JP2023041717A - 光電変換デバイスの製造方法、電子写真感光体の製造方法、太陽電池の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents
光電変換デバイスの製造方法、電子写真感光体の製造方法、太陽電池の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023041717A JP2023041717A JP2023004663A JP2023004663A JP2023041717A JP 2023041717 A JP2023041717 A JP 2023041717A JP 2023004663 A JP2023004663 A JP 2023004663A JP 2023004663 A JP2023004663 A JP 2023004663A JP 2023041717 A JP2023041717 A JP 2023041717A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoelectric conversion
- film
- conversion device
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 120
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 24
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 title description 73
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 27
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 63
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 44
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 15
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 203
- 239000010408 film Substances 0.000 description 154
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 53
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 47
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 42
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 39
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 34
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 31
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 28
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 26
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 25
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 23
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- -1 nitrogen-containing metal oxide Chemical class 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000002165 photosensitisation Effects 0.000 description 15
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 15
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 14
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 12
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 9
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 5
- UNRNJMFGIMDYKL-UHFFFAOYSA-N aluminum copper oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Cu+2] UNRNJMFGIMDYKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DIKBFYAXUHHXCS-UHFFFAOYSA-N bromoform Chemical compound BrC(Br)Br DIKBFYAXUHHXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical compound C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004419 Panlite Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PRBHEGAFLDMLAL-UHFFFAOYSA-N 1,5-Hexadiene Natural products CC=CCC=C PRBHEGAFLDMLAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MKYQPGPNVYRMHI-UHFFFAOYSA-N Triphenylethylene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MKYQPGPNVYRMHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N as-o-xylenol Natural products CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229950005228 bromoform Drugs 0.000 description 2
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 2
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene Chemical compound C=CCCC=C PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N iodobenzene Chemical compound IC1=CC=CC=C1 SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 235000010746 mayonnaise Nutrition 0.000 description 2
- 239000008268 mayonnaise Substances 0.000 description 2
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N monofluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1 PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229940078552 o-xylene Drugs 0.000 description 2
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 2
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHQCQFFYRZLCQQ-UHFFFAOYSA-N (3alpha,5alpha,7alpha,12alpha)-3,7,12-trihydroxy-cholan-24-oic acid Natural products OC1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 BHQCQFFYRZLCQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDATBOHQWOJDD-UHFFFAOYSA-N (3beta,5beta,7alpha)-3,7-Dihydroxycholan-24-oic acid Natural products OC1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)CC2 RUDATBOHQWOJDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical compound C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Cl)=CC=CC2=C1 JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWQBZEFLFSFEOS-UHFFFAOYSA-N 3,5-ditert-butyl-2-hydroxybenzoic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C(O)=O)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 ZWQBZEFLFSFEOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004380 Cholic acid Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 235000005956 Cosmos caudatus Nutrition 0.000 description 1
- 229910018572 CuAlO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[Nb+5] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Nb+5] OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical class C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- ZCILODAAHLISPY-UHFFFAOYSA-N biphenyl ether Chemical group C1=C(CC=C)C(O)=CC(OC=2C(=CC(CC=C)=CC=2)O)=C1 ZCILODAAHLISPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLOHLDVJGPUFR-UHFFFAOYSA-L calcium;3,4,5,6-tetrahydroxy-2-oxohexanoate Chemical compound [Ca+2].OCC(O)C(O)C(O)C(=O)C([O-])=O.OCC(O)C(O)C(O)C(=O)C([O-])=O NNLOHLDVJGPUFR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920003086 cellulose ether Polymers 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- RUDATBOHQWOJDD-BSWAIDMHSA-N chenodeoxycholic acid Chemical compound C([C@H]1C[C@H]2O)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)CC1 RUDATBOHQWOJDD-BSWAIDMHSA-N 0.000 description 1
- 229960001091 chenodeoxycholic acid Drugs 0.000 description 1
- BHQCQFFYRZLCQQ-OELDTZBJSA-N cholic acid Chemical compound C([C@H]1C[C@H]2O)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)[C@@H](O)C1 BHQCQFFYRZLCQQ-OELDTZBJSA-N 0.000 description 1
- 229960002471 cholic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000019416 cholic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N copper;sulfanylideneindium Chemical compound [Cu].[In]=S LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000001907 coumarones Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- DTPCFIHYWYONMD-UHFFFAOYSA-N decaethylene glycol Polymers OCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCO DTPCFIHYWYONMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N deoxycholic acid Natural products C1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000005597 hydrazone group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000002440 hydroxy compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 125000003387 indolinyl group Chemical class N1(CCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001741 metal-organic molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N methylazanide Chemical compound [NH-]C MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M molport-000-691-708 Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[Ga](Cl)N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- ZPIRTVJRHUMMOI-UHFFFAOYSA-N octoxybenzene Chemical compound CCCCCCCCOC1=CC=CC=C1 ZPIRTVJRHUMMOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002114 octoxynol-9 Polymers 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000001791 phenazinyl group Chemical class C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C12)* 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920006215 polyvinyl ketone Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- GROMGGTZECPEKN-UHFFFAOYSA-N sodium metatitanate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Ti](=O)O[Ti](=O)O[Ti]([O-])=O GROMGGTZECPEKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000003852 thin film production method Methods 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0436—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0564—Polycarbonates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0666—Dyes containing a methine or polymethine group
- G03G5/0672—Dyes containing a methine or polymethine group containing two or more methine or polymethine groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
Abstract
Description
しかし、前記色素増感太陽電池は有機材料である有機増感色素を含むため、シリコン系太陽電池に比べ、使用材料が温度や湿度、酸素、オゾン、NOx、アンモニア等のガスにより変質し、そのことにより機能低下しやすくシリコン系太陽電池に比べ耐久性の観点では劣るという問題がある。
これら有機EL素子の形成方法としては生産性及びコストの面から塗布型の形成方法が用いられている。また、有機EL素子は熱、水分や酸素等のガスに暴露により劣化しやすく、その結果、有機EL素子の寿命が短くなるという問題がある。
また、表層が導電性を有する支持体上に、窒素を含有する金属酸化物で構成された電荷発生層を設けた電子写真感光体は、短波長領域の露光光源に対して高い感度を有することが報告されている(例えば、特許文献2参照)。
本発明の光電変換デバイスは、支持体と、前記支持体上に、有機電荷輸送物質を含む電荷輸送層、又は有機増感色素を含む増感色素電極層と、前記電荷輸送層又は前記増感色素電極層の上に、セラミック膜とを有することを特徴とする。
前記光電変換デバイスとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子写真感光体、太陽電池、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子、トランジスタ、集積回路、レーザーダイオード、発光ダイオード等のデバイスが挙げられる。
ここで、ハザードとは、機械的ハザード及び化学的ハザードの二種類に大別される。
背景技術に記載した特許文献1の提案については、保護層にp型半導体としてセラミックを含有するが、前記セラミックは、膜状ではなく粒子状半導体である。
特許文献2~3の提案では、金属酸化物膜や化合物半導体薄膜を、有機材料を含む層の上に設けたものではなく、本発明の課題を達成することができない。
前記セラミック膜は、セラミックからなる膜である。
前記セラミックとは、一般に、金属を焼成して得られる金属化合物である。前記セラミックとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物などが挙げられる。
前記セラミックが、セラミック半導体であることが好ましい。
前記セラミック膜が、セラミック半導体膜であることが好ましい。
前記セラミック半導体とは、セラミックの中でも酸素欠損等で通常の電子配置に一部欠陥を有するものを指し、前記電子配置の欠陥によって特定条件下で導電性が発現する化合物の総称である。
前記セラミック半導体膜とは、前記電子配置の欠陥によって特定条件下で導電性が発現する特徴を有し、且つセラミック半導体成分が間隔を置かずに緻密に配置された層であり、有機化合物を含まない層と定義する。前記セラミック半導体膜が、デラフォサイトを含むことが好ましい。
さらに、本発明においては光電変換デバイスに適用する観点から、正孔又は電子のいずれかの電荷の移動性を有することが好ましい。
また、前記セラミック半導体膜の電界強度2×105V/cmにおける電荷移動度としては、1×10-6cm2/Vsec以上が好ましい。本願発明においては電荷移動度が高いほど好ましい。
ここで、前記電荷移動度の測定方法としては、特に制限はなく、目的に応じて一般的な測定方法を適宜選択することができ、例えば、特開2010-183072号公報に記載されている手順でサンプル作製と測定を行う方法が挙げられる。
前記デラフォサイト(以下、「p型半導体」、「p型金属化合物半導体」と称することがある)としては、p型半導体としての機能があれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、p型金属酸化物半導体、一価の銅を含むp型化合物半導体、その他のp型金属化合物半導体などが挙げられる。
前記p型金属酸化物半導体としては、例えば、CoO,NiO,FeO,Bi2O3,MoO2,MoS2,Cr2O3、SrCu2O2,CaO-Al2O3などが挙げられる。
前記一価の銅を含むp型化合物半導体としては、例えば、CuI,CuInSe2,Cu2O,CuSCN,CuS,CuInS2,CuAlO,CuAlO2,CuAlSe2,CuGaO2,CuGaS2,CuGaSe2などが挙げられる。
前記その他のp型金属化合物半導体としては、例えば、GaP,GaAs,Si,Ge,SiCなどが挙げられる。
前記セラミック膜の作製方法(成膜方法)としては、特に制限はなく、目的に応じて、一般に用いられている無機材料の成膜方法を適宜選択することができ、例えば、気相成長法、液相成長法、固相成長法などが挙げられる。
前記気相成長法としては、例えば、物理的気相成長法(PVD)、化学的気相成長法(CVD)とに分類される。
前記物理的気相成長法としては、例えば、真空蒸着、電子ビーム蒸着、レーザーアブレーション法、レーザーアブレーションMBE、MOMBE、反応性蒸着、イオンプレーティング、クラスタイオンビーム法、グロー放電スパッタリング、イオンビームスパッタリング、反応性スパッタリングなどが挙げられる。
前記化学的気相成長法としては、例えば、熱CVD法、MOCVD、RFプラズマCVD、ECRプラズマCVD、光CVD、レーザーCVDなどが挙げられる。
前記液相成長法としては、例えば、LPE法、電気メッキ法、無電界メッキ法やコーティング法などが挙げられる。
前記固相成長法としては、例えば、SPE、再結晶法、グラフォエピタキシ、LB法、ゾルゲル法、エアロゾルデポジッション(AD)法などが挙げられる。
これらの中でも、電子写真感光体のような比較的大面積領域に均質な膜の製膜や電子写真感光体特性に影響を与えないようにする点で、AD法が好ましい。
前記エアロゾルデポジッション(AD)法とは、予め準備された微粒子、乃至超微粒子をガスと混合してエアロゾル化し、ノズルを通して製膜対象物(基板)に噴射して被膜を形成する技術である。
前記AD法の特徴として、常温環境での製膜が可能であり、原材料の結晶構造をほぼ維持した状態で製膜を行えることから光電変換デバイス(特に、電子写真感光体)上での製膜に適している。
この場合には、図8に示すようなエアロゾルデポジッション装置を用いる。図8に示すガスボンベ11には、エアロゾルを発生させるための不活性な気体が貯蔵されている。ガスボンベ11は、配管12aを介してエアロゾル発生器13に連結され、配管12aは、エアロゾル発生器13の内部に引き出されている。エアロゾル発生器13の内部には、一定量の金属酸化物乃至化合物半導体からなる粒子20が投入される。エアロゾル発生器13に連結されるもう1つの配管12bは成膜チャンバ14の内部で噴射ノズル15に接続される。
本発明の光電変換デバイスの一実施形態は、電子写真感光体である。
前記電子写真感光体(以下、「感光体」と称することがある)は、支持体として導電性支持体と、前記導電性支持体上に有機電荷輸送物質を含む電荷輸送層と、前記電荷輸送層の上に前記セラミック膜とを有し、更に電荷発生層を有し、更に必要に応じて、中間層、保護層などのその他の層を有する。
前記セラミック膜としては、前述した事項を適宜適用することができる。
なお、電荷発生層と電荷輸送層とを順次積層させた層を感光層と称することがある。
以下に、光電変換デバイスが、電子写真感光体である場合について説明するが、電子写真感光体のみに限定されず、他の光電変換デバイスにも適用可能である。
図5に、電子写真感光体の一実施形態を示す。図5に示す態様において、電子写真感光体10Aは、導電性支持体1上に、中間層2、電荷発生層3、電荷輸送層4、及びセラミック膜5をこの順に有する。
前記導電性支持体としては、体積抵抗値が1010Ω・cm以下の導電性を示すものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄等の金属や、酸化スズ、酸化インジウム等の酸化物を、蒸着又はスパッタリングによりフィルム状又は円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの;アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板;これらを、Drawing Ironing法、Impact Ironing法、Extruded Ironing法、Extruded Drawing法、切削法等の工法により素管化後、切削、超仕上げ、研磨等により表面処理した管などが挙げられる。
前記電子写真感光体は、導電性支持体と感光層との間に中間層を設けることができる。前記中間層は、接着性の向上、モアレの防止、上層の塗工性の改良、導電性支持体からの電荷注入の防止等の目的で設けられる。
前記有機溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノンなどが挙げられる。前記有機溶媒を用いて、前記樹脂を適度に希釈したものを、塗料とすることができる。
前記感光体の感光層は、感光層として電荷発生層と電荷輸送層とを順次積層させた積層型感光層である。
前記電荷発生層は、前記積層型感光層の一部を指し、露光によって電荷を発生する機能をもつ。前記電荷発生層は、電荷発生物質を主成分として含有し、必要に応じてバインダー樹脂を含有する。前記電荷発生物質としては、例えば、無機系電荷発生材料、有機系電荷発生材料などが挙げられる。
また、後述する高分子電荷輸送物質を用いることもできる。このうちポリビニルブチラールが使用されることが多く、有用である。これらのバインダー樹脂は、単独でも二種以上の混合物として用いてもよい。
前記電荷発生層の作製方法としては、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法に大別される。
前記真空薄膜作製法としては、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、CVD(化学気相成長)法などが挙げられ、前記無機系電荷発生材料や前記有機系電荷発生材料からなる層の作製に良好に適用できる。
前記有機溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノンなどが挙げられる。これらの中でも、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノンは、クロロベンゼン、ジクロロメタン、トルエン及びキシレンと比較して環境負荷の程度が低いため好ましい。
塗布は、浸漬塗工法、スプレーコート法、ビードコート法等により行うことができる。
残留電位の低減や高感度化が必要となる場合、前記電荷発生層を厚膜化するとこれらの特性が改良されることが多い。反面、帯電電荷の保持性や空間電荷の形成等帯電性の劣化を来すことも多い。これらのバランスから前記電荷発生層の平均厚みは、0.05μm~2μmがより好ましい。
前記電荷輸送層は、積層型感光層の一部を指し、前記電荷発生層で生成した電荷を注入、輸送し、帯電によって設けられた感光体の表面電荷を中和する機能を担う。前記電荷輸送層は、電荷輸送物質と、これを結着するバインダー成分とを主成分として含有する。
前記電荷輸送層は、電荷輸送物質として、少なくとも有機電荷輸送物質を含み、更に必要に応じて、低分子型の電子輸送物質、正孔輸送物質を含む。
前記有機電荷輸送物質(以下、「高分子電荷輸送物質」と称することがある。)としては、例えば、ポリ-N-ビニルカルバゾール等のカルバゾール環を有する重合体、ヒドラゾン構造を有する重合体、ポリシリレン重合体、芳香族ポリカーボネートなどが挙げられる。これらの有機電荷輸送物質は、単独又は二種以上の混合物として用いることができる。
前記バインダー成分は単独又は二種以上の混合物として、あるいはそれらの原料モノマー二種以上からなる共重合体として、更には、電荷輸送物質と共重合化して用いることができる。
ここで、電気的に不活性な高分子化合物とは、トリアリールアミン構造のような光導電性を示す化学構造を含まない高分子化合物を指す。これらの樹脂を添加剤としてバインダー樹脂と併用する場合、光減衰感度の制約から、その含有量は、電荷輸送層の全固形分に対して50質量%以下とすることが好ましい。
電荷輸送層用塗料を調製する際に使用できる分散溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ等のエーテル類;トルエン、キシレン等の芳香族類;クロロベンゼン、ジクロロメタン等のハロゲン類;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類などを挙げることができる。これらの中でも、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノンは、クロロベンゼンやジクロロメタン、トルエン、及びキシレンと比較して環境負荷の程度が低いため好ましい。これらの溶媒は単独として又は混合して用いることができる。
電子写真感光体におけるセラミック膜、及びその作製方法としては、本発明の光電変換デバイスのセラミック膜、及びその作製方法において説明した事項を適宜選択して適用することができる。
前記セラミック膜以外の保護層(表面層)としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の保護層(表面層)を適宜選択することができる。
本発明の画像形成装置は、前記電子写真感光体(光電変換デバイス)を有し、更に静電潜像形成手段と、現像手段とを有し、更に必要に応じて、その他の手段を有する。
本発明に関する画像形成方法は、静電潜像形成工程と、現像工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
前記画像形成方法は、前記画像形成装置により好適に行うことができ、前記静電潜像形成工程は、前記静電潜像形成手段により好適に行うことができ、前記現像工程は、前記現像手段により好適に行うことができ、前記その他の工程は、前記その他の手段により好適に行うことができる。
前記静電潜像形成手段としては、前記静電潜像担持体上に静電潜像を形成する手段であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記静電潜像担持体の表面を帯電させる帯電部材と、前記静電潜像担持体の表面を像様に露光する露光部材とを少なくとも有する手段などが挙げられる。
前記静電潜像形成工程としては、前記静電潜像担持体上に静電潜像を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記静電潜像担持体の表面を帯電させた後、像様に露光することにより行うことができ、前記静電潜像形成手段を用いて行うことができる。
前記帯電部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電性又は半導電性のローラ、ブラシ、フィルム、ゴムブレード等を備えたそれ自体公知の接触帯電器、コロトロン、スコロトロン等のコロナ放電を利用した非接触帯電器などが挙げられる。
前記帯電は、例えば、前記帯電部材を用いて前記静電潜像担持体の表面に電圧を印加することにより行うことができる。
前記露光部材としては、前記帯電部材により帯電された前記静電潜像担持体の表面に、形成すべき像様に露光を行うことができる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、複写光学系、ロッドレンズアレイ系、レーザ光学系、液晶シャッタ光学系等の各種露光部材などが挙げられる。
前記露光は、例えば、前記露光部材を用いて前記静電潜像担持体の表面を像様に露光することにより行うことができる。
なお、本発明においては、前記静電潜像担持体の裏面側から像様に露光を行う光背面方式を採用してもよい。
前記現像手段としては、前記静電潜像担持体に形成された前記静電潜像を現像して可視像を形成する、トナーを備える現像手段であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記現像工程としては、前記静電潜像担持体に形成された前記静電潜像を、トナーを用いて現像して可視像を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記現像手段により行うことができる。
前記現像手段としては、前記トナーを摩擦攪拌させて帯電させる攪拌器と、内部に固定された磁界発生手段を有し、かつ表面に前記トナーを含む現像剤を担持して回転可能な現像剤担持体を有する現像装置が好ましい。
前記その他の手段としては、例えば、転写手段、定着手段、クリーニング手段、除電手段、リサイクル手段、制御手段などが挙げられる。
前記その他の工程としては、例えば、転写工程、定着工程、クリーニング工程、除電工程、リサイクル工程、制御工程などが挙げられる。
中間転写体50は、無端ベルトであり、その内側に配置されている3個のローラー51で張架されており、矢印方向に移動することができる。3個のローラー51の一部は、中間転写体50へ所定の転写バイアス(一次転写バイアス)を印加することが可能な転写バイアスローラーとしても機能する。
また、中間転写体50の近傍には、クリーニングブレードを有するクリーニング装置90が配置されている。更に、記録紙95にトナー像を転写(二次転写)するための転写バイアスを印加することが可能な転写手段としての転写ローラー80が中間転写体50に対向して配置されている。
ブラック(K)、イエロー(Y)、マゼンタ(M)及びシアン(C)の各色の現像器45は、現像剤収容部42(K、Y、M、C)と、現像剤供給ローラー43と、現像ローラー44を備える。
画像形成装置100Aでは、帯電ローラー20により感光体ドラム10を一様に帯電させた後、露光装置(不図示)により露光光Lを感光体ドラム10上に像様に露光し、静電潜像を形成する。次に、感光体ドラム10上に形成された静電潜像を、現像器45から現像剤を供給して現像してトナー像を形成した後、ローラー51から印加された転写バイアスにより、トナー像が中間転写体50上に転写(一次転写)される。更に、中間転写体50上のトナー像は、コロナ帯電器52により電荷を付与された後、記録紙95上に転写(二次転写)される。なお、感光体ドラム10上に残存したトナーは、クリーニング装置6により除去され、感光体ドラム10は除電ランプ70により一旦、除電される。
複写装置本体150には、無端ベルト状の中間転写体50が中央部に設けられている。中間転写体50は、支持ローラー14、15及び16に張架されており、矢印方向に回転することができる。
支持ローラー15の近傍には、中間転写体50上に残留したトナーを除去するためのクリーニング装置17が配置されている。また、支持ローラー14と支持ローラー15により張架された中間転写体50には、その搬送方向に沿って、イエロー、シアン、マゼンタ及びブラックの4個の画像形成手段18が対向して並置されたタンデム型現像器120が配置されている。
各色の画像形成手段18は、図3に示すように、感光体ドラム10と、感光体ドラム10を一様に帯電させる帯電ローラー60と、感光体ドラム10に形成された静電潜像をブラック(K)、イエロー(Y)、マゼンタ(M)及びシアン(C)の各色の現像剤で現像してトナー像を形成する現像器61と、各色のトナー像を中間転写体50上に転写させるための転写ローラー62と、感光体クリーニング装置63と、除電ランプ64を備える。図3において符号Lはレーザー光を示す。
更に、中間転写体50のタンデム型現像器120が配置された側とは反対側には、二次転写装置22が配置されている。二次転写装置22は、一対のローラー23に張架されている無端ベルトである二次転写ベルト24からなり、二次転写ベルト24上を搬送される記録紙と中間転写体50が互いに接触可能となっている。
二次転写装置22の近傍には、定着装置25が配置されている。定着装置25は、無端ベルトである定着ベルト26と、定着ベルト26に押圧されて配置される加圧ローラー27を有する。
また、二次転写装置22及び定着装置25の近傍に、記録紙の両面に画像を形成するために記録紙を反転させる反転装置28が配置されている。
給紙テーブル200においては、給紙ローラー142の1つを選択的に回転させ、ペーパーバンク143に多段に備える給紙カセット144の1つから記録紙を繰り出し、分離ローラー145で1枚ずつ分離して給紙路146に送り出し、搬送ローラー147で搬送して複写装置本体150内の給紙路148に導き、レジストローラー49に突き当てて止める。あるいは、手差しトレイ54上の記録紙を繰り出し、分離ローラー58で1枚ずつ分離して手差し給紙路53に入れ、レジストローラー49に突き当てて止める。なお、レジストローラー49は、一般に接地して使用されるが、記録紙の紙粉除去のために、バイアスが印加された状態で使用してもよい。
複合トナー像が転写された記録紙は、二次転写装置22により搬送されて、定着装置25に送り出される。そして、定着装置25において、定着ベルト26及び加圧ローラー27により、加熱加圧されて複合トナー像が記録紙上に定着される。その後、記録紙は、切換爪55で切り換えて排出ローラー56により排出され、排紙トレイ57上にスタックされる。あるいは、切換爪55で切り換えて反転装置28により反転されて再び転写位置へと導かれて、裏面にも画像を形成した後、排出ローラー56により排出され、排紙トレイ57上にスタックされる。
なお、複合トナー像が転写された後に中間転写体50上に残留したトナーは、クリーニング装置17により除去される。
本発明のプロセスカートリッジは、前記電子写真感光体(光電変換デバイス)を有し、更に電子写真感光体上に担持された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する現像手段を有し、更に必要に応じて、その他の手段を有する。
前記プロセスカートリッジは、各種画像形成装置に着脱可能に成型される。
本発明の光電変換デバイスの一実施形態は、太陽電池である。
前記太陽電池は、支持体と、有機増感色素を含む増感色素電極層と、前記増感色素電極層の上に前記セラミック膜とを有し、更に第一の電極と、ホールブロッキング層と、第二の電極とを有し、更に必要に応じて、その他の部材などを有する。
以下に、光電変換デバイスが、太陽電池である場合について説明するが、太陽電池のみに限定されず、他の光電変換デバイスにも適用可能である。
太陽電池である光電変換デバイス10Bの構成について図6に基づいて説明する。なお、図6は太陽電池の一例の断面図である。
図6に示す態様においては、支持体としての基板1上に第一の電極2が形成され、第一の電極2上にホールブロッキング層3が形成され、ホールブロッキング層3上に電子輸送層が形成され、電子輸送層4における電子輸送物質に光増感材料5が吸着し、第一の電極2と対向する第二の電極7との間にセラミック半導体6が挟み込まれた構成の例が図示されている。また、図6では、第一の電極2と第二の電極7が導通するようにリードライン8、9が設けられている構成の例が図示されている。
以下、詳細を説明する。
前記支持体としての基板1としては、特に制限されるものではなく、公知のものを用いることができる。基板1は透明な材質のものが好ましく、例えば、ガラス、透明プラスチック板、透明プラスチック膜、無機物透明結晶体等が挙げられる。
第一の電極2としては、可視光に対して透明な導電性物質であれば特に限定されるものではなく、通常の光電変換素子、あるいは液晶パネル等に用いられる公知のものを使用できる。
第一の電極の材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物(以下、ITOと称す)、フッ素ドープ酸化スズ(以下、FTOと称す)、アンチモンドープ酸化スズ(以下、ATOと称す)、インジウム・亜鉛酸化物、ニオブ・チタン酸化物、グラフェンなどが挙げられる。これらは、単独あるいは複数積層されていてもよい。
第一の電極の平均厚みとしては、5nm~10μmが好ましく、50nm~1μmがより好ましい。
第一の電極と基板とが一体となっている公知のものを用いることもでき、例えば、FTOコートガラス、ITOコートガラス、酸化亜鉛:アルミニウムコートガラス、FTOコート透明プラスチック膜、ITOコート透明プラスチック膜等が挙げられる。
また、酸化スズや酸化インジウムに原子価の異なる陽イオン若しくは陰イオンをドープした透明電極、メッシュ状、ストライプ状等、光が透過できる構造にした金属電極をガラス基板等の基板上に設けたものでもよい。
これらは単独あるいは2種以上の混合、又は積層したものでも構わない。
前記金属リード線の材質としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、白金、ニッケル等の金属が挙げられる。金属リード線は、基板に蒸着、スパッタリング、圧着等で設置し、その上にITOやFTOを設ける方法により形成できる。
ホールブロッキング層3を構成する材料としては、可視光に対して透明であり、かつ電子輸送物質であれば特に限定されるものではないが、特に酸化チタンが好ましい。
ホールブロッキング層は、電解質が電極と接して、電解質中のホールと電極表面の電子が再結合(いわゆる逆電子移動)することによる電力低下を抑制するために設けられる。このホールブロッキング層3の効果は、固体型色素増感型太陽電池において特に顕著である。これは、電解液を用いた湿式色素増感太陽電池と比較し、有機ホール輸送材料等を用いた固体型色素増感型太陽電池はホール輸送材料中のホールと電極表面の電子の再結合(逆電子移動)速度が速いことに起因している。
前記太陽電池は、前記のホールブロッキング層3上に多孔質状の電子輸送層4を形成するものであり、この電子輸送層は、単層であっても多層であってもよい。
前記電子輸送層は、電子輸送物質から構成される。電子輸送物質としては半導体粒子が好ましく用いられる。
多層の場合、粒径の異なる半導体粒子の分散液を多層塗布することも、種類の異なる半導体や、樹脂、添加剤の組成が異なる塗布層を多層塗布することもできる。一度の塗布で平均厚みが不足する場合には、多層塗布は有効な手段である。
一般的に、電子輸送層の平均厚みが増大するほど単位投影面積当たりの担持光増感材料量も増えるため光の捕獲率が高くなるが、注入された電子の拡散距離も増えるため電荷の再結合によるロスも大きくなってしまう。したがって、電子輸送層の平均厚みは100nm~100μmが好ましい。
金属のカルコゲニドとしては、例えば、チタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、あるいはタンタルの酸化物、カドミウム、亜鉛、鉛、銀、アンチモン、ビスマスの硫化物、カドミウム、鉛のセレン化物、カドミウムのテルル化物などが挙げられる。
他の化合物半導体としては、例えば、亜鉛、ガリウム、インジウム、カドミウム、等のリン化物、ガリウム砒素、銅-インジウム-セレン化物、銅-インジウム-硫化物などが好ましい。
また、ペロブスカイト構造を有する化合物としては、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ナトリウム、チタン酸バリウム、ニオブ酸カリウムなどが好ましい。
また、より大きい平均粒径の半導体粒子を混合あるいは積層して入射光を散乱させる効果により、効率を向上させることも可能である。この場合の半導体の平均粒径は50nm~500nmが好ましい。
製造コスト等を考慮した場合、特に湿式製膜法が好ましく、半導体粒子の粉末あるいはゾルを分散したペーストを調製し、電子集電電極基板上に塗布する方法が好ましい。
この湿式製膜法を用いた場合、塗布方法は特に制限はなく、公知の方法にしたがって行なうことができる。例えば、ディップ法、スプレー法、ワイヤーバー法、スピンコート法、ローラーコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、また、湿式印刷方法として、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等様々な方法を用いることができる。
また、製膜性を向上させる目的で増粘剤を添加することも有効な手段である。このとき加える増粘剤としては、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等の高分子、エチルセルロース等の増粘剤等が挙げられる。
このラフネスファクターは、基板に塗布した半導体粒子の面積に対する多孔質内部の実面積を表わす数値である。したがって、ラフネスファクターは大きいほど好ましいが、電子輸送層の平均厚みとの関係もあり、本発明においては20以上が好ましい。
前記太陽電池では、変換効率のさらなる向上のため、有機増感色素(光増感材料)を電子輸送層4である電子輸送物質の表面に吸着させた増感色素電極層を有する。
前記有機増感色素としての光増感材料5は、使用される励起光により光励起される化合物であれば前記に限定されないが、具体的には以下の化合物も挙げられる。
特表平7-500630号公報、特開平10-233238号公報、特開2000-26487号公報、特開2000-323191号公報、特開2001-59062号公報等に記載の金属錯体化合物、特開平10-93118号公報、特開2002-164089号公報、特開2004-95450号公報、J.Phys.Chem.C,7224,Vol.111(2007)等に記載のクマリン化合物、同特開2004-95450号公報、Chem.Commun.,4887(2007)等に記載のポリエン化合物、特開2003-264010号公報、特開2004-63274号公報、特開2004-115636号公報、特開2004-200068号公報、特開2004-235052号公報、J.Am.Chem.Soc.,12218,Vol.126(2004)、Chem.Commun.,3036(2003)、Angew.Chem.Int.Ed.,1923,Vol.47(2008)等に記載のインドリン化合物、J.Am.Chem.Soc.,16701,Vol.128(2006)、J.Am.Chem.Soc.,14256,Vol.128(2006)等に記載のチオフェン化合物、特開平11-86916号公報、特開平11-214730号公報、特開2000-106224号公報、特開2001-76773号公報、特開2003-7359号公報等に記載のシアニン色素、特開平11-214731号公報、特開平11-238905号公報、特開2001-52766号公報、特開2001-76775号公報、特開2003-7360号公報等に記載メロシアニン色素、特開平10-92477号公報、特開平11-273754号公報、特開平11-273755号公報、特開2003-31273号公報等に記載の9-アリールキサンテン化合物、特開平10-93118号公報、特開2003-31273号公報等に記載のトリアリールメタン化合物、特開平9-199744号公報、特開平10-233238号公報、特開平11-204821号公報、特開平11-265738号公報、J.Phys.Chem.,2342,Vol.91(1987)、J.Phys.Chem.B,6272,Vol.97(1993)、Electroanal.Chem.,31,Vol.537(2002)、特開2006-032260号公報、J.Porphyrins Phthalocyanines,230,Vol.3(1999)、Angew.Chem.Int.Ed.,373,Vol.46(2007)、Langmuir,5436,Vol.24(2008)等に記載のフタロシアニン化合物、ポルフィリン化合物等を挙げることができる。 特にこの中で、金属錯体化合物、クマリン化合物、ポリエン化合物、インドリン化合物、チオフェン化合物を用いることが好ましい。
前者の場合、浸漬法、ディップ法、ローラ法、エアーナイフ法等を用いることができる。
後者の場合は、ワイヤーバー法、スライドホッパー法、エクストルージョン法、カーテン法、スピン法、スプレー法等を用いることができる。
また、二酸化炭素などを用いた超臨界流体中で吸着させても構わない。
前記縮合剤は、無機物表面に物理的あるいは化学的に光増感材料と電子輸送化合物を結合すると思われる触媒的作用をするもの、又は化学量論的に作用し、化学平衡を有利に移動させるものの何れであってもよい。さらに、縮合助剤としてチオールやヒドロキシ化合物を添加してもよい。
前記凝集解離剤としてはコール酸、ケノデオキシコール酸などのステロイド化合物、長鎖アルキルカルボン酸又は長鎖アルキルホスホン酸が好ましく、用いる光増感材料に対して適宜選ばれる。
これら凝集解離剤の添加量は、光増感材料1質量部に対して0.01質量部~500質量部が好ましく、0.1質量部~100質量部がより好ましい。
前記太陽電池におけるセラミック膜6、及びその作製方法としては、本発明の光電変換デバイスのセラミック膜、及びその作製方法において説明した事項を適宜選択して適用することができる。
第二の電極は、前記セラミック膜形成後に付与する。
また第二の電極は、通常前述の第一の電極と同様のものを用いることができ、強度や密封性が充分に保たれるような構成では支持体は必ずしも必要ではない。
第二の電極材料の具体例としては、白金、金、銀、銅、アルミニウム等の金属、グラファイト、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラフェン等の炭素系化合物、ITO、FTO、ATO等の導電性金属酸化物、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子が挙げられる。
第二の電極層の平均厚みとしては、特に制限はなく、また単独あるいは2種以上の混合で用いても構わない。
第二の電極の塗設については、用いられる材料の種類やホール輸送層の種類により、適宜ホール輸送層上に塗布、ラミネート、蒸着、CVD、貼り合わせ等の手法により形成可能である。
本発明の光電変換デバイスにおいては、第一の電極側が透明であり、太陽光を第一の電極側から入射させる方法が好ましい。 この場合、第二の電極側には光を反射させる材料を使用することが好ましく、金属、導電性酸化物を蒸着したガラス、プラスチック、あるいは金属薄膜が好ましい。
また、太陽光の入射側に反射防止層を設けることも有効な手段である。
本発明の光電変換デバイスの一実施形態は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子である。
前記有機EL素子は、支持体と、前記導電性支持体上に有機電荷輸送物質を含む電荷輸送層と、前記電荷輸送層の上に前記セラミック膜とを有し、更に、陽極(第一の電極)と、ホール輸送層と、発光層と、陰極(第二の電極)とを有し、更に必要に応じて、バリア膜などのその他の層を有する。
なお、陽極(第一の電極)、ホール輸送層、発光層、前記電荷輸送層としての電子輸送層、及び陰極(第二の電極)を有するものを「有機EL層」と称することがある。
以下に、光電変換デバイスが、有機EL素子である場合について説明するが、有機EL素子のみに限定されず、他の光電変換デバイスにも適用可能である。
なお、本発明は以下に示す実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、修正、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用・効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。
前記支持体としての基板2は、絶縁性基板からなる。基板2は、プラスチックやフィルム状の基板でもよい。
バリア膜は、例えば、ケイ素、酸素及び炭素からなる膜、又は、ケイ素、酸素、炭素及び窒素からなる膜であり得る。前記バリア膜の材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などが挙げられる。バリア膜の平均厚みとしては、100nm以上10μm以下が好適に用いられる。
有機EL層3は発光層を含み、陽極及び陰極に印加された電圧に応じて、キャリアの移動及びキャリアの結合などの発光層の発光に寄与する機能部である。例えば、陽極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極が支持基板2側から順に積層されて形成されている。図1に示す有機EL層3、及び有機EL素子300は、基板2とは反対側に光を出射するトップエミッション型のものである。
有機EL層3としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の有機EL素子を適宜選択することができる。
前記陰極として透明電極を積層する。
透明電極は、SnO2、In2O3、ITO、IZO、ZnO:Alなどの導電性金属酸化物を用いて形成される。透明電極を陰極として用いる場合には、有機EL層の最上層を電子注入層として電子注入効率を高めることが望ましい。透明電極は、波長400nm~800nmの光に対して好ましくは50%以上、より好ましくは85%以上の透過率を有することが好ましい。透明電極の平均厚みとしては、50nm以上が好ましく、50nm~1μmがより好ましく、100nm~300nmがさらに好ましい。
前記有機EL素子におけるセラミック膜4、及びその作製方法としては、本発明の光電変換デバイスのセラミック膜、及びその作製方法において説明した事項を適宜選択して適用することができる。
セラミック膜4は、有機EL層3を埋設するように、陰極上に設けられる。セラミック膜4は、有機EL層3において基板2と反対側に配置される。セラミック膜4は、ガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。
-電子写真感光体の製造例-
以下の手順により、図5に示すように、導電性支持体上に、中間層、電荷発生層、電荷輸送層、及びセラミック半導体膜をこの順に有する実施例1の電子写真感光体を製造した。
--中間層の形成--
アルミニウム製の導電性支持体(外径60mm)に、下記の中間層用塗工液を、浸漬法により塗工し、中間層を形成した。170℃で30分間乾燥した後の中間層の平均厚みは、5μmであった。
・ 酸化亜鉛粒子(MZ-300、テイカ株式会社製): 350部
・ 3,5-ジ-t-ブチルサリチル酸: 1.5部
(TCI-D1947、東京化成工業株式会社製)
・ ブロック化イソシアネート: 60部
(スミジュール(登録商標)3175、固形分濃度75質量%、住化バイエルウレタン株式会社製)
・ ブチラール樹脂20質量%を2-ブタノンで溶解させた溶解液: 225部
(BM-1、積水化学工業株式会社製)
・ 2-ブタノン: 365部
得られた中間層上に、下記の電荷発生層塗工液を浸漬塗工し、電荷発生層を形成した。電荷発生層の平均厚みは0.2μmであった。
・ Y型チタニルフタロシアニン: 6部
・ ブチラール樹脂(エスレックBX-1、積水化学工業社製): 4部
・ 2-ブタノン(関東化学株式会社製): 200部
得られた電荷発生層上に、下記の電荷輸送層用塗工液1を浸積塗工し、電荷輸送層1を形成した。
135℃で20分間乾燥した後の電荷輸送層の平均厚みは、22μmであった。
・ ビスフェノールZ型ポリカーボネート: 10部
(パンライトTS-2050、帝人株式会社製)
・ 下記構造式(6)の低分子電荷輸送物質: 10部;
(デラフォサイト)
・ 酸化銅(I)(和光純薬工業株式会社製): 40.014g
・ アルミナ(AA-03、住友化学株式会社製): 28.52g
次に、得られた試料をX線回折装置(MiniFlex600、株式会社リガク製)に取り付けて銅アルミ酸化物のX線回折スペクトルを測定した。なお、X線回折装置には、検出器D/te X Ultra2を取り付けて測定した。その結果を図9に示す。
図9に示すように、銅アルミ酸化物におけるX線回折スペクトルの回折角2θは、31.5°以上32.5°以下、35.5°以上37.5°以下、及び45.5°以上47.5°以下のいずれかにピークを有する。
更に、この銅アルミ酸化物を用いてITOガラス上に平均膜厚1.7μmの薄膜を下記の方法で製膜した。これに真空蒸着法によって金の対向電極を設けサンドイッチタイプセルを作製した。
このセルをタイムオブフライト測定装置(TOF-401、住友重機械メカトロニクス株式会社製)に取り付けホール移動度を測定した。具体的には、平均膜厚1.7μmの試料に対して電圧34Vを印加するようにタイムオブフライト測定装置を設定して試料内の電界強度を2×105V/cmとしたホール移動度は、1×10-4cm2/Vsecであった。
成膜チャンバとしては、市販の蒸着装置(VPC-400、ULVAC社製)を改造したものを用いた。
エアロゾル発生器としては、市販の攪拌機(T.K.アヂホモミクサー2M-03型、プライミクス株式会社製)を用いた。なお、エアロゾル発生器として、市販の容積1リットル圧送ボトル(RBN-S、KSK社製)を超音波洗浄器(SUS-103、株式会社島津製作所製)中に設置したものを用いてもよい。
個数平均粒径1μmのデラフォサイト40gをエアロゾル発生器内に仕込んだ。次に、排気ポンプによって成膜チャンバからエアロゾル発生器までを真空引きした。そして、ガスボンベからエアロゾル発生器内に窒素ガスを送り込んで、攪拌を開始し、窒素ガス中に粒子が分散したエアロゾルを発生させた。発生したエアロゾルは、配管を介して噴射ノズルより感光体に向けて噴射された。このとき、窒素ガスの流量は13L/分間~20L/分間とした。また、成膜時間は20分間とし、セラミック膜1形成時の成膜チャンバ内の真空度を50Pa~150Pa程度とした。基板ホルダ及び噴射ノズルを動かすことにより、所定の成膜エリアの成膜を行なった。
デラフォサイトの個数平均粒径は、コンフォーカル顕微鏡(OPTELICS H-1200、レーザーテック株式会社製)で得られた画像解析から測定した。
実施例1において、セラミック膜1に代えて、下記の手順で架橋表面層1を形成し、架橋表面層1の上にセラミック膜1を重ねて形成したこと以外は、実施例1と同様にして実施例2の電子写真感光体を製造した。
得られた電荷輸送層上に、下記の架橋表面層用塗工液1を窒素気流中でスプレー塗工後、10分間窒素気流中に放置して指触乾燥した。
さらに、130℃で20分間乾燥した。架橋樹脂の表面層の平均厚みは4.5μmであった。
(架橋表面層用塗工液1)
・ ビスフェノールZポリカーボネート: 75部
(パンライトTS-2050、帝人株式会社製)
・ 酸化アルミ: 25部
(スミコランダムAA03、平均粒径:300nm、住友化学株式会社製)
・ 界面活性剤(BYK―P104、ビックケミー社製): 0.5部
・ テトラヒドロフラン: 1,330部
・ シクロヘキサノン: 570部
実施例1において、セラミック膜1に代えて、下記の手順で架橋表面層2を形成し、架橋表面層2の上にセラミック膜1を重ねて形成したこと以外は、実施例1と同様にして実施例3の電子写真感光体を製造した。
得られた電荷輸送層上に、下記の架橋表面層用塗工液2を窒素気流中でスプレー塗工後、10分間窒素気流中に放置して指触乾燥した。その後、酸素濃度が2%以下となるようにブース内を窒素ガスで置換したUV照射ブースにて、下記の条件にて光照射を行った。
さらに、130℃で20分間乾燥した。架橋樹脂の表面層の平均厚みは4.5μmであった。
(光照射条件)
・ メタルハライドランプ:160W/cm
・ 照射距離:120mm
・ 照射強度:700mW/cm2
・ 照射時間:60秒間
・ トリメチロールプロパントリアクリレート: 5部
(KAYARAD TMPTA、日本化薬株式会社製、アクリル当量:99、電荷輸送性構造を有しない3官能以上のラジカル重合性化合物)
・ ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート: 5部
(KAYARAD DPCA-120、日本化薬株式会社製、アクリル当量:324)
・ 下記構造式(7)で表されるラジカル重合性化合物: 10部
(1官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物、アクリル当量420)
(イルガキュア184、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製、光重合開始剤)
・ テトラヒドロフラン: 100部
実施例1において、電荷輸送層1を、下記の手順で作製した電荷輸送層2に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例4の電子写真感光体を製造した。
(電荷輸送層用塗工液2)
・ 個数平均粒径1μmのデラフォサイト: 68.534g
・ シリカ(ULVAC社製) 68.534g
エアロゾル発生器には、市販の攪拌機(T.K.アヂホモミクサー2M-03型、プライミクス株式会社製)を用いた。
電荷輸送層用塗工液2をエアロゾル発生器内に仕込んだ。次に、排気ポンプによって成膜チャンバからエアロゾル発生器までを真空引きした。そして、ガスボンベからエアロゾル発生器内に窒素ガスを送り込んで、攪拌を開始し、窒素ガス中に粒子が分散したエアロゾルを発生させた。発生したエアロゾルは、配管を介して噴射ノズルより感光体に向けて噴射された。このとき、窒素ガスの流量は13L/分間~20L/分間とした。また、成膜時間は60分間とし、電荷輸送層形成時の成膜チャンバ内の真空度を50Pa~150Pa程度とした。基板ホルダ及び噴射ノズルを動かすことにより、所定の成膜エリアの成膜を行なった。
実施例1において、セラミック膜1を、下記の手順で作製したセラミック膜2に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例5の電子写真感光体を製造した。
成層チャンバとしては、市販の蒸着装置(VPC-400、ULVAC社製)を改造したものを用いた。
エアロゾル発生器には、市販の攪拌機(T.K.アヂホモミクサー2M-03型、プライミクス株式会社製)を用いた。
個数平均粒径1μmのアルミナ粉(住友化学株式会社製)40gをエアロゾル発生器内に仕込んだ。次に、排気ポンプによって成膜チャンバからエアロゾル発生器までを真空引きした。そして、ガスボンベからエアロゾル発生器内に窒素ガスを送り込んで、攪拌を開始し、窒素ガス中に粒子が分散したエアロゾルを発生させた。発生したエアロゾルは、配管を介して噴射ノズルより感光体に向けて噴射された。このとき、窒素ガスの流量は13L/分間~20L/分間とした。また、成膜時間は20分間とし、セラミック膜2形成時の成膜チャンバ内の真空度を50Pa~150Pa程度とした。基板ホルダ及び噴射ノズルを動かすことにより、所定の成膜エリアの成膜を行なった。
アルミナ粉の個数平均粒径は、コンフォーカル顕微鏡(OPTELICS H-1200、レーザーテック株式会社製)で得られた画像解析から測定した。
実施例1において、セラミック膜1を架橋表面層2に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例5の電子写真感光体を製造した。
実施例1において、セラミック膜1を、下記の手順で作製した保護層に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例5の電子写真感光体を製造した。
〔保護層用塗工液〕
・ ビスフェノールZポリカーボネート: 100部
(パンライトTS-2050、帝人株式会社製)
・ アルミニウム(Al)ドープ酸化亜鉛: 33.3部
(Pazet CK、平均粒径34nm、ハクスイテック株式会社製)
・ 界面活性剤(低分子量不飽和ポリカルボン酸のポリマー): 1.7部
(BYK-P105、ビックケミー社製)
・ テトラヒドロフラン: 2,667部
・ シクロヘキサノン: 667部
まず、ジルコニア製ビーズ(平均粒子径:0.1mm)を110g投入した50mL容器に、Alドープ酸化亜鉛、界面活性剤、及びシクロヘキサノンを入れ、1,500rpmの振動条件で2時間の振動分散を行い、Alドープ酸化亜鉛を分散させた分散液を調製した。次に、前記分散液を、シルコニア製ビーズ(平均粒子径:5mm)を60g投入した50mL容器に移し替え、200rpmの回転速度で24時間の分散を行い、ミルベースを調製した。
そして、ビスフェノールZポリカーボネートを溶解したテトラヒドロフラン溶液に、前記ミルベースを添加して、前記組成の保護層用塗工液を調製した。
前述の通り作製した実施例1~5、及び比較例1~2の電子写真感光体について、下記評価を実施した。各電子写真感光体に関する評価結果を表1に示す。
<<NO2暴露後の画像評価>>
最初に、NO2雰囲気に電子写真感光体を一定時間静置することで電子写真感光体表面にNO2を吸着させる。本暴露条件としては電子写真感光体の表面近傍における吸着サイトにNO2吸着が飽和している条件を種々の電子写真感光体を用いて検討した結果、40ppmの濃度に制御したチャンバー内で24時間暴露することが好ましいことが判明したため、暴露条件としては、NO2濃度40ppm雰囲気、暴露時間:24時間とした。
出力画像としては、評価用のパターンを0枚、1,000枚、及び10,000枚印刷したタイミングでハーフトーン出力を3枚連続で行い、3枚の出力画像のドット再現状態を目視及び顕微鏡で確認し、下記評価基準に基づき評価した。
〔評価基準〕
◎:3枚の出力画像のドット再現状態に変化なく、問題なし
〇:3枚の出力画像のドット再現状態に僅かに変化があるが、実使用上問題ないレベル
×:3枚の出力画像のドット再現状態に明らかな濃度変化有り
-太陽電池の製造例-
--酸化チタン半導体電極の作製--
金属チタンからなるターゲットを用いた酸素ガスによる反応性スパッタにより、ITO系ガラス基板上に酸化チタンの緻密なホールブロッキング層3を形成した。
次に、酸化チタン(P90、日本エアロジル株式会社製)3g、アセチルアセトン0.2g、界面活性剤(ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、和光純薬工業株式会社製)0.3gを水5.5g、及びエタノール1.0gと共に12時間のビーズミル処理を施した。
得られた分散液にポリエチレングリコール(#20,000)1.2gを加えてペーストを作製した。
このペーストを、前記ホールブロッキング層上に平均厚み1.5μmになるように塗布し、室温で乾燥後、空気中500℃で30分間焼成し、多孔質状の電子輸送層4を形成した。
前記酸化チタン半導体電極を、有機増感色素として前記構造式(5)で表される化合物(三菱製紙株式会社製)0.5mMをアセトニトリル/t-ブタノール溶液(体積比1:1)に浸漬し、1時間暗所にて静置し有機増感色素を吸着させ、増感色素電極層を形成した。
成膜チャンバとしては、市販の蒸着装置(VPC-400、ULVAC社製)を改造したものを用いた。
エアロゾル発生器には、市販の攪拌機(T.K.アヂホモミクサー2M-03型、プライミクス株式会社製)を用いた。
個数平均粒径1μmのアルミナ粉(住友化学株式会社製)40gをエアロゾル発生器内に仕込んだ。次に、排気ポンプによって成膜チャンバからエアロゾル発生器までを真空引きした。そして、ガスボンベからエアロゾル発生器内に窒素ガスを送り込んで、攪拌を開始し、窒素ガス中に粒子が分散したエアロゾルを発生させた。発生したエアロゾルは、配管を介して噴射ノズルより感光体に向けて噴射された。このとき、窒素ガスの流量は13L/分間~20L/分間とした。また、成膜時間は20分間とし、セラミック半導体膜形成時の成膜チャンバ内の真空度を50Pa~150Pa程度とした。基板ホルダ及び噴射ノズルを動かすことにより、所定の成膜エリアにセラミック半導体膜の成膜を行なった。
セラミック半導体膜の上に銀を100nm真空蒸着して第二の電極を作製し、実施例6の太陽電池を作製した。
実施例6において、セラミック半導体膜の作製に代えて、下記のホール輸送層の作製を行ったこと以外は、実施例6と同様にして比較例3の太陽電池を作製した。
--ホール輸送層の作製--
下記構造式(8)で表される有機ホール輸送物質(化合物名:2,2’,7,7’-テトラキス(N,N-ジ-p-メトキシフェニルアミノ)-9,9’-スピロビフルオレン、品番:SHT-263、メルク株式会社製):95mmol(固形分14質量%)をクロロベンゼン溶液に溶解させた。調製した溶液を、有機増感色素を担持した半導体電極上にスピンコートにてホール輸送層を成膜した。
ホール輸送層の上に銀を100nm真空蒸着して第二の電極を作製し、比較例3の太陽電池を作製した。
前記のようにして得た実施例6、及び比較例3の色素増感型太陽電池について、23℃55%RH環境下及び24時間後の白色LED照射下(300ルクス、75uW/cm2)における光電変換効率を測定した。次に、30℃90%RH環境下に1ヶ月保管し、同様の方法で光電変換効率を測定した。23℃55%RHからの光電変換効率低下率xを次の式で求めた。
(式)
(変換低下率x)=(30℃90%RH保管後の光電変換効率)/(23℃55%RHにおける光電変換効率)
有機EL素子を特開2003-007473号公報の実施例1に準じて作製した。
具体的には、陽極として、ガラス基板上にSiO2層を下引き層として表面抵抗15Ω/□にスパッタ法により成膜されたインジウム-スズ酸化物(ITO)を用い、中性洗剤、酸素系洗浄剤、イソプロピルアルコールで順次洗浄した後、真空蒸着装置にセットし、1×10-4Paの真空度まで排気した。そしてホール輸送層として下記化合物HTM-1を40nm、発光層として下記化合物EM-1を15nm、第2電子輸送層として下記化合物No.1を20nm、第1電子輸送層として8-ヒドロキシキノリノールアルミニウム錯体を30nm順次蒸着した。さらに、基板上にマスクをセットし、Mg:Ag=10:1(蒸着速度比)の陰極合金を200nm形成し、発光面積が2mm×2mm角のEL素子を作製した。なお、蒸着時の基板温度は室温で行った。
陰極を形成した後、大気に暴露させることなく、窒素雰囲気(不活性雰囲気)下において、下記の方法でセラミック半導体膜を作製した。
成膜チャンバとしては、市販の蒸着装置(VPC-400、ULVAC社製)を改造したものを用いた。
エアロゾル発生器には、市販の攪拌機(T.K.アヂホモミクサー2M-03型、プライミクス株式会社製)を用いた。
酸化亜鉛粒子(MZ-300、テイカ株式会社製)40gをエアロゾル発生器内に仕込んだ。次に、排気ポンプによって成膜チャンバからエアロゾル発生器までを真空引きした。そして、ガスボンベからエアロゾル発生器内に窒素ガスを送り込んで、攪拌を開始し、窒素ガス中に粒子が分散したエアロゾルを発生させた。発生したエアロゾルは、配管を介して噴射ノズルより感光体に向けて噴射された。このとき、窒素ガスの流量は13L/分間~20L/分間とした。また、成膜時間は20分間とし、セラミック半導体膜形成時の成膜チャンバ内の真空度を50Pa~150Pa程度とした。基板ホルダ及び噴射ノズルを動かすことにより、所定の成膜エリアにセラミック半導体膜の成膜を行なった。
実施例7において、セラミック半導体膜を形成せず、基板上に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び陰極がこの順に積層された有機EL層を作成したこと以外は実施例7と同様に、比較例4の有機EL素子を作製した。
前記のようにして製造した実施例7、及び比較例4の有機EL素子を駆動して、素子寿命を測定した。
素子寿命は、駆動開始時の輝度を100としたときに、駆動開始から輝度が80に低下するまでの時間で表されるLT80により評価した。素子寿命の測定は、有機EL素子を10mA/cm2の定電流で駆動しておこなった。駆動電圧は、有機EL素子を10mA/cm2の定電流で駆動しているときの電圧である。電流効率は、輝度が1000cd/m2(すなわち、1000nit)の時の値である。
測定の結果、実施例7の有機EL素子の素子寿命(LT80)は、15時間であり、比較例4の有機EL素子の素子寿命(LT80)は、1時間であった。
<1> 支持体と、
前記支持体上に、有機電荷輸送物質を含む電荷輸送層、又は有機増感色素を含む増感色素電極層と、
前記電荷輸送層又は前記増感色素電極層の上に、セラミック膜とを有することを特徴とする光電変換デバイスである。
<2> 前記セラミック膜が、セラミック半導体膜である前記<1>に記載の光電変換デバイスである。
<3> 前記セラミック半導体膜の電界強度2×105V/cmにおける電荷移動度が、1×10-6cm2/Vsec以上である前記<2>に記載の光電変換デバイスである。
<4> 前記セラミック半導体膜が、デラフォサイトを含む前記<2>から<3>のいずれかに記載の光電変換デバイスである。
<5> 前記セラミック半導体膜におけるX線回折スペクトルの回折角2θが、31.5°以上32.5°以下、35.5°以上37.5°以下、及び45.5°以上47.5°以下のいずれかにピークを有する前記<1>から<4>のいずれかに記載の光電変換デバイスである。
<6> 電子写真感光体である前記<1>から<5>のいずれかに記載の光電変換デバイスである。
<7> 前記<6>に記載の光電変換デバイスを有することを特徴とするプロセスカートリッジである。
<8> 前記<6>に記載の光電変換デバイスを有することを特徴とする画像形成装置である。
<9> 太陽電池である前記<1>から<5>のいずれかに記載の光電変換デバイスである。
<10> 有機エレクトロルミネッセンス素子である前記<1>から<5>のいずれかに記載の光電変換デバイスである。
10B 太陽電池
10C 有機エレクトロルミネッセンス素子
100A 画像形成装置
100B 画像形成装置
110 プロセスカートリッジ
Claims (10)
- 支持体と、
前記支持体上に、有機電荷輸送物質を含む電荷輸送層、又は有機増感色素を含む増感色素電極層と、
前記電荷輸送層又は前記増感色素電極層の上に、セラミック膜とを有することを特徴とする光電変換デバイス。 - 前記セラミック膜が、セラミック半導体膜である請求項1に記載の光電変換デバイス。
- 前記セラミック半導体膜の電界強度2×105V/cmにおける電荷移動度が、1×10-6cm2/Vsec以上である請求項2に記載の光電変換デバイス。
- 前記セラミック半導体膜が、デラフォサイトを含む請求項2から3のいずれかに記載の光電変換デバイス。
- 前記セラミック半導体膜におけるX線回折スペクトルの回折角2θが、31.5°以上32.5°以下、35.5°以上37.5°以下、及び45.5°以上47.5°以下のいずれかにピークを有する請求項4の光電変換デバイス。
- 電子写真感光体である請求項1から5のいずれかに記載の光電変換デバイス。
- 請求項6に記載の光電変換デバイスを有することを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 請求項6に記載の光電変換デバイスを有することを特徴とする画像形成装置。
- 太陽電池である請求項1から5のいずれかに記載の光電変換デバイス。
- 有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項1から5のいずれかに記載の光電変換デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018050951 | 2018-03-19 | ||
JP2018050951 | 2018-03-19 | ||
JP2018160017A JP2019164322A (ja) | 2018-03-19 | 2018-08-29 | 光電変換デバイス、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018160017A Division JP2019164322A (ja) | 2018-03-19 | 2018-08-29 | 光電変換デバイス、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023041717A true JP2023041717A (ja) | 2023-03-24 |
JP7435839B2 JP7435839B2 (ja) | 2024-02-21 |
Family
ID=65365992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023004663A Active JP7435839B2 (ja) | 2018-03-19 | 2023-01-16 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11575095B2 (ja) |
EP (1) | EP3769327A1 (ja) |
JP (1) | JP7435839B2 (ja) |
KR (1) | KR20200131293A (ja) |
CN (1) | CN112055882A (ja) |
WO (1) | WO2019181176A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2024046536A (ja) * | 2022-09-22 | 2024-04-03 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 静電荷像現像用トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007059195A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Fujifilm Holdings Corp | 上面発光型有機電界発光素子 |
JP2008145737A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体、その製造方法およびそれを用いた電子写真装置 |
JP2008180937A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、およびそれを用いた電子写真装置 |
JP2012119189A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Sekisui Chem Co Ltd | 光電極及び色素増感太陽電池 |
JP2015141269A (ja) * | 2014-01-28 | 2015-08-03 | コニカミノルタ株式会社 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Family Cites Families (103)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5025068B1 (ja) | 1970-12-21 | 1975-08-20 | ||
JPS5154691A (ja) | 1974-11-06 | 1976-05-13 | Kanebo Ltd | Nannenseihoriesuteruno seizohoho |
JPS5339841A (en) | 1976-09-24 | 1978-04-12 | Takeda Riken Ind Co Ltd | Attenuator |
JPS5813227B2 (ja) | 1980-08-12 | 1983-03-12 | 株式会社 日本プラントサ−ビスセンタ− | レジユ−ス配管に於けるパイプ内壁面のライニング方法 |
US4477549A (en) * | 1981-09-28 | 1984-10-16 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Photoreceptor for electrophotography, method of forming an electrostatic latent image, and electrophotographic process |
JPH0727267B2 (ja) * | 1986-10-04 | 1995-03-29 | ミノルタ株式会社 | 電子写真の感光体 |
JP2728518B2 (ja) | 1988-09-26 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 電子デバイスの冷却装置 |
JPH04152186A (ja) | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
US5242773A (en) * | 1990-11-08 | 1993-09-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having fine cracks in surface protective layer |
GB9217811D0 (en) | 1992-08-21 | 1992-10-07 | Graetzel Michael | Organic compounds |
JPH07292095A (ja) | 1994-04-22 | 1995-11-07 | Teijin Chem Ltd | 芳香族ポリカーボネート樹脂の改質法 |
JP2001523390A (ja) | 1994-12-22 | 2001-11-20 | ベネディクト・ジー・ペース | 反転型のチップが接合された高い実装効率を有するモジュール |
JP3412076B2 (ja) | 1995-03-08 | 2003-06-03 | 株式会社リコー | 有機el素子 |
JP4081149B2 (ja) | 1996-01-12 | 2008-04-23 | 山本化成株式会社 | フタロシアニン化合物を用いる湿式太陽電池 |
JP2955647B2 (ja) | 1996-09-12 | 1999-10-04 | 工業技術院長 | 有機色素増感型酸化物半導体電極及びそれを含む太陽電池 |
JP2955646B2 (ja) | 1996-09-12 | 1999-10-04 | 工業技術院長 | 有機色素増感型酸化物半導体電極及びそれを含む太陽電池 |
JP4174842B2 (ja) | 1996-12-16 | 2008-11-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法 |
JP4116158B2 (ja) | 1997-07-15 | 2008-07-09 | 富士フイルム株式会社 | 半導体微粒子、光電変換素子および光化学電池 |
JP4148374B2 (ja) | 1997-07-18 | 2008-09-10 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子および光電気化学電池 |
JP4148375B2 (ja) | 1997-07-18 | 2008-09-10 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子および光電気化学電池 |
JPH11204821A (ja) | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法 |
JPH11265738A (ja) | 1998-01-13 | 1999-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 光半導体電極、およびそれを用いた光電池 |
JP4201095B2 (ja) | 1998-02-20 | 2008-12-24 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子および光電気化学電池 |
JP2997773B1 (ja) | 1998-07-15 | 2000-01-11 | 工業技術院長 | 増感剤として有用な金属錯体、酸化物半導体電極及び太陽電池 |
JP2000106224A (ja) | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子および光電気化学電池 |
JP2000150166A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP3309131B2 (ja) | 1999-01-18 | 2002-07-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機色素増感型ニオブ酸化物半導体電極及びそれを含む太陽電池 |
JP3353054B2 (ja) | 1999-01-18 | 2002-12-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機色素増感型酸化物半導体電極及びそれを含む太陽電池 |
JP4285671B2 (ja) | 1999-06-14 | 2009-06-24 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子および光電気化学電池ならびに金属錯体色素 |
JP4281931B2 (ja) | 1999-05-14 | 2009-06-17 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子および光電気化学電池 |
JP3680094B2 (ja) | 1999-06-02 | 2005-08-10 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機色素増感型多孔質酸化物半導体電極及びそれを用いた太陽電池 |
JP2001024106A (ja) | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Daido Steel Co Ltd | 電子回路用基板 |
JP2001076773A (ja) | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子および光電気化学電池ならびに新規スクアリリウムシアニン色素 |
JP2001076775A (ja) | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子および光電池 |
JP3660841B2 (ja) | 1999-11-10 | 2005-06-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 電子回路デバイスの冷却方法及びそれに用いる冷却装置 |
JP3835960B2 (ja) | 1999-11-26 | 2006-10-18 | 株式会社リコー | 圧電セラミックス厚膜構造 |
JP2001352011A (ja) | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
US6507147B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-01-14 | Intevac, Inc. | Unitary vacuum tube incorporating high voltage isolation |
JP2002140837A (ja) | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
JP5142307B2 (ja) | 2000-11-28 | 2013-02-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機色素を光増感剤とする半導体薄膜電極、光電変換素子 |
JP2002373908A (ja) | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Citizen Watch Co Ltd | 電子デバイスのバンプ構造及びその製造方法 |
JP2003007359A (ja) | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 光電変換素子 |
JP2003007360A (ja) | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 光電変換素子 |
JP2003031273A (ja) | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 光電変換素子 |
US6740959B2 (en) | 2001-08-01 | 2004-05-25 | International Business Machines Corporation | EMI shielding for semiconductor chip carriers |
JP2003257839A (ja) | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Sony Corp | マスク構造体、露光方法、露光装置、半導体デバイスの製造方法、マスク保管カセット、およびマスク保管室 |
JP2003264010A (ja) | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 光電変換素子 |
JP3693251B2 (ja) | 2002-05-08 | 2005-09-07 | 株式会社リコー | 有機el素子 |
JP4610160B2 (ja) | 2002-12-19 | 2011-01-12 | 三菱製紙株式会社 | 光電変換材料、半導体電極、並びにそれを用いた光電変換素子 |
JP2004235052A (ja) | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 光電変換材料、並びにそれを用いた光電変換素子 |
JP4080288B2 (ja) | 2002-09-26 | 2008-04-23 | 三菱製紙株式会社 | 太陽電池用メロシアニン色素 |
JP4187476B2 (ja) | 2002-07-29 | 2008-11-26 | 三菱製紙株式会社 | 光電変換材料、半導体電極、並びにそれを用いた光電変換素子 |
JP4542741B2 (ja) | 2002-09-02 | 2010-09-15 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機色素を光増感剤とする半導体薄膜電極、光電変換素子及び光電気化学太陽電池 |
JP2004101997A (ja) | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多チャネル光通信モジュール |
JP3834632B2 (ja) | 2002-11-01 | 2006-10-18 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 電子セラミックスデバイス |
JP4637523B2 (ja) | 2004-07-21 | 2011-02-23 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置およびそれを用いた光発電装置 |
JP2007109829A (ja) | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Dowa Holdings Co Ltd | 半田接合形成方法 |
JP4609296B2 (ja) | 2005-12-05 | 2011-01-12 | 株式会社日立製作所 | 高温半田及び高温半田ペースト材、及びそれを用いたパワー半導体装置 |
JP4760639B2 (ja) | 2006-09-19 | 2011-08-31 | 富士電機株式会社 | 有機el素子 |
JP2008291285A (ja) | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Ntn Corp | 被膜形成装置 |
JP5313478B2 (ja) | 2007-10-05 | 2013-10-09 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤および半導体装置 |
JP5352878B2 (ja) | 2008-03-31 | 2013-11-27 | 公立大学法人高知工科大学 | 表示用基板及びその製造方法並びに表示装置 |
TWI431130B (zh) | 2008-12-19 | 2014-03-21 | Applied Materials Inc | 銅黑銅鐵礦透明p型半導體之製造及應用方法 |
JP5549228B2 (ja) | 2009-01-09 | 2014-07-16 | 三菱化学株式会社 | 有機el素子及び有機発光デバイス |
JP4665044B2 (ja) | 2009-09-14 | 2011-04-06 | 株式会社東芝 | 燃料改質用触媒、改質器及び燃料電池システム |
JP2011100879A (ja) | 2009-11-06 | 2011-05-19 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 化合物半導体薄膜及びその製造方法、並びに太陽電池 |
JP2011176088A (ja) | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 気密封止用パッケージ |
KR101339392B1 (ko) | 2010-03-05 | 2013-12-09 | 송병준 | 로터리 다이커팅장치 |
JP2012115771A (ja) | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Toyota Industries Corp | 触媒とその製造方法 |
JP5761203B2 (ja) | 2010-12-27 | 2015-08-12 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム及び電子デバイス |
SG192798A1 (en) * | 2011-02-17 | 2013-09-30 | Univ Nanyang Tech | Inorganic nanorods and a method of forming the same, and a photoelectrode and a photovoltaic device comprising the inorganic nanorods |
DE102011109007A1 (de) | 2011-07-29 | 2013-01-31 | Epcos Ag | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements und elektrisches Bauelement |
JP5664538B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2015-02-04 | コニカミノルタ株式会社 | 電子写真感光体 |
JP6175823B2 (ja) | 2012-03-16 | 2017-08-09 | 株式会社リコー | 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
WO2013161165A1 (ja) | 2012-04-27 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 有機el素子、およびそれを備える有機elパネル、有機el発光装置、有機el表示装置 |
JP6015160B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-10-26 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
DE102012214021B4 (de) | 2012-08-08 | 2018-05-09 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
JP6405689B2 (ja) | 2013-06-06 | 2018-10-17 | 株式会社リコー | 光電変換素子及び太陽電池 |
EP2838327B1 (en) | 2013-08-16 | 2018-11-14 | NGK Insulators, Ltd. | Heat dissipating circuit board and electronic device |
JP6206037B2 (ja) | 2013-09-26 | 2017-10-04 | 株式会社リコー | 光電変換素子 |
JP6252071B2 (ja) | 2013-09-26 | 2017-12-27 | 株式会社リコー | 光電変換素子 |
EP3054488B1 (en) | 2013-10-04 | 2019-05-08 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Transistor, and transistor manufacturing method |
KR102330122B1 (ko) | 2014-02-24 | 2021-11-24 | 가부시키가이샤 리코 | 광전 변환 소자 및 태양 전지 |
JP6331501B2 (ja) * | 2014-03-10 | 2018-05-30 | コニカミノルタ株式会社 | 電子写真感光体 |
JP6337561B2 (ja) | 2014-03-27 | 2018-06-06 | 株式会社リコー | ペロブスカイト型太陽電池 |
JP6249093B2 (ja) | 2014-04-16 | 2017-12-20 | 株式会社リコー | 光電変換素子 |
KR20150141269A (ko) | 2014-06-09 | 2015-12-18 | 남양공업주식회사 | 가변형 광각 조인트 |
CN206506153U (zh) | 2014-06-13 | 2017-09-19 | 株式会社村田制作所 | 静电放电保护设备 |
US10366936B2 (en) | 2014-06-18 | 2019-07-30 | Element Six Technologies Limited | Electronic device component with an integral diamond heat spreader |
CN206302053U (zh) | 2014-06-24 | 2017-07-04 | 株式会社村田制作所 | 静电放电保护设备 |
JP6555344B2 (ja) | 2015-05-08 | 2019-08-07 | 株式会社リコー | 光電変換素子 |
JP2017090608A (ja) | 2015-11-09 | 2017-05-25 | コニカミノルタ株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法、並びに画像形成装置 |
CN108496258B (zh) | 2016-01-25 | 2022-04-26 | 株式会社理光 | 光电转换元件 |
US10686134B2 (en) | 2016-01-28 | 2020-06-16 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element |
US20170243698A1 (en) | 2016-02-22 | 2017-08-24 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element |
JP6711107B2 (ja) | 2016-04-25 | 2020-06-17 | 株式会社リコー | 感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
JP6769112B2 (ja) | 2016-05-25 | 2020-10-14 | 株式会社リコー | 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
JP6781396B2 (ja) | 2016-05-30 | 2020-11-04 | 株式会社リコー | 感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
US10651390B2 (en) | 2016-06-08 | 2020-05-12 | Ricoh Company, Ltd. | Tertiary amine compound, photoelectric conversion element, and solar cell |
US10416594B2 (en) | 2016-10-21 | 2019-09-17 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming method, image forming apparatus, and process cartridge |
JP6880748B2 (ja) | 2017-01-10 | 2021-06-02 | 株式会社リコー | 光電変換素子及び太陽電池 |
US10319533B2 (en) | 2017-01-12 | 2019-06-11 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element and solar cell |
JP2019015776A (ja) | 2017-07-04 | 2019-01-31 | 株式会社リコー | 電子写真感光体、画像形成装置およびプロセスカートリッジ |
-
2019
- 2019-01-22 KR KR1020207029316A patent/KR20200131293A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-01-22 EP EP19704687.3A patent/EP3769327A1/en not_active Withdrawn
- 2019-01-22 US US16/981,890 patent/US11575095B2/en active Active
- 2019-01-22 CN CN201980026964.4A patent/CN112055882A/zh active Pending
- 2019-01-22 WO PCT/JP2019/001845 patent/WO2019181176A1/en unknown
-
2023
- 2023-01-16 JP JP2023004663A patent/JP7435839B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007059195A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Fujifilm Holdings Corp | 上面発光型有機電界発光素子 |
JP2008145737A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体、その製造方法およびそれを用いた電子写真装置 |
JP2008180937A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、およびそれを用いた電子写真装置 |
JP2012119189A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Sekisui Chem Co Ltd | 光電極及び色素増感太陽電池 |
JP2015141269A (ja) * | 2014-01-28 | 2015-08-03 | コニカミノルタ株式会社 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7435839B2 (ja) | 2024-02-21 |
KR20200131293A (ko) | 2020-11-23 |
US20210003931A1 (en) | 2021-01-07 |
CN112055882A (zh) | 2020-12-08 |
WO2019181176A1 (en) | 2019-09-26 |
EP3769327A1 (en) | 2021-01-27 |
US11575095B2 (en) | 2023-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7435839B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
US20230101614A1 (en) | Electronic device and method for producing the same, image forming method, and image forming apparatus | |
TWI834899B (zh) | 電子裝置及其製造方法、影像形成方法及影像形成設備 | |
JP2019164322A (ja) | 光電変換デバイス、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
JP7380287B2 (ja) | 光電変換素子、有機感光体、画像形成方法、画像形成装置および有機el素子 | |
US20230125171A1 (en) | Metal oxide particles having p-type semiconductivity, electronic device using the same, method for manufacturing electronic device, and image forming apparatus | |
WO2021059712A1 (en) | Electronic device and method for producing the same, image forming method, and image forming apparatus | |
US8097387B2 (en) | Photoreceptors comprising aligned nano-sized domains of charge transport components that have significant intermolecular pi-pi orbital overlap | |
WO2022038984A1 (en) | Laminate, device using the same, and production methods thereof | |
JP2008145737A (ja) | 電子写真感光体、その製造方法およびそれを用いた電子写真装置 | |
JP2022035992A (ja) | 積層体およびこれを用いたデバイス並びにこれらの製造方法 | |
JPH07160027A (ja) | 積層型電子写真感光体および電荷発生層用塗料 | |
JPS63163861A (ja) | 電子写真感光体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230117 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240122 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7435839 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |