JP2015051497A - サファイア表面を研磨するための化学的機械研磨組成物及びその使用方法 - Google Patents
サファイア表面を研磨するための化学的機械研磨組成物及びその使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015051497A JP2015051497A JP2014170163A JP2014170163A JP2015051497A JP 2015051497 A JP2015051497 A JP 2015051497A JP 2014170163 A JP2014170163 A JP 2014170163A JP 2014170163 A JP2014170163 A JP 2014170163A JP 2015051497 A JP2015051497 A JP 2015051497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mechanical polishing
- chemical mechanical
- colloidal silica
- polishing slurry
- particle size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 226
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 106
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 28
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 123
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 97
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000003139 biocide Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 113
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 16
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 9
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 7
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 6
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 claims 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02035—Shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】サファイア基板を研磨する方法であって:露出したサファイア表面を有する基板を提供する工程;化学的機械研磨スラリーを提供する工程(ここで、この化学的機械研磨スラリーは、初期成分として:コロイダルシリカ砥粒であって、負の表面電荷を有しており;そして、2〜25nmの間に第1の粒径極大値を;及び75〜200nmの間に第2の粒径極大値を持つ多峰性粒径分布を示す、コロイダルシリカ砥粒;場合により殺生物剤;場合により非イオン性消泡剤;並びに場合によりpH調整剤を含む)を含む。
【選択図】なし
Description
詳細な説明
化学的機械研磨スラリー配合物
試験した化学的機械研磨スラリー配合物(CMPS)は、表1に記載する。化学的機械研磨スラリーC1〜C26は、比較配合物であって、本発明の請求の範囲には含まれない。
表1に記載された化学的機械研磨スラリー(CMCS)は、5インチ単一ヘッド及び12インチのプラテンサイズを持つBuehler EcoMet(登録商標)300/AutoMet(登録商標)300グラインダー・ポリッシャー/パワーヘッド、並びに2.5mm溝幅、15.75mmピッチ及び0.8mm溝深さのX−Y溝パターンを有するSuba(商標)600研磨パッド(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販されている)を用いて;34.3kPaダウンフォース、400ml/分の化学的機械研磨スラリー流量、120rpmのプラテン速度及び120rpmのキャリア速度の下で試験した。Monocrystal製のサファイアウェーハ(4インチC面)を、最初は片面で、5nmの平均表面粗さまでダイヤモンド粗研磨して、次に上記条件下で研磨した。研磨パッドは、ナイロンブラシを用いて手で調整した。表1に特定されるCMCS(C1〜C26及び1〜12)を用いたサファイア除去速度結果は、表2(それぞれPC1〜PC26及びP1〜P12)に提供される。表2に報告されたサファイア除去速度データは、研磨前後のウェーハの重量を比較して、表面除去速度に変換することにより求めた。研磨ウェーハは、脱イオン水中で30秒間超音波処理して、秤量前に窒素で風乾した。
Claims (10)
- サファイア基板を研磨する方法であって:
露出したサファイア表面を有する基板を提供する工程;
8を超えて12以下のpHを有する化学的機械研磨スラリーを提供する工程(ここで、この化学的機械研磨スラリーは、初期成分として:
コロイダルシリカ砥粒であって、負の表面電荷を有しており;そして、2〜25nmの間に第1の粒径極大値を;及び75〜200nmの間に第2の粒径極大値を持つ多峰性粒径分布を示す、コロイダルシリカ砥粒;
場合により殺生物剤;
場合により非イオン性消泡剤;並びに
場合によりpH調整剤
を含む);
化学的機械研磨パッドを提供する工程;
化学的機械研磨パッドと基板との界面に動的接触を作る工程;そして
化学的機械研磨パッドと基板との界面又は界面付近の化学的機械研磨パッド上に化学的機械研磨スラリーを分配する工程
を含む方法であって;
少なくとも少量のサファイアが、基板の露出したサファイア表面から除去され;そしてこの化学的機械研磨スラリーが、毎分120回転のプラテン速度、毎分120回転のキャリア速度、400ml/分の化学的機械研磨スラリー流量、300mm研磨機上で34.3kPaの公称ダウンフォースで、≧14,000Å/時のサファイア除去速度を示し;そして、この化学的機械研磨パッドが、ポリウレタン含浸不織布研磨パッドである方法。 - 化学的機械研磨スラリーが、5〜40重量%のコロイダルシリカ砥粒を含有する、請求項1に記載の方法。
- コロイダルシリカ砥粒が、2〜25nmの平均粒径を有する第1集団のコロイダルシリカ粒子と75〜185nmの平均粒径を有する第2集団のコロイダルシリカ粒子との混合物である、請求項1に記載の方法。
- コロイダルシリカ砥粒が、1〜25重量%の第1集団のコロイダルシリカ粒子を含有する、請求項3に記載の方法。
- 化学的機械研磨スラリーが、10〜30重量%のコロイダルシリカ砥粒であって、10〜25nmの平均粒径を有する第1集団のコロイダルシリカ粒子と90〜110nmの平均粒径を有する第2集団のコロイダルシリカ粒子との混合物であり;1〜25重量%の第1集団のコロイダルシリカ粒子を含有する、コロイダルシリカ砥粒を含有し;化学的機械研磨スラリーが、0.2〜1.5重量%の非イオン性消泡剤であって、シリコーン系消泡剤である、非イオン性消泡剤を含有し;化学的機械研磨スラリーが、毎分120回転のプラテン速度、毎分120回転のキャリア速度、400ml/分の化学的機械研磨スラリー流量、300mm研磨機上で34.3kPaの公称ダウンフォースで、≧15,000Å/時のサファイア除去速度を示し;そして、化学的機械研磨パッドが、ポリウレタン含浸不織布パッドである、請求項1に記載の方法。
- 化学的機械研磨スラリーが、9〜10のpHを有しており;化学的機械研磨スラリーが、10〜30重量%のコロイダルシリカ砥粒であって、10〜21nmの平均粒径を有する第1集団のコロイダルシリカ粒子と95〜105nmの平均粒径を有する第2集団のコロイダルシリカ粒子との混合物であり;1〜25重量%の第1集団のコロイダルシリカ粒子を含有する、コロイダルシリカ砥粒を含有し;化学的機械研磨スラリーが、0.45〜1.05重量%の非イオン性消泡剤であって、シリコーン系消泡剤である、非イオン性消泡剤を含有し;化学的機械研磨スラリーが、毎分120回転のプラテン速度、毎分120回転のキャリア速度、400ml/分の化学的機械研磨スラリー流量、300mm研磨機上で34.3kPaの公称ダウンフォースで、≧20,000Å/時のサファイア除去速度を示し;そして、化学的機械研磨パッドが、ポリウレタン含浸不織布パッドである、請求項1に記載の方法。
- 化学的機械研磨スラリーが、9〜10のpHを有しており;化学的機械研磨スラリーが、10〜30重量%のコロイダルシリカ砥粒であって、14〜16nmの平均粒径を有する第1集団のコロイダルシリカ粒子と95〜105nmの平均粒径を有する第2集団のコロイダルシリカ粒子との混合物であり;1〜25重量%の第1集団のコロイダルシリカ粒子を含有する、コロイダルシリカ砥粒を含有し;化学的機械研磨スラリーが、0.45〜1.05重量%の非イオン性消泡剤であって、シリコーン系消泡剤である、非イオン性消泡剤を含有し;化学的機械研磨スラリーが、毎分120回転のプラテン速度、毎分120回転のキャリア速度、400ml/分の化学的機械研磨スラリー流量、300mm研磨機上で34.3kPaの公称ダウンフォースで、≧20,000Å/時のサファイア除去速度を示し;そして、化学的機械研磨パッドが、ポリウレタン含浸不織布パッドである、請求項1に記載の方法。
- 化学的機械研磨スラリーが、9〜10のpHを有しており;化学的機械研磨スラリーが、コロイダルシリカ砥粒;殺生物剤;非イオン性消泡剤;及び場合によりpH調整剤からなり;化学的機械研磨スラリーが、10〜30重量%のコロイダルシリカ砥粒であって、10〜21nmの平均粒径を有する第1集団のコロイダルシリカ粒子と95〜105nmの平均粒径を有する第2集団のコロイダルシリカ粒子との混合物であり;1〜25重量%の第1集団のコロイダルシリカ粒子を含有する、コロイダルシリカ砥粒を含有し;化学的機械研磨スラリーが、0.45〜1.05重量%の非イオン性消泡剤であって、シリコーン系消泡剤である、非イオン性消泡剤を含有し;化学的機械研磨スラリーが、毎分120回転のプラテン速度、毎分120回転のキャリア速度、400ml/分の化学的機械研磨スラリー流量、300mm研磨機上で34.3kPaの公称ダウンフォースで、≧20,000Å/時のサファイア除去速度を示し;そして、化学的機械研磨パッドが、ポリウレタン含浸不織布パッドである、請求項1に記載の方法。
- 化学的機械研磨スラリーが、9〜10のpHを有しており;化学的機械研磨スラリーが、コロイダルシリカ砥粒;殺生物剤;非イオン性消泡剤;及び場合によりpH調整剤からなり;化学的機械研磨スラリーが、10〜30重量%のコロイダルシリカ砥粒であって、14〜16nmの平均粒径を有する第1集団のコロイダルシリカ粒子と95〜105nmの平均粒径を有する第2集団のコロイダルシリカ粒子との混合物であり;1〜25重量%の第1集団のコロイダルシリカ粒子を含有する、コロイダルシリカ砥粒を含有し;化学的機械研磨スラリーが、0.45〜1.05重量%の非イオン性消泡剤であって、シリコーン系消泡剤である、非イオン性消泡剤を含有し;化学的機械研磨スラリーが、毎分120回転のプラテン速度、毎分120回転のキャリア速度、400ml/分の化学的機械研磨スラリー流量、300mm研磨機上で34.3kPaの公称ダウンフォースで、≧20,000Å/時のサファイア除去速度を示し;そして、化学的機械研磨パッドが、ポリウレタン含浸不織布パッドである、請求項1に記載の方法。
- 露出したサファイア表面を研磨するための化学的機械研磨スラリーであって、初期成分として:
コロイダルシリカ砥粒であって、負の表面電荷を有しており;そして、2〜25nmの間に第1の粒径極大値を;及び75〜200nmの間に第2の粒径極大値を持つ多峰性粒径分布を示す、コロイダルシリカ砥粒;
非イオン性ポリジメチルシロキサン系消泡剤;
場合により殺生物剤;並びに
場合によりpH調整剤
を含む、化学的機械研磨スラリー。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/975,890 | 2013-08-26 | ||
US13/975,890 US9633831B2 (en) | 2013-08-26 | 2013-08-26 | Chemical mechanical polishing composition for polishing a sapphire surface and methods of using same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015051497A true JP2015051497A (ja) | 2015-03-19 |
JP6437762B2 JP6437762B2 (ja) | 2018-12-12 |
Family
ID=52446874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014170163A Active JP6437762B2 (ja) | 2013-08-26 | 2014-08-25 | サファイア表面を研磨するための化学的機械研磨組成物及びその使用方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9633831B2 (ja) |
JP (1) | JP6437762B2 (ja) |
KR (1) | KR102350734B1 (ja) |
CN (1) | CN104416450A (ja) |
DE (1) | DE102014010808A1 (ja) |
FR (1) | FR3009802B1 (ja) |
MY (1) | MY172434A (ja) |
RU (1) | RU2661219C2 (ja) |
TW (1) | TWI646180B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016208301A1 (ja) * | 2015-06-26 | 2016-12-29 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6506913B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2019-04-24 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2016155900A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法 |
CN108136563A (zh) * | 2015-07-30 | 2018-06-08 | Jh罗得股份有限公司 | 聚合磨光材料、包含聚合磨光材料的介质和系统及其形成和使用方法 |
US9293339B1 (en) * | 2015-09-24 | 2016-03-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of polishing semiconductor substrate |
CN108701616B (zh) * | 2016-02-16 | 2023-04-14 | Cmc材料股份有限公司 | 抛光iii-v族材料的方法 |
RU2635132C1 (ru) * | 2017-02-20 | 2017-11-09 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Компас" (ООО "НТЦ "Компас") | Полировальная суспензия для сапфировых подложек |
SG10201904669TA (en) * | 2018-06-28 | 2020-01-30 | Kctech Co Ltd | Polishing Slurry Composition |
CN114175178A (zh) | 2019-07-31 | 2022-03-11 | 迪格实验室公司 | 动物健康评估 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001300285A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-10-30 | Sanyo Chem Ind Ltd | 研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー |
JP2007300070A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-11-15 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物、それを用いた研磨用組成物の製造方法、及び研磨加工方法 |
JP2009516928A (ja) * | 2005-11-22 | 2009-04-23 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Cmp用の摩擦低減補助 |
JP2010540265A (ja) * | 2007-10-05 | 2010-12-24 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 複合スラリーによるサファイアの研磨 |
WO2012141111A1 (ja) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤および研磨方法 |
WO2013069623A1 (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-16 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4356107A (en) * | 1979-11-26 | 1982-10-26 | Nalco Chemical Company | Process for preparing silica sols |
US5385604A (en) * | 1993-12-20 | 1995-01-31 | Huntington Laboratories, Inc. | Germicide resistant floor finish |
US5575706A (en) * | 1996-01-11 | 1996-11-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Chemical/mechanical planarization (CMP) apparatus and polish method |
US6143662A (en) * | 1998-02-18 | 2000-11-07 | Rodel Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate |
US6190234B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection with light beams of different wavelengths |
WO2001074958A2 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Bayer Aktiengesellschaft | Poliermittel und verfahren zur herstellung planarer schichten |
CN1200066C (zh) * | 2000-05-12 | 2005-05-04 | 日产化学工业株式会社 | 抛光剂组合物 |
US6638328B1 (en) | 2002-04-25 | 2003-10-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd | Bimodal slurry system |
US7201784B2 (en) * | 2003-06-30 | 2007-04-10 | Intel Corporation | Surfactant slurry additives to improve erosion, dishing, and defects during chemical mechanical polishing of copper damascene with low k dielectrics |
US7485241B2 (en) | 2003-09-11 | 2009-02-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same |
CN100335581C (zh) * | 2004-11-24 | 2007-09-05 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用 |
US20060196849A1 (en) | 2005-03-04 | 2006-09-07 | Kevin Moeggenborg | Composition and method for polishing a sapphire surface |
US7294044B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-11-13 | Ferro Corporation | Slurry composition and method for polishing organic polymer-based ophthalmic substrates |
US7169031B1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-01-30 | 3M Innovative Properties Company | Self-contained conditioning abrasive article |
US20130000214A1 (en) * | 2006-01-11 | 2013-01-03 | Jia-Ni Chu | Abrasive Particles for Chemical Mechanical Polishing |
US20080283502A1 (en) * | 2006-05-26 | 2008-11-20 | Kevin Moeggenborg | Compositions, methods and systems for polishing aluminum oxide and aluminum oxynitride substrates |
JP2008044078A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア基板の研磨方法 |
TW200916564A (en) * | 2007-01-31 | 2009-04-16 | Advanced Tech Materials | Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications |
JP2010524208A (ja) * | 2007-03-31 | 2010-07-15 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | ウエハ再生のために材料を剥離する方法 |
US8372305B2 (en) | 2007-05-24 | 2013-02-12 | Basf Se | Chemical-mechanical polishing composition comprising metal-organic framework materials |
JP5098483B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2012-12-12 | 住友金属鉱山株式会社 | サファイア基板の研磨方法 |
WO2009042696A1 (en) | 2007-09-24 | 2009-04-02 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for transmitting multiple multicast communications over a wireless communication network |
US9120960B2 (en) * | 2007-10-05 | 2015-09-01 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Composite slurries of nano silicon carbide and alumina |
KR20110063845A (ko) * | 2008-10-02 | 2011-06-14 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 실리콘 기판의 금속 로딩 및 표면 패시베이션을 향상시키기 위한 계면활성제/소포제 혼합물의 용도 |
US20100159807A1 (en) * | 2008-12-22 | 2010-06-24 | Jinru Bian | Polymeric barrier removal polishing slurry |
US8247328B2 (en) | 2009-05-04 | 2012-08-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing silicon carbide |
US20130200038A1 (en) * | 2010-09-08 | 2013-08-08 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates for electrical, mechanical and optical devices |
US20130161285A1 (en) * | 2010-09-08 | 2013-06-27 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrate materials for electrical, mechanical and optical devices |
US20120264303A1 (en) | 2011-04-15 | 2012-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing slurry, system and method |
CN102585705B (zh) | 2011-12-21 | 2014-02-05 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液及其应用 |
JP6291026B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2018-03-14 | エコラボ ユーエスエー インコーポレイティド | サファイアの表面を研磨する方法 |
US9388328B2 (en) * | 2013-08-23 | 2016-07-12 | Diamond Innovations, Inc. | Lapping slurry having a cationic surfactant |
-
2013
- 2013-08-26 US US13/975,890 patent/US9633831B2/en active Active
-
2014
- 2014-07-22 DE DE102014010808.2A patent/DE102014010808A1/de not_active Withdrawn
- 2014-08-04 TW TW103126539A patent/TWI646180B/zh active
- 2014-08-19 CN CN201410408641.0A patent/CN104416450A/zh active Pending
- 2014-08-19 RU RU2014134056A patent/RU2661219C2/ru active
- 2014-08-19 MY MYPI2014702300A patent/MY172434A/en unknown
- 2014-08-22 KR KR1020140109685A patent/KR102350734B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-25 JP JP2014170163A patent/JP6437762B2/ja active Active
- 2014-08-26 FR FR1457981A patent/FR3009802B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001300285A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-10-30 | Sanyo Chem Ind Ltd | 研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー |
JP2009516928A (ja) * | 2005-11-22 | 2009-04-23 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Cmp用の摩擦低減補助 |
JP2007300070A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-11-15 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物、それを用いた研磨用組成物の製造方法、及び研磨加工方法 |
JP2010540265A (ja) * | 2007-10-05 | 2010-12-24 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 複合スラリーによるサファイアの研磨 |
WO2012141111A1 (ja) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤および研磨方法 |
WO2013069623A1 (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-16 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016208301A1 (ja) * | 2015-06-26 | 2016-12-29 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150024275A (ko) | 2015-03-06 |
RU2661219C2 (ru) | 2018-07-13 |
TWI646180B (zh) | 2019-01-01 |
MY172434A (en) | 2019-11-25 |
FR3009802A1 (fr) | 2015-02-27 |
KR102350734B1 (ko) | 2022-01-12 |
RU2014134056A (ru) | 2016-03-10 |
JP6437762B2 (ja) | 2018-12-12 |
US9633831B2 (en) | 2017-04-25 |
TW201512383A (zh) | 2015-04-01 |
FR3009802B1 (fr) | 2018-04-20 |
DE102014010808A1 (de) | 2015-02-26 |
US20150053642A1 (en) | 2015-02-26 |
CN104416450A (zh) | 2015-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6437762B2 (ja) | サファイア表面を研磨するための化学的機械研磨組成物及びその使用方法 | |
EP2365042B1 (en) | Polishing composition and polishing method using the same | |
JP5935865B2 (ja) | 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法 | |
JP4759298B2 (ja) | 単結晶表面用の研磨剤及び研磨方法 | |
US20080283502A1 (en) | Compositions, methods and systems for polishing aluminum oxide and aluminum oxynitride substrates | |
IL226558A (en) | Composition and method for polysilicon polishing | |
TWI576420B (zh) | A polishing composition, a polishing method, and a method for producing a sapphire substrate | |
JP4322035B2 (ja) | 半導体基板用研磨組成物及びこれを用いた半導体基板研磨方法 | |
JP5493956B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2012511251A5 (ja) | ||
WO2015152151A1 (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
WO2016067923A1 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 | |
JPWO2019043890A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2017063173A (ja) | 半導体基板を研磨する方法 | |
US20180072916A1 (en) | Diamond-based slurries with improved sapphire removal rate and surface roughness | |
US20160060487A1 (en) | Composition and method for polishing a sapphire surface | |
JP7409820B2 (ja) | InP半導体材料の研磨加工方法および研磨液 | |
JP2009099874A (ja) | 研磨用組成物 | |
TW202319177A (zh) | 用於後段應用的瓶中墊及單壓板化學機械平坦化方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150304 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180906 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181023 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6437762 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |