JP2009149995A - 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 - Google Patents
基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009149995A JP2009149995A JP2009050353A JP2009050353A JP2009149995A JP 2009149995 A JP2009149995 A JP 2009149995A JP 2009050353 A JP2009050353 A JP 2009050353A JP 2009050353 A JP2009050353 A JP 2009050353A JP 2009149995 A JP2009149995 A JP 2009149995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- plating bath
- bath
- alkyl
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
- H05K3/242—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus characterised by using temporary conductors on the printed circuit for electrically connecting areas which are to be electroplated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
【解決手段】以下の式を有する、メッキ浴添加剤の分解を防止する複素原子含有有機化合物をメッキ浴中に組み入れる:R1−X−R2(Xは、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−S(O)v−S(O)w−、−(S(O)z)m−(CH2)y−(S(O)z’)m’−、または−SO2−S−(CH2)y−S−SO2−、n,p,q,u,v,w,zおよびz’はそれぞれ独立して0から2の整数、mおよびm’は独立して1から6の整数、yは2から4の整数である、またはS,O,Nから選択されたヘテロ原子、または(C1−C6)アルキルもしくはトシル基で置換されたNであり、R1およびR2はそれらが結合している原子と一緒になって5から18員の複素環を形成することができる)。
【選択図】なし
Description
R1−X−R2
式中、Xは、−S(O)n−、−S(O)n−S(O)p−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−S(O)v−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−S(O)v−S(O)w−、−(S(O)z)m−(CH2)y−(S(O)z’)m’−、または−SO2−S−(CH2)y−S−SO2−であり、n,p,q,u,v,w,zおよびz’はそれぞれ独立して0から2の整数であり、mおよびm’は独立して1から6の整数であり、yは2から4の整数である;R1およびR2はそれぞれ独立してハロゲン;−OH;(C1−C20)直鎖、分枝、または環状アルキル;(C2−C20)直鎖、分枝、または環状アルケニル;(C2−C20)直鎖、または分枝アルキニル;または(C1−C20)アルキル−O(C2−C3O)tR5,(C1−C12)アルキルフェニル−O(C2−C3O)tR5,または−フェニル−O(C2−C3O)tR5,式中tは1から500の整数であり、R5は水素、(C1−C4)アルキルまたはフェニルである;アルキル、アルケニル、またはアルキニルは置換または非置換である;または
XはS,O,Nから選択されたヘテロ原子、または(C1−C6)アルキルもしくはトシル基で置換されたNであり、R1およびR2はそれらが結合している原子と一緒になって5から18員の複素環を形成することができ、この環は1から8個の複素原子を含み、非置換もしくは置換、飽和もしくは不飽和であることができる;該複素環は任意に1以上のカルボニルを含む。
式中、Xは、−S(O)n−、−S(O)n−S(O)p−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−S(O)v−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−S(O)v−S(O)w−、−(S(O)z)m−(CH2)y−(S(O)z’)m’−、または−SO2−S−(CH2)y−S−SO2−であり、n,p,q,u,v,w,zおよびz’はそれぞれ独立して0から2の整数であり、mおよびm’は独立して1から6、好ましくは1から4の整数であり、yは2から4の整数である;R1およびR2はそれぞれ独立してハロゲン;−OH;(C1−C20)直鎖、分枝、または環状アルキル;(C2−C20)直鎖、分枝、または環状アルケニル;(C2−C20)直鎖、または分枝アルキニル;または(C1−C20)アルキル−O(C2−C3O)tR5,(C1−C12)アルキルフェニル−O(C2−C3O)tR5,または−フェニル−O(C2−C3O)tR5,式中tは1から500の整数であり、R5は水素、(C1−C4)アルキルまたはフェニルである;アルキル、アルケニル、またはアルキニルは置換または非置換である;または
XはS,O,Nから選択されたヘテロ原子、または(C1−C6)の直鎖、または分枝アルキルもしくはトシル基で置換されたNであり、R1およびR2はそれらが結合している原子と一緒になって5から18員の複素環を形成することができ、任意に1以上のカルボニル基を含み、該複素環は飽和もしくは不飽和であることができ、非置換もしくは環の1以上の原子においてカルボン酸、−OH、(C1−C6)アルキル、ヒドロキシ(C1−C6)アルキル、またはカルボキシ(C1−C6)アルキルで置換されることができる。
好適なテトラピリドの例としては、1,5,9,13−テトラチアシクロヘキサデカン、1,5,9,13−テトラチアシクロヘキサデカン−3,11−ジオール、および1,4,7,10−テトラチアシクロデカンがあげられるが、これらに限定されるものではない。
上記の式の好ましい化合物の例は、メチルスルホキシド、メチルスルホン、および1,5,9,13−テトラチアシクロヘキサデカンがあげられる。
銅イオン(硫酸銅として) 0.01〜50g/L
(濃)硫酸 15から500g/L
クロリドイオン(塩化ナトリウムとして) 1ppmから150ppm
添加剤 適宜
添加剤保存化合物 0.1〜10g/L
水 1リットルにする量
以下の実施例は本発明にをよりよく説明するために提供し、本発明の範囲を制限することを意図するものではない。
本発明の範囲内の化合物を、銅メッキ浴における光沢剤消費を抑制する能力について試験した。光沢剤消費を防止する化合物の能力を測定するために流体力学的に制御されたハルセルを使用した。光沢剤を補充しないで約5−90ASF電流密度範囲において製造される、完全に光沢のある陰極の数を記録することにより化合物の光沢剤消費を抑制する能力を測定した。
浴成分 量
硫酸銅五水和物 80g/L
(濃)硫酸 225g/L
塩化物(塩化ナトリウムとして) 50ppm
ポリエチレンオキシド(抑制物質) 1g/L
ビススルホプロピルジスルフィド(光沢剤) 1ppm
水 1Lになる量
化合物 光沢のあるハルセルの数
メチルスルホキシド 5
3−(2−チエニル)アクリル酸 3
1,4−ジチアン 3
対照(化合物を添加しない) 1未満
メチルスルホキシドについて最良の結果が得られた。試験したすべての化合物は、銅浴成分のみからなる対照と比較して、幾分かの光沢剤保持能を示した。したがって、光沢剤消費を抑制するために前記の化合物を銅メッキ浴に添加することができる。
本発明の範囲内の化合物を銅メッキ浴における光沢剤消費を抑制するその能力に関して試験した。化合物の光沢剤消費を抑制する能力を測定するために流体力学的に制御されたハルセルを使用した。光沢剤消費を抑制する化合物の能力は、光沢剤を補充しないで約5−90ASF電流密度範囲において生じる完全に光沢のある陰極の数を記録することにより測定した。
浴成分 量
硫酸銅五水和物 80g/L
(濃)硫酸 225g/L
塩化物(塩化ナトリウムとして) 50ppm
ポリエチレンオキシド(抑制物質) 1g/L
ビススルホプロピルジスルフィド(光沢剤) 1ppm
水 1Lにする量
化合物 光沢のあるハルセルパネルの数
2(5)チオフェノン 3
チオジグリコール酸 3
メチルスルホン 3
1,4−ジチアスピロ[4,5]デカン 3
−8−オル
メチルスルホキシド 3
テトラメチレンスルホキシド 3
1,5,9,13−テトラチア 3
シクロヘキサデカン
トランス−1,2−ジチアン,4,5−ジオール 3
テトラヒドロチオフェン−3−オン 2
対照(化合物を添加しない) 1未満
試験したすべての化合物は、銅浴成分のみからなる対照と比較して、幾分かの光沢剤保持能を示した。したがって、光沢剤消費を抑制するために前記の化合物を銅メッキ浴に添加することができる。
以下の比較試験は、添加剤保護化合物は光沢剤消費を抑制するための鉄レドックス法よりも改良されていることを示す。
それぞれの浴を使用して、標準的ハルセルにおいて銅クラッドFR4/ガラス−エポキシパネル上に銅をメッキした。酸化イリジウムメッシュタイプ陽極を陽極として使用し、銅クラッドを陰極として使用した。約10分間DC整流器を用いて、陰極に約3アンペアの電流を流した。この時点で陰極を取り除き、新たな銅クラッドパネルと置き換えた。対照の浴は、メッキの最初の10分の後に、マットなパネルを生成した。1,5,9,13−テトラチアシクロヘキサデカン−3,11−ジオールを含む浴は、15よりも多い光沢パネルを生成した。光沢剤消費抑制化合物は、15のファクターよりも大きく、光沢剤の消費を減少させ、銅メッキプロセスを改良した。
以下の比較試験は、本発明の光沢剤消費抑制化合物は光沢剤消費を抑制するための鉄レドックス法よりも改良されていることを示す。
鉄に加えて他の遷移金属を、酸銅メッキ浴における光沢剤消費を防止する能力について試験した。
12:容器
14:金属メッキ浴
16:製品
18:陽極
20:電源
22:貯蔵槽
24:スプレーチャンバー
26:スロット
28:パネル
30:アイドラーローラー
32:ローラーブラシ
34:陽極
36:電極
38:スプレージェット
40:金属メッキ液
42:貯蔵槽
44:ライン
46:装置
Claims (10)
- 金属塩および以下の式を有する添加剤消費抑制化合物を含む金属メッキ浴:
R1−X−R2
式中、Xは、−S(O)n−、−S(O)n−S(O)p−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−S(O)v−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−S(O)v−S(O)w−、−(S(O)z)m−(CH2)y−(S(O)z’)m’−、または−SO2−S−(CH2)y−S−SO2−であり、n,p,q,u,v,w,zおよびz’はそれぞれ独立して0から2の整数であり、mおよびm’は独立して1から6の整数であり、yは2から4の整数である;R1およびR2はそれぞれ独立してハロゲン;−OH;(C1−C20)直鎖、分枝、または環状アルキル;(C2−C20)直鎖、分枝、または環状アルケニル;(C2−C20)直鎖、または分枝アルキニル;または(C1−C20)アルキル−O(C2−C3O)tR5,(C1−C12)アルキルフェニル−O(C2−C3O)tR5,または−フェニル−O(C2−C3O)tR5,式中tは1から500の整数であり、R5は水素、(C1−C4)アルキルまたはフェニルである;アルキル、アルケニル、またはアルキニルは置換または非置換である;または
XはS,O,Nから選択されたヘテロ原子、または(C1−C6)アルキルもしくはトシル基で置換されたNであり、R1およびR2はそれらが結合している原子と一緒になって5から18員の複素環を形成することができ、この環は1から8個の複素原子を含み、非置換もしくは置換、飽和もしくは不飽和であることができる;該複素環は任意に1以上のカルボニルを含み;および
金属塩は銅、金、銀、白金、パラジウム、コバルト、クロム、カドミウム、ビスマス、インジウム、鉛、錫、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、亜鉛およびこれらの混合物からなる群から選択される金属の塩である。 - 添加剤消費抑制化合物が、浴1Lあたり約0.001g〜約100gである請求項1の金属メッキ浴。
- さらに、光沢剤、レベラー、硬化剤、湿潤剤、展性改良剤、延性改良剤、堆積改良剤、または抑制物質を含む請求項1記載の金属メッキ浴。
- 光沢剤が、式:HO3S−R11−SH;HO3S−R11−S−S−R11−SO3H(式中、R11はC1−C6アルキルまたはアリール基である);あるいはHO3S−Ar−S−S−Ar−SO3H(式中、Arはフェニルまたはナフチルである)を有する化合物を含み、アルキルおよびアリール基はアルキル基、ハロまたはアルコキシ基で置換されていてもよいし、あるいは置換されていなくてもよい請求項3記載の金属メッキ浴。
- 光沢剤が、3−メルカプト−プロピルスルホン酸ナトリウム塩、2−メルカプト−エタンスルホン酸ナトリウム塩、ビススルホプロピルジスルフィド、またはその混合物を含む請求項3記載の金属メッキ浴。
- 光沢剤が、3−メルカプト−プロピルスルホン酸ナトリウム塩、2−メルカプト−エタンスルホン酸ナトリウム塩、ビススルホプロピルジスルフィド、N,N−ジメチルジチオカルバミン酸 (3−スルホプロピル)エステルナトリウム塩、(O−エチルジチオカルボナト)−S−(3−スルホプロピル)エステルカリウム塩、3−[(アミノ−イミノエチル)−チオ]−1−プロパンスルホン酸、3−(2−ベンズチアゾリルチオ)−1−プロパンスルホン酸ナトリウム塩、またはその混合物を含む請求項3記載の金属メッキ浴。
- レベラーが、アルキル化ポリアルキレンイミン、オルガノスルホスルホン、フェナジンクラスの染料、フェナジンアゾ染料、またはその混合物を含む請求項3記載のメッキ浴。
- さらに、光沢剤が3−(ベンズチアゾリル−2−チオ)−プロピルスルホン酸ナトリウム塩、3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸ナトリウム塩、エチレンジチオジプロピルスルホン酸ナトリウム塩、ビス−(p−スルホフェニル)−ジスルフィド二ナトリウム塩、ビス−(ω−スルホブチル)−ジスルフィド二ナトリウム塩、ビス−(ω−スルホヒドロキシプロピル)−ジスルフィド二ナトリウム塩、ビス−(ω−スルホプロピル)−ジスルフィド二ナトリウム塩、ビス−(ω−スルホプロピル)−スルフィド二ナトリウム塩、メチル−(ω−スルホプロピル)ナトリウム塩、メチル−(ω−スルホプロピル)−トリスルフィド二ナトリウム塩、O−エチル−ジチオカルボン酸−S−(ω−スルホプロピル)−エステル、カリウム塩チオグリコール酸、チオリン酸−O−エチル−ビス−(ω−スルホプロピル)−エステル二ナトリウム塩、チオリン酸−トリ(ω−スルホプロピル)−エステル三ナトリウム塩、またはその混合物を含む請求項3記載のメッキ浴。
- さらに、抑制物質がカルボキシメチルセルロース、ノニルフェノールポリグリコールエーテル、オクタンジオールビス−(ポリアルキレングリコールエーテル)、オクタノールポリアルキレングリコールエーテル、オレイン酸ポリグリコールエステル、ポリエチレンプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリオキシプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリビニルアルコール、ステアリン酸ポリグリコールエステル、ステアリルアルコールポリグリコールエーテル、またはその混合物を含む請求項3記載のメッキ浴。
- 基体を金属メッキ浴と接触させ;十分な電流密度を金属メッキ浴にかけて、金属を基体上に堆積させることを含み;金属メッキ浴が、銅、金、銀、パラジウム、白金、コバルト、カドミウム、クロム、ビスマス、インジウム、鉛、錫、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、亜鉛およびこれらの混合物からなる群から選択される金属の塩、および以下の式を有する添加剤消費抑制化合物を含む、基体上に金属をメッキする方法:
R1−X−R2
式中、Xは、−S(O)n−、−S(O)n−S(O)p−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−S(O)v−、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−S(O)v−S(O)w−、−(S(O)z)m−(CH2)y−(S(O)z’)m’−、または−SO2−S−(CH2)y−S−SO2−であり、n,p,q,u,v,w,zおよびz’はそれぞれ独立して0から2の整数であり、mおよびm’は独立して1から6の整数であり、yは2から4の整数である;R1およびR2はそれぞれ独立してハロゲン;−OH;(C1−C20)直鎖、分枝、または環状アルキル;(C2−C20)直鎖、分枝、または環状アルケニル;(C2−C20)直鎖、または分枝アルキニル;または(C1−C20)アルキル−O(C2−C3O)tR5,(C1−C12)アルキルフェニル−O(C2−C3O)tR5,または−フェニル−O(C2−C3O)tR5,式中tは1から500の整数であり、R5は水素、(C1−C4)アルキルまたはフェニルである;アルキル、アルケニル、またはアルキニルは置換または非置換である;または
XはS,O,Nから選択されたヘテロ原子、または(C1−C6)アルキルもしくはトシル基で置換されたNであり、R1およびR2はそれらが結合している原子と一緒になって5から18員の複素環を形成することができ、この環は1から8個の複素原子を含み、非置換もしくは置換、飽和もしくは不飽和であることができる;該複素環は任意に1以上のカルボニルを含む。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/970,348 US6736954B2 (en) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002289346A Division JP4651906B2 (ja) | 2001-10-02 | 2002-10-02 | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013217639A Division JP2014037634A (ja) | 2001-10-02 | 2013-10-18 | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009149995A true JP2009149995A (ja) | 2009-07-09 |
Family
ID=25516810
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002289346A Expired - Fee Related JP4651906B2 (ja) | 2001-10-02 | 2002-10-02 | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
JP2009050353A Pending JP2009149995A (ja) | 2001-10-02 | 2009-03-04 | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
JP2013217639A Pending JP2014037634A (ja) | 2001-10-02 | 2013-10-18 | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002289346A Expired - Fee Related JP4651906B2 (ja) | 2001-10-02 | 2002-10-02 | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013217639A Pending JP2014037634A (ja) | 2001-10-02 | 2013-10-18 | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6736954B2 (ja) |
EP (1) | EP1308540B1 (ja) |
JP (3) | JP4651906B2 (ja) |
KR (1) | KR20030028693A (ja) |
DE (1) | DE60141143D1 (ja) |
TW (1) | TWI227284B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130028698A (ko) * | 2011-09-09 | 2013-03-19 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 낮은 내부 응력 구리 전기도금 방법 |
JP2014519555A (ja) * | 2011-06-17 | 2014-08-14 | ウミコレ・ガルファノテフニック・ゲーエムベーハー | 電解質、黒色ルテニウムコーティングの堆積へのその使用およびそのようにして得られたコーティング |
Families Citing this family (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6736954B2 (en) * | 2001-10-02 | 2004-05-18 | Shipley Company, L.L.C. | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
US7122108B2 (en) * | 2001-10-24 | 2006-10-17 | Shipley Company, L.L.C. | Tin-silver electrolyte |
EP1310582A1 (en) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | Shipley Company LLC | Process for electrolytic copper plating |
US7279423B2 (en) * | 2002-10-31 | 2007-10-09 | Intel Corporation | Forming a copper diffusion barrier |
US20070037005A1 (en) * | 2003-04-11 | 2007-02-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Tin-silver electrolyte |
DE10337669B4 (de) * | 2003-08-08 | 2006-04-27 | Atotech Deutschland Gmbh | Wässrige, saure Lösung und Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Kupferüberzügen sowie Verwendung der Lösung |
US20050092616A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Semitool, Inc. | Baths, methods, and tools for superconformal deposition of conductive materials other than copper |
KR100557549B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-03-03 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 범프 패드 형성 방법 및 그 구조 |
DE602005022650D1 (de) * | 2004-04-26 | 2010-09-16 | Rohm & Haas Elect Mat | Verbessertes Plattierungsverfahren |
US20060037861A1 (en) * | 2004-08-23 | 2006-02-23 | Manos Paul D | Electrodeposition process |
JP4589695B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2010-12-01 | ディップソール株式会社 | 錫又は錫合金めっき浴及びそれを用いためっき方法 |
JP2006283169A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 酸性電気銅めっき液、及び含硫黄有機化合物の電解消耗量の少ない電気銅めっき方法 |
SG127854A1 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-29 | Rohm & Haas Elect Mat | Improved gold electrolytes |
US20090104463A1 (en) * | 2006-06-02 | 2009-04-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Gold alloy electrolytes |
US20060280860A1 (en) * | 2005-06-09 | 2006-12-14 | Enthone Inc. | Cobalt electroless plating in microelectronic devices |
US7410899B2 (en) * | 2005-09-20 | 2008-08-12 | Enthone, Inc. | Defectivity and process control of electroless deposition in microelectronics applications |
WO2007080839A1 (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Neos Co., Ltd. | 金属腐食防止剤組成物 |
JP4862445B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-01-25 | Jfeスチール株式会社 | 電気亜鉛めっき鋼板の製造方法 |
CA2647571C (en) * | 2006-03-31 | 2015-02-17 | Atotech Deutschland Gmbh | Crystalline chromium deposit |
US7153408B1 (en) * | 2006-04-13 | 2006-12-26 | Herdman Roderick D | Copper electroplating of printing cylinders |
JP5236648B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2013-07-17 | エンソン インコーポレイテッド | 電解めっき銅金属配線で絶縁性基板の表面を金属配線するための方法 |
ATE549437T1 (de) * | 2006-09-07 | 2012-03-15 | Enthone | Abscheidung eines leitfähigen polymers und metallisierung eines nicht-leitenden substrats |
JPWO2008126522A1 (ja) * | 2007-03-15 | 2010-07-22 | 日鉱金属株式会社 | 銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板 |
US7887693B2 (en) * | 2007-06-22 | 2011-02-15 | Maria Nikolova | Acid copper electroplating bath composition |
US7858146B2 (en) | 2007-06-29 | 2010-12-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of electrolessly depositing metal on the walls of through-holes |
MX2010003543A (es) | 2007-10-02 | 2010-05-17 | Atotech Deutschland Gmbh | Deposito de aleacion de cromo cristalino. |
US9512012B2 (en) | 2007-12-08 | 2016-12-06 | Comsats Institute Of Information Technology | Sonoelectrolysis for metal removal |
US20090301868A1 (en) * | 2008-06-10 | 2009-12-10 | General Electric Company | Methods and systems for assembling electrolyzer stacks |
US9657400B2 (en) * | 2008-06-10 | 2017-05-23 | General Electric Company | Electrolyzer assembly method and system |
US9045839B2 (en) * | 2008-06-10 | 2015-06-02 | General Electric Company | Methods and systems for in-situ electroplating of electrodes |
JP5525762B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2014-06-18 | 上村工業株式会社 | 無電解めっき液及びそれを用いた無電解めっき方法、並びに配線基板の製造方法 |
US9080242B2 (en) * | 2008-09-30 | 2015-07-14 | General Electric Company | Pressurized electrolysis stack with thermal expansion capability |
US8277620B2 (en) * | 2008-09-30 | 2012-10-02 | General Electric Company | Electrolyzer module forming method and system |
JP4855494B2 (ja) * | 2009-04-14 | 2012-01-18 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | イリジウムめっき液及びそのめっき方法 |
US20110120543A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Levy David H | Method for selective deposition and devices |
WO2011154493A1 (en) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Alchimer | Copper-electroplating composition and process for filling a cavity in a semiconductor substrate using this composition |
FR2961220B1 (fr) * | 2010-06-11 | 2012-08-17 | Alchimer | Composition d'electrodeposition de cuivre et procede de remplissage d'une cavite d'un substrat semi-conducteur utilisant cette composition |
US20120064225A1 (en) * | 2010-09-13 | 2012-03-15 | Applied Materials, Inc. | Spray deposition module for an in-line processing system |
US8512541B2 (en) * | 2010-11-16 | 2013-08-20 | Trevor Pearson | Electrolytic dissolution of chromium from chromium electrodes |
JP5620798B2 (ja) * | 2010-12-01 | 2014-11-05 | メタローテクノロジーズジャパン株式会社 | 金バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴、及び金バンプ形成方法 |
TWI473282B (zh) * | 2011-06-29 | 2015-02-11 | Univ Nat Pingtung Sci & Tech | 具有活性焊料塗層的導線及其使用方法 |
JP5851233B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2016-02-03 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | 電解銅めっき液及び電解銅めっき方法 |
JP5843606B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2016-01-13 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | 電解銅めっき液及び電解銅めっき方法 |
KR20140034529A (ko) * | 2012-09-12 | 2014-03-20 | 삼성전기주식회사 | 전기 동도금 장치 |
US9269998B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-02-23 | Fluidic, Inc. | Concave gas vent for electrochemical cell |
JP6509804B2 (ja) | 2013-03-13 | 2019-05-08 | ナントエナジー,インク. | 金属燃料を含む電気化学電池のヘテロ原子イオン芳香族添加物 |
US9512529B2 (en) | 2013-06-04 | 2016-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Electroplating baths of silver and tin alloys |
CN103290438B (zh) * | 2013-06-25 | 2015-12-02 | 深圳市创智成功科技有限公司 | 用于晶圆级封装的电镀铜溶液及电镀方法 |
EP2845928B1 (en) | 2013-09-05 | 2019-11-06 | MacDermid Enthone Inc. | Aqueous electrolyte composition having a reduced airborne emission |
KR101633725B1 (ko) * | 2014-05-13 | 2016-06-27 | (주)피엔티 | 합금박 제조 장치 |
CN104313667B (zh) * | 2014-10-17 | 2017-03-29 | 长安大学 | TC4钛合金表面制备ZrO2/Cu复合镀层的方法 |
US20160114870A1 (en) * | 2014-10-26 | 2016-04-28 | John Kattine | Surface Anti-Fouling Structure, Composition, and Method |
GB2533915A (en) * | 2014-11-28 | 2016-07-13 | Daido Metal Co | Overlay for sliding elements of machines such as internal combustion engines |
CN104894625A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-09-09 | 沈阳飞机工业(集团)有限公司 | 一种提高复杂工件镉镀层均匀性的电镀方法 |
JP6733313B2 (ja) * | 2015-08-29 | 2020-07-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 高純度銅電解精錬用添加剤と高純度銅製造方法 |
US10793956B2 (en) * | 2015-08-29 | 2020-10-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Additive for high-purity copper electrolytic refining and method of producing high-purity copper |
US20170067173A1 (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Acid copper electroplating bath and method for electroplating low internal stress and good ductility copper deposits |
CA3031513A1 (en) | 2016-07-22 | 2018-01-25 | Nantenergy, Inc. | Moisture and carbon dioxide management system in electrochemical cells |
CN109666952B (zh) * | 2017-10-16 | 2020-12-04 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种电沉积生产金属银的方法 |
CN108560025B (zh) * | 2018-06-14 | 2020-01-21 | 九江德福科技股份有限公司 | 一种电解铜箔的制备方法 |
CN109666954A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-04-23 | 惠州市鸿泰达电子材料有限公司 | 一种镀锡添加剂及其制备方法 |
CN110629259B (zh) * | 2019-11-04 | 2021-08-10 | 惠州市荣安达化工有限公司 | 一种含有石墨烯的pcb铜复合电镀液 |
CN111118558B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-06-04 | 江苏赛夫特半导体材料检测技术有限公司 | 一种半导体用镀铜添加剂 |
CN111321435B (zh) * | 2020-04-17 | 2022-03-01 | 广州鑫睿表面技术有限公司 | 一种酸性电镀锡液及其制备方法与应用 |
CN113564644A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-10-29 | 武汉钢铁有限公司 | 一种提高镀层附着力的电镀锡液、制备方法及镀锡板 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01100292A (ja) * | 1987-06-30 | 1989-04-18 | Schering Ag | 光沢のある平滑な銅被膜を電着するための水性酸性浴、電着法及び、光沢のある平滑な銅被膜 |
JPH0841676A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-02-13 | Ebara Yuujiraito Kk | 非シアン性貴金属めっき浴 |
JPH11269691A (ja) * | 1998-01-21 | 1999-10-05 | Ishihara Chem Co Ltd | 銀及び銀合金メッキ浴 |
JPH11513078A (ja) * | 1996-07-23 | 1999-11-09 | デグッサ アクチェンゲゼルシャフト | 金又は金合金の析出のためのシアン化物不含の電気メッキ浴 |
WO2000000672A2 (de) * | 1998-06-26 | 2000-01-06 | Cromotec Oberflächentechnik Gmbh | Galvanisches bad und verfahren zur erzeugung strukturierter hartchromschichten und verwendung |
WO2000044042A1 (de) * | 1999-01-21 | 2000-07-27 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum galvanischen bilden von leiterstrukturen aus hochreinem kupfer bei der herstellung von integrierten schaltungen |
JP2000510289A (ja) * | 1996-12-16 | 2000-08-08 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 集積回路チップ上の電気めっき相互接続構造 |
JP2000226686A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Lucent Technol Inc | 鉛および鉛/錫合金の電気めっき用電気めっき溶液 |
WO2000079031A1 (de) * | 1999-06-17 | 2000-12-28 | Degussa Galvanotechnik Gmbh | Saures bad zur galvanischen abscheidung von glänzenden gold- und goldlegierungsschichten und glanzzusatz hierfür |
JP2001073182A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
JP2001110832A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Electroplating Eng Of Japan Co | 回路基板の実装方法及び金めっき液並びに金めっき方法 |
JP2001164396A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-06-19 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ−銅含有合金メッキ浴、スズ−銅含有合金メッキ方法及びスズ−銅含有合金メッキ皮膜が形成された物品 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3328273A (en) | 1966-08-15 | 1967-06-27 | Udylite Corp | Electro-deposition of copper from acidic baths |
JPS5039054B1 (ja) * | 1971-02-17 | 1975-12-13 | ||
JPS5039057B1 (ja) * | 1971-03-02 | 1975-12-13 | ||
US3956079A (en) | 1972-12-14 | 1976-05-11 | M & T Chemicals Inc. | Electrodeposition of copper |
US3956084A (en) * | 1972-12-14 | 1976-05-11 | M & T Chemicals Inc. | Electrodeposition of copper |
US3960677A (en) * | 1974-09-27 | 1976-06-01 | The Harshaw Chemical Company | Acid zinc electroplating |
AU508254B2 (en) * | 1976-10-04 | 1980-03-13 | M And T Chemicals Inc. | Cyclosulphones as electroplating additive |
JPS5377843A (en) * | 1976-12-22 | 1978-07-10 | Janome Sewing Machine Co Ltd | Tinncobalt alloy electroplating liquid |
DE3011697A1 (de) | 1980-03-26 | 1981-10-01 | Shipley Co., Inc., Newton, Mass. | Saures chemisches verzinnungsbad |
DE3012168A1 (de) | 1980-03-27 | 1981-10-01 | Schering Ag Berlin Und Bergkamen, 1000 Berlin | Verfahren zur galvanischen abscheidung von kupferniederschlaegen |
JPS609117B2 (ja) | 1980-06-19 | 1985-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | 金合金メッキ浴 |
US4432843A (en) * | 1982-07-29 | 1984-02-21 | Omi International Corporation | Trivalent chromium electroplating baths and processes using thiazole addition agents |
US4469564A (en) * | 1982-08-11 | 1984-09-04 | At&T Bell Laboratories | Copper electroplating process |
US4891069A (en) * | 1986-06-06 | 1990-01-02 | Techno Instruments Investments 1983 Ltd. | Composition for the electrolytic coating of circuit boards without an electroless metal coating |
JPH0781196B2 (ja) | 1986-07-04 | 1995-08-30 | 株式会社大和化成研究所 | 有機スルホン酸塩からのビスマス及びビスマス合金めつき浴 |
JPH0246675B2 (ja) * | 1986-07-04 | 1990-10-16 | Nippon Kagaku Sangyo Kk | Sanseidometsukyoku |
JPH01309992A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Seiko Instr Inc | インジウムメッキ方法 |
SU1652383A1 (ru) * | 1989-01-04 | 1991-05-30 | Институт Химии И Химической Технологии Ан Литсср | Способ очистки сернокислого электролита меднени |
JP2529021B2 (ja) * | 1990-08-30 | 1996-08-28 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 金の置換・電食防止剤を含んだシアン系の金メッキ液 |
DE4126502C1 (ja) * | 1991-08-07 | 1993-02-11 | Schering Ag Berlin Und Bergkamen, 1000 Berlin, De | |
US5200057A (en) * | 1991-11-05 | 1993-04-06 | Mcgean-Rohco, Inc. | Additive composition, acid zinc and zinc-alloy plating baths and methods for electrodedepositing zinc and zinc alloys |
JPH08199385A (ja) | 1995-01-20 | 1996-08-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 電気めっき方法 |
JP3579550B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2004-10-20 | 株式会社大和化成研究所 | 電気・電子回路部品 |
JP3306768B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2002-07-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 鉛及び鉛−錫合金めっき浴 |
JP3306770B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2002-07-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 鉛及び鉛−錫合金めっき浴 |
US6236773B1 (en) * | 1998-12-15 | 2001-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Single wavelength semiconductor laser with grating-assisted dielectric waveguide coupler |
JP3898334B2 (ja) * | 1998-04-15 | 2007-03-28 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 金メッキ液及びその金メッキ液を用いたメッキ方法 |
JPH11302893A (ja) * | 1998-04-22 | 1999-11-02 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 非シアン系電気銀めっき液 |
JP2000080494A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Ebara Corp | 銅ダマシン配線用めっき液 |
JP2000248397A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-12 | Electroplating Eng Of Japan Co | 硫酸銅めっき液及びそれを用いた電解めっき方法 |
JP2000256898A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-19 | Permelec Electrode Ltd | ウェーハの銅めっき方法 |
JP3302949B2 (ja) * | 1999-08-03 | 2002-07-15 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 黒色ルテニウムめっき液 |
JP3498306B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2004-02-16 | 石原薬品株式会社 | ボイドフリー銅メッキ方法 |
US6652727B2 (en) * | 1999-10-15 | 2003-11-25 | Faraday Technology Marketing Group, Llc | Sequential electrodeposition of metals using modulated electric fields for manufacture of circuit boards having features of different sizes |
JP3601005B2 (ja) * | 1999-10-27 | 2004-12-15 | 小島化学薬品株式会社 | パラジウムめっき液 |
KR100659544B1 (ko) * | 1999-11-12 | 2006-12-19 | 에바라 유지라이토 코포레이션 리미티드 | 비아 필링 방법 |
JP4570213B2 (ja) * | 2000-01-12 | 2010-10-27 | 古河電気工業株式会社 | パラジウムめっき液 |
JP3465077B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2003-11-10 | 石原薬品株式会社 | 錫、鉛及び錫−鉛合金メッキ浴 |
US6736954B2 (en) * | 2001-10-02 | 2004-05-18 | Shipley Company, L.L.C. | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
-
2001
- 2001-10-02 US US09/970,348 patent/US6736954B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-04 EP EP01308483A patent/EP1308540B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-04 DE DE60141143T patent/DE60141143D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-28 TW TW090129373A patent/TWI227284B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-12-14 KR KR1020010079153A patent/KR20030028693A/ko not_active Application Discontinuation
-
2002
- 2002-10-02 JP JP2002289346A patent/JP4651906B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-11-24 US US10/720,647 patent/US20040104124A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-03-04 JP JP2009050353A patent/JP2009149995A/ja active Pending
-
2013
- 2013-10-18 JP JP2013217639A patent/JP2014037634A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01100292A (ja) * | 1987-06-30 | 1989-04-18 | Schering Ag | 光沢のある平滑な銅被膜を電着するための水性酸性浴、電着法及び、光沢のある平滑な銅被膜 |
JPH0841676A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-02-13 | Ebara Yuujiraito Kk | 非シアン性貴金属めっき浴 |
JPH11513078A (ja) * | 1996-07-23 | 1999-11-09 | デグッサ アクチェンゲゼルシャフト | 金又は金合金の析出のためのシアン化物不含の電気メッキ浴 |
JP2000510289A (ja) * | 1996-12-16 | 2000-08-08 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 集積回路チップ上の電気めっき相互接続構造 |
JPH11269691A (ja) * | 1998-01-21 | 1999-10-05 | Ishihara Chem Co Ltd | 銀及び銀合金メッキ浴 |
WO2000000672A2 (de) * | 1998-06-26 | 2000-01-06 | Cromotec Oberflächentechnik Gmbh | Galvanisches bad und verfahren zur erzeugung strukturierter hartchromschichten und verwendung |
WO2000044042A1 (de) * | 1999-01-21 | 2000-07-27 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum galvanischen bilden von leiterstrukturen aus hochreinem kupfer bei der herstellung von integrierten schaltungen |
JP2000226686A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Lucent Technol Inc | 鉛および鉛/錫合金の電気めっき用電気めっき溶液 |
WO2000079031A1 (de) * | 1999-06-17 | 2000-12-28 | Degussa Galvanotechnik Gmbh | Saures bad zur galvanischen abscheidung von glänzenden gold- und goldlegierungsschichten und glanzzusatz hierfür |
JP2001073182A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
JP2001164396A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-06-19 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ−銅含有合金メッキ浴、スズ−銅含有合金メッキ方法及びスズ−銅含有合金メッキ皮膜が形成された物品 |
JP2001110832A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Electroplating Eng Of Japan Co | 回路基板の実装方法及び金めっき液並びに金めっき方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014519555A (ja) * | 2011-06-17 | 2014-08-14 | ウミコレ・ガルファノテフニック・ゲーエムベーハー | 電解質、黒色ルテニウムコーティングの堆積へのその使用およびそのようにして得られたコーティング |
KR20130028698A (ko) * | 2011-09-09 | 2013-03-19 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 낮은 내부 응력 구리 전기도금 방법 |
JP2013060660A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-04-04 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 低内部応力銅電気めっき方法 |
JP2017095807A (ja) * | 2011-09-09 | 2017-06-01 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 低内部応力銅電気めっき方法 |
KR102028353B1 (ko) * | 2011-09-09 | 2019-10-04 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 | 낮은 내부 응력 구리 전기도금 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6736954B2 (en) | 2004-05-18 |
JP2003183875A (ja) | 2003-07-03 |
DE60141143D1 (de) | 2010-03-11 |
JP4651906B2 (ja) | 2011-03-16 |
EP1308540A1 (en) | 2003-05-07 |
KR20030028693A (ko) | 2003-04-10 |
US20040104124A1 (en) | 2004-06-03 |
TWI227284B (en) | 2005-02-01 |
JP2014037634A (ja) | 2014-02-27 |
US20030070934A1 (en) | 2003-04-17 |
EP1308540B1 (en) | 2010-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4651906B2 (ja) | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 | |
JP4559696B2 (ja) | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 | |
JP4267285B2 (ja) | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 | |
JP4559019B2 (ja) | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 | |
EP1308541A1 (en) | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate | |
JP4342294B2 (ja) | 逆パルスめっき組成物および逆パルスメッキ方法 | |
JP6111241B2 (ja) | 銅の電解析出用水性酸浴、当該浴の使用、当該浴中のルテニウムイオンの使用、および、当該浴を用いた加工対象物上への銅の電解析出方法 | |
TW591124B (en) | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110617 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120615 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120904 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130621 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131018 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20131025 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140110 |