하는 냉매공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도제어부는 상기 마스크와 결합되어 상기 마스크로부터 열을 흡수하는 흡열부와, 상기 흡열부에 의하여 흡수된 열을 전달받아 방출하는 방열부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도제어부는 상기 마스크와 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 1 내지 청구항 2 및 청구항 4 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기판은 태양전지용 실리콘 기판이며,
    상기 이온조사부에 의하여 조사되는 이온은 상기 기판의 표면에 하나 이상의 반도체영역을 형성하는 이온인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 1 내지 청구항 2 및 청구항 4 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 따른 기판처리장치를 포함하는 공정모듈과;
    상기 공정모듈의 일측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 외부로부터 하나 이상의 기판이 안착된 트레이를 전달받아 상기 공정모듈로 상기 트레이를 전달하는 로드락모듈과;
    상기 공정모듈의 타측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 상기 공정모듈로부터 트레이를 전달받아 외부로 배출하는 언로드락모듈을 포함하는 기판처리시스템.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 언로드락모듈에 결합되며 상기 언로드락모듈에서 전달받은 트레이 상의 기판을 열처리하는 열처리모듈이 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  14. 하나 이상의 기판이 안착된 트레이가 이송되는 이송경로가 설치된 공정챔버와;
    이온빔을 발생시키는 이온빔소스와;
    상기 이송경로를 따라서 이송되는 기판의 표면에 상기 이온빔소스에서 발생된 이온빔을 조사하도록 상기 공정챔버의 처리공간 내에서 상기 이송경로의 상측에 설치된 이온빔조사부와;
    상기 이온빔조사부와 기판 표면 사이에 설치되는 마스크와;
    상기 마스크의 온도를 제어하기 위한 온도제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 포함하는 공정모듈과;
    상기 공정모듈의 일측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 외부로부터 하나 이상의 기판이 안착된 트레이를 전달받아 상기 공정모듈로 상기 트레이를 전달하는 로드락모듈과;
    상기 공정모듈의 타측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 상기 공정모듈로부터 트레이를 전달받아 외부로 배출하는 언로드락모듈을 포함하며,
    상기 기판은 태양전지용 실리콘 기판이며,
    상기 이온조사부에 의하여 조사되는 이온은 상기 기판의 표면에 하나 이상의 반도체영역을 형성하는 이온인 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  15. 하나 이상의 기판이 안착된 트레이가 이송되는 이송경로가 설치된 공정챔버와;
    이온빔을 발생시키는 이온빔소스와;
    상기 이송경로를 따라서 이송되는 기판의 표면에 상기 이온빔소스에서 발생된 이온빔을 조사하도록 상기 공정챔버의 처리공간 내에서 상기 이송경로의 상측에 설치된 이온빔조사부와;
    상기 이온빔조사부와 기판 표면 사이에 설치되는 마스크와;
    상기 마스크의 온도를 제어하기 위한 온도제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 포함하는 공정모듈과;
    상기 공정모듈의 일측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 외부로부터 하나 이상의 기판이 안착된 트레이를 전달받아 상기 공정모듈로 상기 트레이를 전달하는 로드락모듈과;
    상기 공정모듈의 타측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 상기 공정모듈로부터 트레이를 전달받아 외부로 배출하는 언로드락모듈을 포함하며,
    상기 로드락모듈과 상기 공정모듈 사이, 상기 공정모듈과 상기 언로드락모듈 사이 각각에는 이송되는 트레이를 임시로 저장하며 내부압력이 대기압과 상기 공정모듈의 공정압 사이의 압력으로 유지되는 버퍼모듈이 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 언로드락모듈에 결합되며 상기 언로드락모듈에서 전달받은 트레이 상의 기판을 열처리하는 열처리모듈이 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  17. 하나 이상의 기판이 안착된 트레이가 이송되는 이송경로가 설치된 공정챔버와;
    이온빔을 발생시키는 이온빔소스와;
    상기 이송경로를 따라서 이송되는 기판의 표면에 상기 이온빔소스에서 발생된 이온빔을 조사하도록 상기 공정챔버의 처리공간 내에서 상기 이송경로의 상측에 설치된 이온빔조사부와;
    상기 이온빔조사부와 기판 표면 사이에 설치되는 마스크와;
    상기 마스크의 온도를 제어하기 위한 온도제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 포함하는 공정모듈과;
    상기 공정모듈의 일측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 외부로부터 하나 이상의 기판이 안착된 트레이를 전달받아 상기 공정모듈로 상기 트레이를 전달하는 로드락모듈과;
    상기 공정모듈의 타측에 결합되며 내부압력이 대기압 및 진공압으로 교번하여 변환되어 상기 공정모듈로부터 트레이를 전달받아 외부로 배출하는 언로드락모듈을 포함하며,
    상기 언로드락모듈은 상기 공정모듈에서 전달된 트레이에 안착된 기판을 냉각시키는 냉각장치가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 [기판처리장치]기판처리시스템.
  18. 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 온도제어부는 상기 마스크를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  19. 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 마스크는 기판 표면에서 이온이 조사될 일부 영역에 대응되는 부분만 개방되도록 형성된 하나 이상의 개방부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  20. 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 마스크는 상기 공정챔버에 설치된 지지프레임에 의하여 지지되어 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 지지프레임은 상기 마스크가 결합된 온도제어부를 지지하여 상기 마스크를 지지하도록 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 지지프레임은 일단이 상기 공정챔버의 천정에 결합되며 타단이 상기 마스크를 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  23. 청구항 20에 있어서,
    상기 지지프레임은 상기 마스크와 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  24. 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 온도제어부는 상기 마스크와 결합되며 내부에 냉매가 흐르는 냉매유로가 형성된 냉각프레임과; 상기 냉각프레임의 상기 냉매유로와 연결되어 냉매를 공급하고 배출하는 냉매공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  25. 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 온도제어부는 상기 마스크와 결합되어 상기 마스크로부터 열을 흡수하는 흡열부와, 상기 흡열부에 의하여 흡수된 열을 전달받아 방출하는 방열부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  26. 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 온도제어부는 상기 마스크와 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  27. 청구항 15 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기판은 태양전지용 실리콘 기판이며,
    상기 이온조사부에 의하여 조사되는 이온은 상기 기판의 표면에 하나 이상의 반도체영역을 형성하는 이온인 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
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