CN115380038A - 脒基化合物、其二聚体化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 - Google Patents
脒基化合物、其二聚体化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115380038A CN115380038A CN202180027605.8A CN202180027605A CN115380038A CN 115380038 A CN115380038 A CN 115380038A CN 202180027605 A CN202180027605 A CN 202180027605A CN 115380038 A CN115380038 A CN 115380038A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- compound
- atom
- thin film
- raw material
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 145
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 126
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims abstract description 81
- -1 Amidino compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000539 dimer Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 58
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 37
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 24
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical group [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 14
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical group [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002815 nickel Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 description 54
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 21
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012434 nucleophilic reagent Substances 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 7
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N benzene-d6 Chemical compound [2H]C1=C([2H])C([2H])=C([2H])C([2H])=C1[2H] UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N 0.000 description 6
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical class C(N)(=N)* 0.000 description 5
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000003852 thin film production method Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940035437 1,3-propanediol Drugs 0.000 description 3
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- QEGNUYASOUJEHD-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethylcyclohexane Chemical compound CC1(C)CCCCC1 QEGNUYASOUJEHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 1-methylpiperidine Chemical compound CN1CCCCC1 PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CEGGECULKVTYMM-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)C(=O)CC(=O)C(C)C CEGGECULKVTYMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC(C)=N1 OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ILPNRWUGFSPGAA-UHFFFAOYSA-N heptane-2,4-dione Chemical compound CCCC(=O)CC(C)=O ILPNRWUGFSPGAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXGJTWACJNYNOJ-UHFFFAOYSA-N hexane-2,4-diol Chemical compound CCC(O)CC(C)O TXGJTWACJNYNOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDOGLIPWGGRQCO-UHFFFAOYSA-N hexane-2,4-dione Chemical compound CCC(=O)CC(C)=O NDOGLIPWGGRQCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002737 metalloid compounds Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- OOFGXDQWDNJDIS-UHFFFAOYSA-N oxathiolane Chemical compound C1COSC1 OOFGXDQWDNJDIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- BHRZNVHARXXAHW-UHFFFAOYSA-N sec-butylamine Chemical compound CCC(C)N BHRZNVHARXXAHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- NBRKLOOSMBRFMH-UHFFFAOYSA-N tert-butyl chloride Chemical compound CC(C)(C)Cl NBRKLOOSMBRFMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- VNPQQEYMXYCAEZ-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetramethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C)C1 VNPQQEYMXYCAEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGYBONWLWSMGNV-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10,13,16,19,22-octaoxacyclotetracosane Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCO1 BGYBONWLWSMGNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBPPRVHXOZRESW-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10-tetraazacyclododecane Chemical compound C1CNCCNCCNCCN1 QBPPRVHXOZRESW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDAXKAUIABOHTD-UHFFFAOYSA-N 1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane Chemical compound C1CNCCNCCCNCCNC1 MDAXKAUIABOHTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIUWDFVMEASCRP-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methoxyethoxy)-2-methylpropan-2-ol Chemical compound COCCOCC(C)(C)O SIUWDFVMEASCRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHJATKVLNMETBA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methylpropyl)cyclopenta-1,3-diene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC1 GHJATKVLNMETBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXCKDSXGLKRTSY-UHFFFAOYSA-N 1-(diethylamino)-2-methylpentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)(O)CN(CC)CC SXCKDSXGLKRTSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDGHGLMSHZDIEW-UHFFFAOYSA-N 1-(dimethylamino)-2-methylpentan-2-ol Chemical compound CN(C)CC(CCC)(O)C PDGHGLMSHZDIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLDACGYLPYWMZ-UHFFFAOYSA-N 1-(dimethylamino)pentan-2-ol Chemical compound CCCC(O)CN(C)C MZLDACGYLPYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSYOLXZQFQFFIK-UHFFFAOYSA-N 1-butan-2-ylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CCC(C)C1=CC=CC1 PSYOLXZQFQFFIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCALRHVFTLBTOZ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxy-2-methylpropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)(C)O JCALRHVFTLBTOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTFYDDRPCCMKBT-UHFFFAOYSA-N 1-butylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CCCCC1=CC=CC1 FTFYDDRPCCMKBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCYNAHGOLUTMDM-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-methylpropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)(C)O BCYNAHGOLUTMDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQSUNBLELDRPEY-UHFFFAOYSA-N 1-ethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CCC1=CC=CC1 IQSUNBLELDRPEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXUXZWFVAPTPAG-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-methylpropan-2-ol Chemical compound COCC(C)(C)O MXUXZWFVAPTPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 1-methylpyrrolidine Chemical compound CN1CCCC1 AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWQKURVBJZAOSC-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC1 MWQKURVBJZAOSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZPAXISDLOEXPI-UHFFFAOYSA-N 1-propylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CCCC1=CC=CC1 RZPAXISDLOEXPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWFVDKHZNWEXAD-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC1 NWFVDKHZNWEXAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 18-crown-6 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCO1 XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGGCYHBYGFNQIP-UHFFFAOYSA-N 2,2,6-trimethyloctane-3,5-dione Chemical compound CCC(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C XGGCYHBYGFNQIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBTGFWMBFZBBEF-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(C)(O)CC(C)(C)O DBTGFWMBFZBBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTLYCAUWPLYLRQ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethyloctane-3,5-dione Chemical compound CCC(C)C(=O)CC(=O)C(C)C BTLYCAUWPLYLRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUWMVVUACCUFGK-UHFFFAOYSA-N 2-(methylamino)butan-2-ol Chemical compound CCC(C)(O)NC NUWMVVUACCUFGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSKYSDCYIODJPC-UHFFFAOYSA-N 2-butyl-2-ethylpropane-1,3-diol Chemical compound CCCCC(CC)(CO)CO DSKYSDCYIODJPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- PLHCSZRZWOWUBW-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl 3-oxobutanoate Chemical compound COCCOC(=O)CC(C)=O PLHCSZRZWOWUBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHGXRBJFCJZJSC-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-propan-2-yloxypropan-2-ol Chemical compound CC(C)OCC(C)(C)O IHGXRBJFCJZJSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPYKRAVOZNWRKH-UHFFFAOYSA-N 2-methyldecane-4,6-dione Chemical compound CCCCC(=O)CC(=O)CC(C)C JPYKRAVOZNWRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVALZQWOQKHDIM-UHFFFAOYSA-N 2-methylheptane-3,5-dione Chemical compound CCC(=O)CC(=O)C(C)C VVALZQWOQKHDIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYEAPGRMZGQWND-UHFFFAOYSA-N 3-(butan-2-yloxymethyl)pentan-3-ol Chemical compound CCC(C)OCC(O)(CC)CC BYEAPGRMZGQWND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMGLTXUVOIJOGG-UHFFFAOYSA-N 3-(methylamino)heptan-4-ol Chemical compound CCCC(O)C(CC)NC YMGLTXUVOIJOGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNFKMJVRDHWAOR-UHFFFAOYSA-N 3-(propoxymethyl)pentan-3-ol Chemical compound CCCOCC(O)(CC)CC FNFKMJVRDHWAOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHUPIZXVJQEKCY-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-2-methylbutan-2-ol Chemical compound COCCC(C)(C)O LHUPIZXVJQEKCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGGGJHMSAUIWJZ-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-3-(methylamino)heptan-4-ol Chemical compound C(C)C(C(CCC)(O)C)NC SGGGJHMSAUIWJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWJWPDHACGGABF-UHFFFAOYSA-N 5,5-dimethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CC1(C)C=CC=C1 QWJWPDHACGGABF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMPZHUZUESBODJ-UHFFFAOYSA-N 5-methylheptane-2,4-dione Chemical compound CCC(C)C(=O)CC(C)=O VMPZHUZUESBODJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHZGUWAFFHXZLC-UHFFFAOYSA-N 5-methylhexane-2,4-dione Chemical compound CC(C)C(=O)CC(C)=O KHZGUWAFFHXZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGMOYJSFRIASIE-UHFFFAOYSA-N 6-Methylheptan-2,4-dione Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)=O IGMOYJSFRIASIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZJWGSQIJIIXQK-UHFFFAOYSA-N 6-ethyl-2,2-dimethyldecane-3,5-dione Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C NZJWGSQIJIIXQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GALSRMFPHSGNRR-UHFFFAOYSA-N 6-ethyl-2-methyldecane-3,5-dione Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)CC(=O)C(C)C GALSRMFPHSGNRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N N-butylamine Natural products CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N N-methyl-pyrrolidine Natural products CN1CC=CC1 AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N Pentanenitrile Chemical compound CCCCC#N RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- BTGRAWJCKBQKAO-UHFFFAOYSA-N adiponitrile Chemical compound N#CCCCCC#N BTGRAWJCKBQKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005263 alkylenediamine group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXFKXOIODIUJO-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-dicarbonitrile Chemical compound N#CC1=CC=C(C#N)C=C1 BHXFKXOIODIUJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSTZQKNTYABDDX-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilylamino)tin Chemical compound C[Si](C)(C)N[Sn]N[Si](C)(C)C OSTZQKNTYABDDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- MGWYSXZGBRHJNE-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-dicarbonitrile Chemical compound N#CC1CCC(C#N)CC1 MGWYSXZGBRHJNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBWIZSYFQSOUFQ-UHFFFAOYSA-N cyclohexanecarbonitrile Chemical compound N#CC1CCCCC1 VBWIZSYFQSOUFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005292 diamagnetic effect Effects 0.000 description 1
- UNTITLLXXOKDTB-UHFFFAOYSA-N dibenzo-24-crown-8 Chemical compound O1CCOCCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 UNTITLLXXOKDTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBGKDYHZQOSNMU-UHFFFAOYSA-N dicyclohexano-18-crown-6 Chemical compound O1CCOCCOC2CCCCC2OCCOCCOC2CCCCC21 BBGKDYHZQOSNMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMLGNDFKJAFKGZ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexano-24-crown-8 Chemical compound O1CCOCCOCCOC2CCCCC2OCCOCCOCCOC2CCCCC21 QMLGNDFKJAFKGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N dimethylpyridine Natural products CC1=CC=CN=C1C HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTOMUSMDRMJOTH-UHFFFAOYSA-N glutaronitrile Chemical compound N#CCCCC#N ZTOMUSMDRMJOTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGCTVLNZTFDPDJ-UHFFFAOYSA-N heptane-3,5-dione Chemical compound CCC(=O)CC(=O)CC DGCTVLNZTFDPDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDAXRHHPNYTELL-UHFFFAOYSA-N heptanenitrile Chemical compound CCCCCCC#N SDAXRHHPNYTELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFWSQSCIDYBUOU-UHFFFAOYSA-N methylcyclopentadiene Chemical compound CC1=CC=CC1 NFWSQSCIDYBUOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWFKOMDBEKIATP-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-(dimethylamino)ethyl-methylamino]ethyl]-n,n,n'-trimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)CCN(C)C DWFKOMDBEKIATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]ethylamino]ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCNCCN LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVWISOJSERXQBM-UHFFFAOYSA-N n-methylpropan-1-amine Chemical compound CCCNC GVWISOJSERXQBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHFGWHUWQXTGAT-UHFFFAOYSA-N n-methylpropan-2-amine Chemical compound CNC(C)C XHFGWHUWQXTGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJYXGIIWJFZCLN-UHFFFAOYSA-N octane-2,4-dione Chemical compound CCCCC(=O)CC(C)=O GJYXGIIWJFZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTNXBLUGMAMSSH-UHFFFAOYSA-N octanedinitrile Chemical compound N#CCCCCCCC#N BTNXBLUGMAMSSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N oxazine, 1 Chemical compound C([C@@H]1[C@H](C(C[C@]2(C)[C@@H]([C@H](C)N(C)C)[C@H](O)C[C@]21C)=O)CC1=CC2)C[C@H]1[C@@]1(C)[C@H]2N=C(C(C)C)OC1 AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)O GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229960004063 propylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/06—Cobalt compounds
- C07F15/065—Cobalt compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/06—Cobalt compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C257/00—Compounds containing carboxyl groups, the doubly-bound oxygen atom of a carboxyl group being replaced by a doubly-bound nitrogen atom, this nitrogen atom not being further bound to an oxygen atom, e.g. imino-ethers, amidines
- C07C257/10—Compounds containing carboxyl groups, the doubly-bound oxygen atom of a carboxyl group being replaced by a doubly-bound nitrogen atom, this nitrogen atom not being further bound to an oxygen atom, e.g. imino-ethers, amidines with replacement of the other oxygen atom of the carboxyl group by nitrogen atoms, e.g. amidines
- C07C257/14—Compounds containing carboxyl groups, the doubly-bound oxygen atom of a carboxyl group being replaced by a doubly-bound nitrogen atom, this nitrogen atom not being further bound to an oxygen atom, e.g. imino-ethers, amidines with replacement of the other oxygen atom of the carboxyl group by nitrogen atoms, e.g. amidines having carbon atoms of amidino groups bound to acyclic carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F1/00—Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table
- C07F1/08—Copper compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F13/00—Compounds containing elements of Groups 7 or 17 of the Periodic Table
- C07F13/005—Compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/04—Nickel compounds
- C07F15/045—Nickel compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/06—Zinc compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/003—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/025—Silicon compounds without C-silicon linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/22—Tin compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/22—Tin compounds
- C07F7/2284—Compounds with one or more Sn-N linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/28—Titanium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供下述通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物、以及将所述化合物用作原料的薄膜的制造方法。(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～5的烷基，R3表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示M所示的原子的价数，其中，R1～R3中的至少一个氢原子被氟原子取代。)
Description
技术领域
本发明涉及新型化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料以及使用该薄膜形成用原料的薄膜的制造方法。
背景技术
包含金属元素、硅的薄膜材料因其优异的电特性和光学特性而可用于电极膜、电阻膜、阻隔膜等电子零件的构件；磁性膜等记录介质用构件；太阳能电池薄膜等电极构件等。
作为上述薄膜的制造方法，可列举出：溅射法、离子镀法、涂布热分解法、溶胶凝胶法等金属有机化合物分解(MOD：Metal Organic Decomposition)法、化学气相沉积法等。其中，由于具有组成控制性、梯度被覆性优异、适合量产化、能混合集成等许多优点，包括原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法的化学气相沉积(以下，有时也仅记为“CVD”)法是最佳的制造工艺。
作为用于化学气相沉积法的脒基化合物及其二聚体化合物，报道了各种化合物。例如，作为用于制造金属钴薄膜的原料，在专利文献1和专利文献2中公开了双(N，N’－二异丙基乙脒基)钴、双(N，N’－二仲丁基乙脒基)钴、(N，N’－二异丙基乙脒基)铜二聚体、(N，N’－二仲丁基乙脒基)铜二聚体等。此外，在专利文献3中公开了被烷基氨基取代的脒基钴化合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2006－511716号公报
专利文献2：日本特开2010－156058号公报
专利文献3：国际公开2018/088079号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在CVD法等使化合物气化而形成薄膜的方法中，用作薄膜形成原料的化合物(前体)所要求的重要性质为：蒸气压大、熔点低(优选在常温下为液体)、热稳定性高、能生产率良好地制造高品质的薄膜。作为含有脒基化合物或其二聚体化合物的薄膜形成用原料，其中，要求蒸气压大、熔点低、在用作薄膜形成用原料时能生产率良好地制造高品质的薄膜。然而，以往的脒基化合物及其二聚体化合物未充分满足这些方面。
因此，本发明的目的在于提供一种新型脒基化合物及其二聚体化合物，其与以往的脒基化合物及其二聚体化合物相比蒸气压大、熔点低、在用作薄膜形成用原料时能生产率良好地制造高品质的薄膜。
用于解决问题的方案
本发明人等反复进行了研究，结果发现具有特定结构的配体的脒基化合物及其二聚体化合物能解决上述问题，从而完成了本发明。
即，本发明为下述通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物。
(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～5的烷基，R3表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示M所示的原子的价数。其中，R1～R3中的至少一个氢原子被氟原子取代。)
本发明为含有上述化合物的薄膜形成用原料。
此外，本发明为一种薄膜的制造方法，其包括：使上述薄膜形成用原料气化的工序；将含有经气化的通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物的蒸气导入至处理气氛的工序；以及使该化合物发生分解和/或化学反应而在所述基体的表面形成含有金属原子或硅原子的薄膜的工序。
需要说明的是，下述通式(2)所示的脒基化合物或其二聚体化合物与上述通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物含义相同。
(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～5的烷基，R3表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示M所示的原子的价数。其中，R1～R3中的至少一个氢原子被氟原子取代。)
此外，下述通式(3)所示的脒基化合物与上述通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物中n为1的二聚体化合物含义相同。
(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～5的烷基，R3表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，M表示金属原子。其中，R1～R3中的至少一个氢原子被氟原子取代。)
需要说明的是，下述通式(4)所示的脒基化合物与上述通式(3)所示的脒基化合物含义相同。
(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～5的烷基，R3表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，M表示金属原子。其中，R1～R3中的至少一个氢原子被氟原子取代。)
发明效果
根据本发明，能提供一种脒基化合物及其二聚体化合物，其与以往的脒基化合物及其二聚体化合物相比蒸气压高、在用作薄膜形成用原料时能生产率良好地制造高品质的薄膜。本发明的化合物适合作为CVD法用的薄膜形成用原料，特别是由于具有ALD窗，因此作为用于ALD法的薄膜形成用原料是优异的。
附图说明
图1是表示本发明的薄膜的制造方法中使用的ALD装置的一个例子的概要图。
图2是表示本发明的薄膜的制造方法中使用的ALD装置的另一例子的概要图。
图3是表示本发明的薄膜的制造方法中使用的ALD装置的又一例子的概要图。
图4是表示本发明的薄膜的制造方法中使用的ALD装置的又一例子的概要图。
具体实施方式
本发明的化合物由上述通式(1)表示。本发明的化合物适合作为薄膜的制造方法中的前体，所述薄膜的制造方法具有作为CVD法的一种的ALD法等气化工序。
在上述通式(1)中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～5的烷基，R3表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示M所示的原子的价数。其中，R1～R3中的至少一个氢原子被氟原子取代。
作为上述“碳原子数1～5的烷基”，可列举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基等。
要求存在于R1～R3中的至少一个氢原子被氟原子取代。在存在于R1～R3中的所有氢原子中，优选为1～9个、更优选为1～7个、进一步优选为2～6个、更进一步优选为3～6个氢原子被氟原子取代。
例如，在存在于R1～R3中的所有氢原子中，包含三个氢原子被取代为氟原子而成的脒基化合物作为本发明的脒基化合物。
作为至少一个氢被氟原子取代而成的碳原子数1～5的烷基(以下也称为“氟化烷基”)，可列举出：三氟甲基(全氟甲基)、二氟甲基、单氟甲基、全氟乙基、2，2，2－三氟乙基、1，1，2，2－四氟乙基、全氟丙基、2，2，3，3－四氟丙基、3，3，3－三氟丙基、1，1，1－三氟异丙基、1，1，1，3，3，3－六氟异丙基、2，2－二氟丙基、3，3－二氟丙基、2－氟丙基、3－氟丙基、全氟丁基、2，2，3，4，4－五氟丁基、2，2，3，3，4，4，4－七氟丁基、2，2，3，4，4－五氟丁基、3，3，4，4，4－五氟丁基、4，4，4－三氟丁基、4，4－二氟丁基、3，3－二氟丁基、2，2－二氟丁基、2－氟丁基、3－氟丁基、4－氟丁基、全氟戊基、2，2，3，3，4，4，5，5，5－九氟戊基、2，2，3，3，4，4，5，5－八氟戊基、3，3，4，4，5，5，5－七氟戊基、4，4，5，5，5－五氟戊基、5，5，5－三氟戊基、5，5－二氟戊基、2，2－二氟戊基、3，3－二氟戊基、4，4－二氟戊基、2－氟戊基、3－氟戊基、4－氟戊基、5－氟戊基等。
在这些氟化烷基中，优选包含三氟甲基(CF3)的氟化烷基，具体而言，可列举出：三氟甲基、全氟乙基、2，2，2－三氟乙基、全氟丙基、3，3，3－三氟丙基、1，1，1－三氟异丙基、1，1，1，3，3，3－六氟异丙基、全氟丁基、2，2，3，3，4，4，4－七氟丁基、3，3，4，4，4－五氟丁基、4，4，4－三氟丁基、全氟戊基、3，3，4，4，5，5，5－七氟戊基、4，4，5，5，5－五氟戊基、5，5，5－三氟戊基等。
在本发明的脒基化合物中，优选每个化合物包含三个氟原子(二聚体除外)。例如，优选的是，所述R1～R3中的任一个为包含三氟甲基(CF3)的氟化烷基，具体而言，优选的是，所述R1～R3中的任一个为三氟甲基、2，2，2－三氟乙基或1，1，1－三氟异丙基。
通式(1)中的M表示金属原子或硅原子。作为M所示的金属原子，可列举出：铜原子、钴原子、镍原子、锰原子、锌原子、锡原子、钇原子、铟原子或钛原子、镓原子等。
在上述通式(1)中，R1～R3和M根据所应用的薄膜的制造方法来适当选择。在用于具有使化合物气化的工序的薄膜的制造方法的情况下，优选以成为蒸气压大、熔点低的化合物的方式选择R1～R3和M。
从化合物的蒸气压高的方面考虑，作为R1，优选为至少一个氢原子被氟原子取代而成的碳原子数1～5的烷基(氟化烷基)，更优选为碳原子数1～3的氟化烷基，进一步优选为三氟甲基、2，2，2－三氟乙基或1，1，1－三氟异丙基，最优选为2，2，2－三氟乙基。
从化合物的热稳定性高的方面考虑，作为R2，优选碳原子数1～5的未取代烷基，更优选支链状的碳原子数3～5的未取代烷基，最优选未取代的叔丁基。从化合物的熔点低的方面考虑，作为R3，优选氢原子或碳原子数1～5的直链状的未取代烷基，更优选碳原子数1～3的直链状的未取代烷基，特别优选甲基或乙基，最优选乙基。
从能生产率良好地制造高品质的薄膜的方面考虑，作为M，优选铜原子、钴原子、镍原子、锰原子、锌原子、锡原子、钇原子、铟原子、钛原子、镓原子或硅原子，更优选钴原子或锡原子。此外，从能生产率良好地制造高品质的薄膜的方面考虑，在M为铜原子的情况下，上述通式(1)所示的化合物优选为二聚体化合物，在M为钴原子、镍原子、锰原子、锌原子、锡原子、钇原子、铟原子、钛原子、镓原子或硅原子的情况下，上述通式(1)所示的化合物优选为单体化合物。也就是说，当通式(1)中的n为1时，通式(1)所示的化合物优选为二聚体化合物，在n为2以上的情况下，通式(1)所示的化合物优选为单体化合物。
上述通式(1)中的n表示M所示的原子的价数。例如，n优选为1～6，更优选为1～4，进一步优选为1～3，最优选为2。
此外，在用于不伴有气化工序的MOD法的薄膜的制造方法的情况下，R1～R3可以根据所使用的溶剂中的溶解性、薄膜形成反应等来任意选择。
作为上述通式(1)所示的化合物的优选的具体例子，可列举出下述化合物No.1～No.132。需要说明的是，在下述化合物No.1～No.132中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“nPr”表示正丙基，“iPr”表示异丙基。
上述通式(1)所示的化合物的制造方法没有特别限制，该化合物应用公知的反应来制造。例如，在二氯甲烷溶剂下，使氯化铁、对应结构的腈化合物、对应结构的卤代烷基化合物以及对应结构的含氟胺化合物反应、进行精制，由此得到中间体化合物。之后，在四氢呋喃溶剂下，使所得到的中间体化合物、对应金属的氯化物以及烷基锂反应后，进行过滤，从滤液中蒸馏除去溶剂后，进行蒸馏精制，由此可以得到该化合物。
上述腈化合物由R4－CN表示，R4具有与上述通式(1)的R3对应的基团。上述卤代烷基化合物由R5－X表示，R5具有与上述通式(1)的R2对应的基团，X表示卤素。上述含氟胺化合物由R6－NH2表示，R6具有与上述通式(1)的R1对应的基团。
接着，对本发明的薄膜形成用原料进行说明。本发明的薄膜形成用原料含有上述通式(1)所示的化合物作为薄膜的前体。其形态根据应用该薄膜形成用原料的制造工艺而不同。例如，在制造仅包含作为金属的金属原子或硅原子的薄膜的情况下，本发明的薄膜形成用原料不包含上述通式(1)所示的化合物以外的金属化合物和准金属化合物。另一方面，在制造包含两种以上的金属和/或准金属的薄膜的情况下，本发明的薄膜形成用原料除了上述通式(1)所示的化合物以外，还可以含有包含所期望的金属的化合物和/或包含准金属的化合物(以下，有时也记为“其他前体”)。如下文所述，本发明的薄膜形成用原料也可以进一步含有有机溶剂和/或亲核性试剂。如上所述，作为前体的上述通式(1)所示的化合物的物性适于CVD法，因此本发明的薄膜形成用原料作为化学气相沉积用原料(以下，有时也记为“CVD用原料”)是有用的。特别是，从上述通式(1)所示的化合物具有ALD窗的方面考虑，本发明的薄膜形成用原料特别适于ALD法。
在本发明的薄膜形成用原料为化学气相沉积用原料的情况下，其形态根据所使用的CVD法的输送供给方法等方法来适当选择。
作为上述的输送供给方法，具有气体输送法和液体输送法，该气体输送法通过在储存有CVD用原料的容器(以下，有时也记为“原料容器”)中加热和/或减压该原料来使其气化而形成原料气体，将该原料气体与根据需要使用的氩气、氮气、氦气等载气一起导入至设置有基体的成膜室内(以下，有时也记为“沉积反应部”)，该液体输送法将CVD用原料以液体或溶液的状态输送至气化室，通过在气化室中加热和/或减压来使其气化而形成原料气体，将该原料气体导入至成膜室内。在气体输送法的情况下，能将上述通式(1)所示的化合物本身作为CVD原料。在液体输送法的情况下，能将上述通式(1)所示的化合物本身或将该化合物溶解于有机溶剂中而得到的溶液作为CVD用原料。这些CVD原料也可以进一步包含其他前体、亲核性试剂等。
此外，在多成分体系的CVD法中，具有以下方法：以各成分独立的方式气化、供给CVD用原料的方法(以下，有时也记为“单一来源(single source)法”)；以及气化、供给将多成分原料以预先期望的组成混合而成的混合原料的方法(以下，有时也记为“鸡尾酒来源(cocktail source)法”)。在鸡尾酒来源法的情况下，能将上述通式(1)所示的化合物与其他前体的混合物或者将该混合物溶解于有机溶剂而成的混合溶液作为CVD用原料。该混合物、混合溶液也可以进一步包含亲核性试剂等。
作为上述有机溶剂，可以不受特别限制地使用公知通常的有机溶剂。作为该有机溶剂，例如可列举出：乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧基乙酯等乙酸酯类；四氢呋喃、四氢吡喃、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、二丁醚、二噁烷等醚类；甲基丁基酮、甲基异丁基酮、乙基丁基酮、二丙基酮、二异丁基酮、甲基戊基酮、环己酮、甲基环己酮等酮类；己烷、环己烷、甲基环己烷、二甲基环己烷、乙基环己烷、庚烷、辛烷、甲苯、二甲苯等烃类；1－氰基丙烷、1－氰基丁烷、1－氰基己烷、氰基环己烷、氰基苯、1，3－二氰基丙烷、1，4－二氰基丁烷、1，6－二氰基己烷、1，4－二氰基环己烷、1，4－二氰基苯等具有氰基的烃类；吡啶、二甲基吡啶等。根据溶质的溶解性、使用温度与沸点、闪点的关系等，这些有机溶剂可以单独使用，或者也可以混合使用两种以上。
在本发明的薄膜形成用原料为与上述有机溶剂的混合溶液的情况下，薄膜形成用原料中的前体整体的量优选为0.01摩尔/升～2.0摩尔/升，更优选为0.05摩尔/升～1.0摩尔/升。
在此，在本发明的薄膜形成用原料不含上述通式(1)所示的化合物以外的金属化合物和准金属化合物的情况下，前体整体的量是指上述通式(1)所示的化合物的量，在本发明的薄膜形成用原料除了上述通式(1)所示的化合物以外还含有包含其他金属的化合物和/或包含准金属的化合物(其他前体)的情况下，前体整体的量是指上述通式(1)所示的化合物与其他前体的合计量。
此外，在多成分体系的CVD法的情况下，作为与上述通式(1)所示的化合物一起使用的其他前体不受特别限制，可以使用在CVD用原料中使用的公知通常的前体。
作为上述其他前体，可列举出选自由醇化合物、二醇化合物、β－二酮化合物、环戊二烯化合物、有机胺化合物等用作有机配体的化合物构成的组中的一种或两种以上与硅、金属的化合物。作为前体的金属种类，可列举出：锂、钠、钾、镁、钙、锶、钡、钛、锆、铪、钒、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、铑、铱、镍、钯、铂、铜、银、金、锌、铝、锗、锡、铅、锑、铋、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、钌或镥。
作为用作上述其他前体的有机配体的醇化合物，可列举出：甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、仲丁醇、异丁醇、叔丁醇、戊醇、异戊醇、叔戊醇等烷基醇类；2－甲氧基乙醇、2－乙氧基乙醇、2－丁氧基乙醇、2－(2－甲氧基乙氧基)乙醇、2－甲氧基－1－甲基乙醇、2－甲氧基－1，1－二甲基乙醇、2－乙氧基－1，1－二甲基乙醇、2－异丙氧基－1，1－二甲基乙醇、2－丁氧基－1，1－二甲基乙醇、2－(2－甲氧基乙氧基)－1，1－二甲基乙醇、2－丙氧基－1，1－二乙基乙醇、2－仲丁氧基－1，1－二乙基乙醇、3－甲氧基－1，1－二甲基丙醇等醚醇类；二甲基氨基乙醇、乙基甲基氨基乙醇、二乙基氨基乙醇、二甲基氨基－2－戊醇、乙基甲基氨基－2－戊醇、二甲基氨基－2－甲基－2－戊醇、乙基甲基氨基－2－甲基－2－戊醇、二乙基氨基－2－甲基－2－戊醇等二烷基氨基醇类等。
作为用作上述其他前体的有机配体的二醇化合物，可列举出：1，2－乙二醇、1，2－丙二醇、1，3－丙二醇、2，4－己二醇、2，2－二甲基－1，3－丙二醇、2，2－二乙基－1，3－丙二醇、1，3－丁二醇、2，4－丁二醇、2，2－二乙基－1，3－丁二醇、2－乙基－2－丁基－1，3－丙二醇、2，4－戊二醇、2－甲基－1，3－丙二醇、2－甲基－2，4－戊二醇、2，4－己二醇、2，4－二甲基－2，4－戊二醇等。
作为用作上述其他前体的有机配体的β－二酮化合物，可列举出：乙酰丙酮、己烷－2，4－二酮、5－甲基己烷－2，4－二酮、庚烷－2，4－二酮、2－甲基庚烷－3，5－二酮、5－甲基庚烷－2，4－二酮、6－甲基庚烷－2，4－二酮、2，2－二甲基庚烷－3，5－二酮、2，6－二甲基庚烷－3，5－二酮、2，2，6－三甲基庚烷－3，5－二酮、2，2，6，6－四甲基庚烷－3，5－二酮、辛烷－2，4－二酮、2，2，6－三甲基辛烷－3，5－二酮、2，6－二甲基辛烷－3，5－二酮、2，9－二甲基壬烷－4，6－二酮、2－甲基－6－乙基癸烷－3，5－二酮、2，2－二甲基－6－乙基癸烷－3，5－二酮等烷基取代β－二酮类；1，1，1－三氟戊烷－2，4－二酮、1，1，1－三氟－5，5－二甲基己烷－2，4－二酮、1，1，1，5，5，5－六氟戊烷－2，4－二酮、1，3－二全氟己基丙烷－1，3－二酮等氟取代烷基β－二酮类；1，1，5，5－四甲基－1－甲氧基己烷－2，4－二酮、2，2，6，6－四甲基－1－甲氧基庚烷－3，5－二酮、2，2，6，6－四甲基－1－(2－甲氧基乙氧基)庚烷－3，5－二酮等醚取代β－二酮类等。
作为用作上述其他前体的有机配体的环戊二烯化合物，可列举出：环戊二烯、甲基环戊二烯、乙基环戊二烯、丙基环戊二烯、异丙基环戊二烯、丁基环戊二烯、仲丁基环戊二烯、异丁基环戊二烯、叔丁基环戊二烯、二甲基环戊二烯、四甲基环戊二烯等。
作为用作上述其他前体的有机配体的有机胺化合物，可列举出：甲胺、乙胺、丙胺、异丙胺、丁胺、仲丁胺、叔丁胺、异丁胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、二异丙胺、乙基甲胺、丙基甲胺、异丙基甲胺等。
上述的其他前体在该技术领域中是公知的，其制造方法也是公知的。若列举出制造方法的一个例子，例如，在将醇化合物用作有机配体的情况下，能通过使先前叙述的金属的无机盐或其水合物与该醇化合物的碱金属醇盐反应来制造前体。在此，作为金属的无机盐或其水合物，可列举出金属的卤化物、硝酸盐等，作为碱金属醇盐，可列举出醇钠、醇锂、醇钾等。
在单一来源法的情况下，作为上述其他前体，优选使用热分解和/或氧化分解的行为与上述通式(1)所示的化合物类似的化合物。在鸡尾酒来源法的情况下，作为上述其他前体，优选使用除了热分解和/或氧化分解的行为与上述通式(1)所示的化合物类似以外，还不会因混合时的化学反应等而引起对作为前体的所期望的特性造成损害的变化的化合物。
此外，为了对上述通式(1)所示的化合物以及其他前体赋予稳定性，本发明的薄膜形成用原料可以根据需要含有亲核性试剂。作为该亲核性试剂，可列举出：甘醇二甲醚(glyme)、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚等乙二醇醚类；18－冠－6、二环己基－18－冠－6、24－冠－8、二环己基－24－冠－8、二苯并－24－冠－8等冠醚类；乙二胺、N，N’－四甲基乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、1，1，4，7，7－五甲基二亚乙基三胺、1，1，4，7，10，10－六甲基三亚乙基四胺、三乙氧基三亚乙基胺等多胺类；环拉胺(cyclam)、轮环藤宁(cyclen)等环状多胺类；吡啶、吡咯烷、哌啶、吗啉、N－甲基吡咯烷、N－甲基哌啶、N－甲基吗啉、四氢呋喃、四氢吡喃、1，4－二噁烷、噁唑、噻唑、氧硫杂环戊烷(oxathiolane)等杂环化合物类；乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸－2－甲氧基乙酯等β－酮酯类；或乙酰丙酮、2，4－己二酮、2，4－庚二酮、3，5－庚二酮、二叔戊酰甲烷等β－二酮类。这些亲核性试剂的使用量相对于前体整体的量1摩尔，优选为0.1摩尔～10摩尔，更优选为1～4摩尔。
在本发明的薄膜形成用原料中，尽量不含有构成该原料的成分以外的杂质金属元素成分、杂质氯等杂质卤素成分以及杂质有机成分。杂质金属元素成分按每种元素计优选为100ppb以下，更优选为10ppb以下，按总量计优选为1ppm以下，更优选为100ppb以下。特别是，在用作LSI(Large Scale Integration：大规模集成电路)的栅极绝缘膜、栅极膜、阻挡层的情况下，需要使对所得到的薄膜的电特性有影响的碱金属元素和碱土金属元素的含量减少。杂质卤素成分优选为100ppm以下，更优选为10ppm以下，最优选为1ppm以下。杂质有机成分按总量计优选为500ppm以下，更优选为50ppm以下，最优选为10ppm以下。此外，由于水分成为化学气相沉积用原料中的颗粒产生、薄膜形成中的颗粒产生的原因，因此对于前体、有机溶剂以及亲核性试剂而言，优选在各自使用之前尽可能地去除水分。前体、有机溶剂以及亲核性试剂各自的水分量优选为10ppm以下，更优选为1ppm以下。
此外，为了减少或防止所形成的薄膜的颗粒污染，优选的是，本发明的薄膜形成用原料尽量不含颗粒。具体而言，在利用液相中的光散射型液中粒子检测器的颗粒测定中，优选在液相1mL中大于0.3μm的粒子的数量为100个以下，更优选在液相1mL中大于0.2μm的粒子的数量为1000个以下，最优选在液相1mL中大于0.2μm的粒子的数量为100个以下。
接着，对使用本发明的薄膜形成用原料的薄膜的制造方法进行说明。本发明的薄膜的制造方法为CVD法，所述CVD法如下所述：将使本发明的薄膜形成用原料气化而成的原料气体和根据需要使用的反应性气体导入至设置有基体的成膜室内(处理气氛)，接着，在基体上使原料气体中的前体发生分解和/或化学反应来使含有金属原子或硅原子的薄膜在基体表面生长、沉积。对于原料的输送供给方法、沉积方法、制造条件、制造装置等而言，不受特别限制，可以使用公知通常的条件和方法。
作为上述根据需要使用的反应性气体，例如，可列举出：氧气、臭氧、水蒸气等氧化性气体；甲烷、乙烷等烃化合物；氢气、一氧化碳、有机金属化合物等还原性气体；单烷基胺、二烷基胺、三烷基胺、亚烷基二胺等有机胺化合物；肼、氨等氮化性气体等。这些反应性气体可以单独使用或也可以混合使用两种以上。上述通式(1)所示的化合物具有与氧化性气体或还原性气体良好地反应的性质，具有与水蒸气或氢气特别良好地反应的性质。因此，作为反应性气体，优选使用氧化性气体或还原性气体，特别优选使用水蒸气或氢气。
此外，作为上述输送供给方法，可列举出所述的气体输送法、液体输送法、单一来源法、鸡尾酒来源法等。
此外，作为上述沉积方法，可列举出：仅通过热来使原料气体或原料气体与反应性气体反应而使薄膜沉积的热CVD；使用热和等离子体的等离子体CVD；使用热和光的光CVD；使用热、光以及等离子体的光等离子体CVD；以及将CVD的沉积反应分成基本过程，在分子水平上阶段性地进行沉积的ALD。
作为上述基体的材质，例如，可列举出：硅；氮化硅、氮化钛、氮化钽、氧化钛、氮化钛、氧化钌、氧化锆、氧化铪、氧化镧等陶瓷；玻璃；金属钴等金属。作为基体的形状，可列举出：板状、球状、纤维状、鳞片状。基体表面可以为平面，也可以为沟槽(trench)结构等三维结构。
此外，作为上述制造条件，可列举出反应温度(基体温度)、反应压力、沉积速度等。对于反应温度而言，优选为室温～500℃，更优选为100℃～300℃。此外，在热CVD或光CVD的情况下，反应压力优选为10Pa～大气压，在使用等离子体的情况下，反应压力优选为10Pa～2000Pa。
此外，沉积速度可以通过原料的供给条件(气化温度、气化压力)、反应温度、反应压力来控制。若沉积速度高，则有时得到的薄膜的特性恶化，若沉积速度低，则有时生产率产生问题，因此，沉积速度优选为0.01nm/分钟～100nm/分钟，更优选为1nm/分钟～50nm/分钟。此外，在ALD法的情况下，以循环的次数进行控制以便得到所期望的膜厚。
而且，作为上述制造条件，可列举出使薄膜形成用原料气化成原料气体时的温度、压力。使薄膜形成用原料气化成原料气体的工序可以在原料容器内进行，也可以在气化室内进行。无论在哪种情况下，本发明的薄膜形成用原料均优选在0℃～150℃下蒸发。此外，在原料容器内或气化室内使薄膜形成用原料气化成原料气体时，原料容器内的压力和气化室内的压力均优选为1Pa～10000Pa。
本发明的薄膜的制造方法采用ALD法，可以具有原料导入工序，所述原料导入工序通过上述输送供给方法，使薄膜形成用原料气化成原料气体，将该原料气体导入至成膜室内，除此以外，还可以具有：前体薄膜成膜工序，通过该原料气体中的上述化合物在上述基体的表面形成前体薄膜；排气工序，排出未反应的化合物气体；以及含金属薄膜形成工序，使该前体薄膜与反应性气体发生化学反应，在该基体的表面形成含有金属的薄膜。
以下，关于上述ALD法的各工序，以形成金属薄膜的情况为例进行详细说明。首先，进行上述的原料导入工序。使薄膜形成用原料形成原料气体时的优选的温度、压力与在基于CVD法的薄膜的制造方法中说明的相同。接着，通过导入至成膜室的原料气体与基体的表面接触，在基体表面形成前体薄膜(前体薄膜形成工序)。此时，可以加热基体或者加热成膜室来施加热。在该工序中成膜的前体薄膜为由上述通式(1)所示的化合物生成的薄膜，或使上述通式(1)所示的化合物的一部分发生分解和/或反应而生成的薄膜，具有与目标金属薄膜不同的组成。进行本工序时的基体温度优选为室温～500℃，更优选为100℃～300℃。进行本工序时的体系(成膜室内)的压力优选为1Pa～10000Pa，更优选为10Pa～1000Pa。
接着，将未反应的化合物气体、副产的气体从成膜室中排出(排气工序)。理想的是，未反应的化合物气体、副产的气体从成膜室中完全排出，但未必需要完全排出。作为排气方法，可列举出：通过氮气、氦气、氩气等惰性气体对体系内进行吹扫(purge)的方法；通过对体系内进行减压来排气的方法；将这些方法组合的方法等。减压的情况下的减压度优选为0.01Pa～300Pa，更优选为0.01Pa～100Pa。
接着，向成膜室内导入还原性气体作为反应性气体，通过该还原性气体的作用或还原性气体和热的作用，由之前的前体薄膜形成工序中得到的前体薄膜形成金属薄膜(含金属薄膜形成工序)。在本工序中，热起作用的情况的温度优选为室温～500℃，更优选为100～300℃。进行本工序时的体系(成膜室内)的压力优选为1Pa～10000Pa，更优选为10Pa～1000Pa。上述通式(1)所示的化合物与还原性气体的反应性良好，因此能得到残留碳的含量少的高品质的金属薄膜。
在本发明的薄膜的制造方法中，在如上所述地采用ALD法的情况下，可以将通过由上述的原料导入工序、前体薄膜形成工序、排气工序以及含金属薄膜形成工序构成的一系列操作进行的薄膜沉积作为一个循环，反复进行多次该循环直至得到需要的膜厚的薄膜。在该情况下，优选的是，在进行了一个循环后，与上述排气工序同样地在从沉积反应部排出未反应的化合物气体和反应性气体、以及副产的气体后，进行下一个循环。
此外，在金属薄膜的基于ALD法的形成中，可以施加等离子体、光、电压等能量，也可以使用催化剂。施加该能量的时期和使用催化剂的时期没有特别限定，例如，可以在原料导入工序中的化合物气体导入时、在前体薄膜成膜工序或含金属薄膜形成工序中的加温时、在排气工序中的体系内的排气时、在含金属薄膜形成工序中的还原性气体导入时，也可以在上述的各工序之间。
此外，在本发明的薄膜的制造方法中，在薄膜沉积之后，为了得到更良好的电特性，可以在惰性气氛下、氧化性气氛下或还原性气氛下进行退火处理，在需要梯度嵌入的情况下，还可以设置回流(reflow)工序。该情况下的温度为200℃～1000℃，优选为250℃～500℃。
在本发明的薄膜的制造方法中，可以使用公知的ALD装置。作为具体的ALD装置的例子，可列举出：图1和图3那样的能鼓泡供给前体的装置、如图2和图4那样具有气化室的装置。此外，可列举出如图3和图4那样能对反应性气体进行等离子体处理的装置。需要说明的是，不限于图1～图4那样的具备成膜室(以下，称为“沉积反应部”)的单片式装置，也可以使用利用分批炉(batch furnace)的能同时处理多片的装置。需要说明的是，它们也可以用作CVD装置。
使用本发明的薄膜形成用原料制造的薄膜能通过适当选择其他前体、反应性气体以及制造条件来制成金属、氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、玻璃等所期望的种类的薄膜。已知该薄膜表现出电特性和光学特性等，被应用于各种用途。例如，可列举出：金属薄膜、金属氧化物薄膜、金属氮化物薄膜、合金薄膜以及含金属的复合氧化物薄膜等。这些薄膜被广泛用于例如以DRAM元件为代表的存储器元件的电极材料、电阻膜、用于硬盘的记录层的反磁性膜以及固体高分子型燃料电池用的催化剂材料等的制造。
实施例
以下，基于实施例、比较例以及评价例对本发明进一步详细地进行说明。然而，本发明不受以下实施例等的任何限制。
＜中间体化合物的制造＞
在下述的制造例1～2中，示出下述所示的中间体化合物1～2的制造结果。需要说明的是，在下述所示的中间体化合物1～2中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“tBu”表示叔丁基。
[制造例1]中间体化合物1的制造
向500mL四颈烧瓶中装入氯化铁40.2g(0.25mol)、二氯甲烷359.8g，在IPA/干冰浴(dry ice bath)中冷却至－25℃。向其中滴加乙腈10.4g(0.25mol)后，搅拌10分钟。之后，滴加2－甲基－2－氯丙烷23.1g(0.25mol)，滴加后，返回至室温搅拌1小时。再次在IPA/干冰浴中冷却至－35℃，向其中滴加2，2，2－三氟乙胺27.1g(0.27mol)，在冷却的状态下反应1小时，之后返回至室温搅拌14小时。搅拌后，在冰冷下使用氢氧化钠水溶液结束反应，对有机层进行萃取/分液，加入硫酸钠，进行脱水/过滤。在微减压下、油浴65℃下进行脱溶剂，蒸馏除去溶剂后，在油浴75℃下、微减压下进行蒸馏，由此得到了无色透明的中间体化合物1，产量42.8g，产率88％。
(分析值)
(1)1H－NMR(溶剂：氘代苯)(化学位移：多重度：H数)
(0.96：s：3)(1.29：s：9)(3.38～3.41：q：2)。
[制造例2]中间体化合物2的制造
向500mL四颈烧瓶中装入氯化铁40.3g(0.25mol)、二氯甲烷498.7g，在IPA/干冰浴中冷却至－29℃。向其中滴加丙腈14.0g(0.25mol)后，搅拌10分钟。之后，滴加2－甲基－2－氯丙烷23.5g(0.25mol)，滴加后，返回至室温搅拌2小时。再次在IPA/干冰浴中冷却至－30℃，向其中滴加2，2，2－三氟乙胺27.1g(0.27mol)，在冷却的状态下反应1小时，然后返回至室温搅拌15小时。搅拌后，在冰冷下使用氢氧化钠水溶液结束反应，对有机层进行萃取/分液，加入硫酸钠，进行脱水/过滤。在微减压下、油浴75℃下进行脱溶剂，蒸馏除去溶剂后，在油浴85℃下、微减压下进行蒸馏，由此得到了无色透明的中间体化合物2，产量41.3g，产率80％。
(分析值)
(1)1H－NMR(溶剂：氘代苯)(化学位移：多重度：H数)
(0.57～0.61：t：3)(1.31：s：9)(1.31～1.36：q：2)(3.45～3.50：q：2)。
＜脒基化合物及其二聚体化合物的制造＞
在下述的实施例1～3中，示出脒基化合物及其二聚体化合物的制造结果。
[实施例1]化合物No.19的制造
向300mL三颈烧瓶中装入氯化钴6.0g(0.046mol)、四氢呋喃32.9g，在室温下搅拌。在冰冷下向其中滴加由18.5g(0.094mol)中间体化合物1、四氢呋喃59.4g、nBuLi60ml(0.094mol)制备而成的溶液，滴加后返回至室温搅拌17小时，进行过滤。从所得到的滤液中去除溶剂，将残渣在浴温125℃、压力93Pa、塔顶温度90℃下进行蒸馏，得到了深蓝色固体的化合物No.19。产量为12.6g，产率为61％。
