JP4688901B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態に係る半導体装置について、図1から図4を用いて、説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100の断面図である。この図1に示すように、トレンチ型絶縁ゲート半導体装置100は、主表面141および主表面141に対して反対側に位置する主表面142を有する半導体基板140と、主表面141と主表面142との間に形成されたn型(第1導電型)のn−半導体基体(第1不純物領域)114と、主表面142に形成され、p型(第2導電型)のPコレクタ層(第2不純物領域)116とを備えている。
Pベース領域122の上面の少なくとも一部と、ダミーゲート121の上面の少なくとも一部とは、層間絶縁膜111によって覆われておらず、エミッタ電極110と接触している。
図5から図11を用いて、本発明の実施の形態に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100およびその製造方法について説明する。
図12を用いて、本発明の実施の形態3に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。なお、図12において、上記図1から図11に示された構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
図13を用いて、本発明の実施の形態4に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。この図13において、上記図1から図12に示された構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する。
図14を用いて、本発明の実施の形態5に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。なお、図14に示す構成のうち、上記図1から図13に示されて構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する場合がある。図14は、本発明の実施の形態5に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100の断面図である。
図15を用いて、本発明の実施の形態6に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。なお、図15に示す構成において、上記図1から図14に示された構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
フローティング領域112の電位が変動したとしても、ゲート電極120の電位に与える影響を小さく抑えることができる。
図16を用いて、本発明の実施の形態7に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。なお、図16に示された構成のうち、上記図1から図15に示された構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
図17を用いて、本発明の実施の形態8に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。なお、図17に示す構成において、上記図1から図16に示す構成と同一または総統する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。
図18を用いて、本発明の実施の形態9に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。なお、図18に示す構成において、上記の図1から図17に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
図19を用いて、本発明の実施の形態10に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。なお、図19に示す構成において、上記図1から図18に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
図20を用いて、本発明の実施の形態11に係る発明に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100を説明する。なお、図20に示す構成において、上記図1から図19に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略することができる。
図21を用いて、本発明の実施の形態12に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。なお、図21に示す構成において、上記図1から図20に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。
図22を用いて、本発明の実施の形態13に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。なお、図22に示された構成のうち、上記図1から図21に示された構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある
このトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100のセル300は、ゲート電極120と、このゲート電極120の両側に位置する主表面141上に形成されたPベース領域122と、このPベース領域122上であって、ゲート電極120の両側に位置する部分に形成されたエミッタ層118と、Pベース領域122に対してゲート電極120と反対側に設けられたダミーゲート121と、Pベース領域122下に形成された電荷蓄積層113とを備えている。
図23を用いて、本発明の実施の形態14に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。なお、図23に示す構成のうち、上記図1から図22に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
図24を用いて本発明の実施の形態15に係るトレンチ型絶縁ゲート半導体装置100について説明する。
Claims (3)
- 第1および第2主表面を有する半導体基板と、
前記第1主表面と前記第2主表面との間に形成された第1導電型の第1不純物領域と、
前記第2主表面に形成された第2導電型の第2不純物領域と、
前記第1主表面に形成され、前記第1不純物領域に達する第1溝部と、
前記第1溝部内に第1絶縁膜を介して形成された第1電極と、
前記第1溝部に対して間隔を隔てて形成され、前記第1主表面から前記第1不純物領域に達する第2溝部と、
前記第2溝部内に第2絶縁膜を介して形成された第2電極と、
前記第1電極に接続され、該第1電極にゲート電圧を印加可能なゲート配線と、
前記第1主表面のうち、前記第1電極に対して前記第2電極側に隣り合う位置に形成された前記第1導電型の第3不純物領域と、
前記第1電極および前記第2電極の間に位置する前記第1主表面に形成されると共に、前記第3不純物領域を取り囲むように形成された第2導電型の第4不純物領域と、
前記第1主表面上に形成され、前記第3不純物領域および前記第4不純物領域に接続された主電極と、
前記第1電極上に形成され、前記主電極と前記第1電極とを絶縁可能な層間絶縁膜と、
前記第1および第2電極の間であって、前記第4不純物領域および前記第1不純物領域の間に形成され、前記第1不純物領域よりも不純物濃度が高い第1導電型の第5不純物領域と、
を備え、
前記第1電極および前記第2電極の配列方向における前記第5不純物領域の幅が、1.4μm以下とされ、
前記第2電極に対して前記第4不純物領域と反対側に隣り合う前記第1主表面に形成され、前記第2導電型の第6不純物領域をさらに備え、
前記主電極は、前記第1および第2電極の配列方向に向けて延び、
前記層間絶縁膜は、前記第6不純物領域と前記主電極とを絶縁するように、前記第6不純物領域上に形成され、
前記第6不純物領域内に形成され、前記第6不純物領域を分割するように形成された第3溝部と、前記第3溝部内に第3絶縁膜を介して形成された第3電極とをさらに備え、
前記第3電極は、前記主電極に接続され、
前記第3電極の幅は、前記第1および第2電極の幅よりも広く形成され、
前記主電極は、前記第2電極に接続された、半導体装置。 - 前記第3電極の深さは、前記第2電極の深さよりも深い、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第3電極は、前記半導体基板の主表面上に間隔を隔てて複数形成された、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
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