JPH02201972A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPH02201972A JPH02201972A JP1020629A JP2062989A JPH02201972A JP H02201972 A JPH02201972 A JP H02201972A JP 1020629 A JP1020629 A JP 1020629A JP 2062989 A JP2062989 A JP 2062989A JP H02201972 A JPH02201972 A JP H02201972A
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は太陽電池に関し、特に短波長光吸収の大きい太
陽電池に関する。
陽電池に関する。
（従来の技術及びその問題点）
従来、第４図に示すように、多結晶シリコンや単結晶シ
リコンからなるＰ型基板１１内に、Ｎ型拡散層１３を形
成して基板１１の表面側に格子状型ｆ！１４と基板１１
の裏面側に全面電極１５を形成した太陽電池がある（例
えば特開昭５９−７９５８０号公報参照）。
リコンからなるＰ型基板１１内に、Ｎ型拡散層１３を形
成して基板１１の表面側に格子状型ｆ！１４と基板１１
の裏面側に全面電極１５を形成した太陽電池がある（例
えば特開昭５９−７９５８０号公報参照）。
上記のような太陽電池における拡散層１３は、リン等の
不純物を拡散させてＮ型にしているが、この表面不純物
濃度は通常２ Ｘ １０”／ｃｒａ”以上であり、キャ
リアを有効に取り出すことができず、大きな変換効率を
得ることが出来なかった。
不純物を拡散させてＮ型にしているが、この表面不純物
濃度は通常２ Ｘ １０”／ｃｒａ”以上であり、キャ
リアを有効に取り出すことができず、大きな変換効率を
得ることが出来なかった。
即ち、地表での太陽光は、０．４〜０．７μｍの波長範
囲でエネルギー強度が強く、そのピークは０．５μｍ付
近となっている。
囲でエネルギー強度が強く、そのピークは０．５μｍ付
近となっている。
一方、半導体結晶への光吸収は、Ｉ（ｈｙ）−Ｉｏ （
ｂν）ｅｘｐ ［−ａ （ｈｙ） χ］で表され（α（
ｈｙ）：ある波長λの光を吸収する能力を示す吸収係数
、Ｉｏ（ｈｙ）：入射光の強度、■（ｈｙ）：伝搬路に
そっての距離χでの強度）、半導体結晶の表面から１／
αの距離で光強度がｌ／ｅに減少する。
ｂν）ｅｘｐ ［−ａ （ｈｙ） χ］で表され（α（
ｈｙ）：ある波長λの光を吸収する能力を示す吸収係数
、Ｉｏ（ｈｙ）：入射光の強度、■（ｈｙ）：伝搬路に
そっての距離χでの強度）、半導体結晶の表面から１／
αの距離で光強度がｌ／ｅに減少する。
例えば、第５図に示すシリコンの光吸収係数α（ｈν）
から、波長λ−０，５μｍの光は厚さ約０．８μｍ部分
で、また波長λ−０，６μｍの光は厚さ約２μｍ部分で
ほとんど吸収されることがわかる。この表面近傍で多量
に生成するキャリアを有効に取り出して変換効率を高め
るためには、電子・正孔を速やかに分離する電界をこの
近傍に形成してやる必要がある。
から、波長λ−０，５μｍの光は厚さ約０．８μｍ部分
で、また波長λ−０，６μｍの光は厚さ約２μｍ部分で
ほとんど吸収されることがわかる。この表面近傍で多量
に生成するキャリアを有効に取り出して変換効率を高め
るためには、電子・正孔を速やかに分離する電界をこの
近傍に形成してやる必要がある。
このような内蔵電界を形成するためにＮ型層内の不純物
濃度が表面濃度１０”／ゴとなるようにリン拡散を行っ
た場合、太陽電池の分光感度は、第７図実線に示すよう
に、太陽エネルギー強度の大きい波長０．４〜０．７μ
ｍ付近の分光感度が低くなってしまう。
濃度が表面濃度１０”／ゴとなるようにリン拡散を行っ
た場合、太陽電池の分光感度は、第７図実線に示すよう
に、太陽エネルギー強度の大きい波長０．４〜０．７μ
ｍ付近の分光感度が低くなってしまう。
これを改善するために第６図点線で示すように、表面濃
度を５ Ｘ ］、 Ｏ”／ｃｍ″まで減らした拡散を行
うと、第７図点線で示すように、短波長光の分光感度は
若干改善するが、反対にシー１〜抵抗が高くなって直列
抵抗が大きくなるために曲線因子ＦＦに影響を及ぼした
り、Ｎ型層内の内蔵電界はむしろ小さくなって分光感度
は依然として改善されない。
度を５ Ｘ ］、 Ｏ”／ｃｍ″まで減らした拡散を行
うと、第７図点線で示すように、短波長光の分光感度は
若干改善するが、反対にシー１〜抵抗が高くなって直列
抵抗が大きくなるために曲線因子ＦＦに影響を及ぼした
り、Ｎ型層内の内蔵電界はむしろ小さくなって分光感度
は依然として改善されない。
一方、第８図に示すように、従来がら、Ｐ型基板表面に
酸化シリコン（Ｓｉｏ２）や窒化シリコン（Ｓｉ３ Ｎ
４）等の絶縁膜１７を形成し、この絶縁膜１７中や絶縁
膜１７とシリコン層１６の界面近傍に形成される正の固
定電荷によって誘起されるＮ型逆転層を利用した誘起接
合型太陽電池も提案されている（例えば特開昭５５−５
９７８４号公報参照）。尚、第８図中、１８は裏面電極
、１９は裏面電極である。
酸化シリコン（Ｓｉｏ２）や窒化シリコン（Ｓｉ３ Ｎ
４）等の絶縁膜１７を形成し、この絶縁膜１７中や絶縁
膜１７とシリコン層１６の界面近傍に形成される正の固
定電荷によって誘起されるＮ型逆転層を利用した誘起接
合型太陽電池も提案されている（例えば特開昭５５−５
９７８４号公報参照）。尚、第８図中、１８は裏面電極
、１９は裏面電極である。
この太陽電池では、絶縁膜とシリコンの界面直下に大き
な電界が形成されるために、短波長に対する感度は優れ
ているが、界面準位の影響を受けやすく、紫外線の吸収
などで絶縁膜とシリコン界面に界面準位が形成されるな
ど不安定要素が多い。
な電界が形成されるために、短波長に対する感度は優れ
ているが、界面準位の影響を受けやすく、紫外線の吸収
などで絶縁膜とシリコン界面に界面準位が形成されるな
ど不安定要素が多い。
また、上述の接合型太陽電池に比べて、Ｎ型逆転層の抵
抗が高くなるために、変換効率を小さくしないようにす
るためには、電極間ピッチを狭くする必要があり、結果
的に電極面積の増大をもたらしてしまう。
抗が高くなるために、変換効率を小さくしないようにす
るためには、電極間ピッチを狭くする必要があり、結果
的に電極面積の増大をもたらしてしまう。
（発明の目的）
本発明は、このような背景のもとに案出されたものであ
り、太陽電池の光入射側表面近傍の及びＮ型層内の電界
分布を改善することにより、短波長光吸収が大きく変換
効率の高い太陽電池を提供することを目的とするもので
ある。
り、太陽電池の光入射側表面近傍の及びＮ型層内の電界
分布を改善することにより、短波長光吸収が大きく変換
効率の高い太陽電池を提供することを目的とするもので
ある。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係わる太陽電池によれば、Ｐ型シリコン基板の
表面側にＮ型拡散層を形成して該基板のの表裏面に集電
電極を形成してなる太陽電池において、前記Ｎ型拡散層
の不純物濃度を２×１０２゜／、、ｆ以下にすると共に
シート抵抗を５０〜３００Ω／□にし、且つ前記電極部
以外のＮ型拡散層表面にシリコン化合物からなる３ Ｘ
