KR100582771B1 - 반도체 얕은 트렌치 소자 분리 공정용 화학적 기계적 연마슬러리 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 10
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920005648 ethylene methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 claims description 5
- SSPYSWLZOPCOLO-UHFFFAOYSA-N 6-azauracil Chemical compound O=C1C=NNC(=O)N1 SSPYSWLZOPCOLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- ILUSMKXTLSNIRA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1NC(=O)NC(=O)N1.O=C1NC(=O)NC(=O)N1 ILUSMKXTLSNIRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BDEDOJCZDJNNHY-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazinane-2,4,6-trithione Chemical compound N1C(=S)NC(=S)NC1=S.SC1=NC(=NC(=N1)S)S BDEDOJCZDJNNHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical compound C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(prop-2-enyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound C=CCN1C(=O)N(CC=C)C(=O)N(CC=C)C1=O KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYBFGAFWCBMEDG-UHFFFAOYSA-N 1-[3,5-di(prop-2-enoyl)-1,3,5-triazinan-1-yl]prop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CN(C(=O)C=C)CN(C(=O)C=C)C1 FYBFGAFWCBMEDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BJELTSYBAHKXRW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triallyloxy-1,3,5-triazine Chemical compound C=CCOC1=NC(OCC=C)=NC(OCC=C)=N1 BJELTSYBAHKXRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HBQUOLGAXBYZGR-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triphenyl-1,3,5-triazine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 HBQUOLGAXBYZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KMVWNDHKTPHDMT-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tripyridin-2-yl-1,3,5-triazine Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=NC(C=2N=CC=CC=2)=NC(C=2N=CC=CC=2)=N1 KMVWNDHKTPHDMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- TVCBDTCUOVDLNZ-SHUUEZRQSA-N 2-[(2r,3r,4s,5r)-3,4-dihydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]-3-sulfanylidene-1,2,4-triazin-5-one Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(=S)NC(=O)C=N1 TVCBDTCUOVDLNZ-SHUUEZRQSA-N 0.000 claims description 2
- KUCWUAFNGCMZDB-UHFFFAOYSA-N 2-amino-3-nitrophenol Chemical compound NC1=C(O)C=CC=C1[N+]([O-])=O KUCWUAFNGCMZDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GPIQOFWTZXXOOV-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4,6-dimethoxy-1,3,5-triazine Chemical compound COC1=NC(Cl)=NC(OC)=N1 GPIQOFWTZXXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UIKGLXJNZXSPGV-UHFFFAOYSA-N 5,6-dimethyl-1,2,4-triazin-3-amine Chemical compound CC1=NN=C(N)N=C1C UIKGLXJNZXSPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OTMYLOBWDNFTLO-UHFFFAOYSA-N 5,6-diphenyl-3-(2-pyridyl)-1,2,4-triazine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2N=CC=CC=2)N=C1C1=CC=CC=C1 OTMYLOBWDNFTLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NMUSYJAQQFHJEW-UHFFFAOYSA-N 5-Azacytidine Natural products O=C1N=C(N)N=CN1C1C(O)C(O)C(CO)O1 NMUSYJAQQFHJEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NMUSYJAQQFHJEW-KVTDHHQDSA-N 5-azacytidine Chemical compound O=C1N=C(N)N=CN1[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 NMUSYJAQQFHJEW-KVTDHHQDSA-N 0.000 claims description 2
- MFEFTTYGMZOIKO-UHFFFAOYSA-N 5-azacytosine Chemical compound NC1=NC=NC(=O)N1 MFEFTTYGMZOIKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FVFVNNKYKYZTJU-UHFFFAOYSA-N 6-chloro-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(Cl)=N1 FVFVNNKYKYZTJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VHOMAPWVLKRQAZ-UHFFFAOYSA-N Benzyl propionate Chemical compound CCC(=O)OCC1=CC=CC=C1 VHOMAPWVLKRQAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 2
- QCVGUYXCHPLWQX-UHFFFAOYSA-N O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na].[Na].[Na] Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na].[Na].[Na] QCVGUYXCHPLWQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KMZCSSCUBKHIJS-UHFFFAOYSA-N [1,2,4]triazolo[4,3-a][1,3,5]triazine-3,5,7-triamine Chemical compound N1=C(N)N=C(N)N2C(N)=NN=C21 KMZCSSCUBKHIJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960002756 azacitidine Drugs 0.000 claims description 2
- FLLNLJJKHKZKMB-UHFFFAOYSA-N boron;tetramethylazanium Chemical compound [B].C[N+](C)(C)C FLLNLJJKHKZKMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MGNCLNQXLYJVJD-UHFFFAOYSA-N cyanuric chloride Chemical compound ClC1=NC(Cl)=NC(Cl)=N1 MGNCLNQXLYJVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VMKJWLXVLHBJNK-UHFFFAOYSA-N cyanuric fluoride Chemical compound FC1=NC(F)=NC(F)=N1 VMKJWLXVLHBJNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GBWOLPGBSDXEQJ-UHFFFAOYSA-L disodium 5-[3-pyridin-2-yl-6-(5-sulfonatofuran-2-yl)-1,2,4-triazin-5-yl]furan-2-sulfonate trihydrate Chemical compound O.O.O.[Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)c1ccc(o1)-c1nnc(nc1-c1ccc(o1)S([O-])(=O)=O)-c1ccccn1 GBWOLPGBSDXEQJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- FCLZLWCVABULOC-UHFFFAOYSA-M ethanethioate;tetramethylazanium Chemical compound CC([O-])=S.C[N+](C)(C)C FCLZLWCVABULOC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- DWTYPCUOWWOADE-UHFFFAOYSA-M hydron;tetramethylazanium;sulfate Chemical compound C[N+](C)(C)C.OS([O-])(=O)=O DWTYPCUOWWOADE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MBOKSYFCYXIJRZ-UHFFFAOYSA-M sodium;4-[3-pyridin-2-yl-6-(4-sulfophenyl)-1,2,4-triazin-5-yl]benzenesulfonate;hydrate Chemical compound O.