CN101055898A - 光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明是有关于一种光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法。该光电转换元件，包括一硅基板、一第一半导体层以及一第二半导体层。其中，硅基板中硅的纯度是大于等于95％，第一半导体层设置于硅基板之上，第二半导体层设置于第一半导体层上。该光电转换装置，包括：一光学转换元件，其包括一硅基板、一第一半导体层及一第二半导体层，该硅基板中硅的纯度是大于等于95％，第一半导体层设置于硅基板之上，第二半导体层设置于第一半导体层上；以及一电极对，包括一第一电极与一第二电极，第一电极与第一半导体层相连结，第二电极与第二半导体层相连结。其可改善现有的基板与第一半导体层间容易剥离的现象，进而能提高光电转换装置的光电转换效率与使用寿命。

Description

光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法

技术领域

本发明涉及一种光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法，特别是涉及一种具有硅纯度大于等于95％的硅基板的光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法。

背景技术

随着地球能源资源逐渐地短缺，开发新能源已成为科技业以及产业瞩目的焦点之一，替代性能源产品例如太阳能电池即成为业界努力开发的标的之一。太阳能电池是为一种利用光伏特效应(photovoltaic effect)将光能转换成电能的光电转换元件，即利用p-n二极管吸收光能量后产生自由电子与电洞，在p-n二极管接面附近的内建电场驱使下，使自由电子向n型半导体移动，而自由电洞向p型半导体移动，进而产生电流，最后经由电极将电流引出形成可供利用的电能。

请参阅图1所示，是一显示现有习知的一种太阳能电池的示意图。现有习知的一种薄膜太阳能电池1的基本结构，主要包括一基板10、一p-n半导体11、一抗反射层12以及一金属电极对13。其中，基板10为太阳能电池1的基底，p-n半导体11是设置于基板10上，作为将光能转换为电能的作用区，抗反射层12则设置于太阳能电池1的入光面，用以降低入射光的反射，而金属电极对13是可用于与一外界电路连接。

一般来说，太阳能电池使用的材料可区分为硅材料、III-V族与II-VI族化合物，目前则以硅为基板材料的太阳能电池为市场的主要产品，其中硅基板是由裁切半导体业用的硅晶片而得，而由于使用高纯度的硅材料使得太阳能电池的成本居高不下；另外，在裁切硅晶片的过程中因制程技术的限制而难以薄化基板的厚度，同时在制程中通常亦伴随40％以上的材料损耗，因而更加提高了太阳能电池的制造成本。

承上所述，为降低太阳能电池的成本故有薄膜太阳能电池的开发，其是在低成本的基板例如玻璃、塑胶、陶瓷、石墨与金属等上低温成长一层约数μm的硅薄膜作为光能转换为电能的作用区，然而，上述硅薄膜与例如玻璃或金属基板之间因存在着晶格匹配度、薄膜批覆性与膨胀系数差异等问题，而容易造成剥离现象。

由此可见，上述现有的光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法在产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。有鉴于此，如何提供一种光电转换元件的各层间具有良好匹配度的光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法，实为当今业者的重要课题之一，亦是当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法存在的缺陷，而提供一种新的具有硅纯度大于等于95％的硅基板的光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种光电转换装置，其包括：一光学转换元件，其包括一硅基板、一第一半导体层及一第二半导体层，该硅基板中硅的纯度是大于等于95％，该第一半导体层是设置于该硅基板之上，该第二半导体层是设置于该第一半导体层上；以及一电极对，其包括一第一电极与一第二电极，该第一电极是与该第一半导体层相连结，该第二电极是与该第二半导体层相连结。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的光电转换装置，其中所述的硅基板的厚度范围是为250μm至300μm。

前述的光电转换装置，其更包括一阻隔层，其是设置于该硅基板与该第一半导体层之间。

前述的光电转换装置，其中所述的阻隔层的材质是选自氧化硅、氮化硅或碳化硅。

前述的光电转换装置，其中所述的阻隔层的厚度范围是为10μm至50μm。

前述的光电转换装置，其中所述的阻隔层是为一多孔结构，其具有复数个穿孔。

前述的光电转换装置，其中所述的阻隔层的穿孔的孔隙度是为20％至70％。

前述的光电转换装置，其中所述的阻隔层的材质的粒径范围是为该阻隔层的厚度的0.3倍至0.7倍。

前述的光电转换装置，其中所述的第一导电层的晶粒大小(δ)与该阻隔层的穿孔的孔隙度(v)关系是符合下列方程式：δ＝n(v)^1/3，n＝0.3～1.5。

前述的光电转换装置，其中所述的第一半导体层的厚度范围是为20μm至150μm。

前述的光电转换装置，其中所述的第一半导体层的材质的粉径范围是为该第一半导体的厚度的0.01倍至0.3倍。

前述的光电转换装置，其中所述的硅基板中硅的纯度范围是为95％-99.99999％。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种光电转换元件的制造方法，其包括下列步骤：提供一硅基板，其硅的纯度是大于等于95％；在该硅基板之上形成一第一半导体层；以及在该第一半导体层上形成一第二半导体层。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的光电转换元件的制造方法，其中所述的硅基板是将硅材料真空铸造成硅晶块，并经由切割而成。

前述的光电转换元件的制造方法，其中所述的硅基板中硅的纯度范围是为95％-99.99999％。

前述的光电转换元件的制造方法，其中在形成该第一半导体层之前，在该硅基板之上形成一阻隔层。

前述的光电转换元件的制造方法，其中所述的阻隔层是以热喷涂技术形成于该硅基板之上。

前述的光电转换元件的制造方法，其中所述的第一半导体层是以热喷涂技术形成于该硅基板之上。

前述的光电转换元件的制造方法，其中在该第一半导体层形成之后更包括一再结晶程序。

前述的光电转换元件的制造方法，其中所述的再结晶程序是包括瞬间加热该第一半导体层至一温度，及冷却该第一半导体层。

前述的光电转换元件的制造方法，其中所述的温度范围是为1000℃至1500℃。

本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种光电转换装置的制造方法，其包括下列的步骤：提供一硅基板，其硅的纯度是大于等于95％；在该硅基板之上形成一第一半导体层；在该第一半导体层上形成一第二半导体层；以及设置一第一电极与一第二电极分别连结该第一半导体层与该第二半导体层。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的光电转换装置的制造方法，其中在该第一半导体层形成之后更包括一再结晶程序。

前述的光电转换装置的制造方法，其中所述的再结晶程序是包括瞬间加热该第一半导体层至一温度，及冷却该第一半导体层。

前述的光电转换装置的制造方法，其中所述的温度范围是为1000℃至1500℃。

前述的光电转换装置的制造方法，其中所述的第一电极或该第二电极是以网印方式形成。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本发明的主要技术内容如下：

为了达到上述目的，依据本发明的一种光电转换装置，包括一光学转换元件以及一电极对。其中，光学转换元件包括一硅基板、一第一半导体层及一第二半导体层，硅基板中硅的纯度是大于等于95％，第一半导体层是设置于硅基板之上，第二半导体层是设置于第一半导体层上；电极对是包括一第一电极与一第二电极，第一电极是与第一半导体层相连结，第二电极是与第二半导体层相连结。

另外，为了达到上述目的，依据本发明的一种光电转换元件，包括一硅基板、一第一半导体层及一第二半导体层。其中，硅基板中硅的纯度是大于等于95％，第一半导体层是设置于硅基板之上，第二半导体层是设置于第一半导体层上。

再者，为了达到上述的目的，依据本发明的一种光电转换元件用的基板，包括一硅基材，硅基材中硅的的纯度是大于等于95％。

此外，为了达到上述目的，依据本发明的一种光电转换元件的制造方法，其包括下列步骤：提供一硅基板，其硅的纯度是大于等于95％、在硅基板之上形成一第一半导体层及在第一半导体层上形成一第二半导体层。

此外，为了达到上述目的，依据本发明的一种光电转换装置的制造方法，其包括下列步骤：提供一硅基板，其硅的纯度是大于等于95％、在硅基板之上形成一第一半导体层、在第一半导体层上形成一第二半导体层及设置一第一电极与一第二电极分别连结第一半导体层与第二半导体层。

借由上述技术方案，本发明光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法至少具有下列优点：承上所述，因为依据本发明的一种光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法，是利用硅的纯度大于等于95％的硅基板组配光学转换元件，其中第一半导体层与第二半导体层是依序设置于硅基板上，由于以硅基板取代习知的例如玻璃或是金属基板，而与第一半导体层具有良好的晶格匹配度，可以改善现有习知的基板与第一半导体层间容易剥离的现象，进而能够提高光电转换装置的光电转换效率与使用寿命。

综上所述，本发明提供了一种新的具有硅纯度大于等于95％的硅基板的光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法。该光电转换元件，包括一硅基板、一第一半导体层以及一第二半导体层。其中，硅基板中硅的纯度是大于等于95％，第一半导体层是设置于硅基板之上，第二半导体层是设置于第一半导体层上。其可改善现有习知的基板与第一半导体层间容易剥离的现象，进而能提高光电转换装置的光电转换效率与使用寿命。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构、制造方法或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法具有增进的功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是一显示现有习知的一种太阳能电池的示意图。

图2与图3是显示依据本发明第一实施例的一种光学转换装置的一组示意图。

图4是一显示依据本发明第二实施例的一种光学转换元件的示意图。

图5是一显示依据本发明第三实施例的一种光学转换元件用的基板的示意图。

图6是一显示依据本发明第四实施例的一种光电转换装置的制造方法的流程示意图。

图7是一显示依据本发明第五实施例的一种光电转换元件的制造方法的流程示意图。

1：太阳能电池                10：基板

11：p-n半导体                12：抗反射层

13：金属电极对               2：光电转换装置

20：光电转换元件             201：硅基板

202：第一半导体层                203：第二半导体层

21：电极对                       211：第一电极

212：第二电极                    22：阻隔层

23：抗反射层                     30：光电转换元件

301：硅基板                      302：第一半导体层

303：第二半导体层                32：阻隔层

33：抗反射层                     41：基板

42：阻隔层

S1、S11、S2、S21、S3、S31、S4：本发明第四实施例的一种光电转换装置的制造方法的流程

S1’、S11’、S2’、S21’、S3’、S31’：本发明第五实施例的一种光电转换元件的制造方法的流程

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法其具体实施方式、结构、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后，其中相同的元件将以相同的符号加以说明。

第一实施例

请参阅图2所示，是显示依据本发明第一实施例的一种光学转换装置的示意图。依据本发明第一实施例的一种光电转换装置2，包括一光电转换元件20及一电极对21。光电转换元件20包括一硅基板201、一第一半导体层202以及一第二半导体层203。

其中，硅基板201中硅的纯度是大于等于95％，在本实施例中，硅的纯度范围可为95％至99.99999％，且硅基板201的厚度范围是为250μm至300μm。

如图2所示，第一半导体层202是设置于硅基板201之上，在本实施例中，第一半导体层202的厚度范围是为20μm至150μm，且其材质的粉径范围是为其厚度的0.01倍至0.3倍，即粉径范围是界于0.2μm至45μm之间。

另外，第二半导体层203是设置于第一半导体层202上，以形成一接面，详细来说，在本实施例中，第一半导体层202是可为一p型半导体，而第二半导体层203是为一n型半导体(如图2所示)。当然，第一半导体层202亦可为一n型半导体，而第二半导体层203则为一p型半导体，以形成一p-n接面，作为光能转换为电能的作用区。其中p型半导体的掺质例如可以是硼(boron)与镓(gallium)等，而n型半导体的掺质例如可以是磷(phosphorus)、砷(arsenic)等，以扩散法或离子植入法进行掺杂。

请参阅图3所示，是显示依据本发明第一实施例的一种光学转换装置的示意图。本实施例的光电转换装置2更包括一阻隔层22，是设置于硅基板201与第一半导体层202之间，以防止硅基板201内的金属杂质扩散而污染第一半导体层202与第二半导体层203形成的光能转换为电能的作用区。在本实施例中，阻隔层22的厚度范围是为10μm至50μm，其材质是可选自氧化硅、氮化硅或碳化硅等硅化合物。

承上所述，阻隔层22是为一多孔结构，其具有复数各穿孔，以提供光电转换装置2的电荷传导路径，其中阻隔层22的穿孔的孔隙度是为20％至70％，孔隙度的大小可藉由例如材质的粉末粒径作以调整。在本实施例中，阻隔层22的材质的粒径范围可为阻隔层22的厚度的0.3倍至0.7倍，即粒径范围可界于3μm至35μm之间。

另外，在本实施例中，第一导电层202的晶粒大小(δ)与阻隔层22的穿孔的孔隙度(v)关系是符合δ＝n(v)^1/3，其中n＝0.3～1.5。

请再参阅图3所示，该电极对21是包括一第一电极211与一第二电极212，第一电极211是与第一半导体层202相连接，第二电极212是与第二半导体层203相连接，如图2所示，在本实施例中，第一电极211与第二电极212是可以网印方式设置于光电转换元件20的相对两侧。

另外，再请参阅图3所示，本实施例的光电转换装置2更可包括一抗反射层23，设置于第二半导体层203之上，更详细说是可以例如但不限定为物理气相沉积法(physical vapor deposition)与化学气相沉积法(physical vapor deposition)等方式堆积于第二半导体层203之上，即在光电转换装置2的入光面批覆抗反射层23，以降低入射光线的反射，进而提高光电转换装置2的光电转换效率。其中，抗反射层23的材质是包括氮化硅。

承上所述，本实施例的光电转换装置2利用硅的纯度范围为95％至99.99999％的硅基板201组配，所示相较于现有习知的薄膜型太阳能电池来说，具有与该第一半导体层202良好的匹配度，且由于采用低纯度的硅材料为基板，所示相较于采用业用硅晶片为基板的太阳能电池更具有降低成本以及材料容易取得的优点。

第二实施例

请参阅图4所示，是一显示依据本发明第二实施例的一种光学转换元件的示意图。依据本发明第二实施例的一种光电转换元件30，包括一硅基板301、一第一半导体层302以及一第二半导体层303。

其中，硅基板301中硅的纯度是大于等于95％，在本实施例中，硅的纯度范围可为95％至99.99999％。而第一半导体层302与第二半导体层303是依序设置于硅基板301之上。

本实施例的光电转换元件30更可包括一阻隔层32与一抗反射层33。

由于在本实施例中的光电转换元件30的硅基板301、第一半导体层302、第二半导体层303、阻隔层32以及抗反射层33的设置关系、结构特征、材料特性与功能特征是如第一实施例相同元件所述，故在此不再赘述。

第三实施例

请参阅图5所示，是一显示依据本发明第三实施例的一种光学转换元件用的基板的示意图。依据本发明第三实施例的一种光电转换元件用的基板41，是包括一硅基材。

其中，该硅基材是可以为硅粉或硅块经由铸造而形成本实施例的基板41，硅基材中硅的纯度是大于等于95％。在本实施例中，硅的纯度范围可为95％至99.99999％。

本实施例的基板41更包括一阻隔层42，设置于硅基材之上。

而由于本实施例的基板41的硅基材及阻隔层42是如第一实施例的硅基板201与阻隔层22的应用，且其的结构特征、材料特性与功能特征皆如第一实施例所述，故此不再赘述。

第四实施例

请参阅图6所示，是一显示依据本发明第四实施例的一种光电转换装置的制造方法的流程示意图。依据本发明第四实施例的一种光电转换装置的制造方法，包括下列步骤：提供一硅基板，其硅的纯度是大于等于95％(S1)、在硅基板之上形成一第一半导体层(S2)、在第一半导体层上形成一第二半导体层(S3)及设置一第一电极与一第二电极分别连结第一半导体层与第二半导体层(S4)。

首先，硅基板的制得可将硅材料真空铸造成硅晶块，之后再以例如线切割(wire saw)的方式将硅晶块切割成而成。其中，硅材料可为低纯度硅材料，其纯度范围是为95％-99.99999％，且硅材料的型态可为硅粉或硅块，以形成厚度范围是为250μm至300μm的硅基板。

在步骤S2之前，本实施例的制造方法更包括在硅基板之上形成一阻隔层S11，其是以热喷涂技术将阻隔层的材质例如氧化硅、氮化硅或碳化硅等硅化合物形成于硅基板上，且阻隔层的厚度范围是为10μm至50μm。另外为提供光电转换装置的电荷传输路径，该阻隔层是为一多孔结构，具有复数穿孔，在此是利用控制阻隔层材质的粉末粒径、热喷涂操作温度、压力与距离等参数，来调整阻隔层的孔隙度，以阻隔层材质的粉末粒径来说，阻隔层的材质的粉径范围是为其厚度的0.3倍至0.7倍，即粒径范围可界于3μm至35μm之间，以使阻隔层的孔隙度落于20％至70％的范围。

之后，在完成阻隔层的作业后，亦以热喷涂技术将第一半导体层形成于阻隔层上，为得到最佳的界面结合性质。在此，分别形成第一半导体层与阻隔层的热喷涂系统是设置于同一制程环境中。本实施例的第一半导体层的材质可为纯度范围界于99.999999％至99.999999999％的硅或掺入例如硼的硅粉体形成p型半导体层(如图2所示)，当然，p型半导体层仅为举例，并不以此为限制。

如上所述，在本实施例之中，利用控制第二半导体层的材质的粉末粒径、热喷涂系统的操作温度、压力与时间等参数，调整第一半导体层的厚度，其中第一半导体层的厚度范围是为20μm至150μm，在此，第一半导体层的材质的粉径范围是为第一半导体的厚度的0.01倍至0.3倍，即粉径范围是界于0.2μm至45μm之间。

在步骤S2之后，本实施例的制造方法更包括一再结晶程序S21，以使第一半导体层的晶粒更大，增加电子的传输效率，在本实施例中，再结晶程序是包括以激光(laser)或快速退火炉(Rapid Thermal Annealing，RTA)瞬间加热第一半导体层至一温度，再冷却第一半导体层，其中温度范围是为1000℃至1500℃，在此，阻隔层的孔隙是可提供再结晶过程中的晶种，以使组织更致密，其中第一导电层的晶粒大小(δ)与该阻隔层的穿孔的孔隙度(v)关系是符合δ＝n(v)^1/3，其中n＝0.3～1.5。

在步骤S3，第二半导体层是可以例如扩散法或离子植入法形成于第一半导体层上，形成一接面以作为光电转换作用区。在本实施例中，第二半导体层的材质是可为掺入例如磷的硅粉体形成n型半导体层(如图2所示)，当然，n型半导体层仅为举例，并不限于此。

在步骤S3之后，本实施例的制造方法更包括在第二半导体层之上形成一抗反射层S31，其是可以例如但不限定为物理气相沉积法(physical vapordeposition)与化学气相沉积法(physical vapor deposition)等方式堆积于第二半导体层之上。其中抗反射层的材质是包括氮化硅。

在步骤S4，第一电极或第二电极是以例如网印方式分别设置连结于第一半导体层与第二半导体层。

第五实施例

请参阅图7所示，是一显示依据本发明第五实施例的一种光电转换元件的制造方法的流程示意图。依据本发明第五实施例的一种光电转换元件的制造方法，其包括下列步骤：提供一硅基板，其硅的纯度是大于等于95％(S1’)、在硅基板之上形成一第一半导体层(S2’)及在第一半导体层上形成一第二半导体层(S3’)。

在本实施例中，如上所述，在步骤S2’之前，更包括在硅基板之上形成一阻隔层S11’，在步骤S2’之后，更包括一再结晶程序S21’，以及在步骤S3’之后，更包括在第二半导体层之上形成一抗反射层S31’。

由于本实施例的该些步骤S1’、S11’、S2’、S21’、S3’及S31’皆如第四实施例的相同步骤所述，故在此不再赘述。

综上所述，依据本发明较佳实施例的一种光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法，是利用硅的纯度大于等于95％的硅基板组配光学转换元件，其中第一半导体层与第二半导体层是依序设置于硅基板上，由于以硅基板取代现有习知的例如玻璃或是金属基板，而与第一半导体层具有良好的晶格匹配度，可以改善现有习知的基板与第一半导体层间容易剥离的现象，进而能够提高光电转换装置的光电转换效率与使用寿命。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，仅为举例性，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (26)

1、一种光电转换装置，其特征在于其包括：

一光学转换元件，其包括一硅基板、一第一半导体层及一第二半导体层，该硅基板中硅的纯度是大于等于95％，该第一半导体层是设置于该硅基板之上，该第二半导体层是设置于该第一半导体层上；以及

一电极对，其包括一第一电极与一第二电极，该第一电极是与该第一半导体层相连结，该第二电极是与该第二半导体层相连结。

2、根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于其中所述的硅基板的厚度范围是为250μm至300μm。

3、根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于其更包括一阻隔层，其是设置于该硅基板与该第一半导体层之间。

4、根据权利要求3所述的光电转换装置，其特征在于其中所述的阻隔层的材质是选自氧化硅、氮化硅或碳化硅。

5、根据权利要求3所述的光电转换装置，其特征在于其中所述的阻隔层的厚度范围是为10μm至50μm。

6、根据权利要求3所述的光电转换装置，其特征在于其中所述的阻隔层是为一多孔结构，其具有复数个穿孔。

7、根据权利要求6所述的光电转换装置，其特征在于其中所述的阻隔层的穿孔的孔隙度是为20％至70％。

8、根据权利要求3所述的光电转换装置，其特征在于其中所述的阻隔层的材质的粒径范围是为该阻隔层的厚度的0.3倍至0.7倍。

9、根据权利要求6所述的光电转换装置，其特征在于其中所述的第一导电层的晶粒大小(δ)与该阻隔层的穿孔的孔隙度(ν)关系是符合下列方程式：δ＝n(ν)^1/3，n＝0.3～1.5。

10、根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于其中所述的第一半导体层的厚度范围是为20μm至150μm。

11、根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于其中所述的第一半导体层的材质的粉径范围是为该第一半导体的厚度的0.01倍至0.3倍。

12、根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于其中所述的硅基板中硅的纯度范围是为95％-99.99999％。

13、一种光电转换元件的制造方法，其特征在于其包括下列步骤：

提供一硅基板，其硅的纯度是大于等于95％；

在该硅基板之上形成一第一半导体层；以及

在该第一半导体层上形成一第二半导体层。

14、根据权利要求13所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于其中所述的硅基板是将硅材料真空铸造成硅晶块，并经由切割而成。

15、根据权利要求13所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于其中所述的硅基板中硅的纯度范围是为95％-99.99999％。

16、根据权利要求13所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于其中在形成该第一半导体层之前，在该硅基板之上形成一阻隔层。

17、根据权利要求16所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于其中所述的阻隔层是以热喷涂技术形成于该硅基板之上。

18、根据权利要求13所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于其中所述的第一半导体层是以热喷涂技术形成于该硅基板之上。

19、根据权利要求13所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于其中在该第一半导体层形成之后更包括一再结晶程序。

20、根据权利要求19所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于其中所述的再结晶程序是包括瞬间加热该第一半导体层至一温度，及冷却该第一半导体层。

21、根据权利要求20所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于其中所述的温度范围是为1000℃至1500℃。

22、一种光电转换装置的制造方法，其特征在于其包括下列步骤：

提供一硅基板，其硅的纯度是大于等于95％；

在该硅基板之上形成一第一半导体层；

在该第一半导体层上形成一第二半导体层；以及

设置一第一电极与一第二电极分别连结该第一半导体层与该第二半导体层。

23、根据权利要求22所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于其中在该第一半导体层形成之后更包括一再结晶程序。

24、根据权利要求23所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于其中所述的再结晶程序是包括瞬间加热该第一半导体层至一温度，及冷却该第一半导体层。

25、根据权利要求24所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于其中所述的温度范围是为1000℃至1500℃。

26、根据权利要求22所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于其中所述的第一电极或该第二电极是以网印方式形成。

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