JP2009516928A - Cmp用の摩擦低減補助 - Google Patents
Cmp用の摩擦低減補助 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009516928A JP2009516928A JP2008542318A JP2008542318A JP2009516928A JP 2009516928 A JP2009516928 A JP 2009516928A JP 2008542318 A JP2008542318 A JP 2008542318A JP 2008542318 A JP2008542318 A JP 2008542318A JP 2009516928 A JP2009516928 A JP 2009516928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- water
- substrate
- abrasive
- polishing system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/0056—Control means for lapping machines or devices taking regard of the pH-value of lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【選択図】なし
Description
この系は、(a)研磨パッド、研削剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、研磨成分;(b)0.1wt%以上のSiO2を提供するのに十分な量の、水溶性ケイ酸塩化合物;(c)基材の少なくとも一部を酸化する、酸化剤;および、(d)水、を含み、ここで、研磨系のpHは8〜12である。
本発明はさらに、基材を化学的−機械的に研磨する方法を提供し、
この方法は、(i)(a)研磨パッド、研削剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、研磨成分;(b)0.1wt%以上のSiO2を提供するのに十分な量の、水溶性ケイ酸塩化合物;(c)基材の少なくとも一部を酸化する、酸化剤;および、(d)水、を含む化学−機械研磨系と基材を接触させること;および(ii)基材の少なくとも一部を摩耗させて、基材を研磨することを含み、ここで、研磨系のpHは8〜12である。
Claims (33)
- (a)研磨パッド、研削剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、研磨成分、
(b)0.1wt%以上のSiO2を提供するのに十分な量の、水溶性ケイ酸塩化合物、
(c)基材の少なくとも一部を酸化する、酸化剤、および
(d)水、
を含んでなり、pHが8〜12である、基材を研磨するための化学−機械研磨系。 - 水溶性ケイ酸塩化合物が、ケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸カリウム、およびメタケイ酸ナトリウムからなる群から選択される、請求項1に記載の研磨系。
- 水溶性ケイ酸塩化合物が、ケイ酸カリウムである、請求項2に記載の研磨系。
- ケイ酸カリウムが0.25wt%以上のSiO2を提供するのに十分な量で存在する、請求項3に記載の研磨系。
- ケイ酸カリウムが、2.8〜3.9のSiO2:K2Oモル比を有する、請求項3に記載の研磨系。
- ケイ酸カリウムが、3〜3.6のSiO2:K2Oモル比を有する、請求項5に記載の研磨系。
- 酸化剤が、過酸化水素、ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩、過硫酸塩、ペルオキソモノ硫酸水素硫酸塩、モリブデン酸塩、硝酸(第二)鉄、硝酸塩、キノン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1に記載の研磨系。
- 研磨系がさらに研削材を含み、ここで研削材が水中に懸濁する、請求項1に記載の研磨系。
- 研削材が、アルミナ、セリア、シリカ、ジルコニア、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項8に記載の研磨系。
- 研磨系が研磨パッドおよび研削材を含み、ここで研削材は研磨パッドに固定される、請求項1に記載の研磨系。
- 水溶性ケイ酸塩化合物が、0.5wt%以上の量で存在する、請求項1に記載の研磨系。
- pHが9〜11である、請求項1に記載の研磨系。
- (i)(a)研磨パッド、研削剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、研磨成分、
(b)0.1wt%以上のSiO2を提供するのに十分な量の、水溶性ケイ酸塩化合物;
(c)基材の少なくとも一部を酸化する、酸化剤;および、
(d)水、
を含む化学−機械研磨系と基材を接触させること、ならびに
(ii)基材の少なくとも一部を摩耗させて、基材を研磨すること、
を含んでなる、基材を化学的−機械的に研磨する方法であって、
ここで研磨系のpHが8〜12である、方法。 - 水溶性ケイ酸塩化合物が、ケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸カリウム、およびメタケイ酸ナトリウムからなる群から選択される、請求項13に記載の方法。
- 水溶性ケイ酸塩化合物が、ケイ酸カリウムである、請求項14に記載の方法。
- ケイ酸カリウムが0.25wt%以上のSiO2を提供するのに十分な量で存在する、請求項15に記載の方法。
- ケイ酸カリウムが、2.8〜3.9のSiO2:K2Oモル比を有する、請求項15に記載の方法。
- ケイ酸カリウムが、3〜3.6のSiO2:K2Oモル比を有する、請求項17に記載の方法。
- 酸化剤が、過酸化水素、ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩、過硫酸塩、ペルオキソモノ硫酸水素硫酸塩、モリブデン酸塩、硝酸(第二)鉄、硝酸塩、キノン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項13に記載の方法。
- 研磨系がさらに研削材を含み、ここで研削材が水中に懸濁する、請求項13に記載の方法。
- 研削材が、アルミナ、セリア、シリカ、ジルコニア、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項20に記載の方法。
- 研磨系が研磨パッドおよび研削材を含み、ここで研削材は研磨パッドに固定される、請求項13に記載の方法。
- 水溶性ケイ酸塩化合物が、0.5wt%以上の量で存在する、請求項13に記載の方法。
- pHが9〜11である、請求項13に記載の方法。
- 基材が金属層を含んでなる、請求項13に記載の方法。
- 金属層がタンタルを含んでなる、請求項25に記載の方法。
- 金属層がさらに銅を含んでなる、請求項26に記載の方法。
- 基材が、誘電率が3.5以下の誘電層を含んでなる、請求項13に記載の方法。
- 誘電層が有機的に修飾されたシリコンガラスである、請求項28に記載の方法。
- 誘電層が炭素ドープした二酸化ケイ素である、請求項28に記載の方法。
- 基材がさらに金属層を含んでなる、請求項28に記載の方法。
- 金属層がタンタルを含んでなる、請求項31に記載の方法。
- 金属層がさらに銅を含んでなる、請求項32に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/287,039 US20070117497A1 (en) | 2005-11-22 | 2005-11-22 | Friction reducing aid for CMP |
PCT/US2006/041420 WO2007149113A2 (en) | 2005-11-22 | 2006-10-24 | Friction reducing aid for cmp |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009516928A true JP2009516928A (ja) | 2009-04-23 |
JP2009516928A5 JP2009516928A5 (ja) | 2009-12-10 |
Family
ID=38054171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008542318A Pending JP2009516928A (ja) | 2005-11-22 | 2006-10-24 | Cmp用の摩擦低減補助 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070117497A1 (ja) |
JP (1) | JP2009516928A (ja) |
KR (1) | KR20080070675A (ja) |
CN (1) | CN101313388A (ja) |
TW (1) | TWI311091B (ja) |
WO (1) | WO2007149113A2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012240192A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Rohm & Haas Co | 向上した品質の多スペクトル硫化亜鉛 |
JP2014120676A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Kao Corp | サファイア板用研磨液組成物 |
JP2015506583A (ja) * | 2011-12-28 | 2015-03-02 | インテグリス,インコーポレイテッド | 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法 |
JP2015051497A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | サファイア表面を研磨するための化学的機械研磨組成物及びその使用方法 |
JP2016502757A (ja) * | 2012-11-06 | 2016-01-28 | シンマット, インコーポレーテッドSinmat, Inc. | 平滑なダイヤモンド表面、及びその形成のためのcmp方法 |
WO2016043089A1 (ja) * | 2014-09-16 | 2016-03-24 | 山口精研工業株式会社 | サファイア基板用研磨剤組成物 |
JPWO2014106944A1 (ja) * | 2013-01-04 | 2017-01-19 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 合金材料の研磨方法及び合金材料の製造方法 |
CN107586517A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-01-16 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于屏障化学机械平面化的添加剂 |
KR20180107263A (ko) * | 2016-02-16 | 2018-10-01 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | Ⅲ-v 족 물질의 연마 방법 |
WO2021065815A1 (ja) * | 2019-10-03 | 2021-04-08 | 日産化学株式会社 | カチオンを含むレーザーマーク周辺の隆起を解消するための研磨用組成物 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007103578A1 (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a tungsten carbide surface |
CN102775916B (zh) * | 2012-07-16 | 2015-01-07 | 芜湖海森材料科技有限公司 | 一种提高蓝宝石表面质量的抛光组合物 |
SG11201506102TA (en) * | 2013-02-28 | 2015-09-29 | Fujimi Inc | Polishing slurry for cobalt removal |
CN103589344B (zh) * | 2013-11-14 | 2015-06-10 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种氧化铝抛光液的制备方法 |
KR102447178B1 (ko) | 2015-09-01 | 2022-09-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
DE102017110198A1 (de) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | Walter Maschinenbau Gmbh | Schleif- und/oder Erodiermaschine sowie Verfahren zur Vermessung und/oder Referenzierung der Maschine |
KR102431416B1 (ko) | 2017-11-15 | 2022-08-12 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 재료 제거 작업을 수행하기 위한 조성물 및 이를 형성하기 위한 방법 |
CN110358454A (zh) * | 2019-07-20 | 2019-10-22 | 大连理工大学 | 一种通用化学机械抛光液 |
US11879094B2 (en) | 2022-06-03 | 2024-01-23 | Halliburton Energy Services, Inc. | Enhancing friction reduction and protection of wellbore equipment during hydraulic fracturing |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003100670A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 研磨材 |
JP2003133267A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 研磨用粒子および研磨材 |
JP2003535452A (ja) * | 1998-11-10 | 2003-11-25 | マイクロン テクノロジー, インク. | 固定研摩パッドを用いた銅化学機械研摩方法及び固定研摩パッドを用いた化学機械研摩のための銅層化学機械研摩溶液 |
