CN104064427A - 离子注入装置及成膜装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种离子注入装置及成膜装置,所述离子注入装置能够提高通过量来实现生产率的提高。本发明的离子注入装置(1)具备依次排列配置成一列的真空腔室(12~18)、配置于真空腔室(12~18)内且沿真空腔室(12~18)排列的方向传送包括基板在内的被传送物的传送部(22)、设置于真空腔室(16)且朝向基板照射离子束的离子源(20)、设置于真空腔室(12)的卸载部(24)、及设置于真空腔室(18)的堆积部(36)。卸载部(24)从堆积有多个托盘(201~203)的堆积体(S1)中卸载1个托盘并通过传送部(22)使该1个托盘传送到真空腔室(16)侧。堆积部(26)将从真空腔室(16)侧传送的1个托盘堆积多个而形成新的堆积体(S2)。
Description
技术领域
本申请主张基于2013年3月18日申请的日本专利申请第2013-055279号的优先权。该申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
本发明涉及一种离子注入装置及成膜装置。
背景技术
专利文献1公开有将离子注入到基板(例如,半导体基板或玻璃基板)的离子注入装置。向基板的离子注入以改变基板的导电性,或改变基板的晶体结构等为目的实施。
作为离子注入装置,已知有具备形成离子束的离子源、及排列配置成一列的装载锁定腔室、真空腔室、及卸载锁定腔室的直列式离子注入装置。离子源配置于真空腔室。基板从入口侧(上游侧)的装载锁定腔室朝向出口侧(下游侧)的卸载锁定腔室,沿这些腔室的排列方向以直线状传送。基板在其传送过程中通过真空腔室内时,从离子源接收离子束的照射。另外,作为基板的传送方法,有直接传送基板的方法,或传送载置有基板的托盘的方法。
专利文献1:日本特开2013-004610号公报
上述离子注入装置通常具有将1个基板或1个托盘搬入装载锁定腔室而进行真空抽取的工序、在真空腔室内传送该基板或托盘且进行基于离子源的离子注入处理的工序、将基板或托盘传送到被真空抽取的卸载锁定腔室的工序、及在卸载锁定腔室中使气氛回到大气压后,将该基板或托盘从卸载锁定腔室搬出的工序。通常,相比传送1个基板或1个托盘并进行离子注入处理的时间,在装载锁定腔室及卸载锁定腔室中的真空抽取的时间更长。由此,在装载锁定腔室及卸载锁定腔室中的真空抽取的时间成为决定基板的每单位时间的处理数(通过量)的限速。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种能够提高通过量来实现生产率的提高的离子注入装置及成膜装置。
本发明的一侧面所涉及的离子注入装置具备依次排列配置的第1~第3真空腔室、在第1~第3真空腔室内传送包括基板在内的被传送物的传送部、设置于第2真空腔室且朝向基板照射离子束的离子源、设置于第1真空腔室的卸载部、及设置于第3真空腔室的堆积部,卸载部从堆积有多个被传送物的堆积体中卸载1个被传送物并通过传送部使该1个被传送物传送到第2真空腔室侧,堆积部将从第2真空腔室侧传送的1个被传送物堆积多个而形成新的堆积体。
在本发明的一侧面所涉及的离子注入装置中,卸载部从堆积有多个被传送物的堆积体中卸载1个被传送物并通过传送部使该1个被传送物传送到第2真空腔室侧。因此,后续的堆积体在装载锁定腔室内进行真空抽取的期间,对多个基板进行离子注入处理。而且,在本发明的一侧面所涉及的离子注入装置中,堆积部将从第2真空腔室侧传送的1个被传送物堆积多个而形成新的堆积体。因此,在直至卸载锁定腔室完成真空抽取的期间形成有新的堆积体。根据以上,在装载锁定腔室及卸载锁定腔室中进行真空抽取的期间,对多个被传送物进行向真空腔室的搬入、离子注入处理及从真空腔室的搬出。因此,能够提高通过量来实现生产率的提高。
卸载部及堆积部可以分别具有:支承部,能够支承被传送物的底面;升降驱动部,使支承部进行升降;及旋转驱动部,通过升降驱动部进行支承部的升降时,在支承部的升降轨道和被传送物不重叠的第1位置与升降轨道和被传送物重叠的第2位置之间,使支承部移动。此时,通过旋转驱动部使支承部位于第2位置,并且通过升降驱动部使支承部进行升降,从而能够使被传送物进行升降。
旋转驱动部可以通过使支承部绕与升降轨道平行的轴旋转,从而使支承部在第1位置与第2位置之间移动。此时,与使支承部进行水平移动而在第1位置与第2位置之间移动时相比,支承部的移动范围变小。因此,能够将卸载部及堆积部小型化。
支承部可以具有呈以轴为中心的圆弧状的外形。此时,支承部旋转时,从该轴向观察时支承部停留在以该轴为中心的圆内。因此,无需确保用于支承部的移动的大空间,能够实现节省空间化。
传送部由多个辊构成,支承部可以通过升降驱动部以通过多个辊中相邻的辊之间的方式进行升降。此时,即使被传送物的宽度小于辊的宽度,也能够进行被传送物的卸载及堆积。
被传送物为载置有基板的托盘,卸载部可从堆积有多个托盘的堆积体中卸载1个托盘并通过传送部使该1个托盘传送到第2真空腔室侧,堆积部可将从第2真空腔室侧传送的1个托盘堆积多个而形成新的堆积体。
本发明的另一侧面所涉及的成膜装置具备依次排列配置的第1~第3真空腔室、在第1~第3真空腔室内传送包括基板在内的被传送物的传送部、设置于第2真空腔室且在基板表面形成膜的成膜构件、设置于第1真空腔室的卸载部、及设置于第3真空腔室的堆积部,卸载部从堆积有多个被传送物的堆积体中卸载1个被传送物并通过传送部使该1个被传送物传送到第2真空腔室侧,堆积部将从第2真空腔室侧传送的1个被传送物堆积多个而形成新的堆积体。
在本发明的另一侧面所涉及的成膜装置中,卸载部从堆积有多个被传送物的堆积体中卸载1个被传送物并通过传送部使该1个被传送物传送到第2真空腔室侧。因此,后续的堆积体在装载锁定腔室内进行真空抽取的期间,对多个基板进行成膜处理。而且,在本发明的另一侧面所涉及的成膜装置中,堆积部将从第2真空腔室侧传送的1个被传送物堆积多个而形成新的堆积体。因此,在直至卸载锁定腔室完成真空抽取的期间形成有新的堆积体。根据以上,在装载锁定腔室及卸载锁定腔室中进行真空抽取的期间,对多个被传送物进行向真空腔室的搬入、成膜处理及从真空腔室的搬出。因此,能够提高通过量来实现生产率的提高。
卸载部及堆积部可以分别具有:支承部,能够支承被传送物的底面;升降驱动部,使支承部进行升降;及旋转驱动部,通过升降驱动部进行支承部的升降时,在支承部的升降轨道和被传送物不重叠的第1位置与升降轨道和被传送物重叠的第2位置之间,使支承部移动。此时,通过旋转驱动部使支承部位于第2位置,并且通过升降驱动部使支承部进行升降,从而能够使被传送物进行升降。
旋转驱动部可以通过使支承部绕与升降轨道平行的轴旋转,从而使支承部在第1位置与第2位置之间移动。此时,与使支承部进行水平移动而在第1位置与第2位置之间移动时相比,支承部的移动范围变小。因此,能够将卸载部及堆积部小型化。
支承部可以具有呈以轴为中心的圆弧状的外形。此时,支承部旋转时,从该轴向观察时支承部停留在以该轴为中心的圆内。因此,无需确保用于支承部的移动的大空间,能够实现节省空间化。
传送部由多个辊构成,支承部可以通过升降驱动部以通过多个辊中相邻的辊之间的方式进行升降。此时,即使被传送物的宽度小于辊的宽度,也能够进行被传送物的卸载及堆积。
被传送物为载置有基板的托盘,卸载部可从堆积有多个托盘的堆积体中卸载1个托盘并通过传送部使该1个托盘传送到第2真空腔室侧,堆积部可将从第2真空腔室侧传送的1个托盘堆积多个而形成新的堆积体。
发明效果
根据本发明,能够提供一种能够通过提高通过量来实现生产率的提高的离子注入装置及成膜装置。
附图说明
图1是本实施方式所涉及的离子注入装置的示意图。
图2(a)是表示托盘卸载部或托盘堆积部的概要的立体图,图2(b)是表示支承部的俯视图。
图3是表示堆积体的一例的图。
图4是表示堆积体的一例的图。
图5是用于说明托盘卸载方法的图。
图6是用于说明托盘堆积方法的图。
图中:1-离子注入装置,12-第1真空腔室,14-第2真空腔室,16-第3真空腔室,20-离子源,22-传送部,22a-辊,24-卸载部,26-堆积部,100a~100d-支承部,106-升降驱动部,108-旋转驱动部,201~203-托盘,201c~203c-基板,S1、S2-堆积体。
具体实施方式
参考附图对本发明的实施方式进行说明,但是以下本实施方式是用于说明本发明的示例,而不是将本发明限定为以下内容的宗旨。在说明中,对相同要件或具有相同功能的要件使用相同符号,并省略重复说明。
如图1所示,离子注入装置1是所谓直列式离子注入装置1,例如用于制造太阳能电池单元。离子注入装置1具备:依次排列配置成一列的装载锁定腔室10、内部被真空的第1~第3真空腔室12、14、16及卸载锁定腔室18;离子源20;传送部22;卸载部24;以及堆积部26。即,第1真空腔室12位于第2真空腔室14的上游侧,装载锁定腔室10位于第1真空腔室12的上游侧。第3真空腔室16位于第2真空腔室14的下游侧,卸载锁定腔室18位于第3真空腔室16的下游侧。
装载锁定腔室10及卸载锁定腔室18分别与未图示的真空泵及大气开放阀连接。真空泵使装载锁定腔室10及卸载锁定腔室18的内部的环境从大气压环境过渡到真空环境。大气开放阀使装载锁定腔室10及卸载锁定腔室18的内部的环境从真空环境过渡到大气压环境。
装载锁定腔室10的入口(离子注入装置1的入口)设有能够隔断离子注入装置1的外部环境和装载锁定腔室10的内部环境的闸阀G1。在装载锁定腔室10与第1真空腔室12之间,设有能够隔断装载锁定腔室10的内部环境和第1真空腔室12的内部环境的闸阀G2。
在卸载锁定腔室18与第3真空腔室16之间,设有能够隔断卸载锁定腔室18的内部环境和第3真空腔室16的内部环境的闸阀G3。卸载锁定腔室18的出口(离子注入装置1的出口)设有能够隔断卸载锁定腔室18的内部环境和离子注入装置1的外部环境的闸阀G4。
第1~第3真空腔室12、14、16沿它们所排列的方向连通,内部被维持成真空。第2真空腔室14的上部设有离子源20,从离子源20向第2真空腔室14内照射有离子束IB。即,第2真空腔室14可发挥工艺腔室的功能。
位于第2真空腔室14的上游侧的第1真空腔室12可发挥从装载锁定腔室10传送的被传送物到达第2真空腔室(工艺腔室)14时暂时通过的缓冲腔室的功能。位于第2真空腔室14的下游侧的第3真空腔室16可发挥从第2真空腔室(工艺腔室)14传送的被传送物到达卸载锁定腔室18时暂时通过的缓冲腔室的功能。
传送部22用于以各腔室10~18排列的顺序在各腔室10~18内传送被传送物(后述的堆积体S1、S2及托盘201~203),沿各腔室10~18排列的方向延伸。本实施方式中,传送部22由多个辊22a构成。相邻的辊22a之间的距离被设定为,比被传送物的长度短,且比后述的支承部100a~100d的宽度宽。
卸载部24设置于第1真空腔室12,堆积部26设置于第3真空腔室16。卸载部24具有暂时保持通过传送部22从装载锁定腔室10侧传送过来的堆积体S1的功能、从保持的堆积体S1拆卸1个托盘(或基板)的功能、及将已拆卸的1个托盘(或基板)传递到传送部22而通过传送部22传送到第2真空腔室14侧的功能。堆积部26具有暂时保持通过传送部22从第2真空腔室14侧传送过来的托盘(或基板)的功能、堆积多个保持的托盘(或基板)而形成新的堆积体S2的功能、及将已形成的堆积体S2传递到传送部22而通过传送部22传送到卸载锁定腔室18侧的功能。由于在本实施方式中,卸载部24及堆积部26的结构相同,所以以下对卸载部24的结构进行说明,省略对堆积部26的结构的说明。
