JP2808004B2 - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JP2808004B2 JP2808004B2 JP1020629A JP2062989A JP2808004B2 JP 2808004 B2 JP2808004 B2 JP 2808004B2 JP 1020629 A JP1020629 A JP 1020629A JP 2062989 A JP2062989 A JP 2062989A JP 2808004 B2 JP2808004 B2 JP 2808004B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- silicon
- type
- insulating film
- diffusion layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は太陽電池に関し、特に短波長光吸収の大きい
太陽電池に関する。
太陽電池に関する。
（従来の技術及びその問題点） 従来、第４図に示すように、多結晶シリコンや単結晶
シリコンからなるＰ型基板11内に、Ｎ型拡散層13を形成
して基板11の表面側に格子状電極14と基板11の裏面側に
全面電極15を形成した太陽電池がある（例えば特開昭59
−79580号公報参照）。
シリコンからなるＰ型基板11内に、Ｎ型拡散層13を形成
して基板11の表面側に格子状電極14と基板11の裏面側に
全面電極15を形成した太陽電池がある（例えば特開昭59
−79580号公報参照）。
上記のような太陽電池における拡散層13は、リン等の
不純物を拡散させてＮ型にしているが、この表面不純物
濃度は通常２×1020/cm3以上であり、キャリアを有効に
取り出すことができず、大きな変換効率を得ることが出
来なかった。
不純物を拡散させてＮ型にしているが、この表面不純物
濃度は通常２×1020/cm3以上であり、キャリアを有効に
取り出すことができず、大きな変換効率を得ることが出
来なかった。
即ち、地表での太陽光は、0.4〜0.7μｍの波長範囲で
エネルギー強度が強く、そのピークは0.5μｍ付近とな
っている。
エネルギー強度が強く、そのピークは0.5μｍ付近とな
っている。
一方、半導体結晶への光吸収は、Ｉ（ｈν）＝Io（ｈ
ν）exp［−α（ｈν）χ］で表され（α（ｈν）：あ
る波長λの光を吸収する能力を示す吸収係数、Io（ｈ
ν）：入射光の強度、Ｉ（ｈν）：伝搬路にそっての距
離χでの強度）、半導体結晶の表面から1/αの距離で光
強度が1/eに減少する。
ν）exp［−α（ｈν）χ］で表され（α（ｈν）：あ
る波長λの光を吸収する能力を示す吸収係数、Io（ｈ
ν）：入射光の強度、Ｉ（ｈν）：伝搬路にそっての距
離χでの強度）、半導体結晶の表面から1/αの距離で光
強度が1/eに減少する。
例えば、第５図に示すシリコンの光吸収係数α（ｈ
ν）から、波長λ＝0.5μｍの光は厚さ約0.8μｍ部分
で、また波長λ＝0.6μｍの光は厚さ約２μｍ部分でほ
とんど吸収されることがわかる。この表面近傍で多量に
生成するキャリアを有効に取り出して変換効率を高める
ためには、電子・正孔を速やかに分離する電界をこの近
傍に形成してやる必要がある。
ν）から、波長λ＝0.5μｍの光は厚さ約0.8μｍ部分
で、また波長λ＝0.6μｍの光は厚さ約２μｍ部分でほ
とんど吸収されることがわかる。この表面近傍で多量に
生成するキャリアを有効に取り出して変換効率を高める
ためには、電子・正孔を速やかに分離する電界をこの近
傍に形成してやる必要がある。
このような内蔵電界を形成するためにＮ型層内の不純
物濃度が表面濃度1021/cm3となるようにリン拡散を行っ
た場合、太陽電池の分光感度は、第７図実線に示すよう
に、太陽エネルギー強度の大きい波長0.4〜0.7μｍ付近
の分光感度が低くなってしまう。
物濃度が表面濃度1021/cm3となるようにリン拡散を行っ
た場合、太陽電池の分光感度は、第７図実線に示すよう
に、太陽エネルギー強度の大きい波長0.4〜0.7μｍ付近
の分光感度が低くなってしまう。
これを改善するために第６図点線で示すように、表面
濃度を５×1020/cm3まで減らした拡散を行うと、第７図
点線で示すように、短波長光の分光感度は若干改善する
が、反対にシート抵抗が高くなって直列抵抗が大きくな
るために曲線因子FFに影響を及ぼしたり、Ｎ型層内の内
蔵電界はむしろ小さくなって分光感度は依然として改善
されない。
濃度を５×1020/cm3まで減らした拡散を行うと、第７図
点線で示すように、短波長光の分光感度は若干改善する
が、反対にシート抵抗が高くなって直列抵抗が大きくな
るために曲線因子FFに影響を及ぼしたり、Ｎ型層内の内
蔵電界はむしろ小さくなって分光感度は依然として改善
されない。
一方、第８図に示すように、従来から、Ｐ型基板表面
に酸化シリコン（SiO2）や窒化シリコン（Si3N4）等の
絶縁膜17を形成し、この絶縁膜17中や絶縁膜17とシリコ
ン層16の界面近傍に形成される将の固定電荷によって誘
起されるＮ型逆転層を利用した誘起接合型太陽電池も提
案されている（例えば特開昭55−59784号公報参照）。
尚、第８図中、18は表面電極、19は裏面電極である。
に酸化シリコン（SiO2）や窒化シリコン（Si3N4）等の
絶縁膜17を形成し、この絶縁膜17中や絶縁膜17とシリコ
ン層16の界面近傍に形成される将の固定電荷によって誘
起されるＮ型逆転層を利用した誘起接合型太陽電池も提
案されている（例えば特開昭55−59784号公報参照）。
尚、第８図中、18は表面電極、19は裏面電極である。
この太陽電池では、絶縁膜とシリコンの界面直下に大
きな電界が形成されるために、短波長に対する感度は優
れているが、界面準位の影響を受けやすく、紫外線の吸
収などで絶縁膜とシリコン界面に界面準位が形成される
など不安定要素が多い。また、上述の接合型太陽電池に
比べて、Ｎ型逆転層の抵抗が高くなるために、変換効率
を小さくしないようにするためには、電極間ピッチを狭
くする必要があり、結果的に電極面積の増大をもたらし
てしまう。
きな電界が形成されるために、短波長に対する感度は優
れているが、界面準位の影響を受けやすく、紫外線の吸
収などで絶縁膜とシリコン界面に界面準位が形成される
など不安定要素が多い。また、上述の接合型太陽電池に
比べて、Ｎ型逆転層の抵抗が高くなるために、変換効率
を小さくしないようにするためには、電極間ピッチを狭
くする必要があり、結果的に電極面積の増大をもたらし
てしまう。
（発明の目的） 本発明は、このような背景のもとに案出されたもので
あり、太陽電池の光入射側表面近傍の及びＮ型層内の電
界分布を改善することにより、短波長光吸収が大きく変
換効率の高い太陽電池を提供することを目的とするもの
である。
あり、太陽電池の光入射側表面近傍の及びＮ型層内の電
界分布を改善することにより、短波長光吸収が大きく変
換効率の高い太陽電池を提供することを目的とするもの
である。
（問題点を解決するための手段） 本発明に係わる太陽電池によれば、Ｐ型シリコン基板
の表面側にＮ型拡散層を形成して該基板のの表裏面に直
接接するように集電電極を形成してなる太陽電池におい
て、前記Ｎ型拡散層の表面不純物濃度を２×1020/cm3以
下にすると共にシート抵抗を50〜300Ω／□にし、且つ
前記電極部以外のＮ型拡散層表面にシリコン化合物から
なる３×1012/cm2以上の正の固定電荷を持つ絶縁膜を形
成することにより、上記目的を達成するものである。
の表面側にＮ型拡散層を形成して該基板のの表裏面に直
接接するように集電電極を形成してなる太陽電池におい
て、前記Ｎ型拡散層の表面不純物濃度を２×1020/cm3以
下にすると共にシート抵抗を50〜300Ω／□にし、且つ
前記電極部以外のＮ型拡散層表面にシリコン化合物から
なる３×1012/cm2以上の正の固定電荷を持つ絶縁膜を形
成することにより、上記目的を達成するものである。
（実施例） 以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図は、本発明に係わる太陽電池の一実施例を示す
概略構成図であり、１はボロン等を不純物として含むＰ
型シリコン基板、３はシリコン基板１内にリン等を拡散
して形成したＮ型拡散層、４、５はシリコン基板１の表
裏面に形成した集電電極、６は絶縁膜である。
概略構成図であり、１はボロン等を不純物として含むＰ
型シリコン基板、３はシリコン基板１内にリン等を拡散
して形成したＮ型拡散層、４、５はシリコン基板１の表
裏面に形成した集電電極、６は絶縁膜である。
前記シリコン基板１は、シリコンの微粉末にＰ型領域
を形成するボロンなどをあらかじめ混合してキャスティ
ングによって得られたインゴットを所定の大きさに設定
して切り出し、この基板の一主面から熱拡散法又はイオ
ン注入法によってＮ型領域３を形成するリンなどを所定
深さまで拡散させることにより得られ、裏面側にアルミ
ニュウム（Al）などを拡散したP+層２を形成した後、表
裏面に真空蒸着又はスクリーン印刷法でアルミニュウム
や銀等からなる集電電極４、５を形成して、表面側の電
極部分以外の部分に絶縁膜６を形成して得られる。
を形成するボロンなどをあらかじめ混合してキャスティ
ングによって得られたインゴットを所定の大きさに設定
して切り出し、この基板の一主面から熱拡散法又はイオ
ン注入法によってＮ型領域３を形成するリンなどを所定
深さまで拡散させることにより得られ、裏面側にアルミ
ニュウム（Al）などを拡散したP+層２を形成した後、表
裏面に真空蒸着又はスクリーン印刷法でアルミニュウム
や銀等からなる集電電極４、５を形成して、表面側の電
極部分以外の部分に絶縁膜６を形成して得られる。
前記シリコン基板１のＮ型拡散領域３は、リンなどが
表面不純物濃度２×1020/cm3以下、望ましくは２×1019
/cm3程度拡散され、このＮ型拡散領域３のシート抵抗が
50〜300Ω／□、望まくは150Ω／□程度に形成される。
表面不純物濃度２×1020/cm3以下、望ましくは２×1019
/cm3程度拡散され、このＮ型拡散領域３のシート抵抗が
50〜300Ω／□、望まくは150Ω／□程度に形成される。
このように、リンなどを不純物濃度２×1020/cm3以
下、望ましくは２×1019/cm3程度拡散し、シート抵抗が
50〜300Ω／□、望ましくは150Ω／□程度に形成する
と、第２図に示すように、オージェ再結合によるτｐの
低下が防止されると共に、第３図に示すように、禁制帯
幅を広くとることができ、且つ不純物原子半径とシリコ
ン原子半径の相違に基づく転位を防止でき、更にリン等
の不純物を完全にシリコン内に固溶させてドナーとして
有効に働かせることができる。尚、第２図は、少数キャ
リアのライフタイムτｐとドナー不純物濃度NDとの関係
を示す図、第３図はバンド幅減少に及ぼす不純物濃度影
響を示す図である。
下、望ましくは２×1019/cm3程度拡散し、シート抵抗が
50〜300Ω／□、望ましくは150Ω／□程度に形成する
と、第２図に示すように、オージェ再結合によるτｐの
低下が防止されると共に、第３図に示すように、禁制帯
幅を広くとることができ、且つ不純物原子半径とシリコ
ン原子半径の相違に基づく転位を防止でき、更にリン等
の不純物を完全にシリコン内に固溶させてドナーとして
有効に働かせることができる。尚、第２図は、少数キャ
リアのライフタイムτｐとドナー不純物濃度NDとの関係
を示す図、第３図はバンド幅減少に及ぼす不純物濃度影
響を示す図である。
前記Ｎ型拡散層の表面不純物濃度が２×1020/cm3以上
の場合は、シリコンに対するリンの固溶限界以上となっ
てリンが析出しドナーとして有効に働かないばかりでな
く、シリコン結晶の性質を悪くしてしまう。
の場合は、シリコンに対するリンの固溶限界以上となっ
てリンが析出しドナーとして有効に働かないばかりでな
く、シリコン結晶の性質を悪くしてしまう。
前記Ｎ型拡散層のシート抵抗が50Ω／□以下の場合は
短絡電流が小さくなり、300Ω／□以上の場合は曲線因
子FFが低くなる。
短絡電流が小さくなり、300Ω／□以上の場合は曲線因
子FFが低くなる。
前記シリコン基板１には、格子状の集電電極４、５が
所定間隔置きに複数本、表裏面側に対応して形成されて
いる。
所定間隔置きに複数本、表裏面側に対応して形成されて
いる。
前記シリコン基板１のＮ型拡散層側の表面で集電電極
４が形成されていない部分には、シリコン化合物等から
なる３×1012/cm2以上の正の固定電荷を持つ絶縁膜６が
形成される。この絶縁膜６は、例えば酸化シリコン（Si
O2）、窒化シリコン（Si3N4）などのシリコン化合物な
どからなる２層構造や、窒化シリコン（Si3N4）などの
シリコン化合物で形成される。
４が形成されていない部分には、シリコン化合物等から
なる３×1012/cm2以上の正の固定電荷を持つ絶縁膜６が
形成される。この絶縁膜６は、例えば酸化シリコン（Si
O2）、窒化シリコン（Si3N4）などのシリコン化合物な
どからなる２層構造や、窒化シリコン（Si3N4）などの
シリコン化合物で形成される。
このように、Ｎ型拡散層の表面にシリコン化合物など
からなる固定電荷を多量に持つような絶縁膜６を形成す
ると、光入射側表面近傍に強電界が形成されてＮ型拡散
層のシート抵抗は、絶縁膜中の固定電荷によって誘起さ
れるＮ型蓄積層のために実質的に20〜40Ω／□のＮ型層
と同様となり、この部分の直列抵抗によるFF低下は無視
できる。よって、主に波長λ≦0.7μｍの短波長分光感
度の向上により、電流密度JSCは10〜15％アップし、開
放電圧VOCもアップする。また、FFは変化しないために
キャストポリシリコン基板を用いても、光電変換効率η
＝17.5〜18.5％が得られる。
からなる固定電荷を多量に持つような絶縁膜６を形成す
ると、光入射側表面近傍に強電界が形成されてＮ型拡散
層のシート抵抗は、絶縁膜中の固定電荷によって誘起さ
れるＮ型蓄積層のために実質的に20〜40Ω／□のＮ型層
と同様となり、この部分の直列抵抗によるFF低下は無視
できる。よって、主に波長λ≦0.7μｍの短波長分光感
度の向上により、電流密度JSCは10〜15％アップし、開
放電圧VOCもアップする。また、FFは変化しないために
キャストポリシリコン基板を用いても、光電変換効率η
＝17.5〜18.5％が得られる。
前記絶縁膜６の正の固定電荷量が３×1012/cm2以下の
場合は、光入射側表面近傍に強電界を形成することがで
きず、キャリアを有効に取り出すことができない。
場合は、光入射側表面近傍に強電界を形成することがで
きず、キャリアを有効に取り出すことができない。
この絶縁膜６を例えば酸化シリコン（SiO2）、窒化シ
リコン（Si3N4）などのシリコン化合物からなる２層構
造に形成する場合は、700〜900℃の温度による低温熱酸
化、又はO2、N2O、CO2ガスのプラズマ処理によりSiO2膜
を50〜80Å成膜し、次にNH3又はN2ガスとSiH4ガスを用
いてプラズマCVD法によってSi3N4を650〜850Å成膜する
ことにより形成される。また、絶縁膜６を例えば窒化シ
リコン（Si3N4）などのシリコン化合物からなる構造に
形成する場合は、プラズマCVD法によってSi3N4膜を700
〜900Å成膜することにより形成される。
リコン（Si3N4）などのシリコン化合物からなる２層構
造に形成する場合は、700〜900℃の温度による低温熱酸
化、又はO2、N2O、CO2ガスのプラズマ処理によりSiO2膜
を50〜80Å成膜し、次にNH3又はN2ガスとSiH4ガスを用
いてプラズマCVD法によってSi3N4を650〜850Å成膜する
ことにより形成される。また、絶縁膜６を例えば窒化シ
リコン（Si3N4）などのシリコン化合物からなる構造に
形成する場合は、プラズマCVD法によってSi3N4膜を700
〜900Å成膜することにより形成される。
前記絶縁膜６中の固定電荷量は、上述のようにいわゆ
る水素アニール後のQSS/q（表面電荷密度／電気素量）
≧３×1012/cm2が好適であるが、このように絶縁膜６中
の固定電荷量を増加させるためには、Si3N4膜をプラズ
マCVD法によって形成する際に、NH3/SiH4またはN2/SiH4
を例えばH2/SiH4＝５〜20となるようにH2、He、Arなど
で適当に希釈して、NH3/SiH4又はN2/SiH4のNH3（N2）と
SiH4の比を例えばNH3（N2）/SiH4≧30のように大きくし
て、RFパワーを例えば0.3w/cm2以上で成膜すれば良い。
る水素アニール後のQSS/q（表面電荷密度／電気素量）
≧３×1012/cm2が好適であるが、このように絶縁膜６中
の固定電荷量を増加させるためには、Si3N4膜をプラズ
マCVD法によって形成する際に、NH3/SiH4またはN2/SiH4
を例えばH2/SiH4＝５〜20となるようにH2、He、Arなど
で適当に希釈して、NH3/SiH4又はN2/SiH4のNH3（N2）と
SiH4の比を例えばNH3（N2）/SiH4≧30のように大きくし
て、RFパワーを例えば0.3w/cm2以上で成膜すれば良い。
また、Na、Ｋ、Cs、Caなどの塩化物をアルコールに溶
かし、スピンコート法等で、シリコン基板１または酸化
シリコン膜の表面にのみ塗布してプラズマCVD法で窒化
シリコン膜を成膜し、固定電荷源原子が絶縁膜６中に分
布するようにアニーリングして形成してもよい。
かし、スピンコート法等で、シリコン基板１または酸化
シリコン膜の表面にのみ塗布してプラズマCVD法で窒化
シリコン膜を成膜し、固定電荷源原子が絶縁膜６中に分
布するようにアニーリングして形成してもよい。
（発明の効果） 以上のように、本発明に係わる太陽電池によれば、PN
接合型太陽電池におけるＮ型拡散層の表面不純物濃度を
２×1020/cm3以下にすると共にシート抵抗を50〜300Ω
／□にし、且つ前記電極部以外のＮ型拡散層表面にシリ
コン化合物からなる３×1012以上の固定電荷を持つ絶縁
膜を形成したことから、短波長光吸収が大きく変換効率
の高い太陽電池を提供できる。
接合型太陽電池におけるＮ型拡散層の表面不純物濃度を
２×1020/cm3以下にすると共にシート抵抗を50〜300Ω
／□にし、且つ前記電極部以外のＮ型拡散層表面にシリ
コン化合物からなる３×1012以上の固定電荷を持つ絶縁
膜を形成したことから、短波長光吸収が大きく変換効率
の高い太陽電池を提供できる。
第１図は本発明に係わる太陽電池の一実施例を示す概略
構成図、第２図は少数キャリヤのライフタイムと不純物
濃度との関係を示す図、第３図はバンド幅減少に及ぼす
不純物濃度の影響を示す図、第４図は従来の太陽電池の
構造を示す一部破断面図、第５図は光吸収係数の波長依
存性を示す図、第６図は不純物濃度プロファイルを示す
図、第７図はキャストポリシリコン基板を用いた接合型
太陽電池の分光感度を示す図、第８図は誘起接合型太陽
電池の構造を示す一部破断面図である。 １……Ｐ型シリコン基板、２……Ｎ型拡散層 ４、５……集電電極、６……絶縁膜
構成図、第２図は少数キャリヤのライフタイムと不純物
濃度との関係を示す図、第３図はバンド幅減少に及ぼす
不純物濃度の影響を示す図、第４図は従来の太陽電池の
構造を示す一部破断面図、第５図は光吸収係数の波長依
存性を示す図、第６図は不純物濃度プロファイルを示す
図、第７図はキャストポリシリコン基板を用いた接合型
太陽電池の分光感度を示す図、第８図は誘起接合型太陽
電池の構造を示す一部破断面図である。 １……Ｐ型シリコン基板、２……Ｎ型拡散層 ４、５……集電電極、６……絶縁膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−59784（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−2374（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−205667（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−41277（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−89569（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−143569（ＪＰ，Ａ) 特表 昭63−501668（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04
Claims (1)
- 【請求項１】Ｐ型シリコン基板の表面側にＮ型拡散層を
形成して該基板の表裏面に直接接するように集電電極を
形成してなる太陽電池において、前記Ｎ型拡散層の表面
不純物濃度を２×1020/cm3以下にすると共に、シート抵
抗を50〜300Ω／□にし、且つ前記電極部以外のＮ型拡
散層表面にシリコン化合物からなる３×1012/cm2以上の
正の固定電荷を持つ絶縁膜を形成したことを特徴とする
太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020629A JP2808004B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020629A JP2808004B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201972A JPH02201972A (ja) | 1990-08-10 |
| JP2808004B2 true JP2808004B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=12032529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1020629A Expired - Fee Related JP2808004B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2808004B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2837296B2 (ja) * | 1991-10-17 | 1998-12-14 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
| US8198528B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-06-12 | Sunpower Corporation | Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells |
| EP2304803A1 (en) * | 2008-06-11 | 2011-04-06 | Solar Implant Technologies Inc. | Solar cell fabrication using implantation |
| JP4974183B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2012-07-11 | シャープ株式会社 | 光電変換装置 |
| WO2010029887A1 (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | シャープ株式会社 | 光電変換装置 |
| US8749053B2 (en) | 2009-06-23 | 2014-06-10 | Intevac, Inc. | Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications |
| DE102009044052A1 (de) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Schott Solar Ag | Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls |
| US8603900B2 (en) * | 2009-10-27 | 2013-12-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Reducing surface recombination and enhancing light trapping in solar cells |
| WO2013070978A2 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Intevac, Inc. | Substrate processing system and method |
| CN104521003B (zh) * | 2012-08-09 | 2016-11-23 | 信越化学工业株式会社 | 太阳能电池的制造方法、以及通过该制造方法制造了的太阳能电池 |
| WO2014100506A1 (en) | 2012-12-19 | 2014-06-26 | Intevac, Inc. | Grid for plasma ion implant |
| JP2016086117A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 株式会社東芝 | 太陽電池、太陽電池パネル及び太陽電池フィルム |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2846096C2 (de) * | 1978-10-23 | 1985-01-10 | Rudolf Dipl.-Phys. Dr. 8521 Spardorf Hezel | Solarzelle aus Halbleitermaterial |
| DE3420887A1 (de) * | 1984-06-05 | 1985-12-05 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Solarzelle |
| JP2706113B2 (ja) * | 1988-11-25 | 1998-01-28 | 工業技術院長 | 光電変換素子 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1020629A patent/JP2808004B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02201972A (ja) | 1990-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4900369A (en) | Solar cell | |
| US4253881A (en) | Solar cells composed of semiconductive materials | |
| EP4123723B1 (en) | Passivated contact structure and solar cell comprising the same, cell assembly, and photovoltaic system | |
| EP0776051B1 (en) | Structure and fabrication process for an aluminium alloy self-aligned back contact silicon solar cell | |
| US6262359B1 (en) | Aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabrication thereof | |
| AU2023282191B2 (en) | Doped region structure and solar cell comprising the same, cell assembly, and photovoltaic system | |
| JP2009535845A (ja) | ドーピングされた半導体ヘテロ接合電極を有する太陽電池 | |
| JP2808004B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP3203076B2 (ja) | 宇宙用シリコン太陽電池 | |
| JP2003152205A (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 | |
| JPH01125988A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2896793B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| TW202224200A (zh) | 背接觸式太陽電池及其製造 | |
| KR100403803B1 (ko) | n-p형 후면 반전층을 갖는 양면 태양전지 및 그 제조방법 | |
| JP3346907B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JPH08274356A (ja) | 太陽電池素子 | |
| JP3158028B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JPS63143876A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| US12009440B2 (en) | Doped region structure and solar cell comprising the same, cell assembly, and photovoltaic system | |
| TW201806174A (zh) | 用於製造光伏打裝置之方法 | |
| US11837671B2 (en) | Doped region structure and solar cell comprising the same, cell assembly, and photovoltaic system | |
| JPH04290274A (ja) | 光電変換装置 | |
| US20230317866A1 (en) | Doped region structure and solar cell comprising the same, cell assembly, and photovoltaic system | |
| TW202143497A (zh) | 背接觸式太陽電池 | |
| JPH0548124A (ja) | 光電変換素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080731 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |