CN114262917A - 电解镍(合金)镀覆液 - Google Patents
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Abstract
本发明的课题在于提供一种电解镍(合金)镀覆液,是在通过镍或镍合金(18)来填充电子电路零件内的微小孔或微小凹部(14)时,可在不会产生孔隙或细缝等缺陷下进行填充,且于接合2个以上电子零件时,通过填充微小间隙部,可令电子零件牢固地彼此接合。此外,该课题在于提供一种使用该电解镍(合金)镀覆液的镍或镍合金镀覆填充方法、微小三维构造体的制造方法、电子零件接合体及其制造方法。通过使用含有特定的N‑取代吡啶鎓化合物的电解镍(合金)镀覆液来填充微小孔或微小凹部(14),可解决上述课题。
Description
本发明是中国专利申请号为201780070617.2,发明名称为“电解镍(合金)镀覆液”,国际申请日为2017年11月22日的进入中国的PCT专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液(以下有时将其总称为“电解镍(合金)镀覆液”。此外,有时将通过使用电解镍(合金)镀覆液所析出的“镍或镍合金”称为“镍(合金)”),更详细而言,涉及特别适合用于电子零件内的微小孔或微小凹部的镀覆填充,以及将2个以上电子零件彼此重叠时所产生的微小间隙部的镀覆填充的电解镍(合金)镀覆液。
此外,本发明涉及使用该电解镍(合金)镀覆液的微小孔或微小凹部的镀覆填充方法,及微小三维构造体的制造方法、电子零件接合体或该制造方法等。
背景技术
以半导体或印刷基板为代表的电子电路零件(以下有时仅称为“电子零件”),具有用以配线形成的导孔、贯通孔、沟槽等的微小孔或微小凹部。于以往层积有多层电路基板的多层印刷基板的制造中,对导孔的壁面进行保形(conformal)铜镀覆(跟随镀覆)后,以不一致的排列配置与其它层连接的交错导孔构造乃成为主流。然而,伴随着近年来的电子机器的小型化、高机能化,依据以铜镀覆来填充导孔并直接与其它层重叠以进行层间连接的堆叠导孔构造所带来的省空间化,乃变得不可或缺。
电解铜镀覆的填充技术,亦适用于半导体制造技术,而出现了称为镶嵌制程(damascene process)或硅贯通电极(TSV:Through Silicon Via;硅穿孔)的技术,可通过电解铜镀覆来填充导孔而三维地形成配线构造。
微小孔或微小凹部的填充用的电解铜镀覆液,通过含有多种添加剂,并最适地控制此等的浓度均衡而填充导孔,但即使可在不产生约数μm的微孔隙的情况下进行填充,亦具有残留nm等级的微孔隙的问题的添加剂的副作用。铜为人所知,为熔点不高的金属(1083℃),即使于电解铜镀覆后的室温放置下,亦会引起再结晶。于此再结晶过程中,nm等级的微孔隙凝聚,结果导致巨型孔隙的形成的问题。
例如于非专利文献1中,记载了于铜皮膜中导入有一部分作为添加剂的聚乙二醇(PEG:Polyethylene Glycol),于铜皮膜中产生nm等级的微孔隙,并且于铜的再结晶过程中,由于室温放置而形成直径达70nm的大型孔隙的内容。
因此,使用电解铜镀覆液的铜填充方法中潜藏着如此课题,于配线更进一步的细微化时,由于伴随着微孔隙凝聚的孔隙成长或孔隙移动,而有配线可靠度的降低变得更显著的疑虑。
因此,本发明人推测:即使残留有起因于镀覆添加剂导致的微孔隙,只要可通过不易引起室温再结晶的高熔点金属,尤其是作为电子零件的基底镀覆的一般的镍(熔点:1455℃)来填充微小孔或微小凹部,则不会引起孔隙的凝聚而能够成为可靠度高的配线。
亦已探讨尝试以电解镍镀覆来填充凹部的作法。
非专利文献2中,探讨将各种添加剂加入于电解镍镀覆液时的沟槽内的填充性,并通过添加硫脲来填充微小凹部(沟槽)。
然而,根据本发明人们的进一步试验(后述实施例),可得知非专利文献2所记载的电解镍镀覆液的填充性仍为不足,无法抑制孔隙的产生,并且于析出物中产生裂痕,可得知其作为构造体仍为不良。
电子零件的细微化日益进展,于该公知的技术中,微小孔或微小凹部的填充性不足,期待可开发出一种不会产生孔隙等缺陷或裂痕等的镍填充方法。
[现有技术文献]
[非专利文献]
[非专利文献1]表面技术Vol.52,No.1,pp.34-38(2001)
[非专利文献2]电子学组装学会志,Vol.17,No.2,pp.143-148(2014)。
发明内容
(发明所欲解决的课题)
本发明鉴于上述现有技术而研创,其课题在于提供一种于通过镍或镍合金来填充电子电路零件内的微小孔或微小凹部时,可在不会产生孔隙或细缝等缺陷下进行填充的电解镍(合金)镀覆液,此外,本发明另提供一种使用该电解镍(合金)镀覆液的镍或镍合金镀覆填充方法、微小三维构造体的制造方法。
此外,本发明的课题在于提供一种可将会在令2个以上的电子零件彼此重叠时所产生的微小间隙部予以填充,且可牢固地接合电子零件彼此的电解镍(合金)镀覆液,以及使用该电解镍(合金)镀覆液的电子零件接合体的制造方法。
(用以解决课题的手段)
本发明人为了解决上述课题而进行精心探讨,结果发现,通过使用含有特定的N-取代吡啶鎓化合物的电解镍镀覆液来进行电解镀覆,可在不会产生孔隙等缺陷下,将镍填充于微小孔或微小凹部内,遂完成本发明。
即,本发明提供一种电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液,其含有:镍盐、pH缓冲剂、以及以下述通式(A)所表示的N-取代吡啶鎓化合物。
[通式(A)中,-R1为碳数1至6的烷基、烷胺基或氰基烷基、胺基(-NH2)或氰基;-R2为氢原子、碳数1至6的烷基或羟烷基、乙烯基、甲氧基羰基(-CO-O-CH3)、胺甲酰基(-CO-NH2)、二甲基胺甲酰氧基(-O-CO-N(CH3)2)或醛肟基(-CH=NOH);X-为任意的阴离子]
此外,本发明提供一种电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液,其含有:镍盐、pH缓冲剂、以及以下述通式(B)所表示的N-取代吡啶鎓化合物。
[通式(B)中,-R3为氢原子或羟基(-OH);-R4为氢原子、碳数1至6的烷基、乙烯基或胺甲酰基(-CO-NH2);m为0、1或2]
此外,本发明提供一种镍析出物或镍合金析出物的制造方法,其使用所述电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液来进行电解镀覆。
此外,本发明提供一种于微小孔或微小凹部中填充有镍析出物或镍合金析出物的电子零件的制造方法,其使用所述电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液来进行电解镀覆。
此外,本发明提供一种于微小孔或微小凹部中填充有镍析出物或镍合金析出物的电子零件的制造方法,其预先对电子零件内所形成的微小孔或微小凹部的表面施予电解镀覆用晶种层后,将该电子零件浸渍在所述电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液中,并使用外部电源来进行电解镀覆。
此外,本发明提供一种微小三维构造体的制造方法,其包括:通过所述制造方法而对微小孔或微小凹部进行镀覆填充的步骤。
此外,本发明提供一种电子零件接合体的制造方法,其重叠2个以上的电子零件,在电子零件彼此之间形成有微小间隙部的状态下,将该2个以上的电子零件浸渍在所述电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液中,并使用外部电源来进行电解镀覆以填充该微小间隙部。
此外,本发明提供一种电子零件接合体,是通过镍或镍合金而接合有2个以上电子零件的电子零件接合体,其中,于形成于电子零件彼此之间的微小间隙部附近,析出有较其它部位更多的镍或镍合金。
此外,本发明提供一种单面的电子零件接合用端子,是由镍或镍合金所构成的电子零件接合用端子,具备:于厚度1mm以下的基材中,在大致垂直于该基材的基材面的方向以未贯通该基材的方式埋入的栓塞部;以及,具有较该栓塞部的外径更大的外径且与该栓塞部抵接的封盖部;并且该封盖部的外径为200μm以下,该封盖部呈现突出于较该基材的基材面的形状。
此外,本发明提供一种双面的电子零件接合用端子,是由镍或镍合金所构成的电子零件接合用端子,具备:于厚度1mm以下的基材中,在大致垂直于该基材的基材面的方向以贯通该基材的方式埋入的栓塞部;以及,具有较该栓塞部的外径更大的外径且分别与该栓塞部的两端抵接的2个封盖部;并且2个封盖部的外径皆为200μm以下,2个封盖部呈现突出于该基材的各基材面的形状。
此外,本发明提供一种单面的电子零件接合用端子,是由镍或镍合金所构成的电子零件接合用端子,且由:于厚度1mm以下的基材中,在大致垂直于该基材的基材面的方向以未贯通该基材的方式埋入的栓塞部所构成;该栓塞部的外径为100μm以下。
此外,本发明提供一种双面的电子零件接合用端子,是由镍或镍合金所构成的电子零件接合用端子,且由:于厚度1mm以下的基材中,在大致垂直于该基材的基材面的方向以贯通该基材的方式埋入的栓塞部所构成;该栓塞部的外径为100μm以下。
(发明的效果)
根据本发明,通过使用镍镀覆或镍合金镀覆,可在不会产生孔隙或细缝等缺陷下填充电子电路零件内的微小孔或微小凹部。
本发明中,由于可通过熔点高且不易引起室温再结晶的镍来填充微小孔或微小凹部,故即使配线更进一步细微化,亦不易引起伴随着孔隙的凝聚的缺陷,而能够广泛地应用在持续细微化的三维配线形成或三维MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微机电系统)零件等。
此外,本发明中,由于可使镍析出于微小部分,所以可增加在将电子零件彼此重叠时所产生的微小间隙部的镍析出量,而能够牢固地接合电子零件彼此。
附图说明
图1为显示实施例所使用的评估用印刷基板的被镀覆部周边的剖面的示意图。
图2为实施例所使用的评估用印刷基板的表面的配线图案的照片。
图3为显示实施例所使用的评估用电子零件(铜线与铜板)的接合前的剖面的示意图。
图4为镀覆填充后的基板剖面的显微镜照片(实施例1)。
图5为镀覆填充后的基板剖面的显微镜照片(实施例2)。
图6为镀覆填充后的基板剖面的显微镜照片(实施例3)。
图7为镀覆填充后的基板剖面的显微镜照片(实施例4)。
图8为镀覆填充后的基板剖面的显微镜照片(实施例5)。
图9为镀覆填充后的基板剖面的显微镜照片(实施例6)。
图10为镀覆填充后的基板剖面的显微镜照片(比较例1)。
图11为镀覆填充后的基板剖面的显微镜照片(比较例2)。
图12为镀覆填充后的基板剖面的显微镜照片(比较例3)。
图13为镀覆填充后的铜线与铜板的剖面的显微镜照片(实施例7)。
图14为镀覆填充后的铜线与铜板的剖面的显微镜照片(实施例8)。
图15为镀覆填充后的铜线与铜板的剖面的显微镜照片(比较例4)。
图16为显示通过本发明的方法将镍(合金)析出物填充于微小孔或微小凹部时的基材剖面的示意图。
图17为显示本发明的单面的电子零件接合用端子的一例的示意图。
