TWI672735B - 離子植入裝置及使用該裝置的複數片晶圓的處理方法 - Google Patents

離子植入裝置及使用該裝置的複數片晶圓的處理方法 Download PDF

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戎真志
藤井嘉人
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日商住友重機械離子技術有限公司
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Abstract

本發明提供一種在離子植入裝置中提高晶圓搬送能力的技術。第1搬送機構(80)及第2搬送機構(85)將兩片一組的晶圓從晶圓容器(59)經由緩衝裝置(60)搬送至對準裝置(66)，對準後分別向第1裝載鎖定室(53)及第2裝載鎖定室(54)各搬入一片。中間搬送機構(90)將兩片一組的晶圓中的一片從第1裝載鎖定室(53)搬送至真空處理室(16)，離子植入處理後從真空處理室(16)搬送至第1裝載鎖定室(53)，將兩片一組的晶圓中的另一片從第2裝載鎖定室(54)搬送至真空處理室(16)，離子植入處理後從真空處理室(16)搬送至第2裝載鎖定室(54)。第1搬送機構(80)及第2搬送機構(85)將兩片一組的植入處理完的晶圓從第1裝載鎖定室(53)及第2裝載鎖定室(54)搬出並存放到晶圓容器(59)中。

Description

離子植入裝置及使用該裝置的複數片晶圓的處理方法
本發明係有關一種離子植入裝置及使用離子植入裝置之複數片晶圓的處理方法。
在半導體製造製程中，出於改變導電性之目的、以及改變半導體晶圓的結晶構造之目的等，規範地實施向半導體晶圓植入離子之製程(以下，有時稱為“離子植入製程”)。在離子植入製程中所使用之裝置被稱為離子植入裝置，該裝置具有藉由離子源生成離子並將生成之離子加速而形成離子束之功能、及將該離子束輸送至真空處理室並向處理室內的晶圓照射離子束的功能。並且，離子植入裝置中設有將離子植入前的晶圓供給到處理室，並排出進行了離子植入之晶圓之裝置(以下，亦稱為“晶圓搬送裝置”)。
晶圓搬送裝置具有用於將放置在大氣壓下之晶圓搬入真空處理室之裝載鎖定室。晶圓搬送裝置將晶圓搬入大氣壓下的裝載鎖定室之後對裝載鎖定室進行真空排氣，將成為真空狀態之裝載鎖定室與真空處理室連通而將晶圓搬入 處理室。晶圓搬入所需之時間較大地受到在裝載鎖定室中的排氣時間的影響，因此設置複數個裝載鎖定室可使晶圓搬送的處理能力提高。例如可舉出作為搬送能力提高之晶圓搬送裝置，設置左右兩個裝載鎖定室並在裝載鎖定室與真空處理室之間設置中間搬送室之構成(參閱專利文獻1)。
並且，亦提出有作為進一步提高搬送能力的晶圓搬送裝置，設置將左右裝載鎖定室分別作為二級式的共計四個裝載鎖定室之構成。該搬送裝置中，與二級式裝載鎖定室對應，設置有二級式晶圓搬送機器人或二級式對準機構(參閱專利文獻2)。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2006-156762號公報
專利文獻2：日本特表2010-512025號公報
藉由採用二級式裝載鎖定室能夠提高搬送能力，而另一方面由於裝載鎖定室、晶圓搬送機器人及對準機構分別為二級式，因此使各裝置的構造變得複雜，導致與一級式的情況相比製造成本和維修費用增加。本發明人等認為即使在使用一級式左右裝載鎖定室的情況下，藉由使在晶圓容器與裝載鎖定室之間的搬送製程效率化，而存在提高晶 圓搬送能力之餘地。
本發明係鑑於該種情況而完成者，其目的為，提供一種在使用一級式左右裝載鎖定室之構成中可提高晶圓搬送能力之技術。
為了解決上述課題，本發明的一態樣的離子植入裝置具備：真空處理室，進行離子植入處理；中間搬送室，與真空處理室連通設置；第1裝載鎖定室及第2裝載鎖定室，在隔著中間搬送室而相對向之各位置與中間搬送室連通設置；中間搬送機構，設置在中間搬送室，且實現經由中間搬送室之真空處理室與第1裝載鎖定室之間的晶圓搬送、及經由中間搬送室之真空處理室與第2裝載鎖定室之間的晶圓搬送；第1搬送機構，設置在與第1裝載鎖定室相對向之位置，且實現向第1裝載鎖定室搬入晶圓及從第1裝載鎖定室搬出晶圓；第2搬送機構，設置在與第2裝載鎖定室相對向之位置，且實現向第2裝載鎖定室搬入晶圓及從第2裝載鎖定室搬出晶圓；對準裝置，設置在第1搬送機構與第2搬送機構之間的位置，且構成為可調整晶圓的旋轉位置；緩衝裝置，設置在第1搬送機構與第2搬送機構之間的位置，且構成為可暫時保持兩片以上的晶圓；裝載埠(load port)，將存放有成為離子植入處理對象之複數片晶圓之晶圓容器固定在與第1搬送機構相對向之位置；及控制裝置，用於控制至少第1搬送機構及第2 搬送機構的動作。第1搬送機構具有可保持晶圓的第1臂及可保持晶圓的第2臂。第2搬送機構具有可保持晶圓的第3臂及可保持晶圓的第4臂。控制裝置對被存放到晶圓容器且按順序被搬送而成為離子植入處理對象之複數片晶圓中的第1晶圓及第2晶圓進行如下控制：(a)以第1臂及第2臂將第1晶圓及第2晶圓從晶圓容器搬送至緩衝裝置的方式使第1搬送機構動作；(b)以第3臂將第1晶圓從緩衝裝置搬送至對準裝置，第4臂將第2晶圓從緩衝裝置搬出並進行暫時保持的方式使第2搬送機構動作；(c)以第3臂將完成對準的第1晶圓從對準裝置搬出，第4臂將第2晶圓搬入對準裝置的方式使第2搬送機構動作；(d)以第3臂將完成對準的第1晶圓搬入第2裝載鎖定室的方式使第2搬送機構動作；及(e)以第1臂將完成對準的第2晶圓從對準裝置搬送至第1裝載鎖定室的方式使第1搬送機構動作。
本發明的另一態樣為處理方法。該方法為一種使用離子植入裝置之複數片晶圓的處理方法，其中，離子植入裝置具備：真空處理室，進行離子植入處理；中間搬送室，與真空處理室連通設置；第1裝載鎖定室及第2裝載鎖定室，在隔著中間搬送室而相對向之各位置與中間搬送室連通設置；中間搬送機構，設置在中間搬送室，且實現經由中間搬送室之真空處理室與第1裝載鎖定室之間的晶圓搬送、及經由中間搬送室之真空處理室與第2裝載鎖定室之間的晶圓搬送；第1搬送機構，設置在與第1裝載鎖定室 相對向之位置，且實現向第1裝載鎖定室搬入晶圓及從第1裝載鎖定室搬出晶圓；第2搬送機構，設置在與第2裝載鎖定室相對向之位置，且實現向第2裝載鎖定室搬入晶圓及從第2裝載鎖定室搬出晶圓；對準裝置，設置在第1搬送機構與第2搬送機構之間的位置，且構成為可調整晶圓之旋轉位置；緩衝裝置，設置在第1搬送機構與第2搬送機構之間的位置，且構成為可暫時保持兩片以上的晶圓；及裝載埠，將存放有成為離子植入處理對象之複數片晶圓之晶圓容器固定在與第1搬送機構相對向之位置。第1搬送機構具有可保持晶圓的第1臂及可保持晶圓的第2臂。第2搬送機構具有可保持晶圓的第3臂及可保持晶圓的第4臂。該處理方法具備：(a)第1臂及第2臂將第1晶圓及第2晶圓從晶圓容器搬送至緩衝裝置之製程；(b)第3臂將第1晶圓從緩衝裝置搬送至對準裝置，第4臂將第2晶圓從緩衝裝置搬出並進行暫時保持之製程；(c)第3臂將完成對準的第1晶圓從對準裝置搬出，第4臂將第2晶圓搬入對準裝置之製程；(d)第3臂將完成對準的第1晶圓搬入第2裝載鎖定室之製程；及(e)第1臂將完成對準的第2晶圓從對準裝置搬送至第1裝載鎖定室之製程。
本發明的又一態樣為離子植入裝置。該裝置具備：真空處理室，進行離子植入處理；中間搬送室，與真空處理室連通設置；第1裝載鎖定室及第2裝載鎖定室，在隔著中間搬送室而相對向之各位置與中間搬送室連通設置；中 間搬送機構，設置在中間搬送室，且實現經由中間搬送室之真空處理室與第1裝載鎖定室之間的晶圓搬送、及經由中間搬送室之真空處理室與第2裝載鎖定室之間的晶圓搬送；第1搬送機構，設置在與第1裝載鎖定室相對向之位置，且實現向第1裝載鎖定室搬入晶圓及從第1裝載鎖定室搬出晶圓；第2搬送機構，設置在與第2裝載鎖定室相對向之位置，且實現向第2裝載鎖定室搬入晶圓及從第2裝載鎖定室搬出晶圓；對準裝置，設置在第1搬送機構與第2搬送機構之間的位置，且構成為可調整晶圓的旋轉位置；緩衝裝置，設置在第1搬送機構與第2搬送機構之間的位置，且構成為可暫時保持兩片以上的晶圓；及裝載埠，將存放有成為離子植入處理對象之複數片晶圓之晶圓容器固定在與第1搬送機構相對向之位置。第1搬送機構及第2搬送機構將兩片一組的對準處理前的晶圓從晶圓容器經由緩衝裝置搬送至對準裝置，對準後分別向第1裝載鎖定室及第2裝載鎖定室各搬入一片，中間搬送機構將兩片一組的完成對準的晶圓中的一片從第2裝載鎖定室搬送至真空處理室，離子植入處理後從真空處理室搬送至第2裝載鎖定室，並且將兩片一組的完成對準的晶圓中的另一片從第1裝載鎖定室搬送至真空處理室，離子植入處理後從真空處理室搬送至第1裝載鎖定室，第1搬送機構及第2搬送機構將兩片一組的植入處理完的晶圓分別從第1裝載鎖定室及第2裝載鎖定室各搬出一片並存放到晶圓容器中。
另外，在方法、裝置、系統等之間相互置換以上構成要件的任意組合或本發明的構成要件和表現形式，作為本發明的態樣同樣有效。
依據本發明，即使係使用一級式左右裝載鎖定室的構成，亦能夠提高晶圓搬送能力。
1‧‧‧第1晶圓
2‧‧‧第2晶圓
3‧‧‧第3晶圓
4‧‧‧第4晶圓
5‧‧‧第5晶圓
6‧‧‧第6晶圓
7‧‧‧第7晶圓
8‧‧‧第8晶圓
10‧‧‧離子植入裝置
16‧‧‧真空處理室
18‧‧‧控制裝置
52‧‧‧中間搬送室
53‧‧‧第1裝載鎖定室
54‧‧‧第2裝載鎖定室
58‧‧‧裝載埠
59‧‧‧晶圓容器
60‧‧‧緩衝裝置
66‧‧‧對準裝置
80‧‧‧第1搬送機構
82‧‧‧第1臂
83‧‧‧第2臂
85‧‧‧第2搬送機構
87‧‧‧第3臂
88‧‧‧第4臂
90‧‧‧中間搬送機構
92‧‧‧第5臂
93‧‧‧第6臂
第1圖係表示實施形態之離子植入裝置的概略構成之俯視圖。
第2圖係表示實施形態之離子植入裝置的概略構成之側視圖。
第3圖係表示第1搬送機構的概略構成之側視圖。
第4圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第5圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第6圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第7圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第8圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第9圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第10圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第11圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第12圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第13圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第14圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第15圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第16圖係模式表示由中間搬送機構進行之互換動作之圖。
第17圖係模式表示由中間搬送機構進行之互換動作之圖。
第18圖係模式表示由中間搬送機構進行之互換動作之圖。
第19圖係模式表示由中間搬送機構進行之互換動作之圖。
第20圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第21圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第22圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第23圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第24圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第25圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第26圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第27圖係模式表示晶圓被搬送之製程之圖。
第28圖係表示第1搬送機構的動作流程之流程圖。
第29圖係表示第2搬送機構的動作流程之流程圖。
第30圖係表示中間搬送機構的動作流程之流程圖。
以下，參閱附圖對用於實施本發明之形態進行詳細地 說明。另外，在附圖的說明中對相同的要件標註相同元件符號，並適當地省略重複之說明。並且，以下所述之構成為例示，並非對本發明的範圍做任何限定者。
第1圖係表示實施形態之離子植入裝置10的概略構成之俯視圖，第2圖係表示離子植入裝置10的概略構成之側視圖。
離子植入裝置10構成為對被處理物W的表面進行離子植入處理。被處理物W例如為基板，例如為半導體晶圓。藉此，以下，為了便於說明，有時將被處理物W稱為晶圓W，但這並非表示將植入處理的對象限定為特定的物體。
離子植入裝置10構成為藉由使射束在單向上進行往復掃描，並使晶圓W在與該單向正交的方向上進行往復運動，藉此對整個晶圓W照射離子束B。在本說明書中，為了便於說明，將設計上的在射束軌道行進的離子束B的行進方向設為z方向，將與z方向垂直的面定義為xy面。對被處理物W掃描離子束B時，將射束的掃描方向設為x方向，將與z方向及x方向垂直的方向設為y方向。藉此，沿x方向進行射束的往復掃描，沿y方向進行晶圓W的往復運動。
離子植入裝置10具備離子源12、射束線裝置14、真空處理室16、控制裝置18及晶圓搬送裝置50。離子源12構成為向射束線裝置14賦予離子束B。射束線裝置14構成為從離子源12向真空處理室16輸送離子。離子植入 裝置10具備離子源12、射束線裝置14及向真空處理室16提供所期望的真空環境之真空排氣系。
射束線裝置14例如從上游依次具備質量分析部20、射束收斂部22、射束計測部24、射束掃描器26、平行化透鏡30或射束平行化裝置、及角能量過濾器(AEF：Angular Energy Filter)34。另外，射束線裝置14的上游係指靠近離子源12的一側，下游係指靠近真空處理室16(或射束阻擋器(beam stopper)38)的一側。
質量分析部20構成為，設置於離子源12的下游，並藉由質量分析從離子束B選擇所需的離子種類，該離子束B係從離子源12引出的離子束。射束收斂部22構成為，具備四極收斂裝置(Q透鏡)等收斂透鏡，並對通過質量分析部20之離子束B進行收斂而整形為所期望的剖面形狀。
射束計測部24為在射束線上能夠以取出和放入的方式進行配置並測定離子束的電流之注入器旗標法拉第杯(Injector flag Faraday cup)。射束計測部24具有：計測射束電流的法拉第杯24b；及使法拉第杯24b上下移動之驅動部24a。如第2圖的虛線所示，射束線上配置有法拉第杯24b時，離子束B被法拉第杯24b切斷。另一方面，如第2圖的實線所示，從射束線上取下法拉第杯24b時，解除離子束B的切斷。
射束掃描器26構成為提供射束的往復掃描，係沿x方向掃描經整形之離子束B之偏向構件。射束掃描器26 具有在x方向上相對向設置之掃描電極對28。掃描電極對28與可變電壓電源(未圖示)連接，藉由週期性地改變施加於掃描電極對28之電壓來改變在電極之間產生之電場以使離子束B向各個角度偏向。藉此，離子束B遍及x方向的掃描範圍而進行掃描。另外，在第1圖中，利用箭頭X例示出射束的掃描方向及掃描範圍，並且用一點虛線示出在掃描範圍內的離子束B的複數個軌跡。
平行化透鏡30構成為使經掃描之離子束B的行進方向與射束軌道平行。平行化透鏡30具有在中央部設有離子束的通過狹縫之圓弧形狀的複數個P透鏡電極32。P透鏡電極32與高壓電源(未圖示)連接，並將藉由施加電壓而產生之電場作用於離子束B，從而將離子束B的行進方向調整為平行。
角能量過濾器(AEF)34構成為，分析離子束B的能量並使所需能量的離子向下方偏向而導入真空處理室16。角能量過濾器34具有電場偏向用AEF電極對36。AEF電極對36與高壓電源(未圖示)連接。在第2圖中，藉由對上側的AEF電極施加正電壓，對下側的AEF電極施加負電壓，從而使離子束B從射束軌道向下方偏向。另外，角能量過濾器34可以由磁場偏向用磁鐵裝置構成，亦可以由電場偏向用AEF電極對與磁鐵裝置的組合構成。
如此，射束線裝置14將應照射到晶圓W之離子束B供給到真空處理室16。
真空處理室16具備保持一片或複數片晶圓W之晶圓保持部44。晶圓保持部44經由臂部45被安裝在根據需要可使晶圓保持部44進行直線移動之移動機構40上。晶圓保持部44具備用於保持晶圓W之靜電吸盤等。移動機構40構成為能夠以旋轉軸42為中心沿以第2圖的箭頭R所表示之方向旋轉，且構成為能夠在用於將晶圓W5載置於晶圓保持部44之搬送位置(用實線圖示)與用於向晶圓W進行離子植入之植入位置(用虛線圖示)之間位移。移動機構40在離子植入時，使晶圓保持部44進行往復運動，以使根據需要將相對於離子束B之相對移動(例如，y方向)提供給晶圓W。在第2圖中，利用箭頭Y例示出晶圓W的往復運動。
真空處理室16具備射束阻擋器38。當射束軌道上不存在晶圓W時，離子束B入射到射束阻擋器38。並且，真空處理室16連接有第1真空排氣裝置(未圖示)。第1真空排氣裝置在未進行晶圓處理的穩定狀態下，例如為實現10-3Pa以下的高真空之排氣裝置，且由低溫泵等構成。
晶圓搬送裝置50具備中間搬送室52、第1裝載鎖定室53、第2裝載鎖定室54、大氣搬送部56及裝載埠58。晶圓搬送裝置50構成為將存放到設置在裝載埠58之晶圓容器59(59a~59d)之晶圓搬送至真空處理室16。晶圓例如，如第1圖示出之晶圓W1~W5所示，從晶圓容器59經由大氣搬送部56、第1裝載鎖定室53或第2裝 載鎖定室54、及中間搬送室52被搬入真空處理室16。另一方面，已進行離子植入處理之晶圓W經由中間搬送室52、第1裝載鎖定室53或第2裝載鎖定室54、及大氣搬送部56被存放到晶圓容器59。
中間搬送室52連接有由渦輪分子泵等構成之第2真空排氣裝置(未圖示)，並在未進行晶圓處理的穩定狀態下保持10-1Pa左右的中高真空狀態。大氣搬送部56設置在大氣壓下，且在大氣中搬送晶圓。第1裝載鎖定室53及第2裝載鎖定室54係為了實現保持真空狀態之中間搬送室52與處於大氣壓下之大氣搬送部56之間的晶圓搬送而被劃分之空間。第1裝載鎖定室53及第2裝載鎖定室54連接有第3真空排氣裝置(未圖示)，且構成為能夠在進行晶圓搬送時進行真空排氣(真空抽氣)及大氣開放(通氣)。第3真空排氣裝置例如由油旋轉真空泵或乾式真空泵等粗抽泵構成。
晶圓搬送裝置50在射束線裝置14所延伸之方向上與真空處理室16相鄰設置。中間搬送室52在射束線裝置14所延伸的方向上與真空處理室16相鄰設置，並與真空處理室16、第1裝載鎖定室53及第2裝載鎖定室54相鄰。中間搬送室52與真空處理室16之間設置有晶圓搬送用中間搬送室-真空處理室連通機構70。在中間搬送室-真空處理室連通機構70設置有連接中間搬送室52與真空處理室16之連通口、及用於堵住連通口之閘閥。當在真空處理室16與中間搬送室52之間進行晶圓搬送時，中間搬 送室-真空處理室連通機構70的閘閥被打開。當在真空處理室16中進行離子植入處理時，中間搬送室-真空處理室連通機構70的閘閥被關閉。
第1裝載鎖定室53及第2裝載鎖定室54在與射束線裝置14所延伸之方向正交之方向上與中間搬送室52相鄰設置，並分別設置在隔著中間搬送室52相對向之位置上。例如，在第1圖的紙面上，真空處理室16及中間搬送室52在射束線裝置14所延伸之左右方向上相鄰，中間搬送室52、第1裝載鎖定室53及第2裝載鎖定室54在與左右方向正交之上下方向上相鄰設置。藉由設置兩個裝載鎖定室，能夠在依次搬送複數片晶圓時，並行搬送兩片晶圓。
第1裝載鎖定室53具有設置在其與中間搬送室52之間之第1裝載鎖定室-中間搬送室連通機構71、及設置在其與大氣搬送部56之間之第1裝載鎖定室-大氣搬送部連通機構73。第1裝載鎖定室-中間搬送室連通機構71及第1裝載鎖定室-大氣搬送部連通機構73分別設置有將第1裝載鎖定室53設為密閉空間之閘閥。第2裝載鎖定室54具有設置在其與中間搬送室52之間之第2裝載鎖定室-中間搬送室連通機構72、及設置在其與大氣搬送部56之間之第2裝載鎖定室-大氣搬送部連通機構74。第2裝載鎖定室-中間搬送室連通機構72及第2裝載鎖定室-大氣搬送部連通機構74分別設置有將第2裝載鎖定室54設為密閉空間之閘閥。
當對第1裝載鎖定室53進行真空排氣或大氣開放時，第1裝載鎖定室-中間搬送室連通機構71及第1裝載鎖定室-大氣搬送部連通機構73的閘閥被關閉。當在中間搬送室52與第1裝載鎖定室53之間進行晶圓搬送時，設置在第1裝載鎖定室-中間搬送室連通機構71之閘閥被打開，設置在第1裝載鎖定室-大氣搬送部連通機構73之閘閥處於關閉的狀態。當在大氣搬送部56與第1裝載鎖定室53之間進行晶圓搬送時，設置在第1裝載鎖定室-大氣搬送部連通機構73之閘閥被打開，設置在第1裝載鎖定室-中間搬送室連通機構71之閘閥處於關閉的狀態。
同樣地，當對第2裝載鎖定室54進行真空排氣或大氣開放時，第2裝載鎖定室-中間搬送室連通機構72及第2裝載鎖定室-大氣搬送部連通機構74的閘閥被關閉。當在中間搬送室52與第2裝載鎖定室54之間進行晶圓搬送時，設置在第2裝載鎖定室-中間搬送室連通機構72之閘閥被打開，設置在第2裝載鎖定室-大氣搬送部連通機構74之閘閥處於關閉的狀態。當在大氣搬送部56與第2裝載鎖定室54之間進行晶圓搬送時，設置在第2裝載鎖定室-大氣搬送部連通機構74之閘閥被打開，設置在第2裝載鎖定室-中間搬送室連通機構72之閘閥處於關閉的狀態。
裝載埠58與大氣搬送部56相鄰設置，且設置在隔著大氣搬送部56與中間搬送室52、第1裝載鎖定室53及第2裝載鎖定室54相對向之位置上。裝載埠58設置成與 第1裝載鎖定室53、中間搬送室52及第2裝載鎖定室54並行延伸。裝載埠58構成為能夠同時設置複數個晶圓容器59a~59d。本實施形態中，在第1搬送機構80的附近設置有第1容器59a及第2容器59b的設置位置，且在第2搬送機構85的附近設置有第3容器59c及第4容器59d的設置位置。變形例中，可以係能夠設置不同數量的晶圓容器的裝載埠，亦可以係只能夠設置一個晶圓容器的裝載埠。
大氣搬送部56具有緩衝裝置60、對準裝置66、第1搬送機構80及第2搬送機構85。為了便於理解說明，第2圖中省略了第1搬送機構80及第2搬送機構85的記載。
緩衝裝置60為用於在大氣搬送部56中暫時保持從晶圓容器59中取出之植入處理前的晶圓或從裝載鎖定室中搬出之植入處理完的晶圓等之裝置。緩衝裝置60構成為可同時保持三片晶圓，且具有如第2圖所示沿鉛垂方向並排配置之第1緩衝器61、第2緩衝器62及第3緩衝器63。第1緩衝器61、第2緩衝器62及第3緩衝器63構成為分別能夠收容一片晶圓。緩衝裝置60設置在第1搬送機構80與第2搬送機構85之間的位置。
對準裝置66為用於調整晶圓的中心位置或旋轉位置之裝置。對準裝置66構成為能夠收容一片晶圓，並且檢測出設置在所收容之晶圓上的槽口等對準標記來調整晶圓的中心位置或旋轉位置成為所期望的位置。從晶圓容器 59取出之晶圓其中心位置或旋轉位置未必對齊，因此在被搬入裝載鎖定室之前可利用對準裝置66進行定位(對準)。對準裝置66設置在第1搬送機構80與第2搬送機構85之間的位置，且設置在與緩衝裝置60在鉛垂方向上重疊之位置。如第2圖所示，對準裝置66設置在緩衝裝置60的鉛垂下側的位置。
第1搬送機構80及第2搬送機構85分別設置在隔著緩衝裝置60及對準裝置66而相對向之位置上。第1搬送機構80設置在與第1裝載鎖定室53相對向之位置上，並向第1裝載鎖定室53搬入晶圓及從第1裝載鎖定室53搬出晶圓。第1搬送機構80設置在與固定於裝載埠58的第1容器59a及第2容器59b相對向之位置上，並從第1容器59a及第2容器59b搬出晶圓、以及向第1容器59a及第2容器59b存放晶圓。並且，第1搬送機構80向緩衝裝置60及對準裝置66搬入晶圓、以及從緩衝裝置60及對準裝置66搬出晶圓。
第2搬送機構85設置在與第2裝載鎖定室54相對向之位置上，並向第2裝載鎖定室54搬入晶圓及從第2裝載鎖定室54搬出晶圓。第2搬送機構85設置在與固定於裝載埠58之第3容器59c及第4容器59d相對向之位置上，並從第3容器59c及第4容器59d搬出晶圓、以及向第3容器59c及第4容器59d存放晶圓。並且，第2搬送機構85向緩衝裝置60及對準裝置66搬入晶圓、以及從緩衝裝置60及對準裝置66搬出晶圓。
第3圖係表示第1搬送機構80的概略構成之側視圖。第1搬送機構80具有第1搬送主體部81、第1臂82及第2臂83。第1臂82及第2臂83安裝在第1搬送主體部81上，且能夠使臂相對於第1搬送主體部81進行伸縮之動作。第1搬送主體部81能夠進行鉛垂方向(h方向)的升降動作及相對於鉛垂方向的中心軸之迴轉動作。第1搬送主體部81藉由升降動作來調整第1臂82及第2臂83的鉛垂方向的位置。並且，第1搬送主體部81藉由迴轉動作來改變第1臂82及第2臂83伸縮之方向。
第1臂82及第2臂83分別係所謂的機械臂，保持一片晶圓，且構成為能夠沿水平方向移動所保持之晶圓。第1臂82的第1晶圓保持部82a構成為能夠在第1水平面S1內移動。第2臂83的第2晶圓保持部83a構成為能夠在位於比第1水平面S1更靠鉛垂下方之第2水平面S2內移動。第1水平面S1與第2水平面S2的鉛垂方向的間隔△h設定為與沿鉛垂方向並排存放到晶圓容器59中之晶圓的間隔相等，且設定為無論第1搬送主體部81的升降動作如何始終為恆定值。
第2搬送機構85具有第2搬送主體部86、第3臂87及第4臂88，且構成為例如與第3圖所示之第1搬送機構80相同。第3臂87的晶圓保持部構成為能夠在第3水平面內沿水平方向移動，第4臂88的晶圓保持部構成為能夠在位於比第3水平面更靠鉛垂下側之第4水平面內沿水平方向移動。第3臂87及第4臂88安裝在第2搬送主 體部86上，能夠進行臂相對於第2搬送主體部86之伸縮動作。第2搬送主體部86能夠進行升降動作及迴轉動作，可改變第3臂87及第4臂88的晶圓保持部的高度位置或臂的伸縮方向。
中間搬送室52設置有中間搬送機構90。中間搬送機構90進行真空處理室16與中間搬送室52之間的晶圓搬送、中間搬送室52與第1裝載鎖定室53之間的晶圓搬送、及中間搬送室52與第2裝載鎖定室54之間的晶圓搬送。
中間搬送機構90具有中間搬送本體部91、第5臂92及第6臂93，且構成為與第1搬送機構80或第2搬送機構85相同。第5臂92的晶圓保持部構成為能夠在第5水平面內沿水平方向移動，第6臂93的晶圓保持部構成為能夠在位於比第5水平面更靠鉛垂下側的第6水平面內沿水平方向移動。第5臂92及第6臂93安裝在中間搬送本體部91上，能夠使臂相對於中間搬送本體部91伸縮。中間搬送本體部91能夠進行升降動作及迴轉動作，可改變第5臂92及第6臂93的晶圓保持部的高度位置或臂的伸縮方向。
晶圓搬送裝置50的各裝置以相對於連接真空處理室16、中間搬送室52、緩衝裝置60及對準裝置66之中心線呈線對稱的方式配置。具體而言，第1裝載鎖定室53與第2裝載鎖定室54配置在線對稱的位置上，第1搬送機構80與第2搬送機構85配置在線對稱的位置上，且第 1容器59a及第2容器59b這一組與第3容器59c及第4容器59d這一組配置在線對稱的位置上。
控制裝置18控制構成離子植入裝置10之各設備的動作。控制裝置18藉由控制設置在晶圓搬送裝置50之搬送機構或連通機構的動作，實現從晶圓容器59向真空處理室16搬入晶圓、及從真空處理室16向晶圓容器59搬出晶圓。
接著，對離子植入裝置10的晶圓搬送的流程進行說明。第4圖係模式表示晶圓被搬送之狀態之圖，用四方的框表示在晶圓搬送裝置50中能夠暫時保持晶圓之場所。具體而言，作為暫時保持晶圓之場所，示出真空處理室16的晶圓保持部44、第1裝載鎖定室53、第2裝載鎖定室54、晶圓容器59、緩衝裝置60的第1緩衝器61與第2緩衝器62與第3緩衝器63、對準裝置66、第1搬送機構80的第1臂82與第2臂83、第2搬送機構85的第3臂87與第4臂88、及中間搬送機構90的第5臂92與第6臂93。第1緩衝器61、第2緩衝器62、第3緩衝器63及對準裝置66，如第2圖所示沿鉛垂方向並排配置，但為了便於說明，在第4圖中左右並排配置。並且，用圓框表示所搬送之晶圓，並且在圓框內示出用於特定晶圓之符號。尤其，用實線的圓框表示在搬送後所保持之晶圓，用虛線的圓框表示在搬送前所保持之晶圓。第5圖以後的圖亦相同。
首先，如第4圖所示，第1搬送機構80從晶圓容器 59(第1容器59a)同時搬出第1晶圓1及第2晶圓2。第1晶圓1由作為上側臂之第1臂82取出，第2晶圓2由作為下側臂之第2臂83取出。藉由將在鉛垂方向上位置錯開之第1臂82及第2臂83同時插入到晶圓容器59，能夠從沿鉛垂方向排列且存放複數片晶圓之晶圓容器59中同時搬出兩片晶圓。
接著，如第5圖所示，第1搬送機構80將第1晶圓1及第2晶圓2同時搬入緩衝裝置60。第1晶圓1由作為上側臂之第1臂82搬入第2緩衝器62，第2晶圓2由作為下側臂之第2臂83搬入第3緩衝器63。第2緩衝器62與第3緩衝器63沿鉛垂方向並排配置，因此利用第1臂82與第2臂83能夠將兩片晶圓同時存放到第2緩衝器62與第3緩衝器63。
接著，如第6圖所示，第2搬送機構85從緩衝裝置60同時搬出第1晶圓1及第2晶圓2。第1晶圓1由作為上側臂之第3臂87從第2緩衝器62搬出，第2晶圓2由作為下側臂之第4臂88從第3緩衝器63搬出。藉由將在鉛垂方向上位置錯開之第3臂87及第4臂88同時插入到緩衝裝置60，能夠從沿鉛垂方向排列之第2緩衝器62及第3緩衝器63同時搬出兩片晶圓。
接著，如第7圖所示，第2搬送機構85的第3臂87將第1晶圓1搬入對準裝置66。另外，第4臂88處於暫時保持第2晶圓2之狀態。對準裝置66位於緩衝裝置60的鉛垂下方，因此不使第2搬送主體部86迴轉而只進行 升降，就能夠將第1晶圓1從第2緩衝器62搬送到對準裝置66。被搬入對準裝置66之第1晶圓1藉由對準裝置66進行中心位置及旋轉位置的調整。
接著，如第8圖所示，第2搬送機構85的第3臂87將第1晶圓1從對準裝置66搬出，第4臂88將第2晶圓2搬入對準裝置66。第2搬送機構85藉由同時進行如下動作，亦即為了將完成對準的第1晶圓1從對準裝置66搬出而收縮第3臂87之動作、及為了將第2晶圓2搬入對準裝置66而伸長第4臂88之動作，從而縮短交換第1晶圓1與第2晶圓2所需之時間。此時，第1晶圓1與第2晶圓2在對準裝置66與第2搬送機構85之間的位置，以相互交錯的方式被搬送。該種晶圓交錯之動作亦稱為“互換動作”。
並且，在第2搬送機構85對第1晶圓1與第2晶圓2進行操作的期間，第1搬送機構80從晶圓容器59同時搬出第3晶圓3及第4晶圓4。與第4圖的製程同樣地，第3晶圓3由作為上側臂之第1臂82取出，第4晶圓4由作為下側臂之第2臂83取出。
接著，如第9圖所示，第1搬送機構80將第3晶圓3及第4晶圓4同時搬入緩衝裝置60。與第5圖的製程同樣地，第3晶圓3由作為上側臂之第1臂82搬入第2緩衝器62，第4晶圓4由作為下側臂之第2臂83搬入第3緩衝器63。並且，在第1搬送機構80對第3晶圓3與第4晶圓4進行操作期間，第2搬送機構85的第3臂87將 完成對準的第1晶圓1搬入第2裝載鎖定室54。另外，第2晶圓2在對準裝置66其中心位置及旋轉位置被調整。
接著，如第10圖所示，第1搬送機構80的第1臂82將完成對準的第2晶圓2從對準裝置66搬出。對準裝置66位於緩衝裝置60的鉛垂下方，因此第1搬送機構80將第3晶圓3及第4晶圓4存放到緩衝裝置60之後，不使第1搬送主體部81迴轉而只進行升降，就能夠從對準裝置66將完成對準的第2晶圓2搬出。另外，存放有第1晶圓1之第2裝載鎖定室54中進行真空抽氣。
接著，如第11圖所示，第1搬送機構80的第1臂82將完成對準的第2晶圓2搬入第1裝載鎖定室53。並且，與第6圖的製程同樣地，第2搬送機構85從緩衝裝置60同時搬出第3晶圓3及第4晶圓4。第3晶圓3由作為上側臂之第3臂87從第2緩衝器62搬出，第4晶圓4由作為下側臂之第4臂88從第3緩衝器63搬出。而且，中間搬送機構90的第5臂92從第2裝載鎖定室54向中間搬送室52搬入第1晶圓1。
接著，如第12圖所示，第2搬送機構85的第3臂87將第3晶圓3搬入對準裝置66。搬入對準裝置66之第3晶圓3由對準裝置66進行中心位置及旋轉位置的調整。另外，第4臂88處於暫時保持第4晶圓4之狀態。此時的第2搬送機構85的動作與第7圖的製程相同。此時，存放有第2晶圓2之第1裝載鎖定室53被進行真空 抽氣。第1晶圓1由中間搬送機構90的第5臂92從中間搬送室52搬入真空處理室16的晶圓保持部44。
接著，如第13圖所示，第2搬送機構85的第3臂87將第3晶圓3從對準裝置66搬出，第4臂88將第4晶圓4搬入對準裝置66。並且，第1搬送機構80從晶圓容器59同時搬出第5晶圓5及第6晶圓6。與第8圖的製程同樣地，由第1臂82取出第5晶圓5，由第2臂83取出第6晶圓6。而且，中間搬送機構90的第5臂92從第1裝載鎖定室53向中間搬送室52搬入第2晶圓2。第1晶圓1在真空處理室16進行離子植入。
接著，如第14圖所示，第1搬送機構80將第5晶圓5及第6晶圓6同時搬入緩衝裝置60，第2搬送機構85的第3臂87將完成對準的第3晶圓3搬入第2裝載鎖定室54。第4晶圓4在對準裝置66其中心位置及旋轉位置被調整。該等動作與第9圖的製程相同。並且，第1晶圓1完成在真空處理室16的離子植入處理。為了便於理解說明，在將植入處理完的晶圓完全塗成黑色之圓框中標註白色字的符號而示出。第15圖以後的圖亦相同。
接著，如第15圖所示，第1搬送機構80的第1臂82將完成對準的第4晶圓4從對準裝置66搬出。該動作與第10圖的製程相同。並且，中間搬送機構90在真空處理室16與中間搬送室52之間，替換植入處理完的第1晶圓1與植入處理前的第2晶圓2。中間搬送機構90由作為下側臂之第6臂93將第1晶圓1從真空處理室16搬 出，由作為上側臂之第5臂92將第2晶圓2搬入真空處理室16。藉此，實現第1晶圓1與第2晶圓2在鉛垂方向錯開之位置上相互交錯之“互換動作”，從而能夠在更短的時間內進行晶圓交換。
第16圖~第19圖係模式表示由中間搬送機構90進行之互換動作之圖。第16圖表示由中間搬送機構90進行之晶圓交換前之狀態。移動機構40從植入位置向搬送位置沿箭頭R的方向進行旋轉，藉此使在真空處理室16中進行植入處理之第1晶圓1成為能夠搬出的狀態。真空處理室16與中間搬送室52之間的中間搬送室-真空處理室連通機構70設置有連接真空處理室16與中間搬送室52之連通口95及堵住連通口95之閘閥96。植入處理前的第2晶圓2在中間搬送室52中被作為中間搬送機構90的上側臂之第5臂92保持。
第17圖表示由中間搬送機構90保持第1晶圓1之狀態。若閘閥96被打開而使真空處理室16與中間搬送室52成為連通狀態，則作為中間搬送機構90的下側臂之第6臂93向真空處理室16伸出，由第6臂93的前端的保持部來保持第1晶圓1。
第18圖表示由中間搬送機構90互換第1晶圓1與第2晶圓2之狀態。中間搬送機構90藉由向A1方向收縮第6臂93而將第1晶圓1從真空處理室16搬入中間搬送室52，並且藉由向A2方向伸出第5臂92而將第2晶圓2從中間搬送室52向真空處理室16搬出。此時，以第2晶圓 2為上側，第1晶圓1為下側之位置關係來實現第1晶圓1與第2晶圓2相互交錯之互換動作。假設，若使第1晶圓1與第2晶圓2的上下關係顛倒，則搬入第2晶圓2時第2晶圓2會與移動機構40碰撞，因此無法進行由互換動作進行之晶圓交換。
第19圖示出由中間搬送機構90將第2晶圓2載置到移動機構40的晶圓保持部44之狀態。中間搬送機構90收縮第6臂93並將第1晶圓1收容到中間搬送室52，並且將第5臂92伸出至第2晶圓2的載置位置後，使中間搬送本體部91下降從而降低第5臂92及第6臂93的位置。將第2晶圓2載置到晶圓保持部44之後，藉由收縮第5臂92而關閉閘閥96，藉此完成第1晶圓1與第2晶圓2的交換。然後，移動機構40從搬送位置旋轉至植入位置，開始對第2晶圓2進行離子植入。
接著，如第20圖所示，第1搬送機構80的第1臂82將完成對準的第4晶圓4搬入中間搬送室52，第2搬送機構85將第5晶圓5及第6晶圓6同時從緩衝裝置60搬出。該等動作與第11圖的製程相同。中間搬送機構90在中間搬送室52與第2裝載鎖定室54之間交換植入處理完的第1晶圓1與植入處理前的第3晶圓3。中間搬送機構90利用沒有保持晶圓之第5臂92，將第3晶圓3從第2裝載鎖定室54搬入中間搬送室52。接著，中間搬送機構90利用保持第1晶圓1之第6臂93，將第1晶圓1從中間搬送室52搬入第2裝載鎖定室54。真空處理室16 中進行對第2晶圓2的離子植入處理。
接著，如第21圖所示，第2搬送機構85的第3臂87將第5晶圓5搬入對準裝置66。搬入對準裝置66之第5晶圓5由對準裝置66進行中心位置及旋轉位置的調整。另外，第4臂88處於暫時保持第6晶圓6之狀態。該動作與第12圖的製程相同。並且，中間搬送機構90在真空處理室16與中間搬送室52之間，替換植入處理完的第2晶圓2與植入處理前的第3晶圓3。該動作與第15圖的製程中之“互換動作”相同。亦即，中間搬送機構90由作為下側臂之第6臂93將第2晶圓2從真空處理室16搬出，由作為上側臂之第5臂92將第3晶圓3搬入真空處理室16。此時，對存放有第4晶圓4之第1裝載鎖定室53進行真空抽氣。存放有植入處理完的第1晶圓1之第2裝載鎖定室54中進行大氣開放(通氣處理)。
接著，如第22圖所示，第2搬送機構85的第3臂87將第5晶圓5從對準裝置66搬出，第4臂88將第6晶圓6搬入對準裝置66。並且，第1搬送機構80將第7晶圓7及第8晶圓8從晶圓容器59同時搬出。該等動作與第13圖的製程相同。中間搬送機構90在中間搬送室52與第1裝載鎖定室53之間，交換植入處理完的第2晶圓2與植入處理前的第4晶圓4。中間搬送機構90利用沒有保持晶圓之第5臂92，將第4晶圓4從第1裝載鎖定室53搬入中間搬送室52。接著，中間搬送機構90利用保持第2晶圓2之第6臂93，將第2晶圓2從中間搬 送室52搬入第1裝載鎖定室53。真空處理室16中進行對第3晶圓3的離子植入。第2裝載鎖定室54中進行通氣處理。
接著，如第23圖所示，第1搬送機構80將第7晶圓7及第8晶圓8同時搬入緩衝裝置60。並且，第2搬送機構85將植入處理完的第1晶圓1從第2裝載鎖定室54搬出，並且將完成對準的第5晶圓5搬入第2裝載鎖定室54。第2搬送機構85利用作為下側臂之第4臂88搬出第1晶圓1，並且利用作為上側臂之第3臂87搬入第5晶圓5。藉此，實現第1晶圓1與第5晶圓5在鉛垂方向錯開之位置上相互交錯之“互換動作”，從而能夠在更短的時間內進行晶圓交換。真空處理室16中進行對第3晶圓3的離子植入，第2裝載鎖定室54中進行通氣處理。
接著，如第24圖所示，第1搬送機構80的第1臂82將完成對準的第6晶圓6從對準裝置66搬出。中間搬送機構90在真空處理室16與中間搬送室52之間，藉由上述的“互換動作”替換植入處理完的第3晶圓3與植入處理前的第4晶圓4。該等動作與第15圖的製程相同。第2搬送機構85將保持在第4臂88之植入處理完的第1晶圓1存放到緩衝裝置60。緩衝裝置60的第2緩衝器62及第3緩衝器63中存放有第7晶圓7與第8晶圓8，因此第1晶圓1被存放到空著的第1緩衝器61中。另外，第1裝載鎖定室53中進行通氣處理，第2裝載鎖定室54中進行真空抽氣。
接著，如第25圖所示，第2搬送機構85將第7晶圓7及第8晶圓8從緩衝裝置60同時搬出。中間搬送機構90在中間搬送室52與第2裝載鎖定室54之間，交換植入處理完的第3晶圓3與植入處理前的第5晶圓5。該等動作與第20圖的製程相同。第1搬送機構80將植入處理完的第2晶圓2從第1裝載鎖定室53搬出，並且將完成對準的第6晶圓6搬入第1裝載鎖定室53。第1搬送機構80利用作為下側臂之第2臂83搬出第2晶圓2，並且利用作為上側臂之第1臂82搬入第6晶圓6。藉此，實現第2晶圓2與第6晶圓6在鉛垂方向錯開之位置上相互交錯之“互換動作”，從而能夠在更短的時間內進行晶圓交換。真空處理室16中進行對第4晶圓4的離子植入。
接著，如第26圖所示，第2搬送機構85的第3臂87將第7晶圓7搬入對準裝置66，第4臂88以暫時保持第8晶圓8之狀態待機。該動作與第21圖的製程相同。第1搬送機構80利用沒有保持晶圓之第1臂82，將第1晶圓1從緩衝裝置60的第1緩衝器61搬出。藉此，第1搬送機構80成為保持第1晶圓1與第2晶圓2之狀態。真空處理室16中進行對第4晶圓4的離子植入。第1裝載鎖定室53中進行真空抽氣，第2裝載鎖定室54中進行通氣處理。
接著，如第27圖所示，第1搬送機構80將第1晶圓1與第2晶圓2同時存放到晶圓容器59。與第4圖的取出製程同樣地，第1晶圓1由作為上側臂之第1臂82被存 放，第2晶圓2由作為下側臂之第2臂83被存放。中間搬送機構90在真空處理室16與中間搬送室52之間，替換植入處理完的第4晶圓4與植入處理前的第5晶圓5。該動作與第24圖的製程中之“互換動作”相同。第1裝載鎖定室53中進行真空抽氣，第2裝載鎖定室54中進行通氣處理。
藉由以上的製程，從晶圓容器59取出之第1晶圓1及第2晶圓2被搬入真空處理室16中而進行離子植入，植入處理完的第1晶圓1及第2晶圓2被存放到晶圓容器59。接著第27圖的製程，反覆進行與第22圖~第27圖相同的製程，藉此後續的晶圓依次從晶圓容器59被搬入真空處理室16，在離子植入處理後被存放到晶圓容器59中。從晶圓容器59同時取出之兩片一組的晶圓中，標註奇數編號之一片晶圓經由第2裝載鎖定室54被搬入真空處理室16，經由第2裝載鎖定室54從真空處理室16被搬出。並且，從晶圓容器59同時取出的兩片一組的晶圓中，標註偶數編號之另一片晶圓經由第1裝載鎖定室53被搬入真空處理室16，經由第1裝載鎖定室53從真空處理室16被搬出。
另外，在第4圖~第15圖及第20圖~第27圖的各圖中示出之第1搬送機構80、第2搬送機構85及中間搬送機構90的動作可以同時進行，進行各動作的期間可以部分重複，各動作期間亦可以不重複。
接著，利用流程圖對第1搬送機構80、第2搬送機 構85及中間搬送機構90的各動作的流程進行說明。另外，流程圖中之各處理步驟認為可以依據當時的晶圓的配置等適當跳過。例如，各處理步驟中，還未準備好應搬入或搬出的晶圓時，可跳過該搬入或搬出的處理。
第28圖係表示第1搬送機構80的動作流程之流程圖。第1搬送機構80利用第1臂82及第2臂83從晶圓容器59搬出兩片晶圓(S12)，使第1搬送主體部81向緩衝裝置60迴轉(S14)，利用第1臂82將晶圓搬入第2緩衝器62，並且利用第2臂83將晶圓搬入第3緩衝器63(S16)。等待完成由對準裝置66進行之位置調整(S18的否)，若已完成對準(S18的是)，利用第1臂82將晶圓從對準裝置66搬出(S20)。
接著，使第1搬送主體部81向第1裝載鎖定室53迴轉(S22)，等待完成第1裝載鎖定室53的通氣處理(S24的否)，若已完成準備(S24的是)，藉由互換動作，並利用第2臂83將處理完的晶圓從第1裝載鎖定室53搬出(S26)，利用第1臂82將未處理晶圓搬入第1裝載鎖定室53(S28)。使第1搬送主體部81向緩衝裝置60迴轉(S30)，將處理完的晶圓從第1緩衝器61搬出(S32)，使第1搬送主體部81向晶圓容器59迴轉(S34)，將第1臂82及第2臂83分別保持之處理完的晶圓存放到晶圓容器59(S36)。若未完成晶圓搬送(S38的否)，則反覆進行S12~S36的處理，若已完成晶圓搬送(S38的是)，則結束本流程。
另外，在不需要從晶圓容器59取出未處理晶圓的情況，例如在完成所有的未處理晶圓的搬出，且使處理完的晶圓返回到晶圓容器59即可的情況下，可跳過S12~S20及S28的處理。並且，在沒有應存放到晶圓容器59中的處理完的晶圓的情況，例如在未處理晶圓沒有被搬入真空處理室16，且未開始離子植入處理的情況下，可跳過S26、S32及S36的處理。
第29圖係表示第2搬送機構85的動作流程之流程圖。利用第3臂87從第2緩衝器62搬出晶圓，並且利用第4臂88從第3緩衝器63搬出晶圓(S42)，將第3臂87所保持之晶圓搬入對準裝置66(S44)。等待完成由對準裝置66進行之位置調整(S46的否)，若已完成對準(S46的是)，則利用第3臂87搬出晶圓(S48)，將第4臂88所保持之晶圓搬入對準裝置66(S50)。
接著，使第2搬送主體部86向第2裝載鎖定室54迴轉(S52)，等待完成第2裝載鎖定室54的通氣處理(S54的否)，若已完成準備(S54的是)，藉由互換動作，利用第4臂88將處理完的晶圓從第2裝載鎖定室54搬出(S56)，利用第3臂87將未處理晶圓搬入第2裝載鎖定室54(S58)。使第2搬送主體部86向緩衝裝置60迴轉(S60)，將第4臂88所保持之處理完的晶圓搬入第1緩衝器61(S62)。若未完成晶圓搬送(S64的否)，則反覆進行S12~S62的處理，若已完成晶圓搬送(S64的是)，則結束本流程。
另外，在緩衝裝置60中未存放有未處理晶圓時，可跳過S42~S50及S58的處理。並且，在沒有應從第2裝載鎖定室54搬出之處理完的晶圓時，可跳過S56及S62的處理。
第30圖係表示中間搬送機構90的動作流程之流程圖。等待完成第2裝載鎖定室54的真空抽氣的處理(S70的否)，若已完成準備(S70的是)，在第2裝載鎖定室54與中間搬送室52之間搬送晶圓(S72)。若第2裝載鎖定室54與中間搬送室52雙方中均有晶圓，則可使晶圓位置交換。若只有第2裝載鎖定室54與中間搬送室52的任意一方有晶圓，則可使晶圓向另一方移動。另外，第2裝載鎖定室54與中間搬送室52中均沒有晶圓時，可跳過S72的處理。
接著，使中間搬送本體部91向真空處理室16迴轉(S74)，等待完成真空處理室中之植入處理(S76的否)，若已完成準備(S76的是)，在真空處理室16與中間搬送室52之間搬送晶圓(S78)。若真空處理室16與中間搬送室52雙方中均有晶圓，則可藉由互換動作使晶圓位置交換。若只有真空處理室16與中間搬送室52的一方有晶圓，則可使晶圓向另一方移動。另外，真空處理室16與中間搬送室52中均沒有晶圓時，可跳過S78的處理。
接著，使中間搬送本體部91向第1裝載鎖定室53迴轉(S80)，等待完成第1裝載鎖定室53的真空抽氣的處 理(S82的否)，若已完成準備(S82的是)，在第1裝載鎖定室53與中間搬送室52之間搬送晶圓(S84)。若第1裝載鎖定室53與中間搬送室52雙方中均具有晶圓，則可使晶圓位置進行交換。若只有第1裝載鎖定室53與中間搬送室52的任意一方有晶圓，則可使晶圓向另一方移動。另外，第1裝載鎖定室53與中間搬送室52中均沒有晶圓時，可跳過S84的處理。
接著，若未完成晶圓搬送(S86的否)，則使中間搬送本體部91向真空處理室16迴轉(S88)，等待完成真空處理室中之植入處理(S90的否)，若已完成準備(S90的是)，在真空處理室16與中間搬送室52之間搬送晶圓(S92)。然後，使中間搬送本體部91向第2裝載鎖定室54迴轉(S94)，反覆進行S70~S86的處理。若已完成晶圓搬送(S86的是)，則結束本流程。
依據本實施形態，存放到晶圓容器59中之晶圓作為兩片一組的晶圓從晶圓容器59同時被搬出，進行離子植入處理之後作為兩片一組同時被存放。因此，與從晶圓容器59中一片一片地搬出晶圓，且在晶圓容器59中一片一片地存放晶圓的方法相比，能夠縮短與晶圓容器59之間的晶圓搬送所需之時間。
依據本實施形態，第1搬送機構80從晶圓容器59取出晶圓後，藉由經由緩衝裝置60之交接，使第2搬送機構85將晶圓搬入對準裝置66。藉此，將兩片一組的晶圓依次搬入對準裝置66之製程不僅由第1搬送機構80，亦 可以由第2搬送機構85負責。其結果，如第28圖與第29圖的流程圖所示，能夠使第1搬送機構80的處理步驟數量與第2搬送機構85的處理步驟數量均等化。假設，若將晶圓搬入對準裝置66之製程由第1搬送機構80負責，則有可能第1搬送機構80與第2搬送機構85的處理步驟數量的合計值減少與除去經由緩衝裝置60之交接製程相應的量。然而，由於處理偏向於第1搬送機構80，因此第1搬送機構80的處理成為瓶頸，導致晶圓搬送所需之整體的時間變長。依據本實施形態，經由緩衝裝置60將晶圓從第1搬送機構80交接到第2搬送機構85，藉此能夠縮短晶圓搬送所需之整體的時間，且提高晶圓搬送裝置50的處理能力。
依據本實施形態，實現了在第1搬送機構80與第1裝載鎖定室53之間藉由互換動作進行之晶圓交換，因此能夠縮短第1裝載鎖定室53放置在大氣壓下之時間。同樣地，實現了在第2搬送機構85與第2裝載鎖定室54之間藉由互換動作進行之晶圓交換，因此能夠縮短第2裝載鎖定室54放置在大氣壓下的時間。藉此，能夠縮短經由裝載鎖定室之晶圓的搬入和搬出所需之時間，且提高晶圓搬送裝置50的處理能力。並且，無需採用二級式裝載鎖定室或二級式對準裝置，就能夠提高晶圓搬送能力，因此與採用二級式裝置時相比能夠抑制製造成本和維修費用。並且，可採用一級式的比較簡單且容積較小的構造的裝載鎖定室，因此能夠縮短裝載鎖定室的真空抽氣或通氣處理 所需之時間。
依據本實施形態，實現了在真空處理室16與中間搬送室52之間藉由互換動作進行之晶圓交換，因此能夠縮短為了晶圓交換而使真空處理室16中之植入處理停止之時間。藉此，能夠提高真空處理室16中之離子植入處理的運轉率，從而提高離子植入裝置10的生產率。
依據本實施形態，以緩衝裝置60與對準裝置66成為在鉛垂方向上重疊之位置的方式配置有緩衝裝置60，因此能夠減少第1搬送機構80及第2搬送機構85的迴轉動作。例如，第1搬送機構80將晶圓搬入緩衝裝置60(第28圖的S12)之後從對準裝置66搬出晶圓(第28圖的S16)時，無需使第1搬送主體部81迴轉。同樣地，第2搬送機構85從緩衝裝置60搬出晶圓(第29圖的S42)之後將晶圓搬入對準裝置66(第29圖的S44)時，亦無需使第2搬送主體部86迴轉。其結果，能夠縮短各製程所需之時間，從而提高晶圓搬送裝置50的處理能力。
依據本實施形態，構成為在與真空處理室16獨立的中間搬送室52設有中間搬送機構90，因此能夠抑制因中間搬送機構90的動作而產生之粒子等侵入真空處理室16之污染物的影響。藉此，能夠提高離子植入處理的成品率，從而提高離子植入裝置10的生產率。
以上，參閱上述各實施形態對本發明進行了說明，但本發明並不限定於上述各實施形態，對各實施形態的構成適當進行組合或進行置換的方式亦包含在本發明中。並 且，能夠依據本領域技術人員的知識適當地對各實施形態中之組合或處理順序進行重新排列或對實施形態加以各種設計變更等變形，加以該種變形之實施形態亦包含在本發明的範圍內。
上述實施形態中，示出了從裝載埠58觀察時由位於左側之第1搬送機構80從晶圓容器(第1容器59a或第2容器59b)搬出晶圓及向晶圓容器搬入晶圓之情況。變形例中，從裝載埠58觀察時可以由位於右側之第2搬送機構85從晶圓容器(第3容器59c或第4容器59d)搬出晶圓及向晶圓容器搬入晶圓。此時，將第1搬送機構80與第2搬送機構85的作用顛倒，可以使第1搬送機構80按照第29圖的流程圖動作，亦可以使第2搬送機構85按照第28圖的流程圖動作。並且，在晶圓搬送製程的中途亦可以使第1搬送機構80與第2搬送機構85的作用顛倒。
上述實施形態中，示出了將設置在緩衝裝置60的最上段之第1緩衝器61設為植入處理完的晶圓的存放場所，將位於第1緩衝器61的下方之第2緩衝器62及第3緩衝器63設為植入處理前的晶圓的存放場所之情況。變形例中，可以將第1緩衝器61及第2緩衝器62設為植入處理前的晶圓的存放場所，亦可以將第3緩衝器63設為植入處理前的晶圓的存放場所。
上述實施形態中，示出了將緩衝裝置60設置在對準裝置66的鉛垂上側之情況，變形例中，亦可以將緩衝裝 置60設置在對準裝置66的鉛垂下側。並且，亦可將緩衝裝置設置在對準裝置66的鉛垂上側與鉛垂下側雙方的位置上。此時，可將對準裝置66的上側的緩衝裝置設為植入處理前的晶圓存放場所，亦可將對準裝置66的下側的緩衝裝置設為植入處理完的晶圓存放場所，亦可以設為相反。

Claims (21)

  1. 一種離子植入裝置，其特徵為，具備：真空處理室，進行離子植入處理；中間搬送室，與前述真空處理室連通設置；第1裝載鎖定室及第2裝載鎖定室，在隔著前述中間搬送室而相對向之各位置與前述中間搬送室連通設置；中間搬送機構，設置在前述中間搬送室，且實現經由前述中間搬送室之前述真空處理室與前述第1裝載鎖定室之間的晶圓搬送、及經由前述中間搬送室之前述真空處理室與前述第2裝載鎖定室之間的晶圓搬送；第1搬送機構，設置在與前述第1裝載鎖定室相對向之位置，且實現向前述第1裝載鎖定室搬入晶圓及從前述第1裝載鎖定室搬出晶圓；第2搬送機構，設置在與前述第2裝載鎖定室相對向之位置，且實現向前述第2裝載鎖定室搬入晶圓及從前述第2裝載鎖定室搬出晶圓；對準裝置，設置在前述第1搬送機構與前述第2搬送機構之間的位置，且構成為可調整晶圓的旋轉位置；緩衝裝置，設置在前述第1搬送機構與前述第2搬送機構之間的位置，且構成為可暫時保持兩片以上的晶圓；裝載埠，將存放有成為前述離子植入處理對象之複數片晶圓之晶圓容器固定在與前述第1搬送機構相對向之位置；及控制裝置，用於控制至少前述第1搬送機構及前述第 2搬送機構的動作，前述第1搬送機構具有可保持晶圓的第1臂及可保持晶圓的第2臂，前述第2搬送機構具有可保持晶圓的第3臂及可保持晶圓的第4臂，前述控制裝置對被存放到前述晶圓容器且按順序被搬送而成為前述離子植入處理對象之複數片晶圓中的第1晶圓及第2晶圓進行如下控制：(a)以前述第1臂及前述第2臂將前述第1晶圓及前述第2晶圓從前述晶圓容器搬送至前述緩衝裝置的方式使前述第1搬送機構動作；(b)以前述第3臂將前述第1晶圓從前述緩衝裝置搬送至前述對準裝置，前述第4臂將前述第2晶圓從前述緩衝裝置搬出並進行暫時保持的方式使前述第2搬送機構動作；(c)以前述第3臂將完成對準的前述第1晶圓從前述對準裝置搬出，前述第4臂將前述第2晶圓搬入前述對準裝置的方式使前述第2搬送機構動作；(d)以前述第3臂將完成對準的前述第1晶圓搬入前述第2裝載鎖定室的方式使前述第2搬送機構動作；及(e)以前述第1臂將完成對準的前述第2晶圓從前述對準裝置搬送至前述第1裝載鎖定室的方式使前述第1搬送機構動作。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之離子植入裝置，其 中，前述控制裝置在前述(a)的動作中，以前述第1晶圓及前述第2晶圓並行地從前述晶圓容器被搬出的方式使前述第1搬送機構動作。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之離子植入裝置，其中，前述緩衝裝置設置在與前述對準裝置在鉛垂方向上重疊之位置，前述第2搬送機構還具有能夠沿前述鉛垂方向進行升降，且能夠相對於沿前述鉛垂方向延伸之軸進行迴轉之主體部，前述第3臂及前述第4臂安裝在前述主體部，前述控制裝置在前述(b)及前述(c)的動作中，以不使前述主體部迴轉而是沿前述鉛垂方向進行升降的方式使前述第2搬送機構動作。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之離子植入裝置，其中，前述中間搬送機構具有可保持晶圓的第5臂及可保持晶圓的第6臂，前述控制裝置還進行如下控制：(f)以前述第5臂將前述第1晶圓從前述第2裝載鎖定室搬送至前述真空處理室的方式使前述中間搬送機構動作；(g)以前述第5臂將前述第2晶圓從前述第1裝載鎖定室搬送至前述中間搬送室的方式使前述中間搬送機構 動作；及(h)以前述第6臂將植入處理完的前述第1晶圓從前述真空處理室搬送至前述中間搬送室，前述第5臂將前述第2晶圓從前述中間搬送室搬送至前述真空處理室的方式使前述中間搬送機構動作。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之離子植入裝置，其中，前述中間搬送機構構成為前述第5臂的晶圓保持部能夠在第5水平面內沿水平方向移動，並且構成為前述第6臂的晶圓保持部能夠在位於比前述第5水平面更靠下側之第6水平面內沿水平方向移動，前述控制裝置在前述(h)的動作中，以利用被前述第5臂保持且朝向前述真空處理室之前述第2晶圓為上側，被前述第6臂保持且遠離前述真空處理室之前述第1晶圓為下側之位置關係來實現前述第1晶圓與前述第2晶圓相互交錯之互換動作的方式使前述中間搬送機構動作。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之離子植入裝置，其中，前述控制裝置進一步對被存放到前述晶圓容器且按順序被搬送而成為前述離子植入處理對象之複數片晶圓中的第3晶圓及第4晶圓進行如下控制：(i)以前述第1臂及前述第2臂將前述第3晶圓及前述第4晶圓從前述晶圓容器搬送至前述緩衝裝置的方式使前述第1搬送機構動作； (j)以前述第3臂將前述第3晶圓從前述緩衝裝置搬送至前述對準裝置，前述第4臂將前述第4晶圓從前述緩衝裝置搬出並進行暫時保持的方式使前述第2搬送機構動作；(k)以前述第3臂將完成對準的前述第3晶圓從前述對準裝置搬出，前述第4臂將前述第4晶圓搬入前述對準裝置的方式使前述第2搬送機構動作；(l)以前述第3臂將完成對準的前述第3晶圓搬入前述第2裝載鎖定室的方式使前述第2搬送機構動作；及(m)以前述第1臂將完成對準的前述第4晶圓從前述對準裝置搬送至前述第1裝載鎖定室的方式使前述第1搬送機構動作，前述(i)的動作在前述(e)的動作之前進行。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之離子植入裝置，其中，前述控制裝置還進行如下控制：(n)以前述第5臂將植入處理前的前述第3晶圓從前述第2裝載鎖定室搬送至前述中間搬送室，前述第6臂將植入處理完的前述第1晶圓從前述中間搬送室搬送至前述第2裝載鎖定室的方式使前述中間搬送機構動作；(o)以前述第6臂將植入處理完的前述第2晶圓從前述真空處理室搬送至前述中間搬送室，前述第5臂將前述第3晶圓從前述中間搬送室搬送至前述真空處理室的方式使前述中間搬送機構動作；及 (p)以前述第5臂將植入處理前的前述第4晶圓從前述第1裝載鎖定室搬送至前述中間搬送室，前述第6臂將植入處理完的前述第2晶圓從前述中間搬送室搬送至前述第1裝載鎖定室的方式使前述中間搬送機構動作。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之離子植入裝置，其中，前述控制裝置還進行如下控制：(q)以前述第4臂將植入處理完的前述第1晶圓從前述第2裝載鎖定室搬出的方式使前述第2搬送機構動作；(r)以前述第4臂將植入處理完的前述第1晶圓搬入前述緩衝裝置的方式使前述第2搬送機構動作；(s)以前述第2臂將植入處理完的前述第2晶圓從前述第1裝載鎖定室搬出的方式使前述第1搬送機構動作；(t)以前述第1臂將植入處理完的前述第1晶圓從前述緩衝裝置搬出的方式使前述第1搬送機構動作；及(u)以前述第1臂將植入處理完的前述第1晶圓存放到前述晶圓容器，前述第2臂將植入處理完的前述第2晶圓存放到前述晶圓容器的方式使前述第1搬送機構動作。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之離子植入裝置，其中，前述控制裝置在前述(u)的動作中，以前述第1晶 圓及前述第2晶圓並行地存放到前述晶圓容器的方式使前述第1搬送機構動作。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之離子植入裝置，其中，前述控制裝置進一步對被存放到前述晶圓容器且按順序被搬送而成為前述離子植入處理對象之複數片晶圓中的第5晶圓及第6晶圓進行如下控制：(v)以前述第1臂及前述第2臂將前述第5晶圓及前述第6晶圓從前述晶圓容器搬送至前述緩衝裝置的方式使前述第1搬送機構動作；(w)以前述第3臂將前述第5晶圓從前述緩衝裝置搬送至前述對準裝置，前述第4臂將前述第6晶圓從前述緩衝裝置搬出並進行暫時保持的方式使前述第2搬送機構動作；及(x)以前述第3臂將完成對準的前述第5晶圓從前述對準裝置搬出，前述第4臂將前述第6晶圓搬入前述對準裝置的方式使前述第2搬送機構動作，前述(v)的動作在前述(m)的動作之前進行，前述(w)及(x)的動作在前述(q)的動作之前進行，前述控制裝置在前述(q)的動作中，以前述第3臂將完成對準的前述第5晶圓搬入前述第2裝載鎖定室的方式使前述第2搬送機構動作。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之離子植入裝置， 其中，前述第2搬送機構構成為前述第3臂的晶圓保持部能夠在第3水平面內沿水平方向移動，並且構成為前述第4臂的晶圓保持部能夠在位於比前述第3水平面更靠下側之第4水平面內沿水平方向移動，前述控制裝置在前述(q)的動作中，以利用被前述第3臂保持且朝向前述第2裝載鎖定室之植入處理前的前述第5晶圓為上側，被前述第4臂保持且遠離前述第2裝載鎖定室之植入處理完的前述第1晶圓為下側之位置關係來實現前述第1晶圓與前述第5晶圓相互交錯之互換動作的方式使前述第2搬送機構動作。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之離子植入裝置，其中，前述控制裝置在前述(s)的動作中，以前述第1臂將完成對準的前述第6晶圓從前述對準裝置搬送至前述第1裝載鎖定室的方式使前述第1搬送機構動作。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之離子植入裝置，其中，前述第1搬送機構構成為前述第1臂的晶圓保持部能夠在第1水平面內沿水平方向移動，並且構成為前述第2臂的晶圓保持部能夠在位於比前述第1水平面更靠下側之第2水平面內沿水平方向移動，前述控制裝置在前述(s)的動作中，以利用被前述第1臂保持且朝向前述第1裝載鎖定室之植入處理前的前 述第6晶圓為上側，被前述第2臂保持且遠離前述第1裝載鎖定室之植入處理完的前述第2晶圓為下側之位置關係來實現前述第2晶圓與前述第6晶圓相互交錯之互換動作的方式使前述第1搬送機構動作。
  14. 如申請專利範圍第1或2項所述之離子植入裝置，其中，前述第1裝載鎖定室及前述第2裝載鎖定室配置在相對於連接前述真空處理室及前述中間搬送室之中心線對稱的位置上，前述第1搬送機構及前述第2搬送機構配置在相對於前述中心線對稱的位置上，前述對準裝置及前述緩衝裝置配置在前述中心線上。
  15. 如申請專利範圍第1或2項所述之離子植入裝置，其中，前述緩衝裝置構成為能夠至少同時保持植入處理前的兩片晶圓及植入處理完的一片晶圓。
  16. 一種處理方法，係使用離子植入裝置的複數片晶圓的處理方法，其特徵為，前述離子植入裝置具備：真空處理室，進行離子植入處理；中間搬送室，與前述真空處理室連通設置；第1裝載鎖定室及第2裝載鎖定室，在隔著前述中間搬送室而相對向之各位置與前述中間搬送室連通設置；中間搬送機構，設置在前述中間搬送室，且實現經由 前述中間搬送室之前述真空處理室與前述第1裝載鎖定室之間的晶圓搬送、及經由前述中間搬送室之前述真空處理室與前述第2裝載鎖定室之間的晶圓搬送；第1搬送機構，設置在與前述第1裝載鎖定室相對向之位置，且實現向前述第1裝載鎖定室搬入晶圓及從前述第1裝載鎖定室搬出晶圓；第2搬送機構，設置在與前述第2裝載鎖定室相對向之位置，且實現向前述第2裝載鎖定室搬入晶圓及從前述第2裝載鎖定室搬出晶圓；對準裝置，設置在前述第1搬送機構與前述第2搬送機構之間的位置，且構成為可調整晶圓的旋轉位置；緩衝裝置，設置在前述第1搬送機構與前述第2搬送機構之間的位置，且構成為可暫時保持兩片以上的晶圓；及裝載埠，將存放有成為前述離子植入處理對象之複數片晶圓之晶圓容器固定在與前述第1搬送機構相對向之位置，前述第1搬送機構具有可保持晶圓的第1臂及可保持晶圓的第2臂，前述第2搬送機構具有可保持晶圓的第3臂及可保持晶圓的第4臂，該處理方法具備：(a)前述第1臂及前述第2臂將第1晶圓及第2晶圓從前述晶圓容器搬送至前述緩衝裝置之製程； (b)前述第3臂將前述第1晶圓從前述緩衝裝置搬送至前述對準裝置，前述第4臂將前述第2晶圓從前述緩衝裝置搬出並進行暫時保持之製程；(c)前述第3臂將完成對準的前述第1晶圓從前述對準裝置搬出，前述第4臂將前述第2晶圓搬入前述對準裝置之製程；(d)前述第3臂將完成對準的前述第1晶圓搬入前述第2裝載鎖定室之製程；及(e)前述第1臂將完成對準的前述第2晶圓從前述對準裝置搬送至前述第1裝載鎖定室之製程。
  17. 一種離子植入裝置，其特徵為，具備：真空處理室，進行離子植入處理；中間搬送室，與前述真空處理室連通設置；第1裝載鎖定室及第2裝載鎖定室，在隔著前述中間搬送室而相對向之各位置與前述中間搬送室連通設置；中間搬送機構，設置在前述中間搬送室，且實現經由前述中間搬送室之前述真空處理室與前述第1裝載鎖定室之間的晶圓搬送、及經由前述中間搬送室之前述真空處理室與前述第2裝載鎖定室之間的晶圓搬送；第1搬送機構，設置在與前述第1裝載鎖定室相對向之位置，且實現向前述第1裝載鎖定室搬入晶圓及從前述第1裝載鎖定室搬出晶圓；第2搬送機構，設置在與前述第2裝載鎖定室相對向之位置，且實現向前述第2裝載鎖定室搬入晶圓及從前述 第2裝載鎖定室搬出晶圓；對準裝置，設置在前述第1搬送機構與前述第2搬送機構之間的位置，且構成為可調整晶圓的旋轉位置；緩衝裝置，設置在前述第1搬送機構與前述第2搬送機構之間的位置，且構成為可暫時保持兩片以上的晶圓；及裝載埠，將存放有成為前述離子植入處理對象之複數片晶圓之晶圓容器固定在與前述第1搬送機構相對向之位置，前述第1搬送機構及前述第2搬送機構將兩片一組的對準處理前的晶圓從前述晶圓容器經由前述緩衝裝置搬送至前述對準裝置，對準後分別向前述第1裝載鎖定室及前述第2裝載鎖定室各搬入一片，前述中間搬送機構將前述兩片一組的完成對準的晶圓中的一片從前述第2裝載鎖定室搬送至前述真空處理室，離子植入處理後從前述真空處理室搬送至前述第2裝載鎖定室，並且將前述兩片一組的完成對準的晶圓中的另一片從前述第1裝載鎖定室搬送至前述真空處理室，離子植入處理後從前述真空處理室搬送至前述第1裝載鎖定室，前述第1搬送機構及前述第2搬送機構將前述兩片一組的植入處理完的晶圓分別從前述第1裝載鎖定室及前述第2裝載鎖定室各搬出一片並存放到前述晶圓容器中。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之離子植入裝置，其中， 前述第1搬送機構及前述第2搬送機構將第1晶圓及第2晶圓作為前述兩片一組的晶圓從前述晶圓容器搬出之後，接著將第3晶圓及第4晶圓作為應處理的兩片一組的晶圓從前述晶圓容器搬出，前述第1搬送機構及前述第2搬送機構將完成對準的前述第1晶圓搬入前述第2裝載鎖定室，將完成對準的前述第2晶圓搬入前述第1裝載鎖定室之後，將完成對準的前述第3晶圓搬入前述第2裝載鎖定室，將完成對準的前述第4晶圓搬入前述第1裝載鎖定室，前述中間搬送機構在前述中間搬送室與前述第2裝載鎖定室之間交換前述第1晶圓與前述第3晶圓，在前述中間搬送室與前述第1裝載鎖定室之間交換前述第2晶圓與前述第4晶圓。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之離子植入裝置，其中，前述第1搬送機構及前述第2搬送機構將前述第3晶圓及前述第4晶圓從前述晶圓容器搬出之後，接著將第5晶圓及第6晶圓作為應處理的兩片一組的晶圓從前述晶圓容器搬出，前述第2搬送機構在前述第2裝載鎖定室與前述第2搬送機構之間，交換植入處理完的前述第1晶圓與完成對準的前述第5晶圓，前述第1搬送機構在前述第1裝載鎖定室與前述第1搬送機構之間，交換植入處理完的前述第2晶圓與完成對 準的前述第6晶圓。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之離子植入裝置，其中，前述第1搬送機構及前述第2搬送機構將前述第5晶圓及前述第6晶圓從前述晶圓容器搬出之後，接著將被存放在前述晶圓容器且按順序被搬送而成為前述離子植入處理對象之複數片晶圓中的第7晶圓及第8晶圓作為應處理的兩片一組的晶圓從前述晶圓容器搬出並搬入前述緩衝裝置，前述第2搬送機構將植入處理完的前述第1晶圓存放到前述晶圓容器之前從前述第1裝載鎖定室搬送至前述緩衝裝置，前述緩衝裝置暫時同時收容對準前的前述第7晶圓和前述第8晶圓、及植入處理完的前述第1晶圓。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之離子植入裝置，其中，前述第1搬送機構及前述第2搬送機構在將植入處理完的前述第1晶圓及前述第2晶圓存放到前述晶圓容器之後，接著將被存放到前述晶圓容器且按順序被搬送而成為前述離子植入處理對象之複數片晶圓中的第9晶圓及第10晶圓作為應處理的兩片一組的晶圓從前述晶圓容器搬出。
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