JP2004507899A (ja) * | 2000-08-30 | 2004-03-11 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | 銅およびタングステンを含む半導体装置の導電性構造体を研磨する固定研磨剤型研摩パッド用のスラリーと研磨方法 |
JP2004128112A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005007520A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨パッド及びその製造方法並びに研磨方法 |
JP2005217395A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-08-11 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 銅の制御された研磨のための組成物及び方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2710997C3 (de) * | 1977-03-14 | 1980-08-14 | Dr. Karl Thomae Gmbh, 7950 Biberach | 4-Alkoxy carbonylamino-phenyläthanolamine, deren Herstellung und deren Verwendung als Arzneimittel |
JPH0228112A (ja) * | 1988-04-21 | 1990-01-30 | Kaken Pharmaceut Co Ltd | 点眼用眼圧調整剤 |
US5352277A (en) * | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
DE3902753A1 (de) * | 1989-01-31 | 1990-08-02 | Henkel Kgaa | Verfahren zur hydrothermalen herstellung von kaliumsilikatloesungen mit hohem si0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts):k(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)0-molverhaeltnis |
DE3938789A1 (de) * | 1989-11-23 | 1991-05-29 | Henkel Kgaa | Verfahren zur hydrothermalen herstellung von kaliumsilikatloesungen |
DE19643592A1 (de) * | 1996-10-22 | 1998-04-23 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von alpha-Alkoxy-alpha-trifluormethyl-arylessigsäureestern und -arylessigsäuren |
SG54606A1 (en) * | 1996-12-05 | 1998-11-16 | Fujimi Inc | Polishing composition |
AU7147798A (en) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Advanced Chemical Systems International, Inc. | Planarization compositions for cmp of interlayer dielectrics |
TW593331B (en) * | 1997-07-25 | 2004-06-21 | Inspire Pharmaceuticals Inc | Method for large-scale production of di(uridine 5')-tetraphosphate and salts thereof |
US6051605A (en) * | 1997-08-08 | 2000-04-18 | Warner-Lambert Company | Method of treating psychosis and schizophrenia |
JPH11140427A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Kobe Steel Ltd | 研磨液および研磨方法 |
CO5070714A1 (es) * | 1998-03-06 | 2001-08-28 | Nalco Chemical Co | Proceso para la preparacion de silice coloidal estable |
US6217416B1 (en) * | 1998-06-26 | 2001-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates |
JP3941284B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2007-07-04 | 株式会社日立製作所 | 研磨方法 |
DE60026568D1 (de) * | 1999-12-21 | 2006-05-04 | Mgi Gp Inc | Hydantoin derivate, pharmazeutische zusammensetzungen und verfahren zu ihrer verwendung |
US6551935B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-04-22 | Micron Technology, Inc. | Slurry for use in polishing semiconductor device conductive structures that include copper and tungsten and polishing methods |
US6709316B1 (en) * | 2000-10-27 | 2004-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for two-step barrier layer polishing |
US20030032078A1 (en) * | 2001-01-23 | 2003-02-13 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Methods and compositions for the treatment of macular and retinal degenerations |
JP3945745B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2007-07-18 | 三井金属鉱業株式会社 | セリウム系研摩材及び研摩材スラリー並びにセリウム系研摩材の製造方法 |
US6656241B1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-12-02 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Silica-based slurry |
