CN103290438B - 用于晶圆级封装的电镀铜溶液及电镀方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于晶圆级封装的电镀铜溶液及电镀方法，所述电镀铜溶液包括：铜盐：120-300g/L；酸：10-200g/L；氯离子：30-80mg/L；含硫化合物：0.001-0.3g/L；聚氧醚类化合物：0.5-10g/L；聚乙二醇：0.05-5g/L；季铵盐：0.001-0.2g/L。所述电镀方法的工艺参数为：镀液温度为10-50℃，电流密度为0.2-20A/dm2。本发明电镀铜溶液可以抑制高电流密度区铜层生长，促进低电流密度区铜层生长，具有较强的均镀能力和分散能力。本发明得到铜柱表面平整，铜柱内应力低，而且适合大电流密度作业，可以提高生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及材料领域，特别是涉及一种用于晶圆级封装的电镀铜溶液及电镀方法。
背景技术
晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。IC产品是现代信息社会离不开的基本原器件，广泛应用在我们生活的各个方面。
晶圆级封装(WLP)是半导体产业链中一个重要部分，也是我国发展较快的行业，就是在其上已经有某些电路微结构的晶片与另一块经腐蚀带有空腔的晶片用化学或物理的方法键结合在一起。键合的工艺和技术反应了封装技术的水平，其直接反应了IC的集成度，精密度。其他的封装形式还起到了在这些电路微结构体的上面形成了一个带有密闭空腔的保护体，可以避免器件在以后的工艺步骤中遭到损坏，也保证了晶片的清洁和结构体免受污染。这种方法使得微结构体处于真空或惰性气体环境中，因而能够提高器件的品质。
随着芯片的功能与高度集成的需求越来越大，目前半导体封装产业正向晶圆级封装方向发展。它是一种常用的提高硅片集成度的方法，具有降低测试和封装成本，降低引线电感，提高电容特性，改良散热通道，降低贴装高度等优点。
目前晶圆级先进封装的铜涂层应用包括：3D封装的铜硅通孔（TSV）、铜柱（Pillar）、铜重布线制程(RDL)等工艺等领域。电子产品的微型化趋势使传统的封装技术已经不能满足高封装密度与低功耗的要求,因而让芯片在三维方向上集成的概念应运而生.3D集成技术降低了芯片的RC延迟、提供了广泛的I/O可能性、缩小了封装尺寸,从而提高了芯片的整体性能，晶圆代工及封测业者为让晶片在不影响占位空间的前提下，顺利向上堆叠并协同运作，第一步就是要导入先进晶圆级封装（WLP）、覆晶封装技术，以打造优良的锡球下层金属（UnderBumpMetallurgy，UBM）并巩固3DIC底层结构，让铜柱（Pillar）、晶圆锡球（Bump）在更小的晶圆开孔中接合。
目前我国铜涂层液及添加剂材料主要依赖个别美国的或者德国的企业的进口产品，存在成本高、交货周期长、应对市场变化反应较慢的情况。国内镀铜添加剂发展虽已具有一定水平，但是适合于晶圆级封装用的镀铜添加剂并不多，个别适用的添加剂对设备要求极高，而且品质不稳定，会导致铜柱的圆头不良，TSV空洞的存在等较差的技术效果。
有文献公开了一种用于PCB的电镀铜溶液的组成，但是其并不能满足晶圆级封装中电镀铜柱或TSV的性能需要，其仅仅适合低纵横比，如：1:1的盲孔电镀，但是作为硅通孔的填充要求，需要满足6:1甚至更高纵横比的盲孔，这是该文献所公开的技术方案所达不到的效果。还有一些文献所公开的整平剂为已经被淘汰的染料型添加剂，且其对于晶圆级封装中的电镀铜柱的效果更差，不但不能起到整平作用，反而会使缺陷更加放大。另外，现有技术主要使用聚二硫二丙烷磺酸钠作为添加剂成分，聚二硫二丙烷磺酸钠会促进高电流区铜层的生长，与电镀铜柱和硅通孔(TSV)所要求的抑制电流高区铜层生长的诉求相悖。而现有技术也多使用醇类聚氧乙烯醚作为添加剂成分，该物质对于抑制高电流密度区铜层的生长作用不够明显。
发明内容
基于此，有必要针对上述现有技术的缺陷，提供一种用于晶圆级封装的电镀铜溶液及电镀方法，旨在解决现有技术导致铜柱馒头形状或者TSV通孔镀的空洞问题。
为实现上述目的，本发明采取了以下技术方案：
一种用于晶圆级封装的电镀铜溶液，包括：
铜盐：120-300g/L；酸：10-200g/L；氯离子：30-80mg/L；添加剂，所述添加剂包括以下用量的组分：
含硫化合物：0.001-0.3g/L；
聚氧醚类化合物：0.5-10g/L;
聚乙二醇：0.05-5g/L；
季铵盐：0.001-0.2g/L；
所述铜盐为无水硫酸铜，五水硫酸铜，甲基磺酸铜中的一种或几种；铜盐所提供的溶液中铜离子在30-100g/L之间，其中优选五水硫酸铜和甲基磺酸铜，其提供的铜离子在45-65g/L。
所述酸为硫酸，甲基磺酸中的一种或两种；选择的酸遵循铜离子对应的酸根，如选择五水硫酸铜提供铜离子，则酸选择用硫酸；同样的如选择甲基磺酸铜提供铜离子，则酸选择用甲基磺酸。
所述氯离子来源可以为含氯的各种化合物，包括氯化钠，盐酸，氯化钾等中一种或者几种，来源优选盐酸。
所述聚氧醚类化合物是脂肪胺聚氧乙烯醚，聚氧丙烯甘油醚中的一种或两种。
在其中一个实施例中，所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液包括：
铜盐：180-300g/L；酸：50-100g/L；氯离子：40-70mg/L，添加剂，所述添加剂包括以下用量的组分：
含硫化合物：0.01-0.2g/L；
聚氧醚类化合物：0.75-8g/L;
聚乙二醇：0.1-3.8g/L；
季铵盐：0.002-0.2g/L。
在其中一个实施例中，所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，包括：
铜盐：180-300g/L；酸：50-80g/L；氯离子：40-60mg/L，添加剂，所述添加剂包括以下用量的组分：
含硫化合物：0.02-0.2g/L；
聚氧醚类化合物：3-7g/L;
聚乙二醇：0.8-2.5g/L；
季铵盐：0.02-0.2g/L。
在其中一个实施例中，所述聚氧醚类化合物为聚氧丙烯甘油醚。
在其中一个实施例中，所述含硫化合物为2-巯基噻唑啉、异硫脲丙磺酸内盐、3-(苯并噻唑-2-巯基）-丙烷磺酸盐中的一种或几种。
在其中一个实施例中，所述含硫化合物为异硫脲丙磺酸内盐、3-(苯并噻唑-2-巯基）-丙烷磺酸盐的一种或两种。
在其中一个实施例中，所述聚乙二醇为PEG300，400，600，800，1000，1500，2000，3000，4000,5000，6000，8000，10000中的一种或几种；所述季铵盐为聚乙烯亚胺季铵盐，水溶性阳离子季铵盐（NE，武汉吉合昌化工生产）中的一种或两种。
在其中一个实施例中，所述聚乙二醇为PEG6000，8000，10000中的一种或几种。
另一方面，本发明提供了一种电镀方法，其使用的电镀铜溶液为上述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，在晶圆级封装的铜硅通孔制程和铜柱制程中，电镀的工艺参数为：镀液温度为10-50℃，电流密度为0.2-20A/dm2，电镀时间为25-50min（时间根据镀层厚度而定）。
在其中一个实施例中，所述铜硅通孔（TSV）制程的电镀工艺参数为：镀液温度为15-30℃，电流密度为0.3-4A/dm2；所述铜柱制程的电镀工艺参数为：镀液温度为20-40℃，电流密度为3-15A/dm2。
通过调节不同的添加剂浓度，温度和电流密度是为了更好的适应于电镀铜柱或者硅通孔镀铜，因电镀铜柱和硅通孔镀要求有一定的差异，所以针对不同的对象需要选择不同的添加剂浓度，镀液温度和电流密度。
对于电镀铜柱来说，首先在硅基材5上真空镀一层铜或者钛的种子层4，然后通过曝光显影的方法形成干膜3，此时就可以进行电镀铜柱。电镀时，镀铜溶液1均需要一定强度的搅拌，及时交换干膜3所形成的空腔2之中的镀铜溶液1，及时补充铜离子或者添加剂，使铜层在空腔2内顺利生长，见图1，但是由于靠近底部角落受干膜3阻挡，镀铜溶液1交换较慢，不能及时补充铜离子等原因导致铜层生长较慢，而对于中间区域，镀铜溶液1交换及时，铜层的生长较快，这样就出现如图2所示的馒头状的铜柱，即铜柱顶端出现拱形严重的状况，如果出现馒头状的拱形，在铜柱与线路焊接时接触面将会大幅减小，会导致导电功能缺陷产生，一般来讲，拱形率≥10%即为不良，拱形率计算方法为：（b-a）/a*100%，见图12。
为了解决上述问题，本申请发明人发现，脂肪胺聚氧乙烯醚、聚氧丙烯甘油醚，特别是聚氧丙烯甘油醚在高电流密度区吸附较快，可以有效阻止电荷的聚集，显著抑制高电流区铜层的生长,从而有利于电流低区铜层生长，防止拱形凸起情况的产生。相较于现有技术普遍采用的醇类聚氧乙烯醚等醚类，聚氧丙烯甘油醚更容易在电流高区吸附，更能抑制高区镀层的生长，这是醇类聚氧乙烯醚等普通醚类难以比拟的，见对比例4、5。
含硫类的物质则可以起到细化晶粒的作用，但是常规的含硫类的化合物如聚二硫二丙烷磺酸钠会加速高区生长，与本技术所要求的抑制高区生长目标冲突，本发明选用其他含硫的化合物，如3-（苯并噻唑-2-巯基）-丙烷磺酸盐不仅可以起到镀层结晶细腻，镀层光亮的作用，而且对高区的镀层生长并无明显的促进作用，聚乙二醇则具有良好的分散作用，利用季铵盐可以提高镀液的温度，加大电流密度，提高生产效率。由此，经过本申请发明人的努力，通过以上物质的组合形成添加剂，用以消除馒头效应。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
由图4和图2、3对比可以看出，本发明中的添加剂明显起到调节铜层生长的作用。在铜柱6形成之初，添加剂中的聚氧丙烯甘油醚、脂肪胺聚氧乙烯醚会抑制中间部位的铜层生长，而促进铜柱6边缘区域生长，随着铜柱6厚度的不断增加，铜面离孔口越来越近，孔边和中央位置的溶液交换差异越来越不明显，聚氧丙烯甘油醚、脂肪胺聚氧乙烯醚开始抑制孔边突起而形成的高电流密度区作用，当铜层生长至与干膜3高度一样的时候，铜柱6表面基本填平，如图5所示，最终的铜柱表面非常平整，而没有凸起或者凹陷的状况。
因此，本发明可以克服现有技术导致铜柱馒头形状的问题，得到表面平整的铜柱，镀铜效果较好。
同样的，基于以上原理，采用本发明也可以得到较好的TSV镀铜效果，解决TSV通孔镀的空洞问题，如图6。在TSV镀铜中，孔底属于低电流区，在孔角部位为高电流区，聚氧丙烯甘油醚、脂肪胺聚氧乙烯醚会抑制孔角电铜层的生长，但不妨碍孔底或者孔壁等低电流区域铜层生长，如此可以有效防止填充铜层的空洞等缺陷生成。
对于电镀铜柱，如果使用普通市售的非染料型的电镀铜及添加剂，得到铜柱的拱形率一般在20-30%，不能满足铜柱的性能要求，见图2；如使用染料型的电镀铜添加剂，拱形问题更大，拱形率达到50%以上，见图3。
附图说明
图1为电镀铜柱示意图，图中1为镀铜溶液，2为干膜形成的空腔，3为干膜，4为种子层，5为硅基材；
图2为现有技术中使用非染料型电镀铜添加剂所得到的铜柱图；
图3为现有技术中使用染料型电镀铜添加剂所得到的铜柱图；
图4为使用本发明电镀铜溶液所得到铜柱生长至要求高度约2/3的切片图，图中3为干膜，5为硅基材，6为铜柱；
图5为使用本发明电镀铜溶液所得到的铜柱图；
图6为实施例6所得到的TSV镀铜的效果图；
图7为实施例1所得到的电镀铜柱效果图；
图8为实施例2所得到的电镀铜柱效果图；
图9为实施例3所得到的电镀铜柱效果图；
图10为实施例4所得到的电镀铜柱效果图；
图11为实施例5所得到的TSV镀铜的效果图；
图12为电镀铜柱拱形率的计算方法，拱形率=（b-a）/a*100%；
图13为普通的市售镀铜液或添加剂得到的TSV镀铜效果图；
图14为现有技术中普遍使用聚二硫二丙烷磺酸钠，醇类聚氧乙烯醚作为镀铜添加剂得到的铜柱效果图；
图15为现有技术中普遍使用聚二硫二丙烷磺酸钠，醇类聚氧乙烯醚作为添加剂得到的TSV镀铜效果图。
具体实施方式
一种用于晶圆级封装的电镀铜溶液，包括：
铜盐：120-300g/L，优选为180-300g/L，铜盐为无水硫酸铜，五水硫酸铜，甲基磺酸铜中的一种或几种；
酸：10-200g/L，优选为50-100g/L，更优选为50-80g/L，酸为硫酸，甲基磺酸中的一种或两种；
氯离子：30-80mg/L，优选为40-70mg/L，更优选为40-60mg/L；氯离子来源可以为含氯的各种化合物，包括氯化钠，盐酸，氯化钾等中一种或者几种，来源优选盐酸。
添加剂（添加剂的原材料购自武汉吉合昌化工，德国巴斯夫，美国陶氏化学等企业），添加剂包括以下用量的组分：
含硫化合物：0.001-0.3g/L，优选为0.01-0.2g/L，更优选为0.02-0.2g/L，含硫化合物为2-巯基噻唑啉、异硫脲丙磺酸内盐、3-(苯并噻唑-2-巯基）-丙烷磺酸盐中的一种或几种，优选为为异硫脲丙磺酸内盐、3-(苯并噻唑-2-巯基）-丙烷磺酸盐的一种或两种；
聚氧醚类化合物：0.5-10g/L，优选为0.75-8g/L，更优选为3-7g/L，聚氧醚类化合物是脂肪胺聚氧乙烯醚，聚氧丙烯甘油醚中的一种或两种，最优选为聚氧丙烯甘油醚;
聚乙二醇：0.05-5g/L，优选为0.1-3.8g/L，更优选为0.8-2.5g/L，所述聚乙二醇为PEG300，400，600，800，1000，1500，2000，3000，4000,5000，6000，8000，10000中的一种或几种，优选为PEG6000,8000,10000中的一种或几种；
季铵盐：0.001-0.2g/L，优选为0.002-0.2g/L，更优选为0.02-0.2g/L，季铵盐为聚乙烯亚胺季铵盐，水溶性阳离子季铵盐中的一种或两种。
上述电镀铜溶液在镀液温度为10-50℃，电流密度为0.2-20A/dm2，，电镀时间为25-50min（时间根据镀层厚度而定）的情况下，调节不同的浓度，温度和电流密度，即可得到性能良好的电镀铜柱或者TSV镀铜产品。
对于电镀铜柱，其优选的镀液温度范围在20-40℃之间，优选的电流密度范围在3-15A/dm2之间。
对于TSV通孔镀，其优选的镀液温度范围在15-30℃之间，优选的电流密度范围在0.3-4A/dm2之间。
通过调节不同的添加剂浓度，温度和电流密度是为了更好的适应于电镀铜柱或者硅通孔镀铜，因电镀铜柱和硅通孔镀要求有一定的差异，所以针对不同的对象需要选择不同的添加剂浓度，槽液温度和电流密度。
以下结合实施例及附图对本发明作进一步的说明。
实施例1
本实施例制备一种用于晶圆级封装的电镀铜柱镀液，其配方组成如下：
五水硫酸铜：300g/L；
硫酸：10g/L；
氯离子（来源于盐酸）：40mg/L；
3-(苯并噻唑-2-巯基）-丙烷磺酸盐：0.15g/L；
聚氧丙烯甘油醚：4.0g/L；
脂肪胺聚氧乙烯醚：3.0g/L；
聚乙二醇8000：0.8g/L；
聚乙烯亚胺季铵盐：0.03g/L。
使用本实施例所制得电镀铜溶液进行电镀的工艺参数：
温度：20±2℃,电流密度：8.0A/dm2，时间45min。
本实施例所得到的电镀铜柱效果如图7所示。
实施例2
本实施例制备一种用于晶圆级封装的电镀铜柱镀液，其配方组成如下：
甲基磺酸铜：250g/L；
甲基磺酸：50g/L；
氯离子（来源于氯化钠）：60mg/L；
3-(苯并噻唑-2-巯基）-丙烷磺酸盐：0.3g/L；
聚氧丙烯甘油醚：2.0g/L；
脂肪醇聚氧乙烯醚：1.0g/L；
聚乙二醇6000：1.2g/L；
聚乙烯亚胺季铵盐：0.15g/L；
NE：0.05g/L。
使用本实施例所制得电镀铜溶液进行电镀的工艺参数：
温度：40±2℃,电流密度：3.0A/dm2，时间25min。
本实施例所得到的电镀铜柱效果如图8所示。
实施例3
本实施例制备一种用于晶圆级封装的电镀铜柱镀液，其配方组成如下：
五水硫酸铜：250g/L；
硫酸：50g/L；
氯离子（来源于氯化钾）：50mg/L；
异硫脲丙磺酸内盐：0.08g/L；
聚氧丙烯甘油醚：6.0g/L；
脂肪胺聚氧乙烯醚：1.0g/L；
聚乙二醇10000：1.8g/L；
聚乙烯亚胺季铵盐：0.1g/L。
使用本实施例所制得电镀铜溶液进行电镀的工艺参数：
温度：30±2℃,电流密度：14.0A/dm2，时间45min。
本实施例所得电镀铜柱效果如图9所示。
实施例4
本实施例制备一种用于晶圆级封装的电镀铜柱镀液，其配方组成如下：
五水硫酸铜：250g/L；
硫酸：50g/L；
氯离子（来源于盐酸）：50mg/L；
异硫脲丙磺酸内盐：0.2g/L；
聚氧丙烯甘油醚：6.0g/L；
脂肪胺聚氧乙烯醚：0g/L（不加）；
聚乙二醇10000：1.8g/L；
聚乙烯亚胺季铵盐：0.1g/L。
使用本实施例所制得电镀铜溶液进行电镀的工艺参数：
温度：35±2℃,电流密度：12.0A/dm2，时间45min。
本实施例所得电镀铜柱效果如图10所示。
实施例5
本实施例制备一种用于晶圆级封装的硅通孔镀铜镀液，其配方组成如下：
五水硫酸铜：250g/L；
硫酸：50g/L；
氯离子（来源于盐酸）：60mg/L；
异硫脲丙磺酸内盐：0.03g/L；
聚氧丙烯甘油醚：0.5g/L；
脂肪胺聚氧乙烯醚：6.0g/L；
聚乙二醇10000：1.8g/L；
聚乙烯亚胺季铵盐：0.05g/L。
使用本实施例所制得电镀铜溶液进行电镀的工艺参数：
温度：20±2℃,电流密度：0.5A/dm2，时间45min。
本实施例所得硅通孔效果如图11所示。
实施例6
本实施例制备一种用于晶圆级封装的硅通孔镀铜镀液，其配方组成如下：
五水硫酸铜：180g/L；
硫酸：80g/L；
氯离子（来源于盐酸）：60mg/L；
3-(苯并噻唑-2-巯基）-丙烷磺酸盐：0.02g/L；
聚氧丙烯甘油醚：0.5g/L；
脂肪胺聚氧乙烯醚：4.0g/L；
聚乙二醇10000：3.8g/L；
聚乙烯亚胺季铵盐：0.02g/L。
使用本实施例所制得电镀铜溶液进行电镀的工艺参数：
温度：15±2℃,电流密度：0.3A/dm2，时间50min。
本实施例所得硅通孔效果如图6所示。
对比例1
本对比例为现有技术中使用普通市售的非染料型的电镀铜及添加剂（含聚二硫二丙烷磺酸钠，PEG6000，醇类聚氧乙烯基醚等）进行电镀铜柱，得到铜柱的拱形率一般在20-30%，不能满足铜柱的性能要求，见图2。
对比例2
本对比例为现有技术中使用普通市售的染料型的电镀铜及添加剂（含聚二硫二丙烷磺酸钠，吩嗪聚合物盐酸盐，吩嗪聚合物硫酸盐，PEG6000等）进行电镀铜柱，得到铜柱的拱形率达到50%以上，不能满足铜柱的性能要求，见图3。
对比例3
本对比例为现有技术中使用普通市售的镀铜液及添加剂（含聚二硫二丙烷磺酸钠，PEG6000，醇类聚氧乙烯基醚等）得到硅通孔镀见图13，往往存在空洞等不良。
对比例4
本对比例为现有技术中普遍使用聚二硫二丙烷磺酸钠，醇类聚氧乙烯醚作为镀铜添加剂的镀铜液：
五水硫酸铜：250g/L；
硫酸：50g/L；
氯离子：50mg/L；
聚二硫二丙烷磺酸钠：0.01g/L；
醇类聚氧乙烯醚：1.5g/L；
聚乙二醇6000：1.2g/L。
使用本对比例所得电镀铜溶液进行电镀的工艺参数：
温度：30±2℃,电流密度：5.0A/dm2，时间45min。
对比例4使用聚二硫二丙烷磺酸钠作为加速剂，得到的铜柱拱形率较高，效果较差，见图14。
对比例5
本对比例为现有技术中普遍使用聚二硫二丙烷磺酸钠，醇类聚氧乙烯醚作为镀铜添加剂的镀铜液：
五水硫酸铜：200g/L；
硫酸：80g/L；
氯离子：60mg/L；
聚二硫二丙烷磺酸钠：0.03g/L；
醇类聚氧乙烯醚：1.0g/L；
聚乙二醇6000：1.2g/L。
使用本对比例所得电镀铜溶液进行电镀的工艺参数：
温度：30±2℃,电流密度：5.0A/dm2，时间45min。
对比例5使用聚二硫二丙烷磺酸钠作为加速剂，得到的TSV镀铜，孔内存在空洞，效果较差，见图15。
从上述实施例1-6可看出，本发明对于晶圆级封装用电镀铜柱以及硅通孔镀铜可产生较佳的技术效果，具体体现为：
电镀铜柱：上述实施例1-4所得的铜柱表面非常平整，没有凸起或者凹陷的状况。拱形率几乎为零，几乎达到了理想状态。而对比例1-2所得铜柱拱形率高于标准，不能满足铜柱的性能要求。
硅通孔镀铜：上述实施例5-6表明，在大纵横比的TSV填孔中，如大于3:1的纵横比的填孔，具有较佳的填充能力，孔内无缝隙、空洞等不良产生。而对比例3所得到硅通孔镀明显存在空洞等不良效果。
对比例4和对比例5是使用普遍使用的聚二硫二丙烷磺酸钠，醇类聚氧乙烯醚作为镀铜添加剂分别进行电镀铜柱以及TSV镀铜，得到的铜柱为馒头状（见图14），而TSV镀铜孔内存在空洞（见图15），效果均不理想。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (7)
1.一种用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，包括：
铜盐：180-300g/L；酸：50-80g/L；氯离子：40-60mg/L，添加剂，所述添加剂包括以下用量的组分：
含硫化合物：0.02-0.2g/L；
聚氧醚类化合物：3-7g/L；
聚乙二醇：0.8-2.5g/L；
季铵盐：0.02-0.2g/L；
所述铜盐为无水硫酸铜，五水硫酸铜，甲基磺酸铜中的一种或几种；
所述酸为硫酸，甲基磺酸中的一种或两种；
所述聚氧醚类化合物是脂肪胺聚氧乙烯醚，聚氧丙烯甘油醚中的一种或两种；
所述聚乙二醇为PEG6000，8000，10000中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述聚氧醚类化合物为聚氧丙烯甘油醚。
3.根据权利要求1所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述含硫化合物为2-巯基噻唑啉、异硫脲丙磺酸内盐、3-(苯并噻唑-2-巯基)-丙烷磺酸盐中的一种或几种。
4.根据权利要求3所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述含硫化合物为异硫脲丙磺酸内盐、3-(苯并噻唑-2-巯基)-丙烷磺酸盐的一种或两种。
5.根据权利要求1所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述季铵盐为聚乙烯亚胺季铵盐。
6.一种电镀方法，其特征在于，使用的电镀铜溶液为权利要求1-5任一项所述的用于晶圆级封装的电镀铜溶液，在晶圆级封装的铜硅通孔制程和铜柱制程中，电镀的工艺参数为：镀液温度为10-50℃，电流密度为0.2-20A/dm2。
7.根据权利要求6所述的电镀方法，其特征在于，所述铜硅通孔制程的电镀工艺参数为：镀液温度为15-30℃，电流密度为0.3-4A/dm2；所述铜柱制程的电镀工艺参数为：镀液温度为20-40℃，电流密度为3-15A/dm2。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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Inventor after: Yao Yu Inventor after: Wang Jiangfeng Inventor after: He Zhigang Inventor after: Wang Wenzhen Inventor after: Yang Ming Inventor before: Wang Jiangfeng Inventor before: He Zhigang Inventor before: Chen Jianping Inventor before: Li Yunhua Inventor before: Wang Wenzhen Inventor before: Yang Ming |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201230 Address after: 215334 room 3, 248 Chenghu Road, Kunshan Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: KUNSHAN CHENGGONG ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 518103 building B2, area 1, Fuyong street, Baoan District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen Chuangzhi Success Technology Co.,Ltd. |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 215334 room 3, 248 Chenghu Road, Kunshan Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Chenggong Environmental Protection Technology (Nantong) Co.,Ltd. Address before: 215334 room 3, 248 Chenghu Road, Kunshan Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: KUNSHAN CHENGGONG ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY CO.,LTD. |
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Effective date of registration: 20221124 Address after: No. 323, Jinchuan Road, Nantong Hi tech Industrial Development Zone, Nantong, Jiangsu 226399 Patentee after: Jiangsu Sizhi Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 215334 room 3, 248 Chenghu Road, Kunshan Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: Chenggong Environmental Protection Technology (Nantong) Co.,Ltd. |