JP3158028B2 - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3158028B2 JP3158028B2 JP30725395A JP30725395A JP3158028B2 JP 3158028 B2 JP3158028 B2 JP 3158028B2 JP 30725395 A JP30725395 A JP 30725395A JP 30725395 A JP30725395 A JP 30725395A JP 3158028 B2 JP3158028 B2 JP 3158028B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon semiconductor
- layer
- forming
- semiconductor substrate
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 96
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 69
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 69
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N trimethylborane Chemical compound CB(C)C WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/1812—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table including only AIVBIV alloys, e.g. SiGe
- H01L31/1816—Special manufacturing methods for microcrystalline layers, e.g. uc-SiGe, uc-SiC
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池に関し、
特に光電変換効率を改善する太陽電池及びその製造方法
に関するものである。
特に光電変換効率を改善する太陽電池及びその製造方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の太陽電池について、図4に示した
断面構造に基づき説明する。凹凸加工されたP型シリコ
ン半導体基板41の光入射面側には燐(P)を不純物と
するN型シリコン半導体層42が形成されている。N型
シリコン半導体層42の上にはシリコン酸化膜層43
が、シリコン酸化膜層43の上には窒化シリコン膜から
なる反射防止膜層44が形成されている。さらに、シリ
コン酸化膜層43と反射防止膜層44を貫通してN型シ
リコン半導体層42に接続されたチタン(Ti)/パラ
ジウム(Pd)/銀(Ag)の金属からなるグリッド電
極45が形成されている。P型シリコン半導体基板41
の光入射面側と反対側の裏面上にP型シリコン半導体基
板41と同じ導電型で、かつ、より高濃度にボロン
(B)を有する水素化微結晶シリコン層(以後、この膜
を「P+ 型微結晶シリコン層」という)からなる裏面電
界層47が設けられている。裏面電界層47上には窒化
シリコン膜からなる絶縁膜層48が、絶縁膜層48の上
にはAlやAgなどの金属からなる裏面電極49が形成
されている。裏面電極49は絶縁膜層48が形成されな
い開口部50で裏面電界層47と接続されている。
断面構造に基づき説明する。凹凸加工されたP型シリコ
ン半導体基板41の光入射面側には燐(P)を不純物と
するN型シリコン半導体層42が形成されている。N型
シリコン半導体層42の上にはシリコン酸化膜層43
が、シリコン酸化膜層43の上には窒化シリコン膜から
なる反射防止膜層44が形成されている。さらに、シリ
コン酸化膜層43と反射防止膜層44を貫通してN型シ
リコン半導体層42に接続されたチタン(Ti)/パラ
ジウム(Pd)/銀(Ag)の金属からなるグリッド電
極45が形成されている。P型シリコン半導体基板41
の光入射面側と反対側の裏面上にP型シリコン半導体基
板41と同じ導電型で、かつ、より高濃度にボロン
(B)を有する水素化微結晶シリコン層(以後、この膜
を「P+ 型微結晶シリコン層」という)からなる裏面電
界層47が設けられている。裏面電界層47上には窒化
シリコン膜からなる絶縁膜層48が、絶縁膜層48の上
にはAlやAgなどの金属からなる裏面電極49が形成
されている。裏面電極49は絶縁膜層48が形成されな
い開口部50で裏面電界層47と接続されている。
【0003】P+ 型微結晶シリコン層はP型シリコン半
導体基板41よりも高濃度にBを含み、広い禁制帯幅を
もつことから、裏面電界層47とP型シリコン半導体基
板41との接合面において内部電界を形成し、裏面近傍
で発生した少数キャリア(電子)をP型シリコン半導体
基板41の内部へ押し戻し、基板裏面でのキャリアの再
結合損失を抑制して光電変換効率を高める働きをしてい
る(以後、この働きを「裏面電界効果」という)。さら
に、絶縁膜層48はP型シリコン半導体基板41を抜け
て裏面電極49に達する光が再びP型シリコン半導体基
板41に向かう裏面反射を大きくして、光電変換効率を
高める働きをしている。
導体基板41よりも高濃度にBを含み、広い禁制帯幅を
もつことから、裏面電界層47とP型シリコン半導体基
板41との接合面において内部電界を形成し、裏面近傍
で発生した少数キャリア(電子)をP型シリコン半導体
基板41の内部へ押し戻し、基板裏面でのキャリアの再
結合損失を抑制して光電変換効率を高める働きをしてい
る(以後、この働きを「裏面電界効果」という)。さら
に、絶縁膜層48はP型シリコン半導体基板41を抜け
て裏面電極49に達する光が再びP型シリコン半導体基
板41に向かう裏面反射を大きくして、光電変換効率を
高める働きをしている。
【0004】このP+ 型微結晶シリコン層を裏面電界層
47とした太陽電池の製造方法においては、P+ 型微結
晶シリコン層上に裏面電極を蒸着形成した後、熱処理を
行っていたが、特開平6−310740号公報で開示さ
れたように、良好な光電変換効率が得られる最適温度範
囲は200〜300℃であった。
47とした太陽電池の製造方法においては、P+ 型微結
晶シリコン層上に裏面電極を蒸着形成した後、熱処理を
行っていたが、特開平6−310740号公報で開示さ
れたように、良好な光電変換効率が得られる最適温度範
囲は200〜300℃であった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】P型シリコン半導体基
板上に形成した高濃度にドーパントを含むP+ 型微結晶
シリコン層は、熱処理温度の上昇に伴い比抵抗値が小さ
くなって、裏面電界層としての品質が向上する。
板上に形成した高濃度にドーパントを含むP+ 型微結晶
シリコン層は、熱処理温度の上昇に伴い比抵抗値が小さ
くなって、裏面電界層としての品質が向上する。
【0006】ところが、特開平6−310740号公報
で開示されたように、従来の太陽電池においては、30
0℃以上で熱処理を行うと光電変換効率が低下してしま
い、熱処理によるP+ 型微結晶シリコン層の品質向上が
十分に活用されていなかった。
で開示されたように、従来の太陽電池においては、30
0℃以上で熱処理を行うと光電変換効率が低下してしま
い、熱処理によるP+ 型微結晶シリコン層の品質向上が
十分に活用されていなかった。
【0007】この光電変換効率の低下の原因は、熱処理
によって、裏面電極と接する領域のP+ 型微結晶シリコ
ン層がP型シリコン半導体基板の裏面にキャリアの再結
合損失が大きい領域を形成して、裏面電界効果を低下さ
せることにあることが判明した。以下にその詳細を述べ
る。つまり、絶縁膜層によってP+ 型微結晶シリコン層
が裏面電極から離されたP型シリコン半導体基板裏面上
の領域での熱処理の影響と、P+ 型微結晶シリコン層が
裏面電極と接するP型シリコン半導体基板裏面上の領域
での熱処理の影響とは異なっている。まず、前者の領域
では、熱処理温度の上昇に伴いP+ 型微結晶シリコン層
の比抵抗値が小さくなり、P型シリコン半導体基板裏面
でのキャリア再結合損失を抑制する裏面電界効果が向上
する。一方、後者の領域では、熱処理によってP+ 型微
結晶シリコン層が裏面電極と反応して変質する。熱処理
温度が高いほど変質の程度が大きくなり、変質したP+
型微結晶シリコン層と接するP型シリコン半導体基板の
裏面でのキャリアの再結合損失を増大する。300℃以
上の熱処理では、前者の領域での裏面電界効果の向上
を、後者の領域での再結合損失の増大が打ち消すことに
よって、裏面電界効果を低下させることになるものと思
われる。
によって、裏面電極と接する領域のP+ 型微結晶シリコ
ン層がP型シリコン半導体基板の裏面にキャリアの再結
合損失が大きい領域を形成して、裏面電界効果を低下さ
せることにあることが判明した。以下にその詳細を述べ
る。つまり、絶縁膜層によってP+ 型微結晶シリコン層
が裏面電極から離されたP型シリコン半導体基板裏面上
の領域での熱処理の影響と、P+ 型微結晶シリコン層が
裏面電極と接するP型シリコン半導体基板裏面上の領域
での熱処理の影響とは異なっている。まず、前者の領域
では、熱処理温度の上昇に伴いP+ 型微結晶シリコン層
の比抵抗値が小さくなり、P型シリコン半導体基板裏面
でのキャリア再結合損失を抑制する裏面電界効果が向上
する。一方、後者の領域では、熱処理によってP+ 型微
結晶シリコン層が裏面電極と反応して変質する。熱処理
温度が高いほど変質の程度が大きくなり、変質したP+
型微結晶シリコン層と接するP型シリコン半導体基板の
裏面でのキャリアの再結合損失を増大する。300℃以
上の熱処理では、前者の領域での裏面電界効果の向上
を、後者の領域での再結合損失の増大が打ち消すことに
よって、裏面電界効果を低下させることになるものと思
われる。
【0008】そこで、本発明の目的は、300℃以上の
高温での熱処理によっても、裏面電界効果が向上して、
高い光電変換効率が得られる太陽電池とその製造方法を
提供することにある。
高温での熱処理によっても、裏面電界効果が向上して、
高い光電変換効率が得られる太陽電池とその製造方法を
提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の太陽電池は、光
入射側の第1導電型のシリコン半導体基板上に第2導電
型のシリコン半導体層が設けられ、光入射側と反対側の
上記シリコン半導体基板上に第1絶縁層が所定領域のみ
に設けられ、上記シリコン半導体基板より高濃度の第1
導電型の微結晶シリコン半導体層が上記所定領域を覆う
ように設けられ、上記所定領域に対応する開口部を有す
る第2絶縁層が上記微結晶シリコン半導体層上に設けら
れ、裏面電極が上記開口部を覆うように設けられ上記微
結晶シリコン半導体層と導通することを特徴とする。
入射側の第1導電型のシリコン半導体基板上に第2導電
型のシリコン半導体層が設けられ、光入射側と反対側の
上記シリコン半導体基板上に第1絶縁層が所定領域のみ
に設けられ、上記シリコン半導体基板より高濃度の第1
導電型の微結晶シリコン半導体層が上記所定領域を覆う
ように設けられ、上記所定領域に対応する開口部を有す
る第2絶縁層が上記微結晶シリコン半導体層上に設けら
れ、裏面電極が上記開口部を覆うように設けられ上記微
結晶シリコン半導体層と導通することを特徴とする。
【0010】つまり、裏面電極と接続される領域の微結
晶シリコン半導体層は、第1絶縁層によってシリコン半
導体基板と離れているため、熱処理により変質してもシ
リコン半導体基板の裏面には直接影響を与えない。すな
わち、熱処理によって裏面電極と接する領域の微結晶シ
リコン半導体層がシリコン半導体基板の裏面にキャリア
の再結合損失が大きい領域を形成しない。
晶シリコン半導体層は、第1絶縁層によってシリコン半
導体基板と離れているため、熱処理により変質してもシ
リコン半導体基板の裏面には直接影響を与えない。すな
わち、熱処理によって裏面電極と接する領域の微結晶シ
リコン半導体層がシリコン半導体基板の裏面にキャリア
の再結合損失が大きい領域を形成しない。
【0011】また、第1導電型であって上記微結晶シリ
コン半導体層より低抵抗の層が、上記開口部に対応して
上記微結晶シリコン半導体層に設けられると共に上記裏
面電極に接続されていることを特徴とする。
コン半導体層より低抵抗の層が、上記開口部に対応して
上記微結晶シリコン半導体層に設けられると共に上記裏
面電極に接続されていることを特徴とする。
【0012】つまり、上記微結晶シリコン半導体層を介
して取り出す電流が開口部に集中しても、第1導電型の
低抵抗の層を設けているため、太陽電池の曲線因子の低
下が抑制され、さらに光電変換効率を高めることができ
る。
して取り出す電流が開口部に集中しても、第1導電型の
低抵抗の層を設けているため、太陽電池の曲線因子の低
下が抑制され、さらに光電変換効率を高めることができ
る。
【0013】また、第1絶縁層が、酸化シリコン膜であ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【0014】つまり、第1絶縁層はパッシベーション効
果の高い酸化シリコン膜で形成されることにより、シリ
コン半導体基板の絶縁層との界面でのキャリアの再結合
損失を抑える事ができ、製造工程での整合性もよい。な
お、第1絶縁膜に窒化シリコン膜を用いることもでき
る。
果の高い酸化シリコン膜で形成されることにより、シリ
コン半導体基板の絶縁層との界面でのキャリアの再結合
損失を抑える事ができ、製造工程での整合性もよい。な
お、第1絶縁膜に窒化シリコン膜を用いることもでき
る。
【0015】本発明の太陽電池の製造方法は、第1導電
型のシリコン半導体基板の一方面上に第2導電型のシリ
コン半導体層を形成する工程と、上記シリコン半導体基
板の他方面上の所定領域のみに第1絶縁層を形成する工
程と、上記所定領域を覆うように上記シリコン半導体基
板より高濃度の第1導電型微結晶シリコン半導体層を形
成する工程と、上記微結晶シリコン半導体層上に第2絶
縁層を形成する工程と、上記所定領域に対応して第2絶
縁層に開口部を形成する工程と、上記開口部を覆うよう
に裏面電極を形成して上記第1導電型微結晶シリコン半
導体層と接続する工程と、裏面電極形成後に300〜4
00℃の熱処理を行う工程と、を含むことを特徴とす
る。
型のシリコン半導体基板の一方面上に第2導電型のシリ
コン半導体層を形成する工程と、上記シリコン半導体基
板の他方面上の所定領域のみに第1絶縁層を形成する工
程と、上記所定領域を覆うように上記シリコン半導体基
板より高濃度の第1導電型微結晶シリコン半導体層を形
成する工程と、上記微結晶シリコン半導体層上に第2絶
縁層を形成する工程と、上記所定領域に対応して第2絶
縁層に開口部を形成する工程と、上記開口部を覆うよう
に裏面電極を形成して上記第1導電型微結晶シリコン半
導体層と接続する工程と、裏面電極形成後に300〜4
00℃の熱処理を行う工程と、を含むことを特徴とす
る。
【0016】本発明の太陽電池の製造方法によれば、熱
処理温度を上昇させることができ、第1絶縁層によって
裏面電極と離された所定領域上の周辺の微結晶シリコン
半導体層の品質向上によって、裏面電界効果を高める事
ができる。
処理温度を上昇させることができ、第1絶縁層によって
裏面電極と離された所定領域上の周辺の微結晶シリコン
半導体層の品質向上によって、裏面電界効果を高める事
ができる。
【0017】さらに、本発明の太陽電池の製造方法は、
第1導電型のシリコン半導体基板の一方面上に第2導電
型のシリコン半導体層を形成する工程と、上記シリコン
半導体基板の他方面上の所定領域のみに第1絶縁層を形
成する工程と、上記所定領域を覆うように上記シリコン
半導体基板より高濃度の第1導電型微結晶シリコン半導
体層を形成する工程と、上記微結晶シリコン半導体層上
に第2絶縁層を形成する工程と、上記所定領域に対応し
て第2絶縁層に開口部を形成する工程と、第1導電型で
あって上記微結晶シリコン半導体層より低抵抗の層を上
記微結晶シリコン半導体層に上記開口部に対応させて形
成する工程と、上記開口部を覆うように裏面電極を形成
して上記低抵抗の層と接続する工程と、裏面電極形成後
に300〜400℃の熱処理を行う工程と、を含むこと
を特徴とする。
第1導電型のシリコン半導体基板の一方面上に第2導電
型のシリコン半導体層を形成する工程と、上記シリコン
半導体基板の他方面上の所定領域のみに第1絶縁層を形
成する工程と、上記所定領域を覆うように上記シリコン
半導体基板より高濃度の第1導電型微結晶シリコン半導
体層を形成する工程と、上記微結晶シリコン半導体層上
に第2絶縁層を形成する工程と、上記所定領域に対応し
て第2絶縁層に開口部を形成する工程と、第1導電型で
あって上記微結晶シリコン半導体層より低抵抗の層を上
記微結晶シリコン半導体層に上記開口部に対応させて形
成する工程と、上記開口部を覆うように裏面電極を形成
して上記低抵抗の層と接続する工程と、裏面電極形成後
に300〜400℃の熱処理を行う工程と、を含むこと
を特徴とする。
【0018】本発明の太陽電池の製造方法によれば、熱
処理温度を上昇させることができ、第1絶縁層によって
裏面電極と離された所定領域上の周辺の微結晶シリコン
半導体層の品質向上によって、裏面電界効果を高める事
ができる上に、開口部の抵抗を低くできるので、太陽電
池の曲線因子の低下を抑制できる。
処理温度を上昇させることができ、第1絶縁層によって
裏面電極と離された所定領域上の周辺の微結晶シリコン
半導体層の品質向上によって、裏面電界効果を高める事
ができる上に、開口部の抵抗を低くできるので、太陽電
池の曲線因子の低下を抑制できる。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明に係る太陽電池とその製造
方法を実施例に基づき以下に説明する。
方法を実施例に基づき以下に説明する。
【0020】図1に、本発明の実施例に係る太陽電池の
断面構造を示す。ここでP型シリコン半導体基板11の
光入射面側にN型シリコン半導体層12が形成されてい
る。N型シリコン半導体層12の表面は、入射光の反射
を低減するために凹凸にされている。N型シリコン半導
体層12はシリコン酸化膜層13によって覆われてお
り、シリコン酸化膜層13は反射防止膜層14によって
覆われている。光照射により発生した表面からの電流
は、シリコン酸化膜層13と反射防止膜層14を貫通し
てN型シリコン半導体層12に接続されたグリッド電極
15を介して取り出される。P型シリコン半導体基板1
1の光入射面側と反対側の裏面上には、部分的にシリコ
ン酸化膜16が形成されている。P型シリコン半導体基
板11とシリコン酸化膜16を覆うように、基板と同じ
P型の不純物が高濃度に添加された裏面電界層を形成す
るP+ 型微結晶シリコン層17が形成されている。P+
型微結晶シリコン層17は絶縁膜層18によって覆われ
ており、絶縁膜層18は裏面電極19によって覆われて
いる。裏面電極19は、シリコン酸化膜16が形成され
ている領域20の内部に設けられ絶縁膜層18の無い開
口部21でP+ 型微結晶シリコン層17と接続されてい
る。裏面からの電流はこの裏面電極19を介して取り出
される。
断面構造を示す。ここでP型シリコン半導体基板11の
光入射面側にN型シリコン半導体層12が形成されてい
る。N型シリコン半導体層12の表面は、入射光の反射
を低減するために凹凸にされている。N型シリコン半導
体層12はシリコン酸化膜層13によって覆われてお
り、シリコン酸化膜層13は反射防止膜層14によって
覆われている。光照射により発生した表面からの電流
は、シリコン酸化膜層13と反射防止膜層14を貫通し
てN型シリコン半導体層12に接続されたグリッド電極
15を介して取り出される。P型シリコン半導体基板1
1の光入射面側と反対側の裏面上には、部分的にシリコ
ン酸化膜16が形成されている。P型シリコン半導体基
板11とシリコン酸化膜16を覆うように、基板と同じ
P型の不純物が高濃度に添加された裏面電界層を形成す
るP+ 型微結晶シリコン層17が形成されている。P+
型微結晶シリコン層17は絶縁膜層18によって覆われ
ており、絶縁膜層18は裏面電極19によって覆われて
いる。裏面電極19は、シリコン酸化膜16が形成され
ている領域20の内部に設けられ絶縁膜層18の無い開
口部21でP+ 型微結晶シリコン層17と接続されてい
る。裏面からの電流はこの裏面電極19を介して取り出
される。
【0021】次に、上記太陽電池の製造方法について、
図2に基づき説明する。図2は、上記太陽電池の製造フ
ローを示す図である。
図2に基づき説明する。図2は、上記太陽電池の製造フ
ローを示す図である。
【0022】まず、単結晶のP型シリコン半導体基板1
1(100mmφ,300μm厚、比抵抗:数Ω−c
m)を洗浄した後、表面が凹凸になるように異方性エッ
チングを行った(ステップS1)。ここで、単結晶のP
型シリコン半導体基板の替わりに、多結晶のP型シリコ
ン半導体基板を用いることもできる。この場合の表面凹
凸形成は、レーザを用いて溝を掘ったり、機械的に溝を
掘る方法により行う。
1(100mmφ,300μm厚、比抵抗:数Ω−c
m)を洗浄した後、表面が凹凸になるように異方性エッ
チングを行った(ステップS1)。ここで、単結晶のP
型シリコン半導体基板の替わりに、多結晶のP型シリコ
ン半導体基板を用いることもできる。この場合の表面凹
凸形成は、レーザを用いて溝を掘ったり、機械的に溝を
掘る方法により行う。
【0023】次に、オキシ塩化燐(POCl3) を用い
た気相拡散によって燐(P)をP型シリコン半導体基板
11の表面に拡散してN型シリコン半導体層12を形成
しPN接合を形成した(ステップS2)。続いて、光入
射面と反対側のP型シリコン半導体基板11の裏面側を
硝酸とフッ酸の混合液を用いてエッチングして、裏面側
に形成されているN型シリコン半導体層12を除去した
(ステップS3)。続いて、熱酸化により入射面側のシ
リコン酸化膜層13と裏面側全面のシリコン酸化膜16
とを同時に形成した(ステップS4)。さらに、光入射
側に窒化シリコン膜からなる反射防止膜層14をプラズ
マCVD法により形成した。
た気相拡散によって燐(P)をP型シリコン半導体基板
11の表面に拡散してN型シリコン半導体層12を形成
しPN接合を形成した(ステップS2)。続いて、光入
射面と反対側のP型シリコン半導体基板11の裏面側を
硝酸とフッ酸の混合液を用いてエッチングして、裏面側
に形成されているN型シリコン半導体層12を除去した
(ステップS3)。続いて、熱酸化により入射面側のシ
リコン酸化膜層13と裏面側全面のシリコン酸化膜16
とを同時に形成した(ステップS4)。さらに、光入射
側に窒化シリコン膜からなる反射防止膜層14をプラズ
マCVD法により形成した。
【0024】次に、フォトエッチング法を用いて、裏面
側のシリコン酸化膜16のパターニングを行い、後にP
+ 型微結晶シリコン層17と裏面電極19とが接続され
る予定の開口部21を含む領域20にシリコン酸化膜1
6を形成した(ステップS5)。領域20に形成された
シリコン酸化膜16は、P型シリコン半導体基板11と
後に形成されるP+ 型微結晶シリコン層17とを部分的
に分離する絶縁層となり、領域20のP型シリコン半導
体基板11の絶縁層の再結合損失を低減して、領域20
以外のP+ 型微結晶シリコン層17とP型シリコン半導
体基板11の界面での裏面電界効果を高める働きに優れ
ており、最適である。
側のシリコン酸化膜16のパターニングを行い、後にP
+ 型微結晶シリコン層17と裏面電極19とが接続され
る予定の開口部21を含む領域20にシリコン酸化膜1
6を形成した(ステップS5)。領域20に形成された
シリコン酸化膜16は、P型シリコン半導体基板11と
後に形成されるP+ 型微結晶シリコン層17とを部分的
に分離する絶縁層となり、領域20のP型シリコン半導
体基板11の絶縁層の再結合損失を低減して、領域20
以外のP+ 型微結晶シリコン層17とP型シリコン半導
体基板11の界面での裏面電界効果を高める働きに優れ
ており、最適である。
【0025】次に、プラズマCVD法により、P+ 型微
結晶シリコン層17を膜厚200nmでP型シリコン半
導体基板11の裏面とシリコン酸化膜層16とを覆って
形成した(ステップS6)。上記プラズマCVD法によ
るP+ 型微結晶シリコン層17の形成条件として、例え
ば、ガス種はSiH4 (またはSi2H6)とB2H6の混
合ガス、ガス流量比はH2/SiH4=150、B2H6/
SiH4=0.01、ガス圧力は20Pa、基板温度は
150℃、RFパワーは100W(13.56MHz)
である。
結晶シリコン層17を膜厚200nmでP型シリコン半
導体基板11の裏面とシリコン酸化膜層16とを覆って
形成した(ステップS6)。上記プラズマCVD法によ
るP+ 型微結晶シリコン層17の形成条件として、例え
ば、ガス種はSiH4 (またはSi2H6)とB2H6の混
合ガス、ガス流量比はH2/SiH4=150、B2H6/
SiH4=0.01、ガス圧力は20Pa、基板温度は
150℃、RFパワーは100W(13.56MHz)
である。
【0026】次に、プラズマCVD法により、窒化シリ
コン膜からなる絶縁膜層18を膜厚200nmでP+ 型
微結晶シリコン層17上に形成する(ステップS7)。
続いて、フォトエッチング法を用いて、絶縁膜層18の
パターニングを行い(ステップS8)、微結晶シリコン
層17と裏面電極19が接続される開口部21を開口し
てから、真空蒸着法でAlを裏面全面に蒸着し、裏面電
極19を形成する(ステップS9)。
コン膜からなる絶縁膜層18を膜厚200nmでP+ 型
微結晶シリコン層17上に形成する(ステップS7)。
続いて、フォトエッチング法を用いて、絶縁膜層18の
パターニングを行い(ステップS8)、微結晶シリコン
層17と裏面電極19が接続される開口部21を開口し
てから、真空蒸着法でAlを裏面全面に蒸着し、裏面電
極19を形成する(ステップS9)。
【0027】次に、フォトエッチング法を用いて光入射
側のシリコン酸化膜層13及び反射防止膜層14を開口
して、Ti,Pd,Agの順に金属を蒸着により堆積し
て、リフトオフ法により、グリッド電極15を形成する
(ステップS10)。
側のシリコン酸化膜層13及び反射防止膜層14を開口
して、Ti,Pd,Agの順に金属を蒸着により堆積し
て、リフトオフ法により、グリッド電極15を形成する
(ステップS10)。
【0028】最後に、水素(H2) ガス雰囲気中で熱処
理を行い(ステップS11)、太陽電池は完成する。本
実施例においては熱処理による太陽電池の特性変化を調
べるため、200℃,300℃,400℃,500℃の
4通りの温度で、各々10分間の熱処理を行った。雰囲
気は、窒素(N2)ガス、水素(H2)ガス、アルゴン
(Ar)ガスあるいはこれらの混合ガスが適当である。
理を行い(ステップS11)、太陽電池は完成する。本
実施例においては熱処理による太陽電池の特性変化を調
べるため、200℃,300℃,400℃,500℃の
4通りの温度で、各々10分間の熱処理を行った。雰囲
気は、窒素(N2)ガス、水素(H2)ガス、アルゴン
(Ar)ガスあるいはこれらの混合ガスが適当である。
【0029】上記製造方法により作製した本発明の太陽
電池と、図4に示した従来構造の太陽電池(構造上、裏
面のシリコン酸化膜がない点と、熱処理温度を250℃
とした点が異なり、他の製造条件が本発明と同じ)と
を、AM1.5のスペクトルで100mW/cm2 の光
のもとで電流―電圧特性を測定したところ、本発明の太
陽電池は300℃と400℃で熱処理したものが、従来
の太陽電池より高い光電変換効率が得られた。また、図
3には、400℃で熱処理した本発明の太陽電池の内部
収集効率(実線)と、H2 ガス中で250℃、10分の
熱処理をした図4に示した従来の太陽電池の内部収集効
率(破線)とを比較して示す。本発明の太陽電池は、裏
面電界効果の向上により波長1000nm以上の長波長
の光が有効に光電変換されていることが判る。なお、内
部収集効率は、短絡状態の太陽電池で光電変換されて出
力される短絡電流について、照射光の波長毎に吸収した
フォトン数に対して出力されるキャリア数(出力電流を
単位電荷で割った値)の比率を示す。
電池と、図4に示した従来構造の太陽電池(構造上、裏
面のシリコン酸化膜がない点と、熱処理温度を250℃
とした点が異なり、他の製造条件が本発明と同じ)と
を、AM1.5のスペクトルで100mW/cm2 の光
のもとで電流―電圧特性を測定したところ、本発明の太
陽電池は300℃と400℃で熱処理したものが、従来
の太陽電池より高い光電変換効率が得られた。また、図
3には、400℃で熱処理した本発明の太陽電池の内部
収集効率(実線)と、H2 ガス中で250℃、10分の
熱処理をした図4に示した従来の太陽電池の内部収集効
率(破線)とを比較して示す。本発明の太陽電池は、裏
面電界効果の向上により波長1000nm以上の長波長
の光が有効に光電変換されていることが判る。なお、内
部収集効率は、短絡状態の太陽電池で光電変換されて出
力される短絡電流について、照射光の波長毎に吸収した
フォトン数に対して出力されるキャリア数(出力電流を
単位電荷で割った値)の比率を示す。
【0030】図5に、本発明の他の実施例に係る太陽電
池の断面構造を示す。図1と同一部材には同一符号を付
し、説明は省略する。図1の太陽電池と異なる点は、P
+ 型微結晶シリコン層17内で開口部21近傍に、P+
型微結晶シリコン層17よりも低抵抗の層22が形成さ
れており、低抵抗の層22は裏面金属19に電気的に接
続されている。
池の断面構造を示す。図1と同一部材には同一符号を付
し、説明は省略する。図1の太陽電池と異なる点は、P
+ 型微結晶シリコン層17内で開口部21近傍に、P+
型微結晶シリコン層17よりも低抵抗の層22が形成さ
れており、低抵抗の層22は裏面金属19に電気的に接
続されている。
【0031】次に、上記太陽電池の製造方法は、図2に
示した製造フローにおいて、ステップS8とステップS
9との間にさらに別の工程を導入したものである。つま
り、開口部21を形成した後に、P+ 型微結晶シリコン
層17の開口部21に、レーザ光を照射することによ
り、その部分をポリシリコン化することにより、P+ 型
ポリシリコンの低抵抗の層22を得たものである。ここ
で、低抵抗の層22を形成するのにレーザ光を用いてい
るので、フォトエッチ工程が不要で、工程が簡略化で
き、コストを下げることできる。レーザ光としては、A
rFエキシマレーザ(波長:195nm)、KrFエキ
シマレーザ(波長:248nm)、XeClエキシマレ
ーザ(波長:308nm)等が使用できる。照射レーザ
光量は、500mJ/cm2としたが、これに限られる
ものではない。なお、レーザ光を照射する際に、光量を
少なくして、低抵抗の層22を、P+型微結晶シリコン
層としてもよい。
示した製造フローにおいて、ステップS8とステップS
9との間にさらに別の工程を導入したものである。つま
り、開口部21を形成した後に、P+ 型微結晶シリコン
層17の開口部21に、レーザ光を照射することによ
り、その部分をポリシリコン化することにより、P+ 型
ポリシリコンの低抵抗の層22を得たものである。ここ
で、低抵抗の層22を形成するのにレーザ光を用いてい
るので、フォトエッチ工程が不要で、工程が簡略化で
き、コストを下げることできる。レーザ光としては、A
rFエキシマレーザ(波長:195nm)、KrFエキ
シマレーザ(波長:248nm)、XeClエキシマレ
ーザ(波長:308nm)等が使用できる。照射レーザ
光量は、500mJ/cm2としたが、これに限られる
ものではない。なお、レーザ光を照射する際に、光量を
少なくして、低抵抗の層22を、P+型微結晶シリコン
層としてもよい。
【0032】また、レーザ光を照射する雰囲気に、3塩
化ボロン(BCl3)、トリメチルボロン(B(CH3)
3)、ジボラン等のP型のドーパントガスを加えておけ
ば、より低抵抗の層22が得られ、正孔を効率よく導出
することができる。
化ボロン(BCl3)、トリメチルボロン(B(CH3)
3)、ジボラン等のP型のドーパントガスを加えておけ
ば、より低抵抗の層22が得られ、正孔を効率よく導出
することができる。
【0033】なお、レーザ光を絶縁膜層18上からP+
型微結晶シリコン層17に照射して低抵抗の層22を形
成した後で開口部21を開口することも可能である。
型微結晶シリコン層17に照射して低抵抗の層22を形
成した後で開口部21を開口することも可能である。
【0034】以上の実施例では、P型シリコン半導体基
板を用いた場合について説明したが、N型シリコン基板
を用いた場合にも適用できる。その場合、N型シリコン
基板の光入射側に拡散される不純物はP型のボロン
(B)などであり、裏面電界層である微結晶シリコン層
はN型の不純物を高濃度に添加されたものが用いられ
る。
板を用いた場合について説明したが、N型シリコン基板
を用いた場合にも適用できる。その場合、N型シリコン
基板の光入射側に拡散される不純物はP型のボロン
(B)などであり、裏面電界層である微結晶シリコン層
はN型の不純物を高濃度に添加されたものが用いられ
る。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、太陽電池の裏面電界効
果をより向上できるので、光電変換効率を高めることが
できる。
果をより向上できるので、光電変換効率を高めることが
できる。
【0036】また、太陽電池の曲線因子を向上できるの
で、さらに光電変換効率を高めることができる。
で、さらに光電変換効率を高めることができる。
【0037】また、製造工程の熱処理を高温にできるた
め、製造工程上の熱処理マージンを増加させることがで
きる。
め、製造工程上の熱処理マージンを増加させることがで
きる。
【図1】本発明の実施例の太陽電池の断面構造を示す図
である。
である。
【図2】本発明の実施例の太陽電池の製造フローを示す
図である。
図である。
【図3】本発明の太陽電池の内部収集効率の波長依存性
を示す図である。
を示す図である。
【図4】従来の太陽電池の断面構造を示す図である。
【図5】本発明の他の実施例の太陽電池の断面構造を示
す図である。
す図である。
11 P型シリコン半導体基板 12 N型シリコン半導体層 13 シリコン酸化膜層 14 反射防止膜層 15 グリッド電極 16 シリコン酸化膜 17 P+ 型微結晶シリコン層 18 絶縁膜層 19 裏面電極 20 シリコン酸化膜16が形成された領域 21 開口部 22 低抵抗の層
フロントページの続き (72)発明者 山嵜 一郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 小松 雄爾 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 南森 孝幸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−192569(JP,A) 特開 平6−310740(JP,A) 特開 平6−169096(JP,A) 特開 平4−44276(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (5)
- 【請求項1】 光入射側の第1導電型のシリコン半導体
基板上に第2導電型のシリコン半導体層が設けられ、 光入射側と反対側の上記シリコン半導体基板上に第1絶
縁層が所定領域のみに設けられ、 上記シリコン半導体基板より高濃度の第1導電型の微結
晶シリコン半導体層が上記所定領域を覆うように設けら
れ、 上記所定領域に対応する開口部を有する第2絶縁層が上
記微結晶シリコン半導体層上に設けられ、 裏面電極が上記開口部を覆うように設けられ上記微結晶
シリコン半導体層と導通することを特徴とする太陽電
池。 - 【請求項2】 第1導電型であって上記微結晶シリコン
半導体層より低抵抗の層が、上記開口部に対応して上記
微結晶シリコン半導体層に設けられると共に上記裏面電
極に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の
太陽電池。 - 【請求項3】 第1絶縁層が、酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜のいづれかであることを特徴とする請求項1,
2に記載の太陽電池。 - 【請求項4】 第1導電型のシリコン半導体基板の一方
面上に第2導電型のシリコン半導体層を形成する工程
と、 上記シリコン半導体基板の他方面上の所定領域のみに第
1絶縁層を形成する工程と、 上記所定領域を覆うように上記シリコン半導体基板より
高濃度の第1導電型微結晶シリコン半導体層を形成する
工程と、 上記微結晶シリコン半導体層上に第2絶縁層を形成する
工程と、 上記所定領域に対応して第2絶縁層に開口部を形成する
工程と、 上記開口部を覆うように裏面電極を形成して上記第1導
電型微結晶シリコン半導体層と接続する工程と、 裏面電極形成後に300〜400℃の熱処理を行う工程
と、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項5】 第1導電型のシリコン半導体基板の一方
面上に第2導電型のシリコン半導体層を形成する工程
と、 上記シリコン半導体基板の他方面上の所定領域のみに第
1絶縁層を形成する工程と、 上記所定領域を覆うように上記シリコン半導体基板より
高濃度の第1導電型微結晶シリコン半導体層を形成する
工程と、 上記微結晶シリコン半導体層上に第2絶縁層を形成する
工程と、 上記所定領域に対応して第2絶縁層に開口部を形成する
工程と、 第1導電型であって上記微結晶シリコン半導体層より低
抵抗の層を上記微結晶シリコン半導体層に上記開口部に
対応させて形成する工程と、 上記開口部を覆うように裏面電極を形成して上記低抵抗
の層と接続する工程と、 裏面電極形成後に300〜400℃の熱処理を行う工程
と、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30725395A JP3158028B2 (ja) | 1995-07-25 | 1995-11-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7-188997 | 1995-07-25 | ||
JP18899795 | 1995-07-25 | ||
JP30725395A JP3158028B2 (ja) | 1995-07-25 | 1995-11-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0997916A JPH0997916A (ja) | 1997-04-08 |
JP3158028B2 true JP3158028B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=26505259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30725395A Expired - Fee Related JP3158028B2 (ja) | 1995-07-25 | 1995-11-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3158028B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4118187B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-07-16 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP2013165160A (ja) | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
-
1995
- 1995-11-27 JP JP30725395A patent/JP3158028B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0997916A (ja) | 1997-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6980079B2 (ja) | 太陽電池 | |
US9608131B2 (en) | Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts | |
JP3349308B2 (ja) | 光起電力素子 | |
US8349644B2 (en) | Mono-silicon solar cells | |
CN115241298B (zh) | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 | |
JP2846651B2 (ja) | 光起電力装置 | |
JP2931498B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JP2002270879A (ja) | 半導体装置 | |
US4781765A (en) | Photovoltaic device | |
CN115188837A (zh) | 一种背接触太阳能电池及制备方法、电池组件 | |
CN110943143A (zh) | 用于制造具有异质结和发射极扩散区的光伏太阳能电池的方法 | |
CN112133769A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
JP3158027B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
CN210200743U (zh) | 太阳能电池 | |
JP2808004B2 (ja) | 太陽電池 | |
TW202224200A (zh) | 背接觸式太陽電池及其製造 | |
AU2023343930A1 (en) | Solar cell and manufacturing method therefor | |
JP3193287B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP2003152205A (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 | |
JP3158028B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JP3346907B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JP6647425B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JPH1041531A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JP3459949B2 (ja) | 結晶系シリコン太陽電池およびその製造方法 | |
US5242504A (en) | Photovoltaic device and manufacturing method therefor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080209 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090209 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100209 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100209 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110209 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |