TWI646180B - 用於硏磨藍寶石表面之化學機械硏磨組成物及其使用方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種研磨藍寶石基板之方法，係包含：提供基板，其係具有曝露的藍寶石表面；提供化學機械研磨漿料，其中，該化學機械研磨漿料係包含下列者作為初始組分：膠體氧化矽研磨劑，其中，該膠體氧化矽研磨劑係具有表面負電荷；以及，該膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈，且第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間；以及，第二粒徑最大峰值係界於75與200nm之間；視需要之殺生物劑；視需要之非離子性消泡劑；以及，視需要之pH調節劑。亦提供一種研磨曝露的藍寶石表面之化學機械研磨組成物。

Description

用於研磨藍寶石表面之化學機械研磨組成物及其使用方法
本發明係關於用於研磨曝露的(exposed)藍寶石表面之化學機械研磨組成物及研磨藍寶石基板之方法。更特別地，本發明係關於使用化學機械研磨漿料研磨藍寶石基板之方法，其中，該化學機械研磨漿料係包含下列者作為初始組分：膠體氧化矽研磨劑，其中，該膠體氧化矽研磨劑係具有表面負電荷；以及，該膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈，且第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間；以及，第二粒徑最大峰值係界於75與200nm之間；殺生物劑；視需要之非離子性消泡劑；以及，視需要之pH調節劑。
氧化鋁之單晶形式(藍寶石)係具有異常之光學、機械及化學特性。結果，業經發現，藍寶石於多種電子裝置及光學裝置中具有廣泛用途。
藍寶石係顯現菱面體晶形結構以及高程度 之各向異性。所顯現之該等特性係取決於結晶學取向。藉此，依據最終之用途，用於半導體加工之藍寶石晶圓典型係沿著特定之結晶學軸切割。舉例而言，C-面藍寶石基板係沿著零度平面切割。對於涵蓋III-V化合物及II-VI化合物(如，用於製造藍色LED及雷射二極體之GaN)之生長的製程，C-面藍寶石基板特別具有應用性。
由於後續之加工(如，金屬化)係需要藍寶石晶圓具有平坦之表面，該等藍寶石晶圓需要平面化。平面化係有用於移除非所欲之表面形貌及表面缺陷，如粗糙表面、集聚之材質、晶格損傷、刮擦、及被污染之層或材料。
化學機械平面化，或化學機械研磨(CMP)，係用以平面化基板如半導體晶圓之通常技術。於傳統CMP中，晶圓係安裝於載體組合件上並定位成與CMP設備中之研磨墊接觸。該載體組合件係對該晶圓提供可控之壓力，將晶圓壓抵研磨墊。該墊係藉由外加驅動力相對於該晶圓移動(如，轉動)。與此同時，研磨組成物(「漿料」)或其他研磨液係提供至該晶圓與該研磨墊之間。因此，藉由該墊表面與漿料之化學及機械作動，該晶圓表面被研磨並作成平面。
雖然藍寶石之特性提供了大量最終用途優勢，藍寶石之硬度以及對於化學攻擊之抗性令有效研磨及平面化變得困難。
一種用於研磨藍寶石表面之研磨組成物係揭露於Cherian等人之公開第20090104851號美國專利申請 案中。Cherian等人揭露了用於研磨藍寶石之化學機械研磨組成物，其係包含分散於水性介質中之第一類型之研磨劑粒子與第二類型之研磨劑粒子的混合物，其中，該第一類型之研磨劑粒子比被研磨之表面硬，而第二類型之研磨劑粒子係具有比被研磨之表面更軟的硬度。
另一種用於研磨藍寶石表面之研磨組成物係揭露於Moeggenborg等人之公開第20060196849號美國專利申請案中。Moeggenborg等人揭露了用於研磨藍寶石表面之組成物及方法，係包含：使用研磨漿料研磨藍寶石表面，如藍寶石晶圓之C-面或R-面表面，該研磨漿料係包含研磨量之無機研磨劑材料如膠體氧化矽，該研磨劑係懸浮於具有鹽化合物溶解於其中的水性介質中，其中，該水性介質係具有鹼性pH且係包括該鹽化合物，且該鹽化合物之量係足以使相對於在使用相同無機研磨劑而無該鹽化合物之相同研磨條件下可達成之速率提升藍寶石移除速率之量。
儘管如此，對於配製以提供所欲之研磨特性平衡以符合設計需求包括高藍寶石移除速率(亦即，14,000埃(Å)/小時(hr))的化學機械研磨組成物及方法，存在持續之需求。
本發明係提供一種研磨藍寶石基板之方法，係包含：提供基板，其係具有曝露的藍寶石表面；提供具有pH為>8至12之化學機械研磨漿料，其中，該化學 機械研磨漿料係包含下列者作為初始組分：膠體氧化矽研磨劑，其中，該膠體氧化矽研磨劑係具有表面負電荷；以及，該膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈，且第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間；以及，第二粒徑最大峰值係界於75與200nm之間；視需要之殺生物劑；視需要之非離子性消泡劑；以及，視需要之pH調節劑；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板之間的界面處創製動態接觸；以及，將該化學機械研磨漿料分注至於該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與基板的界面或臨近該界面處；其中，至少部分藍寶石係自該基板之曝露的藍寶石表面移除，且於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率14,000Å/hr；以及，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
本發明係提供一種研磨藍寶石基板之方法，係包含：提供基板，其係具有曝露的藍寶石表面；提供具有pH為>8至12之化學機械研磨漿料，其中，該化學機械研磨漿料係包含下列者作為初始組分：10至40wt%之膠體氧化矽研磨劑，其中，該膠體氧化矽研磨劑係具有表面負電荷；以及，該膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈，且第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間；以及，第二粒徑最大峰值係界於75與200nm之間；視需要之殺生物劑；視需要之非離子性消泡劑；以及，視需要之pH 調節劑；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板之間的界面處創製動態接觸；以及，將該化學機械研磨漿料分注至於該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與基板的界面或臨近該界面處；其中，至少部分藍寶石係自該基板之曝露的藍寶石表面移除，且於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率14,000Å/hr；以及，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
