JP2002140837A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低線速及び高線速の何れにおいても、記録、
再生、消去の繰り返し特性及び記録感度が優れた光記録
媒体の提供。 【解決手段】 基板１上に、下部耐熱保護層２、光記録
層３、上部耐熱保護層４及び反射放熱層５を順次積層し
た光記録媒体において、前記耐熱保護層が、Ａｇ及び／
又はＣｕと、Ｉｎ及び／又はＡｌと、Ｏ（酸素）とから
なることを特徴とする光記録媒体。
再生、消去の繰り返し特性及び記録感度が優れた光記録
媒体の提供。 【解決手段】 基板１上に、下部耐熱保護層２、光記録
層３、上部耐熱保護層４及び反射放熱層５を順次積層し
た光記録媒体において、前記耐熱保護層が、Ａｇ及び／
又はＣｕと、Ｉｎ及び／又はＡｌと、Ｏ（酸素）とから
なることを特徴とする光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、書き換え可能な光
記録媒体に関するものである。
記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、レーザビームの照射により情報の
記録、再生、消去が可能な光記録媒体としては相変化型
光記録媒体が知られており、単一ビームによるオーバー
ライトが可能な媒体として注目されている。この相変化
型光記録媒体の層構成は、通常ポリカーボネート基板上
に下部保護層、記録層、上部保護層、反射放熱層が順次
設けられたものとなっている。記録材料の代表的なもの
としては、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｎ等のカルコゲン系材料（米国特許第３５３０４４
１号明細書参照）、記録／消去の繰り返し特性の向上を
目的としたＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
の組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号公
報、特開昭６３−２２８４３３号公報等参照）等が挙げ
られる。
記録、再生、消去が可能な光記録媒体としては相変化型
光記録媒体が知られており、単一ビームによるオーバー
ライトが可能な媒体として注目されている。この相変化
型光記録媒体の層構成は、通常ポリカーボネート基板上
に下部保護層、記録層、上部保護層、反射放熱層が順次
設けられたものとなっている。記録材料の代表的なもの
としては、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｎ等のカルコゲン系材料（米国特許第３５３０４４
１号明細書参照）、記録／消去の繰り返し特性の向上を
目的としたＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
の組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号公
報、特開昭６３−２２８４３３号公報等参照）等が挙げ
られる。
【０００３】一方、保護層材料としては、ＳｉＯ２、Ａ
ｌ２Ｏ３等の酸化物、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等の窒
化物が知られている。しかしながら、これらの材料を用
いた保護層は、レーザ照射による加熱、冷却サイクルに
起因する熱ダメージのために変質し、信頼性の低下につ
ながることが指摘されている。この問題を解決するため
に、ＺｎＳ又はＺｎＳｅと、ＳｉＯ２との混合材料が提
案されており（特許第２５２３９０７号公報参照）、こ
の保護層材料を用いることによって高線速対応の記録媒
体における繰り返し特性は大きく向上するが、コンパク
トディスクの低線速対応については未だ繰り返し特性に
不満が残る。
ｌ２Ｏ３等の酸化物、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等の窒
化物が知られている。しかしながら、これらの材料を用
いた保護層は、レーザ照射による加熱、冷却サイクルに
起因する熱ダメージのために変質し、信頼性の低下につ
ながることが指摘されている。この問題を解決するため
に、ＺｎＳ又はＺｎＳｅと、ＳｉＯ２との混合材料が提
案されており（特許第２５２３９０７号公報参照）、こ
の保護層材料を用いることによって高線速対応の記録媒
体における繰り返し特性は大きく向上するが、コンパク
トディスクの低線速対応については未だ繰り返し特性に
不満が残る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】相変化型光記録媒体
は、その動作原理から、レーザ光により記録層の溶融凝
固が繰り返されるため、記録層中の物質流動に起因する
耐熱保護層との界面剥離や、レーザ光による熱衝撃に起
因する耐熱保護層のクラック発生等によって記録媒体の
劣化を生じる場合がある。特に相変化型光記録媒体にお
ける耐熱保護層は、記録層で吸収されたレーザ光による
熱の制御を行い、ジッターの少ない良好な記録マークの
形成を低パワーで実現させる上で、また多数回の繰り返
しにおいても信頼性の高い記録媒体を提供する上で極め
て重要な役割を担っている。この様な役割を果たすため
に耐熱保護層に要求される特性としては次の（イ）〜
（ニ）が挙げられる。 （イ）熱衝撃に強いこと。 （ロ）熱伝導率を目的とする光記録媒体により制御でき
ること。 （ハ）レーザ光が記録層において効率的に吸収されるよ
うに適度な屈折率を有していること。 （ニ）化学的に安定であること。本発明は、これらの諸
特性を満足する耐熱保護層材料を開発し、その新規な材
料を用いて、低線速及び高線速の何れにおいても、記
録、再生、消去の繰り返し特性及び記録感度が優れた光
記録媒体を提供することを目的とする。
は、その動作原理から、レーザ光により記録層の溶融凝
固が繰り返されるため、記録層中の物質流動に起因する
耐熱保護層との界面剥離や、レーザ光による熱衝撃に起
因する耐熱保護層のクラック発生等によって記録媒体の
劣化を生じる場合がある。特に相変化型光記録媒体にお
ける耐熱保護層は、記録層で吸収されたレーザ光による
熱の制御を行い、ジッターの少ない良好な記録マークの
形成を低パワーで実現させる上で、また多数回の繰り返
しにおいても信頼性の高い記録媒体を提供する上で極め
て重要な役割を担っている。この様な役割を果たすため
に耐熱保護層に要求される特性としては次の（イ）〜
（ニ）が挙げられる。 （イ）熱衝撃に強いこと。 （ロ）熱伝導率を目的とする光記録媒体により制御でき
ること。 （ハ）レーザ光が記録層において効率的に吸収されるよ
うに適度な屈折率を有していること。 （ニ）化学的に安定であること。本発明は、これらの諸
特性を満足する耐熱保護層材料を開発し、その新規な材
料を用いて、低線速及び高線速の何れにおいても、記
録、再生、消去の繰り返し特性及び記録感度が優れた光
記録媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、次の１）〜
８）の発明（以下、本発明１〜８という）によって解決
される。 １） 基板上に下部耐熱保護層、光記録層、上部耐熱保
護層及び反射放熱層を順次積層した光記録媒体におい
て、前記耐熱保護層が、少なくともＡｇ及び／又はＣｕ
と、Ｉｎ及び／又はＡｌと、Ｏ（酸素）とからなること
を特徴とする光記録媒体。 ２） 耐熱保護層が、組成式Ｘ・Ｙ・Ｏ２（ただし、Ｘ
はＡｇ及び／又はＣｕ、ＹはＩｎ及び／又はＡｌ）で表
される化合物を主成分とする材料からなることを特徴と
する１）記載の光記録媒体。 ３） 前記組成式Ｘ・Ｙ・Ｏ２で表される化合物の結晶
構造がデラフォサイト構造であることを特徴とする２）
記載の光記録媒体。 ４） 耐熱保護層材料が、ドナーとして働くＳｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、アクセプターと
して働くＰ、Ｓｂ、Ｂｉ、両性として働くＺｎ、Ｃｄの
中から選ばれる少なくとも１種の添加元素を含有するこ
とを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒
体。 ５） 添加元素の添加量が１０ａｔ（原子）％以下であ
ることを特徴とする４）記載の光記録媒体。 ６） 耐熱保護層が、１）〜５）の何れかに記載の耐熱
保護層材料と、該材料以外の他の酸化物、硫化物及び窒
化物から選ばれる少なくとも１種の誘電体材料との混合
物からなることを特徴とする光記録媒体。 ７） 誘電体材料が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ
５、ＺｎＳ、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれる少
なくとも１種であることを特徴とする６）記載の光記録
媒体。 ８） 光記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを主成分
とする合金からなることを特徴とする１）〜７）の何れ
かに記載の光記録媒体。
８）の発明（以下、本発明１〜８という）によって解決
される。 １） 基板上に下部耐熱保護層、光記録層、上部耐熱保
護層及び反射放熱層を順次積層した光記録媒体におい
て、前記耐熱保護層が、少なくともＡｇ及び／又はＣｕ
と、Ｉｎ及び／又はＡｌと、Ｏ（酸素）とからなること
を特徴とする光記録媒体。 ２） 耐熱保護層が、組成式Ｘ・Ｙ・Ｏ２（ただし、Ｘ
はＡｇ及び／又はＣｕ、ＹはＩｎ及び／又はＡｌ）で表
される化合物を主成分とする材料からなることを特徴と
する１）記載の光記録媒体。 ３） 前記組成式Ｘ・Ｙ・Ｏ２で表される化合物の結晶
構造がデラフォサイト構造であることを特徴とする２）
記載の光記録媒体。 ４） 耐熱保護層材料が、ドナーとして働くＳｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、アクセプターと
して働くＰ、Ｓｂ、Ｂｉ、両性として働くＺｎ、Ｃｄの
中から選ばれる少なくとも１種の添加元素を含有するこ
とを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒
体。 ５） 添加元素の添加量が１０ａｔ（原子）％以下であ
ることを特徴とする４）記載の光記録媒体。 ６） 耐熱保護層が、１）〜５）の何れかに記載の耐熱
保護層材料と、該材料以外の他の酸化物、硫化物及び窒
化物から選ばれる少なくとも１種の誘電体材料との混合
物からなることを特徴とする光記録媒体。 ７） 誘電体材料が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ
５、ＺｎＳ、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれる少
なくとも１種であることを特徴とする６）記載の光記録
媒体。 ８） 光記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを主成分
とする合金からなることを特徴とする１）〜７）の何れ
かに記載の光記録媒体。
【０００６】以下、上記本発明１〜８について詳しく説
明する。本発明１〜３においては、熱伝導率の制御が比
較的正確に出来る。その理由は必ずしも明確ではない
が、本発明１〜３の耐熱保護層材料を用いることにより
電気伝導性が向上し、この電気伝導性が熱伝導に反映さ
れるものと考えられる。また、デラフォサイト構造は正
四面体構造のために熱衝撃にも強く、耐熱保護層材料に
適している（本発明３）。さらに、上記耐熱保護層は、
その透過率が、５００〜８００ｎｍの間で８０％以上あ
るため光記録媒体用として十分に使用できるものであ
る。
明する。本発明１〜３においては、熱伝導率の制御が比
較的正確に出来る。その理由は必ずしも明確ではない
が、本発明１〜３の耐熱保護層材料を用いることにより
電気伝導性が向上し、この電気伝導性が熱伝導に反映さ
れるものと考えられる。また、デラフォサイト構造は正
四面体構造のために熱衝撃にも強く、耐熱保護層材料に
適している（本発明３）。さらに、上記耐熱保護層は、
その透過率が、５００〜８００ｎｍの間で８０％以上あ
るため光記録媒体用として十分に使用できるものであ
る。
【０００７】本発明４においては、本発明１〜３の耐熱
保護層材料に、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉの中から選ばれた
少なくとも一種の元素を添加して、その電気伝導度を制
御することができる。そして、この電気伝導度の制御に
より、熱伝導度もある程度制御できる。その結果、耐熱
保護層の熱伝導率の制御が可能となり、記録媒体の設計
が容易になる。上記諸元素のうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
Ｐｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉはドナーとして働き、伝導電
子を増加させるので、熱伝導率が大きくなる傾向を示
し、Ｐ、Ｓｂ、Ｂｉはアクセプターとして働くためか、
熱伝導率が小さくなる傾向にある。また、Ｚｎ、Ｃｄは
両性として働く。これらの元素の添加量は、１０ａｔ
（原子）％以下、好ましくは２〜５ａｔ％の範囲がよい
（本発明５）。添加量が１０ａｔ％を超えると、保護層
材料による光吸収が増加して光の透過率が８０％以下と
なり、記録特性が低下するので好ましくない。これらの
添加元素により、屈折率もある程度制御できるので、目
的とする記録媒体を設計し易くなる。
保護層材料に、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉの中から選ばれた
少なくとも一種の元素を添加して、その電気伝導度を制
御することができる。そして、この電気伝導度の制御に
より、熱伝導度もある程度制御できる。その結果、耐熱
保護層の熱伝導率の制御が可能となり、記録媒体の設計
が容易になる。上記諸元素のうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
Ｐｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉはドナーとして働き、伝導電
子を増加させるので、熱伝導率が大きくなる傾向を示
し、Ｐ、Ｓｂ、Ｂｉはアクセプターとして働くためか、
熱伝導率が小さくなる傾向にある。また、Ｚｎ、Ｃｄは
両性として働く。これらの元素の添加量は、１０ａｔ
（原子）％以下、好ましくは２〜５ａｔ％の範囲がよい
（本発明５）。添加量が１０ａｔ％を超えると、保護層
材料による光吸収が増加して光の透過率が８０％以下と
なり、記録特性が低下するので好ましくない。これらの
添加元素により、屈折率もある程度制御できるので、目
的とする記録媒体を設計し易くなる。
【０００８】本発明６〜７においては、本発明１〜５の
耐熱保護層材料に、該材料以外の他の誘電体材料、例え
ばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５等の酸化物；Ｚｎ
Ｓ等の硫化物；ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４等の窒化物を
混合することにより、光記録媒体の光学特性を制御でき
る。即ち、これらの誘電体材料を混合することにより、
耐熱保護層の屈折率を大きく変化させ、透過率の向上を
図ることが可能となる。本発明８においては、記録層と
して、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とする合金を
用いることにより、上記耐熱保護層の機能と併せて、高
感度かつ繰り返し特性が良好で、広い範囲の線速に対応
できる記録媒体を設計することができる。もちろん、本
発明は、記録層として、例えばＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを主
成分とする合金などの他の材料を用いた記録媒体にも適
用できることは言うまでもない。
耐熱保護層材料に、該材料以外の他の誘電体材料、例え
ばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５等の酸化物；Ｚｎ
Ｓ等の硫化物；ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４等の窒化物を
混合することにより、光記録媒体の光学特性を制御でき
る。即ち、これらの誘電体材料を混合することにより、
耐熱保護層の屈折率を大きく変化させ、透過率の向上を
図ることが可能となる。本発明８においては、記録層と
して、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とする合金を
用いることにより、上記耐熱保護層の機能と併せて、高
感度かつ繰り返し特性が良好で、広い範囲の線速に対応
できる記録媒体を設計することができる。もちろん、本
発明は、記録層として、例えばＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを主
成分とする合金などの他の材料を用いた記録媒体にも適
用できることは言うまでもない。
【０００９】次に、本発明の記録媒体の層構成について
図面を参照しつつ説明する。図１は、本発明の記録媒体
の構成例を示すもので、基板１上に下部耐熱保護層２、
光記録層３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５が設けら
れている。耐熱保護層は必ずしも記録層の両側に設ける
必要はないが、基板がポリカーボネート樹脂のように耐
熱性の低い材料の場合には、下部耐熱保護層を設けるこ
とが望ましい。
図面を参照しつつ説明する。図１は、本発明の記録媒体
の構成例を示すもので、基板１上に下部耐熱保護層２、
光記録層３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５が設けら
れている。耐熱保護層は必ずしも記録層の両側に設ける
必要はないが、基板がポリカーボネート樹脂のように耐
熱性の低い材料の場合には、下部耐熱保護層を設けるこ
とが望ましい。
【００１０】基板の材料は、通常、ガラス、セラミック
ス或いは樹脂等であり、成形性やコストの点で樹脂基板
が好ましい。樹脂の代表例としては、ポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル・スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フ
ッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹脂
が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カード
状、シート状など何れでもよい。
ス或いは樹脂等であり、成形性やコストの点で樹脂基板
が好ましい。樹脂の代表例としては、ポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル・スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フ
ッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹脂
が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カード
状、シート状など何れでもよい。
【００１１】耐熱保護層としての誘電体層は、例えばＺ
ｎＳ・ＺｎＯ・ＳｉＯ２を用いてスパッタ法により製膜
する。この誘電体層は、光干渉層としての機能も有する
ことから、それらの機能を最大限に生かす必要があるの
で、膜厚を２００〜３０００Å、好ましくは３５０〜２
０００Åとする。２００Å未満の場合は耐熱保護層とし
ての機能が失われ、また、３０００Åを超えると界面剥
離が生じ易くなる。
ｎＳ・ＺｎＯ・ＳｉＯ２を用いてスパッタ法により製膜
する。この誘電体層は、光干渉層としての機能も有する
ことから、それらの機能を最大限に生かす必要があるの
で、膜厚を２００〜３０００Å、好ましくは３５０〜２
０００Åとする。２００Å未満の場合は耐熱保護層とし
ての機能が失われ、また、３０００Åを超えると界面剥
離が生じ易くなる。
【００１２】また、本発明の記録層は、一般的にはスパ
ッタ法により膜形成が行われ、その膜厚は１００〜１０
００Å、好ましくは２００〜３５０Åがよい。１００Å
より薄いと光吸収能が低下して記録層としての機能を失
う。一方、１０００Åより厚いと透過光が少なくなるた
め、干渉効果を期待できなくなる。反射放熱層はＡｌ合
金を用いる。その膜厚は５００〜２０００Å、好ましく
は７００〜１５００Åであり、製膜はスパッタ法により
行う。
ッタ法により膜形成が行われ、その膜厚は１００〜１０
００Å、好ましくは２００〜３５０Åがよい。１００Å
より薄いと光吸収能が低下して記録層としての機能を失
う。一方、１０００Åより厚いと透過光が少なくなるた
め、干渉効果を期待できなくなる。反射放熱層はＡｌ合
金を用いる。その膜厚は５００〜２０００Å、好ましく
は７００〜１５００Åであり、製膜はスパッタ法により
行う。
【００１３】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定さ
れるものではない。
的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定さ
れるものではない。
【００１４】実施例１ トラックピッチ０．７２μｍ、溝深さ４００Åの溝を設
けた厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネー
ト基板上に、下部耐熱保護層（膜厚８００Å）、記録層
（膜厚２００Å）、上部耐熱保護層（膜厚２５０Å）及
び反射放熱層（膜厚１０００Å）を順次Ｒｆスパッタ法
により積層し、光記録媒体を作成した。耐熱保護層には
ＡｇＩｎＯ２を用い、記録層にはＡｇ５Ｉｎ７Ｓｂ６３
Ｔｅ２ ５合金（組成比は原子％）を、反射層にはＡｌ合
金を用いた。
けた厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネー
ト基板上に、下部耐熱保護層（膜厚８００Å）、記録層
（膜厚２００Å）、上部耐熱保護層（膜厚２５０Å）及
び反射放熱層（膜厚１０００Å）を順次Ｒｆスパッタ法
により積層し、光記録媒体を作成した。耐熱保護層には
ＡｇＩｎＯ２を用い、記録層にはＡｇ５Ｉｎ７Ｓｂ６３
Ｔｅ２ ５合金（組成比は原子％）を、反射層にはＡｌ合
金を用いた。
【００１５】実施例２ 耐熱保護層をＡｇＩｎＯ２：Ｓｎ＝９５：５（モル％）
に代えた点を除き、実施例１と全く同様にして記録媒体
を作成した。
に代えた点を除き、実施例１と全く同様にして記録媒体
を作成した。
【００１６】実施例３ 耐熱保護層をＡｇＩｎＯ２：Ｐ＝９５：５（モル％）に
代えた点を除き、実施例１と全く同様にして記録媒体を
作成した。
代えた点を除き、実施例１と全く同様にして記録媒体を
作成した。
【００１７】実施例４ 耐熱保護層をＡｇＩｎＯ２：ＺｎＳ＝７０：３０（モル
％）に代えた点を除き、実施例１と全く同様にして光記
録媒体を作成した。
％）に代えた点を除き、実施例１と全く同様にして光記
録媒体を作成した。
【００１８】実施例５ 耐熱保護層をＡｇＩｎＯ２：ＳｉＯ２＝８０：２０（モ
ル％）に代えた点を除き、実施例１と全く同様にして記
録媒体を作成した。
ル％）に代えた点を除き、実施例１と全く同様にして記
録媒体を作成した。
【００１９】比較例 耐熱保護層をＺｎＳ：ＳｉＯ２＝７０：３０（モル％）
に代えた点を除き、実施例１と全く同様にして記録媒体
を作成した。
に代えた点を除き、実施例１と全く同様にして記録媒体
を作成した。
【００２０】以上のようにして得られた記録媒体のディ
スク特性を次のようにして評価した。即ち、記録媒体を
初期結晶化後、線速３．５ｍ／ｓでＥＦＭランダムパタ
ーンによりオーバーライトの繰り返し記録を行い、その
時の３Ｔ信号のジッターの記録パワー依存性を評価し
た。なお再生線速は３．５ｍ／ｓである。その結果を表
１〜６に示す（表１〜５は実施例１〜５、表６は比較例
に対応）。なお、各表中の数値はジッター〔ｎｓ（ナノ
秒）〕であり、表６中の数値が示されていないカラムの
「−」は、ジッターが２０ｎｓ以上であって信号特性が
悪いことを示している。
スク特性を次のようにして評価した。即ち、記録媒体を
初期結晶化後、線速３．５ｍ／ｓでＥＦＭランダムパタ
ーンによりオーバーライトの繰り返し記録を行い、その
時の３Ｔ信号のジッターの記録パワー依存性を評価し
た。なお再生線速は３．５ｍ／ｓである。その結果を表
１〜６に示す（表１〜５は実施例１〜５、表６は比較例
に対応）。なお、各表中の数値はジッター〔ｎｓ（ナノ
秒）〕であり、表６中の数値が示されていないカラムの
「−」は、ジッターが２０ｎｓ以上であって信号特性が
悪いことを示している。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【表３】
【００２４】
【表４】
【００２５】
【表５】
【００２６】
【表６】
【００２７】表１〜表６の結果をみると、本発明の耐熱
保護材料を用いたものは全て、表６の比較例よりも繰り
返し特性が向上していることが分かる。特に、実施例１
〜３は、繰り返しによるジッターの上昇が少なく、中で
も、実施例２のＡｇＩｎＯ２：Ｓｎ＝９５：５（モル
％）を用いたものは特に優れていることが分かる。これ
は、Ｓｎの添加により放熱効率が上昇し、熱ダメージが
低減したためと考えられる。また、ＡｇＩｎＯ２の構造
が正四面体のデラフォサイト構造であることも熱衝撃に
強い理由と思われる。なお、実施例１〜５では、耐熱保
護層にＡｇＩｎＯ２を用いているが、これをＡｇＡｌＯ
２、ＣｕＩｎＯ２、ＣｕＡｌＯ２に代えても同様な繰り
返し特性の向上が得られた。また、添加元素として、ド
ナーとして働くＳｉ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、
Ｉ、アクセプタとして働くＳｂ、Ｂｉ、両性として働く
Ｚｎ、Ｃｄを用いても繰り返し特性に対し大きな効果が
認められた。更に、表１〜５から分かるように、記録パ
ワー８ｍＷの記録でオーバーライト回数１００００回で
もジッターは１０ｎｓ台以下であり、高い記録感度を示
した。
保護材料を用いたものは全て、表６の比較例よりも繰り
返し特性が向上していることが分かる。特に、実施例１
〜３は、繰り返しによるジッターの上昇が少なく、中で
も、実施例２のＡｇＩｎＯ２：Ｓｎ＝９５：５（モル
％）を用いたものは特に優れていることが分かる。これ
は、Ｓｎの添加により放熱効率が上昇し、熱ダメージが
低減したためと考えられる。また、ＡｇＩｎＯ２の構造
が正四面体のデラフォサイト構造であることも熱衝撃に
強い理由と思われる。なお、実施例１〜５では、耐熱保
護層にＡｇＩｎＯ２を用いているが、これをＡｇＡｌＯ
２、ＣｕＩｎＯ２、ＣｕＡｌＯ２に代えても同様な繰り
返し特性の向上が得られた。また、添加元素として、ド
ナーとして働くＳｉ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、
Ｉ、アクセプタとして働くＳｂ、Ｂｉ、両性として働く
Ｚｎ、Ｃｄを用いても繰り返し特性に対し大きな効果が
認められた。更に、表１〜５から分かるように、記録パ
ワー８ｍＷの記録でオーバーライト回数１００００回で
もジッターは１０ｎｓ台以下であり、高い記録感度を示
した。
【００２８】
【発明の効果】繰り返し特性が良好で、かつ記録感度の
高い優れた光記録媒体を提供することができる。
高い優れた光記録媒体を提供することができる。
【図１】本発明の記録媒体の層構成を示す図である。
１ 基板 ２ 下部耐熱保護層 ３ 光記録層 ４ 上部耐熱保護層 ５ 反射放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA11 BA21 BA23 BA43 BB02 BD00 CA05 5D029 JA01 LA13 LA14 LB01 LB02 LC18
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に、下部耐熱保護層、光記録層、
上部耐熱保護層及び反射放熱層を順次積層した光記録媒
体において、前記耐熱保護層が、少なくともＡｇ及び／
又はＣｕと、Ｉｎ及び／又はＡｌと、Ｏ（酸素）とから
なることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 耐熱保護層が、組成式Ｘ・Ｙ・Ｏ２（た
だし、ＸはＡｇ及び／又はＣｕ、ＹはＩｎ及び／又はＡ
ｌ）で表される化合物を主成分とする材料からなること
を特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記組成式Ｘ・Ｙ・Ｏ２で表される化合
物の結晶構造がデラフォサイト構造であることを特徴と
する請求項２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 耐熱保護層材料が、ドナーとして働くＳ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、アクセプ
ターとして働くＰ、Ｓｂ、Ｂｉ、両性として働くＺｎ、
Ｃｄ、の中から選ばれる少なくとも１種の添加元素を含
有することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の
光記録媒体。 - 【請求項５】 添加元素の添加量が１０ａｔ（原子）％
以下であることを特徴とする請求項４記載の光記録媒
体。 - 【請求項６】 耐熱保護層が、請求項１〜５の何れかに
記載の耐熱保護層材料と、該材料以外の他の酸化物、硫
化物及び窒化物から選ばれる少なくとも１種の誘電体材
料との混合物からなることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項７】 誘電体材料が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、
Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４から選
ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項６
記載の光記録媒体。 - 【請求項８】 光記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅ
を主成分とする合金からなることを特徴とする請求項１
〜７のいずれかに記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000334996A JP2002140837A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000334996A JP2002140837A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002140837A true JP2002140837A (ja) | 2002-05-17 |
Family
ID=18810814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000334996A Pending JP2002140837A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002140837A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11575095B2 (en) | 2018-03-19 | 2023-02-07 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion device, process cartridge, and image forming apparatus |
-
2000
- 2000-11-01 JP JP2000334996A patent/JP2002140837A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11575095B2 (en) | 2018-03-19 | 2023-02-07 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion device, process cartridge, and image forming apparatus |
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