US6800218B2 (en) * | 2001-08-23 | 2004-10-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Abrasive free formulations for chemical mechanical polishing of copper and associated materials and method of using same |
PA8557501A1 (es) * | 2001-11-12 | 2003-06-30 | Pfizer Prod Inc | Benzamida, heteroarilamida y amidas inversas |
US6685755B2 (en) * | 2001-11-21 | 2004-02-03 | Saint-Gobain Abrasives Technology Company | Porous abrasive tool and method for making the same |
US6827639B2 (en) * | 2002-03-27 | 2004-12-07 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Polishing particles and a polishing agent |
US6913517B2 (en) * | 2002-05-23 | 2005-07-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Microporous polishing pads |
US20040242704A1 (en) * | 2003-03-14 | 2004-12-02 | University Of Washington, Techtransfer - Invention Licensing | Stabilized mutant opsin proteins |
US7485241B2 (en) * | 2003-09-11 | 2009-02-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same |
US7566808B2 (en) * | 2004-02-17 | 2009-07-28 | President And Fellows Of Harvard College | Management of ophthalmologic disorders, including macular degeneration |
US20060252107A1 (en) * | 2005-02-22 | 2006-11-09 | Acucela, Inc. | Compositions and methods for diagnosing and treating retinal diseases |
US20070039926A1 (en) * | 2005-08-17 | 2007-02-22 | Cabot Microelectronics Corporation | Abrasive-free polishing system |
-
2005
- 2005-11-22 US US11/287,039 patent/US20070117497A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-10-24 CN CNA2006800437962A patent/CN101313388A/zh active Pending
- 2006-10-24 KR KR1020087012131A patent/KR20080070675A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-10-24 JP JP2008542318A patent/JP2009516928A/ja active Pending
- 2006-10-24 WO PCT/US2006/041420 patent/WO2007149113A2/en active Application Filing
- 2006-11-08 TW TW095141357A patent/TWI311091B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003535452A (ja) * | 1998-11-10 | 2003-11-25 | マイクロン テクノロジー, インク. | 固定研摩パッドを用いた銅化学機械研摩方法及び固定研摩パッドを用いた化学機械研摩のための銅層化学機械研摩溶液 |
JP2004507899A (ja) * | 2000-08-30 | 2004-03-11 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | 銅およびタングステンを含む半導体装置の導電性構造体を研磨する固定研磨剤型研摩パッド用のスラリーと研磨方法 |
JP2003100670A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 研磨材 |
JP2003133267A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 研磨用粒子および研磨材 |
JP2004128112A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005007520A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨パッド及びその製造方法並びに研磨方法 |
JP2005217395A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-08-11 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 銅の制御された研磨のための組成物及び方法 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012240192A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Rohm & Haas Co | 向上した品質の多スペクトル硫化亜鉛 |
JP2016196083A (ja) * | 2011-05-24 | 2016-11-24 | ローム アンド ハース カンパニーRohm And Haas Company | 向上した品質の多スペクトル硫化亜鉛 |
JP2015506583A (ja) * | 2011-12-28 | 2015-03-02 | インテグリス,インコーポレイテッド | 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法 |
US10392560B2 (en) | 2011-12-28 | 2019-08-27 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
JP2016502757A (ja) * | 2012-11-06 | 2016-01-28 | シンマット, インコーポレーテッドSinmat, Inc. | 平滑なダイヤモンド表面、及びその形成のためのcmp方法 |
JP2014120676A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Kao Corp | サファイア板用研磨液組成物 |
JPWO2014106944A1 (ja) * | 2013-01-04 | 2017-01-19 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 合金材料の研磨方法及び合金材料の製造方法 |
JP2015051497A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | サファイア表面を研磨するための化学的機械研磨組成物及びその使用方法 |
JPWO2016043089A1 (ja) * | 2014-09-16 | 2017-08-10 | 山口精研工業株式会社 | サファイア基板用研磨剤組成物 |
WO2016043089A1 (ja) * | 2014-09-16 | 2016-03-24 | 山口精研工業株式会社 | サファイア基板用研磨剤組成物 |
KR20180107263A (ko) * | 2016-02-16 | 2018-10-01 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | Ⅲ-v 족 물질의 연마 방법 |
JP2019512866A (ja) * | 2016-02-16 | 2019-05-16 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Iii−v族材料の研磨方法 |
KR102642825B1 (ko) * | 2016-02-16 | 2024-02-29 | 씨엠씨 머티리얼즈 엘엘씨 | Ⅲ-v 족 물질의 연마 방법 |
CN107586517A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-01-16 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于屏障化学机械平面化的添加剂 |
JP2018019075A (ja) * | 2016-07-01 | 2018-02-01 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | バリア化学機械平坦化のための添加剤 |
CN107586517B (zh) * | 2016-07-01 | 2020-11-13 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于屏障化学机械平面化的添加剂 |
WO2021065815A1 (ja) * | 2019-10-03 | 2021-04-08 | 日産化学株式会社 | カチオンを含むレーザーマーク周辺の隆起を解消するための研磨用組成物 |
JP6882727B1 (ja) * | 2019-10-03 | 2021-06-02 | 日産化学株式会社 | カチオンを含むレーザーマーク周辺の隆起を解消するための研磨用組成物 |
US11873420B2 (en) | 2019-10-03 | 2024-01-16 | Nissan Chemical Corporation | Cation-containing polishing composition for eliminating protrusions around laser mark |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070117497A1 (en) | 2007-05-24 |
KR20080070675A (ko) | 2008-07-30 |
CN101313388A (zh) | 2008-11-26 |
TW200734117A (en) | 2007-09-16 |
WO2007149113A3 (en) | 2008-04-10 |
WO2007149113A2 (en) | 2007-12-27 |
WO2007149113A9 (en) | 2008-02-28 |
TWI311091B (en) | 2009-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009516928A (ja) | Cmp用の摩擦低減補助 | |
JP6542760B2 (ja) | 高分子フィルムの化学的−機械的平坦化 | |
EP3470487B1 (en) | Mixed abrasive polishing compositions | |
JP5986146B2 (ja) | 基板を化学機械的に研磨加工する方法 | |
EP2852650B1 (en) | Cmp composition containing zirconia particles and method of use | |
JP4814784B2 (ja) | モジュラーバリヤ除去研磨スラリー | |
WO2007127121A1 (en) | Polishing composition containing polyether amine | |
KR20130040789A (ko) | 구리, 루테늄 및 탄탈룸 층을 포함하는 기판의 화학 기계적 평탄화 | |
CN109531282B (zh) | 用于钴的化学机械抛光方法 | |
JP2011508423A (ja) | 金属除去速度を制御するためのハロゲン化物アニオン | |
IL195699A (en) | Oxidative silicon polishing method used in colloidal silica | |
JP5144516B2 (ja) | 砥材を有しない研磨システム | |
TW200831654A (en) | Compositions for chemical mechanical planarization of copper | |
JP2019512866A (ja) | Iii−v族材料の研磨方法 | |
KR20190132951A (ko) | 화학 기계적 연마 텅스텐 버핑 슬러리 | |
WO2019055160A2 (en) | NITRIDE INHIBITORS FOR HIGH SELECTIVITY OF CHEMICOMECHANICAL TIN-SIN POLISHING APPLICATIONS | |
EP3692107B1 (en) | Surface treated abrasive particles for tungsten buff applications | |
NZ515863A (en) | Polishing slurry for the chemical-mechanical polishing of metal and dielectric structures | |
TWI754376B (zh) | 選擇性化學機械拋光鈷、氧化鋯、多晶矽及二氧化矽膜之方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091021 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091021 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120124 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120619 |