JP2010156058A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 以下のダイマーに係る一般式：
   

   

   （式中、Ｍは、銅、銀、金、イリジウム及びナトリウムの金属から選ばれ、そして、Ｒ¹、Ｒ^1'、Ｒ^２及びＲ^2'は、独立して、アルキル、アルケニル、アルキニル、トリアルキルシリルもしくはフルオロアルキル基を表し、そしてＲ^３及びＲ^３'は、独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、トリアルキルシリルもしくはフルオロアルキル基を表す。）
   で表される揮発性金属(Ｉ)アミジナート化合物又はそれと同じ単量体ユニットの高次オリゴマー。
2. 化学名：銅(Ｉ)Ｎ,Ｎ’−ジ−sec−ブチルアセトアミジナートダイマーを有し、そして以下の構造式：
   

   

   で表される、請求項１に記載の揮発性金属(Ｉ)アミジナート化合物。
3. 以下の一般式：
   

   

   （式中、金属Ｍ’は、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、亜鉛、チタン、ユーロピウム及びカルシウムから選ばれ、そして、Ｒ¹、Ｒ^1'、Ｒ^２及びＲ^2'は、独立して、アルキル、アルケニル、アルキニル、トリアルキルシリルもしくはフルオロアルキル基を表し、そしてＲ^３及びＲ^３'は、独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、トリアルキルシリルもしくはフルオロアルキル基を表す。）
   で表される揮発性金属(ＩＩ)ビス(アミジナート)化合物又はそのオリゴマー。
4. 化学名：コバルト(ＩＩ)ビス(Ｎ,Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジナート)を有し、そして以下の構造式：
   

   

   によって表される、請求項３に記載の揮発性金属(ＩＩ)ビス(アミジナート)化合物。
5. 以下の一般式：
   

   

   （式中、金属Ｍ”は、ランタン、プラセオジム及び他のランタン系列金属、イットリウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニオビウム、タンタル及びビスマスから選ばれ、そして、Ｒ¹、Ｒ^1'、Ｒ^１”、Ｒ^２、Ｒ^2'及びＲ^2”は、独立して、アルキル、アルケニル、アルキニル、トリアルキルシリルもしくはフルオロアルキル基を表し、そしてＲ^３、Ｒ^３’及びＲ^３”は、独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、トリアルキルシリルもしくはフルオロアルキル基を表す。）で表される揮発性金属(ＩＩＩ)トリス(アミジナート)化合物又はそのオリゴマー。
6. 化学名：ランタン(ＩＩＩ)トリス(Ｎ,Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジナート)を有し、そして以下の構造式：
   

   

   によって表される、請求項５に記載の揮発性金属(ＩＩＩ)トリス(アミジナート)化合物。
7. 前記式中のＲ¹、Ｒ^1'、Ｒ^１”、Ｒ^２、Ｒ^2'及びＲ^2”は全てt−ブチル基であり、Ｒ^３、Ｒ^３’及びＲ^３”は共にメチル基であり、そしてＭ”がコバルトである、請求項５に記載の揮発性金属(ＩＩＩ)トリス(アミジナート)化合物。
8. 以下の一般式：
   

   

   （式中、Ｒ¹、Ｒ^1'、Ｒ^２及びＲ^2'は全てt−ブチル基であり、Ｒ^３及びＲ^３’は共にメチル基であり、そしてＭ’がマンガン、鉄及びストロンチウムから選ばれる。）
   によって表される揮発性金属(ＩＩ)ビス(アミジナート)化合物又はそのオリゴマー。
9. 加熱基板を請求項１〜８に記載の一種以上の揮発性金属アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス又は蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。
10. 前記還元性ガスが水素である、請求項９に記載の方法。
11. 加熱基板を請求項１〜８に記載の一種以上の揮発性金属アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、窒素含有ガス又は蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属窒化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属窒化物を含む薄膜の形成方法。
12. 前記窒素含有ガスがアンモニアである、請求項１１に記載の方法。
13. 加熱基板を請求項１〜８に記載の一種以上の揮発性金属アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、酸素含有ガス又は蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属酸化物を含む薄膜の形成方法。
14. 前記酸素含有ガスが水蒸気である、請求項１３に記載の方法。
15. 前記揮発性金属アミジナート化合物が、式：Ｍ(Ｉ)ＡＭＤ、Ｍ(ＩＩ)ＡＭＤ_２及びＭ(ＩＩＩ)ＡＭＤ_３（式中、Ｍは金属であり、ＡＭＤはアミジナート部分である。）並びにそれらのオリゴマーからなる群より選ばれる、請求項９〜１４のいずれか１項に記載の方法。
16. 前記式がＭ(Ｉ)ＡＭＤのダイマー又はその単量体ユニットの高次オリゴマーであり、式中のＭが銅(Ｉ)及び銀(Ｉ) からなる群より選ばれる、請求項１５に記載の方法。
17. 前記式がＭ(ＩＩ)ＡＭＤ_２又はそのオリゴマーであり、式中のＭがコバルト、鉄、ニッケル、マンガン、ルテニウム、亜鉛、チタン、ユーロピウム及びカルシウムからなる群より選ばれる、請求項１５に記載の方法。
18. 前記式がＭ(ＩＩＩ)ＡＭＤ_３又はそのオリゴマーであり、式中のＭが、ランタン、プラセオジム及び他のランタン系列金属、イットリウム、スカンジウム、チタン、ニオビウム、タンタル、クロム、鉄、及びルテニウムからなる群より選ばれる、請求項１５に記載の方法。
19. 前記金属アミジナート化合物がストロンチウムビス（Ｎ,Ｎ'−ジ−t−ブチルアセトアミジナート）である、請求項１５に記載の方法。
20. 加熱基板が前記化合物の蒸気に、次いで前記ガス又は蒸気に交互に暴露されてなる、請求項９〜１９のいずれか１項に記載の方法。