JP2019089692A - コロイダルシリカ、シリカゾル、研磨組成物、シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法、化学的機械的研磨組成物及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
コロイダルシリカ、シリカゾル、研磨組成物、シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法、化学的機械的研磨組成物及び半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
このような精密研磨においては、シリカゾルを含む研磨組成物が採用されており、その主成分である砥粒として、コロイダルシリカが広く用いられている。コロイダルシリカは、その製造方法の違いにより、四塩化珪素の熱分解によるもの(ヒュームドシリカ等)、水ガラス等の珪酸アルカリの脱イオンによるもの、アルコキシシランの加水分解反応によるもの(一般に「ゾルゲル法」と称される)等が知られている。
また、特許文献2〜4に開示されているコロイダルシリカは、研磨対象がシリコンウェーハでないため、特許文献2〜4に開示されているコロイダルシリカを用いてシリコンウェーハを研磨したとしても、十分な研磨レートを有しない可能性が高い。
また、このような高純度コロイダルシリカを用いたシリコンウェーハの研磨において、シリコンウェーハの生産性向上を図るため、シリコンウェーハの研磨性を向上させる、即ち、研磨レートを向上させることが求められている。
[1]テトラアルコキシシランを主原料とするコロイダルシリカであって、シアーズ法により測定した表面シラノール基密度が、4個/nm2以上である、コロイダルシリカ。
[2]BET法により測定した平均1次粒子径が、15nm〜100nmである、[1]に記載のコロイダルシリカ。
[3]DLS法により測定した平均2次粒子径が、40nm〜200nmである、[1]又は[2]に記載のコロイダルシリカ。
[4]テトラアルコキシシランが、テトラメトキシシランである、[1]〜[3]のいずれかに記載のコロイダルシリカ。
[5][1]〜[4]のいずれかに記載のコロイダルシリカ及び水を含む、シリカゾル。
[6]コロイダルシリカの含有率が、シリカゾル全量100質量%中、3質量%〜50質量%である、[5]に記載のシリカゾル。
[7]金属不純物含有率が、1ppm以下である、[5]又は[6]に記載のシリカゾル。
[8][5]〜[7]のいずれかに記載のシリカゾル及び水溶性高分子を含む、研磨組成物。
[9][8]に記載の研磨組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する、シリコンウェーハの研磨方法。
[10][9]に記載のシリコンウェーハの研磨方法を含む、シリコンウェーハの製造方法。
[11][5]〜[7]のいずれかに記載のシリカゾルを含む、化学的機械的研磨組成物。
[12][11]に記載の化学的機械的研磨組成物を用いて化学的機械的研磨を行う工程を含む、半導体デバイスの製造方法。
本発明のコロイダルシリカは、シアーズ法により測定した表面シラノール基密度が4個/nm2以上である。コロイダルシリカの表面シラノール基密度を4個/nm2以上とすることで、シリコンウェーハへの付着性に優れ、水溶性高分子との親和性に優れるため、研磨レートに優れ、シリコンウェーハの生産性に優れる。
本明細書において、コロイダルシリカの表面シラノール基密度は、シアーズ法により測定したものとする。具体的には、下記に示す条件で測定・算出するものとする。
シリカ1.5gに相当するシリカゾルを採取し、純水を加えて液量を90mLにする。25℃の環境下、pHが3.6になるまで0.1mol/Lの塩酸水溶液を加え、塩化ナトリウム30gを加え、純水を徐々に加えながら塩化ナトリウムを完全に溶解させ、最終的に試験液の総量が150mLになるまで純水を加え、試験液を得る。
得られた試験液を自動滴定装置に入れ、0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液を滴下して、pHが4.0から9.0になるのに要する0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液の滴定量A(mL)を測定する。
下記式(1)を用いて、コロイダルシリカ1.5gあたりのpHが4.0から9.0になるのに要した0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液の消費量V(mL)を算出し、下記式(2)を用いて、コロイダルシリカの表面シラノール基密度ρ(個/nm2)を算出する。
V=(A×f×100×1.5)/(W×C) ・・・ (1)
A:コロイダルシリカ1.5gあたりのpHが4.0から9.0になるのに要した0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液の滴定量(mL)
f:用いた0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液の力価
C:シリカゾル中のシリカ濃度(質量%)
W:シリカゾルの採取量(g)
ρ=(B×NA)/(1018×M×SBET) ・・・ (2)
B:Vから算出したシリカ1.5gあたりのpHが4.0から9.0になるのに要した水酸化ナトリウム量(mol)
NA:アボガドロ数(個/mol)
M:シリカ量(1.5g)
SBET:平均1次粒子径の算出の際に測定したコロイダルシリカの比表面積(m2/g)
テトラアルコキシシランを主原料とする所謂ゾルゲル法は、酸や塩基等の触媒存在下でテトラアルコキシシランを加水分解し、生じたシラノール基を脱水縮合して、シロキサン結合を形成させつつ、粒子を成長させて、コロイダルシリカを得る方法である。その際、シラノール基は、縮合反応の進行に伴い消失していくが、例えば、加水分解反応・縮合反応時のテトラアルコキシシラン、溶媒・分散媒、触媒の組成、反応温度、反応時間等の条件の設定により、コロイダルシリカの内部や表面のシラノール基密度を高くすることができる。また、コロイダルシリカを熱水処理して、シロキサン結合を水和させることでも、表面シラノール基密度を高くすることができる。一方、コロイダルシリカを600℃〜1250℃の乾燥ガス雰囲気で焼成等の処理を行うことにより、内部や表面のシラノール基密度を低くすることもできる。
本発明のコロイダルシリカは、BET法により測定した平均1次粒子径が30nm〜70nmであることが好ましい。
平均1次粒子径(nm)=6000/(比表面積(m2/g)×密度(g/cm3)) ・・・ (3)
本発明のコロイダルシリカは、DLS法により測定した平均2次粒子径が60nm〜120nmであることが好ましい。
cv値=(標準偏差(nm)/平均2次粒子径(nm))×100 ・・・ (4)
会合比=平均2次粒子径/平均1次粒子径 ・・・ (5)
本明細書において、主原料とは、コロイダルシリカを構成する原料中、50質量%以上であることをいう。
本発明のコロイダルシリカは、主原料のテトラアルコキシシランを加水分解反応・縮合反応させることで得られる。本発明のコロイダルシリカの製造方法は、公知の製造方法を用いればよい。
触媒としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、ギ酸、クエン酸等の酸触媒、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、アンモニア、尿素、エタノールアミン、テトラメチル水酸化アンモニウム等のアルカリ触媒等が挙げられる。これらの触媒の中でも、触媒作用に優れ、粒子形状を制御しやすいことから、アルカリ触媒が好ましく、金属不純物の混入を抑制することができ、揮発性が高く縮合反応後の除去性に優れることから、アルカリ触媒が好ましく、アンモニアがより好ましい。
本発明のシリカゾルは、本発明のコロイダルシリカ及び水を含む。
特に、シリカゾルの保存安定性に優れることから、シリカゾル中に抗菌・殺生物剤を含ませることが好ましい。
殺生物剤は、一般に殺菌剤と言われるものも含む。
半導体デバイスのシリコンウェーハの研磨において、金属不純物が被研磨体の表面に付着・汚染することで、ウェーハ特性に悪影響を及ぼすと共に、ウェーハ内部に拡散して品質が劣化するため、このようなウェーハによって製造された半導体デバイスの性能が著しく低下する。
また、本発明のシリカゾルは、コロイダルシリカの表面シラノール基密度を最適化することで、シリコンウェーハに代表される被研磨体に対して、優れた研磨レートを達成することができる。シリカゾル中に金属不純物が存在すると、酸性を示す表面シラノール基と金属不純物とが配位的な相互作用が発生し、表面シラノール基の化学的性質(酸性度等)を変化させたり、コロイダルシリカ表面の立体的な環境(コロイダルシリカの凝集のしやすさ等)を変化させたり、研磨レートに影響を及ぼす。
水ガラス等の珪酸アルカリの脱イオンによる方法では、原料由来のナトリウム等が残存するため、シリカゾルの金属不純物含有率を1ppm以下とすることが困難である。
本発明のシリカゾルは、コロイダルシリカ製造直後の反応液中の成分のうち、不必要な成分を除去し、必要な成分を添加することで得られる。本発明のシリカゾルの製造方法は、公知の製造方法を用いればよい。
ろ過の方法としては、例えば、常圧下での自然ろ過、減圧ろ過、加圧ろ過、遠心ろ過等が挙げられる。
ろ過は、シリカゾルの製造において、任意のタイミング、任意の回数行ってもよいが、研磨組成物の保存安定性や研磨性能が優れることから、研磨組成物の調製直前に行うことが好ましい。
本発明の研磨組成物は、本発明のシリカゾル及び水溶性高分子を含む。
水溶性高分子は、シリコンウェーハに代表される被研磨体に対する研磨組成物の濡れ性を高める。水溶性高分子は、水親和性の高い官能基を保有する高分子であることが好ましく、この水親和性の高い官能基とコロイダルシリカの表面シラノール基との親和性が高く、研磨組成物中でより近傍にコロイダルシリカと水溶性高分子とが安定して分散する。そのため、シリコンウェーハに代表される被研磨体への研磨の際、コロイダルシリカと水溶性高分子との効果が相乗的に機能する。
セルロース誘導体としては、例えば、ヒドロキシエチルセルロース、加水分解処理を施したヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等が挙げられる。
ポリビニルピロリドン骨格を有する共重合体としては、例えば、ポリビニルアルコールとポリビニルピロリドンとのグラフト共重合体等が挙げられる。
ポリオキシアルキレン構造を有する重合体としては、例えば、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとの共重合体等が挙げられる。
これらの水溶性高分子は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの水溶性高分子の中でも、コロイダルシリカの表面シラノール基との親和性が高く、相乗的に作用して被研磨体の表面に良好な親水性を与えることから、セルロース誘導体が好ましく、ヒドロキシエチルセルロースがより好ましい。
研磨組成物のpHは、後述するpH調整剤を添加することで、所望の範囲に設定することができる。
特に、シリコンウェーハに代表される被研磨体の表面に化学的な作用を与えて化学的研磨(ケミカルエッチング)ができ、コロイダルシリカの表面シラノール基との相乗効果により、シリコンウェーハに代表される被研磨体の研磨速度を向上させることができることから、研磨組成物中に塩基性化合物を含ませることが好ましい。
本発明のコロイダルシリカ、シリカゾル及び研磨組成物は、研磨用途に好適に用いることができ、例えば、シリコンウェーハ等の半導体材料の研磨、ハードディスク基板等の電子材料の研磨、集積回路を製造する際の平坦化工程における研磨(化学的機械的研磨)、フォトマスクや液晶に用いる合成石英ガラス基板の研磨、磁気ディスク基板の研磨等に用いることができ、シリコン表面への親和性に優れることから、シリコンウェーハの研磨に特に好適に用いることができる。
実施例・比較例で得られたシリカゾルを凍結乾燥し、比表面積自動測定装置「フローソーブII」(機種名、株式会社島津製作所製)を用いて、コロイダルシリカの比表面積を測定し、下記式(3)を用い、密度を2.2g/cm3とし、て平均1次粒子径を算出した。
平均1次粒子径(nm)=6000/(比表面積(m2/g)×密度(g/cm3)) ・・・ (3)
実施例・比較例で得られたシリカゾルを、動的光散乱粒子径測定装置「ゼーターサイザーナノZS」(機種名、マルバーン社製)を用いて、コロイダルシリカの平均2次粒子径を測定し、下記式(4)を用いてcv値を算出した。
cv値=(標準偏差(nm)/平均2次粒子径(nm))×100 ・・・ (4)
測定した平均1次粒子径と平均2次粒子径とから、下記式(5)を用いて会合比を算出した。
会合比=平均2次粒子径/平均1次粒子径 ・・・ (5)
実施例・比較例で得られたシリカゾルの、シリカ1.5gに相当する量を、200mLトールビーカーに採取し、純水を加えて液量を90mLにした。
25℃の環境下、トールビーカーにpH電極を挿入し、マグネティックスターラーにより試験液を5分間撹拌させた。マグネティックスターラーによる攪拌を続けた状態で、pHが3.6になるまで0.1mol/Lの塩酸水溶液を加えた。トールビーカーからpH電極を取り外し、マグネティックスターラーによる攪拌を続けた状態で、塩化ナトリウムを30g加え、純水を徐々に加えながら塩化ナトリウムを完全に溶解させ、最終的に試験液の総量が150mLになるまで純水を加え、マグネティックスターラーにより試験液を5分間撹拌させ、試験液を得た。
下記式(1)を用いて、コロイダルシリカ1.5gあたりのpHが4.0から9.0になるのに要した0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液の消費量V(mL)を算出し、下記式(2)を用いて、コロイダルシリカの表面シラノール基密度ρ(個/nm2)を算出した。
V=(A×f×100×1.5)/(W×C) ・・・ (1)
A:コロイダルシリカ1.5gあたりのpHが4.0から9.0になるのに要した0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液の滴定量(mL)
f:用いた0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液の力価
C:シリカゾル中のコロイダルシリカ濃度(質量%)
W:シリカゾルの採取量(g)
ρ=(B×NA)/(1018×M×SBET) ・・・ (2)
B:Vから算出したシリカ1.5gあたりのpHが4.0から9.0になるのに要した水酸化ナトリウム量(mol)
NA:アボガドロ数(個/mol)
M:シリカ量(1.5g)
SBET:平均1次粒子径の算出の際に測定したコロイダルシリカの比表面積(m2/g)
実施例・比較例で得られたシリカゾル97.5gに、29質量%アンモニア水3gを加えて混合し、pH10.7のシリカゾルを得た。得られたpH10.7のシリカゾルに、1.4質量%ヒドロキシエチルセルロース水溶液(「SE550」(商品名)、株式会社ダイセル製、質量平均分子量約80万)40gを加えて混合し、更に、純水62.5gを加えて混合し、1μmのメンブレンフィルターでろ過し、pH10.5の研磨組成物を得た。
研磨装置:ドクターラップ「ML−180」(機種名、株式会社マルトー製)及び簡易駆動アーム「MLK−250」(機種名、株式会社マルトー製)
荷重:200g/cm2
定盤回転数:150rpm
ウェーハホルダ回転数:150rpm
研磨パッド:スウェードタイプ
研磨組成物の供給速度:30mL/分
研磨時間:1hr
実施例で得られたシリカゾルの相対研磨レートを、下記式(6)を用いて算出した。
相対研磨レート=(実施例のシリコンチップの研磨前後の質量差(g)/研磨時間(時間))/(比較例1のシリコンチップの研磨前後の質量差(g)/研磨時間(時間)) ・・・ (6)
実施例2で得られたシリカゾル2gを正確に量り取り、硫酸とフッ酸を加え、加温・溶解・蒸発させ、残存した硫酸滴に総量が正確に10gとなるよう純水を加えて試験液を作成し、高周波誘導結合プラズマ質量分析装置「ELEMENT2」(機種名、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製)を用いて、金属不純物含有率を測定した。
金属不純物含有率は、ナトリウムが0.290ppm、カリウムが0.020ppm、鉄が0.002ppm、アルミニウムが0.013ppm、カルシウムが0.024ppm、マグネシウムが0.001ppm、亜鉛が0.026ppm、コバルト、クロム、銅、マンガン、鉛、チタン、銀がいずれも0.001ppm未満であった。
テトラメトキシシランとメタノールとを3:1(体積比)で混合し、原料溶液を調製した。温度計、攪拌機、供給管、留出ラインを備えた反応槽に、予めメタノール、純水、アンモニアを混合した反応溶媒を仕込んだ。反応溶媒中の水の濃度は32質量%、反応溶媒中のアンモニアの濃度は2質量%であった。
反応溶媒の温度を30℃に保持しながら、反応溶媒と原料溶液とを2.3:1(体積比)とし、原料溶液を180分間、均等速度で反応槽へ滴下し、シリカゾルを得た。得られたシリカゾルを、コロイダルシリカの含有率が約20質量%になるように、液量を純水追加で調整しながら、温度を上げてメタノールとアンモニアの除去を行い、コロイダルシリカの含有率が約20質量%のシリカゾルを得た。
得られたシリカゾルの評価結果を、表1に示す。
反応溶媒中の水の濃度を26質量%、反応溶媒中のアンモニアの濃度を1.9質量%、反応溶媒と原料溶液とを2.5:1(体積比)とした以外は、実施例1と同様に操作を行い、シリカゾルを得た。
得られたシリカゾルの評価結果を、表1に示す。
反応溶媒中の水の濃度を26質量%、反応溶媒中のアンモニアの濃度を1.7質量%、反応溶媒の温度を28℃に保持しながら、反応溶媒と原料溶液とを2.5:1(体積比)とした以外は、実施例1と同様に操作を行い、シリカゾルを得た。
得られたシリカゾルの評価結果を、表1に示す。
反応溶媒中の水の濃度を26質量%、反応溶媒中のアンモニアの濃度を1.7質量%、反応溶媒と原料溶液とを2.5:1(体積比)とした以外は、実施例1と同様に操作を行い、シリカゾルを得た。
得られたシリカゾルの評価結果を、表1に示す。
反応溶媒中の水の濃度を32質量%、反応溶媒中のアンモニアの濃度を1.5質量%、反応溶媒の温度を33℃に保持しながら、反応溶媒と原料溶液とを2.3:1(体積比)とした以外は、実施例1と同様に操作を行い、シリカゾルを得た。
得られたシリカゾルの評価結果を、表1に示す。
反応溶媒中の水の濃度を35質量%、反応溶媒中のアンモニアの濃度を1.9質量%、反応溶媒と原料溶液とを2.4:1(体積比)とした以外は、実施例1と同様に操作を行い、シリカゾルを得た。
得られたシリカゾルの評価結果を、表1に示す。
反応溶媒中の水の濃度を26質量%、反応溶媒中のアンモニアの濃度を1.8質量%、反応溶媒と原料溶液とを2.5:1(体積比)とした以外は、実施例1と同様に操作を行い、シリカゾルを得た。
得られたシリカゾルの評価結果を、表1に示す。
シリカゾルとして、超高純度コロイダルシリカ「PL−7」(商品名、扶桑化学工業株式会社製)を用いた。
得られたシリカゾルの評価結果を、表1に示す。
Claims (12)
- テトラアルコキシシランを主原料とするコロイダルシリカであって、
シアーズ法により測定した表面シラノール基密度が、4個/nm2以上である、
コロイダルシリカ。 - BET法により測定した平均1次粒子径が、15nm〜100nmである、請求項1に記載のコロイダルシリカ。
- DLS法により測定した平均2次粒子径が、40nm〜200nmである、請求項1又は2に記載のコロイダルシリカ。
- テトラアルコキシシランが、テトラメトキシシランである、請求項1〜3のいずれか1項に記載のコロイダルシリカ。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のコロイダルシリカ及び水を含む、シリカゾル。
- コロイダルシリカの含有率が、シリカゾル全量100質量%中、3質量%〜50質量%である、請求項5に記載のシリカゾル。
- 金属不純物含有率が、1ppm以下である、請求項5又は6に記載のシリカゾル。
- 請求項5〜7のいずれか1項に記載のシリカゾル及び水溶性高分子を含む、研磨組成物。
- 請求項8に記載の研磨組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する、シリコンウェーハの研磨方法。
- 請求項9に記載のシリコンウェーハの研磨方法を含む、シリコンウェーハの製造方法。
- 請求項5〜7のいずれか1項に記載のシリカゾルを含む、化学的機械的研磨組成物。
- 請求項11に記載の化学的機械的研磨組成物を用いて化学的機械的研磨を行う工程を含む、半導体デバイスの製造方法。
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