TWI753971B - 電解鎳（合金）鍍覆液 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於提供一種電解鎳(合金)鍍覆液，係於藉由鎳或鎳合金(18)來填充電子電路零件內的微小孔或微小凹部(14)時，可在不會產生孔隙或細縫等缺陷下進行填充，且於接合2個以上的電子零件時，藉由填充微小間隙部，可牢固地接合電子零件彼此。此外，該課題在於提供一種使用該電解鎳(合金)鍍覆液之鎳或鎳合金鍍覆填充方法、微小三維構造體的製造方法、電子零件接合體及其製造方法。藉由使用含有特定的N取代吡啶鎓化合物之電解鎳(合金)鍍覆液來填充微小孔或微小凹部(14)，可解決上述課題。
Description
本發明係關於電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液(以下有時將此等總稱為「電解鎳(合金)鍍覆液」。此外，有時將藉由使用電解鎳(合金)鍍覆液所析出之「鎳或鎳合金」稱為「鎳(合金)」)，更詳細而言，係關於特別適合用於電子零件內之微小孔或微小凹部的鍍覆填充，以及重疊2個以上的電子零件彼此時所產生之微小間隙部的鍍覆填充之電解鎳(合金)鍍覆液。
此外，本發明係關於使用該電解鎳(合金)鍍覆液之微小孔或微小凹部的鍍覆填充方法，及微小三維構造體的製造方法、電子零件接合體或該製造方法等。
以半導體或印刷基板為代表之電子電路零件(以下有時僅稱為「電子零件」)，係具有用以配線形成之導孔、貫通孔、溝槽等之微小孔或微小凹部。於以往積層有複數層電路基板之多層印刷基板的製造中，對導孔的壁面進行保形(conformal)銅鍍覆(跟隨鍍覆)後，以不一致的排列配置與其他層連接之交錯導孔構造乃成為主流。然而，伴隨著近年來之電子機器的小型化、高機能化，依據 以銅鍍覆來填充導孔並直接與其他層重疊以進行層間連接之堆疊導孔構造所帶來之省空間化，乃變得不可或缺。
電解銅鍍覆之填充技術，亦適用於半導體製造技術，而出現了稱為鑲嵌製程(damascene process)或矽貫通電極(TSV：Through Silicon Via；矽穿孔)之技術，可藉由電解銅鍍覆來填充導孔而三維地形成配線構造。
微小孔或微小凹部的填充用之電解銅鍍覆液，係藉由含有複數種添加劑，並最適地控制此等的濃度均衡而填充導孔，但即使可在不產生約數μm的微孔隙的情況下進行填充，亦具有殘留nm等級的微孔隙之問題之添加劑的副作用。銅為人所知者，為熔點不高之金屬(1083℃)，即使於電解銅鍍覆後的室溫放置下，亦會引起再結晶。於此再結晶過程中，nm等級的微孔隙凝聚，結果導致巨型孔隙的形成之問題。
例如於非專利文獻1中，記載了於銅皮膜中導入有一部分作為添加劑的聚乙二醇(PEG：Polyethylene Glycol)，於銅皮膜中產生nm等級的微孔隙，並且於銅的再結晶過程中，由於室溫放置而形成直徑達70nm的大型孔隙之內容。
因此，使用電解銅鍍覆液之銅填充方法中潛藏著如此課題，於配線更進一步的細微化時，由於伴隨著微孔隙凝聚之孔隙成長或孔隙移動，而有配線可靠度的降低變得更顯著之疑慮。
因此，本發明人推測：即使殘留有起因於 鍍覆添加劑導致之微孔隙，只要可藉由不易引起室溫再結晶之高熔點金屬，尤其是作為電子零件的基底鍍覆之一般的鎳(熔點：1455℃)來填充微小孔或微小凹部，則不會引起孔隙的凝聚而能夠成為可靠度高之配線。
亦已探討嘗試以電解鎳鍍覆來填充凹部之作法。
於非專利文獻2中，係探討將各種添加劑加入於電解鎳鍍覆液時之溝槽內的填充性，並藉由添加硫脲來填充微小凹部(溝槽)。
然而，根據本發明人們的進一步試驗(後述實施例)，可得知非專利文獻2所記載之電解鎳鍍覆液的填充性仍為不足，無法抑制孔隙的產生，並且於析出物中產生裂痕，可得知其作為構造體仍為不良。
電子零件的細微化日益進展，於該公知的技術中，微小孔或微小凹部的填充性不足，期待可開發出一種不會產生孔隙等缺陷或裂痕等之鎳填充方法。
[非專利文獻1]表面技術Vol.52, No.1, pp.34-38(2001)
[非專利文獻2]電子學組裝學會誌, Vol.17, No.2, pp.143-148(2014)
本發明係鑑於上述先前技術而研創者，其課題在於提供一種於藉由鎳或鎳合金來填充電子電路零件內的微小孔或微小凹部時，可在不會產生孔隙或細縫等缺陷下進行填充之電解鎳(合金)鍍覆液，此外，本發明另提供一種使用該電解鎳(合金)鍍覆液之鎳或鎳合金鍍覆填充方法、微小三維構造體的製造方法。
此外，本發明之課題在於提供一種可將會在重疊2個以上的電子零件彼此時所產生之微小間隙部予以填充，且可牢固地接合電子零件彼此之電解鎳(合金)鍍覆液，以及使用該電解鎳(合金)鍍覆液之電子零件接合體的製造方法。
本發明者係為了解決上述課題而進行精心探討，結果發現，藉由使用含有特定的N取代吡啶鎓化合物之電解鎳鍍覆液來進行電解鍍覆，可在不會產生孔隙等缺陷下，將鎳填充於微小孔或微小凹部內，遂完成本發明。
亦即，本發明係提供一種電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液，其含有：鎳鹽、pH緩衝劑、以及以下述通式(A)所表示之N取代吡啶鎓化合物。
[通式(A)中，-R1為碳數1至6的烷基、烷胺基或氰基烷基、胺基(-NH2)或氰基；-R2為氫原子、碳數1至6的烷基或羥烷基、乙烯基、甲氧基羰基(-CO-O-CH3)、胺甲醯基(-CO-NH2)、二甲基胺甲醯氧基(-O-CO-N(CH3)2)或醛肟基(-CH=NOH)；X-為任意的陰離子]
此外，本發明係提供一種電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液，其含有：鎳鹽、pH緩衝劑、以及以下述通式(B)所表示之N取代吡啶鎓化合物。
[通式(B)中，-R3為氫原子或羥基(-OH)；-R4為氫原子、碳數1至6的烷基、乙烯基或胺甲醯基(-CO-NH2)；m為0、1或2]
此外，本發明係提供一種鎳析出物或鎳合金析出物的製造方法，其係使用上述電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液來進行電解鍍覆。
此外，本發明係提供一種於微小孔或微小凹部中填充有鎳析出物或鎳合金析出物之電子零件的製造方法，其係使用上述電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液來進行電解鍍覆。
此外，本發明係提供一種於微小孔或微小 凹部中填充有鎳析出物或鎳合金析出物之電子零件的製造方法，其係預先對電子零件內所形成之微小孔或微小凹部的表面施予電解鍍覆用晶種層後，將該電子零件浸漬在上述電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液中，並使用外部電源來進行電解鍍覆。
此外，本發明係提供一種微小三維構造體的製造方法，其包括：藉由上述製造方法而對微小孔或微小凹部進行鍍覆填充之步驟。
此外，本發明係提供一種電子零件接合體的製造方法，其係重疊2個以上的電子零件，在電子零件彼此之間形成有微小間隙部之狀態下，將該2個以上的電子零件浸漬在上述電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液中，並使用外部電源來進行電解鍍覆以填充該微小間隙部。
此外，本發明係提供一種電子零件接合體，其係藉由鎳或鎳合金而接合有2個以上的電子零件之電子零件接合體，其中，於形成於電子零件彼此之間之微小間隙部附近，係析出有較其他部位更多的鎳或鎳合金。
此外，本發明係提供一種單面的電子零件接合用端子，係由鎳或鎳合金所構成之電子零件接合用端子，具備：於厚度1mm以下的基材中，在大致垂直於該基材的基材面之方向以未貫通該基材之方式埋入之栓塞部；以及，具有較該栓塞部的外徑更大之外徑且與該栓塞部抵接之封蓋部；並且該封蓋部的外徑為200μm以下，該封蓋部係呈現突出於較該基材的基材面之形狀。
此外，本發明係提供一種雙面的電子零件接合用端子，其係由鎳或鎳合金所構成之電子零件接合用端子，具備：於厚度1mm以下的基材中，在大致垂直於該基材的基材面之方向以貫通該基材之方式埋入之栓塞部；以及，具有較該栓塞部的外徑更大之外徑且分別與該栓塞部的兩端抵接之2個封蓋部；並且2個封蓋部的外徑皆為200μm以下，2個封蓋部係呈現突出於該基材的各基材面之形狀。
此外，本發明係提供一種單面的電子零件接合用端子，其係由鎳或鎳合金所構成之電子零件接合用端子，且係由：於厚度1mm以下的基材中，在大致垂直於該基材的基材面之方向以未貫通該基材之方式埋入之栓塞部所構成者；該栓塞部的外徑為100μm以下。
此外，本發明係提供一種雙面的電子零件接合用端子，其係由鎳或鎳合金所構成之電子零件接合用端子，且係由：於厚度1mm以下的基材中，在大致垂直於該基材的基材面之方向以貫通該基材之方式埋入之栓塞部所構成者；該栓塞部的外徑為100μm以下。
根據本發明，藉由使用鎳鍍覆或鎳合金鍍覆，可在不會產生孔隙或細縫等缺陷下填充電子電路零件內的微小孔或微小凹部。
本發明中，由於可藉由熔點高且不易引起室溫再結晶之鎳來填充微小孔或微小凹部，故即使配線更 進一步細微化，亦不易引起伴隨著孔隙的凝聚之缺陷，而能夠廣泛地應用在持續細微化之三維配線形成或三維MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統)零件等。
此外，本發明中，由於可使鎳析出於微小部分，所以可增加在重疊電子零件彼此時所產生之微小間隙部的鎳析出量，而能夠牢固地接合電子零件彼此。
1‧‧‧評估用印刷基板
10‧‧‧被鍍覆部周邊
11‧‧‧基材
12‧‧‧增層樹脂
13‧‧‧銅箔
14‧‧‧盲孔
15‧‧‧晶種層
16‧‧‧乾膜光阻
17‧‧‧墊
18‧‧‧析出鎳(合金)
V‧‧‧孔隙
20‧‧‧電子零件試樣
21‧‧‧銅線
22‧‧‧銅板
22a‧‧‧遮蔽材
23‧‧‧輔助具
24‧‧‧微小間隙部
30‧‧‧微小孔/微小凹部
31‧‧‧周緣部
40‧‧‧電子零件接合用端子
41‧‧‧栓塞部
42‧‧‧封蓋部
第1圖為顯示實施例所使用之評估用印刷基板之被鍍覆部周邊的剖面之示意圖。
第2圖為實施例所使用之評估用印刷基板的表面之配線圖案之照片。
第3圖為顯示實施例所使用之評估用電子零件(銅線與銅板)之接合前的剖面之示意圖。
第4圖為鍍覆填充後之基板剖面之顯微鏡照片(實施例1)。
第5圖為鍍覆填充後之基板剖面之顯微鏡照片(實施例2)。
第6圖為鍍覆填充後之基板剖面之顯微鏡照片(實施例3)。
第7圖為鍍覆填充後之基板剖面之顯微鏡照片(實施例4)。
第8圖為鍍覆填充後之基板剖面之顯微鏡照片(實施 例5)。
第9圖為鍍覆填充後之基板剖面之顯微鏡照片(實施例6)。
第10圖為鍍覆填充後之基板剖面之顯微鏡照片(比較例1)。
第11圖為鍍覆填充後之基板剖面之顯微鏡照片(比較例2)。
第12圖為鍍覆填充後之基板剖面之顯微鏡照片(比較例3)。
第13圖為鍍覆填充後之銅線與銅板的剖面之顯微鏡照片(實施例7)。
第14圖為鍍覆填充後之銅線與銅板的剖面之顯微鏡照片(實施例8)。
第15圖為鍍覆填充後之銅線與銅板的剖面之顯微鏡照片(比較例4)。
第16圖為顯示藉由本發明之方法將鎳(合金)析出物填充於微小孔或微小凹部時之基材剖面之示意圖。
第17圖為顯示本發明之單面的電子零件接合用端子的一例之示意圖。
第18圖為顯示本發明之雙面的電子零件接合用端子的一例之示意圖。
第19圖為顯示本發明之單面的電子零件接合用端子的一例之示意圖。
第20圖為顯示本發明之雙面的電子零件接合用端子 的一例之示意圖。
以下說明本發明，惟本發明並不限定於以下實施形態，可任意地變形而實施。
本發明之電解鎳(合金)鍍覆液(以下有時簡稱為「本發明之鍍覆液」)，係含有：鎳鹽、pH緩衝劑、以及以下述通式(A)或下述通式(B)所表示之N取代吡啶鎓化合物。
[通式(A)中，-R1為碳數1至6的烷基、烷胺基或氰基烷基、胺基(-NH2)或氰基；-R2為氫原子、碳數1至6的烷基或羥烷基、乙烯基、甲氧羰基(-CO-O-CH3)、胺甲醯基(-CO-NH2)、二甲基胺甲醯氧基(-O-CO-N(CH3)2)或醛肟基(-CH=NOH)；X-為任意的陰離子]
[通式(B)中，-R3為氫原子或羥基(-OH)；-R4為氫原子、碳數1至6的烷基、乙烯基或胺甲醯基(-CO-NH2)；m為0、1或2]
本發明之鍍覆液所含有之鎳鹽，從水溶性或填充性之觀點來看，可列舉出硫酸鎳、胺基磺酸鎳、氯化鎳、溴化鎳、碳酸鎳、硝酸鎳、甲酸鎳、乙酸鎳、檸檬酸鎳及硼氟化鎳等，但並不限定於此等。
此等可單獨使用1種或混合2種以上使用。
上述鎳鹽的合計含量係以鎳離子計，較佳為10g/L以上180g/L以下，特佳為50g/L以上130g/L以下。
位於上述範圍內時，可使鎳的析出速度達到充分，此外，可在不會產生孔隙下填充微小孔或微小凹部。
本發明之鍍覆液所含有之pH緩衝劑，可列舉出硼酸、偏硼酸、乙酸、酒石酸及檸檬酸，或此等之鹽等，但並不限定於此等。
此等可單獨使用1種或混合2種以上使用。
pH緩衝劑的合計含量，較佳為1g/L以上100g/L以下，特佳為5g/L以上50g/L以下。
位於上述範圍內時，不易阻礙以上述通式(A)或通式(B)所表示之N取代吡啶鎓化合物(以下有時稱為「特定N取代吡啶鎓化合物」)的作用，可保持本發明之效果。
本發明之鍍覆液係含有特定N取代吡啶鎓化合物。
藉由特定N取代吡啶鎓化合物的作用，本發明之鍍覆液，可在不會產生孔隙下填充微小孔或微小凹部。
當上述通式(A)或通式(B)的R1、R2、R4為碳數1至6的烷基、烷胺基、氰基烷基或羥烷基時，R1、R2、R4可互為相異。此外，R1、R2、R4的碳數較佳為1至4，更佳為1至3，特佳為1或2。
上述通式(A)中，-R1的具體例可列舉出-CH3、-CH2CH3、-CH2CN等。
-R2的具體例可列舉出-H、-CH3、-C2H5、-CH2OH、-CH=CH2、-CONH2、-CH=NOH等。
X-的具體例可列舉出鹵化物離子(氯化物離子、溴化物離子、碘化物離子)等。
以上述通式(A)所表示之特定N取代吡啶鎓化合物的具體例，可列舉出1-甲基吡啶鎓、1-乙基吡啶鎓、1-丙基吡啶鎓、1-丁基吡啶鎓、1-戊基吡啶鎓、1-己基吡啶鎓、1-乙基-3-(羥甲基)吡啶鎓、1-乙基-4-(甲氧基羰基)吡啶鎓、1-丁基-4-甲基吡啶鎓、1-丁基-3-甲基吡啶鎓、1-甲基吡啶鎓-2-醛肟、3-胺甲醯基-1-甲基吡啶鎓、3-(二甲基胺甲醯氧基)-1-甲基吡啶鎓(吡啶斯狄明；pyridostigmine)、1-(氰基甲基)吡啶鎓的鹵化物等的鹵化物(氯化物、溴化物、碘化物)等。
上述通式(B)中，-R4的具體例可列舉出與-R2相同者。
以上述通式(B)所表示之特定N取代吡啶鎓 化合物的具體例，可列舉出1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓(1-(3-sulfonatopropyl)pyridinium)、1-(2-磺酸根乙基)吡啶鎓、1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-第三丁基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2,6-二甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-(胺基羰基)-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-甲基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-甲基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-甲基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓等。
「1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓」係於通式(B) 中-R3為氫原子、-R4為氫原子、m為1之化合物，且有「1-(3-磺酸基丙基)吡啶鎓氫氧化物分子內鹽」、「1-(3-磺酸基丙基)吡啶鎓」、「PPS」等之別名。
「2-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓」係於通式(B)中-R3為氫原子、-R4為鍵結於鄰位之乙烯基、m為1之化合物，且有「1-(3-磺酸基丙基)-2-乙烯基吡啶鎓氫氧化物分子內鹽」、「1-(3-磺酸基丙基)-2-乙烯基吡啶鎓甜菜鹼」、「PPV」等之別名。
「1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓」係於通式(B)中-R3為羥基、-R4為氫原子、m為1之化合物，且有「1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓氫氧化物分子內鹽」、「1-(2-羥基-3-磺酸基丙基)吡啶鎓甜菜鹼」、「PPSOH」等之別名。
特定N取代吡啶鎓化合物，可單獨使用1種或混合2種以上使用。
此外，本發明之鍍覆液中之特定N取代吡啶鎓化合物的合計含量，較佳為0.01g/L以上100g/L以下，特佳為0.1g/L以上10g/L以下。
位於上述範圍內時，可增加微小孔或微小凹部之外部的鎳析出量，可在不會產生孔隙下填充於微小孔或微小凹部。
當本發明之鍍覆液為電解鎳合金鍍覆液時，關於與鎳之合金用的金屬離子，例如可列舉出鎢、鉬、鈷、錳、鐵、鋅、錫、銅、鈀、金等。此等金屬源，可使用公知的化合物。
此外，雖非金屬，但亦可於鎳或鎳合金皮膜中含有碳、硫、氮、磷、硼、氯、溴等。
本發明之鍍覆液中，在不阻礙本發明的效果之範圍內，可視需要添加抗凹劑、1次光澤劑、2次光澤劑、界面活性劑等。
本發明之鍍覆液，特別適合於用於電子電路零件內所形成之微小孔或微小凹部的填充，亦可使用於一般之鎳(合金)析出物的製造。
亦即，本發明亦關於一種鎳析出物或鎳合金析出物的製造方法，其係使用上述電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液來進行電解鍍覆。
如後述實施例所示，藉由本發明之鍍覆液來填充微小孔或微小凹部時，微小孔或微小凹部之內部的析出量係較微小孔或微小凹部之外部的析出量更多，可將鎳(或鎳合金)充分地埋入於微小孔或微小凹部。此外，不容易於微小孔或微小凹部的內部產生孔隙(孔)或細縫(溝槽)。
因此，在與鎳的高熔點互相配合下，藉由本發明之鍍覆液來填充微小孔或微小凹部而成之電子電路零件，乃令人期待具有高可靠度。
本發明亦關於一種於微小孔或微小凹部中填充有鎳 析出物或鎳合金析出物之電子零件的製造方法(亦即鎳析出物或鎳合金析出物的填充方法)，其係使用前述電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液來進行電解鍍覆。
此外，本發明亦為一種於微小孔或微小凹部中填充有鎳析出物或鎳合金析出物之電子零件的製造方法，其係預先對電子零件內所形成之微小孔或微小凹部的表面施予電解鍍覆用晶種層後，將該電子零件浸漬在前述電解鎳(合金)鍍覆液中，並使用外部電源來進行電解鍍覆。
再者，本發明亦為一種微小三維構造體的製造方法，其特徵為包括：藉由上述製造方法對微小孔或微小凹部進行鍍覆填充之步驟。
所謂「微小孔或微小凹部」，為半導體或印刷基板等電子電路零件內所形成之導孔、貫通孔、溝槽等之微小的凹入部分，意指藉由電解鍍覆等來填充金屬而發揮作為配線部的功能之部分，從上方觀看所得之形狀並無限定。此外，關於「微小孔」可為貫通者或未貫通者。
於實施本發明時，必須於電子電路零件內的被鍍覆基板上形成微小孔或微小凹部。
被鍍覆基材並無特別限制，具體可列舉出電子電路零件常用之玻璃環氧材料、BT(Bismaleimide-Triazine：雙馬來亞醯胺-三
)樹脂材料、聚丙烯材料、聚醯亞胺材料、陶瓷材料，矽材料、金屬材料、玻璃材料等。
將微小孔或微小凹部形成於被鍍覆基材之 方法並無限制，可適當地使用公知的方法。例如可列舉出藉由雷射加工或離子蝕刻所進行之方法，可藉由開口部為10μm以下、深寬比為0.5以上的深度來形成微小凹部。
然後，可視需要藉由光阻等將圖案形成於被鍍覆基材表面。
形成微小凹部後之被鍍覆基材為絕緣基材時，將電解鍍覆用晶種層形成於基材表面與微小凹部的內表面。晶種層的形成方法並無限制，具體可列舉出藉由濺鍍所進行之金屬堆積或無電解鍍覆法等。
構成晶種層之金屬並無特別限制，可例示出銅、鎳、鈀等。
形成電解鍍覆用晶種層後，將被鍍覆基材浸漬在本發明之電解鎳(合金)鍍覆液中，並使用外部電源來實施電解鎳(合金)鍍覆，而將鎳或鎳合金填充於微小孔或微小凹部。
在對晶種層形成後暫時乾燥過之被鍍覆基材進行鍍覆時，只要依照通常方法進行脫脂、酸洗淨後，使用本發明之鍍覆液進行鍍覆即可。
在此，所謂微小孔或微小凹部的「填充」係意指在不會產生較大孔隙(孔)下埋入微小孔或微小凹部之情形，但「填充」也包括下述情形：微小孔或微小凹部未完全埋入之情形(例如第16圖(b)或第19圖(c)等所示，雖然鎳(合金)析出於微小孔或微小凹部，但存在有凹入的部分之情形)，或是鎳或鎳合金析出至微小孔或微小凹部之 外側的周緣部之情形(第16圖(a)等之情形)。
本發明之填充方法中，於使用外部電源來進行電解鍍覆時，可使微小孔或微小凹部30內部的最小鍍覆剖面膜厚(第16圖中的X2)大於微小孔或微小凹部30的外側之周緣部31的鍍覆最大剖面膜厚(第16圖中的X1)。
亦即，本發明之填充方法中，可於微小孔或微小凹部30內部中增加鎳(合金)的析出量。
藉由本發明之填充方法，將鎳(合金)填充於微小孔或微小凹部30內部時，如第16圖(a)所示，可使微小孔或微小凹部30完全被鎳(合金)埋入，亦可如第16圖(b)所示，使一部分未埋入(反凸型的形狀)。
藉由包括以本發明之鎳或鎳合金鍍覆填充方法而對微小孔或微小凹部進行鍍覆填充之步驟之方法，可製造出微小孔或微小凹部經鎳或鎳合金填充後之微小三維電路配線或微小三維構造體。
鍍覆溫度較佳為30℃以上，特佳為40℃以上。此外，較佳為70℃以下，特佳為60℃以下。
位於上述範圍內時，微小孔或微小凹部的填充性優異，成本上亦為有利。
鍍覆時的電流密度較佳為0.1A/dm2以上，特佳為1A/dm2以上。此外，較佳為10A/dm2以下，特佳為5A/dm2以下。
位於上述範圍內時，微小孔或微小凹部的填充性優異，成本上亦為有利。
此外，關於電流密度，於鍍覆填充時可經常保持一定或非一定(例如降低初期的電流密度，並緩慢提高電流密度；或是設為脈衝電流等)。
電流密度於鍍覆填充時經常保持為一定(或於鍍覆填充的大部分時間中保持為一定)者，可不會產生孔隙而容易填充，故較佳。
鍍覆時間較佳為5分鐘以上，特佳為10分鐘以上。此外，較佳為360分鐘以下，特佳為60分鐘以下。
位於上述範圍內時，微小孔或微小凹部的填充性優異，成本上亦為有利。
本發明亦為一種電子零件接合體的製造方法，其係重疊2個以上的電子零件，在電子零件彼此之間形成有微小間隙部之狀態下，將該2個以上的電子零件浸漬在前述電解鎳(合金)鍍覆液中，並使用外部電源來進行電解鍍覆以填充該微小間隙部。
所謂「電子零件」係意指表面組裝於電子電路上之零件。所謂「電子零件接合體」係意指2個以上的電子零件接合而成為一體者。
對電子零件表面進行鍍覆並接合複數個電子零件(製作電子零件接合體)時，當均一地進行鍍覆成長時，於電子零件彼此間的微小間隙部附近，會有強度變得不足，產生不良情況之情形。
藉由本發明之電解鎳(合金)鍍覆液來進行鍍覆時，可於此微小間隙部附近，使鎳或鎳合金的析出量變多。
亦即，根據本發明，可得到一種電子零件接合體，係藉由鎳或鎳合金來接合2個以上的電子零件之電子零件接合體，其中，於形成於電子零件彼此之間之微小間隙部附近，係析出較其他部位更多的鎳或鎳合金。
於本發明之電子零件接合體之微小間隙部附近，由於鎳或鎳合金的析出量多，所以於電子零件彼此的接合部分具有充分的強度且可靠度高。
藉由本發明來製造電子零件接合體時之鍍覆溫度，較佳為30℃以上，特佳為40℃以上。此外，較佳為70℃以下，特佳為60℃以下。
位於上述範圍內時，微小間隙部附近之鎳或鎳合金的析出量充足，容易提升接合強度。
藉由本發明來製造電子零件接合體時之電流密度，較佳為0.1A/dm2以上，特佳為1A/dm2以上。此外，較佳為10A/dm2以下，特佳為5A/dm2以下。
位於上述範圍內時，微小間隙部附近之鎳或鎳合金的析出量充足，容易提升接合強度。
此外，關於電流密度，於鍍覆填充時可經常保持一定或非一定(例如降低初期的電流密度，並緩慢提高電流密度；或是設為脈衝電流等)。
電流密度於鍍覆填充時經常保持為一定(或於鍍覆填 充的大部分時間中保持為一定)者，從接合強度之觀點來看為較佳者。
鍍覆時間較佳為5分鐘以上，特佳為10分鐘以上。此外，較佳為360分鐘以下，特佳為60分鐘以下。
位於上述範圍內時，接合強度優異，成本上亦為有利。
本發明亦關於一種電子零件接合用端子，係於具有微小孔或微小凹部之基材中，在大致垂直於基材11的基材面之方向(60°至90°方向)上所埋入之孔隙(孔)較少者。
本發明之電子零件接合用端子40，係由鎳或鎳合金所構成。藉由使用前述本發明之電解鎳(合金)鍍覆液，可容易形成本發明之電子零件接合用端子。
本發明之電子零件接合用端子40，係埋入於厚度1mm以下的基材11中。
電子零件接合用端子40，可為如第17圖或第19圖所示之單面(未貫通基材11)的電子零件接合用端子，或是如第18圖或第20圖所示之雙面(貫通基材11)的電子零件接合用端子。
第17圖所示者係單面的電子零件接合用端子40，其具備：在大致垂直於基材11的基材面之方向以未貫通基材11之方式埋入之栓塞部41；以及，與該栓塞部41抵接之封蓋部42。
封蓋部42係呈現突出於較基材11的基材面之形狀， 其外徑較栓塞部41的外徑更大，且為200μm以下。
栓塞部41或封蓋部42之平行於基材面的剖面通常為圓形狀，但為非圓形狀時，所謂「外徑」係意指等面積之圓的外徑(以下，於第18圖至第20圖所示之電子零件接合用端子40中亦相同)。
第18圖所示者係雙面的電子零件接合用端子40，其具備：在大致垂直於基材11的基材面之方向以貫通基材11之方式埋入之栓塞部41；以及，分別與該栓塞部41的兩端抵接之2個封蓋部42。
2個封蓋部42係分別呈現突出於基材11的各基材面之形狀，2個封蓋部42的外徑皆較栓塞部41的外徑更大，且皆為200μm以下。
第19圖所示者係單面的電子零件接合用端子40，其係由：在大致垂直於基材11的基材面之方向以未貫通基材11之方式埋入之栓塞部41所構成者。栓塞部41的外徑為100μm以下。
栓塞部41的端部，可如第19圖(a)所示般從基材11的基材面突出，或是如第19圖(b)所示般與基材11的基材面為相同高度，或是如第19圖(c)所示般較基材11的基材面更埋入。
第20圖所示者係雙面的電子零件接合用端子40，其係由：在大致垂直於基材11的基材面之方向以貫通基材11之方式埋入之栓塞部41所構成者。栓塞部41的外徑為100μm以下。
栓塞部41的端部，可如第20圖(a)所示般從基材11的基材面突出，或是如第20圖(b)所示般與基材11的基材面為相同高度，或是如第20圖(c)所示般較基材11的基材面更埋入。
要製造出埋入於1mm以下之厚度的基材中，且栓塞部41的外徑為100μm以下或封蓋部42的外徑為200μm以下之大小的鎳(合金)製的電子零件接合用端子乙事，於以往的技術中為不可能者。藉由使用前述本發明之電解鎳(合金)鍍覆液來進行鍍覆，可抑制鎳(合金)析出物中之孔隙的產生，而能夠良率良好地製造此種大小的電子零件接合用端子。
使用本發明之電解鎳(合金)鍍覆液來進行電子零件接合用端子的製造時，即使針對0.8mm以下之較薄的基板，或是0.5mm以下之更薄的基板，亦容易埋入電子零件接合用端子。
此外，可容易製造出具有外徑較小之70μm以下，或外徑更小之50μm以下的栓塞部之電子零件接合用端子，或是製造出具有外徑較小之150μm以下，或外徑更小之100μm以下的封蓋部之電子零件接合用端子。
於電子零件接合用端子40的栓塞部41中，較佳係不存在最大寬度大於10μm之孔隙。
藉由使用前述本發明之電解鎳(合金)鍍覆液，可容易形成無如此大的孔隙之栓塞部。
藉由使用本發明之電解鎳(合金)鍍覆液來 進行鍍覆以製造上述電子零件接合用端子時之較佳條件(鍍覆溫度、電流密度等)，係與在前述〈填充有鎳(合金)之電子零件的製造方法、微小三維構造體的製造方法〉一欄中所示之條件幾乎相同。
以下係列舉實施例及比較例來更具體說明本發明，惟本發明在不脫離其主旨之範圍內，並不限定於此等實施例及比較例。
實施例1至6、比較例1至3
作為微小凹部的模型，係使用具有深寬比0.88(
45μm×40μmD)的雷射導孔之12mm見方的評估用印刷基板(Japan Circuit股份有限公司製)。
被鍍覆部周邊10的剖面圖如第1圖所示。於厚度0.4mm之BT(Bismaleimide-Triazine)製的基材11的導通孔形成部分貼附厚度12μm的銅箔13後，積層厚度60μm之預浸型式的增層樹脂12，然後藉由雷射來製作
45μm、深度40μm的盲孔(以下有時簡稱為「導通孔」或「導孔」)14，並藉由無電解銅鍍覆，於基板外表面(增層樹脂12的表面)及導孔14的內壁面形成約1μm的晶種層15。
然後藉由厚度25μm的乾膜光阻(DFR：Dry Film Resist)16來形成第2圖所示之配線圖案，使具有導孔14之墊(開 口部)17(
190μm)開口後，以此作為評估用印刷基板1。
第2圖中，白色部為銅鍍覆部，黑色部為乾膜光阻部。白色部中，與配線連接之大小最大的圓形部分係相當於第1圖的圓形墊17(
190μm)。於圓形墊17的整體形成第1圖所示之屬於微小凹部的導孔14。
以分別成為胺基磺酸鎳600g/L、氯化鎳10g/L、硼酸30g/L之方式溶解於脫離子水中，而調製出電解鎳鍍覆液。
將第1表所示之添加劑，以成為第1表所示之添加量之方式添加於上述電解鎳鍍覆液中並溶解。
接著加入適量之100g/L的胺基磺酸水溶液以將pH調整至3.6，而調製出本發明之電解鎳鍍覆液。
藉由第2表所示之步驟，對上述評估用印刷基板1進行電解鎳鍍覆。在電解鎳鍍覆步驟中，係使用外部電源並使電流密度成為1.0A/dm2。
鍍覆面積係以包含導孔14的側面之表面積來計算。
將鍍覆後的基板埋入於研磨用的樹脂並固定後，進行剖面研磨，以金屬顯微鏡來觀察導孔的填充程度。
關於填充性，係將導通孔內部的析出量較導通孔外部的析出量更多之狀態，且於導通孔內部未觀測到孔隙(孔)或細縫(溝槽)者判為「○」，除此之外者判為「×」。
此外，觀測於導通孔外部是否有產生裂痕(龜裂)。
將填充性為「○」且未產生裂痕者評估為「良好」，除此之外者評估為「×」。
鍍覆填充後之基板剖面的顯微鏡照片如第4圖至第12圖所示。此外，評估結果如第3表所示。
實施例1至6中，關於析出鎳18的量，與導通孔外部相比，屬於微小凹部之導通孔的內部係較多，且未產生孔隙或細縫而良好地填充。此外，於導通孔外部未觀察到裂痕。
比較例1中，於導通孔內部與外部，析出鎳18的量為同等程度之保形鍍覆(跟隨鍍覆)，填充性不良。
比較例2中，於導孔內部具有最大寬度14μm的孔隙V，填充性不良。
比較例3中，於導孔內部無孔隙，填充性良好，但析出部非常脆弱而產生裂痕，於研磨後，在導孔 上半部觀察到析出鎳18的顯著剝離。因此，就微小三維構造體而言為不良。
如實施例1至6、比較例1至3的結果所示，藉由含有以通式(A)或通式(B)所表示之N取代吡啶鎓化合物之電解鎳鍍覆液來進行電解鍍覆，可藉由鎳而將電子零件內所形成之微小孔良好地填充，而能夠製作微小三維構造體。
實施例7至8、比較例4
作為要接合之電子零件的模型，係使用銅線(
0.9mm)與背面經遮蔽後之銅板(20mm×20mm×0.3mmt)。
如第3圖所示，準備2片之藉由遮蔽材22a遮蔽背面側後之銅板22，以2片銅板22之未遮蔽的面來夾持銅線21，並以輔助具23固定，而製作出於銅線21與銅板22之間形成有微小間隙部24之電子零件試樣20。
以分別成為胺基磺酸鎳600g/L、氯化鎳10g/L、硼酸30g/L之方式溶解於脫離子水中，而調製出電解鎳鍍覆液。
將第4表所示之添加劑，以成為第4表所示之添加量之方式添加於上述電解鎳鍍覆液中並溶解。
接著加入適量之100g/L的胺基磺酸水溶液以將pH調整至3.6，而調製出本發明之電解鎳鍍覆液。
以使銅線21的直線方向與鍍覆液面垂直之方式，將上述電子零件試樣浸漬在上述電解鎳鍍覆液中，並藉由第5表所示之步驟來進行電解鎳鍍覆。鎳陽極係於遮蔽材22a的外側分別設置1片並使此等相對向。電解鎳鍍覆步驟中，使用外部電源並使電流密度成為1.0A/dm2。
鍍覆面積僅設為銅板22的表面積。
將鍍覆後的電子零件試樣(接合體)埋入於研磨用的樹脂並固定後，進行剖面研磨，以金屬顯微鏡來觀察銅線21與銅板22的接合狀態。
關於接合性，係將銅線21與銅板22所接觸之微小間隙部24的鎳鍍覆厚度較其他部分更厚者判為「○」，除此之外者判為「×」。
鍍覆填充後之電子零件試樣(接合體)剖面的顯微鏡照片如第13圖至第15圖所示。此外，評估結果如第6表所示。
實施例7至8中，關於析出鎳18的量，銅線21與銅板22所接觸之微小間隙部24係較其他部分更多，可更牢固地接合。
比較例4中，於全體部位上為厚度幾乎均一的鍍覆，接合性不良。
如實施例7至8、比較例4的結果所示，藉由含有以通式(A)或通式(B)所表示之N取代吡啶鎓化合物 之電解鎳鍍覆液來進行電解鍍覆，可藉由更厚的鎳來鍍覆微小零件的接合部位，而能夠更牢固地進行接合。
本發明之含有特定N取代吡啶鎓化合物之電解鎳(合金)鍍覆液，能夠以高可靠度來填充電子電路零件內的微小孔或微小凹部，並且可牢固地接合電子零件彼此，因此可對應於配線之更進一步的細微化，故可廣泛地應用在三維配線形成或三維MEMS零件等。
本案圖式僅表示試驗時所使用之基板的狀況，不足以代表本案申請專利範圍所請發明之技術特徵。故本案無指定代表圖。
Claims (20)
- 一種電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液，其含有：鎳鹽、pH緩衝劑、以及以下述通式(A)所表示之N取代吡啶鎓化合物；
或
之情形。
- 如申請專利範圍第1項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液，其中，X-為鹵化物離子。
- 如申請專利範圍第2項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液，其中，以通式(A)所表示之N取代吡啶鎓化合物係選自由1-甲基吡啶鎓的鹵化物、1-乙基吡啶鎓的鹵化物、1-丙基吡啶鎓的鹵化物、1-丁基吡啶鎓的鹵化物、1-乙基-3-(羥甲基)吡啶鎓的鹵化物、1-乙基-4-(甲 氧基羰基)吡啶鎓的鹵化物、1-丁基-4-甲基吡啶鎓的鹵化物、1-丁基-3-甲基吡啶鎓的鹵化物、1-甲基吡啶鎓-2-醛肟的鹵化物、3-胺甲醯基-1-甲基吡啶鎓的鹵化物、3-(二甲基胺甲醯氧基)-1-甲基吡啶鎓的鹵化物及1-(氰基甲基)吡啶鎓的鹵化物所組成之群組之1種以上的化合物。
- 一種電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液，其含有：鎳鹽、pH緩衝劑、以及以下述通式(B)所表示之N取代吡啶鎓化合物；在為電解鎳合金鍍覆液時，與鎳之合金用的金屬離子為鎢、鉬、錳、鐵、鋅、錫、銅、鈀或金；
- 如申請專利範圍第4項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液，其中，以通式(B)所表示之N取代吡啶鎓化合物係選自由1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、1-(2-磺酸根乙基)吡啶鎓、1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶 鎓、4-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-第三丁基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2,6-二甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-(胺基羰基)-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-甲基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-甲基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-甲基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓及4-乙基-1-(2-羥基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓所組成之群組之1種以上的化合物。
- 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液，其中，上述鎳鹽係選自由硫酸鎳、胺基磺酸鎳、氯化鎳、溴化鎳、碳酸鎳、硝酸鎳、甲酸鎳、乙酸鎳、檸檬酸鎳及硼氟化鎳所組成之群組的1種以上。
- 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液，其中，上述pH緩衝劑係選自由硼酸、偏硼酸、乙酸、酒石酸及檸檬酸以及此等之鹽所組成之群組的1種以上。
- 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液，其係用於填充形成於電子零件內之微小孔或微小凹部、或是重疊電子零件彼此時所產生之微小間隙部者。
- 一種鎳析出物或鎳合金析出物的製造方法，其係使用申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液來進行電解鍍覆。
- 一種於微小孔或微小凹部中填充有鎳析出物或鎳合金析出物之電子零件的製造方法，其係使用申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液來進行電解鍍覆。
- 一種於微小孔或微小凹部中填充有鎳析出物或鎳合金析出物之電子零件的製造方法，其係預先對電子零件內所形成之微小孔或微小凹部的表面施予電解鍍覆用晶種層後，將該電子零件浸漬在申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液中，並使用外部電源來進行電解鍍覆。
- 如申請專利範圍第11項所述之於微小孔或微小凹部中填充有鎳析出物或鎳合金析出物之電子零件的製造方法，其係於使用外部電源來進行電解鍍覆時，使微小孔 或微小凹部內部的最小鍍覆剖面膜厚X2大於微小孔或微小凹部的外側之周緣部的鍍覆最大剖面膜厚X1。
- 一種微小三維構造體的製造方法，其包括：藉由申請專利範圍第10項至第12項中任一項所述之製造方法而對微小孔或微小凹部進行鍍覆填充之步驟。
- 一種電子零件接合體的製造方法，其係重疊2個以上的電子零件，在電子零件彼此之間形成有微小間隙部之狀態下，將該2個以上的電子零件浸漬在申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液中，並使用外部電源來進行電解鍍覆以填充該微小間隙部。
- 一種電子零件接合體，其係使用申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液所形成的藉由鎳或鎳合金而接合有2個以上的電子零件之電子零件接合體，其中，於形成於電子零件彼此之間之微小間隙部附近，係析出有較其他部位更多的鎳或鎳合金。
- 一種單面的電子零件接合用端子，係使用申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液所形成的由鎳或鎳合金所構成之電子零件接合用端子，具備：於厚度1mm以下的基材中，在大致垂直於該基材的基材面之方向以未貫通該基材之方式埋入之栓塞部；以及，具有較該栓塞部的外徑更大之外徑且與該栓塞部抵接之封蓋部；並且該封蓋部的外徑 為200μm以下，該封蓋部係呈現突出於該基材的基材面之形狀。
- 一種雙面的電子零件接合用端子，其係使用申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液所形成的由鎳或鎳合金所構成之電子零件接合用端子，具備：於厚度1mm以下的基材中，在大致垂直於該基材的基材面之方向以貫通該基材之方式埋入之栓塞部；以及，具有較該栓塞部的外徑更大之外徑且分別與該栓塞部的兩端抵接之2個封蓋部；並且2個封蓋部的外徑皆為200μm以下，2個封蓋部係呈現突出於該基材的各基材面之形狀。
- 一種單面的電子零件接合用端子，其係使用申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液所形成的由鎳或鎳合金所構成之電子零件接合用端子，且係由：於厚度1mm以下的基材中，在大致垂直於該基材的基材面之方向以未貫通該基材之方式埋入之栓塞部所構成者；該栓塞部的外徑為100μm以下。
- 一種雙面的電子零件接合用端子，其係使用申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之電解鎳鍍覆液或電解鎳合金鍍覆液所形成的由鎳或鎳合金所構成之電子零件接合用端子，且係由：於厚度1mm以下的基材中，在大致垂直於該基材的基材面之方向以貫通該基材之方式埋入之栓塞部所構成者；該栓塞部的外徑為100μm 以下。
- 如申請專利範圍第16項至第19項中任一項所述之電子零件接合用端子，其中，於上述栓塞部中不存在最大寬度大於10μm之孔隙。
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