JP2014183099A - イオン注入装置及び成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】スループットを高めて生産性の向上を図ることが可能なイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオン注入装置1は、一列にこの順に並んで配置された真空チャンバ12〜18と、真空チャンバ12〜18内に配置されると共に真空チャンバ12〜18が並ぶ方向に沿って基板を含む被搬送物を搬送する搬送部22と、真空チャンバ16に設けられると共に基板に向けてイオンビームを照射するイオン源20と、真空チャンバ12に設けられた積み降ろし部24と、真空チャンバ18に設けられた積み上げ部36とを備える。積み降ろし部24は、複数のトレイ201〜203が積み上げられた積み上げ体S1のうちから一のトレイを積み降ろして当該一のトレイを搬送部22によって真空チャンバ16側に搬送させる。積み上げ部26は、真空チャンバ16側から搬送された一のトレイを複数積み上げて新たな積み上げ体S2を形成する。
【選択図】図1
【解決手段】イオン注入装置1は、一列にこの順に並んで配置された真空チャンバ12〜18と、真空チャンバ12〜18内に配置されると共に真空チャンバ12〜18が並ぶ方向に沿って基板を含む被搬送物を搬送する搬送部22と、真空チャンバ16に設けられると共に基板に向けてイオンビームを照射するイオン源20と、真空チャンバ12に設けられた積み降ろし部24と、真空チャンバ18に設けられた積み上げ部36とを備える。積み降ろし部24は、複数のトレイ201〜203が積み上げられた積み上げ体S1のうちから一のトレイを積み降ろして当該一のトレイを搬送部22によって真空チャンバ16側に搬送させる。積み上げ部26は、真空チャンバ16側から搬送された一のトレイを複数積み上げて新たな積み上げ体S2を形成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、イオン注入装置及び成膜装置に関する。
特許文献1は、基板(例えば、半導体基板やガラス基板)にイオンを注入するイオン注入装置を開示している。基板へのイオンの注入は、基板の導電性を変化させたり、基板の結晶構造を変化させたりするなどの目的で実施される。
イオン注入装置としては、イオンビームを形成するイオン源と、一列に並んで配置されたロードロックチャンバ、真空チャンバ及びアンロードロックチャンバとを備えるインライン式のイオン注入装置が知られている。イオン源は、真空チャンバに配置されている。基板は、入口側(上流側)のロードロックチャンバから出口側(下流側)のアンロードロックチャンバに向けて、これらのチャンバの並ぶ方向に沿って直線状に搬送される。基板は、その搬送過程において真空チャンバ内を通過する際に、イオン源からイオンビームの照射を受ける。なお、基板の搬送方法としては、基板を直接搬送する方法や、基板が載置されたトレイを搬送する方法がある。
上述のイオン処理装置は一般に、1つの基板又は1つのトレイをロードロックチャンバに搬入して真空引きする工程と、真空チャンバ内において当該基板又はトレイを搬送しつつイオン源によるイオン注入処理を行う工程と、真空引きされたアンロードロックチャンバに基板又はトレイを搬送する工程と、アンロードロックチャンバにて雰囲気を大気圧に戻した後に、アンロードロックチャンバから当該基板又はトレイを搬出する工程とを有する。通常、1つの基板又は1つのトレイを搬送しつつイオン注入処理を行う時間よりも、ロードロックチャンバ及びアンロードロックチャンバにおける真空引きの時間の方が長い。そのため、ロードロックチャンバ及びアンロードロックチャンバにおける真空引きの時間が、基板の単位時間あたりの処理数(スループット)を決める律速となっていた。
そのため、本発明の目的は、スループットを高めて生産性の向上を図ることが可能なイオン処理装置及び成膜装置を提供することにある。
本発明の一側面に係るイオン注入装置は、順に並んで配置された第1〜第3の真空チャンバと、基板を含む被搬送物を第1〜第3の真空チャンバ内で搬送する搬送部と、第2の真空チャンバに設けられると共に基板に向けてイオンビームを照射するイオン源と、第1の真空チャンバに設けられた積み降ろし部と、第3の真空チャンバに設けられた積み上げ部とを備え、積み降ろし部は、複数の被搬送物が積み上げられた積み上げ体のうちから一の被搬送物を積み降ろして当該一の被搬送物を搬送部によって第2の真空チャンバ側に搬送させ、積み上げ部は、第2の真空チャンバ側から搬送された一の被搬送物を複数積み上げて新たな積み上げ体を形成する。
