JP2000084832A - 研磨用組成物 - Google Patents
研磨用組成物Info
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- JP2000084832A JP2000084832A JP26152198A JP26152198A JP2000084832A JP 2000084832 A JP2000084832 A JP 2000084832A JP 26152198 A JP26152198 A JP 26152198A JP 26152198 A JP26152198 A JP 26152198A JP 2000084832 A JP2000084832 A JP 2000084832A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水溶液に研磨砥粒を分散してなる研磨用組成
物のｐＨ及び電気伝導度を調整し、不純物の化学的反応
及び砥粒の凝集の防止を図って良好な研磨性を確保す
る。 【解決手段】 研磨砥粒とエチルアルコール及び水を含
んでなる研磨用組成物であって、この研磨用組成物のｐ
Ｈが２．５〜５．０で、且つ電気伝導度が３０μＳ／ｃ
ｍ以下に調整してなる。
物のｐＨ及び電気伝導度を調整し、不純物の化学的反応
及び砥粒の凝集の防止を図って良好な研磨性を確保す
る。 【解決手段】 研磨砥粒とエチルアルコール及び水を含
んでなる研磨用組成物であって、この研磨用組成物のｐ
Ｈが２．５〜５．０で、且つ電気伝導度が３０μＳ／ｃ
ｍ以下に調整してなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基盤、光フ
ァイバー部材等の表面研磨に使用する研磨用組成物（研
磨溶液）に関するものである。特に光ファイバー部材と
しての光コネクターフェルールの端面研磨用に好適な研
磨用組成物である。
ァイバー部材等の表面研磨に使用する研磨用組成物（研
磨溶液）に関するものである。特に光ファイバー部材と
しての光コネクターフェルールの端面研磨用に好適な研
磨用組成物である。
【０００２】
【従来技術】例えば、フェルール穴に光ファイバーを挿
入固定してなる光コネクターフェルールの先端を凸状球
面に研磨する方法としては、特開平９−２４８７７１号
に記載された方法があり、特定の研磨テープをエラスト
マ弾性体を介して回転金属板上に置き、回転板を回転さ
せると共に、水を流しながら研磨テープの研磨層に対し
て、光コネクターフェルールの端面を押しつける方法が
知られている。
入固定してなる光コネクターフェルールの先端を凸状球
面に研磨する方法としては、特開平９−２４８７７１号
に記載された方法があり、特定の研磨テープをエラスト
マ弾性体を介して回転金属板上に置き、回転板を回転さ
せると共に、水を流しながら研磨テープの研磨層に対し
て、光コネクターフェルールの端面を押しつける方法が
知られている。
【０００３】しかし前記方法では、光コネクターフェル
ール端面を傷付けたり、またフェルールと光ファイバー
との間に段差を生じて、光学特性の反射減衰特性が低下
する課題がある。
ール端面を傷付けたり、またフェルールと光ファイバー
との間に段差を生じて、光学特性の反射減衰特性が低下
する課題がある。
【０００４】また、半導体基盤等の研磨に用いる研磨砥
粒を含有する研磨用組成物として、特開平１０−１７２
９３５号、特開平１０−１７２９３６号、特開平１０−
１７２９３７号などには、電気伝導度が３０μＳ／ｃｍ
以上の研磨用組成物を用いることが提案されている。
粒を含有する研磨用組成物として、特開平１０−１７２
９３５号、特開平１０−１７２９３６号、特開平１０−
１７２９３７号などには、電気伝導度が３０μＳ／ｃｍ
以上の研磨用組成物を用いることが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかして前記のような
電気伝導度の高い研磨用組成物では、不純物としてのア
ルカリ金属による化学反応で被研磨面に傷が発生しやす
いと共に、ｐＨが大きくなると分散した研磨砥粒の凝集
が発生しやすくなる問題を有している。
電気伝導度の高い研磨用組成物では、不純物としてのア
ルカリ金属による化学反応で被研磨面に傷が発生しやす
いと共に、ｐＨが大きくなると分散した研磨砥粒の凝集
が発生しやすくなる問題を有している。
【０００６】例えば、水に含まれる不純物としてのアル
カリ金属を多く含み電気伝導度が高くなっている研磨用
組成物では、ＮａイオンやＣａイオンなどが光ファイバ
ーのガラス部分と化学的に反応して、被研磨面に傷が生
起したり透明性が低下し、その光学特性に影響を与えて
光コネクターフェルールの反射減衰特性の劣化を招くこ
とになる。また、研磨砥粒の凝集等によって、セラミッ
ク素材によるフェルール先端と光ファイバー先端との研
磨特性に差が生じ、両者間に段差が発生して反射減衰特
性が低下する。
カリ金属を多く含み電気伝導度が高くなっている研磨用
組成物では、ＮａイオンやＣａイオンなどが光ファイバ
ーのガラス部分と化学的に反応して、被研磨面に傷が生
起したり透明性が低下し、その光学特性に影響を与えて
光コネクターフェルールの反射減衰特性の劣化を招くこ
とになる。また、研磨砥粒の凝集等によって、セラミッ
ク素材によるフェルール先端と光ファイバー先端との研
磨特性に差が生じ、両者間に段差が発生して反射減衰特
性が低下する。
【０００７】本発明は上記点に鑑みなされたものであっ
て、研磨砥粒を分散してなる研磨用組成物における被研
磨体との化学的反応および凝集を抑制し良好な研磨性を
確保するようにした研磨用組成物を提供せんとするもの
である。
て、研磨砥粒を分散してなる研磨用組成物における被研
磨体との化学的反応および凝集を抑制し良好な研磨性を
確保するようにした研磨用組成物を提供せんとするもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決した本発
明の研磨用組成物は、研磨砥粒とエチルアルコール及び
水を含んでなる研磨用組成物であって、該研磨用組成物
のｐＨが２．５〜５．０で、且つ電気伝導度が３０μＳ
／ｃｍ以下であることを特徴とするものである。
明の研磨用組成物は、研磨砥粒とエチルアルコール及び
水を含んでなる研磨用組成物であって、該研磨用組成物
のｐＨが２．５〜５．０で、且つ電気伝導度が３０μＳ
／ｃｍ以下であることを特徴とするものである。
【０００９】前記研磨砥粒は、ＳｉＯ2粒子で、その一
次粒子径が１０ｎｍ以下であり、且つＢＥＴ法（窒素吸
着法）による比表面積が３００〜４５０ｍ2／ｇのもの
が望ましい。
次粒子径が１０ｎｍ以下であり、且つＢＥＴ法（窒素吸
着法）による比表面積が３００〜４５０ｍ2／ｇのもの
が望ましい。
【００１０】前記研磨用組成物は、特に、電気伝導度が
１０μＳ／ｃｍ以下であり、ｐＨが３．０〜４．５のも
のが好ましい。
１０μＳ／ｃｍ以下であり、ｐＨが３．０〜４．５のも
のが好ましい。
【００１１】なお、光コネクターフェルール等の被研磨
体の研磨時には、被研磨体の研磨面を、表面に研磨層を
有する研磨シート、研磨テープ、研磨布紙等の研磨体に
摺接するか、テフロン、ナイロン、レーヨン、ＰＥＴ繊
維材質などの担持膜に摺接して、この摺接部分に研磨用
組成物を供給して行うものである。
体の研磨時には、被研磨体の研磨面を、表面に研磨層を
有する研磨シート、研磨テープ、研磨布紙等の研磨体に
摺接するか、テフロン、ナイロン、レーヨン、ＰＥＴ繊
維材質などの担持膜に摺接して、この摺接部分に研磨用
組成物を供給して行うものである。
【００１２】
【発明の効果】上記のような本発明の研磨用組成物によ
れば、研磨砥粒と水に加えてエチルアルコールを含むと
共に、そのｐＨが２．５〜５．０であることにより、研
磨砥粒の凝集が防止できる一方、電気伝導度が３０μＳ
／ｃｍ以下であることにより、ＮａイオンやＣａイオン
などのアルカリ金属を多く含む不純物が少なく被研磨面
との化学的反応を抑制して、光コネクターフェルール端
面を傷付けることがなく、且つ、フェルールと光ファイ
バーとの間に段差を発生させることなく、光学特性の反
射減衰量を向上することができる良好な研磨特性が得ら
れる。
れば、研磨砥粒と水に加えてエチルアルコールを含むと
共に、そのｐＨが２．５〜５．０であることにより、研
磨砥粒の凝集が防止できる一方、電気伝導度が３０μＳ
／ｃｍ以下であることにより、ＮａイオンやＣａイオン
などのアルカリ金属を多く含む不純物が少なく被研磨面
との化学的反応を抑制して、光コネクターフェルール端
面を傷付けることがなく、且つ、フェルールと光ファイ
バーとの間に段差を発生させることなく、光学特性の反
射減衰量を向上することができる良好な研磨特性が得ら
れる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の研磨用組成物の
実施の形態を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
実施の形態を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１４】本発明の研磨用組成物は、研磨砥粒として
の粉体を、水（蒸留水）及びエチルアルコールを混合し
てなる水溶液に添加してなる研磨スラリーで構成してな
り、このエチルアルコールの添加量は３〜５０ｗｔ％で
あり、ｐＨを２．５〜５．０、例えば３．５に、電気伝
導度を３０μＳ／ｃｍ以下、例えば８〜３０μＳ／ｃｍ
に調整する。
の粉体を、水（蒸留水）及びエチルアルコールを混合し
てなる水溶液に添加してなる研磨スラリーで構成してな
り、このエチルアルコールの添加量は３〜５０ｗｔ％で
あり、ｐＨを２．５〜５．０、例えば３．５に、電気伝
導度を３０μＳ／ｃｍ以下、例えば８〜３０μＳ／ｃｍ
に調整する。
【００１５】また、前記研磨用組成物中の研磨砥粒とし
ては、ＳｉＯ2粒子（シリカゲル）が好ましく、その一
次粒子径が１０ｎｍ以下、例えば５〜７ｎｍであり、こ
の研磨砥粒のＢＥＴ法（窒素吸着法）による比表面積は
３００〜４５０ｍ2／ｇ、例えば３６０〜４００ｍ2／ｇ
である。
ては、ＳｉＯ2粒子（シリカゲル）が好ましく、その一
次粒子径が１０ｎｍ以下、例えば５〜７ｎｍであり、こ
の研磨砥粒のＢＥＴ法（窒素吸着法）による比表面積は
３００〜４５０ｍ2／ｇ、例えば３６０〜４００ｍ2／ｇ
である。
【００１６】前記研磨用組成物は、蒸留水及びアルコー
ルをアジターで高速攪拌しながら、研磨砥粒（シリカゲ
ル粉末）を徐々に投入し混合溶解することによって得ら
れる。また、必要により防黴剤、分散剤その他の添加剤
を使用することができる。
ルをアジターで高速攪拌しながら、研磨砥粒（シリカゲ
ル粉末）を徐々に投入し混合溶解することによって得ら
れる。また、必要により防黴剤、分散剤その他の添加剤
を使用することができる。
【００１７】
【実施例】以下に、本発明の研磨用組成物の実施例およ
び比較例を示し、その特性を評価する。
び比較例を示し、その特性を評価する。
【００１８】＜実施例１＞本例の研磨用組成物は、研磨
砥粒として一次粒子径が７ｎｍ（比表面積３６０ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が３０μＳ／ｃ
ｍでｐＨが３．５の水とエチルアルコール（９０：１
０）の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度
が７重量％のスラリーを作製した。
砥粒として一次粒子径が７ｎｍ（比表面積３６０ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が３０μＳ／ｃ
ｍでｐＨが３．５の水とエチルアルコール（９０：１
０）の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度
が７重量％のスラリーを作製した。
【００１９】＜実施例２＞本例の研磨用組成物は、研磨
砥粒として一次粒子径が５ｎｍ（比表面積４００ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が１５μＳ／ｃ
ｍでｐＨが３．５の水とエチルアルコール（９０：１
０）の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度
が７重量％のスラリーを作製した。
砥粒として一次粒子径が５ｎｍ（比表面積４００ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が１５μＳ／ｃ
ｍでｐＨが３．５の水とエチルアルコール（９０：１
０）の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度
が７重量％のスラリーを作製した。
【００２０】＜実施例３＞本例の研磨用組成物は、研磨
砥粒として一次粒子径が７ｎｍ（比表面積３６０ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が８μＳ／ｃｍ
でｐＨが３．５の水とエチルアルコール（９０：１０）
の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度が７
重量％のスラリーを作製した。
砥粒として一次粒子径が７ｎｍ（比表面積３６０ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が８μＳ／ｃｍ
でｐＨが３．５の水とエチルアルコール（９０：１０）
の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度が７
重量％のスラリーを作製した。
【００２１】＜比較例１＞本例の研磨用組成物は、研磨
砥粒及びエチルアルコールを含まず、電気伝導度が５μ
Ｓ／ｃｍで、ｐＨが５．０の水を使用した。
砥粒及びエチルアルコールを含まず、電気伝導度が５μ
Ｓ／ｃｍで、ｐＨが５．０の水を使用した。
【００２２】＜比較例２＞本例の研磨用組成物は、研磨
砥粒として一次粒子径が７ｎｍ（比表面積３６０ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が５０μＳ／ｃ
ｍでｐＨが３．６の水とエチルアルコール（９０：１
０）の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度
が７重量％のスラリーを作製した。
砥粒として一次粒子径が７ｎｍ（比表面積３６０ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が５０μＳ／ｃ
ｍでｐＨが３．６の水とエチルアルコール（９０：１
０）の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度
が７重量％のスラリーを作製した。
【００２３】＜比較例３＞本例の研磨用組成物は、研磨
砥粒として一次粒子径が７ｎｍ（比表面積３６０ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が１００μＳ／
ｃｍでｐＨが３．６の水とエチルアルコール（９０：１
０）の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度
が７重量％のスラリーを作製した。
砥粒として一次粒子径が７ｎｍ（比表面積３６０ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が１００μＳ／
ｃｍでｐＨが３．６の水とエチルアルコール（９０：１
０）の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度
が７重量％のスラリーを作製した。
【００２４】＜比較例４＞本例の研磨用組成物は、研磨
砥粒として一次粒子径が７ｎｍ（比表面積３６０ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が３０μＳ／ｃ
ｍでｐＨが６．８の水とエチルアルコール（９０：１
０）の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度
が７重量％のスラリーを作製した。
砥粒として一次粒子径が７ｎｍ（比表面積３６０ｍ2／
ｇ）のＳｉＯ2粒子を用い、電気伝導度が３０μＳ／ｃ
ｍでｐＨが６．８の水とエチルアルコール（９０：１
０）の混合溶液の中に混ぜて充分攪拌し、研磨砥粒濃度
が７重量％のスラリーを作製した。
【００２５】なお、前記電気伝導度の測定は、ＴＯＡ製
測定器（ＭＯＤＥＬ：ＣＭ−３０ＥＴ計）を用いて同一
条件で測定した。ｐＨ値は、ＴＯＡ製ｐＨ計（ＭＯＤＥ
Ｌ：ＨＭ−３０Ｓ計）を用い、同一条件で測定した。Ｓ
ｉＯ2粒子の粒子径は電子顕微鏡で観察測定し、比表面
積はＢＥＴ法比表面積測定器にて測定した。
測定器（ＭＯＤＥＬ：ＣＭ−３０ＥＴ計）を用いて同一
条件で測定した。ｐＨ値は、ＴＯＡ製ｐＨ計（ＭＯＤＥ
Ｌ：ＨＭ−３０Ｓ計）を用い、同一条件で測定した。Ｓ
ｉＯ2粒子の粒子径は電子顕微鏡で観察測定し、比表面
積はＢＥＴ法比表面積測定器にて測定した。
【００２６】上記のような各実施例１〜３及び比較例１
〜４の研磨用組成物を使用して、市販の光ファイバーフ
ェルール研磨機を用い光ファイバーフェルールの研磨試
験を行い、研磨後のフェルール端面の傷の有無の確認
と、フェルールと光ファイバーとの間の段差量の測定及
び光学特性の反射減衰量（出力値）を測定した結果を表
１に示す。上記反射減衰量は、光伝達損失に関連し、被
研磨面の表面性を評価でき、ｄＢ値が大きいほど伝達ロ
スが少なく良好な研磨面を有するものである。
〜４の研磨用組成物を使用して、市販の光ファイバーフ
ェルール研磨機を用い光ファイバーフェルールの研磨試
験を行い、研磨後のフェルール端面の傷の有無の確認
と、フェルールと光ファイバーとの間の段差量の測定及
び光学特性の反射減衰量（出力値）を測定した結果を表
１に示す。上記反射減衰量は、光伝達損失に関連し、被
研磨面の表面性を評価でき、ｄＢ値が大きいほど伝達ロ
スが少なく良好な研磨面を有するものである。
【００２７】なお、被研磨体としての光コネクターフェ
ルールは、セラミック素材によるフェルールの中心穴に
ガラス素材の光ファイバーを挿入固定してなる。そし
て、この被研磨体の先端研磨は、回転台上に設置したゴ
ム等の弾性体に研磨シートを貼り付け、この研磨シート
に被研磨体の先端を押圧接触させ、上記回転台を回転さ
せつつ被研磨体を相対的に運動させると共に、研磨部分
に前記研磨用組成物を供給して研磨を行ったものであ
る。
ルールは、セラミック素材によるフェルールの中心穴に
ガラス素材の光ファイバーを挿入固定してなる。そし
て、この被研磨体の先端研磨は、回転台上に設置したゴ
ム等の弾性体に研磨シートを貼り付け、この研磨シート
に被研磨体の先端を押圧接触させ、上記回転台を回転さ
せつつ被研磨体を相対的に運動させると共に、研磨部分
に前記研磨用組成物を供給して研磨を行ったものであ
る。
【００２８】
【表１】
【００２９】上記表１の結果、本発明実施例１〜３によ
る研磨用組成物は、研磨面に傷の発生がなく、段差量も
小さく、反射減衰量の大きな出力が得られ良好な端面研
磨が行えている。これに対して、比較例１の水のみによ
るものでは、傷の発生はなかったが、セラミック面とガ
ラス面との研磨量に差が生じ両者間に大きな段差が生起
し、反射減衰量の出力も小さくなった。比較例２及び３
の研磨用組成物では電気伝導度が大きく、傷の発生が見
られると共に段差量も大きく、反射減衰量の出力が小さ
くなった。比較例４の研磨用組成物ではｐＨが大きく、
傷の発生が見られると共に段差量も大きく、反射減衰量
の出力が小さくなり、これらの比較例では良好な研磨性
が得られなかった。
る研磨用組成物は、研磨面に傷の発生がなく、段差量も
小さく、反射減衰量の大きな出力が得られ良好な端面研
磨が行えている。これに対して、比較例１の水のみによ
るものでは、傷の発生はなかったが、セラミック面とガ
ラス面との研磨量に差が生じ両者間に大きな段差が生起
し、反射減衰量の出力も小さくなった。比較例２及び３
の研磨用組成物では電気伝導度が大きく、傷の発生が見
られると共に段差量も大きく、反射減衰量の出力が小さ
くなった。比較例４の研磨用組成物ではｐＨが大きく、
傷の発生が見られると共に段差量も大きく、反射減衰量
の出力が小さくなり、これらの比較例では良好な研磨性
が得られなかった。
Claims (3)
- 【請求項１】 研磨砥粒とエチルアルコール及び水を含
んでなる研磨用組成物であって、 該研磨用組成物のｐＨが２．５〜５．０で、且つ電気伝
導度が３０μＳ／ｃｍ以下であることを特徴とする研磨
用組成物。 - 【請求項２】 前記研磨砥粒がＳｉＯ2粒子で、その一
次粒子径が１０ｎｍ以下であり、且つ比表面積が３００
〜４５０ｍ2／ｇであることを特徴とする請求項１に記
載の研磨用組成物。 - 【請求項３】 前記研磨用組成物は、電気伝導度が１０
μＳ／ｃｍ以下であり、ｐＨが３．０〜４．５であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の研磨用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26152198A JP2000084832A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 研磨用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26152198A JP2000084832A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 研磨用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000084832A true JP2000084832A (ja) | 2000-03-28 |
Family
ID=17363068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26152198A Withdrawn JP2000084832A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 研磨用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000084832A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2002067309A1 (ja) * | 2001-02-20 | 2004-06-24 | 日立化成工業株式会社 | 研磨剤及び基板の研磨方法 |
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-
1998
- 1998-09-16 JP JP26152198A patent/JP2000084832A/ja not_active Withdrawn
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