CN101866971A - 具有选择性发射级太阳能电池片 - Google Patents
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Abstract
一种具有选择性发射级太阳能电池片,它由硅片、金字塔绒面、电极槽、重掺杂层、轻掺杂层、减反射膜、背银电极、铝背场和栅银电极组成,电极槽开设在硅片的上表面,重掺杂层扩散在电极槽中,在硅片上表面的金字塔绒面上扩散有轻掺杂层,栅银电极印制在电极槽中的重掺杂层上,在轻掺杂层的上表面沉积有减反射膜,在硅片的下表面上分别印制有背银电极和铝背场。这种结构的太阳能电池具有选择性发射级,提高了电池片的转换效率,与现有同类产品相比,平均光电转化效率提高2%-3%,达到18%以上,使光伏产业给社会带来更大的收益,它解决了晶体硅电池光电转化效率偏低的技术问题。
Description
【技术领域】
本发明涉及晶体硅太阳能电池,尤其涉及具有选择性发射级太阳能电池片。
【背景技术】
随着人们对再生绿色能源需求量的增长,晶体硅太阳能电池技术得到了快速发展。现有的晶体硅太阳能电池片的结构如图1所示,它由硅片1、金字塔绒面2、、减反射膜6、背银电极7、铝背场8、栅银电极9和均匀掺杂层10组成,均匀掺杂层10覆盖在硅片1的上表面上,在均匀掺杂层10上沉积有减反射膜6,栅银电极9印刷在减反射膜6上,在硅片1的下表面分别印制有背银电极7和铝背场8,这种结构的晶体硅太阳能电池片的光电转换效率一般在16%左右。随着太阳能电池的广泛应用,人们对太阳能电池的转换效率提出更高要求。因此,必须开发光电转换效率更高的晶体硅太阳能电池片。
【发明内容】
为了提高电池片的转换效率,本发明的目的是提供一种具有选择性发射级太阳能电池片。
本发明所述具有选择性发射级太阳能电池片,其特征是:它由硅片、金字塔绒面、电极槽、重掺杂层、轻掺杂层、减反射膜、背银电极、铝背场和栅银电极组成,在硅片的两侧面均制有金字塔绒面,电极槽开设在硅片的上表面,重掺杂层扩散在电极槽中,重掺杂层的方块电阻小于30Ω/□;在硅片上表面的金字塔绒面上扩散有轻掺杂层,轻掺杂层的方块电阻大于100Ω/□;栅银电极印制在电极槽中的重掺杂层上,在轻掺杂层的上表面沉积有减反射膜,在硅片的下表面上分别印制有背银电极和铝背场,背银电极和铝背场都与金字塔绒面粘连为一体。
这种结构的太阳能电池,在电池片表面形成了选择性发射级,在电极槽接触的地方形成良好的低欧姆接触,减小了接触电阻引起的损耗;而在非电极槽接触的地方形成了高欧姆区,其目的是为了避免电池片表面形成死层,从而减少光生电子空穴对的复合损耗。本发明能使晶体硅太阳能电池片具备选择性发射级,提高了电池片的转换效率,与现有同类产品相比,平均光电转化效率提高2%-3%,达到18%以上,使光伏产业给社会带来更大的收益,它解决了晶体硅电池光电转化效率偏低的技术问题。
【附图说明】
图1为现有晶体硅太阳能电池的结构示意图;
图2为本发明的结构示意图;
图3为本发明中硅片的结构示意图;
图中:1-硅片;2-金字塔绒面;3-电极槽;4-重掺杂层;5-轻掺杂层;6-减反射膜;7-背银电极;8-铝背场;9-栅银电极;10-均匀掺杂层。
【具体实施方式】
下面以单晶硅太阳能电池片为例来说明本发明的具体实施方式。
本发明所述具有选择性发射级太阳能电池片,如图2、图3所示,它由硅片1、金字塔绒面2、电极槽3、重掺杂层4、轻掺杂层5、减反射膜6、背银电极7、铝背场8和栅银电极9组成,在硅片1的两侧面均制有金字塔绒面2,电极槽3开设在硅片1的上表面,重掺杂层4扩散在电极槽3中,重掺杂层4的方块电阻小于30Ω/□;在硅片1上表面的金字塔绒面2上扩散有轻掺杂层5,轻掺杂层5的方块电阻大于100Ω/□;栅银电极9印制在电极槽3中的重掺杂层4上,在轻掺杂层5的上表面沉积有减反射膜6,在硅片1的下表面上分别印制有背银电极7和铝背场8,背银电极7和铝背场8都与金字塔绒面2粘连为一体。
Claims (1)
1.一种具有选择性发射级太阳能电池片,其特征是:它由硅片(1)、金字塔绒面(2)、电极槽(3)、重掺杂层(4)、轻掺杂层(5)、减反射膜(6)、背银电极(7)、铝背场(8)和栅银电极(9)组成,在硅片(1)的两侧面均制有金字塔绒面(2),电极槽(3)开设在硅片(1)的上表面,重掺杂层(4)扩散在电极槽(3)中,重掺杂层(4)的方块电阻小于30Ω/□;在硅片(1)上表面的金字塔绒面(2)上扩散有轻掺杂层(5),轻掺杂层(5)的方块电阻大于100Ω/□;栅银电极(9)印制在电极槽(3)中的重掺杂层(4)上,在轻掺杂层(5)的上表面沉积有减反射膜(6),在硅片(1)的下表面上分别印制有背银电极(7)和铝背场(8),背银电极(7)和铝背场(8)都与金字塔绒面(2)粘连为一体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010174164A CN101866971A (zh) | 2010-05-18 | 2010-05-18 | 具有选择性发射级太阳能电池片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010174164A CN101866971A (zh) | 2010-05-18 | 2010-05-18 | 具有选择性发射级太阳能电池片 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101866971A true CN101866971A (zh) | 2010-10-20 |
Family
ID=42958606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010174164A Pending CN101866971A (zh) | 2010-05-18 | 2010-05-18 | 具有选择性发射级太阳能电池片 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101866971A (zh) |
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