图18为显示本发明的双面的电子零件接合用端子的一例的示意图。
图19为显示本发明的单面的电子零件接合用端子的一例的示意图。
图20为显示本发明的双面的电子零件接合用端子的一例的示意图。
具体实施方式
以下说明本发明,但本发明并不限定于以下实施形态,可任意地变形而实施。
〈电解镍(合金)镀覆液〉
本发明的电解镍(合金)镀覆液(以下有时简称为“本发明的镀覆液”),含有:镍盐、pH缓冲剂、以及以下述通式(A)或下述通式(B)所表示的N-取代吡啶鎓化合物。
[通式(A)中,-R1为碳数1至6的烷基、烷胺基或氰基烷基、胺基(-NH2)或氰基;-R2为氢原子、碳数1至6的烷基或羟烷基、乙烯基、甲氧羰基(-CO-O-CH3)、胺甲酰基(-CO-NH2)、二甲基胺甲酰氧基(-O-CO-N(CH3)2)或醛肟基(-CH=NOH);X-为任意的阴离子]
[通式(B)中,-R3为氢原子或羟基(-OH);-R4为氢原子、碳数1至6的烷基、乙烯基或胺甲酰基(-CO-NH2);m为0、1或2]
本发明的镀覆液所含有的镍盐,从水溶性或填充性的观点来看,可列举出硫酸镍、胺基磺酸镍、氯化镍、溴化镍、碳酸镍、硝酸镍、甲酸镍、乙酸镍、柠檬酸镍及硼氟化镍等,但并不限定于此等。
此等可单独使用1种或混合2种以上使用。
上述镍盐的合计含量以镍离子计,优选10g/L以上180g/L以下,特优选50g/L以上130g/L以下。
位于上述范围内时,可使镍的析出速度达到充分,此外,可在不会产生孔隙下填充微小孔或微小凹部。
本发明的镀覆液所含有的pH缓冲剂,可列举出硼酸、偏硼酸、乙酸、酒石酸及柠檬酸,或此等的盐等,但并不限定于此等。
此等可单独使用1种或混合2种以上使用。
pH缓冲剂的合计含量,优选1g/L以上100g/L以下,特优选5g/L以上50g/L以下。
位于上述范围内时,不易阻碍以上述通式(A)或通式(B)所表示的N-取代吡啶鎓化合物(以下有时称为“特定N-取代吡啶鎓化合物”)的作用,可保持本发明的效果。
本发明的镀覆液含有特定N-取代吡啶鎓化合物。
通过特定N-取代吡啶鎓化合物的作用,本发明的镀覆液,可在不会产生孔隙下填充微小孔或微小凹部。
当上述通式(A)或通式(B)的R1、R2、R4为碳数1至6的烷基、烷胺基、氰基烷基或羟烷基时,R1、R2、R4可互为相异。此外,R1、R2、R4的碳数优选1至4,更优选1至3,特优选1或2。
上述通式(A)中,-R1的具体例可列举出-CH3、-CH2CH3、-CH2CN等。
-R2的具体例可列举出-H、-CH3、-C2H5、-CH2OH、-CH=CH2、-CONH2、-CH=NOH等。
X-的具体例可列举出卤化物离子(氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子)等。
以上述通式(A)所表示的特定N-取代吡啶鎓化合物的具体例,可列举出1-甲基吡啶鎓、1-乙基吡啶鎓、1-丙基吡啶鎓、1-丁基吡啶鎓、1-戊基吡啶鎓、1-己基吡啶鎓、1-乙基-3-(羟甲基)吡啶鎓、1-乙基-4-(甲氧基羰基)吡啶鎓、1-丁基-4-甲基吡啶鎓、1-丁基-3-甲基吡啶鎓、1-甲基吡啶鎓-2-醛肟、3-胺甲酰基-1-甲基吡啶鎓、3-(二甲基胺甲酰氧基)-1-甲基吡啶鎓(吡啶斯狄明;pyridostigmine)、1-(氰基甲基)吡啶鎓的卤化物等的卤化物(氯化物、溴化物、碘化物)等。
上述通式(B)中,-R4的具体例可列举出与-R2相同的。
以上述通式(B)所表示的特定N-取代吡啶鎓化合物的具体例,可列举出1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓(1-(3-sulfonatopropyl)pyridinium)、1-(2-磺酸根乙基)吡啶鎓、1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-叔丁基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2,6-二甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-(胺基羰基)-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-甲基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-甲基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-甲基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓等。
“1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓”是通式(B)中-R3为氢原子、-R4为氢原子、m为1的化合物,且有“1-(3-磺酸基丙基)吡啶鎓氢氧化物分子内盐”、“1-(3-磺酸基丙基)吡啶鎓”、“PPS”等别名。
“2-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓”是通式(B)中-R3为氢原子、-R4为键结于邻位的乙烯基、m为1的化合物,且有“1-(3-磺酸基丙基)-2-乙烯基吡啶鎓氢氧化物分子内盐”、“1-(3-磺酸基丙基)-2-乙烯基吡啶鎓甜菜碱”、“PPV”等别名。
“1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓”是通式(B)中-R3为羟基、-R4为氢原子、m为1的化合物,且有“1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓氢氧化物分子内盐”、“1-(2-羟基-3-磺酸基丙基)吡啶鎓甜菜碱”、“PPSOH”等别名。
特定N-取代吡啶鎓化合物,可单独使用1种或混合2种以上使用。
此外,本发明的镀覆液中的特定N-取代吡啶鎓化合物的合计含量,优选0.01g/L以上100g/L以下,特优选0.1g/L以上10g/L以下。
位于上述范围内时,可增加微小孔或微小凹部的外部的镍析出量,可在不会产生孔隙下填充于微小孔或微小凹部。
当本发明的镀覆液为电解镍合金镀覆液时,关于与镍的合金用的金属离子,例如可列举出钨、钼、钴、锰、铁、锌、锡、铜、钯、金等。此等金属源,可使用公知的化合物。
此外,虽非金属,但亦可于镍或镍合金皮膜中含有碳、硫、氮、磷、硼、氯、溴等。
本发明的镀覆液中,在不阻碍本发明效果的范围内,可视需要添加抗凹剂、1次光泽剂、2次光泽剂、表面活性剂等。
本发明的镀覆液,特别适合于用于电子电路零件内所形成的微小孔或微小凹部的填充,亦可使用于一般的镍(合金)析出物的制造。
即,本发明还涉及一种镍析出物或镍合金析出物的制造方法,其使用上述电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液来进行电解镀覆。
如后述实施例所示,通过本发明的镀覆液来填充微小孔或微小凹部时,微小孔或微小凹部的内部的析出量较微小孔或微小凹部的外部的析出量更多,可将镍(或镍合金)充分地埋入于微小孔或微小凹部。此外,不容易于微小孔或微小凹部的内部产生孔隙(孔)或细缝(沟槽)。
因此,在与镍的高熔点互相配合下,通过本发明的镀覆液来填充微小孔或微小凹部而成的电子电路零件,乃令人期待具有高可靠度。〈填充有镍(合金)的电子零件的制造方法、微小三维构造体的制造方法〉
本发明还涉及一种于微小孔或微小凹部中填充有镍析出物或镍合金析出物的电子零件的制造方法(即镍析出物或镍合金析出物的填充方法),其使用前述电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液来进行电解镀覆。
此外,本发明也是一种于微小孔或微小凹部中填充有镍析出物或镍合金析出物的电子零件的制造方法,其预先对电子零件内所形成的微小孔或微小凹部的表面施予电解镀覆用晶种层后,将该电子零件浸渍在前述电解镍(合金)镀覆液中,并使用外部电源来进行电解镀覆。
另外,本发明也是一种微小三维构造体的制造方法,其包括:通过上述制造方法对微小孔或微小凹部进行镀覆填充的步骤。
所谓“微小孔或微小凹部”,为半导体或印刷基板等电子电路零件内所形成的导孔、贯通孔、沟槽等的微小的凹入部分,意指通过电解镀覆等来填充金属而发挥作为配线部的功能的部分,从上方观看所得的形状并无限定。此外,关于“微小孔”可为贯通孔或未贯通孔。
于实施本发明时,必须于电子电路零件内的被镀覆基板上形成微小孔或微小凹部。
被镀覆基材并无特别限制,具体可列举出电子电路零件常用的玻璃环氧材料、BT(Bismaleimide-Triazine:双马来亚酰胺-三嗪)树脂材料、聚丙烯材料、聚酰亚胺材料、陶瓷材料、硅材料、金属材料、玻璃材料等。
将微小孔或微小凹部形成于被镀覆基材的方法并无限制,可适当地使用公知的方法。例如可列举出通过激光加工或离子蚀刻所进行的方法,可通过开口部为100μm以下、深宽比为0.5以上的深度来形成微小凹部。
然后,可视需要通过光阻等将图案形成于被镀覆基材表面。
形成微小凹部后的被镀覆基材为绝缘基材时,将电解镀覆用晶种层形成于基材表面与微小凹部的内表面。晶种层的形成方法并无限制,具体可列举出通过溅镀所进行的金属堆积或无电解镀覆法等。
构成晶种层的金属并无特别限制,可例示出铜、镍、钯等。
形成电解镀覆用晶种层后,将被镀覆基材浸渍在本发明的电解镍(合金)镀覆液中,并使用外部电源来实施电解镍(合金)镀覆,而将镍或镍合金填充于微小孔或微小凹部。
在对晶种层形成后暂时干燥过的被镀覆基材进行镀覆时,只要依照通常方法进行脱脂、酸洗净后,使用本发明的镀覆液进行镀覆即可。
在此,所谓微小孔或微小凹部的“填充”意为在不会产生较大孔隙(孔)下埋入微小孔或微小凹部的情形,但“填充”也包括下述情形:微小孔或微小凹部未完全埋入的情形(例如图16(b)或图19(c)等所示,虽然镍(合金)析出于微小孔或微小凹部,但存在有凹入的部分的情形),或是镍或镍合金析出至微小孔或微小凹部的外侧的周缘部的情形(图16(a)等情形)。
本发明的填充方法中,于使用外部电源来进行电解镀覆时,可使微小孔或微小凹部30内部的最小镀覆剖面膜厚(图16中的X2)大于微小孔或微小凹部30的外侧的周缘部31的镀覆最大剖面膜厚(图16中的X1)。
即,本发明的填充方法中,可于微小孔或微小凹部30内部中增加镍(合金)的析出量。
通过本发明的填充方法,将镍(合金)填充于微小孔或微小凹部30内部时,如图16(a)所示,可使微小孔或微小凹部30完全被镍(合金)埋入,亦可如图16(b)所示,使一部分未埋入(反凸型的形状)。
通过包括以本发明的镍或镍合金镀覆填充方法而对微小孔或微小凹部进行镀覆填充的步骤的方法,可制造出微小孔或微小凹部经镍或镍合金填充后的微小三维电路配线或微小三维构造体。
镀覆温度优选30℃以上,特优选40℃以上。此外,优选70℃以下,特优选60℃以下。
位于上述范围内时,微小孔或微小凹部的填充性优异,成本上亦为有利。
镀覆时的电流密度优选0.1A/dm2以上,特优选1A/dm2以上。此外,优选10A/dm2以下,特优选5A/dm2以下。
位于上述范围内时,微小孔或微小凹部的填充性优异,成本上亦为有利。
此外,关于电流密度,于镀覆填充时可经常保持一定或非一定(例如降低初期的电流密度,并缓慢提高电流密度;或是设为脉冲电流等)。
电流密度于镀覆填充时经常保持为一定(或于镀覆填充的大部分时间中保持为一定),可不会产生孔隙而容易填充,故较佳。
镀覆时间优选5分钟以上,特优选10分钟以上。此外,优选360分钟以下,特优选60分钟以下。
位于上述范围内时,微小孔或微小凹部的填充性优异,成本上亦为有利。
〈电子零件接合体及其制造方法〉
本发明也是一种电子零件接合体的制造方法,其重叠2个以上的电子零件,在电子零件彼此之间形成有微小间隙部的状态下,将该2个以上的电子零件浸渍在前述电解镍(合金)镀覆液中,并使用外部电源来进行电解镀覆以填充该微小间隙部。
所谓“电子零件”意为表面组装于电子电路上的零件。所谓“电子零件接合体”意为2个以上的电子零件接合而成为一体。
对电子零件表面进行镀覆并接合多个电子零件(制作电子零件接合体)时,当均一地进行镀覆成长时,于电子零件彼此间的微小间隙部附近,会有强度变得不足,产生不良情况的情形。
通过本发明的电解镍(合金)镀覆液来进行镀覆时,可于此微小间隙部附近,使镍或镍合金的析出量变多。
即,根据本发明,可得到一种电子零件接合体,是通过镍或镍合金来接合2个以上的电子零件的电子零件接合体,其中,于形成于电子零件彼此之间的微小间隙部附近,析出较其它部位更多的镍或镍合金。
于本发明的电子零件接合体的微小间隙部附近,由于镍或镍合金的析出量多,所以于电子零件彼此的接合部分具有充分的强度且可靠度高。
通过本发明来制造电子零件接合体时的镀覆温度,优选30℃以上,特优选40℃以上。此外,优选70℃以下,特优选60℃以下。
位于上述范围内时,微小间隙部附近的镍或镍合金的析出量充足,容易提升接合强度。
通过本发明来制造电子零件接合体时的电流密度,优选0.1A/dm2以上,特优选1A/dm2以上。此外,优选10A/dm2以下,特优选5A/dm2以下。
位于上述范围内时,微小间隙部附近的镍或镍合金的析出量充足,容易提升接合强度。
此外,关于电流密度,于镀覆填充时可经常保持一定或非一定(例如降低初期的电流密度,并缓慢提高电流密度;或是设为脉冲电流等)。
电流密度于镀覆填充时经常保持为一定(或于镀覆填充的大部分时间中保持为一定),从接合强度的观点来看为优选。
镀覆时间优选5分钟以上,特优选10分钟以上。此外,优选360分钟以下,特优选60分钟以下。
位于上述范围内时,接合强度优异,成本上亦为有利。
〈电子零件接合用端子〉
本发明还涉及一种电子零件接合用端子,在具有微小孔或微小凹部的基材中,在大致垂直于基材11的基材面的方向(60°至90°方向)上所埋入的孔隙(孔)较少。
本发明的电子零件接合用端子40,是由镍或镍合金所构成。通过使用前述本发明的电解镍(合金)镀覆液,可容易形成本发明的电子零件接合用端子。
本发明的电子零件接合用端子40,埋入于厚度1mm以下的基材11中。
电子零件接合用端子40,可为如图17或图19所示的单面(未贯通基材11)的电子零件接合用端子,或是如图18或图20所示的双面(贯通基材11)的电子零件接合用端子。
图17所示的是单面的电子零件接合用端子40,其具备:在大致垂直于基材11的基材面的方向以未贯通基材11的方式埋入的栓塞部41;以及,与该栓塞部41抵接的封盖部42。
封盖部42呈现突出于较基材11的基材面的形状,其外径较栓塞部41的外径更大,且为200μm以下。
栓塞部41或封盖部42的平行于基材面的剖面通常为圆形状,但为非圆形状时,所谓“外径”意为等面积的圆的外径(以下,图18至图20所示的电子零件接合用端子40中亦相同)。
图18所示的是双面的电子零件接合用端子40,其具备:在大致垂直于基材11的基材面的方向以贯通基材11的方式埋入的栓塞部41;以及,分别与该栓塞部41的两端抵接的2个封盖部42。
2个封盖部42分别呈现突出于基材11的各基材面的形状,2个封盖部42的外径皆较栓塞部41的外径更大,且皆为200μm以下。
图19所示的是单面的电子零件接合用端子40,其是由:在大致垂直于基材11的基材面的方向以未贯通基材11的方式埋入的栓塞部41所构成。栓塞部41的外径为100μm以下。
栓塞部41的端部,可如图19(a)所示般从基材11的基材面突出,或是如图19(b)所示般与基材11的基材面为相同高度,或是如图19(c)所示般较基材11的基材面更埋入。
图20所示的是双面的电子零件接合用端子40,其是由:在大致垂直于基材11的基材面的方向以贯通基材11的方式埋入的栓塞部41所构成。栓塞部41的外径为100μm以下。
栓塞部41的端部,可如图20(a)所示般从基材11的基材面突出,或是如图20(b)所示般与基材11的基材面为相同高度,或是如图20(c)所示般较基材11的基材面更埋入。
要制造出埋入于1mm以下的厚度的基材中,且栓塞部41的外径为100μm以下或封盖部42的外径为200μm以下的大小的镍(合金)制的电子零件接合用端子,在以往的技术中是不可能的。通过使用前述本发明的电解镍(合金)镀覆液来进行镀覆,可抑制镍(合金)析出物中的孔隙的产生,而能够良率良好地制造此种大小的电子零件接合用端子。
使用本发明的电解镍(合金)镀覆液来进行电子零件接合用端子的制造时,即使针对0.8mm以下的较薄的基板,或是0.5mm以下的更薄的基板,亦容易埋入电子零件接合用端子。
此外,可容易制造出具有外径较小的70μm以下,或外径更小的50μm以下的栓塞部的电子零件接合用端子,或是制造出具有外径较小的150μm以下,或外径更小的100μm以下的封盖部的电子零件接合用端子。
于电子零件接合用端子40的栓塞部41中,优选不存在最大宽度大于10μm的孔隙。
通过使用前述本发明的电解镍(合金)镀覆液,可容易形成无如此大的孔隙的栓塞部。
通过使用本发明的电解镍(合金)镀覆液来进行镀覆以制造上述电子零件接合用端子时的优选条件(镀覆温度、电流密度等),与前述〈填充有镍(合金)的电子零件的制造方法、微小三维构造体的制造方法〉一栏中所示的条件几乎相同。
[实施例]
以下列举实施例及比较例来更具体说明本发明,但本发明在不脱离其主旨的范围内,并不限定于此等实施例及比较例。
[微小凹部的填充]
实施例1至6、比较例1至3
作为微小凹部的模型,使用具有深宽比0.88(φ45μm×40μmD)的激光导孔的12mm见方的评估用印刷基板(Japan Circuit股份有限公司制)。
被镀覆部周边10的剖面图如图1所示。于厚度0.4mm的BT(Bismaleimide-Triazine)制的基材11的导通孔形成部分贴附厚度12μm的铜箔13后,层积厚度60μm的预浸型式的增层树脂12,然后通过激光来制作φ45μm、深度40μm的盲孔(以下有时简称为“导通孔”或“导孔”)14,并通过无电解铜镀覆,于基板外表面(增层树脂12的表面)及导孔14的内壁面形成约1μm的晶种层15。
然后通过厚度25μm的干膜光阻(DFR:Dry Film Resist)16来形成图2所示的配线图案,使具有导孔14的垫(开口部)17(φ190μm)开口后,以此作为评估用印刷基板1。
图2中,白色部为铜镀覆部,黑色部为干膜光阻部。白色部中,与配线连接的大小最大的圆形部分相当于图1的圆形垫17(φ190μm)。于圆形垫17的整体形成图1所示的属于微小凹部的导孔14。
〈电解镍镀覆液的调制〉
以分别成为胺基磺酸镍600g/L、氯化镍10g/L、硼酸30g/L的方式溶解于脱离子水中,而调制出电解镍镀覆液。
将表1所示的添加剂,以成为表1所示的添加量的方式添加于上述电解镍镀覆液中并溶解。
接着加入适量的100g/L的胺基磺酸水溶液以将pH调整至3.6,而调制出本发明的电解镍镀覆液。
[表1]
〈依据电解镍镀覆所进行的导孔的填充〉
通过表2所示的步骤,对上述评估用印刷基板1进行电解镍镀覆。在电解镍镀覆步骤中,使用外部电源并使电流密度成为1.0A/dm2。
镀覆面积以包含导孔14的侧面的表面积来计算。
[表2]
〈镀覆填充性评估试验〉
将镀覆后的基板埋入于研磨用的树脂并固定后,进行剖面研磨,以金属显微镜来观察导孔的填充程度。
关于填充性,是将导通孔内部的析出量较导通孔外部的析出量更多的状态,且于导通孔内部未观测到孔隙(孔)或细缝(沟槽)者判为“○”,除此之外者判为“×”。
此外,观测于导通孔外部是否有产生裂痕(龟裂)。
将填充性为“○”且未产生裂痕者评估为“良好”,除此之外者评估为“不良”。
镀覆填充后的基板剖面的显微镜照片如图4至图12所示。此外,评估结果如表3所示。
[表3]
实施例1至6中,关于析出镍18的量,与导通孔外部相比,属于微小凹部的导通孔的内部较多,且未产生孔隙或细缝而良好地填充。此外,于导通孔外部未观察到裂痕。
比较例1中,于导通孔内部与外部,析出镍18的量为同等程度的保形镀覆(跟随镀覆),填充性不良。
比较例2中,于导孔内部具有最大宽度14μm的孔隙V,填充性不良。
比较例3中,于导孔内部无孔隙,填充性良好,但析出部非常脆弱而产生裂痕,于研磨后,在导孔上半部观察到析出镍18的显著剥离。因此,就微小三维构造体而言为不良。
如实施例1至6、比较例1至3的结果所示,通过含有以通式(A)或通式(B)所表示的N-取代吡啶鎓化合物的电解镍镀覆液来进行电解镀覆,可通过镍而将电子零件内所形成的微小孔良好地填充,而能够制作微小三维构造体。
[电子零件的接合]
实施例7至8、比较例4
作为要接合的电子零件的模型,使用铜线(φ0.9mm)与背面经遮蔽后的铜板(20mm×20mm×0.3mmt)。
如图3所示,准备2片通过遮蔽材22a遮蔽背面侧后的铜板22,以2片铜板22的未遮蔽的面来夹持铜线21,并以辅助具23固定,而制作出于铜线21与铜板22之间形成有微小间隙部24的电子零件试样20。
〈电解镍镀覆液的调制〉
以分别成为胺基磺酸镍600g/L、氯化镍10g/L、硼酸30g/L的方式溶解于脱离子水中,而调制出电解镍镀覆液。
将表4所示的添加剂,以成为表4所示的添加量的方式添加于上述电解镍镀覆液中并溶解。
接着加入适量的100g/L的胺基磺酸水溶液以将pH调整至3.6,而调制出本发明的电解镍镀覆液。
[表4]
添加剂 | 通式 | 添加量(g/L) | |
实施例7 | 氯化1-丙基吡啶鎓 | (A) | 0.5 |
实施例8 | 2-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓 | (B) | 0.5 |
比较例4 | 无 | — | — |
〈依据电解镍镀覆所进行的铜线与铜板的接合〉
以使铜线21的直线方向与镀覆液面垂直的方式,将上述电子零件试样浸渍在上述电解镍镀覆液中,并通过表5所示的步骤来进行电解镍镀覆。镍阳极是在遮蔽材22a的外侧分别设置1片并使此等相对向。电解镍镀覆步骤中,使用外部电源并使电流密度成为1.0A/dm2。
镀覆面积仅设为铜板22的表面积。
[表5]
〈接合性评估试验〉
将镀覆后的电子零件试样(接合体)埋入于研磨用的树脂并固定后,进行剖面研磨,以金属显微镜来观察铜线21与铜板22的接合状态。
关于接合性,是将铜线21与铜板22所接触的微小间隙部24的镍镀覆厚度较其它部分更厚者判为“○”,除此之外者判为“×”。
镀覆填充后的电子零件试样(接合体)剖面的显微镜照片如图13至图15所示。此外,评估结果如表6所示。
[表6]
添加剂 | 接合性 | |
实施例7 | 氯化1-丙基吡啶鎓 | ○ |
实施例8 | 2-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓 | ○ |
比较例4 | 无 | × |
实施例7至8中,关于析出镍18的量,铜线21与铜板22所接触的微小间隙部24较其它部分更多,可更牢固地接合。
比较例4中,于全体部位上为厚度几乎均一的镀覆,接合性不良。
如实施例7至8、比较例4的结果所示,通过含有以通式(A)或通式(B)所表示的N-取代吡啶鎓化合物的电解镍镀覆液来进行电解镀覆,可通过更厚的镍来镀覆微小零件的接合部位,而能够更牢固地进行接合。
[产业上的可应用性]
本发明的含有特定N-取代吡啶鎓化合物的电解镍(合金)镀覆液,能够以高可靠度来填充电子电路零件内的微小孔或微小凹部,并且可牢固地接合电子零件彼此,因此可对应于配线的更进一步的细微化,故可广泛地应用在三维配线形成或三维MEMS零件等。
附图标记说明
1 评估用印刷基板
10 被镀覆部周边
11 基材
12 增层树脂
13 铜箔
14 盲孔
15 晶种层
16 干膜光阻
17 垫
18 析出镍(合金)
V 孔隙
20 电子零件试样
21 铜线
22 铜板
22a 遮蔽材
23 辅助具
24 微小间隙部
30 微小孔/微小凹部
31 周缘部
40 电子零件接合用端子
41 栓塞部
42 封盖部。
Claims (22)
2.根据权利要求1所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液,其中,以通式(B)所表示的N-取代吡啶鎓化合物选自由1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、1-(2-磺酸根乙基)吡啶鎓、1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-叔丁基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2,6-二甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-(胺基羰基)-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-甲基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-甲基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-甲基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓及4-乙基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓所组成的组的一种以上化合物。
4.根据权利要求3所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液,其中,以通式(B)所表示的N-取代吡啶鎓化合物选自由1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、1-(2-磺酸根乙基)吡啶鎓、1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-甲基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、2-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、3-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-乙基-1-(4-磺酸根丁基)吡啶鎓、4-叔丁基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2,6-二甲基-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-(胺基羰基)-1-(3-磺酸根丙基)吡啶鎓、1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙烯基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙烯基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-乙烯基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-甲基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-甲基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、4-甲基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、2-乙基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓、3-乙基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓及4-乙基-1-(2-羟基-3-磺酸根丙基)吡啶鎓所组成的组的一种以上化合物。
6.根据权利要求5所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液,其中,X-为卤化物离子。
7.根据权利要求6所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液,其中,以通式(A)所表示的N-取代吡啶鎓化合物选自由1-甲基吡啶鎓的卤化物、1-乙基吡啶鎓的卤化物、1-丙基吡啶鎓的卤化物、1-丁基吡啶鎓的卤化物、1-乙基-3-(羟甲基)吡啶鎓的卤化物、1-乙基-4-(甲氧基羰基)吡啶鎓的卤化物、1-丁基-4-甲基吡啶鎓的卤化物、1-丁基-3-甲基吡啶鎓的卤化物、1-甲基吡啶鎓-2-醛肟的卤化物、3-胺甲酰基-1-甲基吡啶鎓的卤化物、3-(二甲基胺甲酰氧基)-1-甲基吡啶鎓的卤化物及1-(氰基甲基)吡啶鎓的卤化物所组成的组的一种以上化合物。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液,其中,所述镍盐选自由硫酸镍、胺基磺酸镍、氯化镍、溴化镍、碳酸镍、硝酸镍、甲酸镍、乙酸镍、柠檬酸镍及硼氟化镍所组成的组的一种以上。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液,其中,所述pH缓冲剂选自由硼酸、偏硼酸、乙酸、酒石酸及柠檬酸以及此等的盐所组成的组的一种以上。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液,其用于填充形成于电子零件内的微小孔或微小凹部、或是电子零件彼此重叠时所产生的微小间隙部。
11.一种镍析出物或镍合金析出物的制造方法,其使用权利要求1至10任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液来进行电解镀覆。
12.一种于微小孔或微小凹部中填充有镍析出物或镍合金析出物的电子零件的制造方法,其使用权利要求1至10中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液来进行电解镀覆。
13.一种于微小孔或微小凹部中填充有镍析出物或镍合金析出物的电子零件的制造方法,其预先对电子零件内所形成的微小孔或微小凹部的表面施予电解镀覆用晶种层后,将该电子零件浸渍在权利要求1至10中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液中,并使用外部电源来进行电解镀覆。
14.一种微小三维构造体的制造方法,其包括:通过权利要求12或13中任一项所述的制造方法而对微小孔或微小凹部进行镀覆填充的步骤。
15.一种电子零件接合体的制造方法,其重叠2个以上的电子零件,在电子零件彼此之间形成有微小间隙部的状态下,将该2个以上的电子零件浸渍在权利要求1至10中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液中,并使用外部电源来进行电解镀覆以填充该微小间隙部。
16.一种电子零件接合体,是通过镍或镍合金而接合有2个以上电子零件的电子零件接合体,其中,于形成于电子零件彼此之间的微小间隙部附近,析出有较其它部位更多的镍或镍合金。
17.一种单面的电子零件接合用端子,是由镍或镍合金所构成的电子零件接合用端子,具备:于厚度1mm以下的基材中,在大致垂直于该基材的基材面的方向以未贯通该基材的方式埋入的栓塞部;以及,具有较该栓塞部的外径更大的外径且与该栓塞部抵接的封盖部;并且该封盖部的外径为200μm以下,该封盖部呈现突出于该基材的基材面的形状。
18.一种双面的电子零件接合用端子,是由镍或镍合金所构成的电子零件接合用端子,具备:于厚度1mm以下的基材中,在大致垂直于该基材的基材面的方向以贯通该基材的方式埋入的栓塞部;以及,具有较该栓塞部的外径更大的外径且分别与该栓塞部的两端抵接的2个封盖部;并且2个封盖部的外径皆为200μm以下,2个封盖部呈现突出于该基材的各基材面的形状。
19.一种单面的电子零件接合用端子,是由镍或镍合金所构成的电子零件接合用端子,且由:于厚度1mm以下的基材中,在大致垂直于该基材的基材面的方向以未贯通该基材的方式埋入的栓塞部所构成;该栓塞部的外径为100μm以下。
20.一种双面的电子零件接合用端子,是由镍或镍合金所构成的电子零件接合用端子,且由:于厚度1mm以下的基材中,在大致垂直于该基材的基材面的方向以贯通该基材的方式埋入的栓塞部所构成;该栓塞部的外径为100μm以下。
21.根据权利要求17至20中任一项所述的电子零件接合用端子,其中,于所述栓塞部中不存在最大宽度大于10μm的孔隙。
22.根据权利要求17至21中任一项所述的电子零件接合用端子,其使用权利要求1至10中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液来形成。
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