JPH11269691A - 銀及び銀合金メッキ浴 - Google Patents
銀及び銀合金メッキ浴Info
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- JPH11269691A JPH11269691A JP15066098A JP15066098A JPH11269691A JP H11269691 A JPH11269691 A JP H11269691A JP 15066098 A JP15066098 A JP 15066098A JP 15066098 A JP15066098 A JP 15066098A JP H11269691 A JPH11269691 A JP H11269691A
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Abstract
開発する。 【解決手段】 (A)銀塩と、銀塩及びスズ、ビスマス、
インジウム、鉛などの金属の塩の混合物とのいずれかよ
りなる可溶性塩、(B)分子内に1個以上の塩基性窒素原
子を有する2,2′−ジピリジルスルフィド、2,2′−ジピ
ペラジニルジスルフィドなどの特定スルフィド系化合
物、或は1−アザ−7−オキサ−4,10−ジチアシクロドデ
カンなどの特定チオクラウンエーテル化合物を含有する
銀及び銀合金メッキ浴である。これらの特定化合物の含
有により、チオグリコール酸などの他のイオウ系化合物
の含有浴に比べて、メッキ浴の経時安定性、銀と種々の
金属の共析化、電着皮膜の外観などに優れる。
Description
浴に関し、浴の経時安定性にきわめて優れ、且つ、銀合
金メッキ浴においては銀と他の金属を確実に共析させる
ことができる非シアン型の安全な浴を提供する。
を生成し易いので、メッキ浴中に銀を経時安定的に溶解
するのは容易でなく、浴が分解して銀が析出し易い。ま
た、銀は電気化学的には貴な金属であるため、他の金属
との合金メッキは容易でない。このため、実用的な銀系
メッキ浴の種類にはおのずから制限があり、例えば、銀
又は銀−スズ合金メッキ浴では、旧来より各種のシアン
化合物を含有するアルカリ性シアン浴が知られている。
しかしながら、シアン化合物はきわめて毒性が強く、特
別な排水処理を必要とするために処理コストが嵩むう
え、アルカリ領域でしか使用できないために、銀合金メ
ッキを行う場合、相手金属の種類が限定されてしまう。
また、アルカリ浴では用途も限定されるし、当該シアン
浴は実用上充分な安定性も備えていない。このため、強
酸性をも含む広いpH領域で銀を安定に溶解し、安全性
の高い銀又は銀合金メッキ浴を新たに開発することが望
まれている。
公報には、シアン化合物を含有しない非シアン型の銀系
メッキ浴として、チオリンゴ酸、チオ乳酸、チオグリコ
ール酸などのメルカプトアルカンカルボン酸、2−メル
カプトエタンスルホン酸、3−メルカプトプロパンスル
ホン酸などのメルカプトアルカンスルホン酸、及びこれ
らの塩の少なくとも一種を含有する銀−スズ合金メッキ
浴が開示されている。
ッキ浴に特定のメルカプト系有機酸類を含有させること
により、酸性側でも浴が安定で、室温〜高温の広い浴温
条件下で電気メッキが可能であるうえ、メッキ皮膜中の
銀/スズの組成比は電流密度や浴温に相対的に依存しな
いことが述べられている。しかしながら、チオグリコー
ル酸、チオ乳酸などを含有する銀−スズ合金メッキ浴
は、実際には、2週間程度で分解が起こって銀が析出す
ることが多く、長期間継続使用する電気メッキ浴として
は、実用上経時安定性の面で問題がある。また、電流密
度条件を変化させると銀の共析率が変動し易く、しか
も、高電流密度でメッキを行うと電着皮膜にヤケやデン
ドライトなどが生じ易いという弊害がある。そのうえ、
銅や銅合金などの被メッキ素材に対する銀の置換析出
(即ち、酸化還元電位に基づく化学置換作用による析出)
や、析出した銀合金皮膜上へのさらなる銀の置換析出な
どの問題もあり、緻密で良好な外観を有する銀合金メッ
キは得られない。
カプト系有機酸類を出発点にして、当該酸類とは異なる
化合物を含む非シアン型の安定な銀又は銀合金メッキ浴
を開発することを技術的課題とする。
性に関しては、ハード・ソフトな酸・塩基という一般的、
且つ定性的な概念(即ち、HSAB原理)が知られており
(ハード・ソフト・酸・塩基概念の有機化学への応用;有機
合成化学 第33巻第11号(1975)参照)、例えば、電気陰性
度が大きく分極率が低く、原子価電子を強く保持する性
質の塩基をハード塩基といい、逆に、電気陰性度が小さ
く分極率が高く、原子価電子を比較的弱く保持する性質
の塩基をソフト塩基という。ハード塩基はハード酸に配
位してより安定な錯体を形成し、また、ソフト塩基はソ
フト酸に配位してより安定な錯体を形成する。本発明者
らは、Lewis酸の性質を有する銀イオンはソフト酸に分
類できるため、メッキ浴中における銀塩の安定化には、
ソフト酸と結合し易いソフト塩基を活用するのが有効で
はないかと着想した。
ト系有機酸類が使用されていること、及びチオ尿素が銀
のキレート剤として公知であることに鑑みながら、当該
HSAB原理に基づいて、銀或は各種の銀合金メッキ浴
中における種々のソフト塩基の挙動について鋭意研究し
た。その結果、少なくとも1個以上の塩基性窒素原子を
有する特定のスルフィド系化合物をメッキ浴に含有させ
ると、前記従来技術の対象とした銀−スズ合金浴だけで
はなく、銀及び、銀−ビスマス、銀−インジウムなどの
各種の銀合金メッキ浴に対しても、浴の経時安定性がき
わめて良好であるとともに、銀と種々の金属の共析が容
易に行われるため、安定した組成の銀合金メッキが得ら
れることを見い出した。さらには、上記特定のスルフィ
ド系化合物に包含される化合物群のうちの鎖状のポリチ
オエーテル類を研究した延長上で、少なくとも1個以上
の塩基性窒素原子を有する環状のポリチオエーテル類で
ある特定のチオクラウンエーテル化合物は、銀メッキ
浴、或は銀合金メッキ浴に適用した場合に、当該スルフ
ィド系化合物と同様の効果が得られることを見い出し、
本発明を完成した。
スズ、ビスマス、インジウム、鉛、銅、亜鉛、ニッケ
ル、パラジウム、白金、金から選ばれた金属の塩の混合
物とのいずれかよりなる可溶性塩、(B)下記の一般式
(1)で表される特定のスルフィド系化合物の少なくとも
一種
100の整数を表す;qは1〜100の整数を表す; (a)p=0の場合、 Ra及びRcの少なくとも一方が1個以上の塩基性窒
素原子を有する置換された又は無置換のアルキル、アル
ケニル、アルキニル、アラルキル、シクロアルキル、多
環式シクロアルキル、アリール、多環式アリール、ヘテ
ロ環式基、多環式ヘテロ環式基を表すか、或は、 Ra及びRcが結合して1個以上の塩基性窒素原子を
有する置換された又は無置換の単環、多環を形成するこ
とを表す。但し、上記〜では、Ra及びRcは互い
に同一又は異なっても良い; (b)p=1〜100の場合、 Ra及びRcは置換された又は無置換のアルキル、ア
ルケニル、アルキニル、アラルキル、シクロアルキル、
多環式シクロアルキル、アリール、多環式アリール、ヘ
テロ環式基、多環式ヘテロ環式基を表し、Rbは置換さ
れた又は無置換のアルキレン、アルケニレン、アルキニ
レン、アラルキレン、シクロアルキレン、多環式シクロ
アルキレン、アリレン、多環式アリレン、ヘテロ環式
基、多環式ヘテロ環式基を表し、且つ、Ra、Rb、R
cの少なくとも一つが1個以上の塩基性窒素原子を有す
るか、或は、 RaとRb、RaとRc又はRbとRcが結合する
か、RaとRb及びRbとRcが複合的に結合して、少
なくとも1個以上の塩基性窒素原子を有する置換された
又は無置換の単環、多環を形成することを表す。但し、
上記〜では、Ra、Rb、Rcは互いに同一又は異
なっても良い)を含有することを特徴とする銀及び銀合
金メッキ浴である。
ビスマス、インジウム、鉛、銅、亜鉛、ニッケル、パラ
ジウム、白金、金から選ばれた金属の塩の混合物とのい
ずれかよりなる可溶性塩、(B)次の(イ)〜(ハ)に示され
る特定のチオクラウンエーテル化合物の少なくとも一種
(イ)少なくとも1個以上の塩基性窒素原子を分子内に有
するチオクラウンエーテル化合物、(ロ)少なくとも1個
以上の塩基性窒素原子及び酸素原子を分子内に有するチ
オクラウンエーテル化合物、(ハ)上記(イ)及び(ロ)のチ
オクラウンエーテル化合物の少なくとも一種同士がC1
〜5のアルキレン鎖で結合した化合物を含有することを
特徴とする銀及び銀合金メッキ浴である。
て、さらに平滑剤を含有することを特徴とするものであ
る。
物は、分子中にスルフィド、ジスルフィド、トリスルフ
ィド、或はテトラスルフィド結合を1個、又は繰り返し
有するとともに、当該結合の両翼原子団のうちの、少な
くとも一方に1個以上の塩基性窒素原子を有する化合物
である。当該スルフィド系化合物を具体的な構造式で説
明すると、例えば、下記の(2)式に示す2,2′-ジ(1-
メチルピロリル)ジスルフィドでは、ジスルフィド結合
の両翼のピロール環が塩基性窒素原子を有し、両翼の原
子団は互いに同一である。
アニリンでは、ジスルフィド結合の両翼のベンゼン環に
置換したアミノ基が塩基性窒素原子を有する。
シフェニル−2′−ピリジルジスルフィドでは、ジスル
フィド結合の両翼原子団は互いに異なり、塩基性窒素原
子は原子団の一方のピリジン環に存在する。
Ra、Rcは、アルキル、アルケニル、アルキニル、ア
ラルキル、シクロアルキル、多環式シクロアルキル、ア
リール、多環式アリール、ヘテロ環式基、多環式ヘテロ
環式基を表し、原子団Rbはアルキレン、アルケニレ
ン、アルキニレン、アラルキレン、シクロアルキレン、
多環式シクロアルキレン、アリレン、多環式アリレン、
ヘテロ環式基、多環式ヘテロ環式基を表す。上記原子団
の具体例を示すと、C1〜C6アルキル、C2〜C6アルケ
ニル、C2〜C6アルキニル、シクロペンタン環基、シク
ロヘキサン環基、ベンゼン環基、ナフタレン環基、フェ
ナントレン環基、ピリジン環基、ピロール環基、ピラジ
ン環基、ピリダジン環基、チアゾール環基、チアジアゾ
ール環基、イミダゾリン環基、イミダゾール環、チアゾ
リン環基、トリアゾール環、テトラゾール環基、ピコリ
ン環基、フラザン環基、ピペリジン環基、ピペラジン環
基、トリアジン環、モルホリン環基、ベンゾチアゾール
環基、ベンゾイミダゾール環基、キノリン環基、キノキ
サリン環基、プテリジン環基、フェナントロリン環基、
フェナジン環基、インドリン環基、ペルヒドロインドリ
ン環基などである。
め、スルフィド系化合物はスルフィド化合物、ジスルフ
ィド化合物、トリスルフィド化合物、テトラスルフィド
化合物から成る。特に、上記化合物の中でも後二者の具
体例を示すと、トリスルフィド化合物は下記の(5)式に
示す4,4′−ジ(3−カルボキシルピリジル)トリスル
フィドなどであり、
示す2,2′−ジ(6−クロロピリジル)テトラスルフィ
ドなどである。
Rbの繰り返し数pは0〜100、原子団Rcの繰り返
し数qは1〜100であるため、下記の(7)式に示す2,
2′−ジ{6-(2-ピリジルジチオ)ピリジル}ジスルフ
ィド、(8)式の2,4,6-トリス(2-ピリジルジチオ)-
1,3,5-トリアジン、(9)式のジ(2−ピリジルチオ)メ
タンなどの化合物、或は、後述の(12)〜(15)式などで表
される1個以上の塩基性窒素原子を分子内に有する鎖状
のポリチオエーテル化合物なども本発明のスルフィド系
化合物に含まれる。
合物の末端に位置するRaとRcは結合して、置換され
た又は無置換の単環、或は多環を形成しても良い。ま
た、p=1〜100の場合には、RaとRb、RaとR
b又はRbとRcが結合して置換された又は無置換の単
環、或は多環を形成したり、RaとRb及びRbとRc
が複合的に結合して置換された又は無置換の単環、或は
多環を形成しても良い。従って、下記の(10)式に示す
2,4,6-トリス(2-ピリジル)-1,3,5-トリチアン、
或は(11)式の5,5′−ジアミノ−2,11−ジチオ
[3,3]パラシクロファンなどの化合物も本発明のス
ルフィド系化合物に含まれる。
ても又は無置換でも良い。例えば、上記(7)〜(9)式のピ
リジン環は夫々無置換であるが、上記(4)式のジスルフ
ィド結合の右側のベンゼン環にはヒドロキシル基が、上
記(2)式ではピロール環にメチル基が、また、上記(6)式
ではピリジン環にクロロ基が夫々置換している。上記置
換基の具体例を述べると、C1〜6アルキル、C2〜6アル
ケニル、C2〜6アルキニル、C1〜6アルコキシ、C1〜6
アルキルチオ、C1〜6アルコキシC1〜6アルキル、C1
〜6アルキルチオC1〜6アルキル、C1〜6アルキルカル
ボニル、C1〜6アルコキシカルボニル、アミノ、C1〜6
アルキルアミノ、C1〜6ジアルキルアミノ、カルバモイ
ル、ハロゲン、アルキルスルホニル、アリールスルホニ
ル、アルキルスルフィニル、アリールスルフィニル、ア
ルキルスルフェニル、アリールスルフェニル、シアノ、
ニトロ、ヒドロキシ、カルボキシル、メルカプト、イミ
ノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルキルジチオ、ア
リールジチオ、アルキルトリチオ、アリールトリチオ、
アルキルテトラチオ、アリールテトラチオ基などであ
る。
は、上位概念的には、前述のスルフィド系化合物のうち
の鎖状のポリチオエーテル化合物に対して、環状のポリ
チオエーテル類として表せる環式化合物であり、上記
(イ)で表される化合物、例えば、アザチアクラウンエー
テル化合物、上記(ロ)で表される化合物、例えば、アザ
オキサチアクラウンエーテル化合物、及びこれらを所定
のアルキレン鎖で結合した上記(ハ)の化合物を包含す
る。上記アザチアクラウンエーテル化合物は、基本的に
はクラウンエーテルの酸素原子を硫黄原子に置き換えた
分子内に少なくとも1個以上の塩基性窒素原子を有する
ものであり、具体的には、後述の(17)〜(20)式、(23)〜
(25)式、或は(27)式などで表される化合物である。上記
アザオキサチアクラウンエーテル化合物は、例えば、当
該アザチアクラウンエーテル化合物の環状基本骨格内、
又は基本骨格以外の置換基内に(硫黄原子以外のヘテロ
原子としての)酸素原子を少なくとも1個以上有するも
のであり、具体的には、後述の(16)式、(22)式、或は(2
6)式などで表される化合物である。上記(ハ)の化合物
は、例えば、アザチアクラウンエーテル化合物同士、ア
ザオキサチアクラウンエーテル化合物同士、或はアザチ
アクラウンエーテル化合物とアザオキサチアクラウンエ
ーテル化合物が夫々C1〜5のアルキレン鎖で結合したも
のであり、アルキレン鎖で結合されるチオクラウンエー
テル環は2個に限定されず、3個、或は4個以上であっ
ても良く、具体的には、後述の(21)式などで表される化
合物である。
エーテル化合物は、前記スルフィド系化合物と同様に、
後述の(19)式や(20)式に示すように、チオクラウンエー
テル環に種々の置換基が結合していても良い。また、チ
オクラウンエーテル化合物の塩基性窒素原子は、後述の
(17)式や(18)式のように環の基本骨格を構成する原子と
して存在しても良いし、後述の(25)式のように環の一部
を構成するピリジン環などの中に存在しても良く、或
は、(27)式や(24)式のように環の基本骨格に置換したア
ミノ基などの形態で存在しても良い。
各種の常法で合成される。例えば、両翼原子団に塩基性
窒素を有するヘテロ環基が結合したスルフィド化合物
は、ナトリウムチオラートとハロゲン化物を反応させて
合成される。上記ジスルフィド化合物は、例えば、チオ
ール化合物を過酸化水素やヨウ素などの酸化剤で酸化
し、ジスルフィド結合を生成するなどの常法により合成
される。尚、非対称のジスルフィド化合物の場合には、
チオール化合物とスルフェニルクロリドを反応させて合
成される。上記トリスルフィド化合物は、チオール化合
物と塩化チオニルを反応させて合成される。また、上記
テトラスルフィド化合物は、ヒドロジスルフィド化合物
をヨウ素などで酸化して合成される。
鎖状のポリチオエーテル化合物に関して、例えば、後述
の(15)式の窒素原子を2個有するポリチオエーテルは、
1,4,7,10−テトラチアウンデカンと2−クロロピ
リジンを無水アルコール中、金属ナトリウムの存在下で
反応させ、塩化水素の脱離により合成される。また、環
状のポリチオエーテルであるチオクラウンエーテル化合
物に関して、後述の(18)式の窒素原子を2個有するジア
ザテトラチアクラウンエーテルは、1,4−ジチアブタ
ンとビス(2−クロロエチル)アミン塩酸塩を無水アルコ
ール中、金属ナトリウムの存在下で閉環反応させて合成
される。即ち、後述の(12)式〜(27)式に列記した塩基性
窒素原子を有する鎖状のポリチオエーテル化合物、或は
環状のポリチオエーテル化合物(即ち、チオクラウンエー
テル化合物)は、基本的には対応するジメルカプタン化
合物と対応するハロゲン化炭化水素を例えば無水溶媒
中、金属ナトリウム等の塩基の存在下で反応させるなど
の方式で合成される。以上のように、上記スルフィド系
化合物、或はチオクラウンエーテル化合物は共に常法に
より合成でき、元素分析、IR分析、NMR分析、MS
分析、或はUV分析などで同定できる。
エーテル化合物の具体例としては次の化合物などが挙げ
られる。 (1)2−エチルチオアニリン (2)2−(2−アミノエチルジチオ)ピリジン (3)2,2′−ジチアジアゾリルジスルフィド (4)5,5′−ジ(1,2,3−トリアゾリル)ジスルフィ
ド (5)2,2′−ジピラジニルジスルフィド (6)2,2′−ジピリジルジスルフィド (7)2,2′−ジチオアニリン (8)4,4′−ジピリジルジスルフィド (9)2,2′−ジアミノ−4,4′−ジメチルジフェニル
ジスルフィド (10)2,2′−ジピリダジニルジスルフィド (11)5,5′−ジピリミジニルジスルフィド (12)2,2′−ジ(5−ジメチルアミノチアジアゾリル)
ジスルフィド (13)5,5′−ジ(1−メチルテトラゾリル)ジスルフィ
ド (14)2,2′−ジ(1−メチルピロリル)ジスルフィド (15)2−ピリジル−2−ヒドロキシフェニルジスルフィ
ド (16)2,2′−ジピペリジルジスルフィド (17)2,2′−ジピリジルスルフィド (18)2,6−ジ(2−ピリジルジチオ)ピリジン (19)2,2′−ジピペラジニルジスルフィド (20)2,2′−ジ(3,5−ジヒドロキシピリミジニル)ジ
スルフィド (21)2,2′−ジキノリルジスルフィド (22)2,2′−ジ{6−(2−ピリジル)}ピリジルジス
ルフィド (23)2,2′−α−ピコリルジスルフィド (24)2,2′−ジ(8−ヒドロキシキノリル)ジスルフィ
ド (25)5,5′−ジイミダゾリルジスルフィド (26)2,2′−ジチアゾリルジスルフィド (27)2−ピリジル−2−アミノフェニルジスルフィド (28)2−ピリジル−2−キノリルジスルフィド (29)2,2′−ジチアゾリニルジスルフィド (30)2,2′−ジ(4,5-ジアミノ-6-ヒドロキシピリミ
ジニル)ジスルフィド (31)2,2′−ジ(6−クロロピリジル)テトラスルフィ
ド (32)2,2′−ジモルホリノジスルフィド (33)2,2′−ジ(8−メトキシキノリル)ジスルフィド (34)4,4′−ジ(3−メトキシカルボニルピリジル)ジ
スルフィド (35)2−ピリジル−4−メチルチオフェニルジスルフィ
ド (36)2−ピペラジル−4−エトキシメチルフェニルジス
ルフィド (37)2,2′−ジ{6-(2-ピリジルジチオ)ピリジル}
ジスルフィド (38)2,2′−ジキノキサリニルジスルフィド (39)2,2′−ジプテリジニルジスルフィド (40)3,3′−ジフラザニルジスルフィド (41)3,3′−ジフェナントロリニルジスルフィド (42)8,8′−ジキノリルジスルフィド (43)1,1′−ジフェナジニルジスルフィド (44)4,4′−ジ(3−カルボキシルピリジル)トリスル
フィド (45)2,2′−ジチアゾリニルジスルフィド (46)2,2′−ジピコリルジスルフィド (47)ジメチルアミノジエチルジスルフィド (48)2,2′−ジペルヒドロインドリルジスルフィド (49)6,6′−ジイミダゾ[2,1−b]チアゾリルジス
ルフィド (50)2,2′−ジ(5−ニトロベンズイミダゾリル)ジス
ルフィド (51)2,4,6−トリス(2−ピリジルジチオ)−1,3,5
−トリアジン (52)2−アミノエチル−2′−ヒドロキシエチルジスル
フィド (53)ジ(2−ピリジルチオ)メタン (54)2,4,6−トリス(2−ピリジル)−1,3,5−トリ
チアン (55)5,5′−ジアミノ−2,11−ジチオ[3,3]パ
ラシクロファン (56)2,3−ジチア−1,5−ジアザインダン (57)2,4,6−トリチア−3a,7a−ジアザインデン
6−ジチアオクタン
アミノ)−3,6,9−トリチアウンデカン
アミノ)−3,6,9,12−テトラチアテトラデカン
ジル)−1,4,7,10−テトラチアデカン
−4,10−ジチアシクロドデカン
1,14−テトラチアシクロヘキサデカン
7,13,16−テトラチアシクロオクタデカン
10−ジメチル−4,7,13,16−テトラチアシクロ
オクタデカン
16−ビス(2−ヒドロキシベンジル)−4,7,10,1
3,19,22,25,28−オクタチアシクロトリアコン
タン
タンジイル)ビス−1−アザ−4,7,10−トリチアシ
クロドデカン
20−ジオキサ−8,11,14,17−テトラチアビシ
クロ[22.2.2]オクタコサ−1,24,27−トリエ
ン
19,20,21−オクタヒドロ−6H,17H−ジベン
ゾ[b,k][1,4,10,13,7,16]テトラチアジ
アザシクロオクタデカン
トラチアトリシクロ[17.3.1.18,12]テトラコ
サ−1,8,10,12,19,21−ヘキサエン−23,2
4−ジアミン
トラチア−25,26−ジアザトリシクロ[19.3.1.
19,13]ヘキサコサ−1,9,11,13,21,23−
ヘキサエン
7−ジオキサ−13,16,21,24−テトラチアビシ
クロ[8.8.8]ヘキサコサン
1,4,8,11−テトラチアシクロテトラデカン
ンエーテル化合物は各々単用又は併用でき、スルフィド
系化合物とチオクラウンエーテル化合物を併用しても良
い。メッキ浴に対するこれらの化合物の総濃度は、メッ
キ浴に含まれる銀濃度に応じて増減することができ、具
体的には、一般に0.0001〜5moL/L、好まし
くは0.001〜2moL/Lである。
対象とするが、この銀合金は、上述のように、銀と、ス
ズ、ビスマス、インジウム、鉛、銅、亜鉛、ニッケル、
パラジウム、白金、金から選ばれた金属との合金であ
る。具体的には、銀−スズ、銀−ビスマス、銀−インジ
ウム、銀−鉛、銀−銅、銀−亜鉛、銀−ニッケル、銀−
パラジウム、銀−白金、銀−金などの二成分系の銀合金
を初め、銀−スズ−金、銀−スズ−パラジウム、銀−ス
ズ−ニッケル、銀−スズ−銅、銀−銅−インジウムなど
の3成分系の銀合金も含まれる。ちなみに、銀−スズ−
パラジウム、銀−スズ−ニッケルなどの3成分系では、
例えば、メッキ浴にパラジウム塩、ニッケル塩を微量
(例えば、200〜1000mg/L)含有させて、パラジウム、或は
ニッケルを含む銀−スズ合金を得るのである。
ダジン環基、ピリジン環基、チアジアゾール環基、チア
ゾール環基、ヒドロキシル基が置換したキノリン環基、
テトラゾール環基、モルホリン環基、キノキサリン環
基、フェナントロリン環基、或はアミノ基が置換したベ
ンゼン環基などを両翼原子団に有するスルフィド、或は
ジスルフィド化合物などのスルフィド系化合物は、銀−
ビスマス、銀−インジウム、銀−鉛合金浴に好適である
が、銀、銀−スズ、銀−スズ−パラジウム、銀−亜鉛合
金などのメッキ浴に対しても実用的である。
酸銀、スルホコハク酸銀、硝酸銀、クエン酸銀、酒石酸
銀、グルコン酸銀、シュウ酸銀、酸化銀などの任意の可
溶性の塩類を使用できるが、後述の酸(特に、有機スルホ
ン酸)との塩類(メタンスルホン酸銀、エタンスルホン酸
銀、2−プロパノールスルホン酸銀、ホウフッ化銀など)
が好ましい。一方、銀と合金を生成する上記特定金属の
塩はメッキ浴中でSn2+、Sn4+、SnO3 2-、B
i3+、In3+、Pb2+、Cu2+、Cu+、Zn2+、Ni
2+、Pd2+、Pt2+、Pt4+、Au+、Au3+などの各
種の金属イオンを生成する任意の可溶性塩を意味し、そ
の具体例は下記の通りであるが、中でも、後述の酸(特
に、有機スルホン酸)との塩類が好ましい。
ム、酸化亜鉛、酸化第二銅、酸化第一銅、酸化ニッケ
ル、酸化第一スズ、酸化第二スズなど。 (2)ハロゲン化物:塩化ビスマス、臭化ビスマス、塩化
インジウム、ヨウ化インジウム、塩化鉛、塩化亜鉛、臭
化亜鉛、塩化第一銅、塩化第二銅、塩化ニッケル、塩化
パラジウム、塩化第一スズ、塩化第二スズなど。尚、銀
イオンはハロゲンイオンの存在下ではハロゲン化銀とな
って沈殿するが、本発明のメッキ浴では、上記ハロゲン
化物を添加しても、ハロゲン化銀の沈殿はない。 (3)無機酸又は有機酸との塩、その他:硝酸ビスマス、
硫酸ビスマス、硫酸インジウム、硫酸第二銅、硫酸第一
スズ、ホウフッ化第一スズ、硫酸亜鉛、酢酸ニッケル、
硫酸ニッケル、硫酸パラジウム、メタンスルホン酸ビス
マス、メタンスルホン酸亜鉛、メタンスルホン酸第一ス
ズ、エタンスルホン酸第一スズ、2−プロパノールスル
ホン酸第一スズ、メタンスルホン酸鉛、p−フェノール
スルホン酸鉛、p−フェノールスルホン酸第二銅、メタ
ンスルホン酸ニッケル、メタンスルホン酸パラジウム、
エタンスルホン酸白金、2−プロパノールスルホン酸
金、スズ酸ナトリウム、スズ酸カリウムなど。
併用でき、これらの金属の総濃度(金属としての換算添
加量)は、一般に0.01〜200g/L、好ましくは
0.1〜100g/Lである。
カリ性浴を問わないが、アルカリ性浴では用途が限定さ
れる傾向があるため、酸性浴、中性浴が好ましい。酸性
浴の場合には、メッキ浴での反応が比較的穏やかで、排
水処理の容易なアルカンスルホン酸、アルカノールスル
ホン酸等の有機スルホン酸、或は、脂肪族カルボン酸な
どの有機酸が好ましいが、塩酸、硫酸、ホウフッ化水素
酸、ケイフッ化水素酸、過塩素酸などの無機酸を選択す
ることもできる。また、アルカリ性浴の場合には、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアなどを用い
ることができる。上記酸、或はアルカリは単用又は併用
され、その添加量は一般に0.1〜500g/L、好ま
しくは10〜250g/Lである。
CnH2n+1SO3H(例えば、n=1〜11)で示されるもの
が使用でき、具体的には、メタンスルホン酸、エタンス
ルホン酸、1―プロパンスルホン酸、2―プロパンスル
ホン酸、1―ブタンスルホン酸、2―ブタンスルホン
酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカン
スルホン酸、ドデカンスルホン酸などが挙げられる。
学式 CmH2m+1-CH(OH)-CpH2p-SO3H(例えば、m=0
〜2、p=1〜10) で示されるものが使用でき、具体的には、2―ヒドロキ
シエタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシプロパン―
1―スルホン酸、2―ヒドロキシブタン―1―スルホン
酸、2―ヒドロキシペンタン―1―スルホン酸などの
外、1―ヒドロキシプロパン―2―スルホン酸、3―ヒ
ドロキシプロパン―1―スルホン酸、4―ヒドロキシブ
タン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシヘキサン―1―
スルホン酸、2―ヒドロキシデカン―1―スルホン酸、
2―ヒドロキシドデカン―1―スルホン酸などが挙げら
れる。
炭素数1〜6のカルボン酸が使用できる。具体的には、
酢酸、プロピオン酸、酪酸、クエン酸、酒石酸、グルコ
ン酸、スルホコハク酸などが挙げられる。
滑性、緻密性、密着性、外観などを向上し、或は光沢性
や半光沢性などを付与する化合物の総称であり、各種の
界面活性剤が代表的であるが、これ以外にも当該作用を
有する化合物であれば任意のものが使用できる。上記界
面活性剤としては、ノニオン系、アニオン系、カチオン
系、両性の各種界面活性剤の中から少なくとも一種を使
用することができる。
は、C1〜C20アルカノール、フェノール、ナフトー
ル、ビスフェノール類、C1〜C25アルキルフェノー
ル、アリールアルキルフェノール、C1〜C25アルキル
ナフトール、C1〜C25アルコキシル化リン酸(塩)、ソ
ルビタンエステル、スチレン化フェノール、ポリアルキ
レングリコール、C1〜C22脂肪族アミン、C1〜C22脂
肪族アミドなどにエチレンオキシド(EO)及び/又はプ
ロピレンオキシド(PO)を2〜300モル付加縮合させ
たものや、C1〜C25アルコキシル化リン酸(塩)などが
挙げられる。
レンオキシド(PO)を付加縮合させるC1〜C20アルカ
ノールとしては、オクタノール、デカノール、ラウリル
アルコール、テトラデカノール、ヘキサデカノール、ス
テアリルアルコール、エイコサノール、セチルアルコー
ル、オレイルアルコール、ドコサノールなどが挙げられ
る。同じくビスフェノール類としては、ビスフェノール
A、ビスフェノールB、ビスフェノールFなどが挙げら
れる。C1〜C25アルキルフェノールとしては、モノ、
ジ、若しくはトリアルキル置換フェノール、例えば、p
−メチルフェノール、p−ブチルフェノール、p−イソ
オクチルフェノール、p−ノニルフェノール、p−ヘキ
シルフェノール、2,4−ジブチルフェノール、2,4,
6−トリブチルフェノール、ジノニルフェノール、p−
ドデシルフェノール、p−ラウリルフェノール、p−ス
テアリルフェノールなどが挙げられる。アリールアルキ
ルフェノールとしては、2−フェニルイソプロピルフェ
ノール、クミルフェノールなどが挙げられる。C1〜C
25アルキルナフトールのアルキル基としては、メチル、
エチル、プロピル、ブチルヘキシル、オクチル、デシ
ル、ドデシル、オクタデシルなどが挙げられ、ナフタレ
ン核の任意の位置にあって良い。C1〜C25アルコキシ
ル化リン酸(塩)は、下記の一般式(a)で表されるもので
ある。
キル、但し、一方がHであっても良い。MはH又はアルカ
リ金属を示す。)
はトリエステル化した1,4−、1,5−又は3,6−ソ
ルビタン、例えばソルビタンモノラウレート、ソルビタ
ンモノパルミテート、ソルビタンジステアレート、ソル
ビタンジオレエート、ソルビタン混合脂肪酸エステルな
どが挙げられる。C1〜C22脂肪族アミンとしては、プ
ロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチ
ルアミン、デシルアミン、ラウリルアミン、ミリスチル
アミン、ステアリルアミン、オレイルアミン、牛脂アミ
ン、エチレンジアミン、プロピレンジアミンなどの飽和
及び不飽和脂肪酸アミンなどが挙げられる。C1〜C22
脂肪族アミドとしては、プロピオン酸、酪酸、カプリル
酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチ
ン酸、ステアリン酸、オレイン酸、ベヘン酸、ヤシ油脂
肪酸、牛脂脂肪酸などのアミドが挙げられる。
は、 R1N(R2)2→O (上式中、R1はC5〜C25アルキル又はRCONHR3(R
3はC1〜C5アルキレンを示す)、R2は同一又は異なるC
1〜C5アルキルを示す。)などで示されるアミンオキシド
を用いることができる。
合しても良く、メッキ浴の添加量は一般に0.05〜1
00g/L、好ましくは0.1〜50g/Lである。
の一般式(b)で表される第4級アンモニウム塩
カンスルホン酸又は硫酸、R1、R2及びR3は同一又は
異なるC1〜C20アルキル、R4はC1〜C10アルキル又
はベンジルを示す。) 或は、下記の一般式(c)で表されるピリジニウム塩など
が挙げられる。
カンスルホン酸又は硫酸、R5はC1〜C20アルキル、R
6はH又はC1〜C10アルキルを示す。)
ては、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、ステアリル
トリメチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルア
ンモニウム塩、オクタデシルジメチルエチルアンモニウ
ム塩、ジメチルベンジルラウリルアンモニウム塩、セチ
ルジメチルベンジルアンモニウム塩、オクタデシルジメ
チルベンジルアンモニウム塩、トリメチルベンジルアン
モニウム塩、トリエチルベンジルアンモニウム塩、ヘキ
サデシルピリジニウム塩、ラウリルピリジニウム塩、ド
デシルピリジニウム塩、ステアリルアミンアセテート、
ラウリルアミンアセテート、オクタデシルアミンアセテ
ートなどが挙げられる。
キル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸
塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ア
ルキルナフタレンスルホン酸塩などが挙げられる。アル
キル硫酸塩としては、ラウリル硫酸ナトリウム、オレイ
ル硫酸ナトリウムなどが挙げられる。ポリオキシエチレ
ンアルキルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレ
ン(EO12)ノニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキ
シエチレン(EO15)ドデシルエーテル硫酸ナトリウム
などが挙げられる。ポリオキシエチレンアルキルフェニ
ルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレン(EO
15)ノニルフェニルエーテル硫酸塩などが挙げられ
る。アルキルベンゼンスルホン酸塩としては、ドデシル
ベンゼンスルホン酸ナトリウムなどが挙げられる。ま
た、(モノ、ジ、トリ)アルキルナフタレンスルホン酸塩と
しては、ジブチルナフタレンスルホン酸ナトリウムなど
が挙げられる。
スルホベタイン、アミノカルボン酸などが挙げられる。
また、エチレンオキシド及び/又はプロピレンオキシド
とアルキルアミン又はジアミンとの縮合生成物の硫酸化
或はスルホン酸化付加物も使用できる。当該ベタインは
下記の一般式(d)又は(e)などで表されるものである。
一又は異なるC1〜C5アルキル、nは1〜3の整数を示
す。)
OH又は(CH2)mOCH2CO2 -、R12は(CH2)nCO2
-、(CH2)nSO3 -、CH(OH)CH2SO3 -、m及びn
は1〜4の整数を示す。)
ミノ酢酸ベタイン、ステアリルジメチルアミノ酢酸ベタ
イン、ヤシ油脂肪酸アミドプロピルジメチルアミノ酢酸
ベタイン、2−ウンデシル−1−カルボキシメチル−1
−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、2−オ
クチル−1−カルボキシメチル−1−カルボキシエチル
イミダゾリニウムベタインなどが挙げられ、硫酸化及び
スルホン酸化付加物としてはエトキシル化アルキルアミ
ンの硫酸付加物、スルホン酸化ラウリル酸誘導体ナトリ
ウム塩などが挙げられる。
ミドプロピルジメチルアンモニウム−2−ヒドロキシプ
ロパンスルホン酸、N−ココイルメチルタウリンナトリ
ウム、N−パルミトイルメチルタウリンナトリウムなど
が挙げられる。アミノカルボン酸としては、ジオクチル
アミノエチルグリシン、N−ラウリルアミノプロピオン
酸、オクチルジ(アミノエチル)グリシンナトリウム塩な
どが挙げられる。
界面活性剤は2以上を併用しても良く、メッキ浴への添
加量は一般に0.05〜100g/L、好ましくは0.1
〜50g/Lである。
適である。即ち、β−ナフトール、β−ナフトール−6
−スルホン酸、β−ナフタレンスルホン酸、m−クロロ
ベンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、p−
ヒドロキシベンズアルデヒド、(o−、p−)メトキシベ
ンズアルデヒド、バニリン、(2,4−、2,6−)ジクロ
ロベンズアルデヒド、(o−、p−)クロロベンズアルデ
ヒド、1−ナフトアルデヒド、2−ナフトアルデヒド、
2(4)−ヒドロキシ−1−ナフトアルデヒド、2(4)−
クロロ−1−ナフトアルデヒド、2(3)−チオフェンカ
ルボキシアルデヒド、2(3)−フルアルデヒド、3−イ
ンドールカルボキシアルデヒド、サリチルアルデヒド、
o−フタルアルデヒド、ホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、パラアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチ
ルアルデヒド、プロピオンアルデヒド、n−バレルアル
デヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、グリオキ
サール、アルドール、スクシンジアルデヒド、カプロン
アルデヒド、イソバレルアルデヒド、アリルアルデヒ
ド、グルタルアルデヒド、1−ベンジリデン−7−ヘプ
タナール、2,4−ヘキサジエナール、シンナムアルデ
ヒド、ベンジルクロトンアルデヒド、アミン−アルデヒ
ド縮合物、酸化メシチル、イソホロン、ジアセチル、ヘ
キサンジオン−3,4、アセチルアセトン、3−クロロ
ベンジリデンアセトン、sub.ピリジリデンアセト
ン、sub.フルフリジンアセトン、sub.テニリデン
アセトン、4−(1−ナフチル)−3−ブテン−2−オ
ン、4−(2−フリル)−3−ブテン−2−オン、4−
(2−チオフェニル)−3−ブテン−2−オン、クルクミ
ン、ベンジリデンアセチルアセトン、ベンザルアセト
ン、アセトフェノン、(2,4−、3,4−)ジクロロアセ
トフェノン、ベンジリデンアセトフェノン、2−シンナ
ミルチオフェン、2−(ω−ベンゾイル)ビニルフラン、
ビニルフェニルケトン、アクリル酸、メタクリル酸、エ
タクリル酸、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、
メタクリル酸ブチル、クロトン酸、プロピレン−1,3
−ジカルボン酸、ケイ皮酸、(o−、m−、p−)トルイ
ジン、(o−、p−)アミノアニリン、アニリン、(o
−、p−)クロロアニリン、(2,5−、3,4−)クロロメ
チルアニリン、N−モノメチルアニリン、4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、N−フェニル−(α−、β−)
ナフチルアミン、メチルベンズトリアゾール、1,2,3
−トリアジン、1,2,4−トリアジン、1,3,5−トリ
アジン、1,2,3−ベンズトリアジン、イミダゾール、
2−ビニルピリジン、インドール、キノリン、モノエタ
ノールアミンとo−バニリンの反応物、ポリビニルアル
コール、カテコール、ハイドロキノン、レゾルシン、ポ
リエチレンイミン、エチレンジアミンテトラ酢酸二ナト
リウム、ポリビニルピロリドンなどである。
下記の一般式(f)〜(i)で表される化合物も平滑剤とし
て有用である。
ニル基、RIは水素、水酸基又は存在しない場合、RII
はアルキレン基(C1〜C4)、フェニレン基又はベンジル
基、RIIIは水素又はアルキル基(C0〜C4)である。)
ニル基である。)
なっていても良く、(1)H、(2)―SH、(3)―OH、(4)
OR(Rは所望により―COOHで置換されていても良
いC1〜C6アルキル基)、(5)OH、ハロゲン、―COO
H、―(CO)COOH、アリール又はOC1〜C6アルキ
ル基で置換されていても良いC1〜C6アルキル基を意味
する。)
うちでも、特に、N―(3―ヒドロキシブチリデン)―p
―スルファニル酸、N―ブチリデンスルファニル酸、N
―シンナモイリデンスルファニル酸、2,4―ジアミノ
―6―(2′―メチルイミダゾリル(1′))エチル―1,
3,5―トリアジン、2,4―ジアミノ―6―(2′―エ
チル―4―メチルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,
5―トリアジン、2,4―ジアミノ―6―(2′―ウンデ
シルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,5―トリアジ
ン、サリチル酸フェニルなどが挙げられる。
アゾール類系の平滑剤としては、特に、ベンゾチアゾー
ル、2―メチルベンゾチアゾール、2―(メチルメルカ
プト)ベンゾチアゾール、2―アミノベンゾチアゾー
ル、2―アミノ―6―メトキシベンゾチアゾール、2―
メチル―5―クロロベンゾチアゾール、2―ヒドロキシ
ベンゾチアゾール、2―アミノ―6―メチルベンゾチア
ゾール、2―クロロベンゾチアゾール、2,5―ジメチ
ルベンゾチアゾール、6―ニトロ―2―メルカプトベン
ゾチアゾール、5―ヒドロキシ―2―メチルベンゾチア
ゾール、2―ベンゾチアゾールチオ酢酸などが挙げられ
る。
に加えてそれ以外の各種の有効な化合物をも示したが、
これらの有効な化合物を各種の界面活性剤と併用する
と、その相乗作用で電着皮膜の平滑性がさらに改善され
る。界面活性剤以外として示した上記各種の平滑剤のメ
ッキ浴への添加量は、一般に0.001〜40g/L、
好ましくは0.01〜20g/Lである。
う場合、浴温は一般に70℃以下、好ましくは10〜4
0℃程度である。また、陰極電流密度はメッキ浴の種類
により多少の差異はあるが、一般に0.01〜150A
/dm2程度、好ましくは0.1〜50A/dm2程度で
ある。一方、本発明のメッキ浴を調製する手順として
は、銀塩、銀と合金を生成する特定金属の塩、所定のス
ルフィド系化合物、及び平滑剤やその他の添加剤をベー
スとなる酸やアルカリの液に同時に混合する一浴方式で
行っても良いし、少なくとも銀塩をスルフィド系化合物
に混合した水溶液を、建浴時に残りの浴構成成分と合わ
せる2液混合方式などにより行っても差し支えない。即
ち、銀塩をスルフィド系化合物の共存下で安定な状態に
置いて調製することが肝要である。
度は、バレルメッキ、ラックメッキ、高速連続メッキ、
ラックレスメッキなどに対応して任意に調整・選択でき
る。また、本発明のメッキ浴には、上記平滑剤の外に、
通常のメッキ浴で使用される錯化剤、pH調整剤、緩衝
剤、電導性塩などの添加剤を含有できることは勿論であ
る。例えば、上記錯化剤としては、エチレンジアミンテ
トラ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、シュウ
酸、マロン酸、コハク酸、グリコール酸、グルコヘプト
ン酸、グリシン、ピロリン酸、トリポリリン酸、1−ヒ
ドロキシエタン−1,1−ビスホスホン酸などが挙げら
れる。尚、銀−スズ合金浴のようなスズ塩を含有する銀
合金メッキ浴では、カテコール、ハイドロキノン、フェ
ノールスルホン酸、ナフトールスルホン酸、アスコルビ
ン酸などの酸化防止剤を添加することにより第一スズ塩
の酸化を有効に抑制できる。
のスルフィド系化合物、或はチオクラウンエーテル化合
物を含有するため、スルフィド、ジスルフィドなどの結
合における分極し易いイオウ原子のソフトな塩基として
の(前述のHSABの原理に基づく)配位特性と、イオウ
結合の両翼の原子団の少なくとも一方に存在する1個以
上の塩基性窒素原子の非共有電子対による配位特性の相
乗により、当該スルフィド系化合物、或はチオクラウン
エーテル化合物は銀イオンに対して良好な配位機能を示
すと推定できる。
は、上述のように、特定のスルフィド系化合物、或はチ
オクラウンエーテル化合物の作用で銀が安定に溶解でき
るため、メッキ浴の経時安定性は大幅に向上する。この
ため、浴の分解を少なくとも6ケ月以上に亘って抑制で
き(後述の試験例参照)、電気メッキ浴としての実用性を
有効に確保できる。ちなみに、本発明の銀又は銀合金メ
ッキ浴は、イオウ系化合物のうちの特定のスルフィド系
化合物、或はチオクラウンエーテル化合物を含有するこ
とを特徴とするが、特に、前記従来技術の特定のメルカ
プト系有機酸類やチオ尿素などの他種類のイオウ系化合
物を含有する浴では2〜3週間程度の短期間で分解が起
こるため(後述の試験例のうち、比較例2A・B〜3A・B
参照)、これらの公知の化合物に比較しても、本発明の
スルフィド系化合物、或はチオクラウンエーテル化合物
は、浴の経時安定性に対する寄与の点で格段に優れてい
ることに注意すべきである。
は、分解が進んで電気メッキ自体の長期実施が容易でな
く、電気メッキを行ったとしても電着皮膜における銀の
共析率が悪いという問題があった。しかし、本発明の銀
合金メッキ浴を使用して電気メッキを行うと、後述の試
験例に示すように、銀と他の金属を確実に共析化でき、
良好な銀合金の電着皮膜を形成することができる。ま
た、チオグリコール酸やチオ尿素を含有する浴では、電
流密度の条件が低密度〜高密度に変化すると、銀の共析
率のバラツキが大きいのに対して、本発明の銀合金メッ
キ浴では、低密度〜高密度のいずれの電流密度の条件下
でも電着皮膜における銀の共析率のバラツキが小さく、
皮膜中の銀の含有率が安定化する。このため、メッキ時
の電流密度の管理が容易であるうえ、用途に応じた組成
比のメッキ皮膜を容易に形成できる。
銀合金の電着皮膜は、後述の試験例で述べるように、ヤ
ケ(コゲ)、デンドライト、粉末状化、或は、銅、銅合金
などの被メッキ素地に対する銀の置換析出や析出した皮
膜へのさらなる銀の置換析出などの異常が認められず、
実用的で良好な皮膜外観を具備することができる。ま
た、本発明2の平滑剤をメッキ浴に添加すると、電着皮
膜の外観を一層良好に向上できる。
浴は、いわば銀塩をスルフィド系化合物、或はチオクラ
ウンエーテル化合物で安定に溶解させる非シアン型のメ
ッキ浴なので、安全であり、排水規制が軽減されて排水
処理のコストを削減できる。また、本発明のメッキ浴は
アルカリ側でのみ安定なシアン化合物を使用せず、pH
制限を受けることもない(強酸性を含む)ので、メッキ処
理に際しては、メッキ金属の種類に拘束を受け易いアル
カリ浴に限定されず、酸性浴、中性浴でも良好に使用で
きる。このため、メッキ対象となる金属(銀合金)のバリ
エーションが広がるうえ、メッキ浴のpH管理が容易に
なる。しかも、本発明のスルフィド系化合物、或はチオ
クラウンエーテル化合物は分子内の塩基性窒素原子の存
在で酸性水溶液に可溶な場合が多いので、酸性メッキ浴
では、浴の調製がより一層容易になる。但し、メッキ浴
の調製では、本発明の化合物を界面活性剤などで分散し
ても良いことは言うまでもない。
止の見地からEDTAなどを初めとするキレート機能を
有する錯化剤や安定剤などを全般的に規制し、或は規制
の対象にしようとする動きがある。この観点において
は、銀又は銀合金メッキ浴に含有される安定剤などもメ
ッキ後の排水処理の時点で回収し、環境中に放出しない
ことが重要であるが、チオ尿素、チオグリコール酸など
の従来技術の安定剤は総じて広いpH域で水に易溶であ
るため、回収が容易でない。これに対して、本発明のメ
ッキ浴では、スルフィド系化合物、或はチオクラウンエ
ーテル化合物が塩基性窒素原子などに起因する上記特有
の性質を有するため、排水処理に際してメッキ浴を微ア
ルカリ側、乃至それ以上のアルカリ側に傾けることで、
スルフィド系化合物、或はチオクラウンエーテル化合物
を沈殿させて容易に回収することができ、環境汚染を円
滑に防止できる。
を順次説明するとともに、調製後の各メッキ浴の経時安
定性、銀合金の電着皮膜における銀の共析率、或は各電
着皮膜の外観観察などの各種試験例を併記する。尚、本
発明は下記の実施例に拘束されるものではなく、本発明
の技術的思想の範囲内で多くの変形をなし得ることは勿
論である。
〜27は銀−スズ合金メッキ浴、実施例6〜14、21
〜24及び29〜32は銀−ビスマス合金、銀−ニッケ
ル合金を初めとする銀−スズ合金以外の銀合金メッキ
浴、実施例15〜16及び28は銀メッキ浴である。実
施例9、17、18及び32はモノスルフィド化合物
(主に、冒述の鎖状ポリチオエーテル化合物)の単独含有
例、実施例1〜8と10〜16はジスルフィド化合物の
単独含有例、実施例19〜25と28はチオクラウンエ
ーテル化合物の単独含有例である。また、実施例26は
ジスルフィド化合物とチオクラウンエーテル化合物の併
用例、実施例30はモノスルフィド化合物(具体的には、
鎖状ポリチオエーテル化合物)とチオクラウンエーテル
化合物の併用例、実施例27、29及び31はチオクラ
ウンエーテル化合物同士の併用例である。
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 1g/L メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 40g/L メタンスルホン酸 120g/L 2,2′−ジピリジルジスルフィド 0.03moL/L
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 0.7g/L 硫酸第一スズ(Sn2+として) 20g/L 硫酸 150g/L セチルジメチルベンジルアンモニウムメタンスルホネート 1g/L β−ナフトール−6−スルホン酸 1g/L 2,2′−ジピリダジニルジスルフィド 0.021moL/L
ッキ浴を建浴した。 2−プロパノールスルホン酸銀(Ag+として) 3g/L 2−プロパノールスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 60g/L 2−プロパノールスルホン酸 70g/L ベタイン系両性界面活性剤 1g/L セチルジメチルベンジルアンモニウムメタンスルホネート 1g/L ハイドロキノン 1g/L 2,2′−ジチオアニリン 0.075moL/L
ッキ浴を建浴した。 エタンスルホン酸銀(Ag+として) 5g/L エタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 30g/L メタンスルホン酸 100g/L グルコン酸 0.7moL/L ポリエチレンイミン 5g/L カテコール 0.5g/L 2,6′−ジ(2−ピリジルジチオ)ピリジン 0.25moL/L pH4.0(NaOHで調整)
ッキ浴を建浴した。 ホウフッ化銀(Ag+として) 10g/L ホウフッ化第一スズ(Sn2+として) 20g/L ホウフッ酸 130g/L ホウ酸 30g/L イミダゾリン系両性界面活性剤 10g/L ラウレルジメチルベンジルアンモニウムメタンスルホネート1g/L 5,5′−ジ(1−メチルテトラゾリル) −ジスルフィド 0.35moL/L
金メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 20g/L メタンスルホン酸ビスマス(Bi3+として) 10g/L メタンスルホン酸 150g/L プルロニック系界面活性剤 10g/L o−クロロベンズアルデヒド 0.1g/L 2,2′−ジチアゾリルジスルフィド 0.48moL/L
合金メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 20g/L 硫酸インジウム(In3+として) 20g/L メタンスルホン酸 120g/L ポリビニルアルコール 7g/L テトラブチルアンモニウムメタンスルホネート 2g/L 2,2′−ジピペラジニルジスルフィド 0.70moL/L
キ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 20g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 20g/L メタンスルホン酸 70g/L β−ナフトールポリエトキシレート(EO13) 3g/L ポリペプトン 1g/L 2,2′−ジキノキサリニルジスルフィド 0.80moL/L
キ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 20g/L 硫酸第二銅(Cu2+として) 20g/L 硫酸 100g/L ビスフェノールAポリエトキシレート(EO12) 5g/L 2,2′−ビピリジル 0.03g/L レゾルシン 0.3g/L 2,2′−ジピリジルスルフィド 0.60moL/L
メッキ浴を建浴した。 硝酸銀(Ag+として) 20g/L 硫酸亜鉛(Zn2+として) 20g/L 硫酸 100g/L アミドベタイン系両性界面活性剤 2g/L β−ナフトール 1g/L 2,2′−ジアミノ−4,4′−ジメチル −ジフェニルジスルフィド 0.80moL/L
合金メッキ浴を建浴した。 硝酸銀(Ag+として) 20g/L 硫酸ニッケル(Ni2+として) 5g/L 硫酸 100g/L ベンジルトリブチルアンモニウムヒドロキシド 1.5g/L 2,6−ジヒドロキシナフタレン 1g/L 2,2′−ジ(5−ジメチルアミノチアジアゾリル) −ジスルフィド 0.25moL/L
ム合金メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 10g/L メタンスルホン酸パラジウム(Pd2+として) 1g/L メタンスルホン酸 100g/L ポリビニルピロリドン 5g/L エチレンジアミンテトラ酢酸二ナトリウム 1g/L 2,4,6−トリス(2−ピリジルジチオ) −1,3,5−トリアジン 0.28moL/L
メッキ浴を建浴した。 エタンスルホン酸銀(Ag+として) 10g/L エタンスルホン酸白金(Pt4+として) 1g/L エタンスルホン酸 100g/L クミルフェノールポリエトキシレート(EO10) 3g/L β−ナフタレンスルホン酸 1g/L 2,2′−ジ(8−ヒドロキシキノリル) −ジスルフィド 0.30moL/L
ッキ浴を建浴した。 2−プロパノールスルホン酸銀(Ag+として) 10g/L 2−プロパノールスルホン酸金(Au+として) 1g/L 2−プロパノールスルホン酸 100g/L アルキルグリシン両性界面活性剤 1.5g/L イミダゾール 0.5g/L 4,4′−ジピリジルジスルフィド 0.22moL/L
建浴した。 クエン酸銀(Ag+として) 20g/L クエン酸 100g/L N−(3−ヒドロキシブチリデン) −p−スルファニル酸 3g/L ポリ(オキシエチレン・オキシプロピレン)グリコール −モノアルキルエーテル 5g/L 3,3′−ジフェナントロリニルジスルフィド 0.60moL/L pH=4.0(アンモニアで調整)
建浴した。 酒石酸銀(Ag+として) 20g/L 酒石酸 100g/L アルキル(ヤシ)アミンポリエトキシレート(EO15) 1g/L イミダゾリン系両性界面活性剤 5g/L 2,2′−ジ{6−(2−ピリジル)} −ピリジルジスルフィド 0.70moL/L pH=4.0(アンモニアで調整)
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 1g/L メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 45g/L メタンスルホン酸 110g/L ビスフェノールAポリエトキシレート(EO13) 5g/L ジブチルナフタレンスルホン酸 1g/L 1,8−ジアミノ −3,6−ジチアオクタン(式12の化合物) 0.15moL/L
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 1g/L メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 45g/L メタンスルホン酸 120g/L ノニルフェノールポリエトキシレート(EO15) 8g/L 1,10−ジ(2−ピリジル)−1,4,7,10 −テトラチアデカン(式15の化合物) 0.03moL/L
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 0.7g/L 硫酸第一スズ(Sn2+として) 20g/L 硫酸 150g/L セチルジメチルベンジルアンモニウムメタンスルホネート 1g/L β−ナフトール−6−スルホン酸 1g/L 1,10−ジアザ−4,7,13,16−テトラチア −シクロオクタデカン(式18の化合物) 0.05moL/L
メッキ浴を建浴した。 2−プロパノールスルホン酸銀(Ag+として) 3g/L 2−プロパノールスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 60g/L 2−プロパノールスルホン酸 100g/L ベタイン系両性界面活性剤 1g/L セチルジメチルベンジルアンモニウムメタンスルホネート 1g/L カテコール 0.5g/L 1,16−ジアザ−1,16−ビス(2−ヒドロキシベンジル) −4,7,10,13,19,22,25,28−オクタチア −シクロトリアコンタン(式20の化合物) 0.03moL/L
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 20g/L 硫酸銅(Cu2+として) 20g/L 硫酸 100g/L スチレン化フェノールポリエトキシレート(EO23) 5g/L 2,2′−ビピリジル 0.03g/L ハイドロキノン 0.7g/L 2,23−ジアザ−5,20−ジオキサ−8,11,14,17 −テトラチアビシクロ[22.2.2]オクタコサ −1,24,27−トリエン(式22の化合物) 0.5moL/L
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 20g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 20g/L メタンスルホン酸 80g/L α−ナフトールポリエトキシレート(EO13) 3g/L オレイルアミンポリエトキシレート(EO18) 2g/L 7,8,9,10,18,19,20,21−オクタヒドロ−6H,17H−ジベンゾ −[b,k][1,4,10,13,7,16]テトラチアジアザ −シクロオクタデカン(式23の化合物) 0.8moL/L
合金メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 20g/L メタンスルホン酸ビスマス(Bi3+として) 10g/L メタンスルホン酸 150g/L クミルフェノールポリエトキシレート(EO15) 3g/L プルロニック系界面活性剤 7g/L 3,6,14,17−テトラチアトリシクロ −[17.3.1.18,12]テトラコサ−1,8,10,12,19,21 −ヘキサエン−23,24−ジアミン(式24の化合物) 0.3moL/L
メッキ浴を建浴した。 硝酸銀(Ag+として) 20g/L 硫酸亜鉛(Zn2+として) 20g/L 硫酸 100g/L アミドベタイン系両性界面活性剤 2g/L ポリエチレンイミン 3g/L 3,7,15,19−テトラチア−25,26 −ジアザトリシクロ[19.3.1.19,13]ヘキサコサ −1,9,11,13,21,23−ヘキサエン(式25の化合物) 0.5moL/L
メッキ浴を建浴した。 2−プロパノールスルホン酸銀(Ag+として) 3g/L 2−プロパノールスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 60g/L メタンスルホン酸 80g/L スチレン化フェノールポリエトキシレート(EO20) 5g/L ジブチルナフタレンスルホン酸 1g/L ハイドロキノン 0.3g/L 1,10−ジアザ−4,7−ジオキサ−13,16,21,24−テトラチアビシクロ −[8.8.8]ヘキサコサン(式26の化合物) 0.05moL/L
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 0.7g/L 硫酸第一スズ(Sn2+として) 20g/L 硫酸 150g/L オクチルフェノールポリエトキシレート(EO12) 3g/L ラウリルアルコールポリエトキシレート(EO15) 2g/L ハイドロキノン 0.7g/L 2,2′−ジピリジルジスルフィド 0.01moL/L 1−アザ−4,7,11,14−テトラチア −シクロヘキサデカン(式17の化合物) 0.02moL/L
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 1g/L メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 40g/L メタンスルホン酸 120g/L ラウリルアルコールポリエトキシレート(EO15) −ポリプロポキシレート(PO3) 7g/L β−ナフトール 1g/L 1,1′−(1,2−エタンジイル)ビス−1−アザ−4,7,10 −トリチアシクロドデカン(式21の化合物) 0.01moL/L 7,8,9,10,18,19,20,21−オクタヒドロ−6H,17H−ジベンゾ −[b,k][1,4,10,13,7,16]テトラチアジアザ −シクロオクタデカン(式23の化合物) 0.01moL/L
建浴した。 酒石酸銀(Ag+として) 20g/L 酒石酸 100g/L アルキル(ヤシ)アミンポリエトキシレート(EO15) 1g/L イミダゾリン系両性界面活性剤 5g/L 1,10−ジアザ−1,10−ジメチル−4,7,13,16−テトラチア −シクロオクタデカン(式19の化合物) 0.75moL/L pH=4.0(アンモニアで調整)
合金メッキ浴を建浴した。 硝酸銀(Ag+として) 20g/L 硝酸ニッケル(Ni2+として) 5g/L 硫酸 100g/L ベンジルトリブチルアンモニウムヒドロキシド 1.5g/L 2,6−ジヒドロキシナフタレン 1g/L 1−アザ−7−オキサ−4,10−ジチア −シクロドデカン(式16の化合物) 0.1moL/L 3,6,14,17−テトラチアトリシクロ −[17.3.1.18,12]テトラコサ−1,8,10,12,19,21 −ヘキサエン−23,24−ジアミン(式24の化合物) 0.1moL/L
ム合金メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸銀(Ag+として) 10g/L メタンスルホン酸パラジウム(Pd2+として) 1g/L メタンスルホン酸 100g/L ポリビニルピロリドン 5g/L EDTA二ナトリウム 1g/L 1,11−ビス(メチルアミノ)−3,6,9−トリチア −ウンデカン(式13の化合物) 0.1moL/L 3,7,15,19−テトラチア−25,26 −ジアザトリシクロ[19.3.1.19,13]ヘキサコサ −1,9,11,13,21,23−ヘキサエン(式25の化合物) 0.1moL/L
メッキ浴を建浴した。 エタンスルホン酸銀(Ag+として) 10g/L エタンスルホン酸白金(Pt2+として) 1g/L エタンスルホン酸 100g/L クミルフェノールポリエトキシレート(EO10) 4g/L β-ナフタレンスルホン酸 0.8g/L 2,23−ジアザ−5,20−ジオキサ−8,11,14,17 −テトラチアビシクロ[22.2.2]オクタコサ −1,24,27−トリエン(式22の化合物) 0.1moL/L 6,13−ジアミノ−1,4,8,11−テトラチア −シクロテトラデカン(式27の化合物) 0.15moL/L
ッキ浴を建浴した。 2−プロパノールスルホン酸銀(Ag+として) 10g/L 2−プロパノールスルホン酸金(Au+として) 1g/L メタンスルホン酸 100g/L アルキルグリシン系両性界面活性剤 1.5g/L β−ナフトールポリエトキシレート(EO12) 2g/L 1,14−ビス(メチルアミノ)−3,6,9,12−テトラチア −テトラデカン(式14の化合物) 0.25moL/L
基本組成としながら、ジスルフィド化合物を省略したブ
ランク例を比較例1Aとして、銀−スズ合金メッキ浴を
建浴した(即ち、省略成分以外の含有率は基本実施例と同
じ、以下の比較例1Bも同様)。
を基本組成としながら、ジスルフィド化合物を省略した
ブランク例を比較例1Bとして、銀メッキ浴を建浴し
た。
たチオグリコール酸は、イオウ系化合物という点では本
発明のスルフィド系化合物と類似するため、前記実施例
2のメッキ浴を基本組成としながら、ジスルフィド化合
物を当該チオグリコール酸で代替したものを比較例2A
として、銀−スズ合金メッキ浴を建浴した(即ち、代替成
分、及びそれ以外の成分の含有率は基本実施例と同じ、以
下の比較例2B、3A、3Bも同様)。
を基本組成としながら、ジスルフィド化合物を当該チオ
グリコール酸で代替したものを比較例2Bとして、銀メ
ッキ浴を建浴した。
は銀のキレート剤として公知であるため、前記実施例2
のメッキ浴を基本組成としながら、ジスルフィド化合物
を当該チオ尿素で代替したものを比較例3Aとして、銀
−スズ合金メッキ浴を建浴した。
を基本組成としながら、ジスルフィド化合物を当該チオ
尿素で代替したものを比較例3Bとして、銀メッキ浴を
建浴した。
が分解して銀が析出し易いため、浴の安定性がきわめて
重要である。このことから、下記の試験例では、第一に
浴の経時変化を測定して浴が実用的な安定性を保持する
か否かを調べた。また、メッキ浴から得られる電着皮膜
における銀の共析率を測定するとともに、当該電着皮膜
の異常の有無(即ち、皮膜外観が実用レベルにあるか否
か)の確認試験を行った。但し、浴の安定性は浴中の銀
イオンに対するスルフィド系化合物、或はチオクラウン
エーテル化合物の作用に依存すると推定できるため、下
記の試験例では、銀−スズ合金メッキ浴をもって銀合金
メッキ浴を代表させた。
記各メッキ浴を建浴してから銀の析出、或は濁りなどに
より浴が分解するまでの期間を常温下で調べた。 (1)試験結果 図1〜図5はその結果である。実施例1〜32の銀、及
び銀合金メッキ浴は全て180日まで分解が起こらなか
ったのに対して、銀−スズ合金メッキ浴のブランク例で
ある比較例1Aでは調製直後に分解が起こり、銀メッキ
浴のブランク例である比較例1Bでは1週間程度で浴を
収容した容器壁に銀の析出が認められた。チオグリコー
ル酸を含有させた比較例2A(銀−スズ合金浴)と2B
(銀浴)では共に2週間で分解が起こり、また、チオ尿素
を含有させた比較例3A(銀−スズ合金浴)では3週間経
過時点で激しい濁りが生じ、比較例3B(銀浴)では3週
間で容器壁に銀が析出した。
低限の条件である。上記試験結果によると、本発明のス
ルフィド系化合物、或はチオクラウンエーテル化合物を
含有させた銀メッキ浴、及び各種の銀合金メッキ浴(実
施例1〜32)は、少なくとも6ケ月経過時点でも分解
が起こらず安定であるため、電気メッキ浴として必要最
低限の実用レベルを具備していることが判った。これに
対して、本発明の化合物を含有しないブランク例(比較
例1Aと1B)は、調製直後〜1週間で分解して全く実
用性がなかった。チオグリコール酸を含有させたメッキ
浴(比較例2Aと2B)では2週間で分解が起こり、ま
た、チオ尿素を含有させたメッキ浴(比較例3Aと3B)
では3週間程度で分解が起こった。従って、本発明のス
ルフィド系化合物、或はチオクラウンエーテル化合物を
含有させたメッキ浴は、各種の比較例1A・B〜3A・B
に比べても、浴の経時安定性が格段に優れていることが
確認できた。
銀−ビスマス合金メッキ浴を初めとする各種の銀合金メ
ッキ浴(実施例1〜14、17〜27と29〜32、及
び比較例2Aと3A)について、電流密度の条件を変え
て電気メッキを行い(図1〜図5参照)、浴から得られた
電着皮膜中の銀の共析率をICP装置(蛍光X線膜厚計
でも可)を用いて測定した。尚、比較例1Aは調製直後
に分解したため、電気メッキを実施できなかった。
27及び29〜32の銀合金メッキ浴では、陰極電流密
度の条件が低密度〜高密度に変化しても、銀の共析率の
バラツキは小さく、安定した比率範囲で確実に銀と他の
金属が共析化しているのが確認できた。特に、本発明の
スルフィド系化合物を含有する実施例2、及び本発明の
チオクラウンエーテル化合物を含有する実施例19を比
較例2A・3Aと比較すると、実施例2・19のバラツキ
が小さいことが確認できる。例えば、電流密度が2〜1
0A/dm2に変化すると、銀の共析率は、実施例2で
は10〜3%、実施例19では10.4〜3.0%とバラ
ツキが狭い範囲に共にとどまるのに対して、比較例2A
では60.3〜3.0%、比較例3Aでは63.8〜3.0
%と大きくバラつくことが認められた。ちなみに、銀−
スズ合金メッキ皮膜の場合、スズウイスカーの防止用と
しては銀の含有率が少量である皮膜が有効であるが、本
発明のメッキ浴を使用すると、電流密度が様々に変化し
ても銀の共析率は比較的安定していることから、電流密
度の管理が容易であるうえ、各種用途に応じた銀合金皮
膜を容易に形成できる。
じ電流密度の条件下(例えば、2A/dm2)での銀の共析
率に着目すると、実施例2では10%、実施例19では
10.4%であるのに対して、比較例2Aでは60.3
%、比較例3Aでは63.8%であった。これは、鎖状
のジピリダジニルジスルフィド類、或は環状のジアザテ
トラチアクラウンエーテル類などの本発明の化合物の方
が、チオグリコール酸やチオ尿素よりも浴中の銀イオン
に対する安定化作用が強力であるため、同じ電流密度を
付与しても銀イオンが金属銀に還元され難く、もって実
施例2、19での銀の共析率が相対的にかなり小さくな
ったものと推定できる。換言すると、銀合金メッキ浴に
対する安定化作用の差異は、同じ電流密度下での銀の共
析率の大小となって現れ、当該共析率が小さいほどメッ
キ浴が安定であることが推定できる。従って、この共析
率の面からも、本発明のスルフィド系化合物、或はチオ
クラウンエーテル化合物が、同じイオウ系化合物である
比較例のチオグリコール酸やチオ尿素に比べても、銀合
金メッキ浴に対する安定性の点で優れていることが裏付
けられる。
び銀合金メッキ浴(実施例1〜32、比較例1B、2A・
B及び3A・B)において、電流密度の条件を変えて電気
メッキを行い、浴から得られた電着皮膜の外観を目視で
観察して、ヤケ(コゲ)、デンドライト、或は粉末状化な
どの異常の有無を確認し、実用的なメッキ皮膜としての
必要最低限のレベルを備えているか否かを調べた。尚、
上記試験例と同様の理由で、比較例1Aの試験は実施で
きなかった。
の評価基準は下記の通りである。 ○:皮膜外観に異状がなく、実用レベルを保持してい
た。 △:粉末状化などが認められ、皮膜外観は実用レベルか
ら劣る。 ×:ヤケ、デンドライトなどが顕著に認められ、皮膜外
観はきわめて劣る。
〜32の銀、及び銀合金皮膜は、電流密度が変化して
も、ヤケやデンドライトなどの異常が認められず、メッ
キ皮膜として実用的なレベルを保持して、全て評価は○
であった。これに対して、ブランク例である比較例1B
の銀メッキ皮膜は著しい黒色粉末状を呈して、評価は全
て×であった。チオグリコール酸を含有させた比較例2
Aの銀−スズ合金メッキ皮膜は5A/dm2の電流密度
下だけ異常が認められず、他は粉末状化、ヤケ、デンド
ライトなどの異常が認められて△〜×であり、比較例2
Bの銀メッキ皮膜は全て粉末状化、或はヤケなどの異常
が認められて△〜×であった。チオ尿素を含有させた比
較例3A・3Bのメッキ皮膜も上記比較例2Bと同様に
△〜×であった。従って、比較例のメッキ皮膜のほとん
ど全ては実用的なレベルでなく、電着皮膜の外観の点で
も、本発明のスルフィド系化合物、或はチオクラウンエ
ーテル化合物はチオグリコール酸やチオ尿素に対して顕
著な差異があることが明らかになった。
定性試験結果、銀の共析率及び電着皮膜の外観観察結果
を夫々示す図表である。
浴を示す図1相当図である。
相当図である。
キ浴を示す図1相当図である。
銀メッキ浴を示す図1相当図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 (A)銀塩と、銀塩及びスズ、ビスマス、
インジウム、鉛、銅、亜鉛、ニッケル、パラジウム、白
金、金から選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかより
なる可溶性塩、 (B)下記の一般式(1)で表される特定のスルフィド系化
合物の少なくとも一種 【化1】 (x及びyは夫々1〜4の整数を表す;pは0又は1〜
100の整数を表す;qは1〜100の整数を表す; (a)p=0の場合、 Ra及びRcの少なくとも一方が1個以上の塩基性窒
素原子を有する置換された又は無置換のアルキル、アル
ケニル、アルキニル、アラルキル、シクロアルキル、多
環式シクロアルキル、アリール、多環式アリール、ヘテ
ロ環式基、多環式ヘテロ環式基を表すか、或は、 Ra及びRcが結合して1個以上の塩基性窒素原子を
有する置換された又は無置換の単環、多環を形成するこ
とを表す。但し、上記〜では、Ra及びRcは互い
に同一又は異なっても良い; (b)p=1〜100の場合、 Ra及びRcは置換された又は無置換のアルキル、ア
ルケニル、アルキニル、アラルキル、シクロアルキル、
多環式シクロアルキル、アリール、多環式アリール、ヘ
テロ環式基、多環式ヘテロ環式基を表し、Rbは置換さ
れた又は無置換のアルキレン、アルケニレン、アルキニ
レン、アラルキレン、シクロアルキレン、多環式シクロ
アルキレン、アリレン、多環式アリレン、ヘテロ環式
基、多環式ヘテロ環式基を表し、且つ、Ra、Rb、R
cの少なくとも一つが1個以上の塩基性窒素原子を有す
るか、或は、 RaとRb、RaとRc又はRbとRcが結合する
か、RaとRb及びRbとRcが複合的に結合して、少
なくとも1個以上の塩基性窒素原子を有する置換された
又は無置換の単環、多環を形成することを表す。但し、
上記〜では、Ra、Rb、Rcは互いに同一又は異
なっても良い)を含有することを特徴とする銀及び銀合
金メッキ浴。 - 【請求項2】 (A)銀塩と、銀塩及びスズ、ビスマス、
インジウム、鉛、銅、亜鉛、ニッケル、パラジウム、白
金、金から選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかより
なる可溶性塩、 (B)次の(イ)〜(ハ)に示される特定のチオクラウンエー
テル化合物の少なくとも一種 (イ)少なくとも1個以上の塩基性窒素原子を分子内に有
するチオクラウンエーテル化合物、 (ロ)少なくとも1個以上の塩基性窒素原子及び酸素原子
を分子内に有するチオクラウンエーテル化合物、 (ハ)上記(イ)及び(ロ)のチオクラウンエーテル化合物の
少なくとも一種同士がC1〜5のアルキレン鎖で結合した
化合物を含有することを特徴とする銀及び銀合金メッキ
浴。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載のメッキ浴に、さ
らに平滑剤を含有することを特徴とする銀及び銀合金メ
ッキ浴。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15066098A JP4296358B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-05-13 | 銀及び銀合金メッキ浴 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2506798 | 1998-01-21 | ||
JP10-25067 | 1998-01-21 | ||
JP15066098A JP4296358B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-05-13 | 銀及び銀合金メッキ浴 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11269691A true JPH11269691A (ja) | 1999-10-05 |
JP4296358B2 JP4296358B2 (ja) | 2009-07-15 |
Family
ID=26362662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15066098A Expired - Fee Related JP4296358B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-05-13 | 銀及び銀合金メッキ浴 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4296358B2 (ja) |
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US7628903B1 (en) * | 2000-05-02 | 2009-12-08 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Silver and silver alloy plating bath |
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JP2012092434A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-05-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | シアン化物を含まない銀電気めっき液 |
CN103361683A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-10-23 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 镀液和电镀方法 |
KR20180083429A (ko) | 2015-12-28 | 2018-07-20 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | SnAg 합금 도금액 |
WO2018142776A1 (ja) | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫合金めっき液 |
KR20190103460A (ko) | 2017-01-31 | 2019-09-04 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 합금 도금액 |
WO2020021965A1 (ja) | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫合金めっき液 |
KR20200138406A (ko) | 2018-07-27 | 2020-12-09 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 합금 도금액 |
WO2021052817A1 (en) * | 2019-09-16 | 2021-03-25 | Basf Se | Composition for tin-silver alloy electroplating comprising a complexing agent |
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TWI750891B (zh) * | 2019-12-10 | 2021-12-21 | 美商羅門哈斯電子材料有限公司 | 酸性含水二元銀-鉍合金電鍍組成物及方法 |
TWI814800B (zh) * | 2018-03-29 | 2023-09-11 | 德商巴斯夫歐洲公司 | 用於錫-銀合金電鍍之包含錯合劑之組成物 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11926918B2 (en) | 2016-12-20 | 2024-03-12 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free filing |
CN110678583B (zh) | 2017-06-01 | 2022-09-30 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含流平剂的锡合金电镀组合物 |
JP2021508359A (ja) | 2017-12-20 | 2021-03-04 | ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエアBasf Se | 抑制剤を含むスズまたはスズ合金電気めっき用組成物 |
US11242606B2 (en) | 2018-04-20 | 2022-02-08 | Basf Se | Composition for tin or tin alloy electroplating comprising suppressing agent |
CN116745467A (zh) | 2020-12-18 | 2023-09-12 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于锡或锡合金电镀的包含流平剂的组合物 |
CN118284722A (zh) | 2021-11-22 | 2024-07-02 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含吡唑类抗氧化剂的用于锡或锡合金电镀的组合物 |
WO2024022979A1 (en) | 2022-07-26 | 2024-02-01 | Basf Se | Composition for tin or tin alloy electroplating comprising leveling agent |
-
1998
- 1998-05-13 JP JP15066098A patent/JP4296358B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US10612150B2 (en) | 2015-12-28 | 2020-04-07 | Mitsubishi Materials Corporation | SnAg alloy plating solution |
KR20190103460A (ko) | 2017-01-31 | 2019-09-04 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 합금 도금액 |
WO2018142776A1 (ja) | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫合金めっき液 |
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WO2020021965A1 (ja) | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫合金めっき液 |
KR20200138406A (ko) | 2018-07-27 | 2020-12-09 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 합금 도금액 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4296358B2 (ja) | 2009-07-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050506 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050509 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081022 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090106 |
|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090317 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |