JPH0463428A - ウエハーのファイン研磨用濃縮組成物 - Google Patents

ウエハーのファイン研磨用濃縮組成物

Info

Publication number
JPH0463428A
JPH0463428A JP2141343A JP14134390A JPH0463428A JP H0463428 A JPH0463428 A JP H0463428A JP 2141343 A JP2141343 A JP 2141343A JP 14134390 A JP14134390 A JP 14134390A JP H0463428 A JPH0463428 A JP H0463428A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
water
polishing
wafer
soluble
silica
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2141343A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2987171B2 (ja
Inventor
Yoshio Kojima
美穂 小島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIPPON MONSANT KK
Monsanto Japan Ltd
Original Assignee
NIPPON MONSANT KK
Monsanto Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NIPPON MONSANT KK, Monsanto Japan Ltd filed Critical NIPPON MONSANT KK
Priority to JP2141343A priority Critical patent/JP2987171B2/ja
Publication of JPH0463428A publication Critical patent/JPH0463428A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2987171B2 publication Critical patent/JP2987171B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Colloid Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電気集積回路の支持結晶として広範囲に使用
されているウェハーの表面を、平滑に研磨するための研
磨用濃縮組成物に関する。更に詳しくは、ウェハーの表
面のlOmμより大きい凹凸を平滑に研磨するファイン
研磨用濃縮組成物に関する。
(従来の技術) 電気集積回路の支持結晶として広範囲に使用されている
ウェハーは、通常、珪素またはゲルマニウム結晶のイン
ゴットからスライスし、これらの表面を研磨して、でき
る限り凹凸のない表面を形成させた後に、回路形成に供
されている。
なぜなら、ウェハー表面上に回路パターンを線描する時
、表面に凹凸があると、精密かつ精緻に線描することが
困難になるとともに、ウェハーの電気特性の不均一化を
招く原因となるからである。
このようなウェハーの表面を研磨するために、従来から
種々の研磨剤が提案されている。
例えば、米国特許第3.170.273号明細書には、
シリカ濃度2〜50重量を有するシリカゾル、及びシリ
カ濃度2〜100%のシリカゲルが研磨剤として開示さ
れている。又、米国特許第3,328,141号明細書
には、これら研磨剤にアルカリ性化合物を加えて、pH
を10.5〜12.5に調整し、これを用いると研磨速
度が増大することが開示されている。
しかしながら、これらの研磨剤で研磨したウェハーの表
面を、微分干渉型顕微鏡などで観察すると、5〜500
mμの凹凸があり、充分満足できるものではない。
又、特公昭53−9910号公報には、石英、珪酸塩、
ヘキサフルオロ珪酸塩を含有し、さらに、炭素原子を3
〜5個有する1価アルコール、及びポリビニルアルコー
ルを含有する研磨剤が開示されている。
しかし、このような研磨剤を用いても、まだ充分満足で
きる研磨面が得られない上に、これらアルコールを含有
する研磨剤は、長期間安定貯蔵することが困難であると
いう欠点があった。
更に、特公昭61−14655号公報(米国特許第4,
260゜396号明細書に対応する。)には、水に可溶
性のカルボキシメチレンゴム、またはキサンタンガムを
含有する研磨剤が開示されている。しかし、この研磨剤
によって平滑研磨面を形成するに要する研磨時間、及び
研磨後、洗浄のための水九流しながらのいわゆる空研磨
を長時間行わなくてはならないという欠点があった。又
、平滑面を形成するのに必要な最低シリカ量が多い、と
いう欠点があった。
(発明が解決しようとした課題) 本発明者は、先に、従来の研磨剤組成物に存在していた
欠点を排除し、次のような諸課題を解決することを目的
とするため、コロイダルシリカ粒子を含むスラリーに、
特定の水溶解性の高分子化合物を含有させ、更に特定の
水溶解性の塩類を含有させたウェハーのファイン研磨用
濃縮組成物を提案した(特願昭63−313480号参
照)。
】、ウェハーを研磨した時に、微分干渉型顕微鏡で観察
しても、凹凸の見えない研磨面を与える研磨剤を提供す
る。
2、平滑面を与えるに要する研磨時間が短い研磨剤 を
提供する。
3、平滑面を与えるに必要な最低シリカ量か少ない研磨
剤を提供する。
4、長期間安定貯蔵可能な研磨剤を提供する。
しかして、上述のコロイダルシリカを含むスラリーは、
通常濃縮された状態で供給され、使用者がこれを希釈し
て用いるのであるが、更に、研究の結果、上記ウェハー
のファイン研磨用組成物において、特定の水溶解性高分
子物質を使用し、各成分を特定の範囲で選択することに
よって、微分干渉型顕微鏡で観察しても、凹凸の見えな
い研磨面(平滑面)を与え、また、平滑面を与える研磨
時間が短いという優れた研磨性を保持しつつ、濃縮され
た状態においても優れた貯蔵安定性の研磨剤を得ること
を見出し、本発明を完成したもので、本発明の目的は、
優れた研磨特性を有し、且つ、優れた貯蔵安定性を有す
るウェハーのファインに研磨用濃縮組成物を提供するに
ある。
(課題を解決するための手段) 即ち、本発明の要旨とするところは、水、コロイダルシ
リカ粒子、水溶解性の高分子、及び、水溶解性の塩類を
含有してなるウェハーのファイン研磨用濃縮組成物にお
いて、水溶解性の高分子が、分子量10万以上のポリア
クリルアミド、ポリアクリルアミド変性物、ポリアクリ
ル酸ソーダ、ポリアクリル酸及びポリメタアクリル酸よ
りなる群より選ばれた少なくとも1種であり、且つコロ
イダルシリカの含有量が1〜50重量%、水溶解性の高
分子が10−1.000ppm水溶解性の塩数が200
−10.000ppmの範囲にあることを特徴とする、
ウェハーのファイン研磨用濃縮組成物である。
そして、本発明にかかる濃縮組成物は、使用に際して希
釈して研磨スラリーとするのであって、水溶解性高分子
が]〜loOppm、水溶解性の塩数が20〜1100
0ppの範囲になるように希釈する。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の実施において、有用なコロイダルシリカは、液
中にある無定型シリカの安定なコロイド状分散体をいう
。この液中において、シリカ粒子の平均粒径は5〜50
0ミリミクロンの範囲内にあるのがよい。平均粒子径5
ミリミクロン未満では、コロイド状分散体に含まれるケ
イ酸や千ツマ−やオリゴマーの割合が多くなり、これら
を多く含むものでシリコンなどのウェハー表面を研磨す
ると、ウェハー表面にシリカとなって付着するので好ま
しくない。平均粒径が500ミリミクロンを超える場合
は、ウェハー表面に引っ掻き傷が生じ易くなるので、好
ましくない。
なお、本発明で平均粒子径とは、粒子が凝集せずに単離
した状態で存在する場合には、その状態にある粒子の平
均粒径を意味し、粒子が凝集した状態で存在する場合に
は、その状態にある平均粒径を意味する。
本発明において、有用なコロイダルシリカは、粒子表面
にシラノールを1〜lOコ/nm”の面密度で有するの
がよい。粒子表面のシラノールの面密度が上の範囲であ
ると、シリカ粒子の水和性が向上し、シラノールの面密
度が1コ/nm”未満のシリカパウダを含有した研磨剤
に比べて、水分散性が優れたものとなる。
シリカ粒子表面のシラノールの面密度は、例えば次の方
法によって測定することができる。
(1)まず、シリカゾルをイオン交換し、このイオン交
換によって金属イオンを除去したシリカゾル(Wg)に
水酸化ナトリウムを滴下して、pHが8に達するまでに
要する水酸化ナトリウムのモル数(M)を測定する方法
。この際の反応は、次のように進行すると測定される。
5i−OH+NaOH=> 5i−ONa+H,0(2
)イオン交換したシリカゾル中のシリカ分(S重量%)
を、乾固法によって測定する。
(3)シラノールの面密度は、次のように計算すること
ができる。
シリカゾル中のシラノール数・MX6XIO″″ (単
位:コ)シリカゾル中のシリカ粒子表面積 100X2.2X10−“4π ZZU            r ただし、rは、シリカ粒子の平均半径(nm)を意味す
る。
シラノールを1〜10コ/nm”の面密度で有するコロ
イダルシリカは、水ガラス中のナトリウムイオンを減じ
た状態で、ケイ酸縮重合反応させ、シリカ粒子を形成さ
せることによって得られる。
このようなコロイダル粒子の製法の詳細は、”The 
chemist−ry of 5ilica : 5o
lubility、 polymerization、
colloid and 5urface prope
rties。
and biochemistry″Ra1pf K、
 1ler JOHN WILEYSONS (197
9)の第3章に記述されている。
本発明に係る研磨濃縮組成物は、水溶解性の高分子化合
物を含有している。水溶解性の高分子化合物としては、
ポリアクリルアミド、ポリアクリルアミドの変性物、ポ
リアクリル酸ソーダ、ポリアクリル酸及びポリメタクリ
ル酸からなる群から選ばれたものである。ポリアクリル
アミドの変性物としては、例えば次のような分子構造を
有するものがあげられる。
これらの水溶解性の高分子化合物は、低い濃度でも高い
ドラッグリダクション効果を示す。
ドラッグリダクション効果とは、流体のレイノルズ数が
高い条件においても乱流が生じ難くする効果のことをい
う。本発明に係る研磨組成物のドラッグリダクション効
果が高いという意味は、加圧状態での研磨でも研磨用組
成物は層流を維持し、乱流になり難いことを意味する。
しかして、上記の水溶解性の高分子化合物は、ウェハー
の研磨の際、研磨布とウェハー表面との間で、研磨布の
滑り方向にきれいな層流が形成され、ウェハー表面を一
層平滑にする機能を果たす。
上記の水溶解性高分子は、分子量が10万以上のものと
する。分子量がlO万未満であると、研磨の際、研磨布
とウェハー表面との間に層流が形成されないので好まし
くない。なお、本発明において高分子化合物の分子量は
、光散乱法(例えば、昭和53年に■丸善から発行され
た新実験化学講座19巻、第571頁〜第585頁参照
)によって測定したものをいう。
上記の水溶解性高分子化合物は、ポリアクリルアミド、
ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、などの対応するモ
ノマー(単量体)を公知の方法によって、製造させるこ
とができる。
本発明に係る研磨用濃縮組成物中の、水溶解性の高分子
の含有量は、10〜1.OOOppmである。これを希
釈してシリカ濃度0.1〜5%の研磨スラリーとしたと
きに、通常1100pp未満の範囲で適用され、特に1
〜50ppmが好ましい。含有量がこれらの範囲内にあ
る研磨スラリーを用いてウェハーを研磨するときは、研
磨布とウェハー表面との間で、滑り方向に層流が形成さ
れ、ウェハー表面を一層平滑にすることができるが、含
有量が、lppm未満では、上記層流が形成されにくく
、まだ、1100ppを超えると、かえって乱流が形成
されやすくなるので好まし・くない。
本発明に係る研磨用濃縮組成物は、水溶解性の塩類を含
有している。水溶解性の塩類は、スラリ状を呈するファ
イン研磨用組成物中のシリカ粒子表面の水和層を薄くす
る機能を奏する。これにより、研磨用組成物によるウェ
ハーの研磨中に、シリカ粒子がウェハーに及ぼす力学的
作用量が増大し、メカニカル研磨能が増大し、研磨能率
が向上する。水溶解性の塩類の具体例としては、陽イオ
ンがリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオ
ン、セシウムイオン、アンモニウムイオンからなる群か
ら選ばれた1種と、陰イオンがフッ酸イオン、塩素イオ
ン、臭酸イオン、ヨウ酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオ
ン、過塩素酸イオン、炭酸イオン、ギ酸イオン、アクリ
ル酸イオン、シュウ酸イオンからなる群から選ばれた1
種とを組み合わせたものから選ばれた化合物をいう。水
溶解性の塩類は、1種でも2種以上の組合わせであって
もよい。中でもスラリー状を呈する研磨組成物中で、イ
オン解難度が高く、陽イオンの原子が半径の大きい塩化
カリウム、過塩素酸カリウムが好適である。
本発明に係るウェハーのファイン研磨用濃縮組成物中の
水溶解性の塩類の含有量は200〜10,000ppm
である。この濃縮組成物を希釈して、シリカ濃度0.1
〜5%の研磨スラリーとしたときに、通常20〜1.0
00ppmの範囲で適用され、特に1100−500p
pの範囲にあるのが好ましい。水溶解性の塩類を含有さ
せることにより、シリカ粒子表面に形成されろ水和層の
厚さを減することができるが、20ppm未満ではこの
効果が充分に発揮されないので好ましくない。1100
0pp以上であると、ウェハーのファイン研磨用濃縮組
成物には、さらに必要があれば組成物のpHを8〜12
の調整するために、アルカリ性化合物を添加することが
できる。
アルカリ性化合物としては、アルカリ金属の水酸化物、
アミン類またはアンモニアを使用することができる。ア
ルカリ金属の水酸化物としては、水酸化カリウム、水酸
化ナトリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウムなど
が挙げられる。中でも水酸化カリウム、水酸化ナトリウ
ムが好ましい。
アミン類としては、トリエチルアミン、トリエタノール
アミン、モノエタノールアミン、ジイソプロパツールア
ミン、エチレンジアミン、テトラエチルペンタアミン、
トリエチルペンタミン、ジエチレントリアミン、ヘキサ
メチレンジアミン等が挙げられる。
(発明の効果) 本発明は、次のように特別に顕著な効果を示すので、そ
の産業上の利用価値は極めて大である。
(1)本発明に係るファイン研磨用濃縮組成物は、高濃
度で安定性を有するため輸送等において極めて有利であ
り、使用に除しては単にこれを希釈すればよいのであっ
て、その取扱が容易である。
(2)本発明に係るファイン研磨用濃縮組成物希釈して
ウェハーを研磨するときには、高いドラッグリダクショ
ン効果を示す水溶解性の高分子が、研磨布とウェハーの
間で層流を形成させ、乱流の発生を抑制する。従って、
研磨されたウェハーの表面は、微分干渉型顕微鏡で観察
しても凹凸が認められない平滑な研磨面が得られる。
(3)本発明に係るファイン研磨用濃縮組成物は、シリ
カ粒子として粒子表面にシラノール基を1−10コ/n
m″の面密度で有するコロイダルシリカを含有している
ので、粒子表面にシラノール基を1コ/nm”以下しか
有しないシリカ粒子を含むシリカパウダーを含有した研
磨剤に比べて、シリカ粒子の水親和性が高く、水分散性
に優れている。
(4)本発明に係るファイン研磨用濃縮組成物を用いて
研磨スラリーとし、これでウェハーを研磨するときには
、スラリー中に配合される水溶解性の塩類によって、ス
ラリー中のコロイダルシリカ粒子表面の水和層の厚さが
薄いため、シリカ粒子のウェハーに衝突する時にシリカ
粒子のウェハーに及ぼす力学的作用量が増大し、従って
メカニカル研磨能が増大するために、ファイン研磨の能
率が塩類を配合されない組成物による研磨のそれより高
くなっている。
(実施例) 次に、本発明を実施例及び比較例によって、更に具体的
に説明するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以
下の例に制約されるものではない。
(1)研磨組成物の調整 平均粒子径が60ミリミクロンで、シリカ粒子を50重
量%含有し、粒子表面のシラノールの面密度が8コ/n
m″のコロイダルシリカ;水溶解性の高分子化合物とし
てポリアクリルアミド(三菱化成■製、商品名ダイヤク
リアMN3000) (以下rPAAMJという。)の
水溶液(0,5重量%濃度)、ポリアクリルアミドの変
性物(三菱化成■製、商品名ダイヤクリアMN3000
H)(以下rMN3000HJという。)の水溶液(0
,5重量%濃度)、水溶解性の塩類としてKCI、NH
,C1,のそれぞれを、純水と混合して、シリカ含量2
0%の研磨用濃縮組成物を得た。水溶解性の高分子化合
物、水溶解性の塩類は、上記研磨用濃縮組成物を20倍
希釈してシリカ含量1重量%の研磨スラリーとしたとき
、第1表に記載した割合となるように秤量した。
(2)ウェハーのファイン研磨試験 スピードファム製研磨機、5PAW36を使用し、柔ら
かめのスウェッドタイプの研磨布を用いて、上記研磨用
濃縮組成物を純水で20倍に希釈し、1分間当り11の
割合で供給しながら、シリコンウェハを5分間研磨した
。この際の研磨圧力は100g/CTI!、ウェハーと
研磨布の相対速度を1 m /secとし、研磨中の研
磨布の温度は40℃とした。研磨機による研磨後、上記
研磨組成物の代りに水を流しながらリンス研磨を30秒
行った。リンス研磨終了後のウェハーの研磨面上の凹凸
を微分干渉型顕微鏡で観察した。その結果を第1表に示
す。
(3)研磨用濃縮組成物の長期貯蔵安定試験上記(2)
で得られた研磨用濃縮組成物を室温で保存し、ゲル化時
間を測定した。結果を第1表に示す。
(以下余白) 第1表より、次のことが明らかとなる。
11本発明に係る研磨濃縮組成物を希釈して研磨スラリ
ーとして研磨を行うと、その研磨面は、微分干渉型顕微
鏡でR察した結果、凹凸のない平滑な面が得られ、研磨
剤として好適である。
2、又、ファイン研磨を達成するのに必要なスラリー中
の高分子含量が少なくて良いので経済的である。
3、本発明に係る研磨組成物の貯蔵試験では、何れも3
ケ月以上ゲル化せず、長期間安定である。
これに対して、比較例1のごとく水溶解性の高分子化合
物含量が多いときは、ファイン研磨が達成されない。又
、比較例2のごとく水溶解性の塩類の含量が多いときも
、ファイン研磨が達成されないし、長期貯蔵安定性に欠
ける。
出願人 三菱モンサント化成株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 水、コロイダルシリカ粒子、水溶解性の高分子、及び、
    水溶解性の塩類を含有してなるウェハーのファイン研磨
    用濃縮組成物において、水溶解性の高分子が、分子量1
    0万以上のポリアクリルアミド、ポリアクリルアミド変
    性物、ポリアクリル酸ソーダ、ポリアクリル酸及びポリ
    メタアクリル酸よりなる群より選ばれた少なくとも1種
    であり、且つコロイダルシリカの含有量が1〜50重量
    %、水溶解性の高分子が10〜1,000ppm水溶解
    性の塩数が200〜10,000ppmの範囲にあるこ
    とを特徴とする、ウェハーのファイン研磨用濃縮組成物
JP2141343A 1990-06-01 1990-06-01 ウエハーのファイン研磨用濃縮組成物 Expired - Fee Related JP2987171B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2141343A JP2987171B2 (ja) 1990-06-01 1990-06-01 ウエハーのファイン研磨用濃縮組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2141343A JP2987171B2 (ja) 1990-06-01 1990-06-01 ウエハーのファイン研磨用濃縮組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0463428A true JPH0463428A (ja) 1992-02-28
JP2987171B2 JP2987171B2 (ja) 1999-12-06

Family

ID=15289756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2141343A Expired - Fee Related JP2987171B2 (ja) 1990-06-01 1990-06-01 ウエハーのファイン研磨用濃縮組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2987171B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5885334A (en) * 1996-05-15 1999-03-23 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Polishing fluid composition and polishing method
JPH11302634A (ja) * 1998-04-24 1999-11-02 Hiroaki Tanaka 研磨用組成物及び研磨加工方法
JP2000080350A (ja) * 1998-09-07 2000-03-21 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法
WO2002056351A3 (en) * 2001-01-12 2002-11-28 Rodel Inc Polishing of semiconductor substrates
JP2006231436A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨用スラリーおよび研磨方法
JP2019089692A (ja) * 2017-11-10 2019-06-13 三菱ケミカル株式会社 コロイダルシリカ、シリカゾル、研磨組成物、シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法、化学的機械的研磨組成物及び半導体デバイスの製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009150938A1 (ja) 2008-06-11 2009-12-17 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板用研磨剤

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5885334A (en) * 1996-05-15 1999-03-23 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Polishing fluid composition and polishing method
JPH11302634A (ja) * 1998-04-24 1999-11-02 Hiroaki Tanaka 研磨用組成物及び研磨加工方法
JP2000080350A (ja) * 1998-09-07 2000-03-21 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法
WO2002056351A3 (en) * 2001-01-12 2002-11-28 Rodel Inc Polishing of semiconductor substrates
JP2006231436A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨用スラリーおよび研磨方法
JP2019089692A (ja) * 2017-11-10 2019-06-13 三菱ケミカル株式会社 コロイダルシリカ、シリカゾル、研磨組成物、シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法、化学的機械的研磨組成物及び半導体デバイスの製造方法
JP2023017823A (ja) * 2017-11-10 2023-02-07 三菱ケミカル株式会社 シリカゾル、研磨組成物、シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法、化学的機械的研磨組成物及び半導体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2987171B2 (ja) 1999-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0373501B1 (en) Fine polishing composition for wafers
TWI640586B (zh) 硏磨用組成物、硏磨用組成物之製造方法及硏磨用組成物之調製用套組
KR0130900B1 (ko) 웨이퍼의 미세연마용 조성물
JP4593064B2 (ja) 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP6422325B2 (ja) 半導体基板用研磨液組成物
JP5495508B2 (ja) 研磨用粒子分散液およびその製造方法
JP6110715B2 (ja) Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板粗研磨用研磨剤組成物、Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の研磨方法、Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の製造方法、及びNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板
JP2015203081A (ja) 研磨用組成物
JP2015137297A (ja) 研磨用組成物およびその製造方法
JP6207345B2 (ja) シリカ粒子の製造方法
JP3521614B2 (ja) シリコン用研磨液組成物
JPH0463428A (ja) ウエハーのファイン研磨用濃縮組成物
WO2006122492A1 (fr) Pate a polissage
KR20060135028A (ko) 연마용 조성물 및 연마 방법
JP3754986B2 (ja) 研磨剤用組成物およびその調製方法
JP2016194006A (ja) 研磨用組成物および研磨物の製造方法
JP2004027042A (ja) 微粒子分散ゲル化体及びそれから得られた微粒子分散液
JP2625002B2 (ja) ウェハーのファイン研磨用組成物
JP5421006B2 (ja) 粒子連結型シリカゾルおよびその製造方法
JPH0623393B2 (ja) ウエハーのファイン研磨用の組成物
JPH11279534A (ja) 半導体製品表面用研磨液組成物
JP2015070008A (ja) 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法およびシリコンウエハ製造方法
JP2013177617A (ja) 研磨用シリカゾルおよび研磨用組成物
JPS63272458A (ja) ウエハ−のフアイン研磨用組成物
JP5270303B2 (ja) 研磨用シリカゾルおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees