JP2009516928A5

JP2009516928A5 -

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Publication number: JP2009516928A5
Application number: JP2008542318A
Authority: JP
Filing date: 2006-10-24
Publication date: 2009-12-10

Claims

（ａ）研磨パッド、研削剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、研磨成分、
（ｂ）０．１ｗｔ％以上のＳｉＯ_２を提供するのに十分な量の、水溶性ケイ酸塩化合物、
（ｃ）基材の少なくとも一部を酸化する、酸化剤、および
（ｄ）水、
を含んでなり、ｐＨが８〜１２である、基材を研磨するための化学−機械研磨系。
水溶性ケイ酸塩化合物が、ケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸カリウム、およびメタケイ酸ナトリウムからなる群から選択される、請求項１に記載の研磨系。
ケイ酸カリウムが、２．８〜３．９のＳｉＯ_２：Ｋ_２Ｏモル比を有する、請求項２に記載の研磨系。
酸化剤が、過酸化水素、ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩、過硫酸塩、ペルオキソモノ硫酸水素硫酸塩、モリブデン酸塩、硝酸（第二）鉄、硝酸塩、キノン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨系。
研磨系がさらに研削材を含み、ここで研削材が水中に懸濁する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の研磨系。
研削材が、アルミナ、セリア、シリカ、ジルコニア、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項５に記載の研磨系。
研磨系が研磨パッドおよび研削材を含み、ここで研削材は研磨パッドに固定される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の研磨系。
水溶性ケイ酸塩化合物が、０．５ｗｔ％以上の量で存在する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の研磨系。
（ｉ）（ａ）研磨パッド、研削剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、研磨成分、
（ｂ）０．１ｗｔ％以上のＳｉＯ_２を提供するのに十分な量の、水溶性ケイ酸塩化合物；
（ｃ）基材の少なくとも一部を酸化する、酸化剤；および、
（ｄ）水、
を含む化学−機械研磨系と基材を接触させること、ならびに
（ｉｉ）基材の少なくとも一部を摩耗させて、基材を研磨すること、
を含んでなる、基材を化学的−機械的に研磨する方法であって、
ここで研磨系のｐＨが８〜１２である、方法。
水溶性ケイ酸塩化合物が、ケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸カリウム、およびメタケイ酸ナトリウムからなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
ケイ酸カリウムが、２．８〜３．９のＳｉＯ_２：Ｋ_２Ｏモル比を有する、請求項１０に記載の方法。
酸化剤が、過酸化水素、ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩、過硫酸塩、ペルオキソモノ硫酸水素硫酸塩、モリブデン酸塩、硝酸（第二）鉄、硝酸塩、キノン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の方法。
研磨系がさらに研削材を含み、ここで研削材が水中に懸濁する、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
研削材が、アルミナ、セリア、シリカ、ジルコニア、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１３に記載の方法。
研磨系が研磨パッドおよび研削材を含み、ここで研削材は研磨パッドに固定される、請求項９〜１４のいずれか１項に記載の方法。
水溶性ケイ酸塩化合物が、０．５ｗｔ％以上の量で存在する、請求項９〜１５のいずれか１項に記載の方法。
基材が金属層を含んでなる、請求項９〜１６のいずれか１項に記載の方法。
金属層がタンタルを含んでなる、請求項１７に記載の方法。
金属層がさらに銅を含んでなる、請求項１８に記載の方法。
基材が、誘電率が３．５以下の誘電層を含んでなる、請求項９〜１９のいずれか１項に記載の方法。
誘電層が有機的に修飾されたシリコンガラスである、請求項２０に記載の方法。
誘電層が炭素ドープした二酸化ケイ素である、請求項２０に記載の方法。