１０１２／ｃＩｕ″以上の正の固定電荷を持つ絶縁膜
を形成することにより、上記目的を達成するものである
。
表面側にＮ型拡散層を形成して該基板のの表裏面に集電
電極を形成してなる太陽電池において、前記Ｎ型拡散層
の不純物濃度を２×１０２゜／、、ｆ以下にすると共に
シート抵抗を５０〜３００Ω／□にし、且つ前記電極部
以外のＮ型拡散層表面にシリコン化合物からなる３ Ｘ
１０１２／ｃＩｕ″以上の正の固定電荷を持つ絶縁膜
を形成することにより、上記目的を達成するものである
。
（実施例）
以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図は、本発明に係わる太陽電池の一実施例を示す概
略構成図であり、１はボロン等を不純物として含むＰ型
シリコン基板、３はシリコン基板１内にリン等を拡散し
て形成したＮ型拡散層、４．５はシリコン基板ｌの表裏
面に形成した集電電極、６は絶縁膜である。
略構成図であり、１はボロン等を不純物として含むＰ型
シリコン基板、３はシリコン基板１内にリン等を拡散し
て形成したＮ型拡散層、４．５はシリコン基板ｌの表裏
面に形成した集電電極、６は絶縁膜である。
前記シリコン基板１は、シリコンの微粉末にＰ壁領域を
形成するボロンなどをあらかじめ混合してキャスティン
グによって得られたインゴットを所定の大きさに設定し
て切り出し、この基板の一主面から熱拡散法又はイオン
注入法によってＮ型領域３を形成するリンなどを所定深
さまで拡散させることにより得られ、裏面側にアルミニ
ュウム（Ａりなどを拡散したＰ＋層２を形成した後、表
裏面に真空蒸着又はスクリーン印刷法でアルミニュウム
や銀等からなる集電電極４．５を形成して、表面側の電
極部分以外の部分に絶縁膜６を形成して得られる。
形成するボロンなどをあらかじめ混合してキャスティン
グによって得られたインゴットを所定の大きさに設定し
て切り出し、この基板の一主面から熱拡散法又はイオン
注入法によってＮ型領域３を形成するリンなどを所定深
さまで拡散させることにより得られ、裏面側にアルミニ
ュウム（Ａりなどを拡散したＰ＋層２を形成した後、表
裏面に真空蒸着又はスクリーン印刷法でアルミニュウム
や銀等からなる集電電極４．５を形成して、表面側の電
極部分以外の部分に絶縁膜６を形成して得られる。
前記シリコン基［１のＮ型拡散領域３は、リンなどが表
面不純物濃度２Ｘ１０”／ｃｒｎ’以下、望ましくは２
ＸＬＯ”／ｄ程度拡散され、このＮ型拡散領域３のシー
ト抵抗が５０〜３００Ω／□、望ましくは１５０Ω／□
程度に形成される。
面不純物濃度２Ｘ１０”／ｃｒｎ’以下、望ましくは２
ＸＬＯ”／ｄ程度拡散され、このＮ型拡散領域３のシー
ト抵抗が５０〜３００Ω／□、望ましくは１５０Ω／□
程度に形成される。
このように、リンなどを不純物濃度２Ｘ１０”／ ｃｍ
’以下、望ましくは２ Ｘ １０１９／ｃａｎ’程度拡
散し、シート抵抗が５０〜３００Ω／□、望ましくは１
５０Ω／□程度に形成すると、第２図に示すように、オ
ージェ再結合によるτｐの低下が防止されると共に、第
３図に示すように、禁制帯幅を広くとることができ、且
つ不純物原子半径とシリコン原子半径の相違に基づく転
位を防止でき、更にリン等の不純物を完全にシリコン内
に固溶させてドナーとして有効に働かせることができる
。尚、第２図は、少数キャリアのライフタイムτｐとド
ナー不純物濃度Ｎ。どの関係を示す図、第３図はバンド
幅減少に及ぼす不純物濃度影響を示す図である。
’以下、望ましくは２ Ｘ １０１９／ｃａｎ’程度拡
散し、シート抵抗が５０〜３００Ω／□、望ましくは１
５０Ω／□程度に形成すると、第２図に示すように、オ
ージェ再結合によるτｐの低下が防止されると共に、第
３図に示すように、禁制帯幅を広くとることができ、且
つ不純物原子半径とシリコン原子半径の相違に基づく転
位を防止でき、更にリン等の不純物を完全にシリコン内
に固溶させてドナーとして有効に働かせることができる
。尚、第２図は、少数キャリアのライフタイムτｐとド
ナー不純物濃度Ｎ。どの関係を示す図、第３図はバンド
幅減少に及ぼす不純物濃度影響を示す図である。
前記Ｎ型拡散層の表面不純物濃度が２Ｘ１０”／σ′以
上の場合は、シリコンに対するリンの固溶限界以上とな
ってリンが析出しドナーとして有効に働かないばかりで
なく、シリコン結晶の性質を悪くしてしまう。
上の場合は、シリコンに対するリンの固溶限界以上とな
ってリンが析出しドナーとして有効に働かないばかりで
なく、シリコン結晶の性質を悪くしてしまう。
前記Ｎ型拡散層のシート抵抗が５０Ω／□以下の場合は
短絡電流が小さくなり、３００Ω／□以上の場合は曲線
因子ＦＦが低くなる。
短絡電流が小さくなり、３００Ω／□以上の場合は曲線
因子ＦＦが低くなる。
前記シリコン基板１には、格子状の集電電極４．５が所
定間隔置きに複数本、表裏面側に対応して形成されてい
る。
定間隔置きに複数本、表裏面側に対応して形成されてい
る。
前記シリコン基板１のＮ型拡散層側の表面で集電電極４
が形成されていない部分には、シリコン化合物等からな
る３ Ｘ １０１２／ｃｍ”以上の正の固定電荷を待つ
絶縁膜６が形成される。この絶縁膜６は、例えば酸化シ
リコン（Ｓ １０２ ）−’Ｍ化シリコン（３１３Ｎ４
）などのシリコン化合物などからなる２層構造や、窒
化シリコン（Ｓｉ３Ｎａ）などのシリコン化合物で形成
される。
が形成されていない部分には、シリコン化合物等からな
る３ Ｘ １０１２／ｃｍ”以上の正の固定電荷を待つ
絶縁膜６が形成される。この絶縁膜６は、例えば酸化シ
リコン（Ｓ １０２ ）−’Ｍ化シリコン（３１３Ｎ４
）などのシリコン化合物などからなる２層構造や、窒
化シリコン（Ｓｉ３Ｎａ）などのシリコン化合物で形成
される。
このように、Ｎ型拡散層の表面にシリコン化合物などか
らなる固定電荷を多量に持つような絶縁膜６を形成する
と、光入射側表面近傍に強電界が形成されてＮ型拡散層
のシート抵抗は、絶縁膜中の固定電荷によって誘起され
るＮ型蓄積層のために実質的に２０〜４０Ω／□のＮ型
層と同様となり、この部分の直列抵抗によるＦＦ低下は
無視できる。よって、主に波長λ≦０．７μｍの短波長
分光感度の向上により、電流密度Ｊｓｃは１０〜１５％
アップし、開放電圧■。０もアップする。また、ＦＦは
変化しないためにキャストポリシリコン基板を用いても
、光電変換効率η＝１７−５〜１８゜５％が得られる。
らなる固定電荷を多量に持つような絶縁膜６を形成する
と、光入射側表面近傍に強電界が形成されてＮ型拡散層
のシート抵抗は、絶縁膜中の固定電荷によって誘起され
るＮ型蓄積層のために実質的に２０〜４０Ω／□のＮ型
層と同様となり、この部分の直列抵抗によるＦＦ低下は
無視できる。よって、主に波長λ≦０．７μｍの短波長
分光感度の向上により、電流密度Ｊｓｃは１０〜１５％
アップし、開放電圧■。０もアップする。また、ＦＦは
変化しないためにキャストポリシリコン基板を用いても
、光電変換効率η＝１７−５〜１８゜５％が得られる。
前記絶縁膜６の正の固定電荷量が３Ｘ１０１２／ｄ以下
の場合は、光入射側表面近傍に強電界を形成することが
できず、キャリアを有効に取り出すことができない。
の場合は、光入射側表面近傍に強電界を形成することが
できず、キャリアを有効に取り出すことができない。
