JP2009010402A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 粒子と、前記粒子の少なくとも一部が分散している媒体とを含み、
   前記粒子は水酸化セリウムからなり、
   電気伝導度が０．０１〜３ｍＳ／ｃｍであり、ｐＨが５〜９である研磨剤。
2. 前記粒子の密度が３〜６ｇ／ｃｍ ^３ である請求項１記載の研磨剤。
3. 前記粒子の比表面積が５０ｍ^２／ｇ以上である請求項１または２記載の研磨剤。
4. 前記粒子は、１次粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下である請求項１〜３のいずれか記載の研磨剤。
5. 前記粒子は、２次粒子の平均粒径が１〜３００ｎｍである請求項１〜４のいずれか記載の研磨剤。
6. 前記粒子が、４価の金属塩とアルカリ液を混合して得られた４価の金属水酸化物である請求項１〜５のいずれか記載の研磨剤。
7. 媒体が水である請求項１〜６のいずれか記載の研磨剤。
8. ｐＨ安定剤を含む請求項１〜７のいずれか記載の研磨剤。
9. ｐＨ安定剤が一つ以上の構成成分からなり、少なくとも一つの構成成分のｐＫａ値が、研磨剤ｐＨから１．０単位以内にある請求項８記載の研磨剤。
10. 分散剤を含む請求項１〜９のいずれか記載の研磨剤。
11. 分散剤が水溶性陰イオン性分散剤、水溶性陽イオン性分散剤、水溶性非イオン性分散剤、水溶性両性分散剤から選ばれる請求項１０記載の研磨剤。
12. 被研磨面処理剤を含む請求項１〜１１のいずれか記載の研磨剤。
13. 被研磨面処理剤が分子構造中に不対電子を有する原子を少なくとも一つ含む化合物、または分子構造中に窒素原子及び酸素原子の少なくとも一方を含む化合物である請求項１２記載の研磨剤。
14. 酸化珪素絶縁膜研磨速度と窒化珪素絶縁膜研磨速度の比が５以上である請求項１〜１３のいずれか記載の研磨剤。
15. 前記粒子が０．２重量％含まれる場合、波長５００ｎｍの光の光透過率が１０％以上である請求項１〜１４のいずれか記載の研磨剤。
16. 波長５００〜７００ｎｍにおける光透過率の、研磨剤調製直後に対する２４時間静置後の差分が２０％以下である請求項１〜１５のいずれか記載の研磨剤。
17. 粒子が正のゼータ電位を有する請求項１〜１６のいずれか記載の研磨剤。
18. 請求項１〜１７のいずれか記載の研磨剤で基板を研磨する基板の研磨方法。
19. ショアＤ硬度５０以上の研磨パッドで基板を研磨する請求項１８記載の基板の研磨方法。
20. 基板が半導体素子の製造工程中の基板である請求項１８または１９記載の基板の研磨方法。
21. 基板に形成されている酸化珪素膜を研磨する請求項１８〜２０のいずれか記載の基板の研磨方法。
22. 研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給しながら、少なくとも酸化珪素絶縁膜が形成された基板の被研磨面と研磨パッドとを相対運動させて研磨する請求項１８〜２１のいずれか記載の基板の研磨方法。