JP2000103168A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2000103168A JP2000103168A JP10278337A JP27833798A JP2000103168A JP 2000103168 A JP2000103168 A JP 2000103168A JP 10278337 A JP10278337 A JP 10278337A JP 27833798 A JP27833798 A JP 27833798A JP 2000103168 A JP2000103168 A JP 2000103168A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録感度が高く、更に繰り返し特性が良好
で、且つ初期結晶化の容易な光記録媒体を提供するこ
と。 【解決手段】 記録媒体の記録層を構成する記録材料の
主成分がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなり、その構造
が一般式 (ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-a で表されるものとする。
で、且つ初期結晶化の容易な光記録媒体を提供するこ
と。 【解決手段】 記録媒体の記録層を構成する記録材料の
主成分がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなり、その構造
が一般式 (ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-a で表されるものとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波、特に半導
体レーザー光を照射することにより記録材料の光学定数
を変化させ情報の記録・再生を行う相変化型光記録媒体
に関する。
体レーザー光を照射することにより記録材料の光学定数
を変化させ情報の記録・再生を行う相変化型光記録媒体
に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザービームの照射により情報の記録
再生及び消去可能な光記録媒体の一つとして相変化型光
記録媒体がある。この相変化型光記録媒体は、図１に示
すように一般に基板１上に下部耐熱保護層２、記録層
３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５を順次積層して形
成され、前記記録層の材料としてはＧｅＴｅ、ＧｅＴｅ
Ｓｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅＳｅ等がよく知られ
ている。また、高感度で消去特性の良好なＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅが新しい記録層材料として提案されている（特開平
２−３７４６６号、特開平２−１７１３２５号、特開平
２−４１５５８１号、特開平４−１４１４８５号各公報
参照）。
再生及び消去可能な光記録媒体の一つとして相変化型光
記録媒体がある。この相変化型光記録媒体は、図１に示
すように一般に基板１上に下部耐熱保護層２、記録層
３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５を順次積層して形
成され、前記記録層の材料としてはＧｅＴｅ、ＧｅＴｅ
Ｓｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅＳｅ等がよく知られ
ている。また、高感度で消去特性の良好なＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅが新しい記録層材料として提案されている（特開平
２−３７４６６号、特開平２−１７１３２５号、特開平
２−４１５５８１号、特開平４−１４１４８５号各公報
参照）。
【０００３】かかる相変化型光記録媒体はヒートモード
で記録されるため、一般に多数回の記録・消去の繰り返
しによる劣化が認められており、この繰り返し特性の向
上が大きな課題とされている。このような課題に対して
特開平４−１６３８３号公報や特開平８−２８７５１５
号公報では、記録層に窒素等を添加することが提案され
ている。また、特開平８−２８７５１５号公報では、記
録層の上下に耐熱保護層を設け、さらに上部耐熱保護層
の上に第三の耐熱保護層を配し、この第三の耐熱保護層
の熱膨張率を他の二つの耐熱保護層の熱膨張率よりも小
さくすることにより、変形を防止して物質移動を低減し
繰り返し特性の向上を図ることが提案されている。しか
しながら、上述の窒素の添加は記録材料の結晶化温度を
上昇させるために初期結晶化がし難くなり、初期結晶化
に関する時間が増大するという問題を発生させる。ま
た、上述の第三の耐熱保護層を配置することはコスト面
から得策ではない。
で記録されるため、一般に多数回の記録・消去の繰り返
しによる劣化が認められており、この繰り返し特性の向
上が大きな課題とされている。このような課題に対して
特開平４−１６３８３号公報や特開平８−２８７５１５
号公報では、記録層に窒素等を添加することが提案され
ている。また、特開平８−２８７５１５号公報では、記
録層の上下に耐熱保護層を設け、さらに上部耐熱保護層
の上に第三の耐熱保護層を配し、この第三の耐熱保護層
の熱膨張率を他の二つの耐熱保護層の熱膨張率よりも小
さくすることにより、変形を防止して物質移動を低減し
繰り返し特性の向上を図ることが提案されている。しか
しながら、上述の窒素の添加は記録材料の結晶化温度を
上昇させるために初期結晶化がし難くなり、初期結晶化
に関する時間が増大するという問題を発生させる。ま
た、上述の第三の耐熱保護層を配置することはコスト面
から得策ではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明はこの
ような状況に鑑みてなされたものであって、多数回の繰
り返しに対しても劣化がなく、さらに記録感度の向上を
図るとともに、初期結晶化においても容易に初期化でき
る記録媒体を提供することを目的とするものである。
ような状況に鑑みてなされたものであって、多数回の繰
り返しに対しても劣化がなく、さらに記録感度の向上を
図るとともに、初期結晶化においても容易に初期化でき
る記録媒体を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、材料にレーザー等を照射することによってその材料
の光学定数を変化させて情報の記録、再生、消去を行う
光記録媒体において、該記録媒体の記録層を構成する記
録材料の主成分がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなり、
その構造が一般式 (ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-a で表されることを特徴とする光記録媒体が提供される。
第二に、上記第一に記載した光記録媒体において、その
記録層を構成する記録材料の組成が、前記一般式におい
て ０．１２≦ａ≦０．２５ ０．０２≦ｘ≦０．３ ０．４５≦ｙ≦０．７５ ０．２≦ｚ≦０．４ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ なる範囲にあることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第三に、上記第一又は第二に記載した光記録媒体に
おいて、その記録層を構成する記録材料に、添加物とし
てＡｕＣｌ、Ｎａ3Ｎ、Ｃｕ3Ｎ及びＧｅ3Ｎ2の少なくと
も１種をスパッタ法により分解させた状態で記録膜中に
ドープしてなることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第四に、上記第一〜第三のいずれかに記載した光記
録媒体において、その記録層を構成する記録材料の融点
が少なくとも１つあり、その１つはＡｇＳｂＴｅ2のも
ので５３５℃から５６３℃の範囲内にあることを特徴と
する光記録媒体が提供される。第五に、上記第一〜第四
のいずれかに記載した光記録媒体において、その記録層
を構成する記録材料の結晶化温度が少なくとも１つあ
り、該結晶化温度が１０℃／分の昇温レートで１５０℃
から２１０℃の範囲内にあることを特徴とする光記録媒
体が提供される。第六に、上記第一〜第五のいずれかに
記載した光記録媒体において、その記録層を構成する記
録材料のキッシンジャープロット法により求めた活性化
エネルギーが１．７ｅＶから３．０ｅＶの範囲内にある
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。
に、材料にレーザー等を照射することによってその材料
の光学定数を変化させて情報の記録、再生、消去を行う
光記録媒体において、該記録媒体の記録層を構成する記
録材料の主成分がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなり、
その構造が一般式 (ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-a で表されることを特徴とする光記録媒体が提供される。
第二に、上記第一に記載した光記録媒体において、その
記録層を構成する記録材料の組成が、前記一般式におい
て ０．１２≦ａ≦０．２５ ０．０２≦ｘ≦０．３ ０．４５≦ｙ≦０．７５ ０．２≦ｚ≦０．４ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ なる範囲にあることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第三に、上記第一又は第二に記載した光記録媒体に
おいて、その記録層を構成する記録材料に、添加物とし
てＡｕＣｌ、Ｎａ3Ｎ、Ｃｕ3Ｎ及びＧｅ3Ｎ2の少なくと
も１種をスパッタ法により分解させた状態で記録膜中に
ドープしてなることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第四に、上記第一〜第三のいずれかに記載した光記
録媒体において、その記録層を構成する記録材料の融点
が少なくとも１つあり、その１つはＡｇＳｂＴｅ2のも
ので５３５℃から５６３℃の範囲内にあることを特徴と
する光記録媒体が提供される。第五に、上記第一〜第四
のいずれかに記載した光記録媒体において、その記録層
を構成する記録材料の結晶化温度が少なくとも１つあ
り、該結晶化温度が１０℃／分の昇温レートで１５０℃
から２１０℃の範囲内にあることを特徴とする光記録媒
体が提供される。第六に、上記第一〜第五のいずれかに
記載した光記録媒体において、その記録層を構成する記
録材料のキッシンジャープロット法により求めた活性化
エネルギーが１．７ｅＶから３．０ｅＶの範囲内にある
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。
【０００６】即ち、本発明の第一の光記録媒体において
は、該記録媒体の記録層を構成する記録材料として、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とし、その構造が一般
式 (ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-a で表される材料を用いることにより、高感度で記録マー
クの良好な記録媒体が実現される。
は、該記録媒体の記録層を構成する記録材料として、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とし、その構造が一般
式 (ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-a で表される材料を用いることにより、高感度で記録マー
クの良好な記録媒体が実現される。
【０００７】また、本発明の第二の光記録媒体において
は、その記録層を構成する記録材料の組成が、前記一般
式において ０．１２≦ａ≦０．２５ ０．０２≦ｘ≦０．３ ０．４５≦ｙ≦０．７５ ０．２≦ｚ≦０．４ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ なる範囲にあるものとしたことにより、ＩｎxＳｂyＴｅ
zがその組成により少なくとも１つ、又はそれ以上の相
からなることから、各相が分散した形となるため、結晶
成長を抑制し、さらに高感度で記録マークの良好なもの
となる。
は、その記録層を構成する記録材料の組成が、前記一般
式において ０．１２≦ａ≦０．２５ ０．０２≦ｘ≦０．３ ０．４５≦ｙ≦０．７５ ０．２≦ｚ≦０．４ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ なる範囲にあるものとしたことにより、ＩｎxＳｂyＴｅ
zがその組成により少なくとも１つ、又はそれ以上の相
からなることから、各相が分散した形となるため、結晶
成長を抑制し、さらに高感度で記録マークの良好なもの
となる。
【０００８】また、本発明の第三の光記録媒体において
は、その記録層を構成する記録材料に、添加物としてＡ
ｕＣｌ、Ｎａ3Ｎ、Ｃｕ3Ｎ及びＧｅ3Ｎ2の少なくとも１
種をスパッタ法により分解させた状態で記録母材の中に
導入することにより、繰り返し特性が向上する。
は、その記録層を構成する記録材料に、添加物としてＡ
ｕＣｌ、Ｎａ3Ｎ、Ｃｕ3Ｎ及びＧｅ3Ｎ2の少なくとも１
種をスパッタ法により分解させた状態で記録母材の中に
導入することにより、繰り返し特性が向上する。
【０００９】また、本発明の第四の光記録媒体において
は、その記録層を構成する記録材料の融点が少なくとも
１つあり、その１つはＡｇＳｂＴｅ2のもので５３５℃
から５６３℃の範囲内にあり、他の少なくとも１つの融
点はＩｎxＳｂyＴｅzのもので、融点が１つの場合は単
相、２つ以上の場合はＩｎxＳｂyＴｅzが相分離し、多
相となることにより、初期化及び消去時において微細な
結晶粒となるために、より高感度で記録マークの良好な
ものとなる。
は、その記録層を構成する記録材料の融点が少なくとも
１つあり、その１つはＡｇＳｂＴｅ2のもので５３５℃
から５６３℃の範囲内にあり、他の少なくとも１つの融
点はＩｎxＳｂyＴｅzのもので、融点が１つの場合は単
相、２つ以上の場合はＩｎxＳｂyＴｅzが相分離し、多
相となることにより、初期化及び消去時において微細な
結晶粒となるために、より高感度で記録マークの良好な
ものとなる。
【００１０】また、本発明の第五の光記録媒体において
は、その記録層を構成する記録材料の結晶化温度が少な
くとも１つあり、該結晶化温度が１０℃／分の昇温レー
トで１５０℃から２１０℃の範囲内にあることにより、
初期結晶化が容易なものとなる。
は、その記録層を構成する記録材料の結晶化温度が少な
くとも１つあり、該結晶化温度が１０℃／分の昇温レー
トで１５０℃から２１０℃の範囲内にあることにより、
初期結晶化が容易なものとなる。
【００１１】また、本発明の第六の光記録媒体において
は、その記録層を構成する記録材料のキッシンジャープ
ロット法により求めた活性化エネルギーが１．７ｅＶか
ら３．０ｅＶの範囲内にあることにより、初期結晶化が
容易で保存特性が良好なものとなる。
は、その記録層を構成する記録材料のキッシンジャープ
ロット法により求めた活性化エネルギーが１．７ｅＶか
ら３．０ｅＶの範囲内にあることにより、初期結晶化が
容易で保存特性が良好なものとなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明について更に詳しく
説明する。前述したように、本発明の相変化型光記録媒
体は、その記録層を構成する記録材料の主成分がＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなり、その構造が一般式 (ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-a で表され、好ましくはその組成が０．１２≦ａ≦０．２
５、０．０２≦ｘ≦０．３、０．４５≦ｙ≦０．７５、
０．２≦ｚ≦０．４、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であることにあ
る。このとき、ＩｎxＳｂyＴｅzは組成によりＩｎ3Ｓｂ
Ｔｅ2、Ｉｎ4Ｓｂ1. 2Ｔｅ2.8、ＩｎＳｂＴｅ3等の単相
の形をとる場合や、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｓｂ−Ｔ
ｅ等のいくつかの相に分離する場合もある。しかし、い
くつかの相が混合されていると、各相が結晶化する場
合、互いに、初期化時や消去時の結晶成長が抑制される
ために、微細な結晶となり得る。一方、この様な多相の
場合、融点はいくつか存在することになるが、融点に幅
がでるため、低融点化の可能性が大きくなり、記録感度
の向上につながる。また、前述の様に微細結晶のマーク
周辺がきれいであることから、ジッター値の向上が期待
できる。
説明する。前述したように、本発明の相変化型光記録媒
体は、その記録層を構成する記録材料の主成分がＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなり、その構造が一般式 (ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-a で表され、好ましくはその組成が０．１２≦ａ≦０．２
５、０．０２≦ｘ≦０．３、０．４５≦ｙ≦０．７５、
０．２≦ｚ≦０．４、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であることにあ
る。このとき、ＩｎxＳｂyＴｅzは組成によりＩｎ3Ｓｂ
Ｔｅ2、Ｉｎ4Ｓｂ1. 2Ｔｅ2.8、ＩｎＳｂＴｅ3等の単相
の形をとる場合や、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｓｂ−Ｔ
ｅ等のいくつかの相に分離する場合もある。しかし、い
くつかの相が混合されていると、各相が結晶化する場
合、互いに、初期化時や消去時の結晶成長が抑制される
ために、微細な結晶となり得る。一方、この様な多相の
場合、融点はいくつか存在することになるが、融点に幅
がでるため、低融点化の可能性が大きくなり、記録感度
の向上につながる。また、前述の様に微細結晶のマーク
周辺がきれいであることから、ジッター値の向上が期待
できる。
【００１３】本発明では、融点はＡｇＳｂＴｅ2が示す
５３５℃〜５６３℃の間にあることが高感度化につなが
っているものと考えられる。また、ＩｎxＳｂyＴｅzの
融点は単相の場合と分相した場合でそ値は異なってくる
が、５２０℃から６２０℃の間にあるために、ＡｇＳｂ
Ｔｅ2の融点に近いことが高感度化の原因となってい
る。
５３５℃〜５６３℃の間にあることが高感度化につなが
っているものと考えられる。また、ＩｎxＳｂyＴｅzの
融点は単相の場合と分相した場合でそ値は異なってくる
が、５２０℃から６２０℃の間にあるために、ＡｇＳｂ
Ｔｅ2の融点に近いことが高感度化の原因となってい
る。
【００１４】さらに、この記録材料には、少なくとも１
種類のＡｕＣｌ、Ｎａ3Ｎ、Ｃｕ3Ｎ、Ｇｅ3Ｎ2をスパッ
タ法等により導入することができるので、初期結晶化を
容易にし、繰り返し特性及び記録感度の向上を図ること
ができる。これらの化合物は比較的低温で分解するた
め、スパッタ法等により単元素として入るため、上記の
特性向上が可能になると考えられる。
種類のＡｕＣｌ、Ｎａ3Ｎ、Ｃｕ3Ｎ、Ｇｅ3Ｎ2をスパッ
タ法等により導入することができるので、初期結晶化を
容易にし、繰り返し特性及び記録感度の向上を図ること
ができる。これらの化合物は比較的低温で分解するた
め、スパッタ法等により単元素として入るため、上記の
特性向上が可能になると考えられる。
【００１５】また、本記録材料の結晶化温度は、その組
成にもよるが、１５０℃から２１０℃の間にあるため、
初期結晶化が容易にでき、初期結晶化ムラによるディス
ク品質の劣化がない。
成にもよるが、１５０℃から２１０℃の間にあるため、
初期結晶化が容易にでき、初期結晶化ムラによるディス
ク品質の劣化がない。
【００１６】また、本記録材料は組成にもよるが、結晶
化の活性化エネルギーが１．７ｅＶから３．０ｅＶの間
にある。これは前記の添加物を導入しない場合であり、
窒素等の添加物がドープされると、その量が多い場合は
３．０ｅＶ以上になる場合があるが、その場合結晶化温
度も上昇するために初期化がしにくくなってくる。従っ
て、添加物を導入したときも、望ましくは３．５ｅＶ以
下、より望ましくは３．０ｅＶ以下、且つ１．７ｅＶ以
上にするのがよい。この範囲であれば、初期結晶化が容
易であり、保存特性も良好である。
化の活性化エネルギーが１．７ｅＶから３．０ｅＶの間
にある。これは前記の添加物を導入しない場合であり、
窒素等の添加物がドープされると、その量が多い場合は
３．０ｅＶ以上になる場合があるが、その場合結晶化温
度も上昇するために初期化がしにくくなってくる。従っ
て、添加物を導入したときも、望ましくは３．５ｅＶ以
下、より望ましくは３．０ｅＶ以下、且つ１．７ｅＶ以
上にするのがよい。この範囲であれば、初期結晶化が容
易であり、保存特性も良好である。
【００１７】次に、本発明の記録媒体の構成を図面を参
照して説明する。図１は、本発明の記録媒体の構成例を
示すもので、基板１上に下部耐熱保護層２、記録層３、
上部耐熱保護層４、反射放熱層５が設けられている。耐
熱保護層は必ずしも記録層の両側に設ける必要はない
が、基板１がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低
い材料の場合には、下部耐熱層を設けることが望まし
い。
照して説明する。図１は、本発明の記録媒体の構成例を
示すもので、基板１上に下部耐熱保護層２、記録層３、
上部耐熱保護層４、反射放熱層５が設けられている。耐
熱保護層は必ずしも記録層の両側に設ける必要はない
が、基板１がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低
い材料の場合には、下部耐熱層を設けることが望まし
い。
【００１８】基板１の材料は、通常、ガラス、セラミッ
クス或いは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点
で好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ
素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、
加工性、光学特性等の点でポリカーボネート樹脂が好ま
しい。また、基板の形状はディスク状、カード状或いは
シート状であってもよい。
クス或いは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点
で好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ
素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、
加工性、光学特性等の点でポリカーボネート樹脂が好ま
しい。また、基板の形状はディスク状、カード状或いは
シート状であってもよい。
【００１９】耐熱保護層、即ち誘電体層は(ＺｎＳ)80・
(ＳｉＯ2)20を用いてスパッタ法により膜形成を行な
う。本誘電体層は、耐熱保護層としての機能と光干渉層
としての機能も有することから、これらの機能を最大限
に活かすることが必要であり、そのためには、膜厚を２
００〜３０００Å、好ましくは３５０〜２０００Åとす
る。２００Å以下の場合は耐熱保護層としての機能が失
われ、また、３０００Å以上になると界面剥離が生じや
すくなる。
(ＳｉＯ2)20を用いてスパッタ法により膜形成を行な
う。本誘電体層は、耐熱保護層としての機能と光干渉層
としての機能も有することから、これらの機能を最大限
に活かすることが必要であり、そのためには、膜厚を２
００〜３０００Å、好ましくは３５０〜２０００Åとす
る。２００Å以下の場合は耐熱保護層としての機能が失
われ、また、３０００Å以上になると界面剥離が生じや
すくなる。
【００２０】また、本発明の記録層は、一般的にはスパ
ッタ法により膜形成が行なわれ、その膜厚は１００Å〜
１０００Å、好ましくは２００Å〜３５０Åがよい。１
００Åより薄いと、光吸収能が低下し記録層としての機
能を失う。一方、１０００Åより厚いと、透過光が少な
くなるため干渉効果を期待できなくなる。反射放熱層は
Ａｌ合金を用いている。膜形成は、スパッタ法により行
なう。膜厚は５００Å〜２０００Å、好ましくは７００
Å〜１５００Åである。
ッタ法により膜形成が行なわれ、その膜厚は１００Å〜
１０００Å、好ましくは２００Å〜３５０Åがよい。１
００Åより薄いと、光吸収能が低下し記録層としての機
能を失う。一方、１０００Åより厚いと、透過光が少な
くなるため干渉効果を期待できなくなる。反射放熱層は
Ａｌ合金を用いている。膜形成は、スパッタ法により行
なう。膜厚は５００Å〜２０００Å、好ましくは７００
Å〜１５００Åである。
【００２１】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
【００２２】実施例１ トラックピッチ１．６μｍ、深さ６００Åの溝付き厚さ
１．２ｍｍ、直径１２０μｍのポリカーボネート基板上
に、表１に示す構成の下部耐熱保護層、記録層、上部耐
熱保護層及び反射放熱層を順次スパッタ法により積層
し、相変化型記録媒体を作成した。ここで耐熱保護層は
（ＺｎＳ)0.8（ＳｉＯ2)0.2、反射放熱層はＡｌ−Ｔ
ｉ、また記録層は本発明による（Ａｇ0.25Ｓｂ0.25Ｔｅ
0.5)0.16（Ｉｎ0.04Ｓｂ0.71Ｔｅ0.25)0.84である。な
お、記録層の結晶化温度（昇温速度１０℃／分）、融点
及びキッシンジャープロット法により求めた活性エネル
ギーを、後記実施例２〜４の場合とあわせ、表１に示
す。これらの物性評価は、各実施例で用いた記録材料を
ガラス基板上に成膜したものを用いて行った。また、各
実施例の層構成を表２〜８に示す。
１．２ｍｍ、直径１２０μｍのポリカーボネート基板上
に、表１に示す構成の下部耐熱保護層、記録層、上部耐
熱保護層及び反射放熱層を順次スパッタ法により積層
し、相変化型記録媒体を作成した。ここで耐熱保護層は
（ＺｎＳ)0.8（ＳｉＯ2)0.2、反射放熱層はＡｌ−Ｔ
ｉ、また記録層は本発明による（Ａｇ0.25Ｓｂ0.25Ｔｅ
0.5)0.16（Ｉｎ0.04Ｓｂ0.71Ｔｅ0.25)0.84である。な
お、記録層の結晶化温度（昇温速度１０℃／分）、融点
及びキッシンジャープロット法により求めた活性エネル
ギーを、後記実施例２〜４の場合とあわせ、表１に示
す。これらの物性評価は、各実施例で用いた記録材料を
ガラス基板上に成膜したものを用いて行った。また、各
実施例の層構成を表２〜８に示す。
【００２３】実施例２ 記録層材料を（Ａｇ0.25Ｓｂ0.25Ｔｅ0.5)0.15（Ｉｎ0.
08Ｓｂ0.68Ｔｅ0.24)0.85としたこと以外は、実施例１
と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
08Ｓｂ0.68Ｔｅ0.24)0.85としたこと以外は、実施例１
と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
【００２４】実施例３ 記録層材料を（Ａｇ0.25Ｓｂ0.25Ｔｅ0.5)0.25（Ｉｎ0.
07Ｓｂ0.73Ｔｅ0.20)0.75としたこと以外は、実施例１
と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
07Ｓｂ0.73Ｔｅ0.20)0.75としたこと以外は、実施例１
と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
【００２５】実施例４ 記録層材料を（Ａｇ0.25Ｓｂ0.25Ｔｅ0.5)0.14（Ｉｎ0.
13Ｓｂ0.64Ｔｅ0.23)0.86としたこと以外は、実施例１
と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
13Ｓｂ0.64Ｔｅ0.23)0.86としたこと以外は、実施例１
と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
【００２６】実施例５ 記録層材料として実施例１で使用した記録材料と共にＣ
ｕ3Ｎチップを利用して記録膜を作成したこと以外は、
実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
ｕ3Ｎチップを利用して記録膜を作成したこと以外は、
実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
【００２７】実施例６ 記録層材料として実施例１で使用した記録材料と共にＮ
ａ3Ｎチップを利用して記録膜を作成したこと以外は、
実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
ａ3Ｎチップを利用して記録膜を作成したこと以外は、
実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
【００２８】実施例７ 記録層材料として実施例１で使用した記録材料と共にＡ
ｕＣｌチップを利用して記録膜を作成したこと以外は、
実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
ｕＣｌチップを利用して記録膜を作成したこと以外は、
実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を作成した。
【００２９】比較例１ 記録層材料として実施例１で使用した記録材料に窒素を
添加して記録膜を作成したこと以外は、実施例１と同様
にして相変化型光記録媒体を作成した。
添加して記録膜を作成したこと以外は、実施例１と同様
にして相変化型光記録媒体を作成した。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】
【表３】
【００３３】
【表４】
【００３４】
【表５】
【００３５】
【表６】
【００３６】
【表７】
【００３７】
【表８】
【００３８】〈評価〉以上の様にして得られた記録媒体
のディスク特性を評価した。先ず、各媒体の初期結晶化
の最適条件を求め、初期化後の状態を反射率変動として
評価した。次に、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭランダムパ
ターンによるオーバーライトの繰り返し記録を行ない、
その時の３Ｔ信号のジッターの記録パワー依存性で評価
した。なお、初期化も含めたこれらの特性を表９〜表１
６に示す。
のディスク特性を評価した。先ず、各媒体の初期結晶化
の最適条件を求め、初期化後の状態を反射率変動として
評価した。次に、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭランダムパ
ターンによるオーバーライトの繰り返し記録を行ない、
その時の３Ｔ信号のジッターの記録パワー依存性で評価
した。なお、初期化も含めたこれらの特性を表９〜表１
６に示す。
【００３９】
【表９】
【００４０】
【表１０】
【００４１】
【表１１】
【００４２】
【表１２】
【００４３】
【表１３】
【００４４】
【表１４】
【００４５】
【表１５】
【００４６】
【表１６】
【００４７】表１は、実施例１〜４に用いられた記録材
料の融点、結晶化温度及び活性化エネルギーを示したも
のであり、組成によりそれらの値は異なっている。融点
の場合、組成によりその値と数は異なってきているが、
その１つは５３８℃から５６２℃の間にあるものと、５
７６℃から６００℃の間にあるものの２つに分離され、
前者はＡｇＳｂＴｅ2の融点と考えられる。これはＡｇ
ＳｂＴｅ2のバルクの融点は５５６℃前後であることが
知られていることからと、Ｘ線回折でＡｇＳｂＴｅ2が
検出されているためである。また、後者の５７６℃から
６００℃の融点はＩｎxＳｂyＴｅzのものと考えられ
る。組成により融点がＡｇＳｂＴｅのみしか現われてい
ないものもあるが、検出感度の問題と考えられる。その
理由は、組成から考えてＡｇＳｂＴｅ2単独はあり得
ず、Ｘ線回折からもＩｎ3ＳｂＴｅ2と思われるものが観
測されているためである。この様に基本的には、本発明
の(ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-aの形になっ
ていると考えられる。
料の融点、結晶化温度及び活性化エネルギーを示したも
のであり、組成によりそれらの値は異なっている。融点
の場合、組成によりその値と数は異なってきているが、
その１つは５３８℃から５６２℃の間にあるものと、５
７６℃から６００℃の間にあるものの２つに分離され、
前者はＡｇＳｂＴｅ2の融点と考えられる。これはＡｇ
ＳｂＴｅ2のバルクの融点は５５６℃前後であることが
知られていることからと、Ｘ線回折でＡｇＳｂＴｅ2が
検出されているためである。また、後者の５７６℃から
６００℃の融点はＩｎxＳｂyＴｅzのものと考えられ
る。組成により融点がＡｇＳｂＴｅのみしか現われてい
ないものもあるが、検出感度の問題と考えられる。その
理由は、組成から考えてＡｇＳｂＴｅ2単独はあり得
ず、Ｘ線回折からもＩｎ3ＳｂＴｅ2と思われるものが観
測されているためである。この様に基本的には、本発明
の(ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-aの形になっ
ていると考えられる。
【００４８】一方、結晶化温度はＩｎ量が増大すると高
くなる傾向があるが、本発明では、その範囲は１５０℃
から２１０℃の範囲にある。但し、添加物をドープした
時の結晶化温度は、ＡｕＣｌは低下、Ｃｕ3ＮとＮａ3Ｎ
は大きな変化はせず、Ｇｅ3Ｎ2は高くなるものと考えら
れるが、本発明の１５０℃から２１０℃を超えることは
ない。即ち、１５０℃より結晶化温度が低いと保存特性
が低化し、２１０℃より高いと初期結晶化がしにくくな
り、初期化の反射率分布が大きくなり、ジッター値が低
下する。
くなる傾向があるが、本発明では、その範囲は１５０℃
から２１０℃の範囲にある。但し、添加物をドープした
時の結晶化温度は、ＡｕＣｌは低下、Ｃｕ3ＮとＮａ3Ｎ
は大きな変化はせず、Ｇｅ3Ｎ2は高くなるものと考えら
れるが、本発明の１５０℃から２１０℃を超えることは
ない。即ち、１５０℃より結晶化温度が低いと保存特性
が低化し、２１０℃より高いと初期結晶化がしにくくな
り、初期化の反射率分布が大きくなり、ジッター値が低
下する。
【００４９】また、活性化エネルギーは１．７ｅＶから
３．０ｅＶの間にあり、保存特性も問題はない。但し、
ＡｕＣｌ、Ｃｕ3Ｎ、Ｎａ3Ｎ、Ｇｅ3Ｎ2等の添加物を導
入してない時の値である。
３．０ｅＶの間にあり、保存特性も問題はない。但し、
ＡｕＣｌ、Ｃｕ3Ｎ、Ｎａ3Ｎ、Ｇｅ3Ｎ2等の添加物を導
入してない時の値である。
【００５０】以上の様に本発明の記録材料組成により、
融点、結晶化温度、活性化エネルギーは変化するが、前
記範囲内にあることにより、ディスク特性は表９〜１５
に示されているように良好な特性を示す。即ち、実施例
１の記録媒体に関する表９によれば、その特性は記録パ
ワー８ｍＷから１３ｍＷの範囲において繰り返し３００
０回までジッター値は良好である。また、初期化も容易
であり、初期化後の均一性もよい。
融点、結晶化温度、活性化エネルギーは変化するが、前
記範囲内にあることにより、ディスク特性は表９〜１５
に示されているように良好な特性を示す。即ち、実施例
１の記録媒体に関する表９によれば、その特性は記録パ
ワー８ｍＷから１３ｍＷの範囲において繰り返し３００
０回までジッター値は良好である。また、初期化も容易
であり、初期化後の均一性もよい。
【００５１】実施例２の記録媒体に関する表１０によれ
ば、実施例１に比較して記録感度が向上している。これ
は融点が低下しているためと思われる。繰り返し特性も
３０００回まで良好である。初期化は初期化時のパワー
が高くなっているが、初期化後の均一性は良好である。
ば、実施例１に比較して記録感度が向上している。これ
は融点が低下しているためと思われる。繰り返し特性も
３０００回まで良好である。初期化は初期化時のパワー
が高くなっているが、初期化後の均一性は良好である。
【００５２】実施例３の記録媒体に関する表１１によれ
ば、記録感度は実施例１と２の中間程度である。繰り返
し特性も３０００回までは良好である。初期化も容易で
あり、均一性も良好である。
ば、記録感度は実施例１と２の中間程度である。繰り返
し特性も３０００回までは良好である。初期化も容易で
あり、均一性も良好である。
【００５３】実施例４の記録媒体に関する表１２によれ
ば、記録感度は実施例１と同等で良好である。繰り返し
特性も３０００回まで良好である。初期化はパワーが８
００ｍＷと大きくなっているのが、これは本実施例の場
合、結晶化温度が高くなっているためと思われる。但
し、初期化後の均一性に問題はない。
ば、記録感度は実施例１と同等で良好である。繰り返し
特性も３０００回まで良好である。初期化はパワーが８
００ｍＷと大きくなっているのが、これは本実施例の場
合、結晶化温度が高くなっているためと思われる。但
し、初期化後の均一性に問題はない。
【００５４】実施例５の記録媒体に関する表１３によれ
ば、これはＣｕ3Ｎが添加されたものであるが、これを
表１６の比較例と比較すると、記録感度が向上してい
る。また、繰り返し特性は比較例とほぼ同等であるが、
実施例１、２、３、４と比較すると５０００回まで向上
している。これは添加物のＣｕ3Ｎの効果と考えられ
る。また、初期化は実施例１、２、３、４とは同等であ
るが、比較例より容易であり、初期化後の反射率の変動
も少ない。これは、Ｎのみの添加は初期化をしにくくし
ているが、Ｃｕ3Ｎの場合は、これが改善されているこ
とを示す。
ば、これはＣｕ3Ｎが添加されたものであるが、これを
表１６の比較例と比較すると、記録感度が向上してい
る。また、繰り返し特性は比較例とほぼ同等であるが、
実施例１、２、３、４と比較すると５０００回まで向上
している。これは添加物のＣｕ3Ｎの効果と考えられ
る。また、初期化は実施例１、２、３、４とは同等であ
るが、比較例より容易であり、初期化後の反射率の変動
も少ない。これは、Ｎのみの添加は初期化をしにくくし
ているが、Ｃｕ3Ｎの場合は、これが改善されているこ
とを示す。
【００５５】実施例６の記録媒体に関する表１４によれ
ば、これはＮａ3Ｎが添加されたものであるが、この場
合は比較例とくらべ、感度と初期化特性が向上してい
る。
ば、これはＮａ3Ｎが添加されたものであるが、この場
合は比較例とくらべ、感度と初期化特性が向上してい
る。
【００５６】実施例７の記録媒体に関する表１５によれ
ば、これはＡｕＣｌが添加されたものであり、比較例と
くらべると感度が大幅に向上している。また、初期化も
その均一性が良好となっている。但し、繰り返し特性は
３０００回までである。
ば、これはＡｕＣｌが添加されたものであり、比較例と
くらべると感度が大幅に向上している。また、初期化も
その均一性が良好となっている。但し、繰り返し特性は
３０００回までである。
【００５７】以上本発明によれば、実施例１、２、３、
４のように添加物が導入されていない場合は記録感度が
高く、また繰り返し特性も３０００回までは良好であ
り、初期化後の均一性もよい。これは本発明の記録材料
が(ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-aの構成にな
っているためと考えられる。また、Ｃｕ3Ｎ、Ｎａ3Ｎの
添加は、記録感度や初期化の特性を保持しつつ、繰り返
し特性をさらに向上させている。一方、ＡｕＣｌの添加
は、記録感度を大幅に向上させることができる。
４のように添加物が導入されていない場合は記録感度が
高く、また繰り返し特性も３０００回までは良好であ
り、初期化後の均一性もよい。これは本発明の記録材料
が(ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-aの構成にな
っているためと考えられる。また、Ｃｕ3Ｎ、Ｎａ3Ｎの
添加は、記録感度や初期化の特性を保持しつつ、繰り返
し特性をさらに向上させている。一方、ＡｕＣｌの添加
は、記録感度を大幅に向上させることができる。
【００５８】
【発明の効果】請求項１の光記録媒体は、その記録層を
構成する記録材料として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを
主成分とし、その構造が一般式 (ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-a で表される材料を用いることにより、高感度で記録マー
クの良好な記録媒体が実現される。
構成する記録材料として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを
主成分とし、その構造が一般式 (ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-a で表される材料を用いることにより、高感度で記録マー
クの良好な記録媒体が実現される。
【００５９】請求項２の光記録媒体は、その記録層を構
成する記録材料の組成が、前記一般式において ０．１２≦ａ≦０．２５ ０．０２≦ｘ≦０．３ ０．４５≦ｙ≦０．７５ ０．２≦ｚ≦０．４ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ なる範囲にあるものとしたことにより、ＩｎxＳｂyＴｅ
zがその組成により少なくとも１つの相からなることか
ら、結晶生長を抑制し、さらに高感度で記録マークの良
好なものとなる。
成する記録材料の組成が、前記一般式において ０．１２≦ａ≦０．２５ ０．０２≦ｘ≦０．３ ０．４５≦ｙ≦０．７５ ０．２≦ｚ≦０．４ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ なる範囲にあるものとしたことにより、ＩｎxＳｂyＴｅ
zがその組成により少なくとも１つの相からなることか
ら、結晶生長を抑制し、さらに高感度で記録マークの良
好なものとなる。
【００６０】請求項３の光記録媒体は、その記録層を構
成する記録材料に、添加物としてＡｕＣｌ、Ｎａ3Ｎ、
Ｃｕ3Ｎ及びＧｅ3Ｎ2の少なくとも１種をスパッタ法に
より分解させた状態で記録母材の中に導入することによ
り、繰り返し特性が向上する。
成する記録材料に、添加物としてＡｕＣｌ、Ｎａ3Ｎ、
Ｃｕ3Ｎ及びＧｅ3Ｎ2の少なくとも１種をスパッタ法に
より分解させた状態で記録母材の中に導入することによ
り、繰り返し特性が向上する。
【００６１】請求項４の光記録媒体は、その記録層を構
成する記録材料の融点が少なくとも１つあり、その１つ
はＡｇＳｂＴｅ2のもので５３５℃から５６３℃の範囲
内にあるものとしたことから、初期化及び消去時におい
て微細な結晶粒となるために、より高感度で記録マーク
の良好なものとなる。
成する記録材料の融点が少なくとも１つあり、その１つ
はＡｇＳｂＴｅ2のもので５３５℃から５６３℃の範囲
内にあるものとしたことから、初期化及び消去時におい
て微細な結晶粒となるために、より高感度で記録マーク
の良好なものとなる。
【００６２】請求項５の光記録媒体は、その記録層を構
成する記録材料の結晶化温度が少なくとも１つあり、該
結晶化温度が１０℃／分の昇温レートで１５０℃から２
１０℃の範囲内にあるものとしたことから、初期結晶化
が容易なものとなる。
成する記録材料の結晶化温度が少なくとも１つあり、該
結晶化温度が１０℃／分の昇温レートで１５０℃から２
１０℃の範囲内にあるものとしたことから、初期結晶化
が容易なものとなる。
【００６３】請求項６の光記録媒体は、その記録層を構
成する記録材料のキッシンジャープロット法により求め
た活性化エネルギーが１．７ｅＶから３．０ｅＶの範囲
内にあるものとしたことから、初期結晶化が容易で保存
特性が良好なものとなる。
成する記録材料のキッシンジャープロット法により求め
た活性化エネルギーが１．７ｅＶから３．０ｅＶの範囲
内にあるものとしたことから、初期結晶化が容易で保存
特性が良好なものとなる。
【図１】本発明の光記録媒体の一実施例を示す概略断面
図である。
図である。
１ 基板 ２ 下部耐熱保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱保護層 ５ 反射放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA33 EA35 FA01 FB05 FB09 FB12 FB17 FB21 FB24 FB26 FB30 GA03 5D029 JA01 JA10 JB35 JC11 JC18 JC20
Claims (6)
- 【請求項１】 材料にレーザー等を照射することによっ
てその材料の光学定数を変化させて情報の記録、再生、
消去を行う光記録媒体において、該記録媒体の記録層を
構成する記録材料の主成分がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅ
からなり、その構造が一般式 (ＡｇＳｂＴｅ2)a（ＩｎxＳｂyＴｅz)1-a で表されることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の光記録媒体において、そ
の記録層を構成する記録材料の組成が、前記一般式にお
いて ０．１２≦ａ≦０．２５ ０．０２≦ｘ≦０．３ ０．４５≦ｙ≦０．７５ ０．２≦ｚ≦０．４ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ なる範囲にあることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の光記録媒体におい
て、その記録層を構成する記録材料に、添加物としてＡ
ｕＣｌ、Ｎａ3Ｎ、Ｃｕ3Ｎ及びＧｅ3Ｎ2の少なくとも１
種をスパッタ法により分解させた状態で記録膜中にドー
プしてなることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の光記録
媒体において、その記録層を構成する記録材料の融点が
少なくとも１つあり、その１つはＡｇＳｂＴｅ2のもの
で５３５℃から５６３℃の範囲内にあることを特徴とす
る光記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の光記録
媒体において、その記録層を構成する記録材料の結晶化
温度が少なくとも１つあり、該結晶化温度が１０℃／分
の昇温レートで１５０℃から２１０℃の範囲内にあるこ
とを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の光記録
媒体において、その記録層を構成する記録材料のキッシ
ンジャープロット法により求めた活性化エネルギーが
１．７ｅＶから３．０ｅＶの範囲内にあることを特徴と
する光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10278337A JP2000103168A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10278337A JP2000103168A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000103168A true JP2000103168A (ja) | 2000-04-11 |
Family
ID=17595936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10278337A Pending JP2000103168A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000103168A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7482109B2 (en) | 2001-02-01 | 2009-01-27 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP10278337A patent/JP2000103168A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7482109B2 (en) | 2001-02-01 | 2009-01-27 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
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Legal Events
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041015 |
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