この絶縁膜６を例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化
シリコン（３１３Ｎ４ ）などのシリコン化合物からな
る２層構造に形成する場合は、７００〜９００℃の温度
による低温熱酸化、又はｏ２、Ｎ２０、ＣＯ２ガスのプ
ラズマ処理によりＳｉＯ２膜を５０〜８０人成膜し、次
にＮＨ，又はＮ２ガスとＳ ｉＨ４ガスを用いてプラズ
マＣＶＤ法によって３ ｉ ３ Ｎａを６５０〜８５０
人成膜することにより形成される。また、絶縁膜６を例
えば窒化シリコン（Ｓ１３Ｎａ）などのシリコン化合物
からなる構造に形成する場合は、プラズマＣＶＤ法によ
ってＳｉ、Ｎ４膜を７００〜９００人成膜することによ
り形成される。
シリコン（３１３Ｎ４ ）などのシリコン化合物からな
る２層構造に形成する場合は、７００〜９００℃の温度
による低温熱酸化、又はｏ２、Ｎ２０、ＣＯ２ガスのプ
ラズマ処理によりＳｉＯ２膜を５０〜８０人成膜し、次
にＮＨ，又はＮ２ガスとＳ ｉＨ４ガスを用いてプラズ
マＣＶＤ法によって３ ｉ ３ Ｎａを６５０〜８５０
人成膜することにより形成される。また、絶縁膜６を例
えば窒化シリコン（Ｓ１３Ｎａ）などのシリコン化合物
からなる構造に形成する場合は、プラズマＣＶＤ法によ
ってＳｉ、Ｎ４膜を７００〜９００人成膜することによ
り形成される。
前記絶縁膜６中の固定電荷量は、上述のようにいわゆる
水素アニール後のＱＳＳ／ＣＩ （表面電荷密度／電気
素量）≧３ Ｘ １０ ”／ａｍ”が好適であるが、こ
のように絶縁膜６中の固定電荷量を増加させるためには
、３１３ Ｎ ａ膜をプラズマＣＶＤ法によって形成す
る際に、Ｎ Ｈ３／ Ｓ Ｉ Ｈ４またはＮ２／Ｓ Ｉ
Ｈａ を例えばＮ２ ／Ｓｉ Ｈ４＝５〜２０となる
ようにＨ２、Ｈｅ 、Ａ ｒなどで適当に希釈して、Ｎ
Ｈ，／ＳｉＨ４又はＮ２／Ｓ ｉＨ４のＮＨ，（Ｎ２）
とＳｉＨ４の比を例えばＮＨ３（Ｎ２ ）／ＳｉＨ４≧
３０のように大きくして、ＲＦパワーを例えば０．３Ｗ
／Ｃｌ１ｌ“以上で成膜すれば良い。
水素アニール後のＱＳＳ／ＣＩ （表面電荷密度／電気
素量）≧３ Ｘ １０ ”／ａｍ”が好適であるが、こ
のように絶縁膜６中の固定電荷量を増加させるためには
、３１３ Ｎ ａ膜をプラズマＣＶＤ法によって形成す
る際に、Ｎ Ｈ３／ Ｓ Ｉ Ｈ４またはＮ２／Ｓ Ｉ
Ｈａ を例えばＮ２ ／Ｓｉ Ｈ４＝５〜２０となる
ようにＨ２、Ｈｅ 、Ａ ｒなどで適当に希釈して、Ｎ
Ｈ，／ＳｉＨ４又はＮ２／Ｓ ｉＨ４のＮＨ，（Ｎ２）
とＳｉＨ４の比を例えばＮＨ３（Ｎ２ ）／ＳｉＨ４≧
３０のように大きくして、ＲＦパワーを例えば０．３Ｗ
／Ｃｌ１ｌ“以上で成膜すれば良い。
また、Ｎａ、に、Ｃｓ−Ｃａなどの塩化物をアルコール
に溶かし、スピンコード法等で、シリコン基板１または
酸化シリコン膜の表面にのみ塗布してプラズマＣＶＤ法
で窒化シリコン膜を成膜し、固定電荷源原子が絶縁膜６
中に分布するようにアニーリングして形成してもよい。
に溶かし、スピンコード法等で、シリコン基板１または
酸化シリコン膜の表面にのみ塗布してプラズマＣＶＤ法
で窒化シリコン膜を成膜し、固定電荷源原子が絶縁膜６
中に分布するようにアニーリングして形成してもよい。
（発明の効果）
以上のように、本発明に係わる太陽電池によれば、Ｎ型
拡散層の表面不純物濃度を２ｘｌＱ”／印′以下にする
と共にシート抵抗を５０〜３００Ω／□にし、且つ前記
電極部以外のＮ型拡散層表面にシリコン化合物からなる
３×１０′２以上の固定電荷を持つ絶縁膜を形成したこ
とから、短波長光吸収が大きく変換効率の高い太陽電池
を提供できる。
拡散層の表面不純物濃度を２ｘｌＱ”／印′以下にする
と共にシート抵抗を５０〜３００Ω／□にし、且つ前記
電極部以外のＮ型拡散層表面にシリコン化合物からなる
３×１０′２以上の固定電荷を持つ絶縁膜を形成したこ
とから、短波長光吸収が大きく変換効率の高い太陽電池
を提供できる。
第１図は本発明に係わる太陽電池の一実施例を示す概略
構成図、第２図は少数キャリヤのライフタイムと不純物
濃度との関係を示す図、第３図はバンド幅減少に及ぼす
不純物濃度の影響を示す図、第４図は従来の太陽電池の
構造を示す一部破断面図、第５図は光吸収係数の波長依
存性を示す図、第６図は不純物濃度プロファイルを示す
図、第７図はキャストポリシリコ〉′基板を用いた接合
型太陽電池の分光感度を示す図、第８Ｔｈ？ｌは誘起接
合型太陽電池の構造を示す一部破断面図である。 １、Ｐ型シリコン基板 ２、Ｎ型拡散層４．５、集電電
極 ６、絶縁膜
構成図、第２図は少数キャリヤのライフタイムと不純物
濃度との関係を示す図、第３図はバンド幅減少に及ぼす
不純物濃度の影響を示す図、第４図は従来の太陽電池の
構造を示す一部破断面図、第５図は光吸収係数の波長依
存性を示す図、第６図は不純物濃度プロファイルを示す
図、第７図はキャストポリシリコ〉′基板を用いた接合
型太陽電池の分光感度を示す図、第８Ｔｈ？ｌは誘起接
合型太陽電池の構造を示す一部破断面図である。 １、Ｐ型シリコン基板 ２、Ｎ型拡散層４．５、集電電
極 ６、絶縁膜
Claims (1)
- Ｐ型シリコン基板の表面側にＮ型拡散層を形成して該基
板の表裏面に集電電極を形成してなる太陽電池において
、前記Ｎ型拡散層の表面不純物濃度を２×１０＾２＾０
／ｃｍ＾３以下にすると共にシート抵抗を５０〜３００
Ω／□にし、且つ前記電極部以外のＮ型拡散層表面にシ
リコン化合物からなる３×１０＾１＾２／ｃｍ＾２以上
の正の固定電荷を持つ絶縁膜を形成したことを特徴とす
る太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020629A JP2808004B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020629A JP2808004B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201972A true JPH02201972A (ja) | 1990-08-10 |
| JP2808004B2 JP2808004B2 (ja) | 1998-10-08 |
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ID=12032529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1020629A Expired - Fee Related JP2808004B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 太陽電池 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2808004B2 (ja) |
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1989
- 1989-01-30 JP JP1020629A patent/JP2808004B2/ja not_active Expired - Fee Related
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