JP2021116209A - シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[1]以下の工程(1)を含む、シリカ粒子の製造方法。
工程(1):水を含む溶液(A)に、テトラアルコキシシランを77質量%〜89質量%含む溶液(B)を添加し、テトラアルコキシシランを加水分解反応及び縮合反応させる工程
[2]溶液(B)の添加速度が、50gシリカ/時/kg溶液〜150gシリカ/時/kg溶液である、請求項1に記載のシリカ粒子の製造方法。
[3]加水分解反応及び縮合反応の反応温度が、20℃〜50℃である、[1]又は[2]に記載のシリカ粒子の製造方法。
[4]加水分解反応及び縮合反応の反応系内の水の濃度を、3質量%〜25質量%に維持する、[1]〜[3]のいずれかに記載のシリカ粒子の製造方法。
[5]溶液(A)が、アルカリ触媒を含む、[1]〜[4]のいずれかに記載のシリカ粒子の製造方法。
[6]溶液(A)に、溶液(B)及びアルカリ触媒を含む溶液(C)を添加する、[1]〜[5]のいずれかに記載のシリカ粒子の製造方法。
[7]加水分解反応及び縮合反応の反応系内のアルカリ触媒の濃度を、0.5質量%〜2.0質量%に維持する、[6]に記載のシリカ粒子の製造方法。
[8]溶液(A)が、アルコールを含む、[1]〜[7]のいずれかに記載のシリカ粒子の製造方法。
[9]反応前の溶液(B)中のテトラアルコキシシランの質量に対する反応前の溶液(A)中のアルコールの質量の比が、0.73〜0.91である、[8]に記載のシリカ粒子の製造方法。
[10]更に、以下の工程(2)を含む、[1]〜[9]のいずれかに記載のシリカ粒子の製造方法。
工程(2):工程(1)で得られたシリカ粒子の分散液を濃縮し、分散媒を添加する工程
[11]更に、以下の工程(3)を含む、[10]に記載のシリカ粒子の製造方法。
工程(3):工程(2)で得られたシリカ粒子の分散液を加圧加熱処理する工程
[12][1]〜[11]のいずれかに記載のシリカ粒子の製造方法を含む、シリカゾルの製造方法。
[13]シリカゾル中のシリカ粒子の濃度が、10質量%〜25質量%である、[12]に記載のシリカゾルの製造方法。
[14][12]又は[13]に記載のシリカゾルの製造方法で得られたシリカゾルを含む研磨組成物を用いて研磨する、研磨方法。
[15][14]に記載の研磨方法を含む、半導体ウェハの製造方法。
[16][14]に記載の研磨方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
本発明のシリカ粒子の製造方法は、以下の工程(1)を含む。
工程(1):水を含む溶液(A)に、テトラアルコキシシランを77質量%〜89質量%含む溶液(B)を添加し、テトラアルコキシシランを加水分解反応及び縮合反応させる工程
工程(1)は、水を含む溶液(A)に、テトラアルコキシシランを77質量%〜89質量%含む溶液(B)を添加し、テトラアルコキシシランを加水分解反応及び縮合反応させる工程である。
溶液(A)中の水以外の溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール等が挙げられる。これらの溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの溶媒の中でも、テトラアルコキシシランを溶解しやすく、加水分解反応及び縮合反応で用いるものと副生するものとが同一で、製造上の利便性に優れることから、アルコールが好ましく、メタノール、エタノールがより好ましく、メタノールが更に好ましい。
溶液(A)中のアルカリ触媒としては、例えば、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、アンモニア、尿素、エタノールアミン、テトラメチル水酸化アンモニウム等が挙げられる。これらのアルカリ触媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらのアルカリ触媒の中でも、触媒作用に優れ、粒子形状を制御しやすく、金属不純物の混入を抑制することができ、揮発性が高く加水分解反応及び縮合反応後の除去性に優れることから、アンモニアが好ましい。
溶液(B)中のテトラアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン等が挙げられる。これらのテトラアルコキシシランは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらのテトラアルコキシシランの中でも、加水分解反応が早く、未反応物が残留しづらく、生産性に優れ、安定なシリカゾルを容易に得ることができることから、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが好ましく、テトラメトキシシランがより好ましい。
溶液(B)中の溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール等が挙げられる。これらの溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの溶媒の中でも、加水分解反応及び縮合反応で用いるものと副生するものとが同一で、製造上の利便性に優れることから、アルコールが好ましく、メタノール、エタノールがより好ましく、メタノールが更に好ましい。
シリカ/時/kg溶液とは、溶液(A)1kgに対して、1時間当たりに添加するテトラアルコキシシランの質量をシリカの質量に換算した値を表す。
溶液(C)中のアルカリ触媒としては、例えば、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、アンモニア、尿素、エタノールアミン、テトラメチル水酸化アンモニウム等が挙げられる。これらのアルカリ触媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらのアルカリ触媒の中でも、触媒作用に優れ、粒子形状を制御しやすく、金属不純物の混入を抑制することができ、揮発性が高く加水分解反応及び縮合反応後の除去性に優れることから、アンモニアが好ましい。
溶液(C)中の溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール等が挙げられる。これらの溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの溶媒の中でも、加水分解反応及び縮合反応で用いるものと副生するものとが同一で、製造上の利便性に優れることから、水、アルコールが好ましく、水がより好ましい。
アルカリ触媒/時/kg溶液とは、溶液(A)1kgに対して、1時間当たりに添加するアルカリ触媒の質量を表す。
本発明のシリカ粒子の製造方法は、不必要な成分を除去し、必要な成分を添加することができることから、更に、以下の工程(2)を含むことが好ましい。
工程(2):工程(1)で得られたシリカ粒子の分散液を濃縮し、分散媒を添加する工程
本発明のシリカ粒子の製造方法は、シリカ粒子の縮合度を高めることができることから、更に、以下の工程(3)を含むことが好ましい。
工程(3):工程(2)で得られたシリカ粒子の分散液を加圧加熱処理する工程
加圧は、密閉した状態でシリカ粒子の分散液を分散媒の沸点以上に加熱すればよい。密閉した状態でシリカ粒子の水分散液を100℃以上に加熱した場合、圧力は、その温度の飽和水蒸気圧となる。
シリカ粒子の平均1次粒子径は、5nm〜100nmが好ましく、10nm〜60nmがより好ましい。シリカ粒子の平均1次粒子径が5nm以上であると、シリカゾルの保存安定性に優れる。また、シリカ粒子の平均1次粒子径が100nm以下であると、シリコンウェハに代表される被研磨体の表面粗さや傷を低減でき、シリカ粒子の沈降を抑制することができる。
平均1次粒子径(nm)=6000/(比表面積(m2/g)×密度(g/cm3)) ・・・ (1)
cv値=(標準偏差(nm)/平均2次粒子径(nm))×100 ・・・ (2)
会合比=平均2次粒子径/平均1次粒子径 ・・・ (3)
シリカ粒子1.5gに相当するシリカゾルを採取し、純水を加えて液量を90mLにする。25℃の環境下、pHが3.6になるまで0.1mol/Lの塩酸水溶液を加え、塩化ナトリウム30gを加え、純水を徐々に加えながら塩化ナトリウムを完全に溶解させ、最終的に試験液の総量が150mLになるまで純水を加え、試験液を得る。
得られた試験液を自動滴定装置に入れ、0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液を滴下して、pHが4.0から9.0になるのに要する0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液の滴定量A(mL)を測定する。
下記式(4)を用いて、シリカ粒子1.5gあたりのpHが4.0から9.0になるのに要した0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液の消費量V(mL)を算出し、下記式(5)を用いて、シリカ粒子の表面シラノール基密度ρ(個/nm2)を算出する。
V=(A×f×100×1.5)/(W×C) ・・・ (4)
A:シリカ粒子1.5gあたりのpHが4.0から9.0になるのに要した0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液の滴定量(mL)
f:用いた0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液の力価
C:シリカゾル中のシリカ粒子の濃度(質量%)
W:シリカゾルの採取量(g)
ρ=(B×NA)/(1018×M×SBET) ・・・ (5)
B:Vから算出したシリカ粒子1.5gあたりのpHが4.0から9.0になるのに要した水酸化ナトリウム量(mol)
NA:アボガドロ数(個/mol)
M:シリカ粒子量(1.5g)
SBET:平均1次粒子径の算出の際に測定したシリカ粒子の比表面積(m2/g)
また、シリカ粒子に金属不純物が存在すると、酸性を示す表面シラノール基と金属不純物とが配位的な相互作用が発生し、表面シラノール基の化学的性質(酸性度等)を変化させたり、シリカ粒子表面の立体的な環境(シリカ粒子の凝集のしやすさ等)を変化させたり、研磨レートに影響を及ぼす。
水ガラス等の珪酸アルカリの脱イオンによる方法では、原料由来のナトリウム等が残存するため、シリカ粒子の金属不純物含有率を5ppm以下とすることが極めて困難である。
シリカ粒子の細孔の有無は、窒素を吸着ガスとした吸着等温線を用いたBET多点法解析により確認する。
本発明のシリカゾルの製造方法は、本発明のシリカ粒子の製造方法を含む。
シリカゾル中の分散媒は、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール等が挙げられる。これらのシリカゾル中の分散媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらのシリカゾル中の分散媒の中でも、シリカ粒子との親和性に優れることから、水、アルコールが好ましく、水がより好ましい。
特に、シリカゾルの保存安定性に優れることから、シリカゾル中に抗菌殺生物剤を含ませることが好ましい。
殺生物剤は、一般に殺菌剤と言われるものも含む。
シリカゾルのpHは、pH調整剤を添加することで、所望の範囲に設定することができる。
本発明のシリカ粒子の製造方法で得られたシリカ粒子は、研磨組成物として好適に用いることができる。
研磨組成物は、前述したシリカゾル及び水溶性高分子を含むことが好ましい。
ポリビニルピロリドン骨格を有する共重合体としては、例えば、ポリビニルアルコールとポリビニルピロリドンとのグラフト共重合体等が挙げられる。
ポリオキシアルキレン構造を有する重合体としては、例えば、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとの共重合体等が挙げられる。
特に、シリコンウェハに代表される被研磨体の表面に化学的な作用を与えて化学的研磨(ケミカルエッチング)ができ、シリカ粒子の表面シラノール基との相乗効果により、シリコンウェハに代表される被研磨体の研磨速度を向上させることができることから、研磨組成物中に塩基性化合物を含ませることが好ましい。
研磨組成物のpHは、pH調整剤を添加することで、所望の範囲に設定することができる。
本発明の研磨方法は、本発明のシリカゾルの製造方法で得られたシリカゾルを含む研磨組成物を用いて研磨する方法である。
研磨組成物は、前述した研磨組成物を用いることが好ましい。
具体的な研磨の方法としては、例えば、シリコンウェハの表面を研磨パッドに押し付け、研磨パッド上に本発明の研磨組成物を滴下し、シリコンウェハの表面を研磨する方法が挙げられる。
本発明の半導体ウェハの製造方法は、本発明の研磨方法を含む方法であり、具体的な研磨方法は、前述した通りである。
半導体ウェハとしては、例えば、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ等が挙げられる。
本発明の半導体デバイスの製造方法は、本発明の研磨方法を含む方法であり、具体的な研磨方法は、前述した通りである。
本発明のシリカ粒子の製造方法で得られたシリカ粒子、本発明のシリカゾルの製造方法で得られたシリカゾルは、研磨用途に好適に用いることができ、例えば、シリコンウェハ等の半導体材料の研磨、ハードディスク基板等の電子材料の研磨、集積回路を製造する際の平坦化工程における研磨(化学的機械的研磨)、フォトマスクや液晶に用いる合成石英ガラス基板の研磨、磁気ディスク基板の研磨等に用いることができ、中でもシリコンウェハの研磨や化学的機械的研磨に特に好適に用いることができる。
実施例及び比較例で得られたシリカ粒子の分散液を150℃で乾燥し、比表面積自動測定装置「BELSORP−MR1」(機種名、マイクロトラック・ベル株式会社)を用いて、シリカ粒子の比表面積を測定し、下記式(1)を用い、密度を2.2g/cm3とし、平均1次粒子径を算出した。
平均1次粒子径(nm)=6000/(比表面積(m2/g)×密度(g/cm3)) ・・・ (1)
実施例及び比較例で得られたシリカ粒子の分散液を、動的光散乱粒子径測定装置「ゼーターサイザーナノZS」(機種名、マルバーン社製)を用いて、シリカ粒子の平均2次粒子径を測定し、下記式(2)を用いてcv値を算出した。
cv値=(標準偏差(nm)/平均2次粒子径(nm))×100 ・・・ (2)
測定した平均1次粒子径と平均2次粒子径とから、下記式(3)を用いて会合比を算出した。
会合比=平均2次粒子径/平均1次粒子径 ・・・ (3)
実施例及び比較例で得られたシリカ粒子の分散液を超純水で5000倍に希釈し、希釈したシリカ粒子の分散液5μLをシリコン基板上に滴下し乾燥させた。次いで、電界放出型走査電子顕微鏡(機種名「S−5200型」、株式会社日立ハイテクノロジーズ製、FE−SEM)を用いて、シリコン基板に加速電圧5kVで電子線を照射し、倍率5万倍で観測される二次電子像を撮影した。撮影した写真を、画像解析式粒度分布測定ソフト(ソフト名「Mac−View Ver.4」、株式会社マウンテック製)に取り込み、同一視野に含まれる全シリカ粒子(80個〜120個)のHeywood径と面積を測定した。Heywood径が30nm未満の粒子を微粒子と定義し、全粒子の面積の総和に対する微粒子の面積の割合(面積%)を算出した。
純水3.9質量部、メタノール78.3質量部及び10質量%アンモニア水11.2質量部を混合した溶液(A−1)に、テトラメトキシシラン100質量部及びメタノール25.0質量部を混合した溶液(B−1)(テトラメトキシシランの濃度80質量%)並びに純水29.1質量部及び10質量%アンモニア水15.6質量部を混合した溶液(C−1)を、253分かけてそれぞれ等速で滴下した。滴下中、反応液の温度を37℃に保ったまま、反応液の撹拌を続けた。滴下終了後、反応液の温度を37℃に保ったまま、更に反応液を30分間撹拌した。反応液を濾過し、シリカ粒子の分散液を得た。
得られたシリカ粒子の評価結果を、表1に示す。
純水4.3質量部、メタノール85.6質量部及び10質量%アンモニア水12.3質量部を混合した溶液(A−2)に、テトラメトキシシラン100質量部及びメタノール17.7質量部を混合した溶液(B−2)(テトラメトキシシランの濃度85質量%)並びに純水28.7質量部及び10質量%アンモニア水14.6質量部を混合した溶液(C−2)を、232分かけてそれぞれ等速で滴下した。滴下中、反応液の温度を37℃に保ったまま、反応液の撹拌を続けた。滴下終了後、反応液の温度を37℃に保ったまま、更に反応液を30分間撹拌した。反応液を濾過し、シリカ粒子の分散液を得た。
得られたシリカ粒子の評価結果を、表1に示す。
純水4.5質量部、メタノール89.0質量部及び10質量%アンモニア水12.7質量部を混合した溶液(A−3)に、テトラメトキシシラン100質量部及びメタノール14.3質量部を混合した溶液(B−3)(テトラメトキシシランの濃度87.5質量%)並びに純水28.6質量部及び10質量%アンモニア水14.1質量部を混合した溶液(C−3)を、223分かけてそれぞれ等速で滴下した。滴下中、反応液の温度を37℃に保ったまま、反応液の撹拌を続けた。滴下終了後、反応液の温度を37℃に保ったまま、更に反応液を30分間撹拌した。反応液を濾過し、シリカ粒子の分散液を得た。
得られたシリカ粒子の評価結果を、表1に示す。
純水3.5質量部、メタノール69.9質量部及び10質量%アンモニア水10.0質量部を混合した溶液(A’−1)に、テトラメトキシシラン100質量部及びメタノール33.3質量部を混合した溶液(B’−1)(テトラメトキシシランの濃度75質量%)並びに純水29.5質量部及び10質量%アンモニア水16.8質量部を混合した溶液(C’−1)を、284分かけてそれぞれ等速で滴下した。滴下中、反応液の温度を37℃に保ったまま、反応液の撹拌を続けた。滴下終了後、反応液の温度を37℃に保ったまま、更に反応液を30分間撹拌した。反応液を濾過し、シリカ粒子の分散液を得た。
得られたシリカ粒子の評価結果を、表1に示す。
純水4.6質量部、メタノール92.2質量部及び10質量%アンモニア水13.2質量部を混合した溶液(A’−2)に、テトラメトキシシラン100質量部及びメタノール11.1質量部を混合した溶液(B’−2)(テトラメトキシシランの濃度90質量%)並びに純水28.4質量部及び10質量%アンモニア水13.7質量部を混合した溶液(C’−2)を、215分かけてそれぞれ等速で滴下した。滴下中、反応液の温度を37℃に保ったまま、反応液の撹拌を続けた。滴下終了後、反応液の温度を37℃に保ったまま、更に反応液を30分間撹拌した。反応液を濾過し、シリカ粒子の分散液を得た。
得られたシリカ粒子の評価結果を、表1に示す。
Claims (16)
- 以下の工程(1)を含む、シリカ粒子の製造方法。
工程(1):水を含む溶液(A)に、テトラアルコキシシランを77質量%〜89質量%含む溶液(B)を添加し、テトラアルコキシシランを加水分解反応及び縮合反応させる工程 - 溶液(B)の添加速度が、50gシリカ/時/kg溶液〜150gシリカ/時/kg溶液である、請求項1に記載のシリカ粒子の製造方法。
- 加水分解反応及び縮合反応の反応温度が、20℃〜50℃である、請求項1又は2に記載のシリカ粒子の製造方法。
- 加水分解反応及び縮合反応の反応系内の水の濃度を、3質量%〜25質量%に維持する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のシリカ粒子の製造方法。
- 溶液(A)が、アルカリ触媒を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリカ粒子の製造方法。
- 溶液(A)に、溶液(B)及びアルカリ触媒を含む溶液(C)を添加する、請求項1〜5のいずれか1項に記載のシリカ粒子の製造方法。
- 加水分解反応及び縮合反応の反応系内のアルカリ触媒の濃度を、0.5質量%〜2.0質量%に維持する、請求項6に記載のシリカ粒子の製造方法。
- 溶液(A)が、アルコールを含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載のシリカ粒子の製造方法。
- 反応前の溶液(B)中のテトラアルコキシシランの質量に対する反応前の溶液(A)中のアルコールの質量の比が、0.73〜0.91である、請求項8に記載のシリカ粒子の製造方法。
- 更に、以下の工程(2)を含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載のシリカ粒子の製造方法。
工程(2):工程(1)で得られたシリカ粒子の分散液を濃縮し、分散媒を添加する工程 - 更に、以下の工程(3)を含む、請求項10に記載のシリカ粒子の製造方法。
工程(3):工程(2)で得られたシリカ粒子の分散液を加圧加熱処理する工程 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載のシリカ粒子の製造方法を含む、シリカゾルの製造方法。
- シリカゾル中のシリカ粒子の濃度が、3質量%〜50質量%である、請求項12に記載のシリカゾルの製造方法。
- 請求項12又は13に記載のシリカゾルの製造方法で得られたシリカゾルを含む研磨組成物を用いて研磨する、研磨方法。
- 請求項14に記載の研磨方法を含む、半導体ウェハの製造方法。
- 請求項14に記載の研磨方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
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