(分析值)
(1)元素分析(金属分析：ICP－AES)
C：42.6质量％，H：6.1质量％，Co：13.3质量％，F：25.2质量％，N：12.8质量％。
(理论值；C：42.8质量％，H：6.3质量％，Co：13.1质量％，F：25.3质量％，N：12.5质量％)。
[实施例2]化合物No.20的制造
向500mL三颈烧瓶中装入氯化钴13.1g(0.101mol)、四氢呋喃70.3g，在室温下搅拌。在冰冷下向其中滴加由42.9g(0.204mol)中间体化合物2、四氢呋喃63.3g、nBuLi130ml(0.204mol)制备而成的溶液，滴加后返回至室温搅拌17小时，进行过滤。从所得到的滤液中去除溶剂，将残渣在浴温120℃、压力110Pa、塔顶温度100℃下进行蒸馏，得到了深蓝色固体的化合物No.20。产量为28.6g，产率为60％。
(分析值)
(1)元素分析(金属分析：ICP－AES)
C：45.2质量％，H：6.6质量％，Co：12.6质量％，F：23.8质量％，N：11.8质量％。
(理论值；C：45.3质量％，H：6.7质量％，Co：12.4质量％，F：23.9质量％，N：11.7质量％)。
[实施例3]化合物No.68的制造
向300mL三颈烧瓶中装入双(三甲基硅烷基氨基)锡33.8g(0.077mol)、正己烷89.2g，在室温下搅拌。在冰冷下向其中滴加32.5g(0.154mol)的中间体化合物2，滴加后返回至室温搅拌17小时，进行过滤。从所得到的滤液中去除溶剂，将残渣在浴温135℃、压力45Pa下进行精制，得到了淡黄色固体的化合物No.68。产量为35.4g，产率为86％。
(分析值)
(1)1H－NMR(溶剂：氘代苯)(化学位移：多重度：H数)
(0.76～0.79：t：3)(1.17：s：9)(2.06～2.12：q：2)(3.76～3.83：q：2)。
(2)元素分析(金属分析：ICP－AES)
C：40.0质量％，H：6.2质量％，Sn：22.3质量％，F：21.1质量％，N：10.4质量％。
(理论值；C：40.3质量％，H：6.0质量％，Sn：22.1质量％，F：21.2质量％，N：10.4质量％)。
[评价例]
对实施例1～3中得到的本发明的化合物和下述的比较化合物1～2进行以下评价。需要说明的是，在下述比较化合物1和2中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“tBu”表示叔丁基。
(1)熔点评价
通过目视观测20℃下的化合物的状态。对于在20℃下为固体的化合物，使用微量熔点测定装置来测定熔点。能判断为：熔点低的化合物的输送性优异，优选作为薄膜形成用原料。能判断为：在20℃的状态下为液体的化合物的输送性特别优异，特别优选作为薄膜形成用原料。将结果示于表1。
(2)常压TG－DTA减少50质量％时的温度(℃)
使用TG－DTA，在常压下、Ar流量：100mL/分钟、升温速度10℃/分钟、使扫描温度范围为30℃～600℃来进行测定，将试验化合物的重量减少50质量％时的温度(℃)评价为“常压TG－DTA减少50质量％时的温度(℃)”。将结果示于表1。
(3)减压TG－DTA减少50质量％时的温度(℃)
使用TG－DTA，在10Torr、Ar流量：50mL/分钟、升温速度10℃/分钟、使扫描温度范围为30℃～600℃来进行测定，将试验化合物的重量减少50质量％时的温度(℃)评价为“减压TG－DTA减少50质量％时的温度(℃)”。将结果示于表1。
[表1]
如上述表1所示，可知：化合物No.19和No.20是常压TG－DTA减少50质量％时的温度和减压TG－DTA减少50质量％时的温度比比较化合物1低10℃以上的化合物。此外，可知：化合物No.68是常压TG－DTA减少50质量％时的温度比比较化合物2低30℃、减压TG－DTA减少50质量％时的温度比比较化合物2低20℃的化合物。也就是说，可知：本发明的脒基化合物及其二聚体化合物是蒸气压比以往已知的脒基化合物及其二聚体化合物大的化合物。此外，可知：化合物No.19和No.20是熔点比比较化合物1低45℃以上的化合物。可知：化合物No.20在20℃下为液体，特别地为熔点低的化合物。此外，可知：化合物No.68是熔点比比较化合物2低15℃以上的化合物。
＜基于ALD法的薄膜的制造＞
将实施例1～3中得到的本发明的化合物、比较化合物1～2作为化学气相沉积用原料，使用图1所示的ALD装置，利用以下条件的ALD法，在硅基板上制造出金属钴薄膜或氧化锡薄膜。对于得到的薄膜，进行基于X射线反射率法的膜厚测定、基于X射线衍射法的薄膜的化合物的确认以及基于X射线光电子能谱法的薄膜中的碳含量的测定。将结果示于表2。
[实施例4～5、比较例1]基于ALD法的金属钴薄膜的制造
(条件)
反应温度(基板温度)：200℃，反应性气体：氢气。
(工序)
将由下述(1)～(4)构成的一系列工序作为一个循环，反复进行600个循环。
(1)导入在原料容器加热温度80℃、原料容器内压力100Pa的条件下气化后的化学气相沉积用原料的蒸气，使其在体系压力100Pa下沉积30秒。
(2)通过45秒的氩气吹扫来去除未反应原料。
(3)导入反应性气体，在体系压力100Pa下反应10秒。
(4)通过15秒的氩气吹扫来去除未反应原料。
[实施例6、比较例2]基于ALD法的氧化锡薄膜的制造
(条件)
反应温度(基板温度)：150℃，反应性气：水蒸气。
(工序)
将由下述(1)～(4)构成的一系列工序作为一个循环，反复进行700个循环。
(1)导入在原料容器加热温度80℃、原料容器内压力100Pa的条件下气化后的化学气相沉积用原料的蒸气，使其在体系压力100Pa下沉积20秒。
(2)通过15秒的氩气吹扫来去除未反应原料。
(3)导入反应性气体，在体系压力100Pa下反应0.4秒。
(4)通过90秒的氩气吹扫来去除未反应原料。
[表2]
| 化学气相用原料 | 薄膜的膜厚 | 薄膜的化合物 | 薄膜中的碳含量 | |
| 实施例4 | No.19 | 7.0nm | 金属钴 | 无法检测<sup>※1</sup> |
| 实施例5 | No.20 | 7.5nm | 金属钴 | 无法检测<sup>※1</sup> |
| 比较例1 | 比较化合物1 | 3.5nm | 金属钴 | 6atm％ |
| 实施例6 | No.68 | 6.5nm | 氧化锡 | 无法检测<sup>※1</sup> |
| 比较例2 | 比较化合物2 | 3.0nm | 氧化锡 | 5atm％ |
※1：检测极限为0.1atm％。
就基于ALD法得到的金属薄膜中的碳含量而言，相对于在比较例1～2中为5atm％以上，在实施例4～6中低于检测极限0.1atm％。也就是说，表明：通过使用本发明的脒基化合物及其二聚体化合物，可得到高品质的金属薄膜。此外，就得到的薄膜的膜厚而言，相对于在比较例1～2中为3.5nm以下，在实施例4～6中为6.5nm以上，通过使用本发明的脒基化合物及其二聚体化合物，能以高生产率得到金属薄膜。特别表明：在化合物No.20在20℃下为液体且用作化学气相沉积用原料的情况下，能以特别高的生产率得到金属薄膜，因此作为化学气相沉积用原料特别优异。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种化合物，其为下述通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物，
式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～5的烷基，R3表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示M所示的原子的价数，其中，R1和R2中的至少一个为氟化烷基。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中，
所述通式(1)中的M选自由铜原子、钴原子、镍原子、锰原子、锌原子、锡原子、钇原子、铟原子、钛原子、镓原子以及硅原子构成的组中。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中，
所述通式(1)中的R1和R2中的至少一个为选自由三氟甲基、2，2，2－三氟乙基以及1，1，1－三氟异丙基构成的组中的氟化烷基。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物，其中，
所述通式(1)中的R1为氟化烷基。
5.一种薄膜形成用原料，其含有如权利要求1～4中任一项所述的脒基化合物或其二聚体化合物。
6.一种制造薄膜的方法，其为在基体的表面制造含有金属原子或硅原子的薄膜的方法，包括：
使如权利要求5所述的薄膜形成用原料气化的工序；将含有经气化的通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物的蒸气导入至处理气氛的工序；以及使该化合物发生分解和/或化学反应而在所述基体的表面形成含有金属原子或硅原子的薄膜的工序。
7.一种脒基化合物或其二聚体化合物的应用，其为在基体的表面进行含有金属原子或硅原子的薄膜的制造中的如权利要求1～4中任一项所述的脒基化合物或其二聚体化合物的应用。
Claims (8)
1.一种化合物，其为下述通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物，
式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～5的烷基，R3表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示M所示的原子的价数，其中，R1～R3中的至少一个氢原子被氟原子取代。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中，
所述通式(1)中的M选自由铜原子、钴原子、镍原子、锰原子、锌原子、锡原子、钇原子、铟原子、钛原子、镓原子以及硅原子构成的组中。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中，
R1和R2中的至少一个为氟化烷基。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物，其中，
所述通式(1)中的R1和R2中的至少一个为选自由三氟甲基、2，2，2－三氟乙基以及1，1，1－三氟异丙基构成的组中的氟化烷基。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物，其中，
所述通式(1)中的R1为氟化烷基。
6.一种薄膜形成用原料，其含有如权利要求1～5中任一项所述的脒基化合物或其二聚体化合物。
7.一种制造薄膜的方法，其为在基体的表面制造含有金属原子或硅原子的薄膜的方法，包括：
使如权利要求6所述的薄膜形成用原料气化的工序；将含有经气化的通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物的蒸气导入至处理气氛的工序；以及使该化合物发生分解和/或化学反应而在所述基体的表面形成含有金属原子或硅原子的薄膜的工序。
8.一种脒基化合物或其二聚体化合物的应用，其为在基体的表面进行含有金属原子或硅原子的薄膜的制造中的如权利要求1～5中任一项所述的脒基化合物或其二聚体化合物的应用。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020-070708 | 2020-04-10 | ||
| JP2020070708 | 2020-04-10 | ||