如图2(a)所示,卸载部24具有支承部100a~100d、轴部件102a~102d、连结部件104a、104b、升降驱动部106、及旋转驱动部108。如图2(b)所示,本实施方式的支承部100a~100d呈圆板的一部分被切掉的形状。具体为支承部100a~100d的外形从其厚度方向观察时,通过圆弧及连结该圆弧的端部彼此的直线(弦)而被划定。然而,支承部100a~100d的形状并不限定于包括圆弧在内的形状,可呈矩形、多边形、圆形、椭圆形等其他各种形状。
轴部件102a~102d的一端(下端)分别被安装在支承部100a~100d的中心部。由此,轴部件102a~102d沿呈支承部100a~100d的一部分的外形的圆弧的中心轴延伸。轴部件102a~102d的另一端(上端)侧插穿于设置在第1真空腔室12的顶壁的贯穿孔(未图示),并延伸至第1真空腔室12的外侧。
连结部件104a在第1真空腔室12的外部中连结轴部件102a,102b。在连结部件104a与第1真空腔室12的顶壁之间设有覆盖轴部件102a及插穿有该轴部件102a的贯穿孔的波纹管110a,并且设有覆盖轴部件102b及插穿有该轴部件102b的贯穿孔的波纹管110b。这些波纹管110a、110b维持第1真空腔室12内的真空,并且随着轴部件102a、102b的升降进行伸缩。
连结部件104b在第1真空腔室12的外部连结轴部件102c、102d。在连结部件104b与第1真空腔室12的顶壁之间设有覆盖轴部件102c及插穿有该轴部件102c的贯穿孔的波纹管110c,并且设有覆盖轴部件102d及插穿有该轴部件102d的贯穿孔的波纹管110d。这些波纹管110c、110d维持第1真空腔室12内的真空,并且随着轴部件102c、102d的升降进行伸缩。
升降驱动部106经由连结部件104a、104b及轴部件102a~102d使支承部100a~100d进行升降。支承部100a~100d通过升降驱动部106进行升降时,设定有支承部100a~100d的升降轨道,使得支承部100a~100d通过辊22a之间。升降驱动部106可以是例如线性驱动器或齿轮齿条机构。
旋转驱动部108通过对轴部件102a~102d赋予旋转力,从而在第1位置与第2位置之间旋转支承部100a~100d。在第1位置,支承部100a、100c的缺口部彼此相对,并且支承部100b、100d的缺口部彼此相对。在第2位置,支承部100a、100c的圆弧状部彼此相对,并且支承部100b、100d的圆弧状部彼此相对。因此,在第1位置,支承部100a、100c的间隔距离及支承部100b、100d的间隔距离大于第2位置。因此,支承部100a~100d通过升降驱动部106进行升降时,在第1位置,托盘201~203(后述)不与支承部100a~100d的升降轨道重叠,但在第2位置,托盘201~203(后述)与支承部100a~100d的升降轨道重叠。旋转驱动部108可以对各轴部件102a~102d个别地赋予旋转力,也可以经由传递驱动力的机构对多个轴部件同时赋予旋转力。
接着,参考图1、图3及图4,对使用了上述离子注入装置1的向基板的离子注入处理进行说明。首先,准备用于搬入离子注入装置1的堆积体S1。在本实施方式中堆积体S1堆积有3个托盘201~203。被堆积的托盘数的下限为2个以上即可。被堆积的托盘数的上限可以按照装载锁定腔室10及卸载锁定腔室18中的真空抽取的时间而设定。
例如图3(a)所示,堆积体S1中托盘201~203分别具有作为呈矩形的板状部件的主体201a~203a、及竖立地设置于主体201a~203a的各角部的柱状的间隔件201b~203b。因此,主体201a和主体202a通过间隔件201b被隔开,主体202a和主体203a通过间隔件202b被隔开。
托盘201上配置有进行离子注入处理的基板201c。具体为基板201c在主体201a上且位于间隔件201b的内侧。托盘202上配置有进行离子注入处理的基板202c。具体为基板202c在主体202a上且位于间隔件202b的内侧。托盘203上配置有进行离子注入处理的基板203c。具体为基板203c在主体203a上且位于间隔件203b的内侧。
堆积体S1并不限定于图3(a)所示的方式。例如如图3(b)所示,间隔件201b~203b可以为沿主体201a~203a的周缘延伸的矩形的框部件。在间隔件201b~203b中沿长边方向延伸的一对侧壁的上部上分别形成有缺口部201d~203d。
而且,例如如图4所示,可以在主体201a~203a的底面上分别设置呈小于主体201a~203a的外形的突出部201e~203e,并且在柱状的间隔件201b~203b上形成有面向主体201a~203a的内侧且向外侧凹陷的凹坑部201f~203f。在该情况下,堆积托盘201~203而构成堆积体S1时,位于上侧的托盘202的突出部202e与位于下侧的托盘201的凹坑部201f卡合,位于上侧的托盘203的突出部203e与位于下侧的托盘202的凹坑部202f卡合。因此,能够控制所堆积的托盘201~203的位置偏移和坠落。
接着,在闸阀G2关闭的状态下打开闸阀G1,将堆积体S1搬入装载锁定腔室10。其次,关闭闸阀G1并在装载锁定腔室10内进行真空抽取。若装载锁定腔室10内成为真空环境,则打开闸阀G2,从而使装载锁定腔室10与第1真空腔室12连通。而且,如图5(a)所示,通过传送部22将堆积体S1传送到第1真空腔室12内。若堆积体S1到达第1真空腔室12内,则关闭闸阀G2后,打开闸阀G1,将后续的堆积体S1搬入装载锁定腔室10,同样进行真空抽取。
在第1真空腔室12内,通过卸载部24进行堆积体S1的卸载。具体为如图5(b)所示,仅将托盘201~203中位于最下方的托盘201留在传送部22,将其他托盘202、203吊起。
对此时的卸载部24的动作较为详细地进行说明时,首先,通过旋转驱动部208经由轴部件102a~102d旋转支承部100a~100d,使得支承部100a、100c的缺口部彼此相对,并且支承部100b、100d的缺口部彼此相对。在该位置(第1位置),支承部100a~100d通过升降驱动部106进行升降时的升降轨道与托盘201~203不重叠。
接着,通过升降驱动部106移动支承部100a~100d,以位于托盘201与托盘202之间。接着,通过旋转驱动部208经由轴部件102a~102d旋转支承部100a~100d,使得支承部100a、100c的圆弧状部彼此相对,并且支承部100b、100d的圆弧状部彼此相对。在该位置(第2位置),支承部100a~100d通过升降驱动部106进行升降时的升降轨道与托盘201~203重叠。
接着,通过升降驱动部106使支承部100a~100d上升。由此,支承部100a~100d的圆弧状部抵接于托盘202(主体202a的下表面),托盘202与堆积在托盘202上的托盘203一起被吊起。此时,因为在传送部22上仅载置有托盘201,所以能够通过驱动传送部22,如图5(c)所示仅将托盘201传送到位于下游侧的第2真空腔室14。
若托盘201被传送到第2真空腔室14,则离子束IB照射到载置于托盘201的基板201c上,在基板201c添加有掺杂剂。托盘201通过传送部22传送到位于更下游侧的第3真空腔室16。
如图5(d)~图5(f)所示,卸载部24对托盘202、203也与托盘201一样依次进行卸载。因此,通过传送部22按托盘202及托盘203的顺序朝向位于下游侧的第2真空腔室14及第3真空腔室16搬送。
如图6(a)所示,若通过传送部22托盘201到达第3真空腔室16内,则通过堆积部26进行堆积动作。具体为如图6(b)所示,通过支承部100a~100d将托盘201吊起。
对此时的堆积部26的动作较为详细地进行说明时,首先,托盘201到达第3真空腔室16内之前,使支承部100a~100d位于比传送部22的传送路(包括辊22a的上端的虚拟平面)更靠下方。接着,通过旋转驱动部208经由轴部件102a~102d旋转支承部100a~100d,使得支承部100a、100c的圆弧状部彼此相对,并且支承部100b、100d的圆弧状部彼此相对。在该位置(第2位置),支承部100a~100d通过升降驱动部106进行升降时的升降轨道与托盘201~203重叠。
接着,通过升降驱动部106使支承部100a~100d上升。由此,在托盘201(主体201a的下表面)抵接有支承部100a~100d的圆弧状部,托盘201被吊起。在此状态下,待机到继托盘201之后进行离子注入处理的托盘202通过传送部22到达第3真空腔室16内为止(参考图6(c))。
然后,紧接着若托盘202到达第3真空腔室16内,则如图6(d)所示,通过升降驱动部106使支承部100a~100d下降。由此,在托盘202上载置托盘201。接着,通过旋转驱动部208经由轴部件102a~102d旋转支承部100a~100d,使得支承部100a、100c的缺口部彼此相对,并且支承部100b、100d的缺口部彼此相对。在该位置(第1位置),支承部100a~100d通过升降驱动部106进行升降时的升降轨道与托盘201~203不重叠。
如图6(e)及图6(f)所示,堆积部26对托盘203也与托盘201、202一样进行堆积。其结果,在堆积部26形成有按托盘203、202、201的顺序堆积的新的堆积体S2。
在卸载锁定腔室18中同时关闭闸阀G3、G4进行真空抽取,使得形成新的堆积体S2之前内部成为真空环境。接着,打开闸阀G3使卸载锁定腔室18与第3真空腔室16连通。而且,如图6(g)所示,通过传送部22将堆积体S2传送到卸载锁定腔室18内。若堆积体S2到达卸载锁定腔室18内,则关闭闸阀G3后,打开闸阀G4而从离子注入装置1搬出堆积体S2。
如以上的本实施方式中,卸载部24从堆积有多个托盘201~203的堆积体S1中卸载1个托盘并通过传送部22使该1个托盘传送到第2真空腔室14侧。因此,后续的堆积体S1在装载锁定腔室10内进行真空抽取期间,对多个基板进行离子注入处理。而且,如以上的本实施方式中,堆积部26将从第2真空腔室14侧传送的1个托盘堆积多个而形成新的堆积体S2。因此,在直至卸载锁定腔室18完成真空抽取的期间,形成新的堆积体S2。根据以上,在装载锁定腔室10及卸载锁定腔室18中进行真空抽取的期间,对多个托盘(基板)进行向真空腔室12~16的搬入、离子注入处理及从真空腔室12~16的搬出。因此,能够通过提高通过量来实现生产率的提高。
在本实施方式中,卸载部24及堆积部26分别具有:支承部100a~100d,能够支承托盘的底面;升降驱动部106,使支承部100a~100d进行升降;及旋转驱动部108,通过升降驱动部106进行支承部100a~100d的升降时,在支承部100a~100d的升降轨道和托盘201~203不重叠的第1位置与升降轨道和托盘201~203重叠的第2位置之间,使支承部100a~100d移动。此时,通过旋转驱动部108使支承部100a~100d位于第2位置,并且通过升降驱动部106使支承部100a~100d进行升降,从而能够使托盘201~203进行升降。
在本实施方式中,旋转驱动部108通过使支承部100a~100d绕与升降轨道平行地延伸的轴部件102a~102d旋转,从而使支承部100a~100d在第1位置与第2位置之间移动。因此,与使支承部100a~100d进行水平移动而在第1位置与第2位置之间移动时相比,支承部100a~100d的移动范围变小。因此,能够将卸载部24及堆积部26小型化。
在本实施方式中,支承部100a~100d具有呈以轴部件102a~102d为中心轴的圆弧状的外形。由此,支承部100a~100d旋转时,从该中心轴观察时支承部100a~100d停留在以该中心轴为中心的圆内。因此,无需确保用于支承部100a~100d的移动的大空间,能够实现节省空间化。
在本实施方式中,传送部22由多个辊22a构成,支承部100a~100d通过升降驱动部106以通过多个辊22a中相邻的辊22a之间的方式进行升降。因此,即使托盘201~203的宽度小于辊22a的宽度,也能够进行托盘201~203的卸载及堆积。
以上对本发明的实施方式进行了详细说明,但本发明并不限定于上述的实施方式。例如,托盘201~203的主体201a~203a和间隔件201b~203b可以是分体,也可以是一体。
在本实施方式中,传送部22由多个辊22a构成,但在真空腔室12~16内能够传送被传送物时,也可以采用传送带等其他传送机构。
在本实施方式中,通过传送部22传送在托盘201~203上分别载置基板201c~203c的被传送物,但载置于各托盘201~203的基板201c~203c的个数可以是1张,也可以是多张。
也可以通过传送部22直接传送基板而不使用托盘201~203。此时,可以将间隔件插于多个基板之间而构成堆积体。
在本实施方式中,将通过卸载部24进行的基板或托盘的卸载及通过堆积部26进行的基板或托盘的堆积应用于具备离子源20的离子注入装置1,但也可以应用于具备成膜构件来代替离子源20的成膜装置。作为成膜构件能够举出例如PVD法或CVD法。作为PVD法能够举出例如蒸镀或溅射。
在本实施方式中,通过旋转驱动部108使支承部100a~100d在第1位置与第2位置之间旋转来改变支承部100a、100c的间隔距离及支承部100b、100d的间隔距离,但也可以使用其他机构(例如使支承部100a~100d平移移动的机构等)来改变支承部100a、100c的间隔距离及支承部100b、100d的间隔距离。
Claims (12)
1.一种离子注入装置,具备:
第1~第3真空腔室,其依次排列配置;
传送部,在所述第1~第3真空腔室内传送包括基板的被传送物;
离子源,设置于所述第2真空腔室且朝向所述基板照射离子束;
卸载部,设置于所述第1真空腔室;及
堆积部,设置于所述第3真空腔室,
所述卸载部从堆积有多个被传送物的堆积体中卸载1个被传送物并通过所述传送部使该1个被传送物传送到所述第2真空腔室侧,
所述堆积部将从所述第2真空腔室侧传送的1个被传送物堆积多个而形成新的堆积体。
2.根据权利要求1所述的离子注入装置,其中,
所述卸载部及所述堆积部分别具有:
支承部,能够支承所述被传送物的底面;
升降驱动部,使所述支承部进行升降;及
旋转驱动部,通过所述升降驱动部进行所述支承部的升降时,在第1位置与第2位置之间使所述支承部移动,所述第1位置为所述支承部的升降轨道和所述被传送物不重叠的位置,所述第2位置为所述升降轨道和所述被传送物重叠的位置。
3.根据权利要求2所述的离子注入装置,其中,
所述旋转驱动部通过使所述支承部绕与所述升降轨道平行的轴旋转,从而使所述支承部在所述第1位置与所述第2位置之间移动。
4.根据权利要求3所述的离子注入装置,其中,
所述支承部具有呈以所述轴为中心的圆弧状的外形。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的离子注入装置,其中,
所述传送部由多个辊构成,
所述支承部通过所述升降驱动部以通过所述多个辊中相邻的辊之间的方式进行升降。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的离子注入装置,其中,
所述被传送物为载置有所述基板的托盘,
所述卸载部从堆积有多个所述托盘的堆积体中卸载1个托盘而使该1个托盘通过所述传送部传送到所述第2真空腔室侧,
所述堆积部将从所述第2真空腔室侧传送的1个托盘堆积多个而形成新的堆积体。
7.一种成膜装置,具备:
第1~第3真空腔室,其依次排列配置;
传送部,在所述第1~第3真空腔室内传送包括基板的被传送物;
成膜构件,设置于所述第2真空腔室且在所述基板表面形成膜;
卸载部,设置于所述第1真空腔室;及
堆积部,设置于所述第3真空腔室,
所述卸载部从堆积有多个被传送物的堆积体中卸载1个被传送物并通过所述传送部使该1个被传送物传送到所述第2真空腔室侧,
所述堆积部将从所述第2真空腔室侧传送的1个被传送物堆积多个而形成新的堆积体。
8.根据权利要求7所述的成膜装置,其中,
所述卸载部及所述堆积部分别具有:
支承部,能够支承所述被传送物的底面;
升降驱动部,使所述支承部进行升降;及
旋转驱动部,通过所述升降驱动部进行所述支承部的升降时,在第1位置与第2位置之间使所述支承部移动,所述第1位置为所述支承部的升降轨道和所述被传送物不重叠的位置,所述第2位置为所述升降轨道和所述被传送物重叠的位置。
9.根据权利要求8所述的成膜装置,其中,
所述旋转驱动部通过使所述支承部绕与所述升降轨道平行的轴旋转,从而使所述支承部在所述第1位置与所述第2位置之间移动。
10.根据权利要求9所述的成膜装置,其中,
所述支承部具有呈以所述轴为中心的圆弧状的外形。
11.根据权利要求8~10中任一项所述的成膜装置,其中,
所述传送部由多个辊构成,
所述支承部通过所述升降驱动部以通过所述多个辊中相邻的辊之间的方式进行升降。
12.根据权利要求7~11中任一项所述的成膜装置,其中,
所述被传送物为载置有所述基板的托盘,
所述卸载部从堆积有多个所述托盘的堆积体中卸载1个托盘并通过所述传送部使该1个托盘传送到所述第2真空腔室侧,
所述堆积部将从所述第2真空腔室侧传送的1个托盘堆积多个而形成新的堆积体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013-055279 | 2013-03-18 | ||
JP2013055279A JP2014183099A (ja) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | イオン注入装置及び成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104064427A true CN104064427A (zh) | 2014-09-24 |
Family
ID=51552092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310740932.5A Pending CN104064427A (zh) | 2013-03-18 | 2013-12-27 | 离子注入装置及成膜装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014183099A (zh) |
KR (1) | KR20140114281A (zh) |
CN (1) | CN104064427A (zh) |
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---|---|
KR20140114281A (ko) | 2014-09-26 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140924 |