JP2018148071A - 記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】記憶容量を大きくすることが可能な記憶装置を提供する。【解決手段】記憶装置は、第1メモリセルアレイと、前記第1メモリセルアレイに対して第1方向に配置された第2メモリセルアレイと、前記第1メモリセルアレイ中を前記第1方向に延在する第1コンタクトプラグと、前記第2メモリセルアレイ中を前記第1方向に延在し、前記第1コンタクトプラグに電気的に接続された第2コンタクトプラグと、を備える。前記第1メモリセルアレイは、前記第1方向に積層された複数の第1電極層と、前記複数の第1電極層を貫く第1半導体ピラーと、を含み、前記第2メモリセルアレイは、前記第1方向に積層された複数の第2電極層と、前記複数の第2電極層を貫く第2半導体ピラーと、を含む。前記第1コンタクトプラグは、前記第1半導体ピラーに電気的に接続され、前記第2コンタクトプラグは、前記第2半導体ピラーに電気的に接続される。【選択図】図1
Description
実施形態は、記憶装置に関する。
三次元配置されたメモリセルを含む記憶装置の開発が進められている。例えば、NAND型記憶装置は、積層された複数の電極層と、それを積層方向に貫くメモリホール内に設けられた半導体ピラーと、を備える。メモリセルは、半導体ピラーと電極層とが交差する部分に設けられ、半導体ピラーに沿って配置される。このような記憶装置では、電極層の積層数を増し、メモリホールの微細化によりその数を増すことにより、記憶容量を大きくすることができる。しかしながら、記憶装置の限られたチップサイズの下で、メモリホールの数を増し、電極層の積層数を増すことには限界がある。
実施形態は、記憶容量を大きくすることが可能な記憶装置を提供する。
実施形態に係る記憶装置は、第1メモリセルアレイと、前記第1メモリセルアレイに対して第1方向に配置された第2メモリセルアレイと、前記第1メモリセルアレイ中を前記第1方向に延在する第1コンタクトプラグと、前記第2メモリセルアレイ中を前記第1方向に延在し、前記第1コンタクトプラグに電気的に接続された第2コンタクトプラグと、を備える。前記第1メモリセルアレイは、前記第1方向に積層された複数の第1電極層と、前記複数の第1電極層を前記第1方向に貫く第1半導体ピラーと、を含む。前記第2メモリセルアレイは、前記第1方向に積層された複数の第2電極層と、前記複数の第2電極層を前記第1方向に貫く第2半導体ピラーと、を含む。前記第1コンタクトプラグは、前記第1半導体ピラーに電気的に接続される。前記第2コンタクトプラグは、前記第2半導体ピラーに電気的に接続される。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
さらに、各図中に示すX軸、Y軸およびZ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。X軸、Y軸、Z軸は、相互に直交し、それぞれX方向、Y方向、Z方向を表す。また、便宜上、図中の上方、下方に従って説明する場合があるが、全てに共通な上下関係を示す意図ではない。
[第1実施形態]
図1は、第1実施形態に係る記憶装置1を示す模式断面図である。記憶装置1は、例えば、NAND型フラッシュメモリデバイスであり、駆動回路10の上にメモリセルアレイ20、30および40を積層した構造を有する。なお、図1では、記憶装置1の構造を示すために、各構成要素間に設けられる絶縁膜を省略している。
図1は、第1実施形態に係る記憶装置1を示す模式断面図である。記憶装置1は、例えば、NAND型フラッシュメモリデバイスであり、駆動回路10の上にメモリセルアレイ20、30および40を積層した構造を有する。なお、図1では、記憶装置1の構造を示すために、各構成要素間に設けられる絶縁膜を省略している。
駆動回路10は、例えば、CMOSトランジスタ等の電子デバイスが設けられた基板11と、基板11の上に設けられた配線層13を有する。基板11は、例えば、シリコン基板である。基板11の上面側には、例えば、CMOS型集積回路が設けられる。
メモリセルアレイ20は、Z方向に積層された複数の電極層21と、複数の半導体ピラー23と、ソース線25と、を有する。半導体ピラー23は、それぞれ電極層21を貫いてZ方向に延びる。半導体ピラー23は、一方の端においてソース線25に電気的に接続される。複数の半導体ピラー23は、1つのソース線25を共有する。また、半導体ピラー23は、他方の端において配線27に電気的に接続される。
メモリセルアレイ30は、Z方向に積層された複数の電極層31と、複数の半導体ピラー33と、ソース線35と、を有する。半導体ピラー33は、それぞれ電極層31を貫いてZ方向に延びる。半導体ピラー33は、一方の端においてソース線35に電気的に接続される。複数の半導体ピラー33は、1つのソース線35を共有する。また、半導体ピラー33は、他方の端において配線37に電気的に接続される。
メモリセルアレイ40は、Z方向に積層された複数の電極層41と、複数の半導体ピラー43と、ソース線45と、を有する。半導体ピラー43は、それぞれ電極層41を貫いてZ方向に延びる。半導体ピラー43は、一方の端においてソース線45に電気的に接続される。複数の半導体ピラー43は、1つのソース線45を共有する。また、半導体ピラー43は、他方の端において配線47に電気的に接続される。
電極層21、31および41は、階段状に設けられたそれぞれ端部においてコンタクトプラグ51に電気的に接続される。さらに、電極層21、31および41は、コンタクトプラグ51およびコンタクトプラグ53を介して駆動回路10に電気的に接続される。コンタクトプラグ53は、メモリセルアレイ20、30および40のそれぞれを貫通するように設けられる。コンタクトプラグ53は、駆動回路10の上に積層された各メモリセルアレイ中の電極層21、31および41を配線層13中の配線15に電気的に接続する。
また、各メモリセルアレイには、それぞれを貫通する別のコンタクトプラグ55が設けられる。コンタクトプラグ55は、例えば、駆動回路10と、図示しないインターフェース回路と、を電気的に接続する。
記憶装置1は、各メモリセルアレイ中をZ方向に延びるコンタクトプラグ60をさらに備える。コンタクトプラグ60は、各メモリセルアレイにおいて、例えば、複数の電極層21を貫通するように設けられる。コンタクトプラグ60は、例えば、Z方向に積層された複数の電極層21、31および41のZ方向の全幅Wsよりも長く延在する。コンタクトプラグ60は、例えば、タングステン等の金属を含む。
図1に示すように、メモリセルアレイ20には、コンタクトプラグ60aが設けられ、メモリセルアレイ30および40には、コンタクトプラグ60bおよび60cがそれぞれ設けられる。本明細書では、コンタクトプラグ60a、60bおよび60cを総称してコンタクトプラグ60と表現する場合がある。他の構成要素についても同様に表現する場合がある。
さらに、各メモリセルアレイには、それぞれ接続パッド61および63が設けられる。接続パッド61は、各メモリセルアレイの下面に設けられ、接続パッド63は、各メモリセルアレイの上面に設けられる。
図1に示すように、メモリセルアレイ20とメモリセルアレイ30との境界には、接続パッド63aと接続パッド61bとが配置され相互に接続される。接続パッド63aには、コンタクトプラグ60aが電気的に接続されている。一方、接続パッド61bには、配線65bを介してコンタクトプラグ60bが電気的に接続されている。すなわち、コンタクトプラグ60aとコンタクトプラグ60bとは、接続パッド63aおよび61bを介して電気的に接続される。
同様に、メモリセルアレイ20とメモリセルアレイ30との境界には、接続パッド63bと接続パッド61cとが配置され相互に接続される。そして、コンタクトプラグ60bとコンタクトプラグ60cとは、接続パッド63bおよび61cを介して電気的に接続される。
さらに、メモリセルアレイ20では、半導体ピラー23に接続された配線27が配線65aに接続され、配線65aは、コンタクトプラグ60aに電気的に接続される。同様に、メモリセルアレイ30では、半導体ピラー33に接続された配線37が、配線65bを介してコンタクトプラグ60bおよび接続パッド61bに電気的に接続される。また、メモリセルアレイ40では、半導体ピラー43に接続された配線47が、配線65cを介してコンタクトプラグ60cおよび接続パッド61cに電気的に接続される。
このように、駆動回路10の上に積層された各メモリセルアレイに含まれる半導体ピラー間をコンタクトプラグ60を介して相互に接続することができる。なお、コンタクトプラグ60を介して相互に接続された半導体ピラーは、駆動回路10とメモリセルアレイ20との間に位置する接続パッド61a、もしくは、メモリセルアレイ40の上面に設けられた接続パッド63cを介して、例えば、図示しないセンスアンプに接続される。
本実施形態では、メモリセルアレイ20、30および40にそれぞれ含まれる半導体ピラー23、33および43を相互に接続し、例えば、各半導体ピラーに沿って配置されるメモリセルMC(図4参照)を含む1つのメモリストリングとして動作させることができる。
例えば、メモリセルアレイ20、30および40が、それぞれ64層の電極層を含むとすれば、記憶装置1では、192層の電極層を積層したメモリセルアレイと同等の記憶容量を実現することができる。例えば、192層の電極層を連続的に積層した積層体にメモリホールを形成し、その内部に半導体ピラーを形成するためには、極めて高度なウェーハプロセス技術を要する。これに対し、記憶装置1では、個別に形成されたメモリセルアレイ20、30および40を積層し、コンタクトプラグ60および接続パッド61、63を用いて相互に電気的に接続することにより、192層の電極層を連続的に積層する場合と同等の記憶容量を容易に実現できる。
また、192層の電極層を貫く半導体ピラーを形成した場合、その電気抵抗によりセル電流が小さくなり、メモリセルMCからのデータ読み出しが困難となる恐れがある。本実施形態では、例えば、64層の電極層を貫く半導体ピラー23、33および43は、並列接続されるため、各半導体ピラーは、192の電極層を貫く半導体ピラーよりも低抵抗となる。このため、記憶装置1では、セル電流の低下を抑制することができる。
なお、本実施形態は、上記の例に限定される訳ではなく、例えば、駆動回路10の上に積層されるメモリセルアレイは、2つでも良いし、また、4つ以上のメモリセルアレイを積層しても良い。次に、図2〜図4を参照して、各メモリセルアレイの構成を詳細に説明する。
図2(a)および(b)は、第1実施形態に係る記憶装置1のメモリセルアレイ20の構成を示す模式平面図である。図2(b)は、図2(a)中に示す領域MPを示す平面図である。メモリセルアレイ30および40は、メモリセルアレイ20と同じ構造を有する。
図2(a)に示すように、電極層21は、X方向に延在し、Z方向に積層されると共に、Y方向に並べて配置される。Y方向において隣接する電極層21の間には、スリットSTが設けられ、電極層21を相互に電気的に分離する。また、X方向における電極層21の端部には、階段状の引き出し部HUPが設けられる。さらに、電極層21の一部には、コンタクト領域CAが設けられる。
図2(b)に示すように、電極層21には、複数のメモリホールMHが設けられる。メモリホールMHは、複数の電極層21を貫いてZ方向に延在し、その内部には、半導体ピラー23(図1参照)がそれぞれ配置される。さらに、Y方向に延びる複数の配線27が設けられる。Y方向において隣り合う2つの電極層21をそれぞれ貫く複数の半導体ピラー23のうちの1つは、複数の配線27のうちの1つに接続される。すなわち、1つの配線27は、Y方向に並んだ複数の電極層21のそれぞれを貫く1つの半導体ピラー23に共有される。
また、コンタクト領域CAには、コンタクトホールPHが設けられる。コンタクトホールPHは、複数の電極層21を貫いてZ方向に延びる。図2(b)に示すように、コンタクトホールPHの内部には、コンタクトプラグ60aが設けられる。コンタクトプラグ60aは、例えば、タングステンなどの金属を含み、コンタクトホールPH内に設けられた絶縁膜67により電極層21から電気的に絶縁される。絶縁膜67は、例えば、シリコン酸化膜である。
図3は、メモリセルアレイ20の下面を示す模式平面図である。図3に示すように、コンタクト領域CAの間において、複数の配線27がX方向に並べて配置される。配線27は、それぞれY方向に延在する。コンタクト領域CAには、複数のコンタクトプラグ60aがY方向に並べて配置される。さらに、コンタクト領域CAの間には、複数の接続パッド61aが配置される。
接続パッド61aは、配線27の上に設けられ、それぞれコンタクトプラグ60aのいずれかに配線65aを介して接続される。例えば、コンタクト領域CAの間に配置される接続パッド61aの数は、その間に配置される配線27の数と同じである。配線65aは、コンタクトプラグ71を介してコンタクトプラグ60aに接続される。また、配線65aは、コンタクトプラグ73を介して配線27の1つに接続される。
図4は、メモリセルアレイ20を示す模式断面図である。なお、図4は、図1の上下を逆にした断面図である。また、図4では、メモリセルアレイ20の構成を明示するために、各構成要素間を電気的に絶縁する絶縁膜を適宜省略している。
図4に示すように、複数の電極層21は、ソース線25の上に積層される。ソース線25は、例えば、金属層25aと、半導体層25bと、を積層した構造を有する。金属層25aは、例えば、タングステン層であり、半導体層25bは、例えば、ポリシリコン層である。電極層21は、例えば、タングステン等を含む金属層である。
半導体ピラー23は、電極層21を積層方向(Z方向)に貫き、その下端においてソース線25に接続される。また、半導体ピラー23の上端は、コンタクトプラグ26を介して配線27に電気的に接続される。
電極層21と半導体ピラー23との間には、メモリ膜29が設けられる。メモリ膜29は、電極層21から半導体ピラー23に向かう方向に、例えば、第1のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜および第2のシリコン酸化膜を順に積層した構造を有し、その内部に電荷を保持し、また、その内部から電荷を放出することができる。メモリセルMCは、半導体ピラー23が電極層21を貫く部分にそれぞれ設けられ、メモリ膜29の一部を電荷保持部として含む。
図4に示すように、コンタクトプラグ60aは、複数の電極層21およびソース線25を貫きZ方向に延在する。コンタクトプラグ60aは、絶縁膜67により電極層21およびソース線25から電気的に絶縁されている。
コンタクトプラグ60aの下端は、接続パッド63aに電気的に接続される。また、コンタクトプラグ60aの上端は、中間配線69およびコンタクトプラグ71、77を介して配線65aに電気的に接続される。中間配線69は、例えば、配線27と同じレベルに設けられる。コンタクトプラグ77は、コンタクトプラグ60aと中間配線69とを接続する。コンタクトプラグ71は、配線65aと中間配線69とを接続する。さらに、配線65aは、コンタクトプラグ73を介して配線27の1つに接続され、コンタクトプラグ75を介して接続パッド61aに電気的に接続される。
また、メモリセルアレイ20は、ソース線25に電気的に接続されたコンタクトプラグ80をさらに含む。コンタクトプラグ80は、複数の電極層21を貫きZ方向に延在する。コンタクトプラグ80は、例えば、コンタクトプラグ60aと共にコンタクト領域CAに設けられる。
コンタクトプラグ80の下端は、ソース線25に電気的に接続される。また、コンタクトプラグ80の上端は、中間配線85、87、コンタクトプラグ91、93および95を介して接続パッド81に電気的に接続される。中間配線85および87は、それぞれ、配線65aおよび27と同じレベルに設けられる。コンタクトプラグ91は、コンタクトプラグ80と中間配線87とを接続する。コンタクトプラグ93は、中間配線85と中間配線87とを接続する。さらに、中間配線85は、コンタクトプラグ91を介して接続パッド81に電気的に接続される。また、ソース線25は、例えば、コンタクトプラグ97を介して接続パッド83に電気的に接続される。
メモリセルアレイ30および40も同様に、コンタクトプラグ80、接続パッド81および83を含む。図1に示すようにメモリセルアレイ20、30および40を積層した時、それぞれのソース線25、35および45は、コンタクトプラグ80、接続パッド81および83を介して電気的に接続される。すなわち、メモリセルアレイ20とメモリセルアレイ30との境界において、メモリセルアレイ20の接続パッド83と、メモリセルアレイ30の接続パッド81が接続される。また、メモリセルアレイ30とメモリセルアレイ40との境界において、メモリセルアレイ30の接続パッド83と、メモリセルアレイ40の接続パッド81が接続される。
次に図5〜図10を参照して、第1実施形態に係る記憶装置1の製造方法を説明する。図5〜図10は、駆動回路10の上に積層されるメモリセルアレイ20、30および40の製造過程を示す模式断面図である。
図5(a)に示すように、凸部101を上面に有する基板110を形成する。凸部101は、例えば、基板110を選択的にエッチングすることにより形成される。基板110は、例えば、シリコン基板である。
図5(b)に示すように、基板110の上面を覆う絶縁膜103を形成する。絶縁膜103は、例えば、LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)を用いて形成されるシリコン窒化膜である。
図5(c)に示すように、絶縁膜103の上に絶縁膜105を形成する。絶縁膜105は、例えば、TEOS(Tetraethyl orthosilicate)を原料とするCVDを用いて形成されるシリコン酸化膜である。
図5(d)に示すように、絶縁膜105を平坦化し、凸部101の上に形成された絶縁膜103の一部を露出させる。絶縁膜105は、例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)を用いて平坦化される。
図6(a)に示すように、絶縁膜105の上、および、凸部101の上に絶縁膜107を形成する。絶縁膜107は、例えば、TEOS−CVDを用いて形成されるシリコン酸化膜である。続いて、絶縁膜107の上面から凸部101に至るコンタクトプラグ111を形成する。
図6(b)に示すように、絶縁膜107の上に絶縁膜109を形成する。絶縁膜109は、例えば、TEOS−CVDを用いて形成されるシリコン酸化膜である。続いて、絶縁膜109を選択的に除去し、配線115を形成する。配線115は、例えば、コンタクトプラグ111を介して基板110に電気的に接続される。
図6(c)に示すように、絶縁膜109の上にメモリセルアレイ20を形成する。メモリセルアレイ20は、Z方向に積層された複数の電極層21と、電極層21をZ方向に貫く複数の半導体ピラー23と、ソース線25と、を含む。さらに、メモリセルアレイ20は、電極層21にそれぞれ接続されたコンタクトプラグ51と、配線115に接続されたコンタクトプラグ53と、を含む。さらに、図示しない部分において、コンタクトプラグ60aおよび80を形成する。
図7(a)に示すように、メモリセルアレイ20の上に絶縁膜121を形成する。絶縁膜121は、例えば、TEOS−CVDを用いて形成されるシリコン酸化膜である。続いて、接続パッド123を絶縁膜121中に形成する。接続パッド123は、例えば、コンタクトプラグ125を介してコンタクトプラグ53に電気的に接続される。また、図示しない部分において、接続パッド61aおよび81(図4参照)も同時に形成される。接続パッド61a、81、123は、例えば、銅もしくは銅合金を含む。
図7(b)に示すように、駆動回路10とメモリセルアレイ20とを貼り合わせる。例えば、絶縁膜121の上面と、駆動回路10の上面と、を接触させ、300〜400℃の温度および所定の圧力下で接合する。この際、接続パッド123は、駆動回路10側の接続パッド127に接続される。接続パッド127も、例えば、銅もしくは銅合金を含む。
図8(a)に示すように、基板110を除去する。例えば、基板110の裏面側を研磨もしくは研削し薄膜化した後、ウェットエッチングにより選択的に除去する。これにより、絶縁膜103を露出させ、凸部101を除去した後に、凹部131を形成する。凹部131の底面には、コンタクトプラグ111の上面が露出する。
図8(b)に示すように、凹部131の内部に、例えば、銅もしくは銅合金等の金属を埋め込むことにより、接続パッド133を形成する。この際、図示しない部分において、接続パッド63aおよび83も同時に形成される。
接続パッド133は、例えば、コンタクトプラグ111に接続される。接続パッド133は、例えば、上面の幅WT1が下面の幅WB1よりも広い形状を有する。これに対し、コンタクトプラグ111は、上面の幅WT2が下面の幅WB2よりも狭い形状を有する。
図9に示すように、メモリセルアレイ20の上にメモリセルアレイ30を貼り合わせる。メモリセルアレイ30は、メモリセルアレイ20と同じ方法により形成される。図9におけるメモリセルアレイ30の上面側には、接続パッド133が形成される。メモリセルアレイ20とメモリセルアレイ30との境界では、接続パッド133に接続パッド123が接続される。また、図示しない部分において、メモリセルアレイ20の接続パッド63aと、メモリセルアレイ30の接続パッド61bとが接続される(図1参照)。さらに、メモリセルアレイ20の接続パッド83と、メモリセルアレイ30の接続パッド81とが接続され(図4参照)、ソース線25とソース線35とが電気的に接続される。
図10に示すように、メモリセルアレイ30の上にメモリセルアレイ40を貼り合わせる。メモリセルアレイ40は、メモリセルアレイ20および30と同じ方法により形成される。図10におけるメモリセルアレイ40の上面側には、接続パッド135が形成される。接続パッド135は、例えば、アルミニウムを含む。すなわち、接続パッド135は最上層の配線であり、例えば、ワイヤボンディングにより外部回路に接続できるように形成される。
図10に示すように、メモリセルアレイ30とメモリセルアレイ40との境界でも、接続パッド133に接続パッド123が接続される。また、図示しない部分において、メモリセルアレイ30の接続パッド63bと、メモリセルアレイ40の接続パッド61cとが接続される(図1参照)。さらに、メモリセルアレイ30の接続パッド83と、メモリセルアレイ40の接続パッド81とが接続され(図4参照)、ソース線35とソース線45とが電気的に接続される。
上記の製造過程では、基板110の上面に凸部101を設けることにより、貼り合わせ後の各メモリセルアレイの上面に接続パッドを形成することができる。また、凸部101を配線パターンを有するように形成すれば、接続パッドおよびそれにつながった配線を形成することができる。これにより、貼り合わせ後のフォトリソグラフィおよび絶縁膜のエッチングを省略することが可能となり、記憶装置1の製造過程を簡略化できる。
[第2実施形態]
図11は、第2実施形態に係る記憶装置のメモリセルアレイ50の構成を示す模式平面図である。メモリセルアレイ50は、Y方向に並んだ電極層21a、21bおよび21cを含む。電極層21a、21bおよび21cは、それぞれX方向に延在し、電極層21aと電極層21bとの間、および、電極層21bと電極層21cとの間は、スリットSTにより分離されている。また、電極層21a、21bおよび21cは、それぞれZ方向に積層され、Z方向に延びる複数のメモリホールMHにより貫かれている。各メモリホールMHの内部には、半導体ピラー23(図示しない)が設けられる。
図11は、第2実施形態に係る記憶装置のメモリセルアレイ50の構成を示す模式平面図である。メモリセルアレイ50は、Y方向に並んだ電極層21a、21bおよび21cを含む。電極層21a、21bおよび21cは、それぞれX方向に延在し、電極層21aと電極層21bとの間、および、電極層21bと電極層21cとの間は、スリットSTにより分離されている。また、電極層21a、21bおよび21cは、それぞれZ方向に積層され、Z方向に延びる複数のメモリホールMHにより貫かれている。各メモリホールMHの内部には、半導体ピラー23(図示しない)が設けられる。
メモリセルアレイ50は、電極層21a、21bおよび21cの上をY方向に延在する複数の配線27を含む。配線27は、例えば、X方向に並べて配置される。配線27のそれぞれは、電極層21aを貫いて延びる1つの半導体ピラーと、電極層21bを貫いて延びる1つの半導体ピラーと、電極層21cを貫いて延びる1つの半導体ピラーと、に電気的に接続される。
この例では、スリットSTの内部にコンタクトプラグ160が配置される。コンタクトプラグ160は、Z方向に延在し、その長さは、Z方向に積層された電極層21a、21bおよび21cのそれぞれの全高よりも長い。また、コンタクトプラグ160は、それぞれコンタクトプラグ141を介して1つの配線27に電気的に接続される。すなわち、配線27と同数のコンタクトプラグ160が、スリットSTの内部に設けられる。
図12(a)および(b)は、第2実施形態に係る記憶装置のメモリセルアレイ50を示す模式図である。図12(a)は、メモリセルアレイ50の上面を示す模式平面図である。図12(b)は、図12(a)中に示す12B−12B線に沿った断面を示す模式図である。
図12(a)に示すように、配線27の上に複数の接続パッド140が設けられる。接続パッド140は、それぞれ1つの配線27に電気的に接続される。すなわち、配線27と同数の接続パッド140が、X方向に並んだ複数の配線27の上方に配置される。
図12(b)に示すように、コンタクトプラグ160は、スリットSTの内部において、Z方向に延びる。コンタクトプラグ160は、電極層21の積層幅WSよりも長く延びる。また、コンタクトプラグ160は、絶縁膜167により電極層21およびソース線120から電気的に絶縁される。
コンタクトプラグ160は、その下端において接続パッド150に接続される。また、コンタクトプラグ160は、その上端において、コンタクトプラグ141を介して配線27の1つに電気的に接続される。さらに、配線27は、コンタクトプラグ143を介して接続パッド140に電気的に接続される。結果として、コンタクトプラグ160は、配線27の1つ、および、接続パッド140の1つに電気的に接続される。
本実施形態では、複数のメモリセルアレイ50が、例えば、駆動回路10の上に積層される(図1参照)。メモリセルアレイ50は、図12(b)に示す構造の上下を逆にして積層される。この時、1つのメモリセルアレイ50の接続パッド150は、その上に積層される別のメモリセルアレイ50の接続パッド140に接続される。これにより、上下に積層されるメモリセルアレイ50の半導体ピラー23が電気的に接続される。
また、本実施形態においても、図示しないコンタクトプラグ(例えば、図4中のコンタクトプラグ80)を介して、上下に積層されたメモリセルアレイ50のソース線120が電気的に接続される。
図13は、第2実施形態に係るメモリセルアレイ50の製造過程を示す模式図である。図13(a)〜(c)は、コンタクトプラグ160の形成過程を示す模式平面図である。
図13(a)に示すように、電極層21間のスリットSTに絶縁膜167を埋め込む。絶縁膜167は、例えば、CVDを用いて形成されるシリコン酸化膜である。この時、メモリホールMHの内部には、それぞれ図示しない半導体ピラー23およびメモリ膜29が形成されている。
図13(b)に示すように、エッチングマスク181、例えば、レジスト膜を、メモリホールMHおよび絶縁膜167を覆うように形成する。エッチングマスク181は、スリットST上に位置する開口181aを有する。続いて、エッチングマスク181を用いて絶縁膜167を選択的に除去し、スリットST内においてZ方向に延在し、接続パッド150となる部分(図6(a)および図12(b)参照)に連通するコンタクトホール185を形成する。
図13(c)に示すように、コンタクトホール185の内部にコンタクトプラグ160を形成する。コンタクトプラグ160は、コンタクトホール185の内部を埋め込んだ金属層であり、例えば、タングステンを含む。
図14は、第2実施形態の変形例に係るメモリセルアレイ50の製造過程を示す模式図である。図14(a)〜(c)は、コンタクトプラグ170の形成過程を示す模式平面図である。コンタクトプラグ170は、スリットST内において電極層21の積層幅WSよりも長く延びる。
図14(a)に示すように、電極層21間に形成されるスリットSTは、第1部分WPと、第2部分NPと、を含む。第1部分WPのY方向の幅W1は、第2部分NPのY方向の幅W2よりも広い。
図14(b)に示すように、スリットSTの内部に絶縁膜167を形成する。絶縁膜167は、例えば、CVDを用いて形成されるシリコン酸化膜である。絶縁膜167は、例えば、第2部分NPを閉塞させ、第1部分WPにコンタクトホール187を残す厚さを有するように形成される。言い換えれば、第1部分WPの幅W1と、第2部分NPの幅W2と、の差が、コンタクトプラグ170のY方向の幅よりも大きくなるように形成される。
図14(c)に示すように、コンタクトホール187の内部にコンタクトプラグ170を形成する。コンタクトプラグ170は、コンタクトホール187の内部を埋め込んだ金属層であり、例えば、タングステンを含む。
図15は、第2実施形態の別の変形例に係るメモリセルアレイ50の製造過程を示す模式断面図である。図15(a)〜(c)は、コンタクトプラグ180の形成過程を示す模式平面図である。コンタクトプラグ180は、スリットST内において電極層21の積層幅WSよりも長く延びる。
図15(a)に示すように、電極層21間に形成されるスリットSTは、例えば、円形の開口を有し、複数のコンタクトホールCHがX方向につながった形状に形成される。コンタクトホールCHは、例えば、Z方向に延在し、接続パッド150となる部分(図6(a)および図12(b)参照)に連通するように形成される。コンタクトホールCHは、例えば、その直径RSがコンタクトプラグ180の直径よりも大きくなるように形成される。
図15(b)に示すように、スリットSTの内部に絶縁膜167を形成する。絶縁膜167は、例えば、CVDを用いて形成されるシリコン酸化膜である。絶縁膜167は、例えば、コンタクトホールCH内にコンタクトスペース189を残す厚さを有するように形成される。
図15(c)に示すように、コンタクトスペース189の内部にコンタクトプラグ180を形成する。コンタクトプラグ180は、コンタクトスペース189の内部を埋め込んだ金属層であり、例えば、タングステンを含む。
[第3実施形態]
図16は、第3実施形態に係る記憶装置1の製造過程を示す模式断面図である。図16(a)は、例えば、メモリセルアレイ20とメモリセルアレイ30とを貼り合わせたウェーハ5を示す模式平面図である(図1参照)。図16(b)は、図16(a)に示す16B−16B線に沿った模式断面図である。
図16は、第3実施形態に係る記憶装置1の製造過程を示す模式断面図である。図16(a)は、例えば、メモリセルアレイ20とメモリセルアレイ30とを貼り合わせたウェーハ5を示す模式平面図である(図1参照)。図16(b)は、図16(a)に示す16B−16B線に沿った模式断面図である。
図16(a)に示すように、ウェーハ5は、例えば、X方向に延びるエアーギャップAGを含む。エアーギャップAGは、ウェーハ5の外縁まで延在し、その両端において外部に連通するように設けられる。
図16(b)に示すように、エアーギャップAGは、メモリセルアレイ20とメモリセルアレイ30との境界に設けられる。すなわち、エアーギャップAGは、メモリセルアレイ20とメモリセルアレイ30とを貼り合わせた境界に形成され、両者の間に残留するエアーの排出経路となる。これにより、メモリセルアレイ20とメモリセルアレイ30との境界に、所謂ボイドが形成され、接合不良となることを防ぐことができる。
エアーギャップAGは、メモリセルアレイ20およびメモリセルアレイ30のいずれか一方、もしくは両方に溝EGを形成し、両者を貼り合わせることにより形成される。
エアーギャップAGは、例えば、ウェーハ5から切り出されるチップの間の所謂ダイシング領域KRに設けられる。ダイシング領域KRは、メモリセルMCおよび各配線を含むデバイス領域DRを囲むように設けられる。これにより、デバイス領域DRにおけるメモリセルアレイ間の接合面の密着性を向上させることができる。
図17は、第3実施形態の変形例に係る記憶装置1の製造過程を示す模式断面図である。図17(a)〜(c)は、図16(a)に示す16B−16B線に沿った断面に該当する部分を示す模式図である。
図17(a)に示すように、メモリセルアレイ20を駆動回路10と貼り合わせた後において、その上面に凹部131および201を形成する。凹部131および201は、例えば、メモリセルアレイ20から基板110を除去することにより形成される(図8(a)参照)。
図17(b)に示すように、凹部131および201に金属を埋め込み、接続パッド133および金属パターン205を形成する。接続パッド133および金属パターン205は、例えば、銅もしくは銅合金を用いて形成される。
この過程では、例えば、メモリセルアレイ20の上面に、凹部131および201の深さよりも厚い金属層を形成する。その後、例えば、CMPを用いて、凹部131および201を埋め込んだ部分を残して金属層を除去する。
この時、ダイシング領域KRの表面積に対する金属パターン205の面積の比率が大きければ、所謂ディッシングによりダイシング領域KRに溝EGが形成される。すなわち、ダイシング領域KRに溝EGが形成されるように、ダイシング領域KRの表面積に対する金属パターン205の面積の比率を、例えば、メモリセルアレイ20のデバイス領域DRの面積に対する接続パッド133の面積の比率よりも大きくする。
図17(c)に示すように、メモリセルアレイ20とメモリセルアレイ30とを貼り合わせる。デバイス領域DRでは、例えば、メモリセルアレイ20の接続パッド133と、メモリセルアレイ30の接続パッド123と、が接続される。一方、ダイシング領域KRでは、溝EGの位置にエアーギャップAGが形成される。これにより、メモリセルアレイ間にボイドが形成されることを回避でき、両者の密着性を向上させることができる。
さらに、ウェーハ上において、複数の溝EGをそれぞれ直線状に設け、一方向に延在させることにより、ウェーハの反りを軽減することができる。また、上記のように、CMPにおけるディッシングを利用することにより、例えば、フォトリソグラフィおよび選択エッチングなどを用いることなく溝EGを形成することができる。これにより、各メモリセルアレイの製造工程を簡略化できる。
図18は、第3実施形態の別の変形例に係る記憶装置1の製造過程を示す模式断面図である。図18(a)および(b)は、図16(a)に示す16B−16B線に沿った断面に該当する部分を示す模式図である。
図18(a)に示すように、エアーギャップAGにおいて、溝EGの内面全体に金属パターン215が露出されるように形成しても良い。すなわち、金属パターン215は、X方向の幅が溝EGのX方向の幅と略同一となるように形成しても良い。これにより、CMP時のディッシングが大きくなり、溝EGを深く形成することができる。結果として、エアーギャップAGのZ方向の幅を広くすることができる。金属パターン215は、例えば、銅もしくは銅合金を用いて形成される。
図18(b)に示す例では、メモリセルアレイ220とメモリセルアレイ230とを貼り合わせる。メモリセルアレイ220および230は、コンタクトプラグ223および233を含み、その端面が接続パッドとして機能する。すなわち、図18に示すように、メモリセルアレイ220とメモリセルアレイ230とを貼り合わせた時、メモリセルアレイ220のコンタクトプラグ233と、メモリセルアレイ230のコンタクトプラグ223とが直接接続されても良い。また、両者の境界に形成されるエアーギャップAGの内面には、金属パターン215が露出される。
上記の実施例において、記憶装置1がウェーハ5から切り出され、チップ化された場合、そのチップの外縁には、エアーギャップAGの一部が残る。すなわち、第3実施形態に係る記憶装置1では、エアーギャップAGの一部に露出した絶縁膜105に対する金属パターン205の面積比は、メモリセルアレイ間の境界における絶縁膜105に対する接続パッド133の面積比よりも大きい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…記憶装置、 5…ウェーハ、 10…駆動回路、 11、110…基板、 13…配線層、 15、27、37、47、65a、65b、65c、115…配線、 20、30、40、50、220、230…メモリセルアレイ、 21、21a、21b、21c、31、41…電極層、 23、33、43…半導体ピラー、 25、35、45、120…ソース線、 25a…金属層、 25b…半導体層、 26、51、53、55、60、60a、60b、60c、71、73、75、77、80、91、93、97、111、125、141、143、160、170、180、223、233…コンタクトプラグ、 29…メモリ膜、 61、61a、61b、61c、63、63a、63b、63c、81、83、123、127、133、135、140、150…接続パッド、 67、103、105、107、109、121、167…絶縁膜、 69、85、87…中間配線、 101、131…凸部、 181…エッチングマスク、 181a…開口、 185、187…コンタクトホール、 189…コンタクトスペース、 205、215…金属パターン、 AG…エアーギャップ、 CA…コンタクト領域、 CH、PH…コンタクトホール、 DR…デバイス領域、 HUP…引き出し部、 KR…ダイシング領域、 MC…メモリセル、 MH…メモリホール、 MP…領域、 RS…直径、 ST…スリット、 VG…溝、 WP…第1部分、 NP…第2部分
Claims (6)
- 第1方向に積層された複数の第1電極層と、
前記複数の第1電極層を前記第1方向に貫く第1半導体ピラーと、
を含む第1メモリセルアレイと、
前記第1メモリセルアレイ中を前記第1方向に延在し、前記第1半導体ピラーに電気的に接続された第1コンタクトプラグと、
前記第1方向に積層された複数の第2電極層と、
前記複数の第2電極層を前記第1方向に貫く第2半導体ピラーと、
を含み、前記第1メモリセルアレイに対して前記第1方向に配置された第2メモリセルアレイと、
前記第2メモリセルアレイ中を前記第1方向に延在し、前記第2半導体ピラーおよび前記第1コンタクトプラグに電気的に接続された第2コンタクトプラグと、
を備えた記憶装置。 - 前記第1メモリセルアレイ中を前記第1方向に延在する第3コンタクトプラグをさらに備え、
前記第1メモリセルアレイは、前記第1半導体ピラーの一方の端に電気的に接続された配線をさらに含み、
前記第3コンタクトプラグは、前記配線に電気的に接続される請求項1記載の記憶装置。 - 前記第1メモリセルアレイと前記第2メモリセルアレイとの間に設けられ、前記第1コンタクトプラグと前記第2コンタクトプラグとを電気的に接続する接続パッドをさらに備えた請求項1または2に記載の記憶装置。
- 前記第1コンタクトプラグは、前記複数の電極層を前記第1方向に貫くように設けられる請求項1〜3のいずれか1つに記載の記憶装置。
- 前記第1メモリセルアレイは、前記第1方向に積層された複数の別の第1電極層をさらに含み、
前記複数の別の電極層は、前記複数の第1電極層に対して前記第1方向と交差する2方向に配置され、前記第1コンタクトプラグは、前記複数の第1電極層と前記複数の別の第1電極層との間に設けられる請求項1〜3のいずれか1つに記載の記憶装置。 - 前記第1メモリセルアレイと前記第2メモリセルアレイとの間に、前記接続パッドを含む接合面を有し、
前記第1メモリセルアレイは、前記接合面を囲む外縁に配置された金属パターンをさらに含み、
前記第1メモリセルアレイの前記外縁の表面積に対する前記金属パターンの面積の比率は、前記接合面の面積に対する前記接続パッドの面積の比率よりも大きい請求項3記載の記憶装置。
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