JP2015176910A - 半導体メモリ - Google Patents
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Abstract
【課題】 高い信頼性の半導体メモリを提供する。
【解決手段】
本実施形態の半導体メモリは、半導体基板上方に積層された複数のメモリセルMCを含む第1メモリセル領域MRと、第1メモリセル領域MRに隣接する多層の第1ダミー領域DRと、第1ダミー領域DRとで第1メモリセル領域MRを挟み、第1メモリセル領域MRに隣接する多層の第2ダミー領域DRと、同層の前記第1ダミー領域DRと前記第2ダミー領域DRを共通に接続する第1配線と、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】
本実施形態の半導体メモリは、半導体基板上方に積層された複数のメモリセルMCを含む第1メモリセル領域MRと、第1メモリセル領域MRに隣接する多層の第1ダミー領域DRと、第1ダミー領域DRとで第1メモリセル領域MRを挟み、第1メモリセル領域MRに隣接する多層の第2ダミー領域DRと、同層の前記第1ダミー領域DRと前記第2ダミー領域DRを共通に接続する第1配線と、を含む。
【選択図】図1
Description
本実施形態は、半導体メモリに関する。
近年、フラッシュメモリのビット密度向上に向けたアプローチとして、メモリセルが積層された構造を有する積層型フラッシュメモリが、提案されている。
この積層型フラッシュメモリは、低コストで大容量な半導体メモリを実現できる。
半導体メモリの信頼性を向上する技術を提案する。
本実施形態の半導体メモリは、半導体基板上方に積層された複数のメモリセルを含む第1メモリセル領域と、前記第1メモリセル領域に隣接する多層の第1ダミー領域と、前記第1ダミー領域とで前記第1メモリセル領域を挟み、前記第1メモリセル領域に隣接する多層の第2ダミー領域と、同層の前記第1ダミー領域と前記第2ダミー領域を共通に接続する第1配線と、を含む。
以下、図面を参照しながら、本実施形態について詳細に説明する。以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複する説明は必要に応じて行う。
(1) 基本形態
図1を参照して、本実施形態の半導体メモリの基本構成について、説明する。
図1を参照して、本実施形態の半導体メモリの基本構成について、説明する。
図1に示されるように、本実施形態の半導体メモリは、複数のメモリセルMCを含むメモリセルアレイ10を含む。複数のメモリセルMCは、メモリセルアレイ10内において、基板90の表面に対して平行な方向(第1及び第2方向)に配列されるとともに、基板90の表面に対して垂直な方向(第3方向)に積層されている。
メモリセルアレイ10は、複数のメモリセル領域MRを含む。各メモリセル領域MRは、複数のメモリセルMCを含む。各メモリセルMCには、ワード線(図示せず)及びビット線(図示せず)が、電気的に接続されている。
メモリセルアレイ10は、複数のダミー領域DRを含む。例えば、各ダミー領域DRは、メモリセル領域に隣接するように設けられている。
ダミー領域DRは、複数のダミーセルDCを含む。ダミーセルDCは、メモリセルMCと実質的に同じ構造を有する。
本実施形態の半導体メモリは、複数のダミー領域DRが、共通の配線DWLに接続されている。例えば、ある配線DWLは、複数のダミー領域DRにおいて同層に位置する複数のダミーセルDCを、電気的に接続する。
本実施形態の半導体メモリは、複数のダミー領域DRの複数のダミーセルDCに、一括に電圧を印加でき、同時に駆動できる。例えば、メモリの不良検出のためのテストを、複数のダミー領域DRに対して同時に実行できる。
この結果として、本実施形態の半導体メモリは、メモリのテストのための時間及びコストの増大を抑制できる。
不良の検出の容易化によって、本実施形態の半導体メモリは、信頼性の高いメモリを提供できる。
(2) 実施形態
(a) 構成例
図2乃至図6を参照して、第1の実施形態の半導体メモリについて、説明する。
(a) 構成例
図2乃至図6を参照して、第1の実施形態の半導体メモリについて、説明する。
図2は、実施形態の半導体メモリを含むストレージデバイスの構成例を示す図である。
図2に示されるように、ストレージデバイス500は、メモリコントローラ5と、本実施形態の半導体メモリ1とを含む。
ある規格に基づいたコネクタ、無線通信、インターネットなどは、ストレージデバイス500を、ホストデバイス600に電気的に接続する。ストレージデバイス500とホストデバイス600は、デバイス500,600間に設定されたインターフェイス規格に基づいて、データの送受信を実行する。
ストレージデバイス500は、少なくとも1つの半導体メモリ1を含む。
メモリコントローラ5は、半導体メモリ1を制御する。メモリコントローラ5は、例えば、ホストデバイス600からのコマンドに基づいて、半導体メモリ1の書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作を実行する。メモリコントローラ5は、書き込み動作時、ストレージデバイス500の外部(例えば、ホストデバイス)からのデータを、半導体メモリ1に転送する。メモリコントローラ5は、読み出し動作時、半導体メモリ1からのデータを、ストレージデバイス500の外部へ転送する。
ストレージデバイス500とホストデバイス600は、メモリシステムを構成する。
ストレージデバイス500、或いは、ストレージデバイス500を含むメモリシステムは、SDTMカードのようなメモリカード、USBメモリ、あるいは、Solid State Drive(SSD)などである。
ストレージデバイス500、或いは、ストレージデバイス500を含むメモリシステムは、SDTMカードのようなメモリカード、USBメモリ、あるいは、Solid State Drive(SSD)などである。
本実施形態の半導体メモリ1は、例えば、フラッシュメモリである。
フラッシュメモリ1は、複数のメモリセルを含むメモリセルアレイ10と、メモリセルアレイ10に対する動作を実行するための周辺回路19とを含む。
周辺回路19は、ワード線を制御するロウ制御回路、データの読み出しのためのセンスアンプ回路、チップ内の動作に用いられる電位(電圧)を生成する電位生成回路、チップ内の各構成要素の電位を制御する電位制御回路199などを含む。
図3は、メモリセルアレイ10の内部構成例の一例を示している。
メモリセルアレイ10は、複数のメモリセル領域MRを含む。フラッシュメモリ1が、NANDフラッシュメモリである場合、例えば、メモリセル領域MRとして、ブロックが対応する。ブロックは、消去動作の制御単位である。
メモリセルアレイ10の構成及びその製造方法については、例えば、“三次元積層不揮発性半導体メモリ”という2009年3月19日に出願された米国特許出願12/407,403号に記載されている。また、メモリセルアレイ10の構成及びその製造方法については、“三次元積層不揮発性半導体メモリ”という2009年3月18日に出願された米国特許出願12/406,524号、“不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法”という2010年3月25日に出願された米国特許出願12/679,991号“半導体メモリ及びその製造方法”という2009年3月23日に出願された米国特許出願12/532,030号に記載されている。これらの特許出願は、その全体が本願明細書において参照により援用される。
例えば、本実施形態において、櫛歯形状の導電層22が、メモリセル領域MR内に積層され、メモリセル領域MRは、各導電層22を、ワード線として、含む。
メモリセルアレイ10内の互いに独立したエリアは、ダミー領域DMをそれぞれ含む。
各ダミー領域DRは、ビット線の延在方向(カラム方向)においてメモリセル領域(ブロック)MRに隣接する。例えば、カラム方向において、ダミー領域DMとメモリセル領域MRとが、交互に並ぶ。
その結果として、隣り合うメモリセル領域MR間にスペースが確保される。これによって、メモリの動作中における互いに隣り合うメモリセル領域(ブロック)MRのワード線間の電圧差が、緩和され、メモリセル領域MRの境界における耐圧のマージンが確保される。
尚、ダミー領域DRは、ブロックの構成部材として扱われてもよいし、ブロックから独立した構成部材として扱われてもよい。ダミー領域DRがブロックの構成部材として扱われる場合、1つのブロックは、1つのメモリセル領域MRと少なくとも1つのダミー領域DRとを含む。
本実施形態の半導体メモリとしての3次元構造のNANDフラッシュメモリにおいて、共通の配線DWLは、複数のダミー領域DRを電気的に接続する。
複数のダミー領域DRに共通に接続された配線DWLは、電位制御回路199に接続されている。
図4乃至図6を用いて、本実施形態のフラッシュメモリ内に含まれるメモリセル領域及びダミー領域の構造例について、説明する。
尚、図4乃至図6において、本実施形態のフラッシュメモリにおけるメモリセルアレイ10内のある1つのメモリセル領域及びその周囲のダミー領域を抽出して、図示している。図5及び図6において、図示の明確化のため、基板上の層間絶縁膜の図示は、省略している。
図4乃至図6に示されるように、メモリセルアレイ10内の各メモリセル領域(ブロック)MRにおいて、複数のメモリセルMCは、基板90上に、ロウ方向カラム方向に沿って並ぶとともに、基板90の表面に対して垂直方向に積層されている。
各メモリセルMCは、基板90の表面に対して垂直方向に延在する半導体ピラー20と、制御ゲート電極22と、半導体ピラー20と制御ゲート電極22との間の積層絶縁膜21とを含む。積層絶縁膜21は、図5に示されるように、半導体ピラー20の側面を覆うゲート絶縁膜(トンネル絶縁膜)211と、ゲート絶縁膜211上の電荷蓄積層(チャージトラップ層)212と、電荷蓄積層212上の絶縁膜(ゲート間絶縁膜、ブロック絶縁膜ともよばれる)213とを含む。
複数の導電層22と複数の絶縁層(図示せず)とが基板90上に積層されている。複数の導電層22のそれぞれから、各メモリセルMCの制御ゲート22が形成されている。半導体ピラー20から、トランジスタのチャネル領域が形成される。
例えば、半導体層(以下では、パイプ部とよぶ)28は、2つの半導体ピラー20の下端を電気的に接続する。フラッシュメモリのメモリセルユニット(NANDストリング)MUは、パイプ部28によって接続された複数の半導体ピラー20から形成される複数のメモリセルMCを、含む。
メモリセルユニットMUを形成する2つの半導体ピラー20の上端側に、セレクトトランジスタSGD,SGSは、それぞれ存在する。各セレクトトランジスタSGD,SGSは、セレクトゲート線SGDL,SGSLとしての導電層22Sに接続されるように、積層されたメモリセルMCの上部上に、設けられている。ドレイン側セレクトゲート線SGDL及びソース側セレクトゲート線SGSLは、ワード線WLとしての導電層220よりも上層において、ロウ方向にそれぞれ延在している。
ビット線コンタクトBCは、ビット線BLを、ドレイン側セレクトトランジスタSGD側の半導体ピラー20に電気的に接続する。ソース線コンタクト(図示せず)は、ソース線SLを、ソース側セレクトトランジスタSGS側の半導体ピラー20に電気的に接続する。ソース線SLは、互いに異なるメモリセルユニットMUの半導体ピラー20に共通に接続されている。
パイプ部28は、絶縁膜29を介して、導電層(以下では、バックゲート層とよぶ)BG内に存在する。バックゲートトランジスタは、2つの半導体ピラー20の下端を電気的に接続するように、存在する。
積層された導電層(制御ゲート電極)22のそれぞれは、ロウ方向に配列される複数のメモリセルMCを電気的に接続するように、基板90の平行方向(例えば、ロウ方向)に沿って延在する。制御ゲート電極22は、フラッシュメモリのワード線WLとして機能する。
本実施形態において、図4に示されるように、導電層22の平面形状は、基板表面に対して平行方向に突出した複数の突出部221が矩形状のプレート部220に接続された形状を有している。
突出部221内を、メモリホール(貫通孔)が貫通している。メモリホール内に、半導体ピラー20が設けられる。プレート部220が、ワード線(制御ゲート電極)WLの引き出し部として、コンタクトプラグCPに電気的に接続される。
本実施形態のフラッシュメモリ1において、櫛歯形状の導電層22のそれぞれは、複数のメモリセル領域MRをまたがること無しに、メモリセル領域MR毎に独立したパターンを有している。
例えば、メモリセル領域MR内において、同層内の2つの櫛歯形状の導電層22のうち、一方の導電層22の突出部が他方の導電層22の突出部間に配置するように、2つの櫛歯形状の導電層22が、同層で互いに対向している。
例えば、各メモリセル領域MRにおいて、カラム方向の終端部(ダミー領域DRに隣接する側)における突出部221Aの線幅W1は、カラム方向の終端部以外の突出部221Bの線幅W2より小さい。例えば、突出部221Aの線幅W1は、突出部221Bの線幅W2の半分程度である。尚、ダミー領域DR及びダミー配線DWLの線幅は、メモリセル領域MRのカラム方向の終端の突出部221Aの線幅W1より大きく、カラム方向の終端部以外の突出部221Bの線幅W2以下である。但し、ダミー領域DR及びダミー配線DWLの線幅は、突出部221Bの線幅W2より大きくともよい。
例えば、突出部221Bのそれぞれに、カラム方向に隣り合う2つのメモリホールが貫通し、2つの半導体ピラー20が設けられている。共通の突出部221Bに接続されたカラム方向に隣り合う2つの半導体ピラー20は、互いに異なるパイプ部28に接続されている。共通の突出部221B内のカラム方向に隣り合う2つの半導体ピラー20は、互いに異なるメモリセルユニットMUを形成している。
各メモリセル領域MRの同層で対向する2つの櫛歯形状の導電層22のうち、一方の導電層22におけるカラム方向の一端側及び他端側の突出部は、メモリセル領域MRの終端に位置している。この一方の導電層22におけるカラム方向の一端側及び他端側の突出部221Aが互いに電気的に接続されるように、一方の導電層22は閉ループ状のパターンを、含む。
複数の櫛歯形状の導電層22からなる積層構造は、基板表面に対して平行方向において突出部に対向する側、すなわち、導電層22のプレート部において、下層の導電層が上層の導電層に覆われないスペースが形成されるように、階段状に加工されている。これによって、積層された導電層(ワード線)22において、コンタクトプラグCPが配置されるスペースが確保される。
各ダミーセルDCは、ダミーセルDCのゲート電極(制御ゲート電極)としての導電層22Dと、導電層22と交差する半導体ピラー20と、半導体ピラー20と導電層22とDの間の積層絶縁膜21とを含む。以下では、ダミー領域DRのことを、ダミーセル領域DRともよぶ。
ダミーセル領域DRにおいて、ダミーセレクトトランジスタDSGが、積層構造の導電層の最上層の導電層(以下では、ダミーセレクトゲート線とよぶ)22SDの位置において、積層されたダミーセルDCの上部上に、設けられている。ダミーセレクトトランジスタDSGは、セレクトトランジスタSGD,SGSと同層内にある。
図4乃至図6に示されるように、各ダミーセル領域DR内において、複数の半導体ピラー20が、カラム方向及びロウ方向に並ぶ。図4乃至図6に示される例では、ダミーセル領域DR内の半導体ピラー20は、パイプ部によって接続されること無しに、基板90上に存在する。但し、ダミーセル領域DR内の複数の半導体ピラー20は、パイプ部によって接続されてもよい。
ダミーセル領域DR内の導電層22Dは、メモリセル領域MR内の導電層(ワード線,制御ゲート電極)22と同じ材料を含む。
導電層22Dは、ダミーセル領域DRごと(ブロックごと)に分離されること無しに、複数のダミーセル領域DRのダミーセルDCを共通に接続する。以下では、複数のダミー領域(ダミーセル)DRに共通に接続される導電層22Dのことを、ダミー配線(又は、共通配線)DWLとよぶ。
例えば、導電層(ダミー配線)22Dの平面形状は、格子形状を有している。複数の格子形状の導電層22Dが、基板90上に積層されている。
導電層22Dは、櫛歯形状の導電層22から分離されている。
1つのメモリセル領域MRは、2つのダミーセル領域DR間にあり、格子形状の導電層(ダミー配線)22Dは、各メモリセル領域MR内の導電層(ワード線)22の周囲を囲む。
導電層22,22Dより上層に設けられた引き出し配線LL,LLSは、メモリセル領域MR内のワード線WL及びセレクトゲート線SGDL,SGSLのそれぞれを、ダミー配線DWLの外側の領域内に設けられた複数の制御線(図示せず)のそれぞれに接続する。
図4に示されるように、積層された導電層22のそれぞれに電気的に接続されるコンタクトプラグCPの配置は、基板表面に対して平行方向(カラム方向)にずれている。それゆえ、複数の引き出し配線LL,LLSを、同層内に配置させることができる。
尚、積層された導電層からなる配線に関して、下層(基板側)の配線の線幅(例えば、突出部の線幅)は、積層された導電層の積層数(積層構造の高さ)に応じて、上層(ビット線側)の配線の線幅以上になる傾向がある。この結果として、下層において隣り合う配線間の間隔は、上層において隣り合う配線間の間隔よりも小さくなる可能性がある。
例えば、メモリセルアレイ10の終端において、コンタクトプラグCPD及び引き出し線LLDは、ダミー配線DWLを、電位制御回路199に電気的に接続する。ダミー線DWLの引き出し部220Dにおいて、ダミー線DWLの積層構造は、ワード線(櫛歯形状の導電層)WLと同様に、階段状に構造を有する。ダミー配線DWLの引き出し部22Dによって、本実施形態のフラッシュメモリは、ダミー配線DWL及びダミーセル領域DRに、電圧を印加できる。
本実施形態のようなメモリセルアレイ10内にダミー領域DRを含んでいるメモリのテスト工程において、メモリセル領域MRとダミー領域DRとの間のショートがチェックされる場合、本実施形態のフラッシュメモリは、ダミー配線DWLに特定の電圧を印加し、ワード線WLとダミー配線DWLとの間を流れるリーク電流を測定する。本実施形態のフラッシュメモリは、検出されたリーク電流の大きさに基づいて、メモリセル領域MRとダミー領域DRとのショートの有無を、チェックできる。
例えば、本実施形態において、データの書き込み(プログラム)時及びデータの読み出し時等のメモリの動作中において、ダミー配線DWLに電圧が印加されずに、ダミー配線DWLは、フローティング状態にされる。
3次元構造の半導体メモリにおいて、基板上に積層されたワード線等が加工される場合、基板表面に対して垂直方向の加工が、実行される。
例えば、3次元構造のNAND型フラッシュメモリである場合、ワード線を形成するための導電層の加工において、深いスリット(溝)が、複数の導電層を含む積層構造内に、形成される。スリットの掘り残しがあった場合、導電層の分断されるべき部分がつながった状態を維持する可能性がある。このような導電層のエッチング不良を考慮して、配線間のショートの有無を検出するためのテストが、実行される。
例えば、3次元構造のNAND型フラッシュメモリである場合、ワード線を形成するための導電層の加工において、深いスリット(溝)が、複数の導電層を含む積層構造内に、形成される。スリットの掘り残しがあった場合、導電層の分断されるべき部分がつながった状態を維持する可能性がある。このような導電層のエッチング不良を考慮して、配線間のショートの有無を検出するためのテストが、実行される。
メモリセル領域(ブロック)間にダミー領域が存在し、メモリセル領域の境界において孤立したダミー領域が、フローティング状態のダミー配線を含む場合、ワード線とダミー配線との間にショートが発生していたとしても、ダミー領域とメモリセル領域との間のショートを検出できない場合がある。
本実施形態の半導体メモリ(例えば、積層型NANDフラッシュメモリ)1は、メモリセルアレイ10内の複数のダミー領域DRが、共通の配線DWLに接続され、その共通の配線DWLを介して複数のダミー領域DRに電圧を印加できる。
これによって、本実施形態の半導体メモリは、ワード線WLとダミー配線DWLとの間のリーク電流を測定でき、メモリセル領域MRとダミー領域DRとの間のショートを検出できる。
これによって、本実施形態の半導体メモリは、ワード線WLとダミー配線DWLとの間のリーク電流を測定でき、メモリセル領域MRとダミー領域DRとの間のショートを検出できる。
また、メモリの記憶容量(メモリセル領域)の増大に伴って、多数のダミー領域がメモリセルアレイに設けられるため、孤立したダミー領域ごとに、各ダミー領域とメモリ領域との間のショートのチェックを行うことは、煩雑になる。
本実施形態の半導体メモリ1のように、共通の配線DWLが複数のダミー領域DRを接続することによって、メモリセルアレイ10内の全てのダミー領域DRに対して、メモリ領域MRとダミー領域DRとの間のショートのチェックを、一括に実行できる。
この結果として、本実施形態によれば、メモリセルアレイ10内に設けられた多数のダミー領域DRに対するテストが煩雑になること無しに、短いテスト時間及び低コストで、高い信頼性の半導体メモリを、提供できる。
この結果として、本実施形態によれば、メモリセルアレイ10内に設けられた多数のダミー領域DRに対するテストが煩雑になること無しに、短いテスト時間及び低コストで、高い信頼性の半導体メモリを、提供できる。
本実施形態によれば、大きいアスペクトを有するダミー領域(ダミーセルの積層構造)が、単独のパターンとしてメモリセルアレイ内に存在することがなくなる。その結果として、大きいアスペクトのダミー領域(ダミーセルの積層構造)の倒壊を、防ぐことができる。
また、後述の本実施形態の半導体メモリの製造方法によれば、共通の配線に接続された複数のダミー領域DRによって、基板90上に積層された複数の導電層22が、形成すべきパターンに加工されるときに、大きいアスペクト比を有する積層構造の発生を低減でき、積層構造の倒壊を防止できる。さらに、後述の半導体メモリの製造方法によれば、導電層の加工不良を低減できる。
以上のように、本実施形態によれば、不良の発生を低減でき、不良が発生したとしても、発生した不良を検出できる。
したがって、本実施形態の半導体メモリによれば、高い信頼性の3次元構造の半導体メモリを提供できる。
(b) テスト方法
図7を参照して、本実施形態の半導体メモリ(3次元構造のNANDフラッシュメモリ)のテスト方法について、説明する。ここでは、図2乃至図6も適宜用いる。
図7を参照して、本実施形態の半導体メモリ(3次元構造のNANDフラッシュメモリ)のテスト方法について、説明する。ここでは、図2乃至図6も適宜用いる。
本実施形態の半導体メモリに接続されたテスト装置は、ウェハレベル又はパッケージング後に実行されるテスト工程において、本実施形態の半導体メモリ1内におけるメモリセル領域とダミー領域との間のショートを検出するためのテストを、実行する(ステップS1)。
テスト装置の制御によって、メモリセル領域(ブロック)MRとダミー領域DRとの間のショートを検出するために、電位制御回路199は、ダミー領域DRに接続されたダミー配線DWLに、テストのための電圧(以下では、テスト電圧とよぶ)を、印加する。
図2乃至図6を用いて説明したように、本実施形態のフラッシュメモリにおいて、共通のダミー配線DWLは、メモリセル領域MR間の複数のダミー領域DRを接続する。
それゆえ、本実施形態の半導体メモリ1において、ダミー領域DR毎にテスト電圧を印加すること無しに、電位制御回路199は、テスト電圧を、複数のダミー領域DRに、共通のダミー配線DWLを介して一括に印加する。電位制御回路199は、テスト電圧を、積層されたダミー配線DWLのそれぞれに、順次印加する。例えば、電位制御回路199は、ワード線WLを、ダミー配線DWLに対して低電位側に設定する。但し、本実施形態において、テスト電圧の印加時に、ワード線WLを高電位側に設定し、ダミー配線DWLを低電位側に設定してもよい。
テスト装置は、複数のダミー領域DRに対するテスト電圧の印加によって、ワード線とダミー配線DWLとの間のリーク電流を測定する。
リーク電流の測定結果に基づいて、メモリセル領域MRとダミー領域DRとのショート(同層のワード線WL及びダミー配線DWLのショート)の有無がチェックされる(ステップS2)。
メモリセル領域(ワード線)とダミー領域(ダミー配線)との間のショートが検出されない場合(例えば、測定されたリーク電流が許容値以下である場合)、複数のダミー領域DRに対する一括のテスト電圧の印加で、半導体メモリ1におけるメモリセル領域MRとダミー領域DRとの間のショートのチェックは、終了する。
複数のダミー領域DRに対するテスト電圧の印加によって、ワード線WLとダミー配線DWLとの間に、許容値より大きいリーク電流が発生した場合、メモリセル領域WRとダミー領域DRとのショートがメモリセルアレイ10内に存在すると、判定される。
テスト装置がメモリセル領域MRとダミー領域DRとの間のショートを検出した場合、テスト装置は、メモリセル領域(ブロック)MRごとに、互いに隣り合うメモリセル領域MRとダミー領域DRとのショートのチェックを、実行する(ステップS3)。
メモリセル領域MRごとのワード線WL−ダミー配線DWLのショートのチェックは、メモリセル領域MR内のワード線WLごとに、実行される。本実施形態の半導体メモリにおいて、テスト装置の制御によって、電位制御回路199は、櫛歯形状の導電層22ごとに、テスト電圧(高電位)を印加し、ダミー配線DWLを、ワード線WLの電位に対して低電位に設定する。
メモリセル領域MRごとのショートの検出テストS3において、メモリセル領域MRとダミー領域DRとのショートが検出された場合、不良ブロック処理により、ショートを含むメモリセル領域に対応するブロックに、不良情報が付与される(ステップS4)。これによって、ショートが検出されたメモリセル領域MRに対応するブロックが、メモリの管理の対象から除外される。
メモリセル領域MRごとのショートの検出テストの後、本実施形態の半導体メモリ1におけるメモリセル領域MRとダミー領域DRとのショートの検出テストは、終了する。
以上のように、本実施形態の半導体メモリ1は、互いに隣り合うメモリセル領域(ブロック)及びダミー領域毎に配線間のショートの検出のためのテストを実行する前に、ある1つのチップ内に含まれる複数のメモリセル領域(ブロック)及び複数のダミー領域に対して、メモリセル領域(ワード線)とダミー領域(ダミー配線)との間のショートの検出を、一括して実行する。
これによって、本実施形態によれば、複数のメモリセル領域及び複数のダミー領域に対する一括のテスト工程で、配線間のショートが検出されなければ、メモリセル領域ごとのメモリセル領域−ダミーセル領域間のショートのテスト工程は、不要となる。
それゆえ、本実施形態によれば、フラッシュメモリのテストのための時間を、短縮できる。
(c)製造方法
図8乃至図13を参照して、本実施形態の半導体メモリの製造方法について説明する。
図8乃至図13を参照して、本実施形態の半導体メモリの製造方法について説明する。
(c−1) 基本例
図8を参照して、本実施形態の半導体メモリの製造方法の基本例について、説明する。
図8を参照して、本実施形態の半導体メモリの製造方法の基本例について、説明する。
図8に示されるように、マスク層98が、本実施形態の半導体メモリの製造方法において、基板上に積層された導電層上に、形成される。
メモリセル領域(例えば、ブロック)MRごとに導電層を分離するための閉ループ状のスリットパターンSTaが、マスク層98内に形成される。このスリットパターンSTaは、矩形状のリングパターンであり、各メモリセル領域MRを囲む。この閉ループ状のスリットパターンSTaに基づいて、各メモリセル領域MRの導電層が、区画される。
メモリセル領域MR内に、形成すべき配線パターンに導電層をパターニングするための閉ループ状のスリットパターンSTbが、マスク層98内に形成される。
本実施形態において、ワード線の配線パターンに櫛歯形状のパターンが適用される場合、配線パターンを形成するためのスリットパターンSTbは、例えば、導電層内に形成されるべきパターンが櫛歯形状のパターンになるように、その櫛歯形状のパターンの外周に沿って形成されている。櫛歯形状のパターンを形成するためのスリットパターンSTbは、蛇行パターンを含む閉ループ状のパターン(以下では、櫛歯形状のスリットパターンとよぶ)である。
本実施形態において、ワード線の配線パターンに櫛歯形状のパターンが適用される場合、配線パターンを形成するためのスリットパターンSTbは、例えば、導電層内に形成されるべきパターンが櫛歯形状のパターンになるように、その櫛歯形状のパターンの外周に沿って形成されている。櫛歯形状のパターンを形成するためのスリットパターンSTbは、蛇行パターンを含む閉ループ状のパターン(以下では、櫛歯形状のスリットパターンとよぶ)である。
櫛歯形状のスリットパターンSTbは、基板表面に対して平行方向において、矩形状のスリットパターンSTaの内側の領域内に設けられている。
メモリセルアレイ10内に多重に形成される閉ループ状のスリットパターンSTa,STbにおいて、スリットパターンSTbの内側のパターンB1は、メモリセル領域MR内の配線パターンB1となる。また、2つのスリットパターンSTa,STbと間のパターンB2は、メモリセル領域内の配線パターンB2となる。2つのスリットパターンSTa,STbによって、1つのメモリセル領域MR内に、2つの導電層パターンB1,B2が、形成される。
本実施形態において、各スリットパターンSTa,STbは、互いに独立な閉ループ状のパターンであり、スリットパターンSTbは、スリットパターンSTaと、交差しない。
パターンの微細化に伴って、スリットパターンが交差した箇所及びその近傍において、被加工層のエッチング不良が発生する可能性が高くなっている。
本実施形態の半導体メモリの製造方法によれば、互いに独立な閉ループ状のスリットパターンSTa,STbがマスク層内に形成されるため、スリットパターンの交差箇所が形成されることがない結果として、被加工層のエッチング不良を、低減できる。
また、本実施形態の半導体メモリの製造方法において、これらのスリットパターンSTa,STbが互いに独立なパターンであるため、互いに異なるパターニングのためのスリットパターンSTa,STbを、導電層の加工時において互いに異なるタイミングで、形成できる。
そのため、本実施形態によれば、大きいアスペクト比のパターンが、製造工程中に発生しないように、複数の導電層を含む積層構造に対するスリット(溝)の形成順序を、制御できる。
(c−2) 具体例
図9乃至図13を参照して、本実施形態の半導体メモリの製造方法の一例について、説明する。
図9乃至図13を参照して、本実施形態の半導体メモリの製造方法の一例について、説明する。
図9及び図10に示されるように、メモリセルアレイ10内のメモリセルユニットの形成位置において、パイプ部(半導体層)28及びパイプ部29を覆う絶縁膜29が、基板90上に堆積された導電層(バックゲート層)BG内に、形成される。この後、バックゲート層BG上に、絶縁膜92が堆積される。
絶縁膜92上に、複数の導電層22z及び複数の絶縁膜92が、交互に積層される。
絶縁膜92上に、複数の導電層22z及び複数の絶縁膜92が、交互に積層される。
そして、マスク層(例えば、ハードマスク層)98が、複数の導電層22z及び絶縁膜92からなる積層構造上に、形成される。
マスク層98内に、閉ループ状のスリットパターンSTaが、フォトリソグラフィや側壁転写技術によって、形成される。
ここで、スリットパターンSTaは、メモリセル領域(ブロック)を区画するためのパターンである。それゆえ、マスク層98内に、メモリセルアレイ10内に設けられるブロックの個数に応じた個数のスリットパターン(矩形状のリングパターン)STaが、カラム方向に並ぶように、形成される。
例えば、メモリセルアレイと他の領域(例えば、周辺回路が形成される領域)とを分離するためのスリットパターンSTzが、形成される。スリットパターンSTzは、スリットパターンSTaと交差しない。スリットパターンSTzは、メモリセルアレイを囲む閉ループ状のパターンを有していてもよい。スリットパターンSTzとスリットパターンSTaとの間のパターンが、複数のダミー領域DRを接続するためのダミー配線パターンとなる。
図11に示されるように、スリットパターンSTaに基づいて、導電層22及び絶縁膜が順次加工され、メモリセル領域(ブロック)MRごとに独立するように、導電層22Xと絶縁膜92との積層構造SSxが、基板90上に形成される。
互いに独立なスリットパターンSTaとスリットパターンSTzとによって、メモリセル領域MRが基板90上に区画され、且つ、複数のダミーセル領域DRを接続する配線パターンに対応する積層構造SSzが、メモリセル領域MRの外側の領域内に形成される。
積層構造SSzは、ダミー配線DWLとしての複数の導電層22Dと絶縁膜92とを含む。2つのスリットパターンSTa,STzによって、積層構造SSzは、格子形状の平面形状を有するように形成される。
スリットパターンSTa,STzに基づいた加工によって、互いに分離された積層構造SSx,SSz間に、溝990が、形成される。
形成された溝990内部が、洗浄溶液(又は洗浄ガス)を用いて洗浄された後、溝990内に、絶縁体95が埋め込まれる。
図12及び図13に示されるように、メモリセル領域MR内のそれぞれに、導電層を形成すべき配線パターンに加工するためのパターニングが、マスク層98zに対して施され、閉ループ状のスリットパターンSTbが、マスク層98z内に、形成される。例えば、閉ループ状のスリットパターンSTbは、櫛歯形状のスリットパターンである。
櫛歯形状のスリットパターンSTbは、メモリセル領域MR毎に導電層(積層構造)を分離するためのスリットパターンによって形成された溝990と交差しない。
尚、マスク層98zは、前の工程でスリットパターンが形成されたマスク層(ハードマスク層)と同じマスク層でもよいし、櫛歯形状のスリットパターンSTbを形成するために、積層構造上に新たに形成されたマスク層でもよい。
スリットパターンSTbに基づいて、メモリセル領域MR内における基板90上の積層構造が加工され、溝995が形成される。
上述の本実施形態の半導体メモリのメモリセルユニットの構成によれば、メモリセル領域MR内のカラム方向の終端の積層構造SSaのパターン(突出部)221Aの線幅W1は、メモリセル領域MR内のカラム方向の終端以外(メモリセル領域MRの中央側)の積層構造SSbのパターン(突出部)221Bの線幅W2の半分程度に設定されている。
ここで、小さい線幅W1を有する積層構造SSaの一端は、前のエッチング工程で形成された溝990内の絶縁体95を介して、ダミー領域DR内の積層構造SSzに接合している。その結果として、積層構造SSaは、ダミー領域DR内の積層構造SSzに支えられる。例えば、ダミー領域DR内の積層構造SSzは、積層構造SSaの線幅W1より大きい。また、積層構造SSb間に形成された溝の深さ(積層構造の高さ)H1は、導電層の積層数に依存した大きさH1を有する。メモリの記憶密度の向上に伴って、積層構造の高さH1は、大きくなる傾向がある。
本実施形態のように、互いに独立した閉ループ状のスリットパターンに基づいて積層構造が加工されるため、小さい線幅W1(<W2)を有する積層構造(大きいアスペクト比の積層構造)が形成される領域に対する加工工程を、複数回に分けて実行できる。
この結果として、大きいアスペクト比W1/H1の積層構造SSaが独立したパターンとして、基板90上に発生するのを低減でき、積層構造間の溝の洗浄時のような製造工程中における積層構造SSaの倒壊に起因した不良の発生を、抑制できる。
このように、閉ループ状のスリットパターンSTbを有するマスク層に基づいた積層構造のエッチングによって、メモリセル領域MR内に積層された導電層22が形成すべき形状に加工され、櫛歯形状のパターンを有する配線層が、各配線レベル内に形成される。
積層構造間の溝(スリット)内に対する洗浄工程が実行された後、溝内に絶縁体が、埋め込まれる。この後、以下のように、周知の技術で、メモリセル及び各配線が形成される。
図4乃至図6に示されるように、形成された櫛歯形状の導電層(ワード線)22の突出部内に、メモリホールが形成される。
メモリホール内において、ブロック絶縁膜、電荷蓄積層、及びトンネル絶縁膜が、導電層22を含む積層構造の側面上に、順次形成される。半導体ピラーがメモリホール内に、形成される。これによって、導電層と半導体ピラーとの交差位置に、メモリセル及びセレクトトランジスタが、形成される。
メモリセル領域MR内におけるメモリセルMCの形成と同時に、ダミーセル領域DR内に、メモリセルMCと実質的に同じ構造のダミーセルDCが形成される。
メモリホール内において、ブロック絶縁膜、電荷蓄積層、及びトンネル絶縁膜が、導電層22を含む積層構造の側面上に、順次形成される。半導体ピラーがメモリホール内に、形成される。これによって、導電層と半導体ピラーとの交差位置に、メモリセル及びセレクトトランジスタが、形成される。
メモリセル領域MR内におけるメモリセルMCの形成と同時に、ダミーセル領域DR内に、メモリセルMCと実質的に同じ構造のダミーセルDCが形成される。
メモリセルMCが形成された後、セレクトゲート線、ソース線SL、ビット線BL及び引き出し配線LL,LLS,LLDが、周知の技術によって、形成される。
尚、本実施形態では、メモリセル領域(ブロック)ごとに被加工層(複数の導電層を含む積層構造)を分割するためのスリットパターンSTaに基づくエッチングが実行された後に、被加工層を加工するためのスリットパターンSTbに基づくエッチングが、実行されている。但し、この加工順序とは反対に、スリットパターンSTbによって、配線パターンが被加工層内に形成された後、スリットパターンSTaによって、被加工層がメモリセル領域毎に分割されてもよい。
本実施形態では、導電層が形成すべき配線パターン(ここでは、櫛歯形状)に加工された後、加工された導電層内に、半導体ピラーが埋め込まれるメモリホールが形成される例が、示されている。しかし、導電層が形成すべきパターンに加工される前にメモリホールが導電層内に形成される場合であっても、互いに独立な閉ループ状のスリットパターンを用いた導電層の加工を、半導体メモリの製造方法に適用できる。
メモリセルアレイと他の領域とを分離するためのスリットパターンSTzは、メモリセル領域(ブロック)ごとに導電層を分離するためのスリットパターンSTaの形成工程よりも前の工程で形成されてもよいし、各メモリセル領域内の導電層が加工された後の工程で形成されてもよい。
以上のように、本実施形態の半導体メモリの製造方法によって、3次元構造のNAND型フラッシュメモリが、形成される。
加工パターンの微細化に伴って、スリットパターンが交差した箇所及びその近傍において、被加工層のエッチング不良が発生する可能性が高くなる。また、メモリの記憶密度の向上のために導電層(メモリセル)の積層数が増加された場合、下層の導電層のエッチング不良(未開口、未分断)が生じる可能性がある。
本実施形態の半導体メモリの製造方法によれば、互いに独立な閉ループ状のスリットパターンSTa,STbが、マスク層内に形成されるため、スリットパターンの交差箇所が形成されることなく、被加工層(複数の導電層の積層構造)をエッチングできる。それゆえ、本実施形態の半導体メモリの製造方法は、高アスペクトの部材の加工が実現しやすいように、スリットパターンを単純化できることよって、被加工層のエッチング不良を、低減できる。
また、本実施形態の半導体メモリの製造方法によれば、これらのスリットパターンSTa,STbが互いに独立なパターンであるため、複数の導電層の積層構造をブロックごとに分離するためのスリットパターン及び形成すべき配線パターンに加工するためのスリットパターンを、積層構造の加工時に互いに異なるタイミングで、形成できる。
これによって、3次元構造の半導体メモリの製造工程において、大きいアスペクト比の積層構造が単独のパターンとして形成されるのを回避でき、積層構造の倒れを、抑制できる。
本実施形態の半導体メモリの製造方法によれば、半導体メモリの加工不良を低減できることによって、半導体メモリの製造歩留まりを改善でき、半導体メモリのコストを低減できる。
(d) 変形例
(d−1) 変形例1
本実施形態の半導体メモリの変形例について、説明する。
(d−1) 変形例1
本実施形態の半導体メモリの変形例について、説明する。
上述において、半導体メモリのプラグラム/読み出しのような実動作時(例えば、ユーザーの使用時)に、ダミーセル領域(ダミー配線)がフローティング状態に設定されている例が、述べられている。
但し、本実施形態の半導体メモリの実動作時に、ダミーセル領域DRをフローティング状態にせずに、ダミー配線DWLに、第1の電位が印加されてもよい。
半導体メモリの実動作時に、電位制御回路199が、ダミーワード線DWLに電位を印加することによって、本実施形態の半導体メモリは、隣接ブロック間の電圧差及び隣接する配線間の電圧差によるディスターブの影響を、低減できる。
(d−2) 変形例2
図14乃至図16を参照して、本実施形態の半導体メモリの製造方法の変形例について説明する。
図14乃至図16を参照して、本実施形態の半導体メモリの製造方法の変形例について説明する。
図14に示されるように、半導体メモリ(例えば、3次元構造のNAND型フラッシュメモリ)の構成に応じて、メモリセル領域間に、ダミー領域が存在しない場合がある。ダミー領域がメモリセルアレイ内に無い場合、半導体メモリの記憶密度及び記憶容量を増大できる。
さらに、半導体メモリの構成に応じて、パイプ部上の積層構造を分断するため、或いは、メモリセル領域内にソース線及びウェルコンタクトの形成領域を設けるために、櫛歯形状のパターン22の突出部内に、直線状のスリットパターンSTxが形成される場合がある。
図14及び図15に示されるように、配線パターンの形成(導電層のパターニング)のための閉ループ状のスリットパターンSTbの内側の領域内に、スリットパターンSTxが形成される場合、形成されるパターンの線幅が小さくなる結果として、大きいアスペクト比を有する多数のパターン(積層構造)が、メモリセルアレイ内に、発生する。
例えば、閉ループ状のスリットパターンSTbに基づいたエッチング工程によって、櫛歯形状の導電層(ワード線)が形成され、直線状のスリットパターンSTxに基づいたエッチング工程によって、櫛歯形状の導電層内に溝(スリット)が形成される。
本実施形態の3次元構造のフラッシュメモリの製造方法において、直線状のスリットパターンSTxと閉ループ状のスリットパターンSTa,STbとが、互いに異なるタイミングでマスク層内に形成される。これによって、それらのスリットパターンSTa,STb,STxに基づいた導電層のエッチングを、互いに異なるタイミングで実行できる。
図15に示されるように、例えば、スリットパターンSTbに基づいた導電層のパターニングのためのエッチングの前においてメモリセル領域の区画のためのスリットパターンSTaに基づいたエッチングによって、溝が積層構造内に形成される。
メモリセル領域の区画のためのエッチングと実質的に同時に、スリットパターンSTxに基づいたエッチングによって、直線状の溝が、メモリセル領域における積層構造内に形成される。
この後、絶縁体95が、スリットパターンSTa,STxに基づいて形成された溝内に、埋め込まれる。
尚、スリットパターンSTxの形成及びそのスリットパターンSTxに基づいた積層構造のエッチングは、スリットパターンSTaに基づいた積層構造のエッチングと異なるタイミングで実行されてもよい。
溝内に絶縁体95が埋め込まれた後、導電層のパターニングのための閉ループ状のスリットパターンSTbが、マスク層98x内に形成される。スリットパターンSTbに基づいて、積層構造がエッチングされ、溝997が積層構造内に形成される。
加工された積層構造(導電層)SScは、線幅W3を有する部分を含む。積層構造SScは、導電層22及び絶縁膜92の積層数に応じた高さH1を、有する。
ここで、絶縁体95によって、隣り合う積層構造SScは、接合している。
それゆえ、絶縁体95を介して隣り合う積層構造SScの全体の線幅WXは、各積層構造SScの線幅W3の2倍よりも大きくなる。この結果として、絶縁体95を介して隣り合う積層構造のアスペクト比WX/H1は、線幅W3の積層構造が単独のパターンとして存在する場合の積層構造のアスペクト比W3/H1の半分以下になる。
それゆえ、絶縁体95を介して隣り合う積層構造SScの全体の線幅WXは、各積層構造SScの線幅W3の2倍よりも大きくなる。この結果として、絶縁体95を介して隣り合う積層構造のアスペクト比WX/H1は、線幅W3の積層構造が単独のパターンとして存在する場合の積層構造のアスペクト比W3/H1の半分以下になる。
このように、ダミー領域がメモリセルアレイ内に設けられない場合であっても、1回のエッチング工程で線幅の小さいパターンを形成せずに、複数回のエッチング工程及びエッチングによって形成された溝の埋め込み工程によって、積層構造が線幅の小さいパターンに加工されることによって、大きなアスペクト比を有するパターンの発生を、低減できる。この結果として、製造工程中における大きなアスペクト比を有する積層構造の倒壊を、抑制できる。
図16に示されるように、複数の直線状のスリットSTxxは、ダッシュライン状のレイアウトで、櫛歯形状の導電層の突出部内に形成されてもよい。
このように、被加工層を加工(分離)するためのスリットパターンが互いに独立した閉ループ状のパターンを有するようにマスク層内にそれぞれ形成されることで、互いに異なるタイミング(工程)で、被加工層である積層構造を加工できる。
この結果として、大きいアスペクト比を有するパターンの発生を抑制でき、大きいアスペクト比を有するパターンの倒れを、防止できる。
この結果として、大きいアスペクト比を有するパターンの発生を抑制でき、大きいアスペクト比を有するパターンの倒れを、防止できる。
それゆえ、本実施形態の半導体メモリの製造方法によれば、半導体メモリの不良を低減でき、半導体メモリの製造歩留まりを向上できる。
本実施形態の半導体メモリの製造方法は、互いに独立した2つの閉ループ状のスリットパターンが同じマスク層内に同時に形成され、2つの閉ループ状のスリットパターンに基づく被加工層の加工工程が実質的に同時に実行されてもよい。
本実施形態は、メモリセルアレイ内にメモリセル領域と複数のダミー領域とを含む3次元構造のメモリセルアレイを含む半導体メモリであれば、本実施形態で説明された構造とは異なる構造のフラッシュメモリや、ReRAM、MRAM、又は、PCRAMのようなフラッシュメモリ以外のメモリにも、適用できる。
実施形態の半導体メモリは、以下の(付記1)〜(付記7)の構成を有する。
(付記1)
実施形態の半導体メモリの製造方法は、基板上に、複数の絶縁膜と複数の導電層とを交互に積層された積層構造を形成する工程と、前記積層構造上のマスク層内に、閉ループ状の第1のスリットパターンを形成する工程と、前記マスク層内に、前記第1のスリットパターンから分離された閉ループ状の第2のスリットパターンを形成する工程と、を含む。
実施形態の半導体メモリの製造方法は、基板上に、複数の絶縁膜と複数の導電層とを交互に積層された積層構造を形成する工程と、前記積層構造上のマスク層内に、閉ループ状の第1のスリットパターンを形成する工程と、前記マスク層内に、前記第1のスリットパターンから分離された閉ループ状の第2のスリットパターンを形成する工程と、を含む。
(付記2)
付記1の実施形態の半導体メモリの製造方法において、前記第1のスリットパターンと前記第2のスリットパターンとは、互いに交差しないように、形成される。
付記1の実施形態の半導体メモリの製造方法において、前記第1のスリットパターンと前記第2のスリットパターンとは、互いに交差しないように、形成される。
(付記3)
付記1又は2の半導体メモリの製造方法において、前記第1のスリットパターンに基づいて前記積層構造内に形成された溝内に、絶縁体が埋め込まれた後、前記第2のスリットパターンに基づいて、前記積層構造が加工される。
付記1又は2の半導体メモリの製造方法において、前記第1のスリットパターンに基づいて前記積層構造内に形成された溝内に、絶縁体が埋め込まれた後、前記第2のスリットパターンに基づいて、前記積層構造が加工される。
(付記4)
付記1乃至3のいずれか1つの半導体メモリの製造方法において、第1のスリットパターンは、前記第2のスリットパターンが形成される領域を囲むように、前記マスク層内に形成される。
付記1乃至3のいずれか1つの半導体メモリの製造方法において、第1のスリットパターンは、前記第2のスリットパターンが形成される領域を囲むように、前記マスク層内に形成される。
(付記5)
付記1乃至4のいずれか1つの半導体メモリの製造方法において、前記第1のスリットパターンは、メモリセルアレイ内に設けられる少なくとも1つのメモリセル領域を区画するためのパターンであり、前記第2のスリットパターンは、前記メモリセル領域内の配線パターンを形成するためのパターンである。
付記1乃至4のいずれか1つの半導体メモリの製造方法において、前記第1のスリットパターンは、メモリセルアレイ内に設けられる少なくとも1つのメモリセル領域を区画するためのパターンであり、前記第2のスリットパターンは、前記メモリセル領域内の配線パターンを形成するためのパターンである。
(付記6)
付記1乃至5のいずれか1つの半導体メモリの製造方法において、前記第2のスリットパターンに囲まれた領域は、櫛歯形状の平面形状を有している。
付記1乃至5のいずれか1つの半導体メモリの製造方法において、前記第2のスリットパターンに囲まれた領域は、櫛歯形状の平面形状を有している。
(付記7)
付記1乃至6のいずれか1つの半導体メモリの製造方法は、前記積層構造内に、ホールを形成する工程と、前記ホール内の前記導電層上に、メモリセルの記憶保持部を形成する工程と、前記ホール内に、半導体ピラーを埋め込む工程とを、さらに含む。
付記1乃至6のいずれか1つの半導体メモリの製造方法は、前記積層構造内に、ホールを形成する工程と、前記ホール内の前記導電層上に、メモリセルの記憶保持部を形成する工程と、前記ホール内に、半導体ピラーを埋め込む工程とを、さらに含む。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10:メモリセルアレイ、MR:メモリセル領域、DR:ダミー領域、MC:メモリセル、DC:ダミーセル、22:導電層(ワード線)、DWL:ダミー配線、STa,STb:スリットパターン。
Claims (5)
- 半導体基板上方に積層された複数のメモリセルを含む第1メモリセル領域と、
前記第1メモリセル領域に隣接する多層の第1ダミー領域と、
前記第1ダミー領域とで前記第1メモリセル領域を挟み、前記第1メモリセル領域に隣接する多層の第2ダミー領域と、
同層の前記第1ダミー領域と前記第2ダミー領域を共通に接続する第1配線と、
を具備することを特徴とする半導体メモリ。 - 前記第1メモリセル領域は、前記半導体基板上方に積層され、同層の前記複数のメモリセルを接続する複数の導電層を、含み、
前記複数の導電層のそれぞれは、櫛歯形状の平面形状を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ。 - 前記第1メモリセル領域は、前記第1配線に囲まれている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体メモリ。 - 前記第1配線は、格子状の平面形状を有する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体メモリ。 - 前記メモリセル領域と前記ダミー領域とに対するテスト時、又は、前記メモリセル領域の動作時、第1電位が、前記第1配線に印加される、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体メモリ。
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