本発明の一側面に係るイオン注入装置では、積み降ろし部が、複数の被搬送物が積み上げられた積み上げ体のうちから一の被搬送物を積み降ろして当該一の被搬送物を搬送部によって第2の真空チャンバ側に搬送させる。そのため、後続の積み上げ体がロードロックチャンバ内で真空引きされている間に、複数の基板に対してイオン注入処理が行われる。また、本発明の一側面に係るイオン注入装置では、積み上げ部が、第2の真空チャンバ側から搬送された一の被搬送物を複数積み上げて新たな積み上げ体を形成する。そのため、アンロードロックチャンバの真空引きが完了するまでの間に、新たな積み上げ体が形成される。以上により、ロードロックチャンバ及びアンロードロックチャンバにおいて真空引きが行われる間に、複数の被搬送物について、真空チャンバへの搬入、イオン注入処理及び真空チャンバからの搬出が行われる。従って、スループットを高めて生産性の向上を図ることが可能となる。
積み降ろし部及び積み上げ部はそれぞれ、被搬送物の底面を支持可能な支持部と、支持部を昇降させる昇降駆動部と、昇降駆動部による支持部の昇降に際して、支持部の昇降軌道と被搬送物とが重ならない第1の位置と、昇降軌道と被搬送物とが重なる第2の位置との間で、支持部を移動させる回転駆動部とを有してもよい。この場合、回転駆動部により支持部を第2の位置に位置させつつ、昇降駆動部により支持部を昇降させることで、被搬送物を昇降させることができる。
回転駆動部は、昇降軌道に平行な軸周りに支持部を回転させることで、第1の位置と第2の位置との間で支持部を移動させてもよい。この場合、支持部を水平移動させて第1の位置と第2の位置との間で移動させるときと比較して、支持部の移動範囲が小さくなる。そのため、積み降ろし部及び積み上げ部を小型化することができる。
支持部は、軸を中心とする円弧状を呈する外形を有してもよい。この場合、支持部が回転するに際して、当該軸方向から見て支持部が当該軸を中心とする円内に留まる。そのため、支持部の移動のために大きなスペースを確保する必要がなくなり、省スペース化を図ることができる。
搬送部は、複数のローラにより構成されており、支持部は、昇降駆動部により複数のローラのうち隣り合うローラ間を通過するように昇降されてもよい。この場合、被搬送物の幅がローラの幅よりも小さくても、被搬送物の積み降ろし及び積み上げを行うことができる。
被搬送物は、基板が載置されたトレイであり、積み降ろし部は、複数のトレイが積み上げられた積み上げ体のうちから一のトレイを積み降ろして当該一のトレイを搬送部によって第2の真空チャンバ側に搬送させ、積み上げ部は、第2の真空チャンバ側から搬送された一のトレイを複数積み上げて新たな積み上げ体を形成してもよい。
本発明の他の側面に係る成膜装置は、順に並んで配置された第1〜第3の真空チャンバと、基板を含む被搬送物を第1〜第3の真空チャンバ内で搬送する搬送部と、第2の真空チャンバに設けられると共に基板の表面に膜を形成する成膜手段と、第1の真空チャンバに設けられた積み降ろし部と、第3の真空チャンバに設けられた積み上げ部とを備え、積み降ろし部は、複数の被搬送物が積み上げられた積み上げ体のうちから一の被搬送物を積み降ろして当該一の被搬送物を搬送部によって第2の真空チャンバ側に搬送させ、積み上げ部は、第2の真空チャンバ側から搬送された一の被搬送物を複数積み上げて新たな積み上げ体を形成する。
本発明の他の側面に係る成膜装置では、積み降ろし部が、複数の被搬送物が積み上げられた積み上げ体のうちから一の被搬送物を積み降ろして当該一の被搬送物を搬送部によって第2の真空チャンバ側に搬送させる。そのため、後続の積み上げ体がロードロックチャンバ内で真空引きされている間に、複数の基板に対して成膜処理が行われる。また、本発明の一側面に係る成膜装置では、積み上げ部が、第2の真空チャンバ側から搬送された一の被搬送物を複数積み上げて新たな積み上げ体を形成する。そのため、アンロードロックチャンバの真空引きが完了するまでの間に、新たな積み上げ体が形成される。以上により、ロードロックチャンバ及びアンロードロックチャンバにおいて真空引きが行われる間に、複数の被搬送物について、真空チャンバへの搬入、成膜処理及び真空チャンバからの搬出が行われる。従って、スループットを高めて生産性の向上を図ることが可能となる。
積み降ろし部及び積み上げ部はそれぞれ、被搬送物の底面を支持可能な支持部と、支持部を昇降させる昇降駆動部と、昇降駆動部による支持部の昇降に際して、支持部の昇降軌道と被搬送物とが重ならない第1の位置と、昇降軌道と被搬送物とが重なる第2の位置との間で、支持部を移動させる回転駆動部とを有してもよい。この場合、回転駆動部により支持部を第2の位置に位置させつつ、昇降駆動部により支持部を昇降させることで、被搬送物を昇降させることができる。
回転駆動部は、昇降軌道に平行な軸周りに支持部を回転させることで、第1の位置と第2の位置との間で支持部を移動させてもよい。この場合、支持部を水平移動させて第1の位置と第2の位置との間で移動させるときと比較して、支持部の移動範囲が小さくなる。そのため、積み降ろし部及び積み上げ部を小型化することができる。
支持部は、軸を中心とする円弧状を呈する外形を有してもよい。この場合、支持部が回転するに際して、当該軸方向から見て支持部が当該軸を中心とする円内に留まる。そのため、支持部の移動のために大きなスペースを確保する必要がなくなり、省スペース化を図ることができる。
搬送部は、複数のローラにより構成されており、支持部は、昇降駆動部により複数のローラのうち隣り合うローラ間を通過するように昇降されてもよい。この場合、被搬送物の幅がローラの幅よりも小さくても、被搬送物の積み降ろし及び積み上げを行うことができる。
被搬送物は、基板が載置されたトレイであり、積み降ろし部は、複数のトレイが積み上げられた積み上げ体のうちから一のトレイを積み降ろして当該一のトレイを搬送部によって第2の真空チャンバ側に搬送させ、積み上げ部は、第2の真空チャンバ側から搬送された一のトレイを複数積み上げて新たな積み上げ体を形成してもよい。
本発明によれば、スループットを高めて生産性の向上を図ることが可能なイオン処理装置及び成膜装置を提供できる。
本発明の実施形態について図面を参照して説明するが、以下の本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定する趣旨ではない。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
図1に示されるように、イオン注入装置1は、いわゆるインライン式のイオン注入装置1であり、例えば太陽電池セルの製造に用いられる。イオン注入装置1は、一列にこの順に並んで配置されたロードロックチャンバ10、内部が真空とされる第1〜第3の真空チャンバ12,14,16、及びアンロードロックチャンバ18と、イオン源20と、搬送部22と、積み降ろし部24と、積み上げ部26とを備える。すなわち、第1の真空チャンバ12は、第2の真空チャンバ14の上流側に位置しており、ロードロックチャンバ10は、第1の真空チャンバ12の上流側に位置している。第3の真空チャンバ16は、第2の真空チャンバ14の下流側に位置しており、アンロードロックチャンバ18は、第3の真空チャンバ16の下流側に位置している。
ロードロックチャンバ10及びアンロードロックチャンバ18はそれぞれ、図示しない真空ポンプ及び大気開放弁と接続されている。真空ポンプは、ロードロックチャンバ10及びアンロードロックチャンバ18の内部を大気圧環境から真空環境へと遷移させる。大気開放弁は、ロードロックチャンバ10及びアンロードロックチャンバ18の内部を真空環境から大気圧環境へと遷移させる。
ロードロックチャンバ10の入口(イオン注入装置1の入口)には、イオン注入装置1の外部環境とロードロックチャンバ10の内部環境とを遮断可能なゲートバルブG1が設けられている。ロードロックチャンバ10と第1の真空チャンバ12との間には、ロードロックチャンバ10の内部環境と第1の真空チャンバ12の内部環境とを遮断可能なゲートバルブG2が設けられている。
アンロードロックチャンバ18と第3の真空チャンバ16との間には、アンロードロックチャンバ18の内部環境と第3の真空チャンバ16の内部環境とを遮断可能なゲートバルブG3が設けられている。アンロードロックチャンバ18の出口(イオン注入装置1の出口)には、アンロードロックチャンバ18の内部環境とイオン注入装置1の外部環境とを遮断可能なゲートバルブG4が設けられている。
第1〜第3の真空チャンバ12,14,16は、これらが並ぶ方向に連通されており、内部が真空に維持されている。第2の真空チャンバ14の上部には、イオン源20が設けられており、イオン源20から第2の真空チャンバ14内に向けてイオンビームIBが照射される。すなわち、第2の真空チャンバ14は、プロセスチャンバとして機能する。
第2の真空チャンバ14の上流側に位置する第1の真空チャンバ12は、ロードロックチャンバ10から搬送された被搬送物が、第2の真空チャンバ(プロセスチャンバ)14に至る際に一時的に通過するバッファチャンバとして機能する。第2の真空チャンバ14の下流側に位置する第3の真空チャンバ16は、第2の真空チャンバ(プロセスチャンバ)14から搬送された被搬送物が、アンロードロックチャンバ18に至る際に一時的に通過するバッファチャンバとして機能する。
搬送部22は、各チャンバ10〜18が並ぶ順に各チャンバ10〜18内で被搬送物(後述する積み上げ体S1,S2及びトレイ201〜203)を搬送するためのものであり、各チャンバ10〜18が並ぶ方向に沿って延びている。本実施形態では、搬送部22は、複数のローラ22aによって構成されている。隣り合うローラ22a間の距離は、被搬送物の長さよりも狭く、且つ、後述する支持部100a〜100dの幅よりも広くなるように設定されている。
積み降ろし部24は、第1の真空チャンバ12に設けられており、積み上げ部26は、第3の真空チャンバ16に設けられている。積み降ろし部24は、搬送部22によってロードロックチャンバ10側から搬送されてきた積み上げ体S1を一時的に保持する機能と、保持した積み上げ体S1から一のトレイ(又は基板)を取り外す機能と、取り外した一のトレイ(又は基板)を搬送部22に渡して搬送部22により第2の真空チャンバ14側に搬送させる機能とを有する。積み上げ部26は、搬送部22によって第2の真空チャンバ14側から搬送されてきたトレイ(又は基板)を一時的に保持する機能と、保持したトレイ(又は基板)を複数積み上げて新たな積み上げ体S2を形成する機能と、形成した積み上げ体S2を搬送部22に渡して搬送部22によりアンロードロックチャンバ18側に搬送させる機能とを有する。積み降ろし部24及び積み上げ部26の構成は、本実施形態において同じであるので、以下では積み降ろし部24の構成について説明し、積み上げ部26の構成についての説明は省略する。
積み降ろし部24は、図2(a)に示されるように、支持部100a〜100dと、軸部材102a〜102dと、連結部材104a,104bと、昇降駆動部106と、回転駆動部108とを有する。本実施形態の支持部100a〜100dは、図2(b)に示されるように、円板の一部が切り欠かれた形状を呈している。具体的には、支持部100a〜100dの外形は、その厚さ方向から見て、円弧と、当該円弧の端部同士を結ぶ直線(弦)とによって画定されている。しかしながら、支持部100a〜100dの形状は円弧を含む形状に限られず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状その他の各種形状をとりうる。
軸部材102a〜102dの一端(下端)はそれぞれ、支持部100a〜100dの中心部に取り付けられている。そのため、軸部材102a〜102dは、支持部100a〜100dの一部の外形をなす円弧の中心軸に沿って延びている。軸部材102a〜102dの他端(上端)側は、第1の真空チャンバ12の天壁に設けられた貫通孔(図示せず)に挿通され、第1の真空チャンバ12の外方まで延びている。
連結部材104aは、第1の真空チャンバ12の外部において軸部材102a,102bを連結している。連結部材104aと第1の真空チャンバ12の天壁との間には、軸部材102aと当該軸部材102aが挿通される貫通孔とを覆うベローズ110aが設けられていると共に、軸部材102bと当該軸部材102bが挿通される貫通孔とを覆うベローズ110bが設けられている。これらのベローズ110a,110bは、第1の真空チャンバ12内の真空を維持すると共に、軸部材102a,102bの昇降に伴い伸縮する。
連結部材104bは、第1の真空チャンバ12の外部において軸部材102c,102dを連結している。連結部材104bと第1の真空チャンバ12の天壁との間には、軸部材102cと当該軸部材102cが挿通される貫通孔とを覆うベローズ110cが設けられていると共に、軸部材102dと当該軸部材102dが挿通される貫通孔とを覆うベローズ110dが設けられている。これらのベローズ110c,110dは、第1の真空チャンバ12内の真空を維持すると共に、軸部材102c,102dの昇降に伴い伸縮する。
昇降駆動部106は、連結部材104a,104b及び軸部材102a〜102dを介して支持部100a〜100dを昇降させる。昇降駆動部106によって支持部100a〜100dが昇降するとき、支持部100a〜100dがローラ22a間を通過するように支持部100a〜100dの昇降軌道が設定されている。昇降駆動部106は、例えばリニアアクチュエータやラックアンドピニオン機構であり得る。
回転駆動部108は、軸部材102a〜102dに回転力を付与することで、第1の位置と第2の位置との間で支持部100a〜100dを回転させる。第1の位置では、支持部100a,100cの切欠き部同士が対向すると共に、支持部100b,100dの切欠き部同士が対向する。第2の位置では、支持部100a,100cの円弧状部同士が対向すると共に、支持部100b,100dの円弧状部同士が対向する。従って、第1の位置では、支持部100a,100cの離間距離及び支持部100b,100dの離間距離が、第2の位置よりも大きい。そのため、支持部100a〜100dが昇降駆動部106によって昇降されたとき、第1の位置では支持部100a〜100dの昇降軌道にトレイ201〜203(後述する)が重ならないが、第2の位置では支持部100a〜100dの昇降軌道にトレイ201〜203(後述する)が重なる。回転駆動部108は、各軸部材102a〜102dに対して個々に回転力を付与してもよいし、駆動力を伝達する機構を介して複数の軸部材に対して同時に回転力を付与してもよい。
続いて、図1、図3及び図4を参照して、上記のイオン注入装置1を用いた基板へのイオン注入処理について説明する。まず、イオン注入装置1搬入するための積み上げ体S1を用意する。積み上げ体S1は、本実施形態において、3つのトレイ201〜203が積み上げられたものである。積み上げられるトレイの数の下限は、2つ以上であればよい。積み上げられるトレイの数の上限は、ロードロックチャンバ10及びアンロードロックチャンバ18における真空引きの時間に応じて設定してもよい。
積み上げ体S1は、例えば図3(a)に示されるように、トレイ201〜203はそれぞれ、矩形状を呈する板状部材である本体201a〜203aと、本体201a〜203aの各角部に立設された柱状のスペーサ201b〜203bとを有する。そのため、本体201aと本体202aとはスペーサ201bによって離間されており、本体202aと本体203aとはスペーサ202bによって離間されている。
トレイ201上には、イオン注入処理が行われる基板201cが配置されている。具体的には、基板201cは、本体201a上で且つスペーサ201bの内側に位置している。トレイ202上には、イオン注入処理が行われる基板202cが配置されている。具体的には、基板202cは、本体202a上で且つスペーサ202bの内側に位置している。トレイ203上には、イオン注入処理が行われる基板203cが配置されている。具体的には、基板203cは、本体203a上で且つスペーサ203bの内側に位置している。
積み上げ体S1は、図3(a)に示される形態に限られない。例えば図3(b)に示されるように、スペーサ201b〜203bは、本体201a〜203aの周縁に沿って延びる矩形状の枠部材であってもよい。スペーサ201b〜203bのうち長手方向に延びる一対の側壁の上部にはそれぞれ、切欠き部201d〜203dが形成されている。
また、例えば図4に示されるように、本体201a〜203aの底面に、本体201a〜203aよりも小さな外形を呈する突出部201e〜203eがそれぞれ設けられていると共に、柱状のスペーサ201b〜203bに、本体201a〜203aの内側に面し且つ外側に向けて窪む窪み部201f〜203fが形成されていてもよい。この場合、トレイ201〜203が積み上げられて積み上げ体S1を構成する際に、上側に位置するトレイ202の突出部202eが下側に位置するトレイ201の窪み部201fに係合し、上側に位置するトレイ203の突出部203eが下側に位置するトレイ202の窪み部202fに係合する。そのため、積み上げられたトレイ201〜203の位置ずれや落下を抑制することができる。
続いて、ゲートバルブG2が閉鎖された状態でゲートバルブG1を開放して、ロードロックチャンバ10に積み上げ体S1を搬入する。次に、ゲートバルブG1を閉鎖し、ロードロックチャンバ10内を真空引きする。ロードロックチャンバ10内が真空環境となると、ゲートバルブG2を開放して、ロードロックチャンバ10と第1の真空チャンバ12とを連通させる。そして、図5(a)に示されるように、搬送部22によって、積み上げ体S1を第1の真空チャンバ12内へと搬送する。積み上げ体S1が第1の真空チャンバ12内に到達すると、ゲートバルブG2を閉鎖した後に、ゲートバルブG1を開放して、後続の積み上げ体S1をロードロックチャンバ10に搬入し、同様に真空引きを行う。
第1の真空チャンバ12内では、積み降ろし部24によって積み上げ体S1の積み降ろしを行う。具体的には、図5(b)に示されるように、トレイ201〜203のうち最も下方に位置するトレイ201のみを搬送部22上に残し、他のトレイ202,203を持ち上げる。
このときの積み降ろし部24の動作をより詳しく説明すると、まず、支持部100a,100cの切欠き部同士が対向すると共に、支持部100b,100dの切欠き部同士が対向するように、回転駆動部208によって軸部材102a〜102dを介して支持部100a〜100dを回転させる。この位置(第1の位置)では、支持部100a〜100dが昇降駆動部106によって昇降したときの昇降軌道とトレイ201〜203とが重ならない。
次に、トレイ201とトレイ202との間に位置するように、支持部100a〜100dを昇降駆動部106によって移動させる。次に、支持部100a,100cの円弧状部同士が対向すると共に、支持部100b,100dの円弧状部同士が対向するように、回転駆動部208によって軸部材102a〜102dを介して支持部100a〜100dを回転させる。この位置(第2の位置)では、支持部100a〜100dが昇降駆動部106によって昇降したときの昇降軌道とトレイ201〜203とが重なる。
次に、昇降駆動部106によって支持部100a〜100dを上昇させる。これにより、トレイ202(本体202aの下面)に支持部100a〜100dの円弧状部が当接し、トレイ202と、トレイ202上に積み上げられているトレイ203が共に持ち上げられる。このとき、搬送部22上にはトレイ201のみが載置されているので、搬送部22を駆動することで、図5(c)に示されるように、トレイ201のみを下流側に位置する第2の真空チャンバ14に搬送することができる。
第2の真空チャンバ14にトレイ201が搬送されると、トレイ201に載置されている基板201cにイオンビームIBが照射され、基板201cにドーパントが添加される。トレイ201は、搬送部22によってさらに下流側に位置する第3の真空チャンバ16に搬送される。
積み降ろし部24は、図5(d)〜図5(f)に示されるように、トレイ202,203についても、トレイ201と同様に順次積み降ろす。そのため、搬送部22によって、トレイ202及びトレイ203の順に、下流側に位置する第2及び第3の真空チャンバ14,16に向けて搬送される。
図6(a)に示されるように、搬送部22によってトレイ201が第3の真空チャンバ16内に到達すると、積み上げ部26によって積み上げ動作が行われる。具体的には、図6(b)に示されるように、トレイ201を支持部100a〜100dによって持ち上げる。
このときの積み上げ部26の動作をより詳しく説明すると、まず、トレイ201が第3の真空チャンバ16内に到達する前に、搬送部22の搬送路(ローラ22aの上端を含む仮想平面)よりも下方に支持部100a〜100dを位置させる。次に、支持部100a,100cの円弧状部同士が対向すると共に、支持部100b,100dの円弧状部同士が対向するように、回転駆動部208によって軸部材102a〜102dを介して支持部100a〜100dを回転させる。この位置(第2の位置)では、支持部100a〜100dが昇降駆動部106によって昇降したときの昇降軌道とトレイ201〜203とが重なる。
次に、昇降駆動部106によって支持部100a〜100dを上昇させる。これにより、トレイ201(本体201aの下面)に支持部100a〜100dの円弧状部が当接し、トレイ201が持ち上げられる。この状態で、トレイ201に続いてイオン注入処理が行われるトレイ202が搬送部22によって第3の真空チャンバ16内に到達するまで待機する(図6(c)参照)。
次に、続くトレイ202が第3の真空チャンバ16内に到達すると、図6(d)に示されるように、昇降駆動部106によって支持部100a〜100dを下降させる。これにより、トレイ202上にトレイ201が載置される。次に、支持部100a,100cの切欠き部同士が対向すると共に、支持部100b,100dの切欠き部同士が対向するように、回転駆動部208によって軸部材102a〜102dを介して支持部100a〜100dを回転させる。この位置(第1の位置)では、支持部100a〜100dが昇降駆動部106によって昇降したときの昇降軌道とトレイ201〜203とが重ならない。
積み上げ部26は、図6(e)及び図6(f)に示されるように、トレイ203についても、トレイ201,202と同様に積み上げる。その結果、積み上げ部26では、トレイ203,202,201の順に積み上げられた新たな積み上げ体S2が形成される。
アンロードロックチャンバ18では、新たな積み上げ体S2が形成されるまでに内部が真空環境となるように、ゲートバルブG3,G4を共に閉鎖して真空引きする。次に、ゲートバルブG3を開放して、アンロードロックチャンバ18と第3の真空チャンバ16とを連通させる。そして、図6(g)に示されるように、搬送部22によって、積み上げ体S2をアンロードロックチャンバ18内へと搬送する。積み上げ体S2がアンロードロックチャンバ18内に到達すると、ゲートバルブG3を閉鎖した後に、ゲートバルブG4を開放して、イオン注入装置1から積み上げ体S2を搬出する。
以上のような本実施形態では、積み降ろし部24が、複数のトレイ201〜203が積み上げられた積み上げ体S1のうちから一のトレイを積み降ろして当該一のトレイを搬送部22によって第2の真空チャンバ14側に搬送させる。そのため、後続の積み上げ体S1がロードロックチャンバ10内で真空引きされている間に、複数の基板に対してイオン注入処理が行われる。また、以上のような本実施形態では、積み上げ部26が、第2の真空チャンバ14側から搬送された一のトレイを複数積み上げて新たな積み上げ体S2を形成する。そのため、アンロードロックチャンバ18の真空引きが完了するまでの間に、新たな積み上げ体S2が形成される。以上により、ロードロックチャンバ10及びアンロードロックチャンバ18において真空引きが行われる間に、複数のトレイ(基板)について、真空チャンバ12〜16への搬入、イオン注入処理及び真空チャンバ12〜16からの搬出が行われる。従って、スループットを高めて生産性の向上を図ることが可能となる。
本実施形態では、積み降ろし部24及び積み上げ部26がそれぞれ、トレイの底面を支持可能な支持部100a〜100dと、支持部100a〜100dを昇降させる昇降駆動部106と、昇降駆動部106による支持部100a〜100dの昇降に際して、支持部100a〜100dの昇降軌道とトレイ201〜203とが重ならない第1の位置と、昇降軌道とトレイ201〜203とが重なる第2の位置との間で、支持部100a〜100dを移動させる回転駆動部108とを有している。そのため、回転駆動部108により支持部100a〜100dを第2の位置に位置させつつ、昇降駆動部106により支持部100a〜100dを昇降させることで、トレイ201〜203を昇降させることができる。
本実施形態では、回転駆動部108が、昇降軌道に平行に延びる軸部材102a〜102d周りに支持部100a〜100dを回転させることで、第1の位置と第2の位置との間で支持部100a〜100dを移動させている。そのため、支持部100a〜100dを水平移動させて第1の位置と第2の位置との間で移動させるときと比較して、支持部100a〜100dの移動範囲が小さくなる。そのため、積み降ろし部24及び積み上げ部26を小型化することができる。
本実施形態では、支持部100a〜100dが、軸部材102a〜102dを中心軸とする円弧状を呈する外形を有している。そのため、支持部100a〜100dが回転するに際して、当該中心軸から見て支持部100a〜100dが当該中心軸を中心とする円内に留まる。従って、支持部100a〜100dの移動のために大きなスペースを確保する必要がなくなり、省スペース化を図ることができる。
本実施形態では、搬送部22が、複数のローラ22aにより構成されており、支持部100a〜100dが、昇降駆動部106により複数のローラ22aのうち隣り合うローラ22a間を通過するように昇降される。そのため、トレイ201〜203の幅がローラ22aの幅よりも小さくても、トレイ201〜203の積み降ろし及び積み上げを行うことができる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、トレイ201〜203の本体201a〜203aとスペーサ201b〜203bとは、別体でもよいし、一体化されていてもよい。
本実施形態では、搬送部22が複数のローラ22aで構成されていたが、真空チャンバ12〜16内において被搬送物を搬送することができれば、ベルトコンベア等の他の搬送機構を採用してもよい。
本実施形態では、トレイ201〜203に基板201c〜203cをそれぞれ載置したものを搬送部22によって搬送したが、各トレイ201〜203に載置される基板201c〜203の数は1枚であってもよいし、複数枚であってもよい。
トレイ201〜203を用いずに、搬送部22により基板を直接搬送するようにしてもよい。この場合、複数の基板の間にスペーサを介在させて積み上げ体を構成してもよい。
本実施形態では、積み降ろし部24による基板又はトレイの積み降ろし、及び積み上げ部26による基板又はトレイの積み上げを、イオン源20を備えるイオン注入装置1に適用したが、イオン源20に代えて成膜手段を備える成膜装置に適用してもよい。成膜手段としては、例えば、PVD法やCVD法を挙げることができる。PVD法としては、例えば、蒸着やスパッタを挙げることができる。
本実施形態では、回転駆動部108により第1の位置と第2の位置との間で支持部100a〜100dを回転させて、支持部100a,100cの離間距離及び支持部100b,100dの離間距離を変更させていたが、他の機構(例えば、支持部100a〜100dを並進移動させる機構など)を用いて、支持部100a,100cの離間距離及び支持部100b,100dの離間距離を変更させてもよい。
1…イオン注入装置、12…第1の真空チャンバ、14…第2の真空チャンバ、16…第3の真空チャンバ、20…イオン源、22…搬送部、22a…ローラ、24…積み降ろし部、26…積み上げ部、100a〜100d…支持部、106…昇降駆動部、108…回転駆動部、201〜203…トレイ、201c〜203c…基板、S1,S2…積み上げ体。
上述のイオン注入装置は一般に、1つの基板又は1つのトレイをロードロックチャンバに搬入して真空引きする工程と、真空チャンバ内において当該基板又はトレイを搬送しつつイオン源によるイオン注入処理を行う工程と、真空引きされたアンロードロックチャンバに基板又はトレイを搬送する工程と、アンロードロックチャンバにて雰囲気を大気圧に戻した後に、アンロードロックチャンバから当該基板又はトレイを搬出する工程とを有する。通常、1つの基板又は1つのトレイを搬送しつつイオン注入処理を行う時間よりも、ロードロックチャンバ及びアンロードロックチャンバにおける真空引きの時間の方が長い。そのため、ロードロックチャンバ及びアンロードロックチャンバにおける真空引きの時間が、基板の単位時間あたりの処理数(スループット)を決める律速となっていた。
本発明の他の側面に係る成膜装置では、積み降ろし部が、複数の被搬送物が積み上げられた積み上げ体のうちから一の被搬送物を積み降ろして当該一の被搬送物を搬送部によって第2の真空チャンバ側に搬送させる。そのため、後続の積み上げ体がロードロックチャンバ内で真空引きされている間に、複数の基板に対して成膜処理が行われる。また、本発明の他の側面に係る成膜装置では、積み上げ部が、第2の真空チャンバ側から搬送された一の被搬送物を複数積み上げて新たな積み上げ体を形成する。そのため、アンロードロックチャンバの真空引きが完了するまでの間に、新たな積み上げ体が形成される。以上により、ロードロックチャンバ及びアンロードロックチャンバにおいて真空引きが行われる間に、複数の被搬送物について、真空チャンバへの搬入、成膜処理及び真空チャンバからの搬出が行われる。従って、スループットを高めて生産性の向上を図ることが可能となる。
本発明によれば、スループットを高めて生産性の向上を図ることが可能なイオン注入装置及び成膜装置を提供できる。
続いて、図1、図3及び図4を参照して、上記のイオン注入装置1を用いた基板へのイオン注入処理について説明する。まず、イオン注入装置1に搬入するための積み上げ体S1を用意する。積み上げ体S1は、本実施形態において、3つのトレイ201〜203が積み上げられたものである。積み上げられるトレイの数の下限は、2つ以上であればよい。積み上げられるトレイの数の上限は、ロードロックチャンバ10及びアンロードロックチャンバ18における真空引きの時間に応じて設定してもよい。
Claims (12)
- 順に並んで配置された第1〜第3の真空チャンバと、
基板を含む被搬送物を前記第1〜第3の真空チャンバ内で搬送する搬送部と、
前記第2の真空チャンバに設けられると共に前記基板に向けてイオンビームを照射するイオン源と、
前記第1の真空チャンバに設けられた積み降ろし部と、
前記第3の真空チャンバに設けられた積み上げ部とを備え、
前記積み降ろし部は、複数の被搬送物が積み上げられた積み上げ体のうちから一の被搬送物を積み降ろして当該一の被搬送物を前記搬送部によって前記第2の真空チャンバ側に搬送させ、
前記積み上げ部は、前記第2の真空チャンバ側から搬送された一の被搬送物を複数積み上げて新たな積み上げ体を形成する、イオン注入装置。 - 前記積み降ろし部及び前記積み上げ部はそれぞれ、
前記被搬送物の底面を支持可能な支持部と、
前記支持部を昇降させる昇降駆動部と、
前記昇降駆動部による前記支持部の昇降に際して、前記支持部の昇降軌道と前記被搬送物とが重ならない第1の位置と、前記昇降軌道と前記被搬送物とが重なる第2の位置との間で、前記支持部を移動させる回転駆動部とを有する、請求項1に記載のイオン注入装置。 - 前記回転駆動部は、前記昇降軌道に平行な軸周りに前記支持部を回転させることで、前記第1の位置と前記第2の位置との間で前記支持部を移動させる、請求項2に記載のイオン注入装置。
- 前記支持部は、前記軸を中心とする円弧状を呈する外形を有する、請求項3に記載のイオン注入装置。
- 前記搬送部は、複数のローラにより構成されており、
前記支持部は、前記昇降駆動部により前記複数のローラのうち隣り合うローラ間を通過するように昇降される、請求項2〜4のいずれか一項に記載のイオン注入装置。 - 前記被搬送物は、前記基板が載置されたトレイであり、
前記積み降ろし部は、複数の前記トレイが積み上げられた積み上げ体のうちから一のトレイを積み降ろして当該一のトレイを前記搬送部によって前記第2の真空チャンバ側に搬送させ、
前記積み上げ部は、前記第2の真空チャンバ側から搬送された一のトレイを複数積み上げて新たな積み上げ体を形成する、請求項1〜5のいずれか一項に記載のイオン注入装置。 - 順に並んで配置された第1〜第3の真空チャンバと、
基板を含む被搬送物を前記第1〜第3の真空チャンバ内で搬送する搬送部と、
前記第2の真空チャンバに設けられると共に前記基板の表面に膜を形成する成膜手段と、
前記第1の真空チャンバに設けられた積み降ろし部と、
前記第3の真空チャンバに設けられた積み上げ部とを備え、
前記積み降ろし部は、複数の被搬送物が積み上げられた積み上げ体のうちから一の被搬送物を積み降ろして当該一の被搬送物を前記搬送部によって前記第2の真空チャンバ側に搬送させ、
前記積み上げ部は、前記第2の真空チャンバ側から搬送された一の被搬送物を複数積み上げて新たな積み上げ体を形成する、成膜装置。 - 前記積み降ろし部及び前記積み上げ部はそれぞれ、
前記被搬送物の底面を支持可能な支持部と、
前記支持部を昇降させる昇降駆動部と、
前記昇降駆動部による前記支持部の昇降に際して、前記支持部の昇降軌道と前記被搬送物とが重ならない第1の位置と、前記昇降軌道と前記被搬送物とが重なる第2の位置との間で、前記支持部を移動させる回転駆動部とを有する、請求項7に記載の成膜装置。 - 前記回転駆動部は、前記昇降軌道に平行な軸周りに前記支持部を回転させることで、前記第1の位置と前記第2の位置との間で前記支持部を移動させる、請求項8に記載の成膜装置。
- 前記支持部は、前記軸を中心とする円弧状を呈する外形を有する、請求項9に記載の成膜装置。
- 前記搬送部は、複数のローラにより構成されており、
前記支持部は、前記昇降駆動部により前記複数のローラのうち隣り合うローラ間を通過するように昇降される、請求項8〜10のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記被搬送物は、前記基板が載置されたトレイであり、
前記積み降ろし部は、複数の前記トレイが積み上げられた積み上げ体のうちから一のトレイを積み降ろして当該一のトレイを前記搬送部によって前記第2の真空チャンバ側に搬送させ、
前記積み上げ部は、前記第2の真空チャンバ側から搬送された一のトレイを複数積み上げて新たな積み上げ体を形成する、請求項7〜11のいずれか一項に記載の成膜装置。
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