JP2012162804A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 加熱基板を一種以上の揮発性金属アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス又は蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法であって、
   前記揮発性金属アミジナート化合物が、以下の一般式で表される化合物からなる群より選ばれる方法。
   （１）下記一般式の揮発性金属（Ｉ）アミジナート化合物：
   

   

   （２）下記一般式の揮発性金属（ＩＩ）アミジナート化合物：および
   

   

   （３）下記一般式の揮発性金属（ＩＩＩ）アミジナート化合物：
   

   

   （上式中、Ｍはリチウムであり、Ｍ’はバナジウムまたはクロムであり、Ｍ”はアルミニウム、ガリウムまたはインジウムであり、そしてＲ^１〜Ｒ^３”は、各々独立して、水素、アルケニル基、アルキニル基、トリアルキルシリル基またはフルオロアルキル基を表し、またＲ^１〜Ｒ^３”は同じであっても異なってもよい。）
2. 前記還元性ガスが水素である、請求項１に記載の方法。
3. 加熱基板を一種以上の揮発性金属アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、アンモニアガス又は蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属窒化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属窒化物を含む薄膜の形成方法であって、
   前記揮発性金属アミジナート化合物が、以下の一般式で表される化合物からなる群より選ばれる方法。
   （１）下記一般式の揮発性金属（Ｉ）アミジナート化合物：
   

   

   （２）下記一般式の揮発性金属（ＩＩ）アミジナート化合物：および
   

   

   （３）下記一般式の揮発性金属（ＩＩＩ）アミジナート化合物：
   

   

   （上式中、Ｍはリチウムであり、Ｍ’はバナジウムまたはクロムであり、Ｍ”はアルミニウム、ガリウムまたはインジウムであり、そしてＲ^１〜Ｒ^３”は、各々独立して、水素、アルケニル基、アルキニル基、トリアルキルシリル基またはフルオロアルキル基を表し、またＲ^１〜Ｒ^３”は同じであっても異なってもよい。）
4. 加熱基板を一種以上の揮発性金属アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、酸素含有ガス又は蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属酸化物を含む薄膜の形成方法であって、
   前記揮発性金属アミジナート化合物が、以下の一般式で表される化合物からなる群より選ばれる方法。
   （１）下記一般式の揮発性金属（Ｉ）アミジナート化合物：
   

   

   （２）下記一般式の揮発性金属（ＩＩ）アミジナート化合物：および
   

   

   （３）下記一般式の揮発性金属（ＩＩＩ）アミジナート化合物：
   

   

   （上式中、Ｍはリチウムであり、Ｍ’はバナジウムまたはクロムであり、Ｍ”はアルミニウム、ガリウムまたはインジウムであり、そしてＲ^１〜Ｒ^３”は、各々独立して、水素、アルケニル基、アルキニル基、トリアルキルシリル基またはフルオロアルキル基を表し、またＲ^１〜Ｒ^３”は同じであっても異なってもよい。）
5. 前記酸素含有ガスが水蒸気である、請求項４に記載の方法。