JPH01309992A - インジウムメッキ方法 - Google Patents
インジウムメッキ方法Info
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- JPH01309992A JPH01309992A JP14116888A JP14116888A JPH01309992A JP H01309992 A JPH01309992 A JP H01309992A JP 14116888 A JP14116888 A JP 14116888A JP 14116888 A JP14116888 A JP 14116888A JP H01309992 A JPH01309992 A JP H01309992A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/54—Electroplating: Baths therefor from solutions of metals not provided for in groups C25D3/04 - C25D3/50
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子部品等に利用されるインジウムメッキ方
法に関するものである。
法に関するものである。
〔発明の１既要〕
アルカリシアン系インジウムメッキ浴において、パルス
電源を用い、メツキＪ電としてパルス電圧を印加するこ
とにより、１ミクロン以上のインジウムのｊ￥付はメツ
キを可能とするものである。
電源を用い、メツキＪ電としてパルス電圧を印加するこ
とにより、１ミクロン以上のインジウムのｊ￥付はメツ
キを可能とするものである。
従来、インジウムメッキ浴として、アルカリシアン浴、
硫酸浴、ホウフッ化浴が用いられており、特にアルカリ
シアン浴が、最も均一電着性に優れたものとして使用さ
れている。
硫酸浴、ホウフッ化浴が用いられており、特にアルカリ
シアン浴が、最も均一電着性に優れたものとして使用さ
れている。
従来のアルカリシアン浴によるインジウムメッキでは、
直流？！源を用い、１〜３ Ａ ／ ｄ ｍの陰橿電流
密度で電着を行っている。
直流？！源を用い、１〜３ Ａ ／ ｄ ｍの陰橿電流
密度で電着を行っている。
第２図は、従来の技術における電流密度と電着時間との
関係を示しており、この場合、直流１ｔｒＡにより３ｖ
の定電圧を印加し、当初２八／ ｄ ｍの電流密度が得
られているが、電着時間とともに減衰し、１０分経過後
では、電流が流れない状態となるが、０，５ミクロン程
度のメッキ厚が得られていた。
関係を示しており、この場合、直流１ｔｒＡにより３ｖ
の定電圧を印加し、当初２八／ ｄ ｍの電流密度が得
られているが、電着時間とともに減衰し、１０分経過後
では、電流が流れない状態となるが、０，５ミクロン程
度のメッキ厚が得られていた。
以上述べたように、従来の技術によれば、電着時間とと
もに、陰極界面での水素ガス気（０もしくは陰極表面に
吸着されるぶどう糖濃度が増加し、陰極界面での抵抗が
増大することにより、ｉ）られるメッキ厚に限界があり
、１ミクロン以上の厚付はメツキができなかった。
もに、陰極界面での水素ガス気（０もしくは陰極表面に
吸着されるぶどう糖濃度が増加し、陰極界面での抵抗が
増大することにより、ｉ）られるメッキ厚に限界があり
、１ミクロン以上の厚付はメツキができなかった。
〔課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明では、パルス電源を
用い、通電・非通電を繰り返し行なうことにより、１ミ
クロン以上の厚付はインジウム厚付 ツキを実現するものである。
用い、通電・非通電を繰り返し行なうことにより、１ミ
クロン以上の厚付はインジウム厚付 ツキを実現するものである。
パルス電源を用い、通電・非通電を繰り返し行なうこと
により、通電中に陰極電流密度の低下の原因となる陰極
界面での水素ガス気泡もしくは陰極表面に吸着されるぶ
どう糖が、非通電中に拡散されることから、陰極電流密
度の低下が防止され、結果としてインジウムの電着が続
けられ、厚付けが実現されるものである。
により、通電中に陰極電流密度の低下の原因となる陰極
界面での水素ガス気泡もしくは陰極表面に吸着されるぶ
どう糖が、非通電中に拡散されることから、陰極電流密
度の低下が防止され、結果としてインジウムの電着が続
けられ、厚付けが実現されるものである。
Ｃ実施例〕
以下に、本発明による複数の実施例について説明する。
（実施例１）
黄銅素地にニンケルメ・７キを５ミクロン施したテスト
ピース（厚さ： ０．５ｍ−、幅・２０票麿、長さ２
１００ｍｍ）を通常のアルカリ脱脂洗浄及び１０％塩酸
浸漬による表面活性化処理を行った後、次に示すインジ
ウムメッキ浴組成及び電着条件にてインジウムメッキを
施した。
ピース（厚さ： ０．５ｍ−、幅・２０票麿、長さ２
１００ｍｍ）を通常のアルカリ脱脂洗浄及び１０％塩酸
浸漬による表面活性化処理を行った後、次に示すインジ
ウムメッキ浴組成及び電着条件にてインジウムメッキを
施した。
インジウムメッキ浴組成
Ｏ塩化インジウム １５〜６０ｇ／ｆＯシアン化カ
リウム１４０〜１６０ｇ／６０水酸化力ＩＪウム３０〜
４０ｇ／１ ０ぶどう糖 ３０〜４０ｇ、ｚｌ電着条件 ０陽極 白金・チタン電極０浴温度
２０℃ ０電着時間 ２３分 Ｏ印加電圧パルス Ｊサイクルタイム ０．２ｍ５ｅｃ 通電時の印加電圧 ３．ＯＶ 通電時の印加時間 ０．１ｍ５ｅｃ 非１１ｆｌ電時の印加電圧 ＱＶ 非通電時の印加時間 ０．１ｍ５ｅｃ 上記条件にて、テストピースにインジウムメッキを施し
たところ、電流密度は第１図に示すように、電着時間の
経過にかかわらず２ Ａ 、／ ｄ ｍの電流密度が得
られた。
リウム１４０〜１６０ｇ／６０水酸化力ＩＪウム３０〜
４０ｇ／１ ０ぶどう糖 ３０〜４０ｇ、ｚｌ電着条件 ０陽極 白金・チタン電極０浴温度
２０℃ ０電着時間 ２３分 Ｏ印加電圧パルス Ｊサイクルタイム ０．２ｍ５ｅｃ 通電時の印加電圧 ３．ＯＶ 通電時の印加時間 ０．１ｍ５ｅｃ 非１１ｆｌ電時の印加電圧 ＱＶ 非通電時の印加時間 ０．１ｍ５ｅｃ 上記条件にて、テストピースにインジウムメッキを施し
たところ、電流密度は第１図に示すように、電着時間の
経過にかかわらず２ Ａ 、／ ｄ ｍの電流密度が得
られた。
このテストピースをエポキシ樹脂に埋め込み、切断・研
磨を行い、倍率５００倍で光学顕微鏡によりインジウム
メッキ層の厚みを測定したところ、７．０ミクロンのメ
ッキ厚が得られた。
磨を行い、倍率５００倍で光学顕微鏡によりインジウム
メッキ層の厚みを測定したところ、７．０ミクロンのメ
ッキ厚が得られた。
（実施例２）
実施例１と同様に、テストピースの前処理を行い、実施
例１と同様のメツキ浴組成を用い、次の電着条件にてイ
ンジウムメッキを施した。
例１と同様のメツキ浴組成を用い、次の電着条件にてイ
ンジウムメッキを施した。
電着条件
０陽極 白金・チタン電掻Ｏｌ谷温度
２５℃０電着時間
２０分 ０印加電圧パルス ■サイクルタイム ２０ｍ５ｅｃ 通電時の印加電圧 ３ｖ ｉＪＩｌ電時の印加時間 １０ｍ５ｅｃ非通電時の印
加電圧 ＯＶ 非通電時の印加時間 １０ｍ５ｅｃ 上記条件にて、テストピースにインジウムメッキを施し
たところ、電流密度は電着時間の経過にかかわらず１．
５Ａ／ｄｎ（が得られた。
２５℃０電着時間
２０分 ０印加電圧パルス ■サイクルタイム ２０ｍ５ｅｃ 通電時の印加電圧 ３ｖ ｉＪＩｌ電時の印加時間 １０ｍ５ｅｃ非通電時の印
加電圧 ＯＶ 非通電時の印加時間 １０ｍ５ｅｃ 上記条件にて、テストピースにインジウムメッキを施し
たところ、電流密度は電着時間の経過にかかわらず１．
５Ａ／ｄｎ（が得られた。
このテストピースのインジウムメッキ層のメッキ厚を測
定したところ、６．０ミクロンのメッキ厚が得られた。
定したところ、６．０ミクロンのメッキ厚が得られた。
なお、印加電圧パルスにおいて、１サイクルタイムが０
．１ｍ５ｅｃ：１．−満及び２０ｍ５ｅｃ以上とすると
、パルス電源を用いた効果が得られず、１ミクロン以上
の厚付けが得られなかった。
．１ｍ５ｅｃ：１．−満及び２０ｍ５ｅｃ以上とすると
、パルス電源を用いた効果が得られず、１ミクロン以上
の厚付けが得られなかった。
以上述べたように、本発明によるパルス電源を用いたイ
ンジウムメッキ方法によれば、１ミクロン以上のインジ
ウム厚付はメツキが面便に達成されるもので、工業上極
めて有用な発明である。
ンジウムメッキ方法によれば、１ミクロン以上のインジ
ウム厚付はメツキが面便に達成されるもので、工業上極
めて有用な発明である。
第１図は本発明の一実施例における電流密度と電着時間
の関係を示す説明図、第２図は従来の技術における電流
宙度と電着時間の関係を示す説明である。 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 ｔ ％ ｎ ＲＦＩ （ｅ） 第１図 第２図
の関係を示す説明図、第２図は従来の技術における電流
宙度と電着時間の関係を示す説明である。 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 ｔ ％ ｎ ＲＦＩ （ｅ） 第１図 第２図
Claims (1)
- 金属基板上へのインジウムメッキにおいて、通電パル
スと非通電パルスとを交互に繰り返し発生するパルス電
源を用いて、金属基板上にインジウムメッキをすること
を特徴とするインジウムメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14116888A JPH01309992A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | インジウムメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14116888A JPH01309992A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | インジウムメッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309992A true JPH01309992A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=15285718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14116888A Pending JPH01309992A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | インジウムメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01309992A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8460533B2 (en) | 2006-12-15 | 2013-06-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Indium compositions |
| US8491773B2 (en) | 2008-04-22 | 2013-07-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of replenishing indium ions in indium electroplating compositions |
| JP2014037634A (ja) * | 2001-10-02 | 2014-02-27 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP14116888A patent/JPH01309992A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014037634A (ja) * | 2001-10-02 | 2014-02-27 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
| US8460533B2 (en) | 2006-12-15 | 2013-06-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Indium compositions |
| US9206519B2 (en) | 2006-12-15 | 2015-12-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Indium compositions |
| US8491773B2 (en) | 2008-04-22 | 2013-07-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of replenishing indium ions in indium electroplating compositions |
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