JPH11235873A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録感度が高く、更に繰り返し特性が良好
で、且つ初期結晶化の容易な、更には短波長域から長波
長域の光源に対応できる光記録媒体を提供すること。 【解決手段】 記録媒体の記録層を構成する記録材料が
Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ及びＴｅからなる合金で構成されたも
の、より好ましくは、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ及びＴｅを主成
分とし、更にこれにＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、
Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＣｌから選ば
れた少なくとも１種の元素を添加してなるものとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、書換えが可能であ
る光記録媒体の分野に応用可能な相変化型光記録媒体に
関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザービームの照射による情報の記
録、再生及び消去可能な光記録媒体の一つとして、結晶
−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の転移を利用す
る、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知られている。
これは単一ビームによるオーバーライトが可能であり、
ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴とし、
コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体として応
用されている。その記録材料としては、ＧｅＴｅ、Ｇｅ
ＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、Ｇ
ｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔ
ｅ−（Ｓｎ，Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴ
ｅＳｂ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどがある。また、特
開昭５７−２０８６４８号公報に開示されているよう
に、記録層をＳｉＯ₂等の母材中に埋め込み、記録材料
の不可逆的変化を抑制する記録層も提案されている。ま
た、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、高感度でアモルファス
部分の輪郭が明確な特徴を有し、マークエッジ記録用の
記録層として開発されている。（特開平２−３７４６６
号、特開平２−１７１３２５号、特開平２−４１５５８
１号、特開平４−１４１４８５号各公報）。更に、高速
化に対応した（Ｓｂ−Ａｇ−Ｔｅ）（Ｇｅ−Ｔｅ）系も
開発されている（特開平１−１０４３８号公報）。

【０００３】これらの記録層を用いる光記録媒体とし
て、反射層、第１保護層及び第２保護層を有する多層構
造のものがあるが、この光記録媒体では、繰返し記録特
性の改善及び繰返し記録特性とその他の特性、例えば変
調度、所定の反射率等、との両立が重要な課題となる。
この問題に関し、記録層に窒素等を添加することが記録
層の流動を抑制し繰返し記録特性の向上に寄与すること
が、特開平４−１１３３６号、特開平４−１０９８０
号、特開平４−１６３８３号、特開平４−１０９７９
号、特開平４−５２１８８号、特開平４−５２１８９号
各公報に開示されている。

【０００４】しかしながら、低価格で比較的低い記録線
速を有する光記録システム、あるいはＣＤと再生互換性
のある光記録媒体（ＣＤ−ＲＷ）として使用される光記
録媒体においては、なお、記録層の流動、レーザー照射
時の熱衝撃による膜剥がれ、あるいは反射層に使用する
金属の劣化等の問題により、繰返し記録回数は数千回の
レベルに留まり、コンピューターの周辺機器等で頻繁に
書き替えを行う場合には問題点があった。また、更なる
ドライブの低価格化のためには記録感度の向上が要求さ
れている。更に、従来の記録媒体は初期結晶化の容易性
にあまり考慮しておらず、繰り返し特性、記録感度は良
好でも初期化がしにくいために、ジッター等の特性が低
下する問題があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような状況に鑑みてなされたものであって、本発明の
第一の目的は、記録感度の高い光記録媒体を提供するこ
とにある。また、本発明の第二の目的は、記録感度が高
く、繰り返し特性が良好で、且つ初期結晶化の容易な光
記録媒体を提供することにある。更なる本発明の目的
は、高感度で繰り返し特性が良好で且つ初期結晶化が容
易であり、しかも短波長域から長波長域の光源に対応で
きる光記録媒体を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、材料にレーザー等を照射させることによってその材
料の光学定数を変化させて情報の記録、再生、消去を行
う光記録材料において、該記録媒体の記録層を構成する
記録材料がＺｎ、Ｓｎ、Ｓｂ及びＴｅからなる合金で構
成されることを特徴とする光記録媒体が提供される。第
二に、上記第一の光記録媒体において、その記録層を構
成する記録材料がＺｎ、Ｓｎ、Ｓｂ及びＴｅを主成分と
し、更にこれにＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｉ
ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＣｌから選ばれ
た少なくとも１種の元素を添加してなるものであること
を特徴とする光記録媒体が提供される。第三に、上記第
一又は第二の光記録媒体において、その記録層を構成す
る記録材料の組成が、一般式 (Ｚｎ Ｓｎ Ｓｂ₂)α (Ｓｂ_X Ｔｅ_100-X)β Ｍγ （式中、ＭはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｉ
ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＣｌから選ばれ
た少なくとも１種の元素を示す。）において、α、β、
γ及びｘ（いずれも原子％）が １０≦α≦４８ ５０≦β≦８８ ０．５≦γ≦２．０ ５０≦ｘ≦７０ 但し、α＋β＋γ＝１００ なる範囲にあることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第四に、上記第三の光記録媒体の記録層を構成する
記録材料において、記録即ちアモルファス化が主として
ＺｎＳｎＳｂ₂により誘起されることを特徴とする光記
録媒体が提供される。第五に、上記第三の光記録媒体の
記録層を構成する記録媒体において、光の吸収がＺｎＳ
ｎＳｂ₂とＳｂ_XＴｅ_100-Xの両方で同等に行われること
を特徴とする光記録媒体が提供される。第六に、上記第
三の光記録媒体の記録層を構成する記録材料において、
添加される元素のうち、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ
及びＳｎはアクセプターとして、Ｏ及びＣｌはドナーと
して、またＩｎ、Ｎ及びＰは両性として働くことを特徴
とする光記録媒体が提供される。

【０００７】即ち、本発明の第一の光記録媒体において
は、該記録媒体の記録層を構成する記録材料として、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｓｂ及びＴｅからなる合金を用いることによ
り、記録感度の高い記録媒体が実現される。

【０００８】また、本発明の第二の光記録媒体において
は、その記録層を構成する記録材料として、Ｚｎ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とし、更にこれにＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＣｌから選ばれた少なくとも１種の元素
を添加してなるものを用いることにより、記録感度が高
く、繰り返し特性が良好で、且つ初期結晶化が容易なも
のとなる。

【０００９】また、本発明の第三の光記録媒体において
は、その記録層を構成する記録材料の組成が、一般式 (Ｚｎ Ｓｎ Ｓｂ₂)α (Ｓｂ_X Ｔｅ_100-X)β Ｍγ （式中、ＭはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｉ
ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＣｌから選ばれ
た少なくとも１種の元素を示す。）において、組成比
α、β、γ及びｘ（いずれも原子％）が １０≦α≦４８ ５０≦β≦８８ ０．５≦γ≦２．０ ５０≦ｘ≦７０ 但し、α＋β＋γ＝１００ なる範囲にあるものを用いることにより、融点が低下
し、しかもガラス化を容易にし、粘性を増大させるため
に、更に高感度で且つ繰り返し特性が良好になり、しか
も初期結晶化が容易なものとなる。

【００１０】詳しく述べると、ＺｎＳｎＳｂ₂はその融
点が約４０７℃と極めて低く、またＳｂ_XＴｅ_100-Xも５
０≦ｘ≦７０の範囲では５５０℃前後の融点となる。従
って、この両者が合金を形成したときも、その融点は低
いことが考えられ、これが記録感度の向上につながる。
また、添加成分のＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｌは、結晶にお
けるターミネータとして働くために結晶化を促進し、初
期結晶化を容易にする。また、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、
Ｐ、Ｏは結合配位数を調整するために、粘性をあげ、物
質移動を防止する機能があるため、繰り返し特性が向上
する。

【００１１】また、本発明の第四の光記録媒体において
は、その記録層を構成する記録材料は、レーザーによる
記録状態としてのアモルファス化がＺｎＳｎＳｂ₂によ
り誘起される。これはＺｎＳｎＳｂ₂の融点がＳｂ_XＴｅ
_100-Xより低いために、急冷効果がより大きいことによ
ると考えられる。従って、これが記録感度の向上させる
ことになる。また、ＺｎＳｎＳｂ₂は４面体構造である
ために、溶融時の粘性は大きいと考えられ、多数回の記
録・消去においても材料の流動が起りにくくなる。従っ
て、繰り返し特性が向上する。

【００１２】また、本発明の第五の光記録媒体において
は、その記録層を構成する記録材料の光の吸収がＺｎＳ
ｎＳｂ₂とＳｂ_XＴｅ_100-Xの両方で同等に行なわれる。
即ち、使用するレーザー光源の波長は、このＺｎＳｎＳ
ｂ₂及びＳｂ_XＴｅ_100-Xのバンドギャップが０．３ｅＶ
前後と共に近い値にあるために、広い範囲の波長域に対
応でき、しかも高感度なものとなる。

【００１３】また、本発明の第六の光記録媒体において
は、その記録層を構成する記録材料に種々の元素が添加
される。このとき、母材料(Ｚｎ Ｓｎ Ｓｂ₂)α (Ｓｂ
_X Ｔｅ_100-X)βに対して、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ及びＳｎはアクセプターとして、Ｏ及びＣｌはドナー
として、またＩｎ、Ｎ及びＰは両性として働くことか
ら、この準位を通しての光吸収が可能となるために、光
吸収の効率が向上し、高感度なものとなる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の記録媒体の構成を図面を
参照して説明する。図１は、本発明の記録媒体の構成例
を示すもので、基板１上に下部耐熱保護層２、記録層
３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５が設けられてい
る。耐熱保護層は必ずしも記録層の両側に設ける必要は
ないが、基板１がポリカーボネート樹脂のように耐熱性
が低い材料の場合には、下部耐熱層を設けることが望ま
しい。

【００１５】基板１の材料は、通常、ガラス、セラミッ
クス或いは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点
で好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ
素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、
加工性、光学特性等の点でポリカーボネート樹脂が好ま
しい。また、基板の形状はディスク状、カード状或いは
シート状であってもよい。

【００１６】耐熱保護層、即ち誘電体層はＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ₂を用いてスパッタ法により膜形成を行なう。本誘電
体層は、耐熱保護層としての機能と光千渉層としての機
能も有することから、これらの機能を最大限に活かする
ことが必要であり、そのためには、膜厚を２００〜３０
００Å、好ましくは３５０〜２０００Åとする。２００
Å以下の場合は耐熱保護層としての機能が失われ、ま
た、３０００Å以上になると界面剥離が生じやすくな
る。

【００１７】また、本発明の記録層は、一般的にはスパ
ッタ法により膜形成が行なわれ、その膜厚は１００Å〜
１０００Å、好ましくは２００Å〜３５０Åがよい。１
００Åより薄いと、光吸収能が低下し記録層としての機
能を失う。一方、１０００Åより厚いと、透過光が少な
くなるため干渉効果を期待できなくなる。反射放熱層は
Ａｌ合金を用いている。膜形成は、スパッタ法により行
なう。膜厚は５００Å〜２０００Å、好ましくは７００
Å〜１５００Åである。

【００１８】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。

【００１９】実施例１ トラックピッチ１．０μｍ、深さ５００Åの溝付き厚さ
１．２ｍｍ、直径１２０μｍのポリカーボネート基板上
に、表１に示す構成の下部耐熱保護層、記録層、上部耐
熱保護層及び反射放熱層を順次スパッタ法により積層
し、相変化型記録媒体を作成した。この時の耐熱保護層
は（ＺｎＳ)₈₀（ＳｉＯ₂)₂₀を、そして反射放熱層はＡ
ｌ合金を、また記録層は本発明による（ＺｎＳｎＳｂ₂)
₃₀（Ｓｂ₆₀Ｔｅ₄₀)₇₀を用いた。ここではＣＤ−ＲＷと
しての特性を評価するが、もちろんＤＶＤ−ＲＡＭとし
ても使用可能である。

【００２０】

【表１】

【００２１】実施例２ 記録層に（ＺｎＳｎＳｂ₂)₃₀（Ｓｂ₆₀Ｔｅ₄₀)₆₉Ｎ₁を用
いた以外は、実施例１と全く同様にして記録媒体を作成
した。

【００２２】実施例３ 記録層に（ＺｎＳｎＳｂ₂)₃₀（Ｓｂ₆₀Ｔｅ₄₀)₆₈Ａｇ₁Ｎ
₁を用いた以外は、実施例１と全く同様にして記録媒体
を作成した。

【００２３】実施例４ 記録層に（ＺｎＳｎＳｂ₂)₃₀（Ｓｂ₆₀Ｔｅ₄₀)₆₈Ａｇ_1.5
Ｇｅ_0.5を用いた以外は、実施例１と全く同様にして記
録媒体を作成した。

【００２４】実施例５ 記録層に（ＺｎＳｎＳｂ₂)₃₀（Ｓｂ₆₀Ｔｅ₄₀)₆₉Ａｇ_1.0
を用いた以外は、実施例１と全く同様にして記録媒体を
作成した。

【００２５】実施例６ 記録層に（ＺｎＳｎＳｂ₂)₃₀（Ｓｂ₆₀Ｔｅ₄₀)₆₉Ｖ₁を用
いた以外は、実施例１と全く同様にして記録媒体を作成
した。

【００２６】実施例７ 記録層に（ＺｎＳｎＳｂ₂)₃₀（Ｓｂ₆₀Ｔｅ₄₀)₆₈Ａｇ₁Ｖ
₁を用いた以外は、実施例１と全く同様にして記録媒体
を作成した。

【００２７】実施例８ 記録層に（ＺｎＳｎＳｂ₂)₃₀（Ｓｂ₆₀Ｔｅ₄₀)₆₈Ｐｄ₁Ｃ
ｌ₁を用いた以外は、実施例１と全く同様にして記録媒
体を作成した。

【００２８】実施例９ 記録層に（ＺｎＳｎＳｂ₂)₃₀（Ｓｂ₆₀Ｔｅ₄₀)₆₈Ｎ₁Ｃｌ
₁を用いた以外は、実施例１と全く同様にして記録媒体
を作成した。

【００２９】実施例１０ 記録層に（ＺｎＳｎＳｂ₂)₃₀（Ｓｂ₆₀Ｔｅ₄₀)₆₈Ｐ₁Ａｇ
₁を用いた以外は、実施例１と全く同様にして記録媒体
を作成した。

【００３０】比較例１ 記録層にＺｎＳｎＳｂ₂を用いた以外は、実施例１と全
く同様にして記録媒体を作成した。

【００３１】比較例２ 記録層にＳｂ₂Ｔｅ₃を用いた以外は、実施例１と全く同
様にして記録媒体を作成した。

【００３２】〈評価〉以上のようにして得られた記録媒
体のディスク特性を評価した。記録媒体を初期化後、線
速１．４ｍ／ｓでＥＦＭランダムパターンでオーバーラ
イトの繰り返し記録を行ない、その時の３Ｔ信号のジッ
ターの記録パワー依存性で評価した。なお、再生時の線
速は２．８ｍ／ｓである。その結果を表２〜表１３に示
す。ここで記録媒体の初期結晶化は高出力半導体レーザ
ーを利用した。初期化の容易性をＡ、Ｂ、Ｃの３段階で
表示した。Ａは極めて初期化しやすいもの、Ｃは初期化
しにくいもの、ＢはＡとＣとの中間の程度とした。

【００３３】

【表２】

【００３４】

【表３】

【００３５】

【表４】

【００３６】

【表５】

【００３７】

【表６】

【００３８】

【表７】

【００３９】

【表８】

【００４０】

【表９】

【００４１】

【表１０】

【００４２】

【表１１】

【００４３】

【表１２】

【００４４】

【表１３】

【００４５】表２〜表１３から、以下のことが判明す
る。 （１）表２は実施例１の記録媒体を用いた結果を示す
が、表１２及び１３に示されている比較例の結果と比
べ、総合的に特性が向上していることが分かる。即ち、
ＺｎＳｎＳｂ₂とＳｂ₂Ｔｅ₃の持つ特性が重合された形
となっている。

【００４６】（２）表３は実施例２の記録媒体を用いた
結果を示し、これは実施例１の記録媒体の記録層にＮを
添加したものである。実施例１（表２）と比較し、繰り
返し特性が向上している。但し、初期結晶化の容易性は
悪くなっている。これはＮの添加により、共有結合性が
強くなったためと考えられる。

【００４７】（３）表４は実施例３の記録媒体を用いた
結果を示し、これは実施例１の記録媒体の記録層にＡｇ
とＮを添加したものである。実施例２（表３）と同じよ
うに、記録感度、繰り返し特性は実施例１と同等である
が、初期結晶化が容易になっている。即ちＡｇの効果と
思われる。

【００４８】（４）表５は実施例４の記録媒体を用いた
結果を示し、これは実施例１の記録媒体の記録層にＡｇ
とＧｅを添加したものであり、実施例３（表４）と同等
の特性を有することが分かる。

【００４９】（５）表６は実施例５の記録媒体を用いた
結果を示し、これは実施例１の記録媒体の記録層にＡｇ
を添加したものであり、実施例１〜３（表２〜４）と比
較して記録感度が向上している。但し、繰り返し特性は
劣下していることが分かる。記録感度の向上は添加され
ているＡｇがドナーとして作用し、光吸収能をあげてい
るためと考えられる。また、繰り返し特性は、比較例と
同程度であり、初期結晶化は容易になっている。

【００５０】（６）表７は実施例６の記録媒体を用いた
結果を示し、これは実施例１の記録媒体の記録層にＶを
添加したものである。これは比較例（表１２及び１３）
及び実施例１（表２）に比べて記録感度が低下し、初期
化がしにくくなっている。一方、繰り返し特性は良好で
ある。但し、添加したＶの効果がどのような機能による
ものかは今のところ不明である。

【００５１】（７）表８は実施例７の記録媒体を用いた
結果を示し、これは実施例６の記録媒体の記録層に更に
Ａｇを添加したものである。このＡｇの添加により、初
期結晶化が容易になっている。

【００５２】（８）表９は実施例８の記録媒体を用いた
結果を示し、これは実施例１の記録媒体の記録層にＰ
ｄ、Ｃｌを添加したものである。記録感度が向上してお
り、繰り返し特性も良好である。また、初期結晶化も容
易である。これは、Ｃｌがドナーとして働くと同時にタ
ーミネータとして作用するために記録感度が向上し、初
期結晶化も容易になったものと思われる。また、繰り返
し特性の向上は、Ｐｄの効果と思われるが、その機能は
今のところ不明である。

【００５３】（９）表１０は実施例９の記録媒体を用い
た結果を示し、これは実施例１の記録媒体の記録層にＮ
とＣｌを添加したものである。これをみると、実施例２
（表３）のＮのみの添加の場合と比較して、記録感度が
向上し、初期結晶化も容易となっている。これは、Ｃｌ
の効果と考えられる。また、繰り返し特性は、Ｎの効果
が保持されており良好である。

【００５４】（１０）表１１は実施例１０の記録媒体を
用いた結果を示し、これは実施例１の記録媒体の記録層
にＡｇとＰを添加したものである。これは実施例３のＡ
ｇとＮ（ＮとＰとは共にＶｂ族に属する）を添加した場
合と類似している系であり、感度及び初期結晶化の容易
性もほぼ同等の良好な特性を示している。但し、繰り返
し特性は、本実施例の方が良くないようである。

【００５５】以上の実施例から本発明の相変化記録材料
が、良好な特性を有することが分かる。また、本実施例
では、請求項に記載された組成の範囲での限界値の結果
については記していないが、これを越えるとディスク特
性は急激に悪化する。また、本記録材料は現在、活発に
開発が進められているＤＶＤ−ＲＡＭに対しても十分に
使用できる。

【００５６】

【発明の効果】請求項１の光記録媒体は、その記録層を
構成する記録材料がＺｎ、Ｓｎ、Ｓｂ及びＴｅからなる
合金で構成されたことから、記録感度が優れたものとな
る。

【００５７】請求項２の光記録媒体は、その記録層を構
成する記録材料がＺｎ、Ｓｎ、Ｓｂ及びＴｅを主成分と
し、更にこれにＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｉ
ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＣｌから選ばれ
た少なくとも１種の元素を添加してなるものとしたこと
から、記録感度が高く、繰り返し特性が良好で、且つ初
期結晶化が容易なものとなる。

【００５８】請求項３の光記録媒体は、その記録層を構
成する記録材料の組成が、一般式 (Ｚｎ Ｓｎ Ｓｂ₂)α (Ｓｂ_X Ｔｅ_100-X)β Ｍγ （式中、ＭはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｉ
ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＣｌから選ばれ
た少なくとも１種の元素を示す。）において、α、β、
γ及びｘ（いずれも原子％）が １０≦α≦４８ ５０≦β≦８８ ０．５≦γ≦２．０ ５０≦ｘ≦７０ 但し、α＋β＋γ＝１００ なる範囲にあることから、融点が低下し、しかもガラス
化を容易にし、粘性を増大させるために、更に高感度で
且つ繰り返し特性が良好になり、しかも初期結晶化が容
易なものとなる。

【００５９】請求項４の光記録媒体は、その記録層を構
成する記録材料において、記録即ちアモルファス化が主
としてＺｎＳｎＳｂ₂により誘起されることから、記録
感度が向上し、且つ繰り返し特性が向上したものとな
る。

【００６０】請求項５の光記録材料は、その記録層を構
成する記録材料において、光の吸収がＺｎＳｎＳｂ₂と
Ｓｂ_XＴｅ_100-Xの両方で同等に行われることから、均一
にしかも効率よく広い波長範囲で光を吸収でき、記録感
度が向上したものとなる。

【００６１】請求項６の光記録材料は、その記録層を構
成する記録材料において、添加される元素のうち、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎはアクセプターと
して、Ｏ及びＣｌはドナーとして、またＩｎ、Ｎ及びＰ
は両性として働くことから、光吸収能が向上し、記録感
度が向上したものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一実施例を示す概略断面
図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 下部耐熱保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱保護層 ５ 反射放熱層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 材料にレーザー等を照射させることによ
   ってその材料の光学定数を変化させて情報の記録、再
   生、消去を行う光記録媒体において、該記録媒体の記録
   層を構成する記録材料がＺｎ、Ｓｎ、Ｓｂ及びＴｅから
   なる合金で構成されることを特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 請求項１の光記録媒体において、その記
   録層を構成する記録材料がＺｎ、Ｓｎ、Ｓｂ及びＴｅを
   主成分とし、更にこれにＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔ
   ｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、
   Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＣｌか
   ら選ばれた少なくとも１種の元素を添加してなるもので
   あることを特徴とする光記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項１又は２の光記録媒体において、
   その記録層を構成する記録材料の組成が、一般式 (Ｚｎ Ｓｎ Ｓｂ₂)α (Ｓｂ_X Ｔｅ_100-X)β Ｍγ （式中、ＭはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、
   Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｉ
   ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＣｌから選ばれ
   た少なくとも１種の元素を示す。）において、α、β、
   γ及びｘ（いずれも原子％）が １０≦α≦４８ ５０≦β≦８８ ０．５≦γ≦２．０ ５０≦ｘ≦７０ α＋β＋γ＝１００ なる範囲にあることを特徴とする光記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項３の光記録媒体の記録層を構成す
   る記録材料において、記録即ちアモルファス化が主とし
   てＺｎＳｎＳｂ₂により誘起されることを特徴とする光
   記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項３の光記録媒体の記録層を構成す
   る記録材料において、光の吸収がＺｎＳｎＳｂ₂とＳｂ_X
   Ｔｅ_100-Xの両方で同等に行われることを特徴とする光
   記録媒体。
6. 【請求項６】 請求項３の光記録媒体の記録層を構成す
   る記録材料において、添加される元素のうち、Ａｕ、Ａ
   ｇ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎはアクセプターとして、
   Ｏ及びＣｌはドナーとして、またＩｎ、Ｎ及びＰは両性
   として働くことを特徴とする光記録媒体。