| PCT/JP2021/013898 WO2021205958A1 (ja) | 2020-04-10 | 2021-03-31 | アミジナート化合物、その二量体化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115380038A true CN115380038A (zh) | 2022-11-22 |
Family
ID=78023767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202180027605.8A Pending CN115380038A (zh) | 2020-04-10 | 2021-03-31 | 脒基化合物、其二聚体化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230151041A1 (zh) |
| EP (1) | EP4134372A1 (zh) |
| JP (1) | JPWO2021205958A1 (zh) |
| KR (1) | KR20220167299A (zh) |
| CN (1) | CN115380038A (zh) |
| IL (1) | IL297232A (zh) |
| TW (1) | TW202144376A (zh) |
| WO (1) | WO2021205958A1 (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1726303A (zh) * | 2002-11-15 | 2006-01-25 | 哈佛学院院长等 | 使用脒基金属的原子层沉积 |
| WO2008002546A1 (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | President And Fellows Of Harvard College | Metal(iv) tetra-amidinate compounds and their use in vapor deposition |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006012052A2 (en) * | 2004-06-25 | 2006-02-02 | Arkema, Inc. | Amidinate ligand containing chemical vapor deposition precursors |
| WO2018088079A1 (ja) | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 株式会社Adeka | 化合物、薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及びアミジン化合物 |
-
2021
- 2021-03-31 US US17/917,671 patent/US20230151041A1/en active Pending
- 2021-03-31 WO PCT/JP2021/013898 patent/WO2021205958A1/ja unknown
- 2021-03-31 EP EP21783689.9A patent/EP4134372A1/en active Pending
- 2021-03-31 CN CN202180027605.8A patent/CN115380038A/zh active Pending
- 2021-03-31 JP JP2022514432A patent/JPWO2021205958A1/ja active Pending
- 2021-03-31 KR KR1020227038495A patent/KR20220167299A/ko unknown
- 2021-04-08 TW TW110112649A patent/TW202144376A/zh unknown
-
2022
- 2022-10-12 IL IL297232A patent/IL297232A/en unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1726303A (zh) * | 2002-11-15 | 2006-01-25 | 哈佛学院院长等 | 使用脒基金属的原子层沉积 |
| JP2006511716A (ja) * | 2002-11-15 | 2006-04-06 | プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ | 金属アミジナートを用いる原子層の析出 |
| US20090291208A1 (en) * | 2002-11-15 | 2009-11-26 | Gordon Roy G | Atomic layer deposition using metal amidinates |
| WO2008002546A1 (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | President And Fellows Of Harvard College | Metal(iv) tetra-amidinate compounds and their use in vapor deposition |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JIAYE LI ET AL.,: "On the Relative Stability of Cobalt- and Nickel-Based Amidinate Complexes Against -Migration", INTERNATIONAL JOURNAL OF QUANTUM CHEMISTRY, vol. 109, no. 4, 16 October 2008 (2008-10-16), pages 756 - 763, XP055865355, DOI: 10.1002/qua.21880 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4134372A1 (en) | 2023-02-15 |
| TW202144376A (zh) | 2021-12-01 |
| JPWO2021205958A1 (zh) | 2021-10-14 |
| WO2021205958A1 (ja) | 2021-10-14 |
| KR20220167299A (ko) | 2022-12-20 |
| IL297232A (en) | 2022-12-01 |
| US20230151041A1 (en) | 2023-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4565897B2 (ja) | 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 | |
| CN112004959A (zh) | 原子层沉积法用薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 | |
| JP5690684B2 (ja) | アルコキシド化合物 | |
| JP6735163B2 (ja) | バナジウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 | |
| CN115362157A (zh) | 锌化合物、薄膜形成用原料、薄膜及其制造方法 | |
| EP3712159B1 (en) | Ruthenium compound, raw material for forming thin film, and method for producing thin film | |
| KR20220088907A (ko) | 신규 화합물, 그 화합물을 함유하는 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법 | |
| EP3643700A1 (en) | Metal alkoxide compound, thin-film-forming raw material, and method for producing thin film | |
| WO2022014344A1 (ja) | 薄膜形成用原料、薄膜及び薄膜の製造方法 | |
| EP4180417A1 (en) | Alkoxide compound, thin film-forming material, and method for manufacturing thin film | |
| US20230002423A1 (en) | Novel tin compound, thin-film forming raw material containing said compound, thin film formed from said thin-film forming raw material, method of producing said thin film using said compound as precursor, and method of producing said thin film | |
| CN110831950B (zh) | 钨化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 | |
| JP2018035072A (ja) | ジアザジエニル化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 | |
| CN115380038A (zh) | 脒基化合物、其二聚体化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 | |
| WO2023276716A1 (ja) | 薄膜形成用原料、薄膜及び薄膜の製造方法 | |
| WO2023054066A1 (ja) | 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法、薄膜及びモリブデン化合物 | |
| CN115362282B (zh) | 原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 | |
| WO2020203783A1 (ja) | 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び新規なスカンジウム化合物 | |
| WO2023286589A1 (ja) | コバルト化合物、薄膜形成用原料、薄膜及び薄膜の製造方法 | |
| WO2020255822A1 (ja) | ルテニウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 | |
| WO2022196491A1 (ja) | スズ化合物、薄膜形成用原料、薄膜、薄膜の製造方法及びハロゲン化合物 | |
| JP6429352B1 (ja) | ルテニウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 | |
| WO2022059571A1 (ja) | 原子層堆積法用薄膜形成原料及び薄膜の製造方法 | |
| KR20240031321A (ko) | 화합물, 박막 형성용 원료, 박막 및 박막의 제조 방법 | |
| CN118223007A (zh) | 原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |