JP2018019075A - バリア化学機械平坦化のための添加剤 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】適切な化学添加剤を含むバリア化学機械平坦化研磨組成物が提供される。適切な化学添加剤は、ケイ酸塩化合物及び高分子量ポリマー/コポリマーである。このバリア化学気機械平坦化研磨組成物を使用した化学機械研磨方法がまた提供される。
【選択図】なし
Description
本発明は、米国特許法119条(e)項の下で、2016年7月1日に出願された米国仮特許出願第62/357571号の優先権を主張し、その全体は、参照されることにより、本明細書に組み込まれる。
本発明の研磨組成物は水性ベースであり、したがって、水を含む。本発明において、水は、様々な方法で機能し、例えば、組成物の1つ又は複数の固体成分を溶解するため、成分のキャリアとして、研磨残渣の除去の促進として、及び希釈液として機能する。好ましくは、洗浄組成物中で用いられる水は、脱イオン(DI)水である。
本発明の研磨組成物は研磨剤を含む。研磨組成物のために適切な研磨剤は、ナノサイズの粒子であり、例えば、限定されないが、ナノサイズのコロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカ粒子;ナノサイズの無機金属酸化物粒子、例えば、アルミナ、チタニア、ジルコニア、セリア及びそれらの組み合わせ;ナノサイズのダイヤモンド粒子;ナノサイズの窒化ケイ素粒子:単峰性、二峰性、又は多峰性のコロイド研磨粒子;無機ポリマー系ソフト研磨剤;表面がコーティングされた又は改質された研磨剤;並びにそれらの組み合わせが挙げられる。
本発明の組成物はまた、無機ケイ酸塩を含む。無機ケイ酸塩は、導電性金属ラインに対してバリア又はライナ層、誘電体層の除去速度を増加するために、少なくとも部分的に機能する。適切な無機ケイ酸塩化合物としては、例えば、ケイ酸の塩、例えば、ケイ酸カリウム、ケイ酸アンモニウム、ケイ酸テトラメチルアンモニウム、ケイ酸テトラブチルアンモニウム、ケイ酸テトラエチルアンモニウム、及びそれらの組み合わせが挙げられる。これらのケイ酸塩化合物は、好ましくは、安定してかつ大部分が可溶形態でCMP組成物中に存在する。
ポリマー/コポリマーは、10,000超、好ましくは10,000〜20,000,000ダルトン、より好ましくは30,000〜10,000,000ダルトン、及び最も好ましくは50,000〜8,000,000ダルトンの範囲の分子量を有する。高分子量ポリマーは、限定されないが、ポリ(アクリル酸)、ポリ(メタクリル酸)、ポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリ(1−ビニルピロリドン−コ−2−ジメチルアミノエチルメタクリレート)、ポリアクリルアミド、ポリスチレンスルホン酸、ポリアクリルアミドとポリアクリル酸とのコポリマー、ポリ(2−エチルオキサゾリン)、及びポリエチレンオキシドを含むポリマーの群から選択することができる。
本発明の研磨組成物は、「酸化剤(oxidizer)」とも称される、酸化剤(oxidizing agent)を含む。酸化剤は任意の適切な酸化剤であることができる。適切な酸化剤としては、限定されないが、少なくとも1つのペルオキシ基(−O−O−)を含む1つ又は複数のペルオキシ化合物が挙げられる。適切なペルオキシ化合物としては、例えば、過酸化物、過硫酸塩(例えば、モノ過硫酸塩及びジ過硫酸塩)、過炭酸塩、それらの酸、及びそれらの塩、並びにそれらの混合物が挙げられる。他の適切な酸化剤としては、例えば、酸化ハライド(例えば、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、それらの酸、及びそれらの混合物など)、過ホウ酸、過ホウ酸塩、過炭酸塩、ペルオキシ酸(例えば、過酢酸、過安息香酸、それらの塩、及びそれらの混合物など)、過マンガン酸塩、セリウム化合物、フェリシアン化物(例えば、フェリシアン化カリウム)、それらの混合物が挙げられる。
本発明の研磨組成物はまた、ウエハの表面上に露出された金属ラインを部分的に保護するための腐食防止剤を含む。適切な腐食防止剤としては、限定されないが、ベンゾトリアゾール(BTA)又はBTA誘導体、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3,5−ジアミン−1,2,4−トリアゾール、他のトリアゾール誘導体及びそれらの組み合わせが挙げられる。
本発明の組成物は、任意選択で、ウエハ表面内の欠陥を減らすために、部分的に、研磨中及び研磨後のウエハ表面を保護するのを助ける界面活性剤を含む。界面活性剤はまた、低K誘電体のような研磨で使用される膜の幾つかの除去速度を制御するために使用されることある。適切な界面活性剤としては、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、及びそれらの混合物が挙げられる。
本発明の組成物はpH調整剤を含む。pH調整剤は、典型的に、研磨組成物のpHを上げる又は下げるために、本発明の組成物中で用いられる。pH調整剤は、研磨組成物の安定性を改善するために、研磨組成物のイオン強度を調整するために、並びに、操作及び使用における安全性を改善するために、必要に応じて使用することができる。
キレート剤は、金属カチオンに対するキレート配位子の親和性を促進するために、任意選択で、本発明の組成物中で用いることができる。キレート剤はまた、パッドに汚染を引き起こし、除去速度の不安定性を引き起こす、パッド上の金属イオンの増加を防ぐために使用することができる。適切なキレート剤としては、限定されないが、例えば、アミン化合物、例えば、エチレンジアミン、アミノポリカルボン酸、例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)、ニトリロトリ酢酸(NTA);芳香族酸、例えば、ベンゼンスルホン酸、4−トリルスルホン酸、2,4−ジアミノ−ベンゼンスルホン酸など;非芳香族有機酸、例えば、イタコン酸、リンゴ酸、マロン酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、又はそれらの塩;様々なアミノ酸及びそれらの誘導体、例えば、グリシン、セリン、プロリン、ヒスチジン、イソロイシン、ロイシン、リシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、トリプトファン、バリン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン酸、グルタミン、オルニチン、セレノシステイン、チロシン、サルコシン、ビシン、トリシン、アセグルタミド、N−アセチルアスパラギン酸、アセチルカルニチン、アセチルシステイン、N−アセチルグルタミン酸、アセチルロイシン、アシビシン、S−アデノシル−L−ホモシステイン、アガリチン、アラノシン、アミノ馬尿酸、L−アルギニンエチルエステル、アスパルテーム、アスパルチルグルコサミン、ベンジルメルカプツール酸、ビオシチン、ブリバニブアラニネート、カルボシステイン、N(6)−カルボキシメチルリシン、カルグルミン酸、シラスタチン、シチオロン、コプリン、ジブロモチロシン、ジヒドロキシフェニルグリシン、エフロルニチン、フェンクロニン、4−フルオロ−L−スレオニン、N−ホルミルメチオニン、ガンマ−L−グルタミル−L−システイン、4−(γ−グルタミルアミノ)ブタン酸、グルタウリン、グリコシアミン、ハダシジン、ヘパプレッシン、リシノプリル、リメサイクリン、N−メチル−D−アスパラギン酸、N−メチル−L−グルタミン酸、ミラセミド、ニトロソプロリン、ノカルジシンA、ノパリン、オクトピン、オンブラブリン、オパイン、オルタニル酸、オキサセプロール、ポリリシン、レマセミド、サリチル尿酸、シルクアミノ酸、スタンピジン、タブトキシン、テトラゾリルグリシン、チオルファン、チメクタシン、チオプロニン、トリプトファントリプトフィルキノン、バラシクロビル、バルガンシクロビル、並びにホスホン酸及びその誘導体、例えば、オクチルホスホン酸、アミノベンジルホスホン酸、それらの組み合わせ、及びそれらの塩が挙げられる。
CMP配合物はまた、殺生物剤のような生物的成長を制御するための添加剤を含むことができる。生物的成長を制御する添加剤の幾つかは、米国特許第5230833号明細書(Rombergerら)及び米国特許出願公開第2002/0025762号明細書で開示され、それらは、参照することにより本明細書に組み込まれる。生物成長防止剤としては、限定されないが、テトラメチルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラプロピルアンモニウムクロリド、アルキルベンジルジメチルアンモニウムクロリド、及び水酸化アルキルベンジルジメチルアンモニウム(ここで、アルキル鎖は1〜約20個の炭素原子)、亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、イソチアゾリノン化合物、例えば、メチルイソチアゾリノン、メチルクロロイソチアゾリノン、及びベンズイソチアゾリノンが挙げられる。商業的に利用可能な防腐剤の幾つかとしては、Dow Chemicals製のKATHON(商標)及びNEOLENE(商標)製品群と、Lanxess製のPreventol(商標)群とが挙げられる。
別段の記載がない限り、全てのパーセントは重量パーセントである。以下で示される例において、以下で与えられる実験条件及び手順を使用してCMP実験を行った。
ディスク遠心分離法(CPS Instruments製のDC24000UHR)で測定した場合に、65〜75nmの範囲の平均粒子サイズを持つコロイダルシリカ粒子を使用して、この例及び次の例における全ての組成物を作った。
表1に示した組成物に異なる濃度で異なるポリマー添加剤を加えることにより、CMP組成物を作った。これらの配合物の粘度を、25℃かつ60RPMのスピンドル速度で、Brookfieldモデル:DV−II+粘度計で測定した。
異なる濃度のケイ酸カリウム、添加剤A1及びシリカ粒子を用いて、CMP組成物を作り、除去速度の増加における各成分の相対的な影響を決定することを導いた。
異なるポリマー添加剤を、0.2wt%の濃度で表1に記載した対照組成物に加えることで、CMP組成物を作った。配合物19〜23はまた、1wt%のケイ酸カリウムを含んでいた。配合物のpHは約10.7であった。
Claims (35)
- 水と、
研磨剤と、
ポリ(アクリル酸)、ポリ(メタクリル酸)、ポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリ(1−ビニルピロリドン−コ−2−ジメチルアミノエチルメタクリレート)、ポリ(4−スチレンスルホン酸ナトリウム)、ポリ(エチレンオキシド)、ポリ(4−スチレンスルホン酸)、ポリアクリルアミド、ポリ(アクリルアミド/アクリル酸)コポリマー、それらの組み合わせ、及びそれらの塩からなる群より選択されるポリマーであって、30,000〜30,000,000ダルトンの分子量を有するポリマーと、
腐食防止剤と、
無機ケイ酸塩と、
酸化剤とを含み、任意選択で、
界面活性剤と、
pH調整剤と、
キレート剤とを含む研磨組成物であって、約7〜約11.5のpHを有し、粘度が約1.5cP〜約10cPである、研磨組成物。 - 前記無機ケイ酸塩が、ケイ酸カリウム、ケイ酸アンモニウム、ケイ酸テトラメチルアンモニウム、ケイ酸テトラブチルアンモニウム、ケイ酸テトラエチルアンモニウム、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるケイ酸の塩である、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記無機ケイ酸塩が、約0.2wt%〜約2wt%の量で存在する、請求項2に記載の研磨組成物。
- 前記高分子量ポリマーが、約0.01wt%〜約1.0wt%の量で存在する、請求項1に記載の組成物。
- 前記高分子量ポリマーが、約0.1wt%〜約0.5wt%の量で存在する、請求項4に記載の組成物。
- 前記研磨剤が、高純度コロイダルシリカ、アルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、ジルコニア、格子内にアルミナがドープしたコロイダルシリカ、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記研磨剤が、約3wt%〜約15wt%の量で存在する、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記研磨剤がコロイダルシリカであり、前記コロイダルシリカが30nm〜300nmの平均粒子サイズを有する、請求項7に記載の研磨組成物。
- 前記コロイダルシリカが、50nm〜200nmの平均粒子サイズを有する、請求項8に記載の研磨組成物。
- 前記コロイダルシリカが、60nm〜150nmの平均粒子サイズを有する、請求項9に記載の研磨組成物。
- 前記コロイダルシリカが、30nm〜120nmに少なくとも2つの別々のピークを持つ粒子サイズ分布を有する、請求項8に記載の研磨組成物。
- 前記コロイダルシリカが、30nm〜120nmに少なくとも3つの別々のピークを持つ粒子サイズ分布を有する、請求項8に記載の研磨組成物。
- 前記腐食防止剤が、ベンゾトリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3,5−ジアミン−1,2,4−トリアゾール、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、約0.01wt%〜約0.1wt%の量で存在する、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記pH調整剤が存在しており、硝酸、硫酸、酒石酸、コハク酸、クエン酸、リンゴ酸、マロン酸、様々な脂肪酸、様々なポリカルボン酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記pH調整剤が存在しており、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、水酸化テトラエチルアンモニウム、エチレンジアミン、ピペラジン、ポリエチレンイミン、改質ポリエチレンイミン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項1に記載の研磨組成物。
- pH調整剤が、約0.0001wt%〜約2wt%の範囲の量で存在する、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記キレート剤が存在しており、クエン酸カリウム、ベンゼンスルホン酸、4−トリルスルホン酸、2,4−ジアミノ−ベンゼンスルホン酸、マロン酸、イタコン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、アミノ酸、ポリカルボキシアミノ酸、ホスホン酸、それらの組み合わせ、及びそれらの塩からなる群より選択される、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記キレート剤が、約0.01wt%〜約3.0wt%の範囲の量で存在する、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記界面活性剤が、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記界面活性剤が、約0.010wt%〜約0.1wt%の量で存在する、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記界面活性剤が、アセチレンジオール界面活性剤、アルコールエトキシレート界面活性剤、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項20に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、ペルオキシ化合物、酸化ハライド、過ホウ酸、過ホウ酸塩、過炭酸塩、過マンガン酸塩、セリウム化合物、フェリシアン化物、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、約0.5wt%〜約2.0wt%の量で存在する、請求項22に記載の研磨組成物。
- 少なくとも1つの表面を含む半導体デバイスの化学機械平坦化のための研磨方法であって、前記少なくとも1つの表面が、(1)タンタル、窒化タンタル、タンタルタングステン炭化ケイ素、チタン、窒化チタンからなる群より選択されるバリア層;(2)銅、タングステン、コバルト、アルミニウム、又はそれらの合金の群より選択される相互接続金属層;及び(3)多孔質又は非多孔質の誘電体層を有し、
a.前記少なくとも1つの表面を研磨パッドに接触させる工程、
b.請求項1に記載の研磨組成物を、前記少なくとも1つの表面に運ぶ工程、及び
c.前記少なくとも1つの表面を前記研磨組成物で研磨して、好ましくは前記誘電体層上で、少なくとも前記バリア層を少なくとも部分的に除去する工程
を含む、研磨方法。 - 前記多孔質又は非多孔質の誘電体層が、ケイ素、炭素、酸素及び水素を含む、請求項24に記載の研磨方法。
- 前記多孔質又は非多孔質の誘電体層がTEOSである、請求項25に記載の研磨方法。
- 前記多孔質又は非多孔質の誘電体層が、非多孔質材料のキャッピング層をさらに含む、請求項25に記載の研磨方法。
- 前記バリア層と前記誘電体層との間の除去速度選択性が0.25〜4の範囲である、請求項24に記載の研磨方法。
- 前記バリア層と前記誘電体層との間の除去速度選択性が0.5〜2の範囲である、請求項28に記載の研磨方法。
- 前記相互接続金属層と前記誘電体層との間の除去速度選択性が0.25〜4の範囲である、請求項24に記載の研磨方法。
- 前記相互接続金属層と前記誘電体層との間の除去速度選択性が0.5〜2の範囲である、請求項30に記載の研磨方法。
- 前記TEOSの除去速度が、3psiの下向き力で1500Å/分超である、請求項26に記載の研磨方法。
- 前記バリア層が窒化タンタル(TaN)であり、前記TaNの除去速度が、3psiの下向き力で900Å/分超である、請求項24に記載の研磨方法。
- 前記相互接続金属層が銅を含み、前記銅の除去速度が、3psiの下向き力で400Å/分超である、請求項24に記載の研磨方法。
- 少なくとも1つの表面を含む半導体デバイスであって、前記少なくとも1つの表面が、(1)タンタル、窒化タンタル、タンタルタングステン炭化ケイ素、チタン、窒化チタンからなる群より選択されるバリア層;(2)銅、タングステン、コバルト、アルミニウム、又はそれらの合金の群より選択される相互接続金属層;及び(3)多孔質又は非多孔質の誘電体層を有する半導体デバイスと、
研磨パッドと、
請求項1に記載の研磨組成物と
を含む化学機械平坦化のためのシステムであって、前記少なくとも1つの表面が、前記研磨パッド及び前記研磨組成物と接触している、システム。
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