JP2017120801A - 半導体装置およびそれを用いる電力変換装置 - Google Patents
半導体装置およびそれを用いる電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017120801A JP2017120801A JP2015255727A JP2015255727A JP2017120801A JP 2017120801 A JP2017120801 A JP 2017120801A JP 2015255727 A JP2015255727 A JP 2015255727A JP 2015255727 A JP2015255727 A JP 2015255727A JP 2017120801 A JP2017120801 A JP 2017120801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer
- trench
- semiconductor
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
104 エミッタ電極、105 ゲートトレンチ、106 ダミートレンチ、
107 ゲート電極、108 絶縁層、109 ゲート絶縁層、
110 ダミートレンチ電極、111 ダミートレンチ絶縁層、
112 n+エミッタ層、113 p+コンタクト層、114 pベース層、
115 nバリア層、116 pウェル層、117 n電界集中層、
118 nバッファ層、
1001〜1006 IGBT、2001〜2006 環流ダイオード、
P 正極端子、N 負極端子、U U相端子、V V相端子、W W相端子。
Claims (10)
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層に隣接する第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の両側の内、前記第1半導体層が位置する側とは反対側に位置するゲートトレンチおよびダミートレンチと、
前記ゲートトレンチと前記ダミートレンチの間に位置し、前記第2半導体層に隣接する第1導電型の第3半導体層と、
前記第3半導体層内に位置する第2導電型の第4半導体層と、
前記ダミートレンチの両側の内、前記ゲートトレンチの位置する側とは反対側に位置する第1導電型の第5半導体層と、
前記第1半導体層と電気的に接続される第1主電極と、
前記第3半導体層および前記第4半導体層と電気的に接続される第2主電極と、
前記ゲートトレンチにおいて、ゲート絶縁層を介して、前記第2半導体層、前記第3半導体層および前記第4半導体層に跨って設けられるゲート電極と、
前記ダミートレンチにおいて、ダミートレンチ絶縁層を介して設けられると共に、前記第2主電極と電気的に接続されるダミーゲート電極と、
前記第2半導体層よりも不純物濃度が高く、前記第5半導体層と前記ダミートレンチの間に位置する第2導電型の第6半導体層と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第6半導体層は、前記ダミートレンチの表面に接することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置おいて、
前記第6半導体層は、前記第5半導体層に接することを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第2半導体層の一部が、前記第5半導体層と前記第6半導体層の間に介在することを特徴とする半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記第2半導体層の一部が、前記ダミートレンチと前記第6半導体層の間に介在することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第2半導体層の一部が、前記第5半導体層と前記第6半導体層の間と、前記ダミートレンチと前記第6半導体層の間に介在することを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第6半導体層は、前記第5半導体層に接することを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記第6半導体層は、前記第5半導体層の底部を覆うことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、さらに、
前記第2半導体層は、前記第1半導体層に隣接する第1領域と、前記第1領域および前記第3半導体層に接する第2領域と、備え、
前記第2領域の不純物濃度は、前記第2領域における前記第2領域との接触部における不純物濃度よりも不純物濃度が高いことを特徴とする半導体装置。 - 一対の直流端子と、
交流の相数に等しい個数の複数の交流端子と、
前記一対の直流端子と前記複数の交流端子の間に接続される複数のスイッチング素子と、
を備える電力変換装置において、
前記スイッチング素子を請求項1に記載された半導体装置とすることを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015255727A JP2017120801A (ja) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 半導体装置およびそれを用いる電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015255727A JP2017120801A (ja) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 半導体装置およびそれを用いる電力変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017120801A true JP2017120801A (ja) | 2017-07-06 |
Family
ID=59272631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015255727A Pending JP2017120801A (ja) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 半導体装置およびそれを用いる電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017120801A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11296076B2 (en) | 2019-11-01 | 2022-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
WO2023228586A1 (ja) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 | 株式会社日立パワーデバイス | 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002058160A1 (fr) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semi-conducteur |
JP2009277792A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2013120809A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 |
-
2015
- 2015-12-28 JP JP2015255727A patent/JP2017120801A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002058160A1 (fr) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semi-conducteur |
JP2009277792A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2013120809A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11296076B2 (en) | 2019-11-01 | 2022-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
WO2023228586A1 (ja) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 | 株式会社日立パワーデバイス | 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6846119B2 (ja) | ダイオード、およびそれを用いた電力変換装置 | |
US7616859B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5891023B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP4644730B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP2009033036A (ja) | 半導体装置及びこれを用いた電気回路装置 | |
JP2007258363A (ja) | 半導体装置 | |
JP6072445B2 (ja) | 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 | |
US20150279985A1 (en) | Trench transistor device | |
JP6797005B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013115223A (ja) | 半導体装置 | |
JP5135666B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5932623B2 (ja) | 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 | |
WO2016113865A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011238975A (ja) | 半導体装置とその半導体装置を備えている給電装置の駆動方法 | |
JP2013008779A (ja) | ダイオード | |
JPWO2020202430A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP6302767B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP2017120801A (ja) | 半導体装置およびそれを用いる電力変換装置 | |
JP6101440B2 (ja) | ダイオードおよびそれを用いた電力変換装置 | |
JP2007150121A (ja) | 電力用半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 | |
Rahimo et al. | Realization of higher output power capability with the bi-mode insulated gate transistor (BIGT) | |
US20200373382A1 (en) | Semiconductor device | |
JPWO2015107614A1 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP6047429B2 (ja) | 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 | |
JP6002387B2 (ja) | ダイオードおよびそれを用いた電力変換システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20180531 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190611 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20191203 |