本發明係提供一種研磨藍寶石基板之方法，係包含：提供基板，其係具有曝露的藍寶石表面；提供具有pH為>8至12之化學機械研磨漿料，其中，該化學機械研磨漿料係包含下列者作為初始組分：膠體氧化矽研磨劑，其中，該膠體氧化矽研磨劑係具有表面負電荷；以及，該膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈，且第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間；以及，第二粒徑最大峰值係界於75至185nm之間；視需要之殺生物劑；視需要之非離子性消泡劑；以及，視需要之pH調節劑；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板之間的界面處創製動態接觸；以及，將該化學機械研磨漿料分注至於該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與基板的界面或臨近該界面處；其中，至少部分藍寶石係自該基板之曝露的藍寶石表面移除，且於300mm研磨機上，壓板速度 為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率14,000Å/hr；以及，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
本發明係提供一種研磨藍寶石基板之方法，係包含：提供基板，其係具有曝露的藍寶石表面；提供具有pH為>8至12之化學機械研磨漿料，其中，該化學機械研磨漿料係包含下列者作為初始組分：10至30wt%之膠體氧化矽研磨劑；其中，該膠體氧化矽研磨劑係平均粒徑為10至25nm之第一膠體氧化矽粒子群集與平均粒徑為90至110nm之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該膠體氧化矽研磨劑係含有1至25wt%之第一膠體氧化矽粒子群集；殺生物劑；0.2至1.5wt%之非離子性消泡劑，其中，該非離子性消泡劑係矽酮系消泡劑；以及，視需要之pH調節劑；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板之間的界面處創製動態接觸；以及，將該化學機械研磨漿料分注至於該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與基板的界面或臨近該界面處；其中，至少部分藍寶石係自該基板之曝露的藍寶石表面移除，且於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率15,000Å/hr；以及，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
本發明係提供一種研磨藍寶石基板之方法，係包含：提供基板，其係具有曝露的藍寶石表面；提供具有pH為9至10之化學機械研磨漿料，其中，該化學機械研磨漿料係包含下列者作為初始組分：10至30wt%之膠體氧化矽研磨劑；其中，該膠體氧化矽研磨劑係平均粒徑為10至21nm之第一膠體氧化矽粒子群集與平均粒徑為95至105nm之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該膠體氧化矽研磨劑係含有1至25wt%之第一膠體氧化矽粒子群集；其中，該化學機械研磨漿料係含有0.45至1.05wt%之非離子性消泡劑，其中，該非離子性消泡劑係矽酮系消泡劑；殺生物劑；以及，視需要之pH調節劑；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板之間的界面處創製動態接觸；以及，將該化學機械研磨漿料分注至於該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與基板的界面或臨近該界面處；其中，至少部分藍寶石係自該基板之曝露的藍寶石表面移除，且於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率20,000Å/hr；以及，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
本發明係提供一種研磨藍寶石基板之方法，係包含：提供基板，其係具有曝露的藍寶石表面；提供具有pH為9至10之化學機械研磨漿料，其中，該化學機械研磨漿料係包含下列者作為初始組分：10至30wt% 之膠體氧化矽研磨劑；其中，該膠體氧化矽研磨劑係平均粒徑為14至16nm之第一膠體氧化矽粒子群集與平均粒徑為95至105nm之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該膠體氧化矽研磨劑係含有1至25wt%之第一膠體氧化矽粒子群集；其中，該化學機械研磨漿料係含有0.45至1.05wt%之非離子性消泡劑，其中，該非離子性消泡劑係矽酮系消泡劑；殺生物劑；以及，視需要之pH調節劑；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板之間的界面處創製動態接觸；以及，將該化學機械研磨漿料分注至於該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與基板的界面或臨近該界面處；其中，至少部分藍寶石係自該基板之曝露的藍寶石表面移除，且於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率20,000Å/hr；以及，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
本發明係提供一種研磨藍寶石基板之方法，係包含：提供基板，其係具有曝露的藍寶石表面；提供具有pH為9至10之化學機械研磨漿料，其中，該化學機械研磨漿料係由膠體氧化矽研磨劑、非離子性消泡劑、殺生物劑、以及視需要之pH調節劑所組成；其中，該化學機械研磨漿料係含有10至30wt%之膠體氧化矽研磨劑；其中，該膠體氧化矽研磨劑係平均粒徑為10至21nm之第一膠體氧化矽粒子群集與平均粒徑為95至105nm之第二 膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該膠體氧化矽研磨劑係含有1至25wt%之第一膠體氧化矽粒子群集；其中，該化學機械研磨漿料係含有0.45至1.05wt%之非離子性消泡劑，其中，該非離子性消泡劑係矽酮系消泡劑；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板之間的界面處創製動態接觸；以及，將該化學機械研磨漿料分注至於該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與基板的界面或臨近該界面處；其中，至少部分藍寶石係自該基板之曝露的藍寶石表面移除，且於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率20,000Å/hr；以及，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
本發明係提供一種研磨藍寶石基板之方法，係包含：提供基板，其係具有曝露的藍寶石表面；提供具有pH為9至10之化學機械研磨漿料，其中，該化學機械研磨漿料係由膠體氧化矽研磨劑、非離子性消泡劑、殺生物劑、以及視需要之pH調節劑所組成；其中，該化學機械研磨漿料係含有10至30wt%之膠體氧化矽研磨劑；其中，該膠體氧化矽研磨劑係平均粒徑為14至16nm之第一膠體氧化矽粒子群集與平均粒徑為95至105nm之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該膠體氧化矽研磨劑係含有1至25wt%之第一膠體氧化矽粒子群集；其中，該化學機械研磨漿料係含有0.45至1.05wt%之非離子性消 泡劑，其中，該非離子性消泡劑係矽酮系消泡劑；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板之間的界面處創製動態接觸；以及，將該化學機械研磨漿料分注至於該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與基板的界面或臨近該界面處；其中，至少部分藍寶石係自該基板之曝露的藍寶石表面移除，且於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率20,000Å/hr；以及，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
本發明係提供一種研磨曝露的藍寶石表面之化學機械研磨漿料，係包含下列者作為初始組分：膠體氧化矽研磨劑，其中，該膠體氧化矽研磨劑係具有表面負電荷；以及，該膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈，且第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間；以及，第二粒徑最大峰值係界於75與200nm之間；非離子性聚二甲基矽氧烷系消泡劑；視需要之殺生物劑；以及，視需要之pH調節劑。
申請人業經研發了使用化學機械研磨漿料研磨具有曝露的藍寶石表面之基板的獨特的化學機械研磨組成物及方法，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速 率協同效應。詳而言，申請人業經研發了使用化學機械研磨漿料之化學機械研磨具有曝露的藍寶石表面之基板的方法，該化學機械研磨漿料係含有膠體氧化矽研磨劑；以及，視需要之非離子性消泡劑；其中，該膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈；其中，該多峰粒徑分佈係包含下述粒子之組合：形成具有界於2與25nm間之第一粒徑最大峰值之第一模式的粒子，以及形成具有界於75與200nm間之第二粒徑最大峰值之第二模式的粒子；其中，該等形成第一模式之粒子與形成第二模式之粒子的組合係顯現第一藍寶石移除速率協同效應；以及，其中，該視需要之非離子性消泡劑與該具有多峰粒徑分佈之膠體氧化矽研磨劑的組合係顯現第二藍寶石移除速率協同效應；其中，於本文之實施例中揭示的研磨條件下，該化學機械研磨漿料係顯現經提升之藍寶石移除速率(亦即，14,000Å/hr)。
較佳地，本發明之用於研磨曝露的藍寶石表面的化學機械研磨漿料係包含(由下列者所組成)下列者作為初始組分：膠體氧化矽研磨劑，其中，當將該膠體氧化矽研磨劑單獨分散於去離子水中時，其係顯現表面負電荷；以及，其中該膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈(較佳雙峰粒徑分佈)，其第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間(較佳3至25nm；更佳10至21nm；最佳14至16nm)，且第二粒徑最大峰值係界於75至200nm之間(較佳75至185nm；更佳75至125nm；再更佳90至110nm；最佳95至105nm)；殺生物劑(較佳地，其中，該殺生物劑 係過氧化氫)；視需要之非離子性消泡劑(較佳0.1至2.0wt%；更佳0.2 to 1.5wt%；最佳0.45至1.05wt%)(較佳地，其中，該非離子性消泡劑係非離子性矽酮系消泡劑；更佳地，其中，該非離子性消泡劑係非離子性聚二甲基矽氧烷系消泡劑)；以及，視需要之pH調節劑。
較佳地，當在與該化學機械研磨漿料之其他組分組合之前將於本發明之用於研磨曝露的藍寶石表面之化學機械研磨漿料中使用的膠體氧化矽研磨劑單獨分散於去離子水中時，其係顯現表面負電荷。
較佳地，本發明之用於研磨曝露的藍寶石表面的化學機械研磨漿料係含有5至45wt%(較佳10 to 30wt%；更佳15至25wt%；最佳18至22wt%)之膠體氧化矽研磨劑。較佳地，膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈(較佳雙峰粒徑分佈)，其第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間(較佳3至25nm；更佳10至21nm；最佳14至16nm)，且第二粒徑最大峰值係界於75至200nm之間(較佳75至185nm；更佳75至125nm；再更佳90至110nm；最佳95至105nm)。更佳地，該膠體氧化矽研磨劑係具有平均粒徑為2至25nm(較佳3至25nm；更佳10至21nm；最佳14至16nm)之第一膠體氧化矽粒子群集與具有平均粒徑為75至200nm(較佳75至185nm；更佳75至125nm；再更佳90至110nm；最佳95至105nm)之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物。最佳地，該膠體氧化矽研磨劑係具有平均粒徑為2至25nm(較佳3至25nm；更佳10至21nm； 最佳14至16nm)之第一膠體氧化矽粒子群集與具有平均粒徑為75至200nm(較佳75至185nm；更佳75至125nm；再更佳90至110nm；最佳95至105nm)之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該化學機械研磨漿料係含有1至25wt%(較佳1至15wt%；更佳1至10wt%；最佳3至5wt%)之第一膠體氧化矽粒子群集。
較佳地，本發明之用於研磨曝露的藍寶石表面的化學機械研磨漿料係包含0.0001至1wt%之殺生物劑。更佳地，該化學機械研磨漿料係包含0.001至0.01wt%(最佳0.004至0.006wt%)之殺生物劑。較佳地，其中，該殺生物劑係過氧化氫。
本發明之用於研磨曝露的藍寶石表面的化學機械研磨漿料係包含0至5wt%之非離子性消泡劑。較佳地，該化學機械研磨漿料係包含0.1至2.0wt%(更佳0.2至1.5wt%；最佳0.45至1.05wt%)之非離子性消泡劑。較佳地，其中，該非離子性消泡劑係非離子性矽酮系消泡劑。 更佳地，該非離子性消泡劑係非離子性聚二甲基矽氧烷系消泡劑(如，來自日本染化株式會社(Senka Corporation)的HS-06矽酮系消泡劑)。
較佳地，本發明之用於研磨曝露的藍寶石表面的化學機械研磨漿料中含有的水係經去離子化及蒸餾之至少一者以限制引入之雜質。
本發明之用於研磨曝露的藍寶石表面的化學機械研磨漿料係於>8至12之pH範圍內提供效力。較 佳地，該化學機械研磨漿料係於8.5至10.5之pH範圍內提供效力。適用於調節該化學機械研磨漿料之pH的酸類係包括，舉例而言，硝酸、硫酸及鹽酸。適用於調節該化學機械研磨漿料之pH的鹼類係包括，舉例而言，氫氧化銨及氫氧化鉀。
較佳地，於本文之實施例中所揭示的研磨條件下，本發明之用於研磨曝露的藍寶石表面的化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率為14,000Å/hr(較佳15,000Å/hr，更佳20,000Å/hr；最佳21,000Å/hr)。
適用於本發明之方法的基板係具有曝露的藍寶石表面。較佳地，具有曝露的藍寶石表面之基板係藍寶石晶圓。較佳地，該藍寶石晶圓係選自C-面藍寶石晶圓、A-面藍寶石晶圓、M-面藍寶石晶圓及R-面藍寶石晶圓。更佳地，具有曝露的藍寶石表面之基板係C-面藍寶石晶圓。
較佳地，用於本發明之方法的化學機械研磨漿料係包含(由下列者所組成)下列者作為初始組分：膠體氧化矽研磨劑，其中，當將該膠體氧化矽研磨劑單獨分散於去離子水中時，其係顯現表面負電荷；以及，其中，該膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈(較佳雙峰粒徑分佈)，其第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間(較佳3至25nm；更佳10至21nm；最佳14至16nm)，且第二粒徑最大峰值係界於75至200nm之間(較佳75至185nm；更佳75至125nm；再更佳90至110nm；最佳95至105nm)； 殺生物劑(較佳地，其中，該殺生物劑係過氧化氫)；視需要之非離子性消泡劑(較佳0.1至2.0wt%；更佳0.2至1.5wt%；最佳0.45至1.05wt%)(較佳地，其中，該非離子性消泡劑係非離子性矽酮系消泡劑；更佳地，其中，該非離子性消泡劑係非離子性聚二甲基矽氧烷系消泡劑)；以及，視需要之pH調節劑；提供化學機械研磨墊(較佳係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊)；於該化學機械研磨墊與基板間之界面處創製動態接觸；以及，將該化學機械研磨漿料分注至於該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與基板的界面或臨近該界面處；其中，至少部分藍寶石自該基板之曝露的藍寶石表面移除。
較佳地，當在與化學機械研磨漿料之其他組分組合之前將於本發明之方法中使用的膠體氧化矽研磨劑分散於去離子水中時，其係顯現表面負電荷。
較佳地，於本發明之方法中使用的化學機械研磨漿料係含有5至45wt%(較佳10至30wt%；更佳15至25wt%；最佳18至22wt%)之膠體氧化矽研磨劑。較佳地，於本發明之方法中使用的膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈(較佳雙峰粒徑分佈)，其第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間(較佳3至25nm；更佳10至21nm；最佳14至16nm)，且第二粒徑最大峰值係界於75至200nm之間(較佳75至185nm；更佳75至125nm；再更佳90至110nm；最佳95至105nm)。更佳地，於本發明之方法中使用的膠體氧化矽研磨劑係具有平均粒徑為2至25nm(較 佳3至25nm；更佳10至21nm；最佳14至16nm)之第一膠體氧化矽粒子群集與具有平均粒徑為75至200nm(較佳75至185nm；更佳75至125nm；再更佳90至110nm；最佳95至105nm)之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物。 最佳地，於本發明之方法中使用的膠體氧化矽研磨劑係具有平均粒徑為2至25nm(較佳3至25nm；更佳10至21nm；最佳14至16nm)之第一膠體氧化矽粒子群集與具有平均粒徑為75至200nm(較佳75至185nm；更佳75至125nm；再更佳90至110nm；最佳95至105nm)之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該化學機械研磨漿料係含有1至25wt%(較佳1至15wt%；更佳1至10wt%；最佳3至5wt%)之該第一膠體氧化矽粒子群集。
較佳地，於本發明之方法中使用的化學機械研磨漿料係含有0.0001至1wt%之殺生物劑。更佳地，於本發明之方法中使用的化學機械研磨漿料係包含0.001至0.01wt%(最佳0.004至0.006wt%)之殺生物劑。較佳地，其中，該殺生物劑係過氧化氫。
於本發明之方法中使用的化學機械研磨漿料係包含0至5wt%之非離子性消泡劑。較佳地，於本發明之方法中使用的化學機械研磨漿料係包含0.1至2.0wt%(更佳0.2至1.5wt%；最佳0.45至1.05wt%)之非離子性消泡劑。較佳地，該非離子性消泡劑係非離子性矽酮系消泡劑。更佳地，該非離子性消泡劑係非離子性聚二甲基矽氧烷系消泡劑(如，來自日本染化株式會社之HS-06矽酮系消 泡劑)。
較佳地，用於本發明之化學機械研磨研磨方法之化學機械研磨漿料中含有的水係經去離子化及蒸餾之至少一者以限制引入之雜質。
於本發明之方法中使用的化學機械研磨漿料係於>8至12之pH範圍內提供效力。較佳地，所使用之化學機械研磨漿料係於8.5至10.5之pH範圍內提供效力。適用於調節該化學機械研磨漿料之pH的酸類係包括，舉例而言，硝酸、硫酸及鹽酸。適用於調節該化學機械研磨漿料之pH的鹼類係包括，舉例而言，氫氧化銨及氫氧化鉀。
較佳地，於本文之實施例中所揭示的研磨條件下，於本發明之方法中使用的化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率為14,000Å/hr(較佳15,000Å/hr，更佳20,000Å/hr；最佳21,000Å/hr)。
現在，本發明之某些態樣係於下述實施例中揭示之。
[實施例] 化學機械研磨漿料製劑
所測試之化學機械研磨漿料製劑(CMPS)係揭示於表1中。該等化學機械研磨漿料C1至C26係比較性製劑，其係不處於本發明主張之範疇內。
alco 1115膠體氧化矽，平均粒徑為4nm，可自納爾科公司(Nalco Company)獲得。
χ HS-06矽酮系(聚二甲基矽氧烷乳液)非離子性消泡劑，可自日本染化株式會社獲得。
過添加NaOH將該漿料之pH調節至所報導之值。
alco 1050膠體氧化矽，平均粒徑為20nm，可自納爾科公司獲得。
alco 15582膠體氧化矽，平均粒徑為55nm，可自納爾科公司獲得。
alco 2329+膠體氧化矽，平均粒徑為100nm，可自納爾科公司獲得。
€ Nalco TX15508膠體氧化矽，平均粒徑為125nm，可自納爾科公司獲得。
￡ Nalco 1142膠體氧化矽，平均粒徑為15nm，可自納爾科公司獲得。
alco DUSZ-004膠體氧化矽，平均粒徑為45nm，可自納爾科公司獲得。
alco TX15502膠體氧化矽，平均粒徑為180nm，可自納爾科公司獲得。
alco 2329K膠體氧化矽，平均粒徑為80nm，可自納爾科公司獲得。
研磨測試
使用具有5吋單頭及12吋壓板尺寸之Buehler EcoMet® 300/AutoMet® 300磨削研磨機/動力頭及具有2.5mm寬、0.8mm深及15.75mm節距之X-Y溝槽圖案的SubaTM 600研磨墊(可自羅門哈斯電子材料CMP控股公司(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.)商購之)，於34.3kPa下壓力、化學機械研磨漿料流速400mL/分鐘、壓板速度120rpm及載體速度120rpm下，測試表1中揭示之化學機械研磨漿料(CMCS)。將來自單晶公司(Monocrystal)之藍寶石晶圓(4" C-面)初始地單側金剛石打 磨至平均粗糙度為5nm，隨後，於所標註之條件下研磨。 使用尼龍刷手動調理該研磨墊。使用表1中指明之CMCS(C1至C26及1至12)所得的藍寶石移除速率數據係提供於表2中(分別對應PC1至PC26及P1至P12)。表2中所報導之藍寶石移除速率係藉由比較研磨前後之晶圓重量並轉化為表面移除速率而測得。經研磨之晶圓係於去離子水中經音波處理30秒，以氮氣吹乾，再秤重。

Claims (12)

  1. 一種研磨藍寶石基板之方法，係包含：提供基板，其係具有曝露的藍寶石表面；提供具有pH為>8至12之化學機械研磨漿料，其中，該化學機械研磨漿料係包含下列者作為初始組分：膠體氧化矽研磨劑，其中，該膠體氧化矽研磨劑係具有表面負電荷；以及，該膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈，且第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間；以及，第二粒徑峰值係界於75與200nm之間；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板之間的界面處創製動態接觸；以及將該化學機械研磨漿料分注至於該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與基板的界面或臨近該界面處；其中，至少部分藍寶石係自該基板之曝露的藍寶石表面移除，且於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率
    Figure TWI646180B_C0001
    14,000Å/hr；以及，其中該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該化學機械研磨漿料進一步包括殺生物劑、非離子性消泡劑以及pH調節劑之至少一者作為初始成分。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該化學機械研磨漿料係含有5至40wt%之該膠體氧化矽研磨劑。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該膠體氧化矽研磨劑係平均粒徑為2至25nm之第一膠體氧化矽粒子群集與平均粒徑為75至185nm之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中，該膠體氧化矽研磨劑係含有1至25wt%之該第一膠體氧化矽粒子群集。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中，該化學機械研磨漿料係含有10至30wt%之該膠體氧化矽研磨劑；其中，該膠體氧化矽研磨劑係平均粒徑為10至25nm之第一膠體氧化矽粒子群集與平均粒徑為90至110nm之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該膠體氧化矽研磨劑係含有1至25wt%之該第一膠體氧化矽粒子群集；其中，該化學機械研磨漿料係含有0.2至1.5wt%之該非離子性消泡劑，其中，該非離子性消泡劑係矽酮系消泡劑；其中，於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率
    Figure TWI646180B_C0002
    15,000Å/hr；以及，其中，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中，該化學機械研磨漿料係具有pH為9至10；其中，該化學機械研磨漿料係含有10至30wt%之該膠體氧化矽研磨劑；其中，該膠體氧化矽研磨劑係平均粒徑為10至21nm之第一膠體氧化矽粒子群集與平均粒徑為95至105nm之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該膠體氧化矽研磨劑係含有1至25wt%之該第一膠體氧化矽粒子群集；其中，該化學機械研磨漿料係含有0.45至1.05wt%之該非離子性消泡劑，其中，該非離子性消泡劑係矽酮系消泡劑；其中，於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率
    Figure TWI646180B_C0003
    20,000Å/hr；以及，其中，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中，該化學機械研磨漿料係具有pH為9至10；其中，該化學機械研磨漿料係含有10至30wt%之該膠體氧化矽研磨劑；其中，該膠體氧化矽研磨劑係平均粒徑為14至16nm之第一膠體氧化矽粒子群集與平均粒徑為95至105nm之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該膠體氧化矽研磨劑係含有1至25wt%之該第一膠體氧化矽粒子群集；其中，該化學機械研磨漿料係含有0.45至1.05wt%之該非離子性消泡劑，其中，該非離子性消泡劑係矽酮系消泡劑；其中，於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率
    Figure TWI646180B_C0004
    20,000Å/hr；以及，其中，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中，該化學機械研磨漿料係具有pH為9至10；其中，該化學機械研磨漿料係由該膠體氧化矽研磨劑、該殺生物劑、該非離子性消泡劑、以及pH調節劑所組成；其中，該化學機械研磨漿料係含有10至30wt%之該膠體氧化矽研磨劑；其中，該膠體氧化矽研磨劑係平均粒徑為10至21nm之第一膠體氧化矽粒子群集與平均粒徑為95至105nm之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該膠體氧化矽研磨劑係含有1至25wt%之該第一膠體氧化矽粒子群集；其中，該化學機械研磨漿料係含有0.45至1.05wt%之該非離子性消泡劑，其中，該非離子性消泡劑係矽酮系消泡劑；其中，於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率
    Figure TWI646180B_C0005
    20,000Å/hr；以及，其中，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
  10. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中，該化學機械研磨漿料係具有pH為9至10；其中，該化學機械研磨漿料係由該膠體氧化矽研磨劑、該殺生物劑、該非離子性消泡劑、以及pH調節劑所組成；其中，該化學機械研磨漿料係含有10至30wt%之該膠體氧化矽研磨劑；其中，該膠體氧化矽研磨劑係平均粒徑為14至16nm之第一膠體氧化矽粒子群集與平均粒徑為95至105nm之第二膠體氧化矽粒子群集的混合物；其中，該膠體氧化矽研磨劑係含有1至25wt%之該第一膠體氧化矽粒子群集；其中，該化學機械研磨漿料係含有0.45至1.05wt%之該非離子性消泡劑，其中，該非離子性消泡劑係矽酮系消泡劑；其中，於300mm研磨機上，壓板速度為120轉/分鐘，載體速度為120轉/分鐘，化學機械研磨漿料流速為400mL/分鐘，公稱下壓力為34.3kPa，該化學機械研磨漿料係顯現藍寶石移除速率
    Figure TWI646180B_C0006
    20,000Å/hr；以及，其中，該化學機械研磨墊係浸潤有聚氨脂之非織研磨墊。
  11. 一種用於研磨曝露的藍寶石表面之化學機械研磨漿料，係包含下列者作為初始組分：膠體氧化矽研磨劑，其中，該膠體氧化矽研磨劑係具有表面負電荷；以及，其中該膠體氧化矽研磨劑係顯現多峰粒徑分佈，且第一粒徑最大峰值係界於2與25nm之間；以及，第二粒徑最大峰值係界於75與200nm之間；以及非離子性聚二甲基矽氧烷系消泡劑。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之化學機械研磨漿料，進一步包括殺生物劑以及pH調節劑之至少一者作為初始成分。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6506913B2 (ja) * 2014-03-31 2019-04-24 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物及び研磨方法
JP2016155900A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法
WO2016208301A1 (ja) * 2015-06-26 2016-12-29 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
CN108136563A (zh) * 2015-07-30 2018-06-08 Jh罗得股份有限公司 聚合磨光材料、包含聚合磨光材料的介质和系统及其形成和使用方法
US9293339B1 (en) * 2015-09-24 2016-03-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of polishing semiconductor substrate
CN108701616B (zh) * 2016-02-16 2023-04-14 Cmc材料股份有限公司 抛光iii-v族材料的方法
RU2635132C1 (ru) * 2017-02-20 2017-11-09 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Компас" (ООО "НТЦ "Компас") Полировальная суспензия для сапфировых подложек
SG10201904669TA (en) * 2018-06-28 2020-01-30 Kctech Co Ltd Polishing Slurry Composition
CN114175178A (zh) 2019-07-31 2022-03-11 迪格实验室公司 动物健康评估

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW526250B (en) * 2000-03-31 2003-04-01 Bayer Ag Polishing abrasive and process for producing planar layers
TW200635704A (en) * 2005-03-04 2006-10-16 Cabot Microelectronics Corp Composition and method for polishing a sapphire surface

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356107A (en) * 1979-11-26 1982-10-26 Nalco Chemical Company Process for preparing silica sols
US5385604A (en) * 1993-12-20 1995-01-31 Huntington Laboratories, Inc. Germicide resistant floor finish
US5575706A (en) * 1996-01-11 1996-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Chemical/mechanical planarization (CMP) apparatus and polish method
US6143662A (en) * 1998-02-18 2000-11-07 Rodel Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate
US6190234B1 (en) * 1999-01-25 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Endpoint detection with light beams of different wavelengths
JP2001300285A (ja) * 2000-04-18 2001-10-30 Sanyo Chem Ind Ltd 研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー
CN1200066C (zh) * 2000-05-12 2005-05-04 日产化学工业株式会社 抛光剂组合物
US6638328B1 (en) 2002-04-25 2003-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd Bimodal slurry system
US7201784B2 (en) * 2003-06-30 2007-04-10 Intel Corporation Surfactant slurry additives to improve erosion, dishing, and defects during chemical mechanical polishing of copper damascene with low k dielectrics
US7485241B2 (en) 2003-09-11 2009-02-03 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same
CN100335581C (zh) * 2004-11-24 2007-09-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用
US7294044B2 (en) 2005-04-08 2007-11-13 Ferro Corporation Slurry composition and method for polishing organic polymer-based ophthalmic substrates
US7169031B1 (en) * 2005-07-28 2007-01-30 3M Innovative Properties Company Self-contained conditioning abrasive article
US20070117497A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Cabot Microelectronics Corporation Friction reducing aid for CMP
US20130000214A1 (en) * 2006-01-11 2013-01-03 Jia-Ni Chu Abrasive Particles for Chemical Mechanical Polishing
JP2007300070A (ja) * 2006-04-05 2007-11-15 Nippon Chem Ind Co Ltd 半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物、それを用いた研磨用組成物の製造方法、及び研磨加工方法
US20080283502A1 (en) * 2006-05-26 2008-11-20 Kevin Moeggenborg Compositions, methods and systems for polishing aluminum oxide and aluminum oxynitride substrates
JP2008044078A (ja) * 2006-08-18 2008-02-28 Sumitomo Metal Mining Co Ltd サファイア基板の研磨方法
TW200916564A (en) * 2007-01-31 2009-04-16 Advanced Tech Materials Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications
JP2010524208A (ja) * 2007-03-31 2010-07-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド ウエハ再生のために材料を剥離する方法
US8372305B2 (en) 2007-05-24 2013-02-12 Basf Se Chemical-mechanical polishing composition comprising metal-organic framework materials
JP5098483B2 (ja) * 2007-07-25 2012-12-12 住友金属鉱山株式会社 サファイア基板の研磨方法
WO2009042696A1 (en) 2007-09-24 2009-04-02 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for transmitting multiple multicast communications over a wireless communication network
EP2215175A1 (en) 2007-10-05 2010-08-11 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Polishing of sapphire with composite slurries
US9120960B2 (en) * 2007-10-05 2015-09-01 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Composite slurries of nano silicon carbide and alumina
KR20110063845A (ko) * 2008-10-02 2011-06-14 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 실리콘 기판의 금속 로딩 및 표면 패시베이션을 향상시키기 위한 계면활성제/소포제 혼합물의 용도
US20100159807A1 (en) * 2008-12-22 2010-06-24 Jinru Bian Polymeric barrier removal polishing slurry
US8247328B2 (en) 2009-05-04 2012-08-21 Cabot Microelectronics Corporation Polishing silicon carbide
US20130200038A1 (en) * 2010-09-08 2013-08-08 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates for electrical, mechanical and optical devices
US20130161285A1 (en) * 2010-09-08 2013-06-27 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrate materials for electrical, mechanical and optical devices
WO2012141111A1 (ja) * 2011-04-11 2012-10-18 旭硝子株式会社 研磨剤および研磨方法
US20120264303A1 (en) 2011-04-15 2012-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing slurry, system and method
JPWO2013069623A1 (ja) * 2011-11-08 2015-04-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
CN102585705B (zh) 2011-12-21 2014-02-05 上海新安纳电子科技有限公司 一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液及其应用
JP6291026B2 (ja) * 2013-03-15 2018-03-14 エコラボ ユーエスエー インコーポレイティド サファイアの表面を研磨する方法
US9388328B2 (en) * 2013-08-23 2016-07-12 Diamond Innovations, Inc. Lapping slurry having a cationic surfactant

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW526250B (en) * 2000-03-31 2003-04-01 Bayer Ag Polishing abrasive and process for producing planar layers
TW200635704A (en) * 2005-03-04 2006-10-16 Cabot Microelectronics Corp Composition and method for polishing a sapphire surface

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