JP2006231436A - 研磨用スラリーおよび研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 研磨パッドの目詰まりを低減して研磨レートの低下を抑制できるようにする。
【解決手段】 研磨砥粒として、表面のシラノール基(Si−OH)の単位面積当たりの数(counts/nm2)が、1以上9以下であるシリカ砥粒10を含有する研磨用スラリー3を用いて研磨を行うようにしており、従来のシリカ砥粒に比べて、シラノール基の数が少ないので、シラノール基と研磨パッド2の極性基との結びつきを抑制して研磨パッド2の目詰まりを低減している。
【選択図】 図3
【解決手段】 研磨砥粒として、表面のシラノール基(Si−OH)の単位面積当たりの数(counts/nm2)が、1以上9以下であるシリカ砥粒10を含有する研磨用スラリー3を用いて研磨を行うようにしており、従来のシリカ砥粒に比べて、シラノール基の数が少ないので、シラノール基と研磨パッド2の極性基との結びつきを抑制して研磨パッド2の目詰まりを低減している。
【選択図】 図3
Description
本発明は、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械研磨)に好適な研磨用スラリーおよびこの研磨用スラリーを用いた研磨方法に関する。
現在、CMPは、例えば、層間絶縁膜の平坦化、ビアホール内のプラグの形成、埋め込み金属配線の形成などに欠かせない技術となっている(例えば、特許文献1参照)。
かかるCMP工程では、図4に示すように、研磨定盤1の表面に取付けられた研磨パッド2には、研磨用スラリー3’がスラリー供給用のノズル4から供給される。研磨対象(被研磨物)としての半導体ウェハ5は、加圧ヘッド6に、バッキングフィルム7を介して保持される。加圧ヘッド6に荷重が加えられることによって、半導体ウェハ5は、研磨パッド2に押し付けられ、研磨用スラリー3’を研磨パッド2表面に供給しながら、研磨パッド2と研磨ヘッド6とを回転させることによって、半導体ウェハ3の研磨が行われる。
特開2004−193495号公報
かかるCMPに用いられる従来の研磨用スラリーでは、研磨砥粒や研磨カスが研磨パッドの微細な孔(ポア)に滞留、付着しやすく、連続した研磨において研磨パッドの目詰まりを引き起こし、研磨レートの低下を引き起こすため、研磨パッドのドレッシングを頻繁に行う必要があり、作業性、生産性が低下する。
このため、かかる研磨パッドの目詰まりを低減して安定して研磨を行えるようにすることが望まれる。
本発明は、上述のような課題に鑑みて為されたものであって、研磨パッドの目詰まりを低減して研磨レートの低下を抑制できるようにすることを目的としている。
本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
すなわち、本発明は、研磨砥粒を含有する研磨用スラリーであって、前記研磨砥粒がシリカ砥粒であって、該シリカ砥粒は、表面のシラノール基の単位面積当たりの数(counts/nm2)が、1以上9以下である。
シリカ砥粒は、ヒュームドシリカであるのが好ましく、化学的機械研磨に用いて、絶縁膜が形成された半導体ウェハを研磨対象とするのに好適である。
本発明によると、研磨砥粒として含有されているシリカ砥粒は、表面のシラノール基(Si−OH)の単位面積当たりの数(counts/nm2)が、1以上9以下であるので、従来のシリカ砥粒に比べて、シラノール基の数が少なく、研磨パッドの目詰まりを低減することができる。
ここで、研磨パッドの目詰まりを低減できる理由は、次のように考えることができる。
研磨対象である半導体ウェハの絶縁膜(TEOS)の表面は、マイナスにチャージした状態で安定している。シリカ砥粒のシラノール基(SiOH)もH+がとれて、SiO−の状態で安定している。このため、シリカ表面のシラノール基が多いと、半導体ウェハとは、より反発することになり、このように半導体ウェハと反発関係にある余剰のシラノール基が多いと、研磨パッドの極性基とより結びつき易く、研磨パッドの目詰まりを促進するものと考えられ、従来のシリカ砥粒に比べて、シラノール基の数が少ない本発明では、シリカ砥粒と研磨パッドとの結びつきが抑制され、これによって、研磨パッドの目詰まりを低減して研磨レートの低下を抑制することができるものと考えられる。
本発明の研磨方法は、研磨定盤に取り付けられた研磨パッドと、加圧ヘッドに取り付けられた半導体ウェハとの間に、本発明に係る研磨用スラリーを供給しながら前記研磨パッドと前記半導体ウェハとを回転させながら圧接して研磨を行うものである。
本発明によると、従来のシリカ砥粒に比べて、シラノール基の数が少ないシリカ砥粒を含有した研磨用スラリーを用いて化学的機械研磨を行うので、研磨パッドの目詰まりを低減して研磨レートの低下を抑制することができる。
本発明によれば、表面のシラノール基の数が、特定の範囲にあるシリカ砥粒を研磨砥粒として含有しているので、シラノールの基の数が多いシリカ砥粒を含有する従来例に比べて、シリカ表面のシラノール基と研磨パッドの極性基との結びつきが抑制されて研磨パッドの目詰まりを低減して研磨レートの低下を抑制することができる。これによって、研磨パッドのドレッシングの回数を削減して生産性を高めることができるとともに、研磨パッドを交換するまでの期間を延ばして研磨パッドの長寿命化を図ることができる。
以下、図面によって本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は本発明の実施の形態に係る研磨用スラリーを用いるCMP研磨装置の概略構成図である。
研磨定盤1の表面に取付けられた研磨パッド2には、本発明に係る研磨用スラリー3がスラリー供給用のノズル4から連続的に供給される。研磨対象(被研磨物)としての半導体ウェハ5は、加圧ヘッド6に、バッキングフィルム7を介して保持される。加圧ヘッド6に荷重が加えられることによって、半導体ウェハ5は、研磨パッド2に押し付けられる。
研磨パッド2上に供給される研磨用スラリー3は、研磨パッド2上を広がって半導体ウェハ5に到達する。研磨定盤1と加圧ヘッド6とは、矢符Aで示すように同方向に回転して相対的に移動し、研磨パッド2と半導体ウェハ5との間に研磨用スラリー3が侵入して研磨が行われる。なお、8は研磨パッド2の表面を目立てするためのドレッサーである。
この実施の形態の研磨用スラリー3は、研磨砥粒としてヒュームドシリカを含有する水系媒体のスラリーである。
このヒュームドシリカは、その表面の単位面積当たりのシラノール基(Si−OH)の数(counts/nm2)が、1以上9以下であり、好ましくは、2以上9以下である。
このシラノール基は、例えば、研磨用スラリーを、pH4〜pH9の範囲で、0.1NのNaOHによって滴定し、0.1NのNaOHの使用量から求めることができる。
研磨砥粒として、シリカ砥粒以外に、アルミナ、セリア、チタニア、などの他の研磨砥粒を加えてもよい。
この研磨用スラリー3は、従来と同様に、酸化剤を含有し、この酸化剤としては、過酸化水素や過塩素酸アンモニウムなどの過酸化化合物、ヨウ素酸カリウムやヨウ素酸ナトリウムなどのヨウ素酸塩化合物、硝酸鉄などを挙げることができる。
この研磨用スラリー3のpHは、好ましくは、4以上14以下の範囲である。
このpH調整に使用する物質は、特に限定されないが、アルカリ性物質としては、アンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン、エチルアミン、トリメチルアミン、ジメチルアミン、メチルアミン等のアミン類、NaOH、KOH等の無機類を挙げられる。また、酸性物質としては、塩酸、硝酸等の無機酸類、酢酸、シュウ酸、クエン酸等の有機酸類が挙げられる。
この研磨用スラリー3は、その好ましい特性を損なわない範囲で、従来からCMP工程における研磨用スラリーに常用されている各種の添加剤の1種または2種以上を含んでいてもよい。この添加剤の具体例としては、例えば、ポリカルボン酸アンモニウムなどの分散剤、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール、グリセリンなどの水溶性アルコール、界面活性剤、粘度調節剤などが挙げられる。
以下に、実施例および比較例を挙げて、本発明を更に具体的に説明する。
表1に示すように、表面のシラノール基の単位面積当たりの数(counts/nm2)が3、比表面積が90(m2/g)、平均粒径が90(nm)のヒュームドシリカを研磨砥粒として含有する実施例の研磨用スラリーと、表面のシラノール基の単位面積当たりの数(counts/nm2)が10、比表面積が50(m2/g)、平均粒径が125(nm)のヒュームドシリカを研磨砥粒として含有する比較例の研磨用スラリーとを同様に調整した。
すなわち、実施例および比較例のいずれも、ヒュームドシリカ以外の組成を同じとし、研磨用スラリーの全量に対するヒュームドシリカの含有量を、12.5重量%とし、PHを、10.8とした。
[研磨条件]
研磨装置 株式会社東京精密製 量産型CMP装置 ChaMP332
被研磨物 12インチウェハ 酸化ケイ素(TEOS)膜
研磨パッド ニッタ・ハース株式会社製 IC1000
研磨時間 60秒
研磨圧力 2psi(ポンド/平方インチ)
研磨定盤回転数 50(rpm)
研磨ヘッド回転数 50(rpm)
スラリー流量 120(cc/min)
研磨結果を、図2に示す。
この図2においては、初期の研磨レートを1とした相対値で示しており、実施例の研磨スラリーによる研磨レートの相対値を−○−で示し、比較例の研磨スラリーによる研磨レートの相対値を−■−で示している。
図2から分かるように、本発明の実施例の研磨用スラリーでは、研磨枚数の増加に拘わらず、研磨レートの低下が穏やかで比較的安定しているのに対して、比較例の研磨ス用ラリーでは、研磨枚数が増加するにつれて研磨レートの低下がはげしい。
このように実施例の研磨用スラリーでは、研磨枚数の増加に拘わらず、研磨レートの低下が緩やかで安定しているのは、次のように考えることができる。
すなわち、測定して求めた固体のゼータ電位の結果から、図3に示すように、研磨対象であるシリコンウェハ5の絶縁膜(TEOS)の表面は、マイナスにチャージした状態で安定している。これに対して、シリカ10の表面のシラノール基(SiOH)もH+がとれて、SiO−の状態で安定している。このため、シリカ10表面のシラノール基が多いと、シリコンウェハ5とは、より反発することになり、このようにシリコンウェハ5と反発関係にある余剰のシラノール基が多いと、研磨パッド2のプラスにチャージしている極性基とより結びつき易く、研磨パッド2の目詰まりを促進し、研磨レートが低下するものと考えられる。
この実施の形態の研磨用スラリーは、従来のシリカ砥粒に比べて、シラノール基の数が少ないので、シリカ砥粒10と研磨パッド2との結びつきが抑制され、研磨パッド2の目詰まりを低減して研磨レートの低下を抑制することができ、これによって、研磨パッド2のドレッシングの回数を削減して生産性を高めることができるとともに、研磨パッド2を交換するまでの期間を延ばして研磨パッド2の長寿命化を図ることができる。
上述の実施の形態では、シリカ砥粒としてヒュームドシリカを用いたけれども、本発明の他の実施の形態として、コロイダルシリカを用いてもよく、あるいは、ヒュームドシリカおよびコロイダルシリカの両シリカを混合して用いてもよい。
本発明は、半導体ウェハや光学部品レンズなどの研磨に有用である。
2 研磨パッド 5 半導体ウェハ
3,3’ 研磨用スラリー 10 シリカ砥粒
3,3’ 研磨用スラリー 10 シリカ砥粒
Claims (4)
- 研磨砥粒を含有する研磨用スラリーであって、
前記研磨砥粒がシリカ砥粒であって、該シリカ砥粒は、表面のシラノール基の単位面積当たりの数(counts/nm2)が、1以上9以下であることを特徴とする研磨用スラリー。 - 前記シリカ砥粒がヒュームドシリカである請求項1に記載の研磨用スラリー。
- 化学的機械研磨に用いるものであって、研磨対象が、絶縁膜が形成された半導体ウェハである請求項1または2に記載の研磨用スラリー。
- 研磨定盤に取り付けられた研磨パッドと、加圧ヘッドに取り付けられた半導体ウェハとの間に、前記請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨用スラリーを供給しながら前記研磨パッドと前記半導体ウェハとを回転させながら圧接して研磨を行うことを特徴とする研磨方法。
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