[Na+].C1=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C1C1=NC(C=2N=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 MBOKSYFCYXIJRZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- DDFYFBUWEBINLX-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)C DDFYFBUWEBINLX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- MRYQZMHVZZSQRT-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;acetate Chemical compound CC([O-])=O.C[N+](C)(C)C MRYQZMHVZZSQRT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- WJZPIORVERXPPR-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium;carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C WJZPIORVERXPPR-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- HQFTZNVQVRRDLN-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;fluoride;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[F-].C[N+](C)(C)C HQFTZNVQVRRDLN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- WWIYWFVQZQOECA-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;formate Chemical compound [O-]C=O.C[N+](C)(C)C WWIYWFVQZQOECA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- MYXKPFMQWULLOH-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;hydroxide;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[OH-].C[N+](C)(C)C MYXKPFMQWULLOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- RXMRGBVLCSYIBO-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;iodide Chemical compound [I-].C[N+](C)(C)C RXMRGBVLCSYIBO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- APSPVJKFJYTCTN-UHFFFAOYSA-N tetramethylazanium;silicate Chemical compound C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-][Si]([O-])([O-])[O-] APSPVJKFJYTCTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SMBVAMYBVVNSBZ-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium;sulfate;hydrate Chemical compound O.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-]S([O-])(=O)=O SMBVAMYBVVNSBZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- IUCJMVBFZDHPDX-UHFFFAOYSA-N tretamine Chemical compound C1CN1C1=NC(N2CC2)=NC(N2CC2)=N1 IUCJMVBFZDHPDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004105 2-pyridyl group Chemical group N1=C([*])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims 1
- HAUXSVQKDKQHTF-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;chromium Chemical compound [Cr].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] HAUXSVQKDKQHTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims 1
- GIWYLXXUOJRNAJ-UHFFFAOYSA-N sodium;1,3,5-triazinane-2,4,6-trithione Chemical compound [Na].SC1=NC(S)=NC(S)=N1 GIWYLXXUOJRNAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 28
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 9
- 230000036571 hydration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 abstract description 4
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 4
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000125205 Anethum Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001449 anionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000001785 cerium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- NMUSYJAQQFHJEW-ARQDHWQXSA-N fazarabine Chemical compound O=C1N=C(N)N=CN1[C@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 NMUSYJAQQFHJEW-ARQDHWQXSA-N 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920005646 polycarboxylate Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- E02B3/12—Revetment of banks, dams, watercourses, or the like, e.g. the sea-floor
- E02B3/122—Flexible prefabricated covering elements, e.g. mats, strips
- E02B3/124—Flexible prefabricated covering elements, e.g. mats, strips mainly consisting of metal
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- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E02—HYDRAULIC ENGINEERING; FOUNDATIONS; SOIL SHIFTING
- E02D—FOUNDATIONS; EXCAVATIONS; EMBANKMENTS; UNDERGROUND OR UNDERWATER STRUCTURES
- E02D2600/00—Miscellaneous
- E02D2600/20—Miscellaneous comprising details of connection between elements
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
본 발명은 얕은 트렌치 소자 분리용 화학적 기계적 연마 슬러리에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 탈이온수, 연마입자, 연마입자 분산제로 구성된 연마제 수용액과 카르복실산 폴리머계 화합물, 함질소 유기 환상형 화합물, 아민계 화합물로 구성된 첨가제 수용액으로 얕은 트렌치 소자 분리용 화학적 기계적 연마 슬러리에 관한 것이다. 본 발명에 따른 슬러리는 제거 선택비를 높이기 위해 아크릴산 폴리머계 화합물에 함질소 유기 환상형 화합물을 첨가하여 질화막의 연마 속도를 현격히 낮추고 실리콘 산화막 수화 가속제인 아민계 화합물을 첨가하여 실리콘 산화막의 제거 속도를 높여 선택비가 향상된 화학적 기계적 연마 슬러리를 제공할 수 있다.
트렌치, 소자, 연마, 슬러리, 폴리 아크릴산, 함질소 유기 환상형 화합물, 아민
Description
본 발명의 목적은 얕은 트렌치 소자 분리용 화학적 기계적 연마 슬러리에 있어서, 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는데 유용한 화학적 기계적 연마 슬러리를 제공하는데 있다.
최근 몇 년간 반도체 기술의 발달과 함께 소자의 미세화 및 고집적화가 한층 가속화되었다. 메모리 반도체(memory semiconductor)인 경우 집적도가 점점 증가하면서 캐패시터(capacitor)의 용량을 증가시키기 위해 캐패시터의 위치가 CUB(Capacitor Under Bit line)에서 COB(Capacitor Over Bit line)로, 캐패시터의 형태가 실린더(cylinder) 구조로 바뀌고, 로직칩 (logic chip)에서는 다층 배선을 사용함에 따라 쌓는 과정들이 연속적으로 수반되기 때문에, 이러한 공정 후 웨이퍼에는 표면 단차가 발생하게 된다. 이 표면 단차에 의해 후속 공정에 많은 문제점을 야기한다. 이런 문제점들을 제거하기 위해 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, 'CMP') 공정을 도입시켜 평탄화(planarization)시킨다.
화학적 기계적 연마 공정이 사용되는 공정 중의 하나가 얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation)이다. 얕은 트렌치 소자 분리는 반도체 소자 제조 공정 중 활성화(active) 영역을 분리시키기 방법이다. 이는 실리콘 위에 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 증착시킨 후 식각(etching)을 통해 실리콘까지 트렌치를 형성한 후 실리콘 산화막 갭-필(gap-fill)을 한 후 화학적 기계적 연마를 통해 평탄화시켜 원하는 활성화 영역을 확보하는 기술이다. 그러나 트렌치에 실리콘 산화막 갭-필(gap-fill)을 한 후 화학적 기계적 연마를 수행함에 따라 실리콘 산화막과 실리콘 질화막이 드러나게 된다. 이때 낮은 제거 선택비를 갖는 슬러리를 사용할 경우 실리콘 질화막의 제거량이 많아 질 것이다. 여기서 제거 선택비는 실리콘 산화막 제거 속도에 대한 실리콘 질화막의 제거 속도비를 의미한다. 실리콘 질화막의 손실은 필드 산화막(field oxide)의 두께의 변동을 야기 시키며 과-연마 여백(over-polishing margin)을 감소시킨다.
호살리(Hosali) 등의 미국 특허 제5,738,800호에 따르면, CMP 슬러리는 수성 매질, 연마제 입자, 계면활성제, 및 각각 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막과 착화되는 분리성 양자를 갖는 두 개 이상의 관능기를 갖는 착화제를 포함한다. 상기 특허에 따르면, CMP 슬러리 중에서 착화제와 함께 사용되는 계면활성제는 통상적인 계면활성제의 기능(즉, 미립자 분산체의 안정화)은 수행하지 않으나, 복합물 표면으로부터 실리콘 질화막을 제거하는 속도에는 영향을 미치는 것으로 여겨지고 있다. 계면활성제와 착화제 사이에서 일어나는 상호 화학작용은 설명되지 않았다. 상 기 특허에 따르면, 슬러리 조성물은 종래의 CMP 슬러리 보다는 우수한 선택성을 나타내나, 단지 좁은 pH 범위(약 6 내지 약 7)내에서만 그러하였다.
그로버(Grover) 등의 미국 특허 제5,759,917호에는 집적 회로 및 반도체를 제조하는 동안 실리콘 질화막 필름 연마 방지층에 우선하여 과도하게 채워진 실리콘 산화막을 선택적으로 연마하기 위한 CMP 슬러리가 개시되어 있다. 그로버 등에 따르면 CMP 슬러리는 카복실산, 염 및 약 3 내지 11의 범위 내의 pH에서 가용성인 세륨 화합물을 포함한다. 상기 특허에 따르면, 약 5 내지 약 100의 실리콘 질화막 대 실리콘 산화막의 제거 선택비를 얻을 수 있으나, 실시예 중에서 최고로 보고 된 선택성은 34.89였고, 실질적으로 대부분의 실시예에서는 20 미만의 선택성이 얻어졌다.
한국 특허출원 제2000-074748호에서는 화학-기계적 연마에 의해 제품의 표면으로부터 실리콘 질화막에 우선하여 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는데 사용하기 위한, 카르복실산 관능기 및 아민 및 할로겐화물로부터 선택되는 제2관능기를 둘 다 갖는 유기 화합물(아미노산)과 연마제 입자를 포함하는 수성 슬러리를 개시하고 있으나, 선택비가 떨어지는 경향이 있다.
본 발명은 탈이온수, 연마입자, 연마 입자 분산제로 구성된 연마제 수용액과 제거 선택비를 높이기 위한 첨가제 수용액으로 폴리 카르복실산염, 카르복실산 폴리머계 화합물과 함질소 유기 환상형 화합물, 아민계 첨가제 등으로 구성되어 있으 며, 그 외 기타 pH조절제가 첨가된 연마 슬러리를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 이들로 구성된 슬러리를 이용하여 얕은 트렌치 소자 분리에 적용되는 높은 제거 선택비와 우수한 평탄도를 갖는 화학적 기계적 연마 슬러리를 제공하고자 한다.
이하 본 발명을 좀 더 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마용 슬러리는 탈이온수, 연마입자, 연마입자 분산제로 구성된 연마제 수용액과 제거 선택비를 높이기 위한 첨가제 수용액으로 구성되며, 산성을 나타내는 첨가제로서 카르복실산 폴리머계 화합물과 염기성 첨가제로서 함질소 유기 환상형 화합물, 아민계 화합물로 구성되어 있다. 그 외 기타 pH 조절제로 염산, 황산, 질산 용액과 수산화칼륨, 암모니아의 염기성 용액 등이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 연마제 수용액의 연마입자는 기계적 연마 기능을 수행한다. 슬러리 중에 사용되는 상기 연마입자는 CMP 슬러리에 통상적으로 사용되고 있는 다양한 연마입자 중 임의의 하나이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 통상적으로 사용되고 있는 연마입자로는 알루미나, 세리아, 산화구리, 산화주석, 산화니켈, 산화망간, 실리카, 탄화 실리콘, 질화 실리콘, 티타니아, 탄화 티탄, 산화텅스텐, 이트리아, 지르코니아 및 이들의 조합을 포함하며, 본 발명의 바람직한 연마입자는 세리아, 알루미나, 실리카 및 티타니아로 구성된 군으로부터 하나이상 선택된다.
상기 연마입자의 크기는 약 0.02 내지 약 1.0 마이크로미터 범위의 평균 크기를 갖는 것이 바람직하고, 최대 크기는 약 10 마이크로미터이다. 입자가 너무 작은 경우에는 슬러리의 연마 속도가 허용하지 못할 정도로 느릴 수 있고, 입자가 너무 큰 경우에는 연마될 입자의 표면상에 용인할 수 없는 스크래치가 발생할 수 있으며, 입자가 응집되어 침강하여 용액이 두층으로 분리 될 수 있다.
연마입자는 이온, 미립자 및 유기물 등의 불순물이 대부분 제거된 탈이온수와 혼합되며, 탈이온화는 저항률이 5 ~ 18 ㏁㎝ 정도를 나타내는 것이 바람직하다. 탈이온수와 혼합될 연마입자의 혼합 비율은 0.01 내지 30 중량%의 양으로 존재할 수 있으며, 0.5 내지 10 중량%가 바람직하다.
연마입자를 분산시키기 위한 분산제로는 계면활성제가 사용되며, 고분자 분산제, 수용성 음이온성 계면활성제, 수용성 비이온성 계면활성제, 수용성 양이온성 계면활성제 등이 사용된다. 계면활성제는 나트륨(Na), 칼륨(K) 등의 알칼리(alkali)금속 및 할로겐(halogen) 이온의 함유량이 10ppm이하로 조절되는 것이 바람직하다. 본 발명에서 사용되는 분산제인 고분자 분산제는 폴리카르복실산암모늄염으로서, 폴리아크릴산 암모늄염, 폴리 메타아크릴산 암모늄염, 폴리 아크릴산 아민염, 폴리 메타아크릴산 아민염, 폴리(에틸렌-코-아크릴산) 암모늄염, 폴리(에틸렌-코-아크릴산) 아민염, 폴리(에틸렌-코-메타 아크릴산) 암모늄염, 폴리(에틸렌-코-메타 아크릴산) 아민염 중에 하나 이상 선택되어 사용된다. 계면 활성제 함량은 연마입자 함량 대비 0.1 ~ 10중량% 사용되며, 0.5 ~ 8중량% 가 바람직하다.
첨가제 수용액은 실리콘 질화막의 연마표면에 결합하여 입체적 장애 효과를 유발함으로써 연마입자의 접근을 막아 연마 속도를 선택적으로 억제하는 기능을 갖게 한다. 예를 들면 pH 6 ~ 8에서 산화막은 표면전하가 음이고 질화막은 표면전하가 양이므로 음이온성 첨가제를 사용하여, 질화막 층에 첨가제를 흡착시킴으로써 질화막 층의 연마속도를 떨어뜨릴 수 있다. 상기 첨가제 조성물은 산성인 폴리키르복산산 중합체와 염기성인 함질소 유기 환상 화합물, 아민계 화합물에서 선택적으로 구성된다.
상기 폴리카르복실산 중합체는 폴리(메타)아크릴산 호모중합체 및 공중합체이며, 표면전하가 양인 질화막에 대하여 흡착이 우수한 음이온성 화합물로써, 좋게는, 폴리(아크릴산), 폴리(메타크릴산), 폴리(에틸렌-코-아크릴산) 및 폴리(에틸렌-코-메타크릴산)로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되며, 수용액상에 쉽게 용해시키기 위해서는 1,000 내지 1,250,000의 분자량을 갖는 것이 바람직하다. 분자량이 1,000 미만이면 입체 장애 효과가 떨어지고, 1,250,000을 초과하면 연마입자의 응집을 초래하는 문제점이 있다. 상기 카르복실산 폴리머계 화합물의 첨가량은 탈이온수와 첨가제로 구성된 첨가제 수용액 전체에 대해 0.001 내지 5 중량%의 범위인 것이 바람직하고, 상기 첨가량이 0.001 중량% 미만이면 첨가효과가 없으며, 5 중량%를 초과하면 카르복실산 폴리머계 화합물이 완전히 용해하지 않는 경향이 있다.
함질소 유기 환상형 화합물은 아크릴산 화합물과 질화막 사이에 흡착을 향상시켜 질화막의 연마 속도를 감소시키며 선택비를 증가시키는 역할을 한다.
본 발명에서 바람직한 함질소 유기 환상형 화합물은 1,3,5-트리아진, 1,3,5- 트리아진-2,4,6-트리올(시아누릭 에시드), 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리클로라이드(시아누릭 클로라이드), 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리싸이올(트리싸이오시아누릭 에시드), 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리싸이올 소듐 솔트, 1,3,5-트리아진-2,4,7-트리싸이올 트리소듐 솔트 노나하이드레이트, 3,5,7-트리아미노-s-트리아졸로[4,3-a]-s-트리아진, 1,3,5-트리아크릴로일헥사하이드로-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리아릴록시-1,3,5-트리아진, 트리알릴-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리원, 5-아자시티딘, 5-아자시토신, 4-아미노-1-β-D-아라비노퓨라노실-1,3,5-트리아진-2(1H)-원, 시아누릭 플루오라이드, 2-클로로-4,6-디메톡시-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리알릴록시-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리페닐-1,3,5-트리아진, 2-클로로-4,6-디아미노-1,3,5-트리아진, 멜라민, 2,4,6-트리(2-피리딜)-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스(1'-아지리디닐)-1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진-3,5(2H,4H)-다이원(6-아주라실), 6-아자-2-싸이민, 6-아자-2-싸이오싸이민, 6-아자-2-싸이오유리딘, 6-아자유라실, 3-아미노-5,6-디메틸-1,2,4-트리아진, 3-(2-피리딜)-5,6-디페닐-1,2,4-트리아진, 3-(2-피리딜)-5,6-비스(5-설포-2-퓨릴)-1,2,4-트리아진 디소듐 솔트 트리하이드레이트, 3-(2-피리딜)-5,6-디페닐-1,2,4-트리아진 p,p'-디술포닉에시드 모노소듐 솔트 하이드레이트, 5,6-디-2-퓨릴-3-(2-피리딜)-1,2,4,-트리아진으로 이루어진 군 중 하나 이상이 선택되어 사용된다. 첨가량은 탈이온수와 첨가제로 구성된 첨가제 수용액에 대하여 0.001 내지 4 중량%의 범위인 것이 바람직하고, 상기 첨가량이 0.001 중량% 미만이면 첨가효과가 없으며, 4 중량%를 초과하면 실리콘 산화막의 연마속도를 동시에 감소시켜 선택비를 감소시킨다.
또한, 본 발명에 따르면, 화학적 기계적 연마동안 탈이온수에 의해 수화된 실리콘 산화막과 연마 입자간에 화학적 결합이 형성된다. 그 다음, 연마패드의 물리적 힘에 의해 연마 입자와 화학적 결합을 한 수화된 실리콘 산화막이 표면으로부터 제거된다. 실리콘 산화막 수화 가속제인 아민계 화합물을 슬러리에 첨가하면 실리콘 산화막 표면에 흡착하여 실리콘 산화막 상위 층의 수화 속도를 향상시킬 수 있다. 이로 인하여 연마 입자와의 화학적 결합이 쉽게 이루어지며 결과적으로 실리콘 산화막의 제거 속도의 향상을 가져온다.
본 발명에 바람직한 아민계 화합물로는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 펜타하이드레이트, 테트라메틸암모늄 플루오라이드, 테트라메틸암모늄 플루오라이드 테트라하이드레이트, 테트라메틸암모늄 클로라이드, 테트라메틸암모늄 브로마이드, 테트라메틸암모늄 아이오다이드, 테트라메틸암모늄 나이트레이트, 테트라메틸암모늄 설페이트 하이드레이트, 테트라메틸암모늄 아세테이트, 테트라메틸암모늄 카보네이트, 테트라메틸암모늄 포메이트, 테트라메틸암모늄 실리케이트, 테트라메틸암모늄 테트라플루오로보레이트, 테트라메틸암모늄 싸이오아세테이트, 테트라메틸암모늄 트리아세톡시보로하이드라이드, 테트라메틸암모늄 보로하이드라이드, 테트라메틸암모늄(1-하이드록시에틸리딘) 펜타카르보닐크로뮴, 테트라메틸암모늄 헥사플루오로포스페이트, 테트라메틸암모늄 하이드로젠프탈레이트, 테트라메틸암모늄 하이드로젠설페이트로 이루어진 군 중 하나 이상을 선택하여 한다. 상기 화합물의 사용량은 첨가제 수용액 전체에 대하여 0.001 내지 3 중량%의 범위로 첨가된다. 상기 첨가량이 0.001 중량% 미만이면 첨가효과가 없으며, 3 중량%를 초과하면 첨가제 수용액이 알카리화되어 연마제 수용액과 혼합사용 시 pH 6 ~ 8의 범위를 벗어남으로써 선택적인 연마 특성을 부여하기가 어렵다. 제조된 용액의 pH는 입자의 분산에 매우 중요한 역할을 하므로 추가적으로 pH를 조절하기 위해서는 염산, 황산, 질산 용액과 수산화칼륨, 암모니아의 염기성 용액을 사용한다.
한편, 상기 연마제 수용액과 첨가제 수용액은 연마 특성에 따라 적정량의 탈이온수와 함께 혼합하여 사용 되며, 연마제 수용액 100 중량부 대비 첨가제 수용액은 50 내지 300 중량부, 탈이온수 0 내지 500 중량부로 사용한다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 좀 더 구체적으로 살펴보는 바, 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
탈이온수에 60 nm의 평균 입경을 갖는 세리아 입자 5 중량%와 세리아 대비 2 중량%의 폴리아크릴산 암모늄염 분산제를 혼합하여 세리아 수용액을 제조한다.
또한 탈이온수에 폴리아크릴산 고분자를 1.5 중량% 첨가한 첨가제 수용액을 제조한다. 제조된 슬러리에 pH 조절제인 KOH를 첨가하여 pH를 7.0으로 조절한다. 제조된 세리아 수용액 100 중량부 대비 첨가제 수용액 300 중량부 및 탈이온수 300 중량부를 혼합하여 사용한다. 혼합된 슬러리는 TEOS 전구체 화학 증착법에 의해 도포된 1.0 마이크론의 실리콘 산화막 필름층을 갖는 블랭킷 실리콘 웨이퍼(6 inch 직경)를 GNP사 제작 CMP 연마장비에서 로델 SUVA IV패드를 이용하여 연마하였다. 연마 조건은 3.5 psi의 하강 압력, 테이블 속도 60 rpm, Head 속도 60 rpm 에서 20 ℃의 온도 및 150 cc/min의 슬러리 유속에서 1분간 연마 하였다. CMP에 의해 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 제거된 실리콘 산화막의 양을 광학 간섭계로 측정하여 분 당 제거되는 실리콘 산화막의 Å으로 제거 속도를 측정하였다.
저압 화학 증착법에 의해 도포된 0.3 마이크론의 실리콘 질화막 필름층을 갖는 블랭킷 실리콘 웨이퍼(6 inch 직경)를 상기 CMP연막기에서 동일 슬러리로 연마하였다. CMP에 의해 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 제거된 실리콘 질화막의 양을 광학 간섭계로 측정하여 분 당 제거되는 실리콘 질화막의 Å으로 제거 속도를 측정하였다. 연마 속도 및 실리콘 질화막 대 실리콘 산화막의 선택성을 하기의 표 1에 나타내었다.
[실시예 2]
탈이온수에 60 nm의 평균 입경을 갖는 세리아 입자 5 중량%와 세리아 대비 2 중량% 의 폴리 아크릴산 암모늄염계 분산제를 혼합하여 세리아 수용액을 제조한다.
탈이온수에 폴리 아크릴산 고분자를 1.5 중량% 첨가한 수용액을 제조한다. 또한 함질소 유기 환상형 화합물인 트리아진을 2 중량% 첨가한다. 제조된 세리아 용액 및 첨가제 수용액에 대한 혼합 조건과 연마 조건은 실시예 1과 동일하다며, 그 결과를 표1에 나타내었다.
[실시예 3]
탈이온수에 60 nm의 평균 입경을 갖는 세리아 입자 5 중량%와 세리아 대비 2 중량%의 폴리 아크릴산 암모늄염계 분산제를 혼합하여 세리아 수용액을 제조한다.
탈이온수에 폴리 아크릴산 고분자 1.5 중량%, 함질소 유기 환상형 화합물로서 트리아진 화합물을 2 중량%, 아민계 화합물로써 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 1 중량% 첨가한다. 혼합물의 pH는 염산을 이용하여 pH 7이 되도록 조절한다. 각 제조된 세리아 용액 및 첨가제 수용액에 대한 혼합 조건과 연마 조건은 실시예 1과 동일하며, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[비교예]
탈이온수에 60 nm의 평균 입경을 갖는 세리아 입자 5 중량%와 세리아 대비 2 중량%의 폴리아크릴산 암모늄염 분산제를 혼합하여 세리아 수용액을 제조한다.
제조된 슬러리에 pH 조절제인 KOH를 첨가하여 pH를 7.0으로 조절한다. 제조된 세리아 수용액 100중량부에 대해 탈이온수 600중량부를 혼합하여 실시예 1과 동일한 연마조건을 연마한 한후 그 결과를 표 1에 나타내었다.
상기 표 1로부터 첨가제인 폴리아크릴산 고분자를 첨가한 실시예 1의 슬러리가 비교예에 비하여 제거 선택비가 향상된 연마 결과를 나타내었다. 그러나 폴리 아크릴산 고분자계 화합물만을 첨가하는 것으로 원하는 선택비를 얻을 수 없었으며, 더욱이 실리콘 산화막의 제거 속도는 낮고 실리콘 질화막의 제거 속도가 높아 선택비가 낮은 경향을 보였다.
실시예 2에서는 함질소 유기 환상형 화합물을 첨가함으로써 실시예 1에 비하여 질화물의 연마 속도를 낮추고, 선택비를 높일 수 있었다.
실시예 3에서는 실리콘 산화막 수화 가속제인 아민계 화합물을 슬러리에 첨가하여 실리콘 산화막 상위 층의 수화 속도를 향상시켰다. 이로 인하여 연마 입자와의 화학적 결합이 쉽게 이루어지며 결과적으로 실리콘 산화막의 제거 속도를 향상시킬 수 있었다.
앞에서 살펴 본 바와 같이, 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 슬러리는 제거 선택비를 높이기 위해 폴리아크릴산계 고분자 화합물이 포함된 상태에서 선택비에 가장 큰 영향을 주는 질화막의 연마 속도를 낮추기 위하여 함질소 화합물을 사용하였고, 실리콘 산화막 수화 가속제인 아민계 화합물을 함께 첨가하여 실리콘 질화막에 대한 실리콘 산화막의 제거 선택비가 현저히 향상되는 효과가 있다.
Claims (12)
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- 트렌치 소자 분리용 화학적 기계적 연마 슬러리에 있어서,상기 슬러리는 탈이온수, 연마입자 0.01 내지 30 중량% 및 연마입자 함량 대비 0.1 ~ 10 중량%인 계면 활성제로 구성되는 연마제 수용액과,탈이온수, 폴리(메타)아크릴산 계 중합체 0.001 내지 5 중량%, 함질소 유기 환상형 화합물 0.001 내지 4 중량%, 아민계 화합물 0.001 내지 3 중량%로 구성되는 제거 선택비를 높이기 위한 첨가제 수용액으로 구성되며,연마제 수용액 100중량부 대비 첨가제 수용액 50 내지 300 중량부로 혼합된 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 슬러리.
- 제 3항에 있어서,상기 연마입자는 세리아(ceria), 알루미나(alumina), 실리카(silica) 및 티타니아(titania)로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 슬러리.
- 제 4항에 있어서,상기 연마입자는 0.002 내지 10마이크로미터의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 슬러리.
- 제 3항에 있어서,계면 활성제는 폴리아크릴산 암모늄염, 폴리 메타 아크릴산 암모늄염, 폴리 아크릴산 아민염, 폴리 메타 아크릴산 아민염, 폴리(에틸렌-코-아크릴산) 암모늄염, 폴리(에틸렌-코-아크릴산) 아민염, 폴리(에틸렌-코-메타 아크릴산) 암모늄염, 폴리(에틸렌-코-메타 아크릴산) 아민염 중에 하나 이상 선택되어 사용되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 슬러리.
- 제 6항에 있어서,계면활성제의 분자량은 1,000 내지 1,250,000인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 슬러리.
- 제 3항에 있어서,폴리(메타)아크릴산계 중합체는 폴리(아크릴산), 폴리(메타크릴산), 폴리(에틸렌-코-아크릴산) 및 폴리(에틸렌-코-메타크릴산)로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되어 사용되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 슬러리.
- 제 3항에 있어서,함질소 유기 환상형 화합물은 1,3,5-트리아진, 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리올(시아누릭 에시드), 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리클로라이드(시아누릭 클로라이드), 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리싸이올(트리싸이오시아누릭 에시드), 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리싸이올 소듐 솔트, 1,3,5-트리아진-2,4,7-트리싸이올 트리소듐 솔트 노나하이드레이트, 3,5,7-트리아미노-s-트리아졸로[4,3-a]-s-트리아진, 1,3,5-트리아크릴로일헥사하이드로-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리아릴록시-1,3,5-트리아진, 트리알릴-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리원, 5-아자시티딘, 5-아자시토신, 4-아미노-1-β-D-아라비노퓨라노실-1,3,5-트리아진-2(1H)-원, 시아누릭 플루오라이드, 2-클로로-4,6-디메톡시-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리알릴록시-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리페닐-1,3,5-트리아진, 2-클로로-4,6-디아미노-1,3,5-트리아진, 멜라민, 2,4,6-트리(2-피리딜)-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스(1'-아지리디닐)-1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진-3,5(2H,4H)-다이원(6-아주라실), 6-아자-2-싸이민, 6-아자-2-싸이오싸이민, 6-아자-2-싸이오유리딘, 6-아자유라실, 3-아미노-5,6-디메틸-1,2,4-트리아진, 3-(2-피리딜)-5,6-디페닐-1,2,4-트리아진, 3-(2-피리딜)-5,6-비스(5-설포-2-퓨릴)-1,2,4-트리아진 디소듐 솔트 트리하이드레이트, 3-(2-피리딜)-5,6-디페닐-1,2,4-트리아진 p,p'-디술포닉에시드 모노소듐 솔트 하이드레이트, 5,6-디-2-퓨릴-3-(2-피리딜)-1,2,4,-트리아진로 이루어진 군으로부터 하나 이상이 선택되어 사용되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 슬러리.
- 제 3항에 있어서,아민계 화합물로는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 펜타하이드레이트, 테트라메틸암모늄 플루오라이드, 테트라메틸암모늄 플루오라이드 테트라하이드레이트, 테트라메틸암모늄 클로라이드, 테트라메틸암모늄 브로마이드, 테트라메틸암모늄 아이오다이드, 테트라메틸암모늄 나이트레이트, 테트라메틸암모늄 설페이트 하이드레이트, 테트라메틸암모늄 아세테이트, 테트라메틸암모늄 카보네이트, 테트라메틸암모늄 포메이트, 테트라메틸암모늄 실리케이 트, 테트라메틸암모늄 테트라플루오로보레이트, 테트라메틸암모늄 싸이오아세테이트, 테트라메틸암모늄 트리아세톡시보로하이드라이드, 테트라메틸암모늄 보로하이드라이드, 테트라메틸암모늄(1-하이드록시에틸리딘) 펜타카르보닐크로뮴, 테트라메틸암모늄 헥사플루오로포스페이트, 테트라메틸암모늄 하이드로젠프탈레이트, 테트라메틸암모늄 하이드로젠설페이트 이루어진 군 중 하나 이상을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 3항 내지 제 10항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 화학적 기계적 연마슬러리는 탈이온수를 연마제 수용액 대비 500중량부 까지 첨가하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 슬러리.
- 제 3항 내지 제 10항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,화학적 기계적 연마 슬러리는 pH가 6 내지 8의 범위를 갖도록 염산, 황산, 질산, KOH, 암모니아 등에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용하여 조절하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 슬러리.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040021258A KR100582771B1 (ko) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 반도체 얕은 트렌치 소자 분리 공정용 화학적 기계적 연마슬러리 |
| CNA2005800099571A CN1938394A (zh) | 2004-03-29 | 2005-03-24 | 用于半导体浅沟隔离加工的化学机械抛光浆料组合物 |
| US10/594,537 US7497966B2 (en) | 2004-03-29 | 2005-03-24 | Chemical mechanical polishing slurry composition for shallow trench isolation process of semiconductor |
| JP2007506076A JP2007531300A (ja) | 2004-03-29 | 2005-03-24 | 半導体における浅いトレンチ素子分離工程用の化学・機械的な研磨スラリー |
| PCT/KR2005/000859 WO2006004258A1 (en) | 2004-03-29 | 2005-03-24 | Chemical mechanical polishing slurry composition for shallow trench isolation process of semiconductor |
| TW094109586A TW200603278A (en) | 2004-03-29 | 2005-03-28 | Chemical mechanical polishing slurry composition for shallow trench isolation process of semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040021258A KR100582771B1 (ko) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 반도체 얕은 트렌치 소자 분리 공정용 화학적 기계적 연마슬러리 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050096014A KR20050096014A (ko) | 2005-10-05 |
| KR100582771B1 true KR100582771B1 (ko) | 2006-05-22 |
Family
ID=35783040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040021258A KR100582771B1 (ko) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 반도체 얕은 트렌치 소자 분리 공정용 화학적 기계적 연마슬러리 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7497966B2 (ko) |
| JP (1) | JP2007531300A (ko) |
| KR (1) | KR100582771B1 (ko) |
| CN (1) | CN1938394A (ko) |
| TW (1) | TW200603278A (ko) |
| WO (1) | WO2006004258A1 (ko) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100740898B1 (ko) * | 2005-07-21 | 2007-07-19 | 제일모직주식회사 | 절연막 연마 속도를 증가시킨 ｃｍｐ 연마용 슬러리 조성물 |
| KR100786948B1 (ko) | 2005-12-08 | 2007-12-17 | 주식회사 엘지화학 | 연마 선택비 조절제 및 이를 함유한 ｃｍｐ 슬러리 |
| KR100746917B1 (ko) * | 2006-01-12 | 2007-08-07 | 제일모직주식회사 | 다결정 실리콘 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 |
| KR101032504B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2011-05-04 | 주식회사 엘지화학 | Ｃｍｐ 슬러리 |
| JP2008182179A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-08-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤用添加剤、研磨剤、基板の研磨方法及び電子部品 |
| JP2008270584A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用組成物及び研磨加工方法 |
| JP5403910B2 (ja) * | 2007-04-23 | 2014-01-29 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| EP2237311A4 (en) * | 2008-02-01 | 2011-11-30 | Fujimi Inc | POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD THEREFOR |
| JP5403956B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2014-01-29 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| JP5403957B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2014-01-29 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| US8765653B2 (en) * | 2009-07-07 | 2014-07-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations and method for post-CMP cleaning |
| IT1402230B1 (it) | 2010-08-06 | 2013-08-28 | Breton Spa | Biossido di titanio drogato con fluoro e suo processo di produzione. |
| US9487674B2 (en) * | 2011-09-07 | 2016-11-08 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising a glycoside |
| JP2013084836A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | Ｃｍｐ方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR101388104B1 (ko) * | 2012-02-22 | 2014-04-24 | 주식회사 케이씨텍 | Ｃｍｐ 첨가제와 이를 포함하는 ｃｍｐ 연마제, 그 제조방법 및 이를 이용하는 ｃｍｐ 연마방법 |
| CN103059810B (zh) * | 2012-12-19 | 2014-07-16 | 青岛文创科技有限公司 | 一种研磨液 |
| CN103146307B (zh) * | 2013-03-28 | 2014-12-10 | 天津理工大学 | 一种化学机械抛光用纳米抛光液 |
| KR101405333B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2014-06-11 | 유비머트리얼즈주식회사 | 연마 입자, 연마 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
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| JP6732402B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2020-07-29 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
| US9803109B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-10-31 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition for silicon nitride removal |
| TWI631197B (zh) | 2016-01-25 | 2018-08-01 | 卡博特微電子公司 | 含陽離子聚合物添加劑之拋光組合物 |
| US10253216B2 (en) | 2016-07-01 | 2019-04-09 | Versum Materials Us, Llc | Additives for barrier chemical mechanical planarization |
| US11560533B2 (en) | 2018-06-26 | 2023-01-24 | Versum Materials Us, Llc | Post chemical mechanical planarization (CMP) cleaning |
| CN111378973A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
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| US6491843B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-12-10 | Eastman Kodak Company | Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide |
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| JP2002190459A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウムスラリ用添加液およびｃｍｐ研磨方法 |
| JP4972829B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2012-07-11 | 日立化成工業株式会社 | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP2003158101A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤及び製造方法 |
| SG155045A1 (en) * | 2002-07-22 | 2009-09-30 | Seimi Chem Kk | Semiconductor polishing compound, process for its production and polishing method |
| JP2004335897A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
-
2004
- 2004-03-29 KR KR1020040021258A patent/KR100582771B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-03-24 WO PCT/KR2005/000859 patent/WO2006004258A1/en active Application Filing
- 2005-03-24 JP JP2007506076A patent/JP2007531300A/ja active Pending
- 2005-03-24 CN CNA2005800099571A patent/CN1938394A/zh active Pending
- 2005-03-24 US US10/594,537 patent/US7497966B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-28 TW TW094109586A patent/TW200603278A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2006004258A1 (en) | 2006-01-12 |
| CN1938394A (zh) | 2007-03-28 |
| US20070220813A1 (en) | 2007-09-27 |
| JP2007531300A (ja) | 2007-11-01 |
| KR20050096014A (ko) | 2005-10-05 |
| TW200603278A (en) | 2006-01-16 |
| US7497966B2 (en) | 2009-03-03 |
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