JP5313478B2 - セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤および半導体装置 - Google Patents
セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤および半導体装置 Download PDFInfo
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 183
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 166
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title abstract description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 104
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 102
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 30
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 130
- -1 Siloxane unit Chemical group 0.000 claims description 64
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 56
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 48
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 abstract description 75
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 32
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 31
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 12
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 12
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N glycine betaine Chemical compound C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 10
- 239000012084 conversion product Substances 0.000 description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 5
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 3
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 3
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- HVYJSOSGTDINLW-UHFFFAOYSA-N 2-[dimethyl(octadecyl)azaniumyl]acetate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC([O-])=O HVYJSOSGTDINLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXQCYWFEQYXWEL-UHFFFAOYSA-N 2-(1-undecyl-4,5-dihydroimidazol-1-ium-1-yl)ethanol Chemical compound CCCCCCCCCCC[N+]1(CCO)CCN=C1 XXQCYWFEQYXWEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKUWWVKLLKXDJK-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)icosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC(N(C)C)C(O)=O BKUWWVKLLKXDJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHBPDUQBTBEAFP-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[1-(carboxymethyl)-2-undecyl-4,5-dihydroimidazol-1-ium-1-yl]ethoxy]acetate Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NCC[N+]1(CCOCC(=O)O)CC(=O)[O-] YHBPDUQBTBEAFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZBZQUREHISXFJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-chloro-5-methyl-3-(trifluoromethyl)pyrazol-1-yl]acetic acid Chemical compound CC1=C(Cl)C(C(F)(F)F)=NN1CC(O)=O IZBZQUREHISXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015643 LiMn 2 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- VJGNLOIQCWLBJR-UHFFFAOYSA-M benzyl(tributyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CC1=CC=CC=C1 VJGNLOIQCWLBJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-methyl-trimethylsilyloxysilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)C=C FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M cetyltrimethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [Sn+4].[O-2].[In+3] GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001905 inorganic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001105 martensitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRQDCDQDOPSGBR-UHFFFAOYSA-M sodium;octane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCS([O-])(=O)=O HRQDCDQDOPSGBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
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Description
「[1] 無機質基材表面に、シロキサン単位式:(HRSiO2/2)n(HSiO3/2)m (1)
(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基および炭素原子数6〜10のアリール基からなる群から選択される1価炭化水素基であり、nは平均0.01≦n≦0.80の数であり、n+m=1である)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーからなる被膜を形成し、次いで、該被膜の形成された該無機質基材を不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス(酸素ガスは20体積%未満である)中で高温加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換することを特徴とする、セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法。
[1-1] シロキサン単位式(1)中のnが平均0.05≦n≦0.50の数であることを特徴とする、[1]記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法。
[1-2] シロキサン単位式(1)中のRがメチル基、フェニル基、又は、メチル基とフェニル基であることを特徴とする、[1] 又は[1-1]記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法。
[2] 不活性ガスが窒素ガスであることを特徴とする、[1]記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法。
[2-1] 不活性ガスが窒素ガスであることを特徴とする、[1-1] 又は[1-2]記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法。
[3] 加熱温度が300〜600℃であることを特徴とする、[1]又は[2]記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法。
[3-1] 加熱温度が300〜600℃であることを特徴とする、[1-1]、[1-2]又は[2-1]記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法。」に関する。
[4] 無機質基材表面に、シロキサン単位式:(HRSiO2/2)n(HSiO3/2)m (1)
(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基および炭素原子数6〜10のアリール基からなる群から選択される1価炭化水素基であり、nは平均0.01≦n≦0.80の数であり、n+m=1である)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーからなる被膜を形成し、次いで、該被膜の形成された該無機質基材を不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス(酸素ガスは20体積%未満である)中で高温加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換することを特徴とする、表面にセラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法。
[4-1] シロキサン単位式(1)中のnが平均0.05≦n≦0.50の数であることを特徴とする、[4]記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法。
[4-2] シロキサン単位式(1)中のRがメチル基、フェニル基、又は、メチル基とフェニル基であることを特徴とする、[4] 又は[4-1]記載の無機質基材の製造方法。
[4-3] 不活性ガスが窒素ガスであることを特徴とする、[4] 、[4-1] 又は[4-2]記載の無機質基材の製造方法。
[4-4] 加熱温度が300〜600℃であることを特徴とする、[4] 、[4-1] 、[4-2] 又は[4-3]記載の無機質基材の製造方法。
[5] 無機質基材が金属基板、セラミック基板、ガラス基板、石英板又は電子デバイスであることを特徴とする、[4]記載の無機質基材の製造方法。
[5-1] 無機質基材が金属基板、セラミック基板、ガラス基板、石英板又は電子デバイスであることを特徴とする、[4-1]、[4-2]、[4-3] 又は[4-4]記載の無機質基材の製造方法。
[6] 金属基板が可撓性金属薄板であることを特徴とする、[5]記載の無機質基材の製造方法。
[6-1] 金属基板が可撓性金属薄板であることを特徴とする、[5-1]記載の無機質基材の製造方法。
[7] 可撓性金属薄板がステンレススチール箔であることを特徴とする、[6]記載の無機質基材の製造方法。
[7-1] 可撓性金属薄板がステンレススチール箔であることを特徴とする、[6-1]記載の無機質基材の製造方法。」に関する。
[8] (A) シロキサン単位式:(HRSiO2/2)n(HSiO3/2)m (1)
(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基および炭素原子数6〜10のアリール基からなる群から選択される1価炭化水素基であり、nは平均0.01≦n≦0.80の数であり、n+m=1である)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマー、又は、前記成分(A)と成分(A)を溶解又は稀釈するに必要な量の(B)有機溶媒とからなり、不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス(酸素ガスは20体積%未満である)中での高温加熱によりセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換可能なことを特徴とする、セラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤。
[9] シロキサン単位式(1)中のnが平均0.05≦n≦0.50の数であることを特徴とする、[8]記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤。
[10] シロキサン単位式(1)中のRがメチル基、フェニル基、又は、メチル基とフェニル基であることを特徴とする、[8]又は[9]記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤。
[10-1] 不活性ガスが窒素ガスであることを特徴とする、[8]、 [9] 又は[10]記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤。
[10-2] 加熱温度が300〜600℃であることを特徴とする、[8]、 [9]、 [10] 又は[10-1]記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤。」に関する。
[11] [5]に記載の製造方法により得られた表面にセラミック状酸化ケイ素系被膜を有する金属基板の当該酸化ケイ素系被膜上に少なくとも半導体層が形成されていることを特徴とする、半導体装置。
[11-1] [5-1]、[6]、[6-1]、[7]又は[7-1]に記載の製造方法により得られた表面にセラミック状酸化ケイ素系被膜を有する金属基板の当該酸化ケイ素系被膜上に少なくとも半導体層が形成されていることを特徴とする、半導体装置。
[12] 金属基板がステンレススチール箔であり、半導体層がシリコン半導体薄層又は化合物半導体薄層であり、半導体装置が薄膜太陽電池であることを特徴とする、[11]記載の半導体装置。
[12-1] 金属基板がステンレススチール箔であり、半導体層がシリコン半導体薄層又は化合物半導体薄層であり、半導体装置が薄膜太陽電池であることを特徴とする、[11-1]記載の半導体装置。」に関する。
本発明の無機質基材の製造方法によると、オルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーを使用することにより、従来のものより製造時および保管時に従来のものよりも細心の注意をすることなく、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材を製造することができる。
本発明のセラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、本発明のセラミック状酸化ケイ素系被膜によると、無機質基材、特には無機質基板の微細な凹凸のある表面を平坦化することができ、具体的には表面粗さが10nm以上の表面でも平坦化することができる。また、無機質基材、特には電子デバイスの段差のある表面を平坦化することができ、具体的には段差が1.0 μm以上の表面でも平坦化することができる。
形成されたセラミック状酸化ケイ素系被膜は1.0 μmを越える膜厚であってもクラックおよびピンホールがなく、かつ、形成されたセラミック状酸化ケイ素系被膜中に吸湿の原因となるシラノール基およびカーボンポイズンの原因となるアルコキシ基を実質的に含有していない。
本発明の半導体装置は、金属基板のセラミック状酸化ケイ素系被膜上に少なくとも半導体層が形成されているので、信頼性と耐久性に優れ、薄膜化が可能である。
無機質基材表面に、シロキサン単位式:(HRSiO2/2)n(HSiO3/2)m (1)
(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基および炭素原子数6〜10のアリール基からなる群から選択される1価炭化水素基であり、nは平均0.01≦n≦0.80の数であり、n+m=1である)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーからなる被膜を形成し、次いで、該被膜の形成された該無機質基材を不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス(酸素ガスは20体積%未満である)中で高温加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換することを特徴とする。
nが0. 01未満であると、シロキサン単位式(1)で示されるコポリマーを合成する際にゲル化しやすく、合成時にゲル化しなくても、このコポリマーを溶液状態で保存中に高分子量化する傾向がみられる。また、高温加熱してセラミック状酸化ケイ素被膜に変換する際に、被膜にクラックが入りやすくなる。こうした合成時・合成後の安定性、セラミック状酸化ケイ素被膜への変換時の耐クラック性の観点から、nは0.05以上であることが好ましい。
nが0.80をこえると、セラミック状酸化ケイ素系被膜の硬度が十分に大きくならず、また、コポリマー中の有機基含有量が相対的に大きくなるため、被膜形成後の酸素プラズマ処理工程において、十分なエッチング耐性が得られない。こうしたセラミック状酸化ケイ素系被膜の硬度、エッチング耐性の観点からnは0.50以下であることが好ましい。
上記観点から、nは、好ましくは平均0. 05≦n≦0.50である。
このコポリマーの重量平均分子量は、特に限定されないが、加熱時に溶融流動することによって、無機質基材、特には金属基板、セラミック基板、ガラス基板の凹凸、電子デバイスや半導体デバイスの凹凸、段差を平坦化するためには、好ましくは1,000以上、100,000以下である。
このコポリマーは、常温で液状ないし固形状である。液状である場合粘度は特に限定されず、固形状である場合軟化点は特に限定されないが、加熱時の溶融流動性の点で好ましくは400℃以下である。
ここで使用される非極性有機溶媒として、芳香族炭化水素系有機溶媒と脂肪族炭化水素系有機溶媒が例示され、芳香族炭化水素系有機溶媒としてトルエン、キシレンが例示され、脂肪族炭化水素系有機溶媒としてヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンが例示される。
ここで使用される塩酸は、濃塩酸が好ましく、より好ましくは塩化水素含有量が15〜37質量%の塩酸である。塩化水素含有量は、非極性有機溶媒の10〜80質量%の範囲が好ましい。
シロキサン単位式(1)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーが常温で固形状であっても、熱分解温度より低い温度で液状化する場合は、有機溶媒に溶解することなく無機質基板表面へのコーテイングに供することができる。もっとも、該コポリマーが、薄くコーテイングすることができない溶融粘度を呈するときは、有機溶媒に溶解することが好ましい。常温で固形状であり、軟化点が分解開始温度より高いときは、有機溶媒に溶解することが必要である。
(A) シロキサン単位式:(HRSiO2/2)n(HSiO3/2)m (1)
(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基および炭素原子数6〜10のアリール基からなる群から選択される1価炭化水素基であり、nは平均0.01≦n≦0.80の数であり、n+m=1である)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマー、又は、前記成分(A)と成分(A)を溶解稀釈するに必要な量の(B)有機溶媒とからなり、不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス(酸素ガスは20体積%未満である)中での高温加熱によりセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換可能なことを特徴とする。
前記したように、成分(A)自体を無機質基材表面へ薄くコーテイングすることが可能であるときは、成分(B)は、不要である。
成分(A)自体を無機質基材表面へ薄くコーテイングすることが不可能であるときは、成分(B)による溶解又は稀釈が必要となる。
なお、シロキサン単位式(1)中の好ましいRとnは段落[0022]に記載したとおりであり、オルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーの分子構造と性状と製造方法は、段落[0023]と段落[0024] に記載したとおりであり、好ましい不活性ガスは段落[0046] に記載したとおりであり、好ましい加熱温度と時間は、段落[0047] に記載したとおりである。
成分(A)と有機溶媒分散コロイダルシリカの混合物は、無機質基材表面に薄くコーテイングするのに十分な粘性を有することが必要である。
その具体例として次の方法がある。
(1-1) 常温で固体状のオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーを加熱して液状化し、無機質基材表面にスピンコート、噴霧はけ塗り、滴下、その他の方法にて塗布する。
(1-2) 常温で液状のオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマー自体又はオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーの有機溶剤溶液を無機質基材表面にスピンコート、噴霧、はけ塗り、滴下、その他の方法にて塗布する。あるいは、
(1-3) 常温で固体状のオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーを加熱して液状化したもの、常温で液状のオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマー自体、又は、オルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーの有機溶剤溶液に、無機質基材を浸漬し、引き上げる。
(2) 次いで、必要により、放置、温風吹き付け、熱風循環式オーブン中での加熱などにより有機溶剤を除去する。
さらには、表面加工と使用時の応力、変位に耐えることができる機械的強度と耐久性を有することが必要である。
もっとも、薄膜太陽電池、反射型液晶表示装置用薄膜トランジスター(TFT)、薄膜エレクトロルミネッセンス表示素子ないし装置等の半導体素子ないし装置用には、薄くて可撓性を有するものである必要がある。
液晶デバイスとして、液晶用ガラス基板、液晶用金属箔が例示される。
無機質基板は、透明性の点では、ガラス基板、石英基板が好ましい。電気絶縁性、成形性、機械的強度の点でセラミック基板(例えば、アルミナ基板)が好ましい。
このような無機質基板は表面に凹凸を有するものであり、本発明のセラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法および酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法により、このような凹凸を有する無機質基板の表面粗さを低減でき、凹凸のある表面を平坦化することができる。
で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマー中の(HRSiO2/2)単位のケイ素結合水素原子の酸化反応速度は、(HSiO3/2)単位のケイ素結合水素原子の酸化反応速度より遅いため、ケイ素結合水素原子の酸化反応および脱水素縮合反応が段階的に進行することができる。HRSiO2/2単位の含有率が増えるほど、硬化段階でポリシロキサン鎖の架橋密度が下がり、急激な架橋反応が起こらないので、内部ストレスの発生を防止緩和することができる。すなわち、HRSiO2/2単位の含有率が増えるほど、SiOSi結合を形成して架橋し、硬化する過程が徐々に進行するので、クラックが生じにくい。
また、シロキサン単位式(1)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーをよく溶解する有機溶剤に、加熱後のセラミック状酸化ケイ素系被膜を浸漬し、該セラミック状酸化ケイ素系被膜が該有機溶剤に不溶であることにより、セラミック状酸化ケイ素系被膜に十分変換されたことを確認することができる。
シロキサン単位式(1)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーの高温加熱より変換されてできたセラミック状酸化ケイ素系被膜は、従来公知の水素シルセスキオキサン樹脂からの酸化ケイ素系被膜に較べてクラックがはいりにくいという特徴があるので、被膜の厚みが1μm以上、1.5μm以上、あるいは2μm以上であってもクラックなしに被膜を形成することができる。該被膜の厚さの上限は臨界的でないが、無機質基材表面に形成可能な厚み以下である必要があり、材料が無駄にならず、性能上弊害が生じない程度の厚み以下(例えば10μm以下)である。
これらの製造時には、高温での蒸着、プラズマCVD、スパッタリング、高温熱処理等が行われるので、これら可撓性金属薄板がきわめて高温、例えば、400℃〜700℃に曝されるが、シロキサン単位式(1)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーの変換物であるセラミック状酸化ケイ素系被膜を有するので、該可撓性金属薄板が変質、劣化、変形することがない。
そこで、シロキサン単位式(1)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーの変換物であるセラミック状酸化ケイ素系被膜を有するステンレススチール箔が基板として好適である。
この金属電極上に形成する半導体層用の半導体として、多結晶シリコン半導体、単結晶シリコン半導体、アモルファスシリコン半導体、化合物半導体が例示され、化合物半導体としては、CIS、CdTe、GICSが例示される。これらの半導体層上に形成する透明電極としては酸化インジウム−スズ合金、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛が例示される。この透明電極上にさらに必要に応じて保護層を形成するが、この保護層としてフッ素樹脂、透明ポリイミドなどの光透過率が高く、かつ耐候性にすぐれた高分子材料が好適である。
[粘度]
メチルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーおよびフェニルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーの粘度は、TOKIMEC製のE型回転粘度計により25℃で測定した。
メチルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーおよびフェニルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーの重量平均分子量と分子量分布は、ゲルパーミエーション(GPC)により測定した。装置として、屈折検出器とTSKgel GMHXL-L カラム(東ソー株式会社製)2個を取り付けたHLC-8020 ゲルパーミエーション(GPC)(東ソー株式会社製)を使用した。試料は2質量%クロロホルム溶液として測定に供した。検量線は分子量既知の標準ポリスチレンを用いて作成した。重量平均分子量は標準ポリスチレン換算して求めた。
メチルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーおよびフェニルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーの29Si−NMRと1H−NMRは、Bruker ACP-300 Spectrometerにより測定した。
セラミック状酸化ケイ素系被膜の厚さは、その切断面をFESEM- JEOL JSM-6335F Field Emission Scanning Electron Microscopeにより観測して求めた。
セラミック状酸化ケイ素系被膜のクラックは、KEYENCE VH-7000電子顕微鏡により観察した。
撹拌機と温度計と窒素ガス導入口と滴下ロート付き4口ガラスフラスコに、オクチルスルホン酸ナトリウムト1.0gとトルエン200mlと濃塩酸200mlを仕込み、窒素ガスを流しつつ−25℃〜−30℃で攪拌しながら、メチルハイドロジェンジクロロシラン4.7g(0.040 モル)とハイドロジェントリクロロシラン12.5g(0.093モル)の混合液(メチルハイドロジェンジクロロシランとハイドロジェントリクロロシランのモル比=0.30:0.70)を滴下ロートから60分間かけて滴下した。滴下終了後、更に室温で1時間攪拌した後、分液ロートで有機層を分取し、中性になるまで水洗後、無水硫酸マグネシウム粉末を投入して乾燥した。無水硫酸マグネシウム粉末を濾別し、ロータリエバポレータにより加熱減圧下でトルエンを除去し、残渣を真空中で乾燥した。
参考例1において、メチルハイドロジェンジクロロシランとハイドロジェントリクロロシランの混合液の代わりに、ハイドロジェンフェニルジクロロシラン2.20g(0.012モル)とハイドロジェントリクロロシラン15.0g(0.085モル)(ハイドロジェンフェニルジクロロシランとハイドロジェントリクロロシランのモル比=12:88)の混合物を用いた以外は、参考例1と同様の操作を行い、無色透明の固体を得た。収率は65%であり、重量平均分子量(Mw)は19,100であり、その29Si‐NMRのHPhSiO2/2単位に由来する−50.4ppmのシグナルとHSiO3/2単位に由来する−84.9ppmのシグナルの積分値、又は1H‐NMRのHMeSiO2/2単位に由来する5.1ppmのシグナルとHSiO3/2単位に由来する4.3ppmのシグナルとの積分値から求めた、フェニルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーの平均シロキサン単位式は、(HPhSiO2/2)0.11(HSiO3/2)0.89であることが判明した。
参考例1で得た液状メチルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーとトルエンとからなる液状被膜形成剤(固形分濃度20質量%)を、厚さ24μmであり表面の粗さRmaxが56.7nmのステンレススチール薄板、すなわち、ステンレススチール箔(150mm角の切片)にスピンコーターでコーテイング後、200℃で2時間加熱した。このコポリマー被膜を形成したステンレススチール箔を開放型円筒型環状炉に挿入し、窒素ガスを流しつつ(酸素ガス濃度50ppm)、400℃で1時間加熱して取り出した。ついで、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有するステンレススチール箔を窒素ガス雰囲気下で徐冷し室温まで冷却した。
参考例2で得た、フェニルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーとトルエンとからなる液状被膜形成剤(固形分濃度20質量%)を、実施例1で使用したステンレススチール箔と同じステンレススチール箔にスピンコーターでコーテイング後、200℃で2時間加熱した。このコポリマー被膜を有するステンレススチール箔を開放型円筒型環状炉に挿入し、窒素ガスを流しつつ(酸素ガス濃度10ppm)、450℃で1時間加熱した。ついで、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有するステンレススチール箔を窒素ガス雰囲気下で徐冷し室温まで冷却した。
顕微鏡観察の結果、このセラミック状酸化ケイ素系被膜にはクラックおよびピンホールがないことが確認された。
またフーリエ変換型赤外線分光分析器で透過モードにより構造解析を行ったところ、セラミック状酸化ケイ素系被膜中のSiH基のピーク(910cm-1および2150cm-1)、シラノール基のピーク(3500cm-1付近)は完全に消失していることが確認された。また、得られたセラミック状酸化ケイ素系被膜は、MIBK、アセトン等の有機溶剤に対して不溶であることが確認された。
参考例2で得たフェニルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーを固形分濃度が20質量%に成るようにトルエンで希釈し、厚さ75μmであり表面の粗さRmaxが30.6nmのガラス薄板にディップコートし、200℃で2時間加熱した。
このコポリマー被膜を形成したガラス薄板を開放型円筒型環状炉に挿入し、窒素ガスを流しつつ(酸素ガス濃度50ppm)450℃で1時間加熱した。ついで、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有するガラス薄板を窒素ガス雰囲気下で徐冷し室温まで冷却した。
顕微鏡観察の結果、このセラミック状酸化ケイ素系被膜にはクラックおよびピンホールがないことが確認された。
フーリエ変換型赤外線分光分析器で透過モードにより構造解析を行ったところ、セラミック状酸化ケイ素系被膜中のSiH基のピーク(910cm-1および2150cm-1)、シラノール基のピーク(3500cm-1付近)は完全に消失していることが確認された。また、得られたセラミック状酸化ケイ素系被膜は、MIBK、アセトン等の有機溶剤に対して不溶であることが確認された。
実施例1で得られたセラミック状酸化ケイ素系被膜を有するステンレススチール箔および実施例2で得られたセラミック状酸化ケイ素系被膜を有するステンレススチール箔の各セラミック状酸化ケイ素系被膜上に、公知の方法でMo裏面電極薄層、CuInGaSe2からなるCIGS系光吸収薄層、CdS高抵抗バッファ薄層、ZnO半絶縁薄層、ITO透明電極薄層を順次蒸着することにより、図4に示す断面を有する薄膜化合物半導体太陽電池セルを製作した。この薄膜太陽電池セルは高い光変換効率を有していた。
東京応化工業株式会社製無機SOG(商品名:OCD−typeII)を実施例1で使用したステンレススチール箔と同じステンレススチール箔上にスピンコートし、最大厚さ0.55μmの無機SOG被膜を形成した。この無機SOG被膜を形成したステンレススチール箔を開放型円筒型環状炉に挿入し、空気中、400℃で1時間加熱した。ついで空気中で徐冷し室温まで冷却した。ステンレススチール箔上に形成された酸化ケイ素系被膜の特性を測定しようとしたが、肉眼で確認できるクラックが多数発生しており、膜厚は測定不能であった。
特開平11-106658の参考例に従って、エタノールにハイドロジェントリエトキシシランを溶解し、これを氷水で冷却しながら攪拌し、ハイドロジェントリエトキシシランの3グラム当量倍の水を滴下した。滴下終了後、室温で攪拌した後沈殿物を濾別し、エタノールを除去し、真空中で乾燥してハイドロジェンポリシルセスキオキサンレジンを得た。
モレキュラーシーブで脱水したメチルイソブチルケトンに、このハイドロジェンポリシルセスキオキサンレジンを固形分濃度が30質量%になるように溶解して、30質量%溶液を調製した。
実施例1で調製したメチルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーのトルエン溶液を、実施例1で使用したステンレススチール箔と同じステンレススチール箔上にスピンコートすることにより、ステンレススチール箔表面に最大厚さ2.30μmのメチルハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマー被膜を形成した。このコポリマー被膜を形成したステンレススチール箔を開放型円筒型環状炉に挿入し、空気中で、400℃で1時間加熱した。ついで、該ステンレススチール箔を取り出して、空気中で徐冷し室温まで冷却した。ステンレススチール箔上に形成された酸化ケイ素系被膜の最大厚さは2.10μmであったが、顕微鏡観察したところ、この酸化ケイ素系被膜には多数のマイクロクラックが発生していることが確認された。
本発明のセラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法は、太陽電池、反射型液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示素子等の電子装置、特には半導体装置用の無機質基板、特には薄膜太陽電池、反射型液晶表示装置用薄膜トランジスター、薄膜エレクトロルミネッセンス表示素子等の薄膜半導体装置用の無機質基板、また、薄膜型リチウム電池の電極形成用の無機質基板を製造するのに有用である。
本発明のセラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤は、無機質基材表面の凹凸、段差を平坦化するのに有用であり、無機質基材上にクラックおよびピンホールがないセラミック状酸化ケイ素系被膜を形成するのに有用である。具体的には電子デバイスの電気絶縁被膜用、平坦化膜用、パッシベーション膜用、層間絶縁膜用として有用である。
本発明の半導体装置は、ソーラハウス、映像機器、携帯電話機、コンピュータ、デイスプレー、家庭電器、OA機器、自動車、航空機、宇宙衛星、船舶等に有用である。
2:ステンレススチール箔
3:ガラス薄板
4:半導体薄層
5a:Mo裏面電極薄層
5b:ITO透明電極薄層
6:CdS高抵抗バッファ薄層
7:CuInGaSe2からなるCIGS系光吸収薄層
8:ZnO半絶縁薄層
Claims (8)
- 無機質基材表面に、シロキサン単位式:(HRSiO2/2)n(HSiO3/2)m (1)
(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基および炭素原子数6〜10のアリール基からなる群から選択される1価炭化水素基であり、nは平均0.05≦n≦0.50の数であり、n+m=1である)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーからなる被膜を形成し、次いで、該被膜の形成された該無機質基材を不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス(酸素ガスは20体積%未満である)中で350〜550℃で30分間以上加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換することを特徴とする、セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法。 - 不活性ガスが窒素ガスであることを特徴とする、請求項1記載のセラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法。
- 無機質基材表面に、シロキサン単位式:(HRSiO2/2)n(HSiO3/2)m(1)
(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基および炭素原子数6〜10のアリール基からなる群から選択される1価炭化水素基であり、nは平均0.05≦n≦0.50の数であり、n+m=1である)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーからなる被膜を形成し、次いで、該被膜の形成された該無機質基材を不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス(酸素ガスは20体積%未満である)中で350〜550℃で30分間以上加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換することを特徴とする、表面にセラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法。 - 無機質基材が金属基板、セラミック基板、ガラス基板、石英基板又は電子デバイスであることを特徴とする、請求項3記載の無機質基材の製造方法。
- 金属基板が可撓性金属薄板であることを特徴とする、請求項4記載の無機質基材の製造方法。
- 可撓性金属薄板がステンレススチール箔であることを特徴とする、請求項5記載の無機質基材の製造方法。
- 請求項4に記載の製造方法により得られた表面にセラミック状酸化ケイ素系被膜を有する金属基板の当該酸化ケイ素系被膜上に少なくとも半導体層が形成されていることを特徴とする、半導体装置。
- 金属基板がステンレススチール箔であり、半導体層がシリコン半導体薄層又は化合物半導体薄層であり、半導体装置が薄膜太陽電池であることを特徴とする、請求項7記載の半導体装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007262513A JP5313478B2 (ja) | 2007-10-05 | 2007-10-05 | セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤および半導体装置 |
PCT/JP2008/068509 WO2009044938A2 (en) | 2007-10-05 | 2008-10-03 | Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device |
EP08836003.7A EP2195398B1 (en) | 2007-10-05 | 2008-10-03 | Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device |
US12/681,521 US20110011447A1 (en) | 2007-10-05 | 2008-10-03 | Method of Forming A Ceramic Silicon Oxide Type Coating, Method of Producing An Inorganic Base Material, Agent For Forming A Ceramic Silicon Oxide Type Coating, and Semiconductor Device |
ES08836003T ES2423507T3 (es) | 2007-10-05 | 2008-10-03 | Método para formar un revestimiento cerámico tipo óxido de silicio, método para producir un material inorgánico base, agente para formar un revestimiento cerámico tipo óxido de silicio, y dispositivo semiconductor |
CN200880110251A CN101815766A (zh) | 2007-10-05 | 2008-10-03 | 形成陶瓷氧化硅类涂层的方法,生产无机基材的方法,形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂,和半导体器件 |
KR1020107009766A KR20100080605A (ko) | 2007-10-05 | 2008-10-03 | 세라믹 산화규소계 피막의 형성 방법, 무기 기재의 제조 방법, 세라믹 산화규소계 피막 형성제 및 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007262513A JP5313478B2 (ja) | 2007-10-05 | 2007-10-05 | セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤および半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009094239A JP2009094239A (ja) | 2009-04-30 |
JP5313478B2 true JP5313478B2 (ja) | 2013-10-09 |
Family
ID=40428029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007262513A Expired - Fee Related JP5313478B2 (ja) | 2007-10-05 | 2007-10-05 | セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤および半導体装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110011447A1 (ja) |
EP (1) | EP2195398B1 (ja) |
JP (1) | JP5313478B2 (ja) |
KR (1) | KR20100080605A (ja) |
CN (1) | CN101815766A (ja) |
ES (1) | ES2423507T3 (ja) |
WO (1) | WO2009044938A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11575095B2 (en) | 2018-03-19 | 2023-02-07 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion device, process cartridge, and image forming apparatus |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2940323B1 (fr) | 2008-12-18 | 2011-02-11 | Centre Nat Rech Scient | Procede de depot de films d'oxydes sur tubes metalliques textures |
JP5353442B2 (ja) * | 2009-05-25 | 2013-11-27 | セイコーエプソン株式会社 | 太陽電池パネル、太陽電池ユニット、太陽電池ユニット集合体 |
JP5634315B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2014-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁層付金属基板および光電変換素子 |
JP5479301B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2014-04-23 | 株式会社新菱 | エッチング液およびシリコン基板の表面加工方法 |
WO2012023613A1 (ja) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | 株式会社トクヤマ | テクスチャー形成用組成物、シリコン基板の製造方法、及びテクスチャー形成用組成物調製キット |
WO2012058454A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | First Solar, Inc. | Photovoltaic module substrate |
WO2013008324A1 (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-17 | 株式会社アルバック | 太陽電池用透明導電性基板の製造方法及び太陽電池用透明導電性基板 |
JP6104576B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2017-03-29 | ソーラーフロンティア株式会社 | 化合物系薄膜太陽電池 |
ES2755157T3 (es) * | 2013-03-28 | 2020-04-21 | Daetwyler Cabling Solutions Ag | Dispersiones para preparar un revestimiento protector y aislante resistente al fuego |
JP2017120873A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-07-06 | 京セラ株式会社 | 絶縁性ペーストおよびその製造方法並びに太陽電池素子の製造方法 |
JP6997092B2 (ja) * | 2016-02-19 | 2022-01-17 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | エージングしたシルセスキオキサンポリマー |
WO2023075647A1 (ru) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | Акционерное Общество "Цтк-Евро" | Применение керамического покрытия solcoat для увеличения теплового потока |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4999397A (en) * | 1989-07-28 | 1991-03-12 | Dow Corning Corporation | Metastable silane hydrolyzates and process for their preparation |
US5436029A (en) * | 1992-07-13 | 1995-07-25 | Dow Corning Corporation | Curing silicon hydride containing materials by exposure to nitrous oxide |
JP3174417B2 (ja) * | 1992-12-11 | 2001-06-11 | ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション | 酸化ケイ素膜の形成方法 |
JPH09268228A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Dow Corning Asia Ltd | 紫外線硬化性組成物およびこれを用いた硬化物パターンの形成方法 |
US6218020B1 (en) * | 1999-01-07 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content |
JP4676686B2 (ja) * | 2003-09-01 | 2011-04-27 | 新日本製鐵株式会社 | シリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔及びその製造方法 |
JP4314963B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2009-08-19 | Jsr株式会社 | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物およびシリカ系膜 |
DE602006018976D1 (de) * | 2005-09-29 | 2011-01-27 | Dow Corning | Verfahren zum abtrennen von hochtemperaturfilmen und/oder vorrichtungen von metallsubstraten |
JP4783117B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2011-09-28 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | シリカ系ガラス薄層付き無機質基板、その製造方法、コーテイング剤および半導体装置 |
-
2007
- 2007-10-05 JP JP2007262513A patent/JP5313478B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-03 KR KR1020107009766A patent/KR20100080605A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-10-03 US US12/681,521 patent/US20110011447A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-03 WO PCT/JP2008/068509 patent/WO2009044938A2/en active Application Filing
- 2008-10-03 ES ES08836003T patent/ES2423507T3/es active Active
- 2008-10-03 EP EP08836003.7A patent/EP2195398B1/en not_active Not-in-force
- 2008-10-03 CN CN200880110251A patent/CN101815766A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11575095B2 (en) | 2018-03-19 | 2023-02-07 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion device, process cartridge, and image forming apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110011447A1 (en) | 2011-01-20 |
CN101815766A (zh) | 2010-08-25 |
KR20100080605A (ko) | 2010-07-09 |
EP2195398B1 (en) | 2013-05-22 |
EP2195398A2 (en) | 2010-06-16 |
JP2009094239A (ja) | 2009-04-30 |
ES2423507T3 (es) | 2013-09-20 |
WO2009044938A3 (en) | 2009-05-14 |
WO2009044938A2 (en) | 2